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EP3175492A1 - Dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques - Google Patents

Dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques

Info

Publication number
EP3175492A1
EP3175492A1 EP15726038.1A EP15726038A EP3175492A1 EP 3175492 A1 EP3175492 A1 EP 3175492A1 EP 15726038 A EP15726038 A EP 15726038A EP 3175492 A1 EP3175492 A1 EP 3175492A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
diode
insulating layer
forming
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP15726038.1A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Mohamed Khalifa
Bruno Dussert-Vidalet
Mehdi BELOUCIF
Steffen SCHMITZ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Astron Fiamm Safety SARL
Original Assignee
Astron Fiamm Safety SARL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Astron Fiamm Safety SARL filed Critical Astron Fiamm Safety SARL
Publication of EP3175492A1 publication Critical patent/EP3175492A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]

Definitions

  • the present invention generally relates to organic light emitting diodes. It receives for advantageous application a system of electrical connectivity by means of electrical tracks for the purpose of addressing organic light emitting diodes.
  • a light-emitting diode is a semiconductor with physical properties such that the light-emitting diode has the ability to directly convert electricity into light, while being unrivaled efficiency in terms of energy consumption.
  • Light-emitting diode illumination allows a homogeneous distribution of the light beam; this lighting can especially be very close to the light of day.
  • This separation can be ensured firstly by chemical etching and / or laser ablation of the first electrode deposited on a glass substrate for example, and secondly by the organic layers deposited between the anode and the cathode.
  • the shape of the "OLED" type light sources is defined by metal stencils (masks), in particular for the deposition of the organic layers and the deposition of the metal cathode.
  • the active surfaces of organic light-emitting diodes always have a full-surface light.
  • the electrical contact system is provided by anode and cathode pads.
  • an electrical connection architecture in series or in parallel is used.
  • a so-called "active" matrix is used in reference to a technique for addressing elementary light sources, that is to say how the electrical information is transported to each elementary light source. With this type of configuration, each elementary light source is controlled independently of the others.
  • the manufacturing process begins with the realization of circuits that will allow to supply power to the organic light emitting diodes. Then, the organic layers are deposited on the matrix to form an organic diode on each elementary light source.
  • the present invention solves all or at least some of the disadvantages of current techniques.
  • the present invention also proposes a device comprising at least two organic light-emitting diodes comprising an electrical connection system optimizing the space used, while limiting the effects of the electrical conductivity of the connecting tracks.
  • the present invention relates to a device comprising at least two organic light-emitting diodes comprising, on a substrate, a lower layer in which at least a first electrode is located, an organic layer positioned above the lower layer and a layer at least partially positioned on the organic layer and wherein is located at least in part, for each diode, a second electrode.
  • the device comprises:
  • a first bilayer stack comprising a first insulating layer and a first conductive layer; said stack being configured so that the first insulating layer at least partially covers the upper layer so as to leave exposed, for each diode, a portion protruding from the upper layer forming the second electrode of each diode, and in that that at least the first conductive layer, while being electrically isolated from the other diodes, covers at least partially at a time: the first insulating layer, at least the projecting portion of at least a first diode not covered by the first insulating layer; and a first isolated area; said first insulated area, partly covered by the first conductive layer, forming a contact recovery for said first diode; a second bilayer stack comprising a second insulating layer and a second conductive layer; said stack being configured so that the second insulating layer at least partially covers at least the first conductive layer, and in that at least the second conductive layer, while being electrically isolated from the first diode, at least partially overlaps with both:
  • the method according to the invention comprises forming an isolated area of the lower layer relative to remaining areas of the lower layer.
  • the present invention also relates to a method of producing a device comprising at least two organic electroluminescent diodes comprising the formation of a lower layer in which at least a first electrode is located on a substrate.
  • the method comprises the following steps:
  • an upper layer positioned at least partially on the organic layer, said upper layer comprising at least one second electrode for each of the diodes,
  • first bilayer stack comprising a first insulating layer and a first conductive layer; said stack being configured so that the first insulating layer at least partially covers the upper layer so as to leave exposed, for each diode, a portion protruding from the upper layer forming the second electrode of each diode, and in that that at least the first conductive layer, while being electrically isolated from the other diodes, covers at least in part at a time: the first insulating layer, at least the projecting portion of at least a first diode not covered by the first insulating layer and a first isolated area; said first insulated area, covered by the first conductive layer, forming a contact recovery for said first diode,
  • a second bilayer stack comprising a second insulating layer and a second conductive layer; said stack being configured so that the second insulating layer at least partially covers at least the first conductive layer, and in that at least the second conductive layer, while being electrically isolated from the first diode, at least partially overlaps with both: the second insulating layer, at least the projecting portion of at least a second diode not covered either by the first insulating layer, or by the second insulating layer and a second insulated zone; said second insulated area, covered by the second conductive layer, forming a contact recovery for said second diode.
  • the present invention proposes a simple and inexpensive elementary light source addressing method which, advantageously thanks to laser irradiation etching, avoids the problems inherent in organic light-emitting diode manufacturing processes (sealing problems of the electroluminescent light-emitting diodes). organic layers during wet etching, short circuit problems, etc.).
  • this method makes it possible to produce an organic light-emitting diode which optimizes the size and more specifically the architecture of the addressing tracks of elementary light sources by the superposition of conductive layers electrically separated by insulating intermediate layers.
  • FIG. 1 represents a schematic view in longitudinal section of a stack of layers forming an organic light emission device according to the prior art.
  • FIG. 2 represents a schematic view in longitudinal section of a stack of layers according to one embodiment of the invention, comprising a laser-irradiated lower layer, an organic layer and an upper layer.
  • the etching of the lower layer forms a trench separating an isolated area from the remaining areas of the lower layer.
  • FIG. 3 illustrates a schematic view from above of the stack of layers.
  • the upper layer comprises a plurality of distinct zones forming elementary light sources in the form of organic light-emitting diodes.
  • FIG. 4 illustrates a schematic view from above of the formation of a first insulating layer covering a portion of the stack of layers.
  • FIG. 5 illustrates a schematic view from above of the formation of a first conductive layer covering at least partly the first insulating layer.
  • FIG. 6 illustrates a schematic view from above of the formation of a second insulating layer covering at least partly the first conductive layer.
  • FIG. 7 illustrates a schematic view from above of the formation of a second conductive layer covering at least partly the second insulating layer.
  • FIG. 8 illustrates a schematic view from above of the formation of a third insulating layer covering at least partly the second conductive layer.
  • FIG. 9 illustrates a schematic view from above of the formation of a third conductive layer covering at least partly the third insulating layer.
  • FIG. 10 illustrates a schematic view from above of a step of placing a cover over the stack of layers; said cover being previously coated with a layer of adhesive and comprising at least one through opening, giving direct access to certain layers of the stack.
  • the terms "on” or “above” do not necessarily mean “in contact with”.
  • the deposition of a layer on another layer does not necessarily mean that the two layers are directly in contact with each other but that means that one of the layers at least partially covers the other being either directly in contact with it, or being separated from it by a film, another layer or another element.
  • a layer may comprise a plurality of layers.
  • the term "layer” does not necessarily mean a full plate distribution on the substrate.
  • the present invention is applicable both for the top-emitting devices (in English “top emission”) and for the devices to emission down (in English “bottom emission”).
  • the device comprises at least a third diode.
  • the device comprises a third bilayer stack comprising a third insulating layer and a third conductive layer; said third stack being configured so that the third insulating layer partly covers at least the second conductive layer, and in that at least the third conductive layer, while being electrically isolated from the other diodes, at least partially overlaps with both: the third insulating layer, at least the projecting portion of at least a third diode not covered either by the first insulating layer, by the second insulating layer, or by the third insulating layer and a third isolated zone; said third isolated zone, covered by the third conductive layer, forming a contact recovery for said third diode.
  • the first conductive layer or the second conductive layer covers the projecting portion of the third diode not covered either by the first insulating layer, or by the second insulating layer.
  • the patterns of the second electrodes of each diode are configured so as to be aligned.
  • the layers of the plurality of insulating layers are superposable and of the same size.
  • Each conductive layer is preferably deposited so as to form lateral projections; said projections being configured to be in electrical continuity on the one hand with a portion of the projecting portion of at least one diode and on the other hand with one of the plurality of isolated areas.
  • each overlapping portion of each diode is covered by one of the conductive layers of one of the two-layer stacks.
  • the device comprises a cover provided with at least one through opening; said opening being positioned so as to allow access to each of the contact occasions of each diode formed by each of the layers conductors each covering one of the plurality of isolated areas and contacting the second electrode.
  • At least one of the insulating layers comprises at least one organic layer and / or at least one inorganic layer.
  • the trench has a closed contour transversely to the thickness.
  • the organic layer is positioned in part at least on the isolated area.
  • the substrate comprises a material selected from glass, metal, plastic, fabric or paper.
