EP2377200A2 - Rfid antenna circuit - Google Patents
Rfid antenna circuitInfo
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- EP2377200A2 EP2377200A2 EP09805691A EP09805691A EP2377200A2 EP 2377200 A2 EP2377200 A2 EP 2377200A2 EP 09805691 A EP09805691 A EP 09805691A EP 09805691 A EP09805691 A EP 09805691A EP 2377200 A2 EP2377200 A2 EP 2377200A2
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- EP
- European Patent Office
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- turn
- antenna
- terminal
- point
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
- H01Q1/12—Supports; Mounting means
- H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
- H01Q1/2208—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems
- H01Q1/2225—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems used in active tags, i.e. provided with its own power source or in passive tags, i.e. deriving power from RF signal
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q7/00—Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
Definitions
- the invention relates to an RFID and NFC antenna circuit.
- RFID is the abbreviation of radio frequency identification (in English: “radio frequency identification”).
- NFC is the abbreviation for near-field communication (in English: “near fîeld communication”).
- RFID / NFC technology is used in many areas, for example in mobile phones, personal organizers called PDAs, computers, contactless card readers, cards themselves to be read without contact, but also passports, identification tags of articles or description of articles (in English: "tag”), USB keys and SIM cards and (U) SIM cards called “SIM card RFID or NFC", thumbnails for Dual or Dual Interface card (the sticker itself having an RFID / NFC antenna), watches.
- the antenna of a first RFID circuit radiates electromagnetically at a distance a radio frequency signal comprising data to be received by the antenna of a second RFID circuit (transponder), which can, if necessary, respond to the first circuit by data by load modulation.
- Each RFID circuit has its antenna operating at its own resonant frequency.
- the problem of the RFID antenna circuit relates to the efficiency of the magnetic antenna of the transponder and the reader, or, on the efficiency of the coupling by mutual inductance between the two magnetic antennas, on the transmission energy and information between the party electronics and its antenna, on the transmission of energy and information between the two antennas of the RFID system.
- the main objective is to gain in radio efficiency (power of the emitted or captured magnetic field, coupling, mutual inductance %) by the antenna without losing on the quality of the signal (data distortions, bandwidth of the antenna ...) issued or received.
- antennas small areas (30 ⁇ 30mm) or very low (5 ⁇ 5 mm) for applications such as cards or ⁇ Cartes, labels (in English: stickers), small players or optional drive or detachable, in mobile telephony, in USB keys, in SIM cards.
- antennas of reasonable sizes > 16 cm 2
- antennas with reduced surface area ⁇ 16cm 2
- very small antennas one sees appearing ever more important needs on the necessity of power on the magnetic field transmitted or captured, over the bandwidth of the radio channel in order to meet the ever increasing data flow requirements and standards in force such as TISO14443 (example for transport, identity %), ISO15693 (example for labels) and specifications for the RFID / NFC banking domain (EMVCO).
- US-A-7,212,124 discloses a mobile phone information device comprising an antenna coil formed on a substrate, a sheet of magnetic material, an integrated circuit and resonance capacitors connected to the antenna coil.
- the integrated circuit communicates with an external device in that the antenna coil uses a magnetic field.
- a vacuum serving as a battery receiving section is formed on a portion of the housing surface and is covered by a battery cover.
- the battery, the antenna coil and the sheet of magnetic material are housed in the depression.
- a vacuum evaporated metal film or coating of conductive material is applied to the housing, while no vacuum evaporated metal film or coating of conductive material is applied to the battery cover.
- the antenna coil is disposed between the battery cover and the battery while the sheet of magnetic material is disposed between the antenna coil and the battery in the vacuum.
- the antenna coil has an intermediate tap, the resonance capacitors are connected to both ends of the antenna coil, and the integrated circuit is connected in the middle between one end of the antenna coil and the intermediate tap. .
- This device has many disadvantages.
- the antenna must have a very high quality factor before integration. But a quality factor with such a high value is not suitable for RFID / NFC antenna circuits for readers or transponders (cards, labels, USB sticks). In a mobile phone, the reason for this very high value quality factor is that the electrical and mechanical constraints overwrite the original quality factor of the antenna.
- this quality coefficient of the antenna would be too high and would then generate a bandwidth at -3 dB of the antenna very reduced, so a very severe filtering of the modulated RF signal emitted or received by load modulation (subcarrier 13.56 MHz to ⁇ 847 kHz, ⁇ 424 kHz, ⁇ 212 kHz ...), and power transmitted or received too large.
- the coupling with such an antenna would be such that at a short distance between the 2 antennas ( ⁇ 2 cm for example), the mutual inductance created would be such that it would detune totally tuning the frequency of the two antennas, would collapse the power radiated by the reader, could saturate the radio stages of the silicon chip or could lead to destruction transponder silicon, since silicon does not have an infinite heat dispersal capacity.
- US-Al -2008 / 0450693 discloses an antenna device essentially for drive mode operation.
- the proposed embodiments impose in particular two different surfaces, one large and one small, on either the same inductance or on two inductances.
- the purpose of the last two embodiments is to make it possible to amplify the signal emitted at the center of the antenna by a small parallel inductance and, in the third embodiment, to eliminate the radiation holes on a location between the arrangement of the two antenna surfaces.
- the documents EP-A-1031 939 and FR-A-2777141 describe a device of an antenna circuit for operation in transponder mode having two independently electrically independent antenna circuits in the device described in the EP documents.
- a first antenna circuit is composed of a conventional inductor and the transponder chip.
- a second antenna circuit is composed of a coil winding forming an inductance associated with a planar capacitance called "resonator".
- the objective of the two embodiments is to allow the amplification of the electromagnetic signal received by the arrangement of the "resonator" for the first antenna circuit comprising the transponder.
- A-2777141 is to get the maximum efficiency between the 2 antenna circuits, so have the highest quality coefficient possible. It therefore falls on the same remarks of US-A-7 212 124.
- document EP-AI 970 840 describes a device comparable to the two previous devices described in documents EP-A-1031 939 and FR-A-2777141, in the sense that two resonators are used for the amplification of the electromagnetic field. received. We thus find the same remarks as before. In addition, the constraints indicated for EP-A-1031 939 and FR-A-2777141 are all the higher and difficult to achieve that the two resonators are close to each other.
- the object of the invention is generally to obtain an antenna circuit having a transmission efficiency and improved transmission implementation conditions.
- a first object of the invention is an RFID antenna circuit comprising an antenna formed by a number of at least three turns, the antenna having a first end terminal and a second end terminal. at least two access terminals for the connection of a load, at least one tuning capacity at a prescribed tuning frequency, having a first capacitance terminal and a second capacitance terminal, an intermediate tap connected to the antenna and separate end terminals, a first connection means of the intermediate tap at a first of the two access terminals, a second connection means of the second end terminal to the second capacitance terminal, characterized in it comprises third connection means of the first capacitance terminal and the second of the two access terminals to a first point of the antenna and at a second point of the antenna connected to the first point of the antenna by at least one turn of the antenna.
- said intermediate tap (A) is connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L) said intermediate tap (A) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
- the first point (P1) is connected to the intermediate tap (A) by at least one turn of the antenna. According to one embodiment of the invention, (FIGS. 13, 14, 15, 16) the first point (P1) is located at the intermediate tap (A).
- the first point (P1) is connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
- the first point (Pl) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
- the first point (P1) is located at the first end terminal (D).
- the second point (P2) is located at the first end terminal (D) of the antenna. According to one embodiment of the invention, the second point (P2) is located at the second end terminal (E) of the antenna.
- the second point (P2) is connected to the intermediate tap (A) by at least one turn of the antenna.
