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ES2279517T3 - Dispositivo para recubrir un sustrato. - Google Patents

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ES2279517T3
ES2279517T3 ES96112420T ES96112420T ES2279517T3 ES 2279517 T3 ES2279517 T3 ES 2279517T3 ES 96112420 T ES96112420 T ES 96112420T ES 96112420 T ES96112420 T ES 96112420T ES 2279517 T3 ES2279517 T3 ES 2279517T3
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ES
Spain
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compartments
cathodes
cathode
compartment
substrate
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
ES96112420T
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim Dr. Szczyrbowski
Gotz Teschner
Anton Zmelty
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Applied Materials GmbH and Co KG
Original Assignee
Applied Materials GmbH and Co KG
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Priority claimed from DE19540255A external-priority patent/DE19540255A1/de
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Abstract

EN UN DISPOSITIVO PARA RECUBRIMIENTO DE UN SUBSTRATO (30) CON UNA FUENTE (43) DE CORRIENTE ALTERNA, QUE SE UNE CON DOS CATODOS (58,59), UNO DE LOS POLOS DE LA FUENTE (43) SE CONECTA A UN CATODO (58) Y EL OTRO POLO AL OTRO CATODO (59) A TRAVES DE CONDUCCIONES (41,42) DE ABASTECIMIENTO. CADA UNO DE AMBOS CATODOS (58,59) DISPUESTOS EN UN COMPARTIMENTO (32'',40) DE UNA MULTIPLICIDAD DE APLICACIONES VECINAS, FORMANDO CONJUNTAMENTE UNA CAMARA (31) DE VACIO, HA PREVISTO COMPARTIMENTOS (32 HASTA 40'') QUE SE UNEN UNO CON OTRO A TRAVES DE UN PASO (60), DONDE AMBOS COMPARTIMENTOS (32'',40) QUE MUESTRAN CATODOS (58,59) QUE SE UNEN CON LA FUENTE (43) DE CORRIENTE ALTERNA SE DISPONEN DE FORMA SEPARADA UNO CON OTRO A TRAVES DE MULTIPLES COMPARTIMENTOS (33 HASTA 39 Y 33'' HASTA 38''), QUE ESTAN EQUIPADOS AL MENOS PARCIALMENTE CON CADA UNO DE LOS OTROS CATODOS (61 HASTA 66) DISPONIENDO DE ABASTECIMIENTO DE CORRIENTE SEPARADA.

Description

Dispositivo para recubrir un sustrato.
La invención se refiere a un dispositivo para recubrir un sustrato compuesto por una fuente de corriente alterna que está unida con cátodos que encierran imanes que cooperan eléctricamente con los blancos, que se atomizan y cuyas partículas atomizadas precipitan sobre el sustrato.
Ya se conoce un mecanismo de atomizado para fabricar capas finas (documento DD252205) compuesto por un sistema magnético y al menos dos electrodos del material que va a atomizarse dispuestos encima, en el que estos electrodos están configurados eléctricamente de tal manera que alternativamente son cátodo y ánodo de una descarga de gas. Los electrodos están conectados para este fin a una tensión alterna sinusoidal de preferiblemente 50 Hz.
Este conocido dispositivo de atomizado debe ser especialmente adecuado para la deposición de capas dieléctricas mediante atomización reactiva. Mediante el accionamiento del mecanismo con aproximadamente 50 Hz debe evitarse que se produzca formación de escamas en el ánodo y, en caso de recubrimiento metálico, cortocircuitos eléctricos (denominados arcos).
En otro dispositivo ya conocido para pulverizar una película fina, en el que la velocidad de precipitación de capas de diferentes materiales (documento DE3912572) puede regularse para lograr paquetes de capas extremadamente finas, están dispuestos al menos dos tipos diferentes de contraelectrodos previstos en el lado del cátodo.
Además, se conoce una disposición para depositar una aleación metálica con ayuda de atomización catódica de HF (documento DE3541621) en la que alternadamente se excitan dos blancos, conteniendo los blancos los componentes metálicos de la aleación metálica que va a depositarse, pero con diferentes proporciones. Los sustratos están dispuestos para este fin sobre un soporte de sustratos que durante el proceso de atomización rota por una unidad propulsora.