  • the step of forming at least one additional bilayer stack is repeated until each overflowing portion of each diode is covered by one of the conductive layers. one of the two-layer stacks.
  • each insulating layer of the succession of bilayer stacks comprises a masking step common to each of the insulating layers.
  • each conductive layer of the succession of bilayer stacks comprises a deposition performed so as to form lateral projections; said projections being configured to be in electrical continuity on the one hand with a portion of the projecting portion of at least one diode and on the other hand with one of the plurality of isolated areas.
  • the formation of at least one of the insulating layers is carried out by liquid, thermal evaporation or chemical deposition.
  • the formation of at least one of the conductive layers is carried out by thermal evaporation, cathodic sputtering, atomic layer deposition, chemical vapor deposition.
  • the formation of the organic layer is carried out by thermal evaporation, cathodic sputtering, atomic layer deposition, chemical vapor deposition.
  • the formation of the plurality of isolated areas of the lower layer is performed by etching the lower layer so as to form a trench separating said isolated areas of the remaining areas of the lower layer; said trench having a depth equal to the thickness of said lower layer.
  • a step is made to place a cover over at least the last bilayer stack; said hood being previously coated with a layer of adhesive and having at least one through opening; said opening being positioned so as to allow access to each of the contacts of contact of each diode formed by each of the conductive layers each covering one of the plurality of isolated areas and the resumption of contact of the first electrode.
  • the purpose of the following method is to provide an organic light emitting device comprising an electrical connection system making it possible to optimize the addressing of elementary light sources, while allowing a small space requirement.
  • a stack of layers is formed on a substrate 100.
  • a lower layer 200 is first deposited on the substrate 100.
  • An organic layer 300 is then deposited so as to cover part of the lower layer 200.
  • the lower layer 200 protrudes laterally from the organic layer 300.
  • the lower layer 200 has a portion not covered by the organic layer. 300.
  • An upper layer 500 is deposited so as to at least partially cover the organic layer 300.
  • the upper layer 500 covers the surface of the organic layer 300, without being in contact with the lower layer 200.
  • the upper layer 500 s extends beyond the organic layer 300 as illustrated in FIG.
  • the upper layer 500 protrudes laterally from the stack of layers.
  • the projecting portion of the lower layer 200 and the projecting portion of the upper layer 500 are neither superimposed nor in contact. They may be located on opposite edges of the stack of layers.
  • the lower layer 200 forms a first electrode, preferably the anode.
  • An electrical contact recovery 400 is typically made from said lower layer 200. This contact recovery 400 is preferably made of a metallic material.
  • the upper layer 500 forms a second electrode, preferably the cathode.
  • Figures 2 to 10 illustrate the steps of the method forming the organic light emitting device according to the present invention.
  • Figures 2 and 3 illustrate a schematic representation, respectively in longitudinal section and in top view, of a stack of layers for forming the organic light emitting diode.
  • a layer is formed lower 200 on a substrate 100.
  • the substrate 100 is a flat plate made of a transparent material.
  • the substrate 100 is made of glass.
  • the substrate 100 may be chosen from metal, plastic, fabric or paper.
  • the lower layer 200 represents a first electrode, preferably the anode.
  • the lower layer 200 is composed of an inorganic material.
  • the lower layer 200 is selected from a transparent or semi-transparent material.
  • a material is considered transparent (respectively semi-transparent) if it lets the light waves pass through a certain wavelength range, ie it does not attenuate (respectively partially) the intensity light waves passing through it.
  • the lower layer 200 is preferably formed of a transparent conductive oxide (In English, acronym: TCO for "Transparent Conducting Oxide”).
  • TCO Transparent Conducting Oxide
  • the lower layer 200 may be composed of a stack of TCO / Ag / TCO / Ag type layers, where Ag represents silver.
  • the lower layer 200 is selected from a material of the type of indium tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide). This material has interesting electrical conductivity properties and optical transparency for the manufacture of organic light emitting device.
  • the lower layer 200 is transparent at least 50%, to allow the transmission of light.
  • a step is performed for etching said lower layer 200, made, for example, by means of a laser.
  • a trench 50 is preferentially formed in the lower layer 200, following etching, for example, carried out by laser irradiation.
  • Trench 50 follows a closed line.
  • the trench 50 has a depth preferably equal to the thickness of the lower layer 200.
  • the trench 50 preferably has a width of at least 10 microns.
  • the trench 50 thus formed makes it possible to electrically separate an isolated zone 250 from the lower layer 200 relative to the remainder of the lower layer 200 and possibly access to the substrate 100.
  • the use of a laser has the advantage of forming patterns of different shapes in the lower layer 200.
  • the pattern may be selected from a round, oblong, square, or still rectangular.
  • the trench 50 has a section closed transversely to the thickness.
  • the laser irradiation etching step creates an insulated area 250 within the trench 50 of the lower layer 200 which is electrically insulated from the remaining area of the lower layer 200 outside the trench
  • the insulated zone 250 comprises a plurality of isolated zones 251, 252, 253.
  • the zones of the plurality of isolated zones 251, 252, 253 are grouped together and separated from one another by a trench 50.
  • the laser irradiation does not require a step of protecting the areas of the lower layer 200 not exposed to the laser. This has the advantage of avoiding the use of a complex process that is potentially incompatible with the manufacture of light-emitting diodes.
  • the organic layer 300 is advantageously composed of one or more sublayers. These sub-layers preferably comprise specific materials, making it possible to improve the injection of electrons and holes, and consequently to improve the efficiency of the light emission device.
  • the organic layer 300 may especially comprise a hole injection layer, a hole transport layer, a light emission layer produced by the recombination of the holes and electrons, a transport layer. electrons and an electron injection layer.
  • the organic layer 300 may be deposited according to various techniques such as thermal evaporation, spin coating, thin film deposition (dip coating), spraying. cathodic, the atomic deposition monolayer (in English “atomic layer deposition”), or the chemical deposition monolayer (in English “chemical layer deposition”).
  • the organic layer 300 is deposited on top of the lower layer 200.
  • the organic layer 300 is formed so as to extend, uniformly and continuously, on either side of the trench 50 performed in the lower layer 200, and thus be in contact with at least one of the plurality of isolated areas 251, 252, 253 of the lower layer 200.
  • the portion of the organic layer 300 overflowing on least one of the isolated zones makes it possible to electrically isolate a possible upper conductive layer covering each of the isolated zones 251, 252, 253 of the lower layer 200.
  • the step of forming the upper layer 500 is carried out.
  • the upper layer 500 is transparent or opaque.
  • it is semi-transparent or mirror.
  • the upper layer 500 is typically made of a metallic material. It may, for example, be of a material such as aluminum or calcium. It is preferably deposited by thermal evaporation or sputtering.
  • the upper layer 500 is advantageously deposited above the organic layer 300. According to a particularly advantageous embodiment, the upper layer 500 does not extend beyond the organic layer 300. Advantageously, this embodiment prevents a possible contact between the lower layers 200 and 500, which can generate short circuits.
  • the upper layer 500 comprises a plurality of distinct zones 510, 520, 530 disposed on the organic layer 300.
  • each zone forms an elementary light source 510, 520, 530.
  • elementary light source 510, 520, 530 is associated with a separate organic light-emitting diode.
  • the layer 500 thus defines a plurality of second electrodes, for example a plurality of cathodes, each delimiting an elementary light source 510, 520, 530 for each of the diodes; the sources also having in common the organic layer 300 and the electrode formed in the layer 200.
  • a contact resumption 400 is carried out so that it is not positioned on the isolated areas 251, 252, 253 of the lower layer 200.
  • this contact recovery 400 acts as a common anode for all of the organic light emitting diodes of the device.
  • FIG. 4 illustrates the formation of a first insulating layer 610.
  • This first insulating layer 610 is advantageous deposited so as to partially cover at least the top layer 500.
  • the first insulating layer 610 partially covers at least all the elementary light sources 510, 520, 530. It is preferable to leave at least a portion of the upper layer 500 not covered by said first insulating layer 610.
  • the first insulating layer 610 is deposited so as to leave uncovered, for each diode, an overflowing portion 510a, 520a, 530a of each of the elementary light sources 510, 520, 530.
  • the term "overflowing part" a part that is not surmounted or covered by another layer.
  • an overflowing portion of a layer may be understood as a pattern that protrudes laterally from a rectangular pattern.
  • the first insulating layer 610 may be deposited according to various techniques such as thermal evaporation, spin coating ("spin coating”), thin film deposition (in English “inkjet”), thin film deposition. (English “dip coating”), cathode sputtering, the atomic layer deposition (in English “atomic layer deposition”), or the chemical deposit monolayer (in English “chemical layer deposition”).
  • a stencil preferably metal.
  • this stencil is rectangular or square.
  • this stencil is configured to adapt to the shape of the patterns of the elementary light sources 510, 520, 530. This stencil advantageously allows to leave exposed the protruding portions 510a, 520a, 530a of each diode.