- the second point (P2) is connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L) , the second point (P2) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
- the first point (Pl) is located at the intermediate point (A) of the antenna (L) and the second point (P2) is located at the first terminal (D) of end of the antenna (L).
- said first and second points (P1, P2) are distinct from the first intermediate tap (A), the first point
- the second point (P2) is located at the first end terminal (D) of the antenna, the first point (P1) is connected to the socket intermediate (A) by at least one turn of the antenna.
- said intermediate tap (A) forms a first intermediate tap (A), the first intermediate tap (A) being connected to the first end terminal (D) of the antenna (L). ) by at least one turn
- the first intermediate tap (A) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna ( L)
- the second point (P2) is located at a second intermediate point (P2) of the antenna (L)
- the second intermediate point (P2) being connected to the first point
- the capacitance comprises a first metal surface forming the first capacitance terminal (ClX), a second metallic surface forming the second capacitance terminal (ClE), at least one dielectric layer situated between the first metal surface and the second metal surface.
- the capacitance comprises at least one dielectric layer having a first side and a second side remote from the first side, a first metal surface forming the first capacitance terminal (ClX) on the first side of the dielectric layer, a second metal surface forming the second capacitance terminal (ClE) on the second side of the dielectric layer, a third metal surface forming a third capacitance terminal (ClF) remote from the first metal surface on the first side of the dielectric layer, the first capacitance terminal (ClX) defining a first capacitance value (C2) with the second capacitance terminal (C2) capacitance terminal (ClE), the third capacity terminal (ClF) defining a second capacitance value (Cl) with the second capacitance terminal (ClE), the first capacitance terminal (ClX) defining a third value (C 12) coupling capacitance with the third capacitance terminal (ClF), means for connecting the third capacitance terminal (ClF) to
- the antenna (L) comprises at least a first turn (S1), at least a second turn and at least a third turn, which are consecutive, the first turn (S1) going from the second end terminal (E) in a first winding direction at a cusp point (PR) connected to the second turn, the second and third turns (S2, S3) running from said cusp point (PR) to the first end terminal (D) in a second reverse winding direction of the first winding direction, the first point (P1) of the antenna (L) and the second point (P2) of the antenna (L) being located on the second and third turns (S2, S3).
- the antenna (L) comprises at least a first turn (S1) and at least a second turn (S2, S3) consecutive between two third and fourth points (E; D) of the antenna, the first turn (S1) being connected to the second turn (S2, S3) by a reversal point (PR), the first turn (S1) going from the third point (E) to the cusp point (PR) in a first winding direction, the second turn (S2, S3) from said reversal point (PR) to the fourth point (D) in a second reverse winding direction of the first winding direction.
- PR reversal point
- the antenna (L) comprises at least a first turn (Sl) and at least a second turn (S2,
- the first turn (S1) being connected to the second turn (S2, S3) by a reversal point (PR), the first turn (S1) going from the third point (E) to the cusp point (PR) in a first direction of winding, the second turn (S2, S3) going from said cusp point (PR) to the fourth point (D) in a second reverse winding direction of the first winding direction, the first point (P1) is located at the intermediate point (A) of the antenna (L) and the second point (P2) is located at the first terminal (D) end of the antenna (L).
- PR reversal point
- the antenna (L) comprises at least a first turn (S1) and at least a second turn (S2, S3) consecutive between two third and fourth points ( E; D) of the antenna, the first turn (S1) being connected to the second turn (S2, S3) by a reversing point (PR), the first turn (S1) going from the third point (E) to the point (PR) of reversal in a first winding direction, the second turn (S2, S3) from said reversal point (PR) to the fourth point (D) in a second direction of reverse winding of the first direction of winding, the first point (P1) is located at the first end terminal (D).
- PR reversing point
- At least one turn (S2) of the antenna comprises in series a winding (S2 ') of turns of smaller surface area surrounded with respect to the surface surrounded by the remainder (S2 ") of said turn (S2) or with respect to the surface surrounded by other turns of the antenna (3).
- the turns (S) of the antenna (3) are distributed over several distinct physical planes.
- the tuning capacity (Cl) comprises a second capacitance (ZZ) formed by at least a third turn (SC3) comprising two first and second ends (SC31, SC32) and by at least a fourth turn (SC4) having two first and second ends (SC41, SC42), the third turn (SC3) being electrically separated from the fourth turn (SC4) to define at least the capacity (C1) of agreement between the first end (SC31) of the third turn (SC3) and the second end (SC42) of the fourth turn (SC4), the first end (SC31) of the third turn being further away from the second end (SC42) of the fourth turn (SC4) than from the first end (SC41) of the fourth turn (SC4), the second end (SC32) of the third turn (SC3) being farther away from the first end (SC41) of the fourth turn (SC4) than from the second end (SC42) of the fourth turn (SC4), the second capacity being defined between the first end (SC31) ) of the third turn (SC3) and the second end
- first coupling means are provided to ensure coupling (COUPL 12) by mutual inductance between on the one hand the at least one turn (S2) of the antenna electrically connected in parallel with the first and second terminals (1, 2) of access and the other at least one turn (Sl) of the antenna
- second coupling means are provided to ensure coupling (COUPLZZ) mutual mutual inductance between said other at least one turn (S1) of the antenna and the at least one third and fourth turns (SC3, SC4) of the second capacitance (ZZ).
- the first coupling means are made by the proximity between on the one hand the at least one turn (S2) of the antenna electrically connected in parallel with the first and second terminals (1, 2) access and the other at least one turn (Sl) of the antenna
- the second coupling means are made by the proximity between the other at least one turn (Sl) of the antenna and the at least one third and fourth turns (SC3, SC4) of the second capacitance (ZZ).
- the third turn (SC3) and the fourth turn (SC4) are interleaved.
- the third turn (SC3) comprises at least a third section adjacent to a fourth section of the fourth turn (SC4).
- the sections extend parallel to each other.
- the tuning capacitance (Cl) comprises a first capacitance (C1) comprising a dielectric between the first capacitance terminal (ClX) and the second capacitance terminal (ClE), the first capacitance (C1). (Cl) being made in the form of a wire element, engraved, discrete or printed.
- FIG. 16, 18 another capacitor (C30) is connected between the second end terminal (E) and a point (PC1) of the antenna, which is connected to the second point (P2) by at least one turn of the antenna.
- FIGGS. 20, 22 the capacity
- the first capacitance (C30) is connected between the second end terminal (E) of the antenna and the second point (P2), which is connected to the first terminal (SC31) of the third turn (SC3), the intermediate point (A) being connected to the second terminal (SC42) of the fourth turn (SC4), which forms the first point (P1), the first point (SC41) of the fourth turn (SC4) forming the first end terminal (D) of the antenna.
- the first capacitance (C30) is connected between the second end terminal (E) of the antenna and the second point (P2), which is connected to the first terminal (SC31) of the third turn (SC3) by at least one turn (SlO), the intermediate point (A) being connected to the second terminal (SC42) of the fourth turn (SC4), which forms the first point (Pl ), the first terminal (SC41) of the fourth turn (SC4) forming the first terminal (D) end of the antenna.
- the first point (Pl) is located at the intermediate point (A), the second point (P2) is located at the second end point (E) of the 'antenna.
- the first point (P1) is located at the first end terminal (D) and the second point (P2) is located at the second terminal (E) of end.
- the at least one third turn (SC3) and the at least one fourth turn (SC4) define a second sub-circuit having a second natural resonance frequency, the first and second terminals (1).
- the at least one third turn (SC3) and the at least one fourth turn (SC4) define a second sub-circuit having a second natural resonance frequency, the first and second terminals (1).
- the at least one third turn (SC3) and the at least one fourth turn (SC4) define a second sub-circuit having a second natural resonance frequency
- the first and second terminals (1). , 2) of access define with a module (M) connected to them and with at least one turn (S2) connected to said first and second terminals (1, 2) of access a first sub-circuit having a first resonance frequency the turns being arranged so that the first natural resonance frequency and the second natural resonance frequency are substantially equal.