Por un documento previamente publicado (documento DE3802852) también se conoce para un mecanismo para el recubrimiento de un sustrato con dos electrodos y por lo menos un material que va a atomizarse disponer el sustrato que va a recubrirse entre los dos electrodos en una distancia espacial y elegir las semiondas de corriente alterna como semiondas de baja frecuencia con amplitudes esencialmente iguales.
Además, se describe un procedimiento y un dispositivo (documentos DOS4237517 y DOS4106770) para el recubrimiento reactivo de un sustrato con un material eléctricamente aislante, por ejemplo con dióxido de silicio (SiO_{2}), compuesto por una fuente de corriente alterna, que está unida con cátodos que encierran imanes dispuestos en una cámara de recubrimiento, que coopera con blancos, en el que dos salidas aisladas de tierra de la fuente de corriente alterna están unidas con un cátodo que lleva un blanco, en el que los dos cátodos en la cámara de recubrimiento están previstos uno al lado del otro en una cámara de plasma y respecto al sustrato situado enfrente presentan respectivamente aproximadamente la misma distancia espacial. A este respecto, el valor eficaz de la tensión de descarga se mide por un registro de valores eficaces de tensión conectado por una línea al cátodo y como tensión continua se introduce un controlador por una línea que controla mediante una válvula de regulación el flujo de gas reactivo del recipiente en la línea de alimentación de tal manera que la tensión medida coincida con una tensión nominal.
Finalmente se conoce un dispositivo para recubrir un sustrato, especialmente con capas no conductoras de blancos eléctricamente conductores en atmósfera reactiva (documento DE4204999), compuesto por una fuente de corriente que está unida con cátodos que encierran imanes dispuestos en una cámara de recubrimiento que puede evacuarse, que coopera eléctricamente con los blancos, en el que están dispuestos dos ánodos separados eléctricamente entre sí y de la cámara de pulverización catódica que están previstos en un plano entre los cátodos y el sustrato, en el que las dos salidas del arrollamiento secundario de un transformador unido con un generador de frecuencia media están conectadas respectivamente a un cátodo mediante línea de alimentación, en el que la primera y la segunda línea de alimentación están unidas entre sí mediante una línea de derivación en la que están intercalados un circuito oscilante, preferiblemente una bobina y un condensador, y en el que cada una de las dos líneas de alimentación está unida respectivamente tanto mediante un primer miembro eléctrico que ajusta el potencial de tensión continua en comparación con la tierra con la cámara de recubrimiento como también mediante un segundo miembro eléctrico correspondiente con el ánodo respectivo y mediante respectivamente una línea de derivación con condensador intercalado con la cámara de recubrimiento y en el que una bobina de inductancia está intercalada en la sección de la primera línea de alimentación unida al circuito oscilante con la segunda conexión secundaria.
Mientras que los dispositivos conocidos se ocupan de la "formación de arco", es decir, evitar la formación de arcos eléctricos no deseados y proteger la superficie de los blancos de la formación de capas aislantes, el objeto de la presente invención no sólo debe aumentar la estabilidad del proceso de pulverización catódica, sino también hacer controlable la uniformidad del espesor de capa. Además, el dispositivo según una forma de realización especial también debe poder acondicionarse de manera extremadamente rápida, para lo que las superficies internas de las cámaras, piezas montadas posteriormente y blancos deben estar exentas del uso de agua.
Según la presente invención, este objetivo se alcanza mediante la conexión de las dos salidas de la fuente de corriente alterna respectivamente a un cátodo mediante líneas de alimentación, estando dispuesto cada uno de los dos cátodos en un compartimento propio de una pluralidad de compartimentos contiguos unidos entre sí mediante una vía de paso que forman juntos una cámara de vacío y los dos compartimentos que presentan los cátodos están previstos dispuestos inmediatamente uno junto a otro o separados entre sí por uno o varios compartimentos.