  • the first insulating layer 610 comprises at least one organic layer and / or at least one inorganic layer.
  • the first insulating layer 610 may comprise, for example, an oxide (for example silicon oxide, aluminum oxide) or a nitride (for example silicon nitride).
  • the thickness of the first insulating layer 610 is between 2 nm and 1 micron.
  • the thickness of the first insulating layer 610 is of the order of 100 nm.
  • FIG. 5 illustrates the formation of a first conductive layer 710.
  • This first conductive layer 710 is advantageous deposited so as to partially cover at least the first insulating layer 610, a part of the upper layer 500 not covered by the first insulating layer 610 (i.e. at least one protruding portion 510a, 520a, 530a exposed to at least one light source elementary 510, 520, 530) and a first insulated area 251 among the plurality of insulated areas 251, 252, 253 of the lower layer 200.
  • the first conductive layer 710 forms an electrically conductive track configured to electrically connect an overflowing portion 510a, 520a, 530a left exposed of at least a first elementary light source 510, 520, 530 (that is ie a second electrode of a first diode) to the first insulated area 251 of the lower layer 200.
  • the portion of the first conductive layer 710 covering the first insulated area 251 forms a contact resumption for the at least at least one elementary light source 510, 520, 530 (in other words for at least one first diode) covered by said first conducting layer 710.
  • This first conducting layer 710 advantageously allows addressing of a first light source 510 of the upper layer 300 to from a contact recovery positioned on the first insulated area 251 of the lower layer 200.
  • the first conductive layer 710 may be deposited according to various techniques such as thermal evaporation, spin coating (in English “spin coating”), the deposition of thin films (in English “inkjet”). “Dip coating”), sputtering, atomic layer deposition (in English “atomic layer deposition”), or the chemical deposit monolayer (in English “chemical layer deposition”).
  • the thickness of the first conductive layer 710 is between 10 nm and 5 microns.
  • the thickness of the conductive layer 710 is of the order of 500 nm.
  • the invention proposes to deposit a bilayer stack comprising an insulating layer 610 and a conductive layer 710 for each separate addressing of elementary light sources 510, 520, 530, each forming an organic light-emitting diode.
  • FIGS. 6 to 9 illustrate the steps of producing a method for addressing a plurality of distinct elementary light sources, that is to say a plurality of diodes from the same organic layer 300.
  • a second insulating layer 620 is deposited, as illustrated in FIG. 6.
  • This insulating layer 620 is advantageously deposited so as to cover in part at least the first conductive layer 710.
  • the second insulating layer 620 can be deposited according to the same deposition techniques as previously used for the first insulating layer 610.
  • the second insulating layer 620 uses the same stencil as that used during the formation.
  • the second insulating layer 620 comprises at least one organic layer and / or at least one inorganic layer.
  • the second insulating layer 620 may comprise, for example, an oxide (for example silicon oxide, aluminum oxide) or a nitride (for example silicon nitride).
  • the thickness of the second insulating layer 620 is between 2 nm and 1 micron.
  • the thickness of the second insulating layer 620 is of the order of 100 nm.
  • FIG. 7 illustrates the deposition of a second conductive layer 720 intended to form an electrically conductive track configured so as to allow addressing of a second elementary source 520 of the upper layer 300 from a resumption of contact positioned on a second insulated area 252 of the lower layer 200.
  • the second conductive layer 720 is separated from the first conductive layer 710 by the second insulating layer 620.
  • the second conductive layer 720 while being electrically isolated from the first diode, covers at least in part at a time: the second insulating layer 620, at least the projecting portion 520a of at least a second diode not covered either by the first insulating layer 610, or by the second insulating layer 630 and a second isolated area 252; said second insulated zone 250, covered by the second conductive layer 720, forming a contact recovery (20b for said second diode.
  • Figures 8 and 9 reproduce the same steps as those of Figures 6 and 7; these steps being intended for the addressing of a third elementary light source 530 (that is to say of a third diode) of the upper layer 500, a contact recovery of which will advantageously be positioned at a third isolated region 253 of the lower layer 200.
  • the step of formation of at least one additional bilayer stack is then repeated until each overflowing portion 510a, 520a, 530a of each diode is covered by one of the conductive layers 710, 720, 730 of one of the two-layer stacks.
  • the first conductive layer 710 or the second conductive layer 720 covers the projecting portion 530a of the third diode not covered either by the first insulating layer 610, or by the second insulating layer 620.
  • FIG. 10 illustrates a step of placing a cover 800 on the stack of layers comprising at least the lower layer 200, the organic layer 300, the upper layer 400, the plurality of insulating layers 610, 620, 630 and conductors 710, 720, 730.
  • the cover 800 is preferably coated on a first face of a layer of adhesive, before being deposited on the stack of layers.
  • the adhesive layer is preferably spread over the entire surface of the cover 800.
  • the adhesive layer has the advantage, once dry, of not reacting with water or with oxygen (first degradation factors organic materials).
  • the adhesive layer thus disposed, acts, particularly advantageously, as a sealed protective barrier for the sensitive layers such as the lower layer 200 that is to say the first electrode, the organic layer 300 and the upper layer 500 is the second electrode.
  • the cover 800 is made of a transparent material, configured so as to allow the light to pass.
  • the cap 800 is made of glass.
  • the hood 800 may be plastic or metal.
  • the thickness of the cap 800 is about 1 millimeter.
  • the cover 800 may be of various shapes.
  • the cover 800 may be prismatic, cylindrical or cubic.
  • the cover 800 has at least one opening 850 configured so as to be through.
  • the section of the opening 850 in the plane of the organic light-emitting diode, perpendicular to the thickness of said organic light-emitting diode may take the form of a polygon, or a circular or oblong hole, for example.
  • the 800 is configured to position itself above the plurality of isolated areas 251, 252, 253 of the lower layer 200 upon laser irradiation of said lower layer 200 as well as the contact resumption 400 of the first electrode, preferably forming an anode common to all organic light-emitting diodes made on the device.
  • the opening of the cover 800 is configured to be smaller than the trench 250 of the lower layer 200.
  • the method according to the invention overcomes not only the problems of short-circuit from contact areas between the lower layer 200, representing a first electrode and the upper layer 500 representing a second electrode (In particular thanks to the trench 50 made in the lower layer 200), but also makes it possible to optimize the architecture of the electrical connections for the purpose of addressing elementary light sources 510, 520, 530 in an organic light-emitting diode.

Landscapes

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

La présente invention concerne un dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques comprenant, sur un substrat (100), une couche inférieure (200), une couche organique (300) et une couche supérieure (500), caractérisé en ce que: - il comprend une zone isolée (250) de la couche inférieure (200) séparée d'une zone restante de la couche inférieure (200) par une tranchée (50); - une reprise de contact (400) de la première électrode est positionnée en continuité électrique avec la zone restante de la couche inférieure (200); - il comprend une succession d'empilements bicouches comprenant une couche isolante (610, 620, 630) et une couche conductrice (710, 720, 730).

Description

"Dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques"
DOMAINE DE L'INVENTION
La présente invention concerne en général les diodes électroluminescentes organiques. Elle reçoit pour application avantageuse un système de connectique électrique au moyen de pistes électriques en vue de l'adressage de diodes électroluminescentes organiques.
ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE
Une diode électroluminescente, plus connue en anglais sous l'acronyme LED pour « Light Emitting Diode », est un semi-conducteur aux propriétés physiques telles que la diode électroluminescente possède la faculté de convertir directement l'électricité en lumière, tout en étant d'une efficacité inégalée en termes de consommation énergétique. L'éclairage par diode électroluminescente permet une diffusion homogène du faisceau lumineux ; cet éclairage peut notamment être très proche de la lumière du jour.
Ce sont ces caractéristiques avantageuses qui ont attiré les concepteurs à s'intéresser de plus en plus aux diodes électroluminescentes pour des applications automobiles, par exemple, ou encore dans le domaine de l'éclairage. Ces sources lumineuses représentent en outre d'excellentes opportunités pour les designers. Il est, par exemple, possible de combiner plusieurs diodes afin de créer des formes différentes, des jeux de luminance (les diodes électroluminescentes de type organique ayant par exemple un rayonnement lumineux plus faible que celui des autres diodes) et obtenir ainsi des effets visuels originaux. Les technologies actuelles connaissent néanmoins des limites. Les diodes électroluminescentes organiques, notamment, ont un procédé contraignant du fait de la forte sensibilité à l'eau et à l'air de la couche organique, nécessitant de ce fait une protection par encapsulation de cette couche. D'autre part, des dispositions doivent être prises pour éviter les court-circuits ; la réalisation de sources lumineuses élémentaires telles des diodes électroluminescentes organiques en grande dimension nécessite par exemple une séparation de deux électrodes : l'anode et la cathode.