- the antenna comprises a mid-point (PM) for fixing a potential to a reference potential, with an equal number of turns on the section going from the first terminal (D) end to the midpoint (PM) and the section from the midpoint (PM) to the second terminal (E) end.
- the antenna is on a substrate.
- the antenna is a wire.
- said terminals (D, E, 1, 2, ClE, ClX), said tap (A), said points (P1, P2) and the capacitance (C1, ZZ) define a plurality at least three nodes, the nodes defining at least one first group (Sl) of at least one turn between two first distinct nodes (1, ClE) between them and at least one second group of at least one other turn ( S2) between two second nodes (1, 2) which are distinct from one another, at least one of the first nodes being different from at least one of the second nodes, first coupling means are provided to ensure coupling (COUPL 12) by mutual inductance between on the one hand the first group (Sl) of at least one turn and on the other hand the second group of at least one other turn (S2) in that the first group
- (S1) of at least one turn is positioned near the second group of at least one other turn (S2).
- said terminals (D, E, 1, 2, ClE, ClX), said tap (A), said points (P1, P2) and the capacitance (C1, ZZ) define a plurality at least three nodes, the nodes defining at least one first group (Sl) of at least one turn between two first nodes (1, ClE) distinct from each other, and at least one second group of at least one other turn (S2) between two second nodes (1, 2) which are distinct from one another and at least one third group of at least one other turn (SC3, SC4) between two third nodes (E, ClX) which are distinct from each other, at least one of first nodes being different from at least one of the second nodes, at least one of the first nodes being different from at least one of the third nodes, at least one of the third nodes being different from at least one of the second nodes, first means coupling are provided to ensure coupling (COUPL12) by mutual inductance between on the one hand the first group (Sl ) of at least one turn and
- SC4 in that the first group (Sl) of at least one turn is positioned near the third group of at least one other turn (SC3, SC4).
- the first group (Sl) of at least one turn is positioned between the second group of at least one other turn (S2) and the third group of at least one other turn ( SC3, SC3, SC4).
- the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is less than or equal to 20 millimeters.
- the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is less than or equal to 10 millimeters. According to one embodiment of the invention, the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is less than or equal to 1 millimeter.
- the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is greater than or equal to 80 micrometers.
- At least one reader (LECT) as a load and / or at least one transponder (TRANS) as a load is connected to the access terminals (1, 2).
- the circuit comprises a plurality of first distinct access terminals (1) and / or a plurality of second access terminals (2) which are distinct from each other.
- said at least one first access terminal (1) and said at least one second access terminal (2) are connected to at least one first load (Z1) having a first frequency tuned in a high frequency band and at least a second load (Z2) having a second tuning frequency prescribed in another ultra high frequency band.
- the invention it is possible to maintain a reasonable quality factor or limit its increase (the quality factor being equal to the resonance frequency divided by the bandwidth at -3 dB), in order to keep a reasonable bandwidth or slightly increased while maintaining or increasing the power radiated or received by the antenna and maintaining or decreasing the mutual inductance generated during coupling with the second external RFID antenna circuit.
- the number of turns is imposed by the compromise between the surface of the antenna and the silicon capacitance and the desired tuning frequency (around 13.56 MHz to 20 MHz).
- the desired tuning frequency around 13.56 MHz to 20 MHz.
- the circuit according to the invention in transmission or reception, makes it possible in particular to reduce the mutual inductance with the second antenna circuit
- N is the number of turns of the antenna
- R is the radius of the antenna
- x is the distance from the center of the antenna in the direction x normal to the antenna.
- N1 is the number of turns of a first antenna and N2 is the number of turns of a second antenna.
- the mutual inductance is a quantitative description of the flux coupling two loops of conductors.
- the coupling coefficient (K) introduces a qualitative prediction on the coupling of the antennas irrespective of their geometrical dimensions.
- Ll is the inductance of a first antenna and L2 is the inductance of a second antenna. Below are discussed possibilities of increasing the radio efficiency of a magnetic antenna.
- the magnetic field radiated or captured depends on the number of turns in the antenna. It is therefore necessary to increase the number of turns.
- the coupling coefficient is inversely related to the inductances of the 2 antennas. By decreasing the inductance of the antennas, then the coupling coefficient between the 2 antennas increases. It is also necessary to either increase the mutual inductance or limit the loss on mutual inductance.
- the mutual inductance is a function of the number of turns of the antennas. So by increasing the number of turns of the antenna, then the mutual inductance between the 2 antennas increases. Considering the coupling coefficient, ideally do not increase the inductances of the antennas.
- the bandwidth is a function of the inductance of the antenna and inverse function of the resistance of the antenna. It is therefore ideally to reduce the inductance and increase the resistance of the antenna.
- the mutual inductance must increase or be equal and / or the inductance of the antenna must decrease.
- the number of turns must increase or be equal.
- the inductance of the antenna must decrease or be equal and / or the resistance of the antenna must increase.
- the solution according to the invention gives the possibility of parameterizing, by the method of the invention, the distribution of the current in the antenna such as for example to have a different current density in at least two turns constituting the antenna therefore of do not have a uniform current in the antenna and therefore a different current in at least 2 different turns.
- the circuit includes means for making the distribution of current between the two ends of the antenna nonuniform.
- FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A show embodiments of the transponder antenna circuit according to the invention
- FIGS. 1B, 2B, 3B, 4B represent equivalent electrical diagrams of the circuits of FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A,
- FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 1A1 represent embodiments of the reader antenna circuit according to the invention
- FIGS. 5B, 6B, 7B, 8B, 9B, HB show equivalent electrical diagrams of the circuits of FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 1A1
- FIG. 10 is a view of FIG. an antenna in one embodiment
- the antenna circuit may be a circuit for emitting electromagnetic radiation by the antenna, as well as a circuit for receiving electromagnetic radiation by the antenna.
- the RFID antenna circuit is of the transponder type, to operate as a portable card, tag (in English: "tag"), to be integrated in a paper document, such as for example a document issued by an official authority, such as a passport, USB keys and SIM cards and (U) SIM cards called "RFID or NFC SIM card", thumbnails for Dual or Dual Interface card (the sticker itself having an RFID antenna / NFC), watches.
- the RFID antenna circuit is of the reader type to read, that is to say at least receive, the signal radiated by the RFID antenna of a transponder as defined in the first cases like mobile phones, personal organizers said "PDA", computers.
- the circuit comprises an antenna 3 formed by at least three turns S of a conductor on an insulating substrate SUB.
- the turns S have an arrangement defining an inductance L having a determined value between a first end terminal D of the antenna 3 and a second end terminal E of the antenna 3.
- the antenna 3 is formed by three consecutive turns S1, S2, S3 from the outer end terminal E to the inner end terminal D.
- a first access terminal 1 is connected by a conductor CONlA to an intermediate point or point A of the antenna 3 between its end terminals D, E.
- a capacity C according to a prescribed tuning frequency that is to say at a resonance frequency, for example from 13.56 MHz up to 20 MHz, is provided in combination with the inductance L of the antenna 3.
- the second end terminal E of the antenna 3 is connected by a conductor CON2E to the second terminal ClE of the capacitor C.
- the first terminal ClX of the capacitor C is connected by a conductor CON31 to the intermediate socket A forming a first point P1 of the antenna 3.
- a second access terminal 2 is connected by a conductor CON32 to the first end terminal D forming a second point P2 of the antenna 3.
- the point P2 is different from the point A.
- the two access terminals 1, 2 are used to connect a load. According to the invention, there is at least one turn S between the first point A, P1 and the second point P2.