En una forma de realización especial, un polo de la fuente de corriente alterna está conectado a un cátodo y el otro polo al otro cátodo mediante líneas de alimentación, estando previsto cada uno de los dos cátodos en un propio compartimento de una pluralidad de compartimentos contiguos unidos entre sí mediante una vía de paso que forman juntos una cámara de vacío, estando dispuestos los dos compartimentos que presentan cátodos unidos con la fuente de corriente alterna separados entre sí por uno o varios compartimentos que al menos están equipados parcialmente con un respectivo cátodo de pulverización catódica.
En las reivindicaciones se explican y caracterizan más detalladamente otras particularidades y características.
La invención permite las más distintas posibilidades de realización; dos de ellas se representan más detalladamente de manera puramente esquemática en los dibujos adjuntos y concretamente muestran:
la fig. 1 un dispositivo con una pluralidad de compartimentos dispuestos uno tras otro en el que los cátodos unidos con la fuente de corriente alterna están previstos en el primer y último compartimento representado gráficamente y
la fig. 2 un dispositivo similar al de la figura 1, pero en el que los compartimentos que están dispuestos entre los dos compartimentos que contienen cátodos unidos con la fuente de corriente alterna están parcialmente equipados con un cátodo de pulverización catódica propio.
El dispositivo está compuesto según la figura 1 por una cámara 3 principal de vacío que está dividida en una pluralidad de compartimentos 4 a 8 individuales, en el que todos los compartimentos se comunican entre sí mediante una vía 9 ó 10 de paso formada al menos por secciones con ayuda de tubos 26, 27 o caños y el primero y el último de los compartimentos 1 u 8 está equipado respectivamente con un cátodo 11,12, en el que los dos cátodos 11,12 están unidos mediante tuberías 13,14 de abastecimiento con la fuente 15 de corriente alterna, por ejemplo un generador de frecuencia media. El segundo, tercero y cuarto compartimento 5,6 ó 7 está conectado respectivamente a un bomba 16,17,18 de vacío propia, en el que los dos primeros compartimentos 7 y 8 están unidos entre sí mediante orificios 19 ó 20 en las paredes 21 ó 22 de separación respectivas. Los compartimentos 4,6 y 8 están conectados a líneas 23,23' o 24,24' o 25,25' de alimentación de gas por las que puede entrar el gas de proceso en los compartimentos 4 a 8 individuales. El sustrato 2 se transporta durante el proceso de recubrimiento a lo largo de la vía 9,10 de paso o por los tubos 26,27 o caños y pasa por delante de los dos cátodos 11,12, permitiendo los compartimentos 4 a 8 individuales un ajuste sensible de las condiciones de pulverización catódica para los dos cátodos 11,12.
Los cátodos 11, 12, que se alimentan los dos juntos de un generador de corriente alterna, están dispuestos en los compartimentos 4, 8 que respectivamente están unidos mediante orificios 19, 20 con los compartimentos 5,7 contiguos, mediante los que se evacuan los compartimentos 4,8 de los cátodos. Las entradas 23,23' o 25,25' de gas abastecen los cátodos con gas de proceso, por ejemplo argón. La entrada 24,24' de gas abastece los cátodos con gas reactivo.
El dispositivo anteriormente descrito y representado en la figura 1 tiene especialmente las siguientes ventajas:
1. Simplificación de un dispositivo de dos cátodos de magnetrón debido a que pueden usarse dos cátodos 11,12 habituales de alto rendimiento en departamentos o compartimentos separados 4,8.
2. Como los compartimentos están separados entre sí, los cátodos 11,12 pueden hacerse funcionar en distintas atmósferas de pulverización catódica.
3. Debido a 2 es posible ajustar, controlar y regular por separado los puntos de funcionamiento de los dos cátodos 11,12.
4. Es posible hacer funcionar los cátodos 11,12 en modo metálico, es decir, sin o con poco gas reactivo, entrando el gas reactivo en un compartimento entre los cátodos. En este compartimento, el material depositado puede reaccionar con el gas reactivo bajo la acción de plasma.