Cette séparation peut être assurée dans un premier temps par une gravure chimique et/ou une ablation laser de la première électrode déposée sur un substrat de verre par exemple, et dans un deuxième temps, par les couches organiques déposées entre l'anode et la cathode. La forme des sources lumineuses de type « OLED » est définie par des pochoirs métalliques (masques) notamment pour le dépôt des couches organiques et le dépôt de la cathode métallique. Les surfaces actives des diodes électroluminescentes organiques possèdent toujours une lumière en pleine surface.
Le système de contact électrique est assuré par des plots d'anode et de cathode. Pour former des diodes électroluminescentes organiques sur une grande surface et pour plusieurs sources lumineuses élémentaires, une architecture de connexion électrique en série ou en parallèle est utilisée. On a notamment recours à une matrice dite « active » en référence à une technique d'adressage de sources lumineuses élémentaires, c'est-à-dire à la façon dont est transportée l'information électrique vers chaque source lumineuse élémentaire. Avec ce type de configuration, chaque source lumineuse élémentaire est commandée indépendamment des autres. Le procédé de fabrication commence par la réalisation de circuits qui vont permettre d'alimenter en courant les diodes électroluminescentes organiques. Ensuite, les couches organiques sont déposées sur la matrice afin de former une diode organique sur chaque source lumineuse élémentaire.
Dans ce type de connexion, toutes les sources lumineuses élémentaires formant des diodes électroluminescentes organiques s'allument en même temps. Pour adresser les sources lumineuses élémentaires séparément et indépendamment sur un même substrat, les contacts pour la cathode et/ou les contacts pour l'anode de toutes les sources lumineuses élémentaires doivent être séparés. Cette séparation est assurée par des pistes électriques ou fils électriques. Ces pistes électriques doivent être séparées mécaniquement pour éviter un court-circuit, ce qui limite l'espace utilisé et limite leur conductivité électrique.
La présente invention permet de résoudre tout ou, du moins, une partie des inconvénients des techniques actuelles. Pour surmonter ces problèmes, la présente invention propose en outre un dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques comprenant un système de connectique électrique optimisant l'espace utilisé, tout en limitant les effets de la conductivité électrique des pistes de connexion.
RESUME DE L'INVENTION
La présente invention a pour objet un dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques comprenant, sur un substrat, une couche inférieure dans laquelle est située au moins en partie une première électrode, une couche organique positionnée au-dessus de la couche inférieure et une couche supérieure positionnée en partie au moins sur la couche organique et dans laquelle est située au moins en partie, pour chaque diode, une deuxième électrode. Avantageusement, le dispositif comprend :
- une pluralité de zones isolées de la couche inférieure ; lesdites zones étant séparées d'une zone restante de la couche inférieure par une tranchée et la zone restante formant au moins en partie la première électrode ;
- une reprise de contact de la première électrode positionnée en continuité électrique avec la zone restante de la couche inférieure ;
- un premier empilement bicouche comprenant une première couche isolante et une première couche conductrice ; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la première couche isolante recouvre en partie au moins la couche supérieure de sorte à laisser à découvert, pour chaque diode, une partie débordante de la couche supérieure formant la deuxième électrode de chaque diode, et en ce que au moins la première couche conductrice, tout en étant électriquement isolée des autres diodes, recouvre au moins en partie à la fois : la première couche isolante, au moins la partie débordante d'au moins une première diode non recouverte par la première couche isolante et une première zone isolée; ladite première zone isolée, en partie recouverte par la première couche conductrice, formant une reprise de contact pour ladite première diode ; - un deuxième empilement bicouche comprenant une deuxième couche isolante et une deuxième couche conductrice; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la deuxième couche isolante recouvre en partie au moins la première couche conductrice, et en ce que au moins la deuxième couche conductrice, tout en étant électriquement isolée de la première diode, recouvre au moins en partie à la fois : la deuxième couche isolante, au moins la partie débordante d'au moins une deuxième diode non recouverte ni par la première couche isolante, ni par la deuxième couche isolante et une deuxième zone isolée; ladite deuxième zone isolée, recouverte par la deuxième couche conductrice, formant une reprise de contact pour ladite deuxième diode.
De manière particulièrement avantageuse, des dispositions sont prises sur le dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques selon la présente invention pour éviter les risques éventuels de court-circuit. En particulier, le procédé selon l'invention comprend la formation d'une zone isolée de la couche inférieure relativement à des zones restantes de la couche inférieure.
La présente invention concerne également un procédé de réalisation d'un dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques comprenant la formation d'une couche inférieure dans laquelle est située au moins en partie une première électrode, sur un substrat. Avantageusement le procédé comprend les étapes suivantes:
- formation d'une pluralité de zones isolées de la couche inférieure de sorte à être séparées d'une zone restante de ladite couche inférieure par une tranchée, ladite zone restante formant au moins en partie la première électrode,
- formation d'une couche organique au-dessus de la couche inférieure,
- formation d'une reprise de contact configurée de sorte à être positionnée en continuité électrique avec la zone restante de la couche inférieure,
- formation d'une couche supérieure positionnée en partie au moins sur de la couche organique, ladite couche supérieure comprenant au moins une deuxième électrode pour chacune des diodes,
- formation d'un premier empilement bicouche comprenant une première couche isolante et une première couche conductrice; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la première couche isolante recouvre en partie au moins la couche supérieure de sorte à laisser à découvert, pour chaque diode, une partie débordante de la couche supérieure formant la deuxième électrode de chaque diode, et en ce que au moins la première couche conductrice, tout en étant électriquement isolée des autres diodes, recouvre au moins en partie à la fois : la première couche isolante, au moins la partie débordante d'au moins une première diode non recouverte par la première couche isolante et une première zone isolée ; ladite première zone isolée, recouverte par la première couche conductrice, formant une reprise de contact pour ladite première diode,
- formation d'un deuxième empilement bicouche comprenant une deuxième couche isolante et une deuxième couche conductrice; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la deuxième couche isolante recouvre en partie au moins la première couche conductrice, et en ce que au moins la deuxième couche conductrice, tout en étant électriquement isolée de la première diode, recouvre au moins en partie à la fois : la deuxième couche isolante, au moins la partie débordante d'au moins une deuxième diode non recouverte ni par la première couche isolante, ni par la deuxième couche isolante et une deuxième zone isolée ; ladite deuxième zone isolée, recouverte par la deuxième couche conductrice, formant une reprise de contact pour ladite deuxième diode.
Ainsi, la présente invention propose un procédé de réalisation d'adressage de sources lumineuses élémentaires simple et peu onéreux qui, avantageusement grâce à une gravure par irradiation laser, évite les problèmes inhérents aux procédés de fabrication de diodes électroluminescentes organiques (problèmes d'étanchéité des couches organiques lors de gravures humides, problèmes de court-circuit, etc.). D'autre part, ce procédé permet de réaliser une diode électroluminescente organique qui optimise l'encombrement et plus précisément l'architecture des pistes d'adressage de sources lumineuses élémentaires par la superposition de couches conductrices électriquement séparées par des couches intermédiaires isolantes.
BREVE INTRODUCTION DES FIGURES
D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemples, non limitatifs, et sur lesquels :
- La FIGURE 1 représente une vue schématique en coupe longitudinale d'un empilement de couches formant un dispositif d'émission lumineuse organique selon l'art antérieur.
- La FIGURE 2 représente une vue schématique en coupe longitudinale d'un empilement de couches suivant un mode de réalisation de l'invention, comprenant une couche inférieure ayant subi une gravure par irradiation laser, une couche organique et une couche supérieure. La gravure de la couche inférieure forme une tranchée séparant une zone isolée de zones restantes de la couche inférieure.
- La FIGURE 3 illustre une vue schématique de dessus de l'empilement de couches. Selon le mode de réalisation représentée, la couche supérieure comprend une pluralité de zones distinctes formant des sources lumineuses élémentaires sous forme de diodes électroluminescentes organiques.
- La FIGURE 4 illustre une vue schématique de dessus de la formation d'une première couche isolante recouvrant une partie de l'empilement de couches.
- La FIGURE 5 illustre une vue schématique de dessus de la formation d'une première couche conductrice recouvrant au moins en partie la première couche isolante.
- La FIGURE 6 illustre une vue schématique de dessus de la formation d'une deuxième couche isolante recouvrant au moins en partie la première couche conductrice.
- La FIGURE 7 illustre une vue schématique de dessus de la formation d'une deuxième couche conductrice recouvrant au moins en partie la deuxième couche isolante.
- La FIGURE 8 illustre une vue schématique de dessus de la formation d'une troisième couche isolante recouvrant au moins en partie la deuxième couche conductrice.
- La FIGURE 9 illustre une vue schématique de dessus de la formation d'une troisième couche conductrice recouvrant au moins en partie la troisième couche isolante.
- La FIGURE 10 illustre une vue schématique de dessus d'une étape de mise en place d'un capot au-dessus de l'empilement de couches; ledit capot étant préalablement enduit d'une couche de colle et comprenant au moins une ouverture traversante, donnant un accès direct à certaines couches de l'empilement.