- the intermediate tap A, P1 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie one turn S3 in FIG. 1.
- the intermediate tap A, P1 is connected to the second terminal E end of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie two turns S1 and S2 in FIG. 1, where the intermediate tap A is located between the turns S3 and S2.
- CIX, P1, P2 form electrical nodes of the circuit.
- the points directly connected to each other form the same node, for example when the connection means are electrical conductors.
- Two distinct nodes are connected by at least one turn.
- the circuit of FIG. 1A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the third turn S3, between the access terminals 1, 2. Between the intermediate tap A and the terminal E is a second inductance L2, called passive inductance, formed by the first turn
- the second inductor L2 is in parallel with the capacitor C between the intermediate tap A and the terminal E.
- the sum of the first inductance L1 and the second inductor L2 is equal to the total inductance L of the antenna 3. It is of course, the antenna 3 has a resistance in series with its inductance L as well as inter-turn coupling capacitors, which however have not been shown in all the figures.
- the capacity C can be of any type of technology and method of production.
- the capacitor C is of planar type being disposed on the free zone of the substrate, present in the middle of the turns S.
- the capacitor C is formed by a capacitor having a first surface SIX metal forming the first capacitance terminal ClX, a second metal surface SlE supported by the substrate and forming the second terminal ClE capacitance.
- One or more dielectric layers are located between the first metal surface S IX and the second metal surface SlE.
- FIGS. 1A and 1B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3.
- FIGS. 2A and 2B The embodiment shown in Figures 2A and 2B is a variant of the embodiment shown in Figures IA and IB.
- the intermediate tap A, P 1 is located between the turns
- the intermediate tap A, P1 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie two turns S2 and S3.
- the intermediate tap A, P1 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie a turn S1.
- Capacity C is formed by a capacitor having one or more dielectric layers having a first side and a second side remote from the first side.
- the first metal surface SIX forms the first capacitance terminal ClX on the first side of the dielectric layer.
- a second metal surface SlE forms the second capacity terminal ClE on the second side of the dielectric layer.
- the first metal surface SIX defines with the second metal surface SlE a capacitance value C2.
- a third metal surface SlF forms a third terminal ClF of the capacitance C.
- the third metal surface SlF is situated on the same first side of the dielectric layer at a distance as the first metal surface SIX but at a distance from this first metal surface SIX.
- the third capacitance terminal ClF is connected by a conductor CON33 to the end terminal D.
- the third metal surface SlF defines with the second metal surface SlE a capacitance value C1.
- the third metal surface SlF is coupled to the first metal surface SIX in that they share the same reference terminal ClE formed by the surface S1E, to form a coupling capacitor C12.
- the circuit of FIG. 2A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the second turn S2 and the third turn S3, between the access terminals 1, 2.
- a first inductance L1 called active inductance
- second inductor L2 intermediate A and the terminal E is a second inductor L2, called passive inductance, formed by the first turn S1.
- the sum of the first inductance L1 and the second inductance L2 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- the second inductance L2 is in parallel with the capacitance C2 between the intermediate tap A and the terminal E.
- the first inductor L1 is in parallel with the coupling capacitor C 12.
- the capacitor C1 is connected on the one hand to the terminal D and on the other hand to the terminal E.
- FIGS. 2A and 2B makes it possible to further increase the radio efficiency of antenna 3, because of the arrangement of capacitors C1 and C2 and of the coupling between capacitors C1 and C2.
- the embodiment shown in FIGS. 3A and 3B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 2A and 2B.
- the first point P 1 is distinct from the first intermediate tap A and is spaced from this first intermediate tap A by at least one turn S.
- the antenna 3 is formed by four turns S1, S2, S3, S4 consecutive from the outer end terminal E to the inner end terminal D.
- the capacitor C is of the type of that of FIGS. 2A and 2B.
- the first intermediate tap A is located between turns S2 and S3.
- the first intermediate tap A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the two turns S3 and S4.
- the intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie the two turns S2 and S1.
- the access terminal 1 is connected to the first intermediate socket A by the conductor CONlA.
- the access terminal 2 is connected to the terminal D, which is not connected to the terminal ClF.
- the load Z is for example a chip generally designated by "silicon”. This chip can also be present in general between the access terminals.
- the terminal ClX is connected by the conductor CON31 to a first point P1 of the antenna 3, distinct from its terminals D, E.
- the first point P1 is located between the turns S3 and S4.
- the first point P1 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S4.
- the first point P1 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie the three turns S3, S2 and S1.
- Terminal D forms the second point P2.
- the third capacitance terminal ClF is connected by a conductor CON33 to the access terminal 1.
- the terminal C IE is connected by a conductor CON2E to the terminal E.
- the circuit of FIG. 3A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the turn S4 between the terminal 2 and the point P1. Between the point P1 and the tap A is a second inductor LI l, also called active, formed by the turn S3. Between the intermediate tap A and the terminal E is a third inductor L3, called passive inductance, formed by the two turns S2 and S1. The sum of the first inductance L1, the second inductance LI1 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- the third inductance L3 is in parallel with the capacitance C1 between the intermediate socket A and the terminal E.
- the second inductance LI1 is in parallel with the coupling capacitance C12.
- the capacitor C2 is connected on the one hand to the point P1 and on the other hand to the terminal E.
- the capacitance C could be of the type of that of FIG. 1A, that is to say having instead of Cl and C 12 only the capacitance C between Pl and E in FIGS. 3A and 3B.
- FIGS. 3A and 3B makes it possible to increase the efficiency of antenna 3 because of the arrangement and combination of "active" and “passive” inductances and capacitors.
- the embodiment shown in Figures 4A and 4B is a variant of the embodiment shown in Figures IA and IB.
- the antenna 3 is formed from the second end terminal E to the first terminal D by a first turn S1, a second turn S2 and a third turn S3, which are consecutive.
- the turns S1 then S2 go from the second terminal E end to a point PR of a reversal in a first winding direction, corresponding to Figure 4A clockwise.
- the turn S3 goes from the recoiling point PR to the first end terminal D in a second direction of winding opposite to the first direction of winding, and therefore reverse clockwise in FIG. 4A.
- the turn S3 is reversed direction inward with respect to the outer turns S2 and S3.
- the first point P1 forming the first intermediate tap A of the antenna connected to the access terminal 1 is located at the recoil point PR.
- the positive direction of the current in the antenna 3 is that going from the recoiling point PR to the terminal E, coinciding in this example with the greatest number of turns going in the same direction, as indicated by the arrows drawn on the antenna 3.
- the arrows drawn on the turns S1 and S2 correspond to this positive direction of the current.
- the circuit of FIG. 4A has a second positive inductance + L2, called passive inductance, formed by the turns S2 and S1.
- first negative inductance -Ll Due to the PR point of reversal, appears between the intermediate socket A, P1 and the terminal D a first negative inductance -Ll, called active inductance, formed by the third turn S3, between the points P1 and P2.
- the sum of the first inductance L1 in absolute value and the second inductance L2 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- the negative inductance -L1 makes it possible to further reduce the mutual inductance generated by the antenna 3.
- the embodiment shown in Figs. 5A and 5B is a variation of the embodiment shown in Figs. 1A and 1B.
- the antenna In FIGS. 5A and 5B, the antenna
- a first access terminal 1 is connected by a connection means CONlA to a first intermediate tap A of the antenna 3 between its end terminals D, E.
- the connection means CONlA is for example a capacitor ClO.
- the second access terminal 2 is connected by a connection means CON32 to a second intermediate socket P2 forming a second point P2 of the antenna 3.
- the connection means CON32 is for example a capacitor C20.
- the second end terminal E of the antenna 3 is connected by a conductor CON2E to the second terminal ClE of the capacitor C.