5. Debido al distanciamiento de los cátodos 11,12, entre los dos cátodos se genera una zona de plasma de extensión muy grande. Sin que se necesiten coadyuvantes adicionales puede generarse una banda de plasma de varios metros de longitud con la anchura de los cátodos. En esta banda de plasma pueden tratarse sustratos 2 (decapado, nitruración, activación de la superficie...).
6. Debido a la gran distancia entre los dos cátodos 11,12 se dificulta una descarga eléctrica directa. Con esto aumenta la estabilidad del proceso.
7. En el camino entre los dos cátodos 11,12 están dispuestas etapas 5,6,7 de presión que permiten que las presiones de los gases de pulverización catódica en los dos espacios 4 y 8 catódicos y también en el espacio 6 intermedio entre los cátodos 11,12 puedan ajustarse respectivamente de manera diferente.
\newpage
8. Mediante las etapas de presión según 7 también es posible hacer funcionar los cátodos 11,12 con diferentes tipos o mezclas de gases.
9. El orificio 26,27 o el caño o la vía 9,10 de paso hace posible el transporte del sustrato 2, en el que el transporte del sustrato también puede realizarse por separado del plasma mediante esclusas de rendija.
10. El dispositivo es adecuado para realizar PECVD de grandes superficies. En el caso de tratamiento con plasma de grandes superficies, este dispositivo también ofrece ventajas, es decir, al decapar y desgasificar sustratos transportados hacia el interior. Finalmente es posible la desgasificación de esta manera de una instalación para vidrio habitual mediante encendido de un plasma de frecuencia media entre el primer y el último cátodo de CC de toda la instalación o entre cátodos adicionales, preferiblemente con blanco de Ti, durante el bombeo.
El dispositivo según la figura 2 está compuesto por una cámara 31 principal de vacío que está dividida en una pluralidad de compartimentos 31 a 40, 32' a 40' individuales, en el que todos los compartimentos se comunican entre sí mediante una vía 60 de paso formada al menos por secciones con ayuda de tubos 54, 55, ... o caños y el primero y el último de los compartimentos 32 ó 40 está equipado respectivamente con un cátodo 58, 59, en el que los dos cátodos 58, 59 están unidos mediante líneas 41, 42 de alimentación con los polos de la fuente 43 de corriente alterna, por ejemplo un generador de frecuencia media. El segundo, cuarto, sexto, etc. compartimento 33 a 39 y 40' está conectado respectivamente a un bomba 44, 45, 46 ó 67 a 71 de vacío propia, estando los compartimentos 32' a 40' unidos entre sí mediante orificios 47, 48, ... en las paredes 49, 50, ... de separación respectivas. Los compartimentos 32', 33' a 38', 40 están conectados a líneas 51, 51'; 52, 52'; 53, 53' ... de alimentación de gas por las que puede dejarse entrar el gas de proceso en los compartimentos 32', 33' a 38' y 40 individuales. El sustrato 30 (por ejemplo una luna plana) se transporta durante el proceso de recubrimiento a lo largo de la vía 60 de paso por los tubos 54, 55, ... o caños y pasa por delante de los dos cátodos 58, 59, permitiendo los compartimentos individuales un ajuste sensible de las condiciones de pulverización catódica para los dos cátodos 58, 59.
Los cátodos 58, 59, que se alimentan los dos juntos de un generador 43 de corriente alterna, están dispuestos en los compartimentos 32', 40 que respectivamente están unidos mediante orificios 47, 48, 72 con los compartimentos 33, 39 y 40' contiguos, mediante los que se evacuan los compartimentos 31', 40 de los cátodos. Las entradas 51, 51' o 53, 53' de gas abastecen los cátodos 58, 59 con gas de proceso, por ejemplo argón.
Los cátodos 61 a 66 dispuestos en los compartimentos 33', 34' a 38' están unidos con fuentes de corriente no representadas más detalladamente en el dibujo y pueden ser cátodos de pulverización catódica que se hagan funcionar tanto con corriente continua como con corriente alterna, por ejemplo con frecuencia media.