Par souci de clarté, les éléments sur les figures ne sont pas représentés à l'échelle.
DESCRIPTION DETAILLEE
Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, les termes « sur » ou « au- dessus de » ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi, par exemple, le dépôt d'une couche sur une autre couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que l'une des couches recouvre au moins partiellement l'autre en étant soit directement à son contact, soit en étant séparée d'elle par un film, encore une autre couche ou un autre élément.
Il est également précisé qu'une couche peut comprendre une pluralité de couches. D'autre part, le terme « couche » ne veut pas forcément dire une répartition pleine plaque sur le substrat. De manière particulièrement avantageuse, la présente invention est applicable à la fois pour les dispositifs à émission par le haut (en anglais « top émission ») et pour les dispositifs à émission vers le bas (en anglais « bottom émission »). Avant d'entrer dans le détail de formes préférées de réalisation de l'invention en référence aux dessins notamment, d'autres caractéristiques optionnelles de l'invention, qui peuvent être mises en œuvre de façon combinée selon toutes combinaisons ou de manière alternative, sont indiquées ci-après :
- avantageusement, le dispositif comprend au moins une troisième diode.
- Préférentiellement, le dispositif comprend un troisième empilement bicouche comprenant une troisième couche isolante et une troisième couche conductrice ; ledit troisième empilement étant configuré de sorte à ce que la troisième couche isolante recouvre en partie au moins la deuxième couche conductrice, et en ce que au moins la troisième couche conductrice, tout en étant électriquement isolée des autres diodes, recouvre au moins en partie à la fois : la troisième couche isolante, au moins la partie débordante d'au moins une troisième diode non recouverte ni par la première couche isolante, ni par la deuxième couche isolante, ni par la troisième couche isolante et une troisième zone isolée; ladite troisième zone isolée, recouverte par la troisième couche conductrice, formant une reprise de contact pour ladite troisième diode.
- Avantageusement, la première couche conductrice ou la deuxième couche conductrice recouvre la partie débordante de la troisième diode non recouverte ni par la première couche isolante, ni par la deuxième couche isolante.
- Préférentiellement, les motifs des deuxièmes électrodes de chaque diode sont configurés de sorte à être alignés.
- Avantageusement, les couches de la pluralité de couches isolantes sont superposables et de même dimension.
- Chaque couche conductrice est de préférence déposée de sorte à former des saillies latérales ; lesdites saillies étant configurées pour être en continuité électrique d'une part avec une partie de la partie débordante d'au moins une diode et d'autre part avec une zone parmi la pluralité de zones isolées.
- Préférentiellement, chaque partie débordante de chaque diode est recouverte par l'une des couches conductrices de l'un des empilements bicouches.
- Avantageusement, le dispositif comprend un capot pourvu d'au moins une ouverture traversante ; ladite ouverture étant positionnée de sorte à permettre un accès à chacune des reprises de contact de chaque diode formées par chacune des couches conductrices recouvrant chacune une zone parmi la pluralité de zones isolées et à la reprise de contact de la deuxième électrode.
- Préférentiellement, l'une au moins parmi les couches isolantes comprend au moins une couche organique et/ou au moins une couche inorganique.
- De préférence, la tranchée a un contour fermé transversalement à l'épaisseur.
- Optionnellement, la couche organique est positionnée en partie au moins sur la zone isolée.
- Préférentiellement, le substrat comprend un matériau choisi parmi le verre, le métal, le plastique, le tissu ou le papier.
- De manière particulièrement avantageuse, après la formation du deuxième empilement bicouche, on réitère l'étape de formation d'au moins un empilement bicouche additionnel jusqu'à ce que chaque partie débordante de chaque diode soit recouverte par l'une des couches conductrices de l'un des empilements bicouches.
- A titre préféré, la formation de chaque couche isolante de la succession d'empilements bicouches comprend une étape de masquage commune à chacune des couches isolantes.
- Préférentiellement, la formation de chaque couche conductrice de la succession d'empilements bicouches comprend une déposition effectuée de sorte à former des saillies latérales ; lesdites saillies étant configurées pour être en continuité électrique d'une part avec une partie de la partie débordante d'au moins une diode et d'autre part avec une parmi la pluralité de zones isolées.
- De préférence, la formation d'au moins l'une parmi les couches isolantes est effectuée par voie liquide, évaporation thermique ou dépôt chimique.
- Avantageusement, la formation d'au moins l'une parmi les couches conductrices est effectuée par évaporation thermique, pulvérisation cathodique, déposition par couche atomique, déposition chimique en phase vapeur.
- Préférentiellement, la formation de la couche organique est effectuée par évaporation thermique, pulvérisation cathodique, déposition par couche atomique, déposition chimique en phase vapeur.
- Avantageusement, la formation de la pluralité de zones isolées de la couche inférieure est opérée par gravure de la couche inférieure de sorte à former une tranchée séparant lesdites zones isolées des zones restantes de la couche inférieure; ladite tranchée ayant une profondeur égale à l'épaisseur de ladite couche inférieure.
- Préférentiellement, après la formation de la succession d'empilements bicouches, on effectue une étape de mise en place d'un capot au-dessus d'au moins le dernier empilement bicouche ; ledit capot étant préalablement enduit d'une couche de colle et étant pourvu d'au moins une ouverture traversante ; ladite ouverture étant positionnée de sorte à permettre un accès à chacune des reprises de contact de chaque diode formées par chacune des couches conductrices recouvrant chacune une zone parmi la pluralité de zones isolées et à la reprise de contact de la première électrode.
Comme indiqué précédemment, le procédé qui suit a pour but de réaliser un dispositif d'émission lumineuse organique comprenant un système de connectique électrique permettant d'optimiser l'adressage de sources lumineuses élémentaires, tout en permettant un faible encombrement.
Dans une séquence d'étapes de réalisation d'une diode électroluminescente organique selon l'art antérieur, illustrée en figure 1 , on forme un empilement de couches sur un substrat 100. Une couche inférieure 200 est, d'abord, déposée sur le substrat 100. Une couche organique 300 est ensuite déposée de sorte à recouvrir une partie de la couche inférieure 200. Préférentiellement, la couche inférieure 200 dépasse latéralement de la couche organique 300. Avantageusement, la couche inférieure 200 présente une partie non recouverte par la couche organique 300.
Une couche supérieure 500 est déposée de sorte à recouvrir au moins partiellement la couche organique 300. Préférentiellement, la couche supérieure 500 recouvre la surface de la couche organique 300, sans être en contact avec la couche inférieure 200. Préférentiellement, la couche supérieure 500 s'étend au-delà de la couche organique 300 tel qu'illustré en figure 1 . La couche supérieure 500 dépasse latéralement de l'empilement de couches. La partie débordante de la couche inférieure 200 et la partie débordante de la couche supérieure 500 ne sont ni superposées, ni en contact. Elles peuvent être situées sur des bordures opposées de l'empilement de couches.
Préférentiellement, la couche inférieure 200 forme une première électrode, de préférence l'anode. Une reprise de contact électrique 400 est typiquement réalisée à partir de ladite couche inférieure 200. Cette reprise de contact 400 est, de préférence, réalisée en un matériau métallique. La couche supérieure 500 forme une deuxième électrode, de préférence la cathode.
Les figures 2 à 10 illustrent les étapes du procédé formant le dispositif d'émission lumineuse organique selon la présente invention.
Les figures 2 et 3 illustrent une représentation schématique, respectivement en coupe longitudinale et en vue de dessus, d'un empilement de couches destiné à former la diode électroluminescente organique. Dans une première étape, on forme une couche inférieure 200 sur un substrat 100. De manière avantageuse, le substrat 100 est une plaque plane réalisée en un matériau transparent. Préférentiellement, le substrat 100 est en verre. Selon des variantes, le substrat 100 peut être choisi en métal, plastique, tissu ou papier.
De préférence, la couche inférieure 200 représente une première électrode, de préférence l'anode. De manière avantageuse, la couche inférieure 200 est composée d'un matériau inorganique.
Selon un mode de réalisation préférentiel où l'émission de la lumière se fait au travers du substrat 100, la couche inférieure 200 est choisie en un matériau transparent ou semi-transparent. Un matériau est considéré comme transparent (respectivement semi-transparent) s'il laisse passer les ondes lumineuses d'une certaine gamme de longueurs d'onde, c'est à dire qu'il n'atténue pas (respectivement partiellement) l'intensité des ondes lumineuses le traversant.
La couche inférieure 200 est, préférentiellement, formée d'un oxyde transparent conducteur (En anglais, acronyme : TCO pour « Transparent Conducting Oxide »). Optionnellement, la couche inférieure 200 peut être composée d'un empilement de couches de type TCO/Ag/TCO/Ag, où Ag représente de l'argent. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la couche inférieure 200 est choisie en un matériau de type oxyde d'Indium et d'Etain (En anglais ITO : Indium Tin Oxide). Ce matériau possède des propriétés de conductivité électrique et une transparence optique intéressantes pour la fabrication de dispositif d'émission lumineuse organique. Optionnellement, la couche inférieure 200 est transparente à au moins 50%, afin de permettre la transmission de la lumière. De préférence, la couche inférieure 200 possède une épaisseur de l'ordre de quelques centaines de nanomètres (nm ou nanomètre = 10"9 mètre).