- the first terminal ClX of the capacitor C is connected by a conductor CON31 to the terminal D, P1 of the antenna 3.
- the two access terminals 1, 2 are used to connect a load.
- the intermediate tap A is located between the turns S3 and S2.
- the intermediate plug P2 is located between the turns S1 and S2.
- the intermediate terminal A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S 3 in the embodiment shown.
- the intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna
- the intermediate plug P2 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S2 and the turn S3 in the embodiment shown.
- the intermediate plug P2 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, the turn S1 in the embodiment shown.
- the circuit of FIG. 5A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the second turn S2, between points A and P2.
- a second inductor L2 called passive inductance, formed by the first turn S1.
- the sum of the first inductance L1, the second inductance L2 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- FIGS. 5A and 5B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3.
- FIGS. 6A and 6B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B.
- a fourth additional tuning capacitor C4 is connected between the intermediate tap A and the second tap P2, in parallel with the first inductor L1.
- the fourth capacitor C4 participates in the frequency tuning with C, particularly on the second inductor L2.
- the embodiment shown in FIGS. 6A and 6B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3.
- FIGS. 7A and 7B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B.
- the antenna 3 is formed by four consecutive turns S1, S21, S22, S3 from the outer end terminal E to the inner end terminal D.
- the first point P1 is formed by the terminal terminal D of the antenna.
- Intermediate tap A is located between turns S3 and S22.
- the intermediate plug P2 is located between the turns S1 and S21.
- the intermediate terminal A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S3 in the embodiment shown.
- the intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna
- the catch intermediate P2 is connected to the terminal D end by at least one turn S of the antenna L, three turns S21, S22 and S3 in the embodiment shown.
- the intermediate plug P2 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, the turn S1 in the embodiment shown.
- the circuit of FIG. 5A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the three second turns S21, S22 and S3, between the points P1 and P2. Between the intermediate tap P2 and the terminal E is a second inductor L2, called passive inductance, formed by the first turn S1. Between the intermediate tap A and the terminal D is a third inductor L3, called passive inductance, formed by the third turn S3.
- the sum of the first inductance L1, the second inductance L2 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- FIGS. 7A and 7B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3 with a larger number of turns.
- FIGS. 8A and 8B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B.
- the antenna In FIGS. 8A and 8B, the antenna
- the first point P1 is formed by the end terminal D.
- At least one turn S between the first point P1 and the second point P2 ie the turns S2, S31, S32, S33 and S34, that is to say five second turns in the mode. embodiment shown.
- the intermediate tap A is located between the turns S2 and S31.
- the intermediate plug P2 is located between the turns S1 and S2.
- the intermediate tap A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the four turns S31, S32, S33 and S34 in the embodiment shown.
- the intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie the two turns S1, S2 in the embodiment shown.
- the intermediate tap P2 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the five turns S2, S31, S32, S33 and S34 in the embodiment shown.
- the intermediate plug P2 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, the turn S1 in the embodiment shown.
- the circuit of FIG. 8A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the second turns
- the sum of the first inductance L1, the second inductance L2 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- the embodiment shown in FIGS. 8A and 8B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3 with even more turns.
- the capacitor C is formed for example by a capacitor of the planar type as in FIG.
- the capacitance C, Cl, C2 is for example of the described planar type.
- the capacitance C may be in the form of an added capacitor component, instead of being of the planar type.
- the embodiment shown in FIGS. 9A and 9B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B.
- the antenna 3 is formed from the second end terminal E to the first terminal D by a first turn S1, a second turn S2 and a third turn S3, which are consecutive.
- the turn S1 goes from the second end terminal E to a rewind point PR in a first winding direction corresponding to FIG. 9A clockwise.
- turns S2 then S3 go from the reversal point PR to the first end terminal D in a second winding direction opposite to the first direction of winding, and therefore reverse clockwise in FIG. 9A.
- the turn S1 is of direction reversed outside with respect to the internal turns S2 and S3.
- the first point P1 is formed by the terminal D.
- the second point P2 forming the second intermediate point of the antenna connected to the access terminal 2 is located at the point PR of cusp.
- the circuit of FIG. 9A has a first positive inductance L1, called active inductance, formed by the second turn S2, between points A and P2.
- the sum of the first inductance L1, the second inductance L2 in absolute value and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
- the negative inductance -L2 makes it possible to further reduce the mutual inductance generated by the antenna 3.
- connection means CONlA is for example an electrical conductor.
- connection means CON32 is for example an electrical conductor.
- the capacitor C is of the type of that of FIG. 2A.
- the second end terminal E of the antenna 3 is connected by a conductor CON2E to the second terminal ClE of the capacitor C.
- the first terminal D is connected to the terminal ClF of the capacitor C by the conductor CON33.
- the point P1 is formed by the terminal D.
- the first terminal ClX of the capacitor C is connected by a conductor CON31 to the terminal D.
- Terminal ClF is connected to terminal 2 access.
- the capacitance C1 is in parallel with the inductance L2 between the terminal E and the point P2.
- the capacitor C2 is connected between the terminals D and E.
- the coupling capacitor C 12 is connected between the second point P2 and the terminal D.
- connection means such as CONlA, CON32, terminals 1, 2 of access to the antenna can be capacitance, conductor or other, such as for example active elements, in particular of the transistor or amplifier type.
- any additional load or frequency or power matching circuit can be connected to the access terminals 1, 2, for example a chip, in particular a silicon-based chip, as well in the so-called transponder case. only in the case said reader.
- connection means of the antenna access terminals 1, 2 of FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A may also be conductors. It is also possible to add an active or passive element, such as, for example, a capacitor, to terminals 1, 2 of access to FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A.
- an active or passive element such as, for example, a capacitor
- a number of taps may be provided. turns equal to one, two or more between the first point P1 and the end D.
- the antenna can be made of wire, engraved, printed (printed circuit board), copper, aluminum, silver particle or aluminum and any other electrical conductor and any other non-electrical conductor but chemically predicted to this effect.
- the turns of the antenna can be made in multi-layers, superimposed or not, in whole or in part.
- at least one turn S2 of the antenna may comprise in series a winding S2 'of turns of smaller surface area surrounded with respect to the surface surrounded by the remainder S2 "of the turn S2 or relative at the surface surrounded by the other turns of the antenna 3, in order to increase the resistance or the inductance of the turn S2 without accentuating the coupling, the mutual inductance and the general radiation of the antenna 3.
- the capacity (s) can be in discrete element (component) or made in planar technology.
- the capacitance (s) can be added to the antenna during the process of manufacturing the windings of turns as an element outside the printed circuit board and the antenna, especially in wire technology.
- the capacitance (s) can be integrated in a module, in particular silicon.
- the capacitance (s) can be integrated and realized on a printed circuit board.
- the turns S of the antenna 3 can be distributed over several different physical planes, for example parallel.
- the turns are formed of sections, for example rectilinear but may also have any other shape.
- the turns of the antenna may be in the form of a wire which will then be heated to be embedded on or in an insulating substrate.
- the turns of the antenna can be etched on an insulating substrate.
- the turns of the antenna may be on opposite sides of an insulating substrate.
- the turns are for example in the form of parallel ribbons.
- a load module M such as for example a chip, the module M being connected between the first access terminal 1 and the second terminal 2 access.
- the antenna L is formed by the turns S1, S2 situated between the first end terminal D and the second end terminal E.
- the first terminal D is connected to the second access terminal 2 forming the second point P2.
- the tuning capacitance Cl at a prescribed tuning frequency comprises a first capacitance terminal ClX and a second capacitance terminal ClE.
- the first capacitance terminal ClX is connected to the first terminal 1 by means CON31 at the first access terminal 1.
- the second capacity terminal ClE is connected to the second end terminal E.