En el caso representado se trata del esquema de una instalación de recubrimiento de vidrio plano en el que la luna 30 que viene por la izquierda en la dirección A de la flecha atraviesa todas las estaciones o pasa todos los compartimentos y sale de nuevo por el extremo derecho de la vía 60 de paso en la dirección A de la flecha. En este caso, los cátodos 61 a 66 sirven exclusivamente para el recubrimiento del vidrio, mientras que los cátodos 58 y 59 abastecidos con corriente alterna se ocupan del acondicionamiento de la instalación continua y permanecen desconectados durante el propio proceso de recubrimiento.
Las instalaciones de recubrimiento de vidrio necesitan en general aproximadamente de 8 a 10 horas para el acondicionamiento. Por tanto, se pierde este tiempo de producción. No se han podido imponer mecanismos de descarga luminiscente habituales para reforzar la desorción ya que necesitan electrodos adicionales en el espacio en el que aparece una fuerte contaminación durante el funcionamiento. Entonces, estos generan escamas y otros descascarillamientos.
La ventaja de la disposición propuesta es que en los espacios en los que debe reforzarse la desorción no son necesarias piezas montadas posteriormente adicionales. Además, el plasma arde principalmente en la zona entre el mecanismo de transporte y el fondo de la instalación, de manera que también se recogen las zonas que se escapan de los ciclos de limpieza normales.
Mediante el plasma de magnetrón intenso se produce una fuerte desorción en todas las superficies internas de la instalación de recubrimiento. El plasma de magnetrón tiene una densidad de portadores de carga superior a un factor de 10 en comparación con los conocidos plasmas de limpieza de descarga luminiscente de CC. La estricción de plasma típica para CC no aparece a la frecuencia media. El plasma llena toda la cámara 31. En esta disposición, encender una descarga de magnetrón de CC no es técnicamente posible sin otro coadyuvante. En comparación, la descarga de frecuencia media enciende sin problemas.
En la descarga de CC aparecen otros problemas porque el cátodo necesita un ánodo, de manera que debe montarse un electrodo adicional o el trayecto de pulverización catódica del getter sólo está dispuesto unilateralmente en la instalación.
El dibujo muestra la estructura típica de una instalación de recubrimiento de vidrio con varios cátodos que están dispuestos respectivamente en un compartimento separado. A cado cátodo le pertenece un sistema de entrada y abastecimiento de gas. Los compartimentos de cátodos se evacuan mediante los compartimentos 33 a 39, 40' de bombeo respectivamente contiguos. La figura 2 muestra una variante en la que el primer y el último cátodo 58, 59 de la instalación están conectados para la generación de plasma al generador 15 de frecuencia media. Para esto están separados de las alimentaciones de corriente CC correspondientes (no representadas). Si la tensión de frecuencia media se aplica ahora a los cátodos 58, 59, entonces se forma una banda de plasma por toda la instalación. Con las entradas de gas de los cátodos, que se encuentran entre los dos cátodos alimentados con frecuencia media, puede variarse la intensidad de plasma en las cámaras. Para el acondicionamiento, los cátodos 58, 59 pulverizan catódicamente la parte del fondo de la cámara 31; sin embargo, es absolutamente útil disponer sustratos debajo de los dos cátodos 30,31, que posteriormente se retiran, para evitar un recubrimiento innecesario de esta parte del fondo. Como blanco para los cátodos 58, 59 se recomienda un blanco de titanio.