A l'issue de l'étape de formation de la couche inférieure 200 sur le substrat 100, on procède à une étape de gravure de ladite couche inférieure 200, réalisée, par exemple, au moyen d'un laser. On forme préférentiellement une tranchée 50 dans la couche inférieure 200, à la suite d'une gravure, par exemple, réalisée par irradiation laser. La tranchée 50 suit une ligne fermée. La tranchée 50 a une profondeur préférentiellement égale à l'épaisseur de la couche inférieure 200. La tranchée 50 a, de préférence, une largeur d'au moins 10 micron. La tranchée 50 ainsi formée, permet de séparer électriquement une zone isolée 250 de la couche inférieure 200 relativement au reste de la couche inférieure 200 et éventuellement un accès au substrat 100. L'utilisation d'un laser a pour avantage de former des motifs de différentes formes dans la couche inférieure 200. Le motif peut être choisi parmi une forme ronde, oblongue, carrée, ou encore rectangulaire. Selon un mode de réalisation préféré, la tranchée 50 a une section fermée transversalement à l'épaisseur. L'étape de gravure par irradiation laser crée une zone isolée 250 se trouvant à l'intérieur de la tranchée 50 de la couche inférieure 200 qui est isolée électriquement de la zone restante de la couche inférieure 200 se trouvant à l'extérieur de la tranchée 50. Selon un mode de réalisation préférentiel, la zone isolée 250 comprend une pluralité de zones isolées 251 , 252, 253. Préférentiellement, les zones de la pluralité de zones isolées 251 , 252, 253 sont regroupées et séparées les unes des autres par une tranchée 50.
De manière particulièrement avantageuse, l'irradiation laser ne nécessite pas d'étape de protection des zones de la couche inférieure 200 non exposées au laser. Cela a l'avantage d'éviter le recours à un procédé complexe et potentiellement incompatible avec la fabrication de diodes électroluminescentes.
Une étape de formation d'une couche organique 300 est ensuite réalisée. La couche organique 300 est avantageusement composée d'une ou de plusieurs sous- couches. Ces sous-couches comprennent, de préférence, des matériaux spécifiques, permettant d'améliorer l'injection d'électrons et de trous, et par conséquent, améliorer l'efficacité du dispositif d'émission lumineuse. A titre d'exemple, la couche organique 300 peut notamment comprendre une couche d'injection des trous, une couche de transport des trous, une couche d'émission de la lumière produite par la recombinaison des trous et des électrons, une couche de transport des électrons et une couche d'injection des électrons.
L'épaisseur de la couche organique 300 est, avantageusement, comprise entre 10 nm (nm = nanomètre = 10"9 mètre) et 200 nm. Selon un mode de réalisation préférentiel, les conditions de formation des différentes sous-couches de la couche organique 300 se font sous une atmosphère contrôlée. La présence, en effet, d'impuretés dépend de l'atmosphère dans laquelle les structures sont fabriquées.
De manière particulièrement avantageuse, la couche organique 300 peut être déposée selon diverses techniques telles que l'évaporation thermique, le dépôt centrifuge (en anglais « spin coating »), le dépôt de films minces (en anglais « dip coating »), la pulvérisation cathodique, le dépôt atomique monocouche (en anglais « atomic layer déposition »), ou encore le dépôt chimique monocouche (en anglais « chemical layer déposition »).
Avantageusement, la couche organique 300 est déposée au-dessus de la couche inférieure 200.
Selon un mode de réalisation préférentiel, la couche organique 300 est formée de sorte à s'étendre, de manière uniforme et continue, de part et d'autre de la tranchée 50 réalisée dans la couche inférieure 200, et ainsi être en contact avec au moins l'une parmi la pluralité de zones isolées 251 , 252, 253 de la couche inférieure 200. De manière particulièrement avantageuse, la partie de la couche organique 300 débordant sur au moins l'une des zones isolées permet d'isoler électriquement une éventuelle couche supérieure conductrice recouvrant chacune des zones isolées 251 , 252, 253 de la couche inférieure 200.
A l'issue de l'étape de formation de la couche organique 300, on procède à l'étape de formation de la couche supérieure 500, constituant généralement une deuxième électrode, soit de préférence la cathode. Avantageusement, la couche supérieure 500 est transparente ou opaque. Optionnellement, elle est semi-transparente ou miroir. La couche supérieure 500 est, typiquement, réalisée en un matériau métallique. Elle peut, par exemple, être en un matériau tel que l'aluminium ou encore en calcium. Elle est, de préférence, déposée par évaporation thermique ou par pulvérisation cathodique.
La couche supérieure 500 est, avantageusement, déposée au-dessus de la couche organique 300. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la couche supérieure 500 ne s'étend pas au-delà de la couche organique 300. Avantageusement, ce mode de réalisation empêche un éventuel contact entre les couches inférieure 200 et supérieure 500, pouvant générer des court-circuits.
Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux illustré en figure 3, la couche supérieure 500 comprend une pluralité de zones distinctes 510, 520, 530 disposées sur la couche organique 300. Avantageusement, chaque zone forme une source lumineuse élémentaire 510, 520, 530. Chaque source lumineuse élémentaire 510, 520, 530 est associée à une diode électroluminescente organique distincte. La couche 500 définit ainsi une pluralité de deuxième électrode, par exemple une pluralité de cathodes, délimitant chacune une source lumineuse élémentaire 510, 520, 530 pour chacune des diodes ; les sources ayant par ailleurs en commun la couche organique 300 et l'électrode formée dans la couche 200. Avantageusement, on réalise une reprise de contact 400 de telle sorte à ce qu'elle ne soit pas positionnée sur les zones isolées 251 , 252, 253 de la couche inférieure 200. Selon un mode de réalisation préféré, cette reprise de contact 400 fait office d'anode commune pour l'ensemble des diodes électroluminescentes organiques du dispositif. La figure 4 illustre la formation d'une première couche isolante 610. Cette première couche isolante 610 est avantageuse déposée de sorte à recouvrir en partie au moins la couche supérieure 500. De manière particulièrement avantageuse, la première couche isolante 610 recouvre en partie au moins l'ensemble des sources lumineuses élémentaires 510, 520, 530. Il est préférable de laisser au moins une partie de la couche supérieure 500 non recouverte par ladite première couche isolante 610. Avantageusement, la première couche isolante 610 est déposée de sorte à laisser à découvert, pour chaque diode, une partie débordante 510a, 520a, 530a de chacune des sources lumineuses élémentaires 510, 520, 530. On entend par partie débordante, une partie qui n'est pas surmontée ou recouverte par une autre couche. Par exemple, une partie débordante d'une couche peut s'entendre d'un motif qui déborde latéralement d'un motif rectangulaire.
De manière particulièrement avantageuse, la première couche isolante 610 peut être déposée selon diverses techniques telles que l'évaporation thermique, le dépôt centrifuge (en anglais « spin coating ») par voie liquide (en anglais « inkjet »), le dépôt de films minces (en anglais « dip coating »), la pulvérisation cathodique, le dépôt atomique monocouche (en anglais « atomic layer déposition »), ou encore le dépôt chimique monocouche (en anglais « chemical layer déposition »).
A titre préféré, pour réaliser le motif de la première couche isolante 610, on utilise un pochoir (ou masque) de préférence métallique. Avantageusement, ce pochoir est de forme rectangulaire ou carrée. Préférentiellement, ce pochoir est configuré de sorte à s'adapter à la forme des motifs des sources lumineuses élémentaires 510, 520, 530. Ce pochoir permet avantageusement de laisser à découvert les parties débordantes 510a, 520a, 530a de chaque diode.
A titre préféré, la première couche isolante 610 comprend au moins une couche organique ou/et au moins une couche inorganique. La première couche isolante 610 peut comprendre par exemple un oxyde (par exemple de l'oxyde de silicium, de l'oxyde d'aluminium) ou un nitrure (par exemple du nitrure de silicium).
Préférentiellement, l'épaisseur de la première couche isolante 610 est comprise entre 2 nm et 1 micron. Avantageusement, l'épaisseur de la première couche isolante 610 est de l'ordre de 100 nm.
La figure 5 illustre la formation d'une première couche conductrice 710. Cette première couche conductrice 710 est avantageuse déposée de sorte à recouvrir en partie au moins la première couche isolante 610, une partie de la couche supérieure 500 non recouverte par la première couche isolante 610 (c'est-à-dire au moins une partie débordante 510a, 520a, 530a laissée à découvert d'au moins une source lumineuse élémentaire 510, 520, 530) et une première zone isolée 251 parmi la pluralité de zones isolées 251 , 252 , 253 de la couche inférieure 200.