- the second point P2 is formed by the second access terminal 2.
- the first point Pl of the antenna and the intermediate point A of the antenna are formed by the first terminal 1 access.
- the second point P2, 2 of the antenna L is connected to the first point P1, 1, A of the antenna L by at least a first turn S1 of the antenna L.
- the antenna L is formed by one or more second turns S1 between E and A, that is, for example, by two second turns S 1, connected by the point A to one or more turns S2 going from the point A to the terminal D, by example three turns S2.
- the capacity Cl of agreement is formed by one or more third turns SC3 (for example five turns SC3) having two first and second ends SC31, SC32 and by one or more fourth turns SC4 (for example five turns SC4) comprising two first and second ends SC41, SC42.
- third turns SC3 for example five turns SC3
- fourth turns SC4 for example five turns SC4
- the at least one third turn SC3 is distinct from the turns S1, S2 forming the antenna L and is connected to one E of the end terminals of the antenna L.
- the at least one fourth turn SC4 is distinct from the turns S1 , S2 forming the antenna L and is electrically separated from the third turns SC3, for example along the third turns SC3, so that the turns SC3 are arranged facing the turns SC4, for example by having parallel sections.
- the end SC31 forms the terminal ClE and is connected to the terminal E.
- the end SC32 is free and isolated from SC4.
- the SC41 end is free and isolated from SC3.
- the end SC42 forms the terminal ClX and is connected to the intermediate socket A, 1, Pl.
- the end SC31 is remote from the end SC42, while being close to and isolated from the end SC41.
- the end SC42 is remote from the end SC31, while being close and isolated from the end SC32.
- the impedance ZZ between the connection ends SC31, SC42 can for example be seen as comprising a capacitive-inductive resonant parallel and / or series circuit according to FIG. 33, comprising two parallel branches, with in one branch the capacitance Cl and in the other branch a capacitance in series with an inductor.
- the ZZ impedance seen between connection ends SC31, SC42 has the capacitance Cl.
- the value of the capacitance C1 of the impedance ZZ depends on the relation between the turns SC3 and SC4, and in particular of their mutual arrangement, for example adjacent.
- FIG. 12 there is at least one turn S1 between the intermediate tap A connected to the access terminal 1 of the module and the impedance ZZ formed by the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4. .
- the impedance ZZ formed by the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4 is self-resonant, because a capacitance and a series and / or parallel inductance are contained in the impedance ZZ.
- the equivalent circuit diagram of the circuit shown in FIG. 12 is represented in FIG. 34.
- the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4 make it possible to equalize the tuning frequency of the module M (for example chip) being in parallel with an inductor (turn (s) S2) on the tuning frequency of the circuit formed by the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4, for example to have the tuning frequency prescribed at 13.56 MHz.
- the aim is to have the inductance contained in the self-resonant circuit ZZ, SC3, SC4 as small as possible in order to allow the integration of the antenna circuit into a small area ⁇ 16 cm 2, for example a tag (tag in English) or a sticker circuit (in English: sticker).
- one of the advantages of the invention is the possibility of parameterizing the mutual inductance between the antenna circuits, for example, between, on the one hand, the antenna circuit comprising the transponder chip or reader and on the other hand a first and a second antenna part, so as to set the mutual final inductance of the transponder or reader system.
- at least one electrical connection is provided between a first antenna circuit comprising the chip and at least one second (or more) antenna circuit comprising at least one capacitive element.
- the devices according to the documents EP-A-1031 939 and FR-A-2777141 do not make it possible to produce two frequency agreements that are almost independent of one another or two frequency agreements that are very close to one another. other example ⁇ 10 MHz, ⁇ 2MHz or ⁇ 500KHz or 2 frequency agreements combined in the same frequency range.
- the greater the mutual inductance between the 2 antenna circuits the more the 2 so-called "natural" agreements of the 2 antenna circuits increase. If we want these two frequency agreements to be close, we must reduce the mutual inductance by, for example, decreasing strongly one of the antenna circuit surfaces relative to the other which induces a considerable loss in the transponder efficiency.
- Means are provided for coupling COUPL 12 by mutual inductance between neighboring turns S1 and S2.
- Means are provided for coupling COUPLZZ by mutual inductance between the neighboring turns S1 and SC3, SC4 of the impedance ZZ.
- This coupling by mutual inductance is for example due to the arrangement of Sl close to S2 and to the arrangement of S1 close to SC3, SC4.
- the antenna circuit has at least two mutually intrinsic intrinsic inductances coupled between them: between Sl and S2, between Sl and ZZ.
- the column AE indicates the number of turns S1 between A and E.
- the column AD indicates the number of turns S2 between A and D.
- the column P1-P2 indicates the number N12 equal to at least one turn S of the antenna L between points P1 and P2.
- the last column on the right indicates either the presence of the impedance ZZ formed by the turns SC3 and SC4, indicating in this case the number of ZZ turns in parentheses, ie the presence of an additional capacitor C30, called the first capacitor, formed by a capacitive dielectric component between its terminals.
- the term "dielectric capacitive component” means any embodiment allowing the arrangement of a capacity. If necessary, this capacitive component may be formed by another circuit ZZ.
- two capacities C30 and ZZ are provided.
- the capacitance ZZ is formed by turns SC3, SC4 between SC42 and SC31 (for example 4 turns), with SC31 forming ClXZ.
- another capacity C30 formed by a capacitive component is provided between E and ClXCl.
- the terminal ClXCl is connected to a point PC1 of the antenna L, which is at a distance of P2 from at least one turn, for example a turn to this figure.
- ZZ is between ClXZ and ClE
- C30 is a capacitive component between E and ClXCl.
- two capacitors C30 and ZZ are provided in series between the terminal ClE, E and the terminal ClX, Pl formed by the end SC42.
- the capacitance ZZ is formed by the turns SC3, SC4 between SC42 and SC31 (for example 4 turns), with SC31 forming PC1.
- another capacity C30 formed by a capacitive component is provided between E and PCl.
- the terminal PC1 is connected to the point 2, P2 of the antenna L.
- the terminal ClE, E is formed by the end of the or turns Sl, remote from the terminal 2.
- two capacitors C30 and ZZ are provided in series between the terminal
- the capacitance ZZ is formed by the turns SC3, SC4 between SC42 and SC31 (for example 4 turns), with SC31 connected in series with the point PC1 by one or more turns SlO (for example two turns SlO).
- another capacity C30 formed by a capacitive component is provided between E and PCl.
- the terminal PCl is connected to the point 2, P2 of the antenna L.
- the terminal ClE, E is formed by the end of the or turns Sl, remote from the terminal 2.
- FIGS. 23 and 24 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and E.
- the point PR1 is away from A by at least one turn and E by at least one turn (for example two turns between A and PR1 and two turns between PR1 and E).
- the point PR2 is away from A by at least one turn and E by at least one turn (for example a turn between A and PR2 and three turns between PR2 and E).
- PR2 is away from P2 by at least one turn.
- FIG. 25 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and E.
- the point PR1 is located in A.
- the point PR2 is away from A by at least one turn and E by at least one turn (for example a turn between A and PR2 and three turns between PR2 and E).
- FIG. 26 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and E.
- the point PR1 is located in A.
- the point PR2 is away from A by at least one turn and from E by at least one turn (for example a turn between A and PR2 and four turns between PR2 and E).
- FIG. 27 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and D.
- the point PR1 is away from A by at least one turn and D by at least one turn (for example a turn between A and PR1 and two turns between PR1 and D).
- the point PR2 is away from A by at least one turn and D by at least one turn (for example two turns between A and PR2 and a turn between PR2 and D).
- a mid-point PM for fixing a potential to a reference potential is provided on the antenna halfway between the two end terminals D and E of the antenna.