Lista de números de referencia
2
Sustrato
3
Cámara principal de vacío
4
Compartimento
5
Compartimento
6
Compartimento
7
Compartimento
8
Compartimento
9
Vía de paso
10
Vía de paso
11
Cátodo de pulverización catódica
12
Cátodo de pulverización catódica
13
Línea de alimentación
14
Línea de alimentación
15
Fuente de corriente alterna
16
Bomba de vacío
17
Bomba de vacío
18
Bomba de vacío
19
Orificio
20
Orificio
21
Pared de separación
22
Pared de separación
23,23'
Línea de alimentación de gas
24,24'
Línea de alimentación de gas
25,25'
Línea de alimentación de gas
26
Caño de tubo
27
Caño de tubo
28
Pared de separación
29
Pared de separación
30
Sustrato, luna
31
Cámara principal de vacío
32, 32'
Compartimento
33, 33'
Compartimento
34, 34'
Compartimento
35, 35'
Compartimento
36, 36'
Compartimento
37, 37'
Compartimento
38, 38'
Compartimento
39, 39'
Compartimento
40, 40'
Compartimento
41
Línea de alimentación
42
Línea de alimentación
43
Fuente de corriente alterna
44
Bomba de vacío
45
Bomba de vacío
46
Bomba de vacío
47
Orificio
48
Orificio
49
Pared de separación
50
Pared de separación
51, 51'
Línea de alimentación de gas
52, 52'
Línea de alimentación de gas
53, 53'
Línea de alimentación de gas
54
Caño de tubo
55
Caño de tubo
56
Pared de separación
57
Pared de separación
58
Cátodo
59
Cátodo
60
Vía de paso
61
Cátodo
62
Cátodo
63
Cátodo
64
Cátodo
65
Cátodo
66
Cátodo
67
Bomba de vacío
68
Bomba de vacío
69
Bomba de vacío
70
Bomba de vacío
71
Bomba de vacío
72
Orificio

Claims (9)

1. Dispositivo para recubrir un sustrato, (2), especialmente con capas no conductoras de blancos eléctricamente conductores en atmósfera reactiva (por ejemplo oxidante), compuesto por una fuente de corriente alterna (15) que está unida con dos cátodos (11,12) que encierran imanes que cooperan eléctricamente con los blancos, que se atomizan y cuyas partículas atomizadas precipitan sobre el sustrato (2), en el que un polo de la fuente de corriente alterna (15) está conectado a un cátodo (11) y el otro polo al otro cátodo (12) mediante líneas de alimentación (13,14), caracterizado porque cada uno de los dos cátodos (11,12) está previsto en un compartimento propio (4,8) de una pluralidad de compartimentos (4 a 8) contiguos unidos entre sí mediante una vía de paso (9) que forman juntos una cámara de vacío (3), estando previstos los dos compartimentos (4,8) que presentan los cátodos (11,12) dispuestos inmediatamente uno junto a otro o separados entre sí por uno o varios compartimentos (5,6,7).
2. Dispositivo según la reivindicación 1, caracterizado porque el primer y el último compartimento (4 u 8) de los compartimentos (4 a 8) situados uno junto a otro en una fila están equipados respectivamente con un cátodo (11 ó 12), desembocando en los dos compartimentos (4,8) adicionalmente líneas de gas por las que puede introducirse un gas de proceso en estos compartimentos.
3. Dispositivo según la reivindicación 1, caracterizado porque la vía de paso (9 ó 10) para el transporte de los sustratos (2) por las estaciones de cátodo (4 y 8) tiene lugar parcialmente mediante tubos o caños (26,27) dispuestos alineados, que están atravesados de manera hermética por paredes (21,28 ó 22,29) que separan entre sí compartimentos individuales, en el que los compartimentos (5 ó 7) por los que sobresalen los tubos o caños (26,27) se corresponden mediante aberturas u orificios (19 ó 20) en las paredes de separación (21 ó 22) con los compartimentos (4,8) para los cátodos (11,12).
4. Dispositivo según una o varias de las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque en los compartimentos (4,8) equipados con los cátodos (11,12) desembocan líneas (23,23' ó 25,25') por las que puede entrar el argón en estos compartimentos (4,8), en el que en un tercer compartimento (6) dispuesto entre los dos compartimentos de cátodos (4,8) desembocan otras líneas (24,24') por las que puede entrar un gas reactivo.
5. Dispositivo según una o varias de las reivindicaciones 1 a 4, caracterizado porque los compartimentos (5,6,7) dispuestos entre los dos compartimentos (4,8) provistos de cátodos (11,12) están unidos respectivamente con bombas de vacío (16,17,18).