De manière particulièrement avantageuse, la première couche conductrice 710 forme une piste électriquement conductrice configurée de sorte à relier électriquement une partie débordante 510a, 520a, 530a laissée à découvert d'au moins une première source lumineuse élémentaire 510, 520, 530 (c'est-à-dire une deuxième électrode d'une première diode) à la première zone isolée 251 de la couche inférieure 200. Avantageusement, la partie de la première couche conductrice 710 recouvrant la première zone isolée 251 forme une reprise de contact pour l'au moins une source lumineuse élémentaire 510, 520, 530 (autrement dit pour au moins une première diode) recouverte par ladite première couche conductrice 710. Cette première couche conductrice 710 permet avantageusement un adressage d'une première source lumineuse 510 de la couche supérieure 300 à partir d'une reprise de contact positionnée sur la première zone isolée 251 de la couche inférieure 200.
Avantageusement, la première couche conductrice 710 peut être déposée selon diverses techniques telles que l'évaporation thermique, le dépôt centrifuge (en anglais « spin coating ») par voie liquide (en anglais « inkjet »), le dépôt de films minces (en anglais « dip coating »), la pulvérisation cathodique, le dépôt atomique monocouche (en anglais « atomic layer déposition »), ou encore le dépôt chimique monocouche (en anglais « chemical layer déposition »).
Préférentiellement, l'épaisseur de la première couche conductrice 710 est comprise entre 10 nm et 5 microns. Avantageusement, l'épaisseur de la couche conductrice 710 est de l'ordre de 500 nm. L'invention se propose de déposer un empilement bicouche comprenant une couche isolante 610 et une couche conductrice 710 pour chaque adressage distinct de sources lumineuses élémentaires 510, 520, 530 formant chacune une diode électroluminescente organique.
Les figures 6 à 9 illustrent les étapes de réalisation d'un procédé en vue d'adresser une pluralité de sources lumineuses élémentaires distinctes c'est-à-dire une pluralité de diodes à partir d'une même couche organique 300. Après le dépôt d'une première couche conductrice 710 destinée à adresser une première source élémentaire 510 de la couche supérieure 500, on procède au dépôt d'une seconde couche isolante 620, comme illustré en figure 6. Cette couche isolante 620 est avantageusement déposée de sorte à recouvrir en partie au moins la première couche conductrice 710. Avantageusement, la deuxième couche isolante 620 peut être déposée selon les mêmes techniques de dépôt que précédemment utilisées pour la première couche isolante 610. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, la deuxième couche isolante 620 utilise le même pochoir que celui utilisé lors de la formation de la première couche isolante 610. A titre préféré, la deuxième couche isolante 620 comprend au moins une couche organique ou/et au moins une couche inorganique. La deuxième couche isolante 620 peut comprendre par exemple un oxyde (par exemple de l'oxyde de silicium, de l'oxyde d'aluminium) ou un nitrure (par exemple du nitrure de silicium). Préférentiellement, l'épaisseur de la deuxième couche isolante 620 est comprise entre 2 nm et 1 micron. Avantageusement, l'épaisseur de la deuxième couche isolante 620 est de l'ordre de 100 nm.
La figure 7 illustre le dépôt d'une deuxième couche conductrice 720 destinée à former une piste électriquement conductrice configurée de sorte à permettre un adressage d'une deuxième source élémentaire 520 de la couche supérieure 300 à partir d'une reprise de contact positionnée sur une deuxième zone isolée 252 de la couche inférieure 200. Avantageusement, la deuxième couche conductrice 720 est séparée de la première couche conductrice 710 par la deuxième couche isolante 620. De manière avantageuse, la deuxième couche conductrice 720, tout en étant électriquement isolée de la première diode, recouvre au moins en partie à la fois : la deuxième couche isolante 620, au moins la partie débordante 520a d'au moins une deuxième diode non recouverte ni par la première couche isolante 610, ni par la deuxième couche isolante 630 et une deuxième zone isolée 252 ; ladite deuxième zone isolée 250, recouverte par la deuxième couche conductrice 720, formant une reprise de contact (20b pour ladite deuxième diode.
Les figures 8 et 9 reproduisent les mêmes étapes que celles des figures 6 et 7 ; ces étapes étant destinées à l'adressage d'une troisième source lumineuse élémentaire 530 (c'est-à-dire d'une troisième diode) de la couche supérieure 500, dont une reprise de contact sera avantageusement positionnée au niveau d'une troisième zone isolée 253 de la couche inférieure 200. Après la formation du deuxième empilement bicouche, on réitère donc l'étape dé formation d'au moins un empilement bicouche additionnel jusqu'à ce que chaque partie débordante 510a, 520a, 530a de chaque diode soit recouverte par l'une des couches conductrices 710, 720, 730 de l'un des empilements bicouches.
Selon un autre mode de réalisation, la première couche conductrice 710 ou la deuxième couche conductrice 720 recouvre la partie débordante 530a de la troisième diode non recouverte ni par la première couche isolante 610, ni par la deuxième couche isolante 620. La figure 10 illustre une étape de mise en place d'un capot 800 sur l'empilement de couches comprenant au moins la couche inférieure 200, la couche organique 300, la couche supérieure 400, la pluralité de couches isolantes 610, 620, 630 et conductrices 710, 720, 730.
Le capot 800 est, de préférence, enduit sur une première face d'une couche de colle, avant d'être déposé sur l'empilement de couches. La couche de colle est, de préférence, étalée sur toute la surface du capot 800. La couche de colle possède l'avantage, une fois sèche, de ne plus réagir avec l'eau, ni avec l'oxygène (premiers facteurs de dégradation des matériaux organiques). La couche de colle, ainsi disposée, agit, de manière particulièrement avantageuse, comme une barrière de protection étanche pour les couches sensibles telles que la couche inférieure 200 c'est-à-dire la première électrode, la couche organique 300 et la couche supérieure 500 soit la deuxième électrode.
De préférence, le capot 800 est en un matériau transparent, configuré de sorte à laisser passer la lumière. Préférentiellement, le capot 800 est en verre. Optionnellement, le capot 800 peut être en matière plastique ou en métal. Selon un mode préférentiel, l'épaisseur du capot 800 est d'environ 1 millimètre. De manière particulièrement avantageuse, le capot 800 peut être de formes diverses. A titre d'exemple, le capot 800 peut être prismatique, cylindrique ou cubique.
Avantageusement, le capot 800 présente au moins une ouverture 850 configurée de sorte à être traversante. De manière particulièrement avantageuse, la section de l'ouverture 850 dans le plan de la diode électroluminescente organique, perpendiculaire à l'épaisseur de ladite diode électroluminescente organique, peut prendre la forme d'un polygone, ou d'un trou circulaire ou oblong, par exemple.
De manière particulièrement avantageuse, l'ouverture traversante 850 dans le capot
800 est configurée de sorte à se positionner au-dessus de la pluralité de zones isolées 251 , 252, 253 de la couche inférieure 200 à l'issue de l'irradiation laser de ladite couche inférieure 200 ainsi que de la reprise de contact 400 de la première électrode, formant préférentiellement une anode commune à toutes les diodes électroluminescentes organiques réalisées sur le dispositif.
De manière particulièrement avantageuse, l'ouverture du capot 800 est configurée de sorte à être de dimension inférieure à la tranchée 250 de la couche inférieure 200.
Le procédé selon l'invention s'affranchit non seulement des problèmes de court- circuit provenant de zones de contact entre la couche inférieure 200, représentant une première électrode et la couche supérieure 500 représentant une deuxième électrode (notamment grâce à la tranchée 50 effectuée dans la couche inférieure 200), mais permet également d'optimiser l'architecture de la connectique électrique en vue de l'adressage de sources lumineuses élémentaires 510, 520, 530 dans une diode électroluminescente organique.