- the midpoint PM is distant from the other points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, P1, D by at least a turn of the antenna.
- the midpoint PM is remote from the other points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, P1, D by at least a half-turn of the antenna and is for example on the other side with respect to the side having these points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, Pl, D.
- the number of turns between the points mentioned on the antenna (1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, P1, D, as well as the cusp point (s)) can be whatever, for example by being greater than or equal to one.
- These numbers of turns may be integers, for example as shown in the figures, or not integers such as for example in FIGS. 31 and 32.
- FIGS. 12, 13, 14, 19, 21, 25, 26 is provided a point PR3 of reversal at point 1, A, that is to say an inversion of the winding direction of the turns of the antenna to the passage 1, A from D to E.
- point 1, A that is to say an inversion of the winding direction of the turns of the antenna to the passage 1, A from D to E.
- Figures 15, 16, 17, 18, 22, 23, 24, 27, 28, 29, 30, 31 and 32 we go through the point 1, A going from D to E keeping the same winding direction of the turns of the antenna.
- PR2 PR1 other than 1, A in FIGS. 23, 24, 26, 27.
- the first access terminal is distinct from the second terminal of FIG. access in that the first access terminal is separated from the second access terminal by one or more turns.
- a transponder TRANS as load Z is connected to the first terminal 1 and the second terminal 2, as for example in FIG.
- FIGS 35 to 46 correspond to any of the embodiments described above, where the capacities ClO, C20 present where appropriate have not been represented.
- a reader LECT as load Z is connected to the first terminal 1 and the second terminal 2, as for example in FIG.
- a transponder TRANS as the first load Z1 and a reader LECT as the second load Z2 can be connected to the same first terminal 1 and the same second terminal 2, as shown for example in FIGS. 37 and 38, the TRANS transponder and the reader LECT being electrically in parallel with FIG.
- the antenna may comprise, for the connection of several separate loads, a plurality of first distinct access terminals 1 and / or a plurality of second access terminals 2 distinct from each other.
- First distinct access terminals 1 are separated from each other by minus one turn of the antenna.
- Separate second terminals 2 are separated from each other by at least one turn of the antenna.
- a transponder TRANS as the first load Z1 is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2, while an LECT reader as the second load Z2 is connected. between another first access terminal 11 and another second access terminal 12.
- a transponder TRANS as the first load Z1 is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2, while an LECT reader as the second load Z2 is connected. between another second access terminal 12 and the second access terminal 2 (successive access terminals).
- a plurality of RFID applications, and / or RFID reader and / or RFID transponder may be connected between the first and second identical access terminals 1, 2 or between first and second access terminals 1, 2 distinct, as for example the applications designated by APPLl, APPL3 in Figure 41 between first and second terminals 1, 2, access distinct 1, 2, 12, 13 successive.
- the role of the first access terminal 1 and the role of the second access terminal 2 can be inverted.
- the load Z connected to the access terminals 1, 2 has, for example, a prescribed tuning frequency, as shown in FIG. 42. This tuning frequency is fixed.
- This prescribed tuning frequency is for example in a high frequency band (HF), the high frequency band covering frequencies greater than or equal to 30 kHz and less than 80 MHz.
- This tuning frequency is for example 13.56 MHz.
- the tuning frequency may also be in an ultra high frequency (UHF) band, the ultra high frequency band covering frequencies greater than or equal to 80 MHz and less than or equal to 5800 MHz.
- the tuning frequency is 868 MHz or 915 MHz.
- said at least one first access terminal 1 and said at least one second access terminal 2 are connected to at least one first load Z1 having a first prescribed frequency of agreement and to at least one second charge Z2 having a second prescribed tuning frequency different from the first prescribed tuning frequency.
- a first load Z1 having the first prescribed tuning frequency in the high frequency band and a second load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra high frequency band are connected to the terminals 1, 2 d. 'access.
- the first load Z1 having the first tuning frequency prescribed in the high frequency band and a second load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra high frequency band are connected to the same first terminal 1 access and the same second terminal 2 access.
- the first load Z1 having the first tuning frequency prescribed in the high frequency band is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2 while the second Load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra high frequency band is connected between another first access terminal 11 and another second access terminal 12.
- the first load Z1 having the first tuning frequency prescribed in the high frequency band is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2
- the second load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra-high frequency band is connected between another second access terminal 12 and the second access terminal 2 (successive access terminals), the number of turns between the two terminals being different between the two figures.
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Near-Field Transmission Systems (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Abstract
Description
Circuit d'antenne RFID RFID antenna circuit
L'invention concerne un circuit d'antenne RFID et NFC.The invention relates to an RFID and NFC antenna circuit.
RFID est l'abréviation d'identification par radiofréquence (en anglais : « radio frequency identification »).RFID is the abbreviation of radio frequency identification (in English: "radio frequency identification").
NFC est l'abréviation de communication en champ proche (en anglais : « near fîeld communication »).NFC is the abbreviation for near-field communication (in English: "near fîeld communication").
C'est une technique qui permet d'identifier des objets en utilisant une puce mémoire ou un dispositif électronique capable, à l'aide d'une antenne radio, de transmettre des informations à un lecteur spécialisé.It is a technique that makes it possible to identify objects by using a memory chip or an electronic device capable, with the aid of a radio antenna, of transmitting information to a specialized reader.
La technologie RFID/NFC est utilisée dans de nombreux domaines, par exemple dans les téléphones portables, les organisateurs personnels dit « PDA », les ordinateurs, les lecteurs de cartes sans contact, les cartes elles-mêmes devant être lues sans contact, mais aussi les passeports, les étiquettes d'identification d'articles ou de description d'articles (en anglais : « tag »), les clés USB et cartes SIM et cartes (U)SIM dit « carte SIM RFID ou NFC », les vignettes pour carte Dual ou Dual Interface (la vignette possédant elle-même une antenne RFID/NFC), les montres.RFID / NFC technology is used in many areas, for example in mobile phones, personal organizers called PDAs, computers, contactless card readers, cards themselves to be read without contact, but also passports, identification tags of articles or description of articles (in English: "tag"), USB keys and SIM cards and (U) SIM cards called "SIM card RFID or NFC", thumbnails for Dual or Dual Interface card (the sticker itself having an RFID / NFC antenna), watches.
En technologie RFID/NFC, l'antenne d'un premier circuit RFID (Lecteur) rayonne de manière électromagnétique à une certaine distance un signal radiofréquence comportant des données qui doit être reçu par l'antenne d'un deuxième circuit RFID (transpondeur), qui peut le cas échéant répondre au premier circuit par des données par modulation de charge. Chaque circuit RFID a son antenne fonctionnant à sa propre fréquence de résonance.In RFID / NFC technology, the antenna of a first RFID circuit (Reader) radiates electromagnetically at a distance a radio frequency signal comprising data to be received by the antenna of a second RFID circuit (transponder), which can, if necessary, respond to the first circuit by data by load modulation. Each RFID circuit has its antenna operating at its own resonant frequency.
D'une manière générale, la problématique du circuit d'antenne RFID porte sur l'efficacité de l'antenne magnétique du transpondeur et du lecteur, soit, sur l'efficacité du couplage par mutuelle inductance entre les deux antennes magnétiques, sur la transmission de l'énergie et de l'information entre la partie électronique et son antenne, sur la transmission de l'énergie et de l'information entre les deux antennes du système RFID.In general, the problem of the RFID antenna circuit relates to the efficiency of the magnetic antenna of the transponder and the reader, or, on the efficiency of the coupling by mutual inductance between the two magnetic antennas, on the transmission energy and information between the party electronics and its antenna, on the transmission of energy and information between the two antennas of the RFID system.