6. Dispositivo para recubrir un sustrato (30), compuesto por una fuente de corriente alterna (43) que está unida con dos cátodos (58, 59) que encierran imanes que cooperan eléctricamente con los blancos, en el que un polo de la fuente de corriente alterna (43) está conectado a un cátodo (58) y el otro polo al otro cátodo (59) mediante líneas de alimentación (41, 42), caracterizado porque cada uno de los dos cátodos (58, 59) está previsto en un compartimento propio (32', 40) de una pluralidad de compartimentos (32', 40) contiguos unidos entre sí mediante una vía de paso (60) que forman juntos una cámara de vacío (31), en el que los dos compartimentos (32', 40) que presentan los cátodos (58, 59) unidos con la fuente de corriente alterna (43) están dispuestos separados entre sí por uno o varios compartimentos (33 a 39 y 33' a 38'), que al menos están equipados parcialmente con un respectivo cátodo de pulverización catódica (61 a 66).
7. Dispositivo según la reivindicación 6, caracterizado porque el primer y el último compartimento (32' ó 40) de los compartimentos (32' a 40') situados uno junto a otro en una fila están equipados respectivamente con un cátodo (58 ó 59), desembocando en los dos compartimentos (32', 40) adicionalmente líneas de gas (51, 51' ó 53, 53') por las que puede introducirse un gas de proceso en estos compartimentos (32', 40).
8. Dispositivo según la reivindicación 6, caracterizado porque la vía de paso (60) para el transporte de los sustratos (30) por las estaciones de cátodo (32' y 40), cuyos cátodos están unidos con la fuente de corriente alterna (43), tiene lugar parcialmente mediante tubos o caños (54, 55, etc.) dispuestos alineados, que están atravesados de manera hermética por paredes (49, 56 ó 50, 57, etc.) que separan entre sí compartimentos individuales, en el que los compartimentos (33 o 40') por los que sobresalen los tubos o caños (54, 55, ...) se corresponden mediante aberturas u orificios (47, 48, etc.) en las paredes de separación (49, 50, etc.) con los compartimentos (32', 40) para los cátodos (58, 59).
9. Dispositivo según las reivindicaciones 1 a 3, caracterizado porque además de los compartimentos (32' 40) para los dos cátodos (58, 59) conectados al generador (43) están previstos otros compartimentos (33' a 38') en los que están dispuestos cátodos de pulverización catódica (61 a 66), que están unidos con una segunda fuente de corriente, en el que estos compartimentos (33' a 38') que presentan cátodos (61 a 66) están abiertos hacia la vía de paso (60) para el sustrato (30) y el sustrato (30) en el transporte por la vía de paso (60) llega a la zona de acción de todos estos cátodos (61 a 66).
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19733940C2 (de) * 1997-08-06 2001-03-01 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von plattenförmigen Substraten mit dünnen Schichten mittels Kathodenzerstäubung
DE19834592A1 (de) * 1998-07-31 2000-02-03 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von plattenförmigen Substraten
DE10004786C2 (de) * 1999-09-14 2002-11-07 Ardenne Anlagentech Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage
US6881269B2 (en) * 2000-08-17 2005-04-19 Novartis Ag Lens plasma coating system
KR100486692B1 (ko) * 2002-03-29 2005-05-03 주식회사 엘지이아이 연속처리가 가능한 열교환기 표면처리장치
KR100455425B1 (ko) * 2002-03-29 2004-11-06 주식회사 엘지이아이 전원공급이 조절되는 열교환기 표면처리장치
KR20030078454A (ko) * 2002-03-29 2003-10-08 주식회사 엘지이아이 표면처리장치와 그 방법 및 표면처리된 제품
CH696013A5 (de) * 2002-10-03 2006-11-15 Tetra Laval Holdings & Finance Vorrichtung zur Behandlung eines bandförmigen Materials in einem Plasma-unterstützten Prozess.
DE10320985B4 (de) * 2003-05-09 2005-03-24 Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co.Kg Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit von der Vakuumkammer getrenntem Saugraum
DE10352143B4 (de) * 2003-11-04 2009-06-25 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Längserstreckte Vakuumanlage zur ein- oder beidseitigen Beschichtung flacher Substrate
DE10352144B8 (de) * 2003-11-04 2008-11-13 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage zum Beschichten von längserstreckten Substraten
KR20050093230A (ko) * 2004-03-18 2005-09-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 스퍼터링 장비
US8500965B2 (en) * 2004-05-06 2013-08-06 Ppg Industries Ohio, Inc. MSVD coating process
JP4653418B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置および光ディスクの製造方法
JP4653419B2 (ja) * 2004-05-17 2011-03-16 芝浦メカトロニクス株式会社 真空処理装置
EP1698715A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-06 Applied Films GmbH & Co. KG Anlage zum Beschichten eines Substrats und Einschubelement
ES2302401B2 (es) * 2005-06-03 2009-03-16 Universidad De Alicante Sistema de generacion micro-topografica por pulverizacion catodica.