L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédemment décrits, mais s'étend à tout mode de réalisation conforme à son esprit.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques comprenant, sur un substrat (100), une couche inférieure (200) dans laquelle est située au moins en partie une première électrode, une couche organique (300) positionnée au- dessus de la couche inférieure (200) et une couche supérieure (500) positionnée en partie au moins sur la couche organique (300) et dans laquelle est située au moins en partie, pour chaque diode, une deuxième électrode (510, 520, 530),
caractérisé en ce qu'il comprend:
- une pluralité de zones isolées (251 , 252, 253) de la couche inférieure (200) ; lesdites zones (251 , 252, 253) étant séparées d'une zone restante de la couche inférieure (200) par une tranchée (50) et la zone restante (200) formant au moins en partie la première électrode ;
- une reprise de contact (400) de la première électrode positionnée en continuité électrique avec la zone restante de la couche inférieure (200) ;
- un premier empilement bicouche comprenant une première couche isolante (610) et une première couche conductrice (710) ; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la première couche isolante (610) recouvre en partie au moins la couche supérieure (500) de sorte à laisser à découvert, pour chaque diode, une partie débordante (510a, 520a, 530a) de la couche supérieure (500) formant la deuxième électrode de chaque diode, et en ce que au moins la première couche conductrice (710), tout en étant électriquement isolée des autres diodes, recouvre au moins en partie à la fois : la première couche isolante (610), au moins la partie débordante (510a) d'au moins une première diode non recouverte par la première couche isolante (610) et une première zone isolée (251 ) ; ladite première zone isolée (251 ), en partie recouverte par la première couche conductrice (710), formant une reprise de contact (710b) pour ladite première diode ;
- un deuxième empilement bicouche comprenant une deuxième couche isolante (620) et une deuxième couche conductrice (720) ; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la deuxième couche isolante (620) recouvre en partie au moins la première couche conductrice (710), et en ce que au moins la deuxième couche conductrice (720), tout en étant électriquement isolée de la première diode, recouvre au moins en partie à la fois : la deuxième couche isolante (620), au moins la partie débordante (520a) d'au moins une deuxième diode non recouverte ni par la première couche isolante (610), ni par la deuxième couche isolante (630) et une deuxième zone isolée (252) ; ladite deuxième zone isolée (252), recouverte par la deuxième couche conductrice (720), formant une reprise de contact (720b) pour ladite deuxième diode.
2. Dispositif selon la revendication précédente comprenant au moins une troisième diode.
3. Dispositif selon la revendication précédente comprenant un troisième empilement bicouche comprenant une troisième couche isolante (630) et une troisième couche conductrice (730) ; ledit troisième empilement étant configuré de sorte à ce que la troisième couche isolante (630) recouvre en partie au moins la deuxième couche conductrice (720), et en ce que au moins la troisième couche conductrice (730), tout en étant électriquement isolée des autres diodes, recouvre au moins en partie à la fois : la troisième couche isolante (630), au moins la partie débordante (530a) d'au moins une troisième diode non recouverte ni par la première couche isolante (610), ni par la deuxième couche isolante (620), ni par la troisième couche isolante (630) et une troisième zone isolée (253) ; ladite troisième zone isolée (253), recouverte par la troisième couche conductrice (730), formant une reprise de contact (730b) pour ladite troisième diode.
4. Dispositif selon la revendication 2 dans lequel la première couche conductrice (710) ou la deuxième couche conductrice (720) recouvre la partie débordante (530a) de la troisième diode non recouverte ni par la première couche isolante (610), ni par la deuxième couche isolante (620).
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les motifs des deuxièmes électrodes de chaque diode sont configurés de sorte à être alignés.
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel les couches de la pluralité de couches isolantes (610, 620, 630) sont superposables et de même dimension.
7. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel chaque couche conductrice (710) est déposée de sorte à former des saillies latérales ; lesdites saillies étant configurées pour être en continuité électrique d'une part avec une partie de la partie débordante d'au moins une diode et d'autre part avec une zone parmi la pluralité de zones isolées (25, 251 , 252).
8. Dispositif selon la revendication précédente dans lequel chaque partie débordante (510a, 520a, 530a) de chaque diode est recouverte par l'une des couches conductrices (710, 720, 730) de l'un des empilements bicouches.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant un capot (800) pourvu d'au moins une ouverture traversante ; ladite ouverture étant positionnée de sorte à permettre un accès à chacune des reprises de contact (710b, 720b, 730b) de chaque diode formées par chacune des couches conductrices (710, 720, 730) recouvrant chacune une zone parmi la pluralité de zones isolées (251 , 252, 253) et à la reprise de contact (400) de la deuxième électrode.
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l'une au moins parmi les couches isolantes (610, 620, 630) comprend au moins une couche organique et/ou au moins une couche inorganique.
1 1 . Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la tranchée (50) a un contour fermé transversalement à l'épaisseur.
12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la couche organique (300) est positionnée en partie au moins sur la zone isolée (250).
13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le substrat (100) comprend un matériau choisi parmi le verre, le métal, le plastique, le tissu ou le papier.
14. Procédé de réalisation d'un dispositif comprenant au moins deux diodes électroluminescentes organiques comprenant la formation d'une couche inférieure (200) dans laquelle est située au moins en partie une première électrode, sur un substrat (100), caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes:
- formation d'une pluralité de zones isolées (251 , 252, 253) de la couche inférieure (200) de sorte à être séparées d'une zone restante de ladite couche inférieure (200) par une tranchée (50), ladite zone restante formant au moins en partie la première électrode ; formation d'une couche organique (300) au-dessus de la couche inférieure (200) ;
formation d'une reprise de contact (400) configurée de sorte à être positionnée en continuité électrique avec la zone restante de la couche inférieure (200) ;
formation d'une couche supérieure (500) positionnée en partie au moins sur de la couche organique (300), ladite couche supérieure (500) comprenant au moins une deuxième électrode (510, 520, 530) pour chacune des diodes ;
formation d'un premier empilement bicouche comprenant une première couche isolante (610) et une première couche conductrice (710) ; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la première couche isolante (610) recouvre en partie au moins la couche supérieure (500) de sorte à laisser à découvert, pour chaque diode, une partie débordante (510a, 520a, 530a) de la couche supérieure (500) formant la deuxième électrode de chaque diode, et en ce que au moins la première couche conductrice (710), tout en étant électriquement isolée des autres diodes, recouvre au moins en partie à la fois : la première couche isolante (610), au moins la partie débordante (510a) d'au moins une première diode non recouverte par la première couche isolante (610) et une première zone isolée (251 ) ; ladite première zone isolée (251 ), recouverte par la première couche conductrice (710), formant une reprise de contact (710b) pour ladite première diode ; formation d'un deuxième empilement bicouche comprenant une deuxième couche isolante (620) et une deuxième couche conductrice (720) ; ledit empilement étant configuré de sorte à ce que la deuxième couche isolante (620) recouvre en partie au moins la première couche conductrice (710), et en ce que au moins la deuxième couche conductrice (720), tout en étant électriquement isolée de la première diode, recouvre au moins en partie à la fois : la deuxième couche isolante (620), au moins la partie débordante (520a) d'au moins une deuxième diode non recouverte ni par la première couche isolante (610), ni par la deuxième couche isolante (630) et une deuxième zone isolée (252) ; ladite deuxième zone isolée (250), recouverte par la deuxième couche conductrice (720), formant une reprise de contact (720b) pour ladite deuxième diode.
15. Procédé selon la revendication précédente dans lequel, après la formation du deuxième empilement bicouche, on réitère l'étape de formation d'au moins un empilement bicouche additionnel jusqu'à ce que chaque partie débordante (510a, 520a, 530a) de chaque diode soit recouverte par l'une des couches conductrices (710, 720, 730) de l'un des empilements bicouches.
16. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la formation de chaque couche isolante (610, 620, 630) de la succession d'empilements bicouches comprend une étape de masquage commune à chacune des couches isolantes (610, 620, 630).
17. Procédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel la formation de chaque couche conductrice (710, 720, 730) de la succession d'empilements bicouches comprend une déposition effectuée de sorte à former des saillies latérales ; lesdites saillies étant configurées pour être en continuité électrique d'une part avec une partie de la partie débordante (510a, 520a, 530a) d'au moins une diode et d'autre part avec une parmi la pluralité de zones isolées (251 , 252, 253).
18. Procédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans lequel la formation d'au moins l'une parmi les couches isolantes (610, 620, 630) est effectuée par voie liquide, évaporation thermique ou dépôt chimique.
19. Procédé selon l'une quelconque des cinq revendications précédentes dans lequel la formation d'au moins l'une parmi les couches conductrices (710, 720, 730) est effectuée par évaporation thermique, pulvérisation cathodique, déposition par couche atomique, déposition chimique en phase vapeur.
20. Procédé selon l'une quelconque des six revendications précédentes dans lequel la formation de la couche organique (300) est effectuée par évaporation thermique, pulvérisation cathodique, déposition par couche atomique, déposition chimique en phase vapeur.
21 . Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la pluralité de zones isolées (251 , 252, 253) de la couche inférieure (200) est opérée par gravure de la couche inférieure (200) de sorte à former une tranchée (50) séparant lesdites zones isolées (251 , 252, 253) des zones restantes de la couche inférieure (200) ; ladite tranchée (50) ayant une profondeur égale à l'épaisseur de ladite couche inférieure (200).
22. Procédé selon l'une quelconque des huit revendications précédentes comprenant après la formation de la succession d'empilements bicouches, une étape de mise en place d'un capot (800) au-dessus d'au moins le dernier empilement bicouche ; ledit capot (800) étant préalablement enduit d'une couche de colle et étant pourvu d'au moins une ouverture traversante ; ladite ouverture étant positionnée de sorte à permettre un accès à chacune des reprises de contact (710b, 720b, 730b) de chaque diode formées par chacune des couches conductrices (710, 720, 730) recouvrant chacune une zone parmi la pluralité de zones isolées (251 , 252, 253) et à la reprise de contact (400) de la première électrode.
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