KR101149169B1 (ko) 2009-12-04 2012-05-30 주식회사 디엠에스 태양전지 제조용 스퍼터 증착 장치
DE202011002012U1 (de) 2011-01-27 2011-04-07 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage mit Pump- und Magnetronanordnung
US8825710B2 (en) * 2011-05-26 2014-09-02 Planet Technologies Cloud computing method for dynamically scaling a process across physical machine boundaries
BR102012005847A2 (pt) * 2012-03-15 2013-11-19 Electrolux Do Brasil Sa Aparelho condicionador de ar provido de câmara de vácuo
EP3118349B1 (en) * 2015-07-14 2018-07-04 Applied Materials, Inc. Deposition source, deposition apparatus and method of operating thereof
CN106987822B (zh) * 2017-05-04 2019-01-01 北京创世威纳科技有限公司 基于分段传送的连续式线型磁控溅射镀膜机

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE252205C (es)
DE2811942C2 (de) 1977-03-23 1986-09-18 Vide et Traitement S.A., Neuilly-en-Thelle Ofen zur ionischen Nitrierbehandlung von metallischen Werkstücken
US4331526A (en) 1979-09-24 1982-05-25 Coulter Systems Corporation Continuous sputtering apparatus and method
JPS58120860A (ja) 1982-01-06 1983-07-18 株式会社山東鉄工所 シ−ト状物質の低温プラズマ処理装置
DE3331707A1 (de) * 1983-09-02 1985-03-21 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum reaktiven aufstaeuben von verbindungen von metallen und halbleitern
US4608943A (en) 1984-10-24 1986-09-02 Sovonics Solar Systems Cathode assembly with localized profiling capabilities
US4920917A (en) 1987-03-18 1990-05-01 Teijin Limited Reactor for depositing a layer on a moving substrate
DE3802582A1 (de) 1988-01-29 1989-08-03 Prinzing Georg Gmbh Co Kg Verfahren zum schneiden von betonteilen, insbesondere betonrohren, mit vorzugsweise grossem lichten durchmesser und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3912295C2 (de) 1989-04-14 1997-05-28 Leybold Ag Katodenzerstäubungsanlage
DE3925536A1 (de) * 1989-08-02 1991-02-07 Leybold Ag Anordnung zur dickenmessung von duennschichten
DE4106770C2 (de) * 1991-03-04 1996-10-17 Leybold Ag Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
DE4111384C2 (de) * 1991-04-09 1999-11-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
JPH04326725A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ装置
DE4204999A1 (de) * 1991-11-26 1993-08-26 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE4239843A1 (de) * 1992-11-27 1994-06-01 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung von Plasma, insbesondere zum Beschichten von Substraten
DE4326100B4 (de) * 1993-08-04 2006-03-23 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen
DE4333825C1 (de) 1993-09-28 1995-02-23 Mat Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von langgestreckten biegsamen Erzeugnissen
DE19540794A1 (de) * 1995-11-02 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von einem elektrisch leitfähigen Target
DE19544584A1 (de) * 1995-11-30 1997-06-05 Leybold Ag Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material

Also Published As

Publication number Publication date
EP0783174A2 (de) 1997-07-09
US6168698B1 (en) 2001-01-02
KR100260601B1 (ko) 2000-07-01
EP0783174B1 (de) 2006-12-13
EP0783174A3 (de) 1999-02-17
JP3964951B2 (ja) 2007-08-22
DE59611403D1 (de) 2007-01-25
KR970021356A (ko) 1997-05-28
JPH09170080A (ja) 1997-06-30

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