L'objectif principal est de gagner en efficacité radio (puissance du champ magnétique émis ou capté, couplage, mutuelle inductance...) par l'antenne sans perdre sur la qualité du signal (distorsions des données, largeur de bande de l'antenne ...) émis ou reçu.The main objective is to gain in radio efficiency (power of the emitted or captured magnetic field, coupling, mutual inductance ...) by the antenna without losing on the quality of the signal (data distortions, bandwidth of the antenna ...) issued or received.
On voit de plus en plus apparaître des antennes à surfaces réduites (30χ30mm), voire très réduite (5χ5mm) pour des applications comme les cartes ou μCartes, étiquettes (en anglais : stickers), les petits lecteurs ou lecteur à option ou détachable, dans la téléphonie mobile, dans les clés USB, dans les cartes SIM.You see more and more appear antennas small areas (30 χ 30mm) or very low (5 χ 5 mm) for applications such as cards or μCartes, labels (in English: stickers), small players or optional drive or detachable, in mobile telephony, in USB keys, in SIM cards.
En plus de surface réduite (<16cm2) ou très réduite (<4cm2), on a très souvent des contraintes mécaniques ou électriques très fortes comme la présence d'une batterie, d'un écran ou afficheur, d'un support conducteur dans le champ très proche de l'antenne. Ces diverses contraintes sur la surface, électriques et mécaniques conduisent alors à une diminution de l'efficacité de l'antenne, à une perte de l'efficacité de couplage et à une perte de puissance dans le signal émis ou reçu par l'antenne, une diminution de la distance possible de communication ou de la transmission d'énergie ou d'information. Pour les antennes de tailles raisonnables (>16 cm2) comme pour les antennes à surface réduite (<16cm2) ou très réduite (<4cm2), on voit apparaître des besoins toujours plus importants sur la nécessité de puissance sur le champ magnétique émis ou capté, sur la bande passante du canal radio afin de répondre aux exigences de débit des données toujours en augmentation et des normes en vigueur comme TISO14443 (exemple pour le transport, l'identité...), l'ISO15693 (exemple pour les étiquettes) et les spécifications pour le domaine bancaire RFID / NFC (EMVCO).In addition to reduced surface area (<16cm 2 ) or very small (<4cm 2 ), very often there are very strong mechanical or electrical constraints such as the presence of a battery, a screen or display, a conductive support in the field very close to the antenna. These various constraints on the surface, electrical and mechanical then lead to a decrease in the efficiency of the antenna, a loss of the coupling efficiency and a loss of power in the signal transmitted or received by the antenna, a decrease in the possible distance of communication or the transmission of energy or information. For antennas of reasonable sizes (> 16 cm 2 ) as for antennas with reduced surface area (<16cm 2 ) or very small (<4cm 2 ) antennas, one sees appearing ever more important needs on the necessity of power on the magnetic field transmitted or captured, over the bandwidth of the radio channel in order to meet the ever increasing data flow requirements and standards in force such as TISO14443 (example for transport, identity ...), ISO15693 (example for labels) and specifications for the RFID / NFC banking domain (EMVCO).
Ainsi, le document US-A-7 212 124 décrit un dispositif d'information pour téléphone portable, comportant une bobine d'antenne formée sur un substrat, une feuille d'un matériau magnétique, un circuit intégré et des condensateurs de résonance connectés à la bobine d'antenne. Le circuit intégré communique avec un appareil extérieur par le fait que la bobine d'antenne utilise un champ magnétique. Une dépression servant de section de réception de la batterie est formée sur une partie de la surface du boîtier et est couverte par un couvercle de la batterie. La batterie, la bobine d'antenne et la feuille de matériau magnétique sont logés dans la dépression. Un film à métal évaporé sous vide ou un revêtement de matériau conducteur est appliqué au boîtier, tandis qu'aucun film à métal évaporé sous vide ni revêtement de matériau conducteur est appliqué au couvercle de batterie. La bobine d'antenne est disposée entre le couvercle de batterie et la batterie, tandis que la feuille de matériau magnétique est disposée entre la bobine d'antenne et la batterie dans la dépression. La bobine d'antenne a une prise intermédiaire, les condensateurs de résonance sont connectés aux deux extrémités de la bobine d'antenne, et le circuit intégré est connecté au milieu entre l'une des extrémités de la bobine d'antenne et la prise intermédiaire.Thus, US-A-7,212,124 discloses a mobile phone information device comprising an antenna coil formed on a substrate, a sheet of magnetic material, an integrated circuit and resonance capacitors connected to the antenna coil. The integrated circuit communicates with an external device in that the antenna coil uses a magnetic field. A vacuum serving as a battery receiving section is formed on a portion of the housing surface and is covered by a battery cover. The battery, the antenna coil and the sheet of magnetic material are housed in the depression. A vacuum evaporated metal film or coating of conductive material is applied to the housing, while no vacuum evaporated metal film or coating of conductive material is applied to the battery cover. The antenna coil is disposed between the battery cover and the battery while the sheet of magnetic material is disposed between the antenna coil and the battery in the vacuum. The antenna coil has an intermediate tap, the resonance capacitors are connected to both ends of the antenna coil, and the integrated circuit is connected in the middle between one end of the antenna coil and the intermediate tap. .
Ce dispositif présente de nombreux inconvénients.This device has many disadvantages.
Il ne fonctionne que dans des téléphones portables. Du fait de la présence d'une batterie, l'antenne doit présenter un facteur de qualité très grand avant son intégration. Mais un facteur de qualité ayant une valeur aussi grande ne convient pas pour les circuits d'antenne RFID / NFC pour lecteurs ou transpondeurs (cartes, étiquettes, clés USB). Dans un téléphone portable, la raison d'être de ce facteur de qualité de valeur très grande est que les contraintes électriques et mécaniques écrasent le facteur de qualité d'origine de l'antenne. Pour les applications classiques ou sans ces contraintes, ce coefficient de qualité de l'antenne serait trop élevé et engendrerait alors une bande passante à -3dB de l'antenne très réduite, donc un filtrage très sévère du signal HF modulé émis ou en réception par modulation de charge (sous-porteuse du 13.56MHz à ±847 kHz, ±424kHz, ±212kHz ...), et une puissance émise ou reçue trop grande. Par ailleurs, le couplage avec une telle antenne, toujours pour les applications classiques ou sans ces contraintes, serait tel qu'à une distance courte entre les 2 antennes (< 2 cm par exemple), la mutuelle inductance créée serait telle qu'elle désaccorderait totalement l'accord en fréquence des deux antennes, ferait s'écrouler la puissance rayonnée par le lecteur, pourrait saturer les étages radio de la puce silicium voire pourrait conduire à une destruction possible du silicium du transpondeur, le silicium n'ayant pas une capacité de dispersion calorifique infinie.It only works in mobile phones. Due to the presence of a battery, the antenna must have a very high quality factor before integration. But a quality factor with such a high value is not suitable for RFID / NFC antenna circuits for readers or transponders (cards, labels, USB sticks). In a mobile phone, the reason for this very high value quality factor is that the electrical and mechanical constraints overwrite the original quality factor of the antenna. For conventional applications or without these constraints, this quality coefficient of the antenna would be too high and would then generate a bandwidth at -3 dB of the antenna very reduced, so a very severe filtering of the modulated RF signal emitted or received by load modulation (subcarrier 13.56 MHz to ± 847 kHz, ± 424 kHz, ± 212 kHz ...), and power transmitted or received too large. Furthermore, the coupling with such an antenna, still for conventional applications or without these constraints, would be such that at a short distance between the 2 antennas (<2 cm for example), the mutual inductance created would be such that it would detune totally tuning the frequency of the two antennas, would collapse the power radiated by the reader, could saturate the radio stages of the silicon chip or could lead to destruction transponder silicon, since silicon does not have an infinite heat dispersal capacity.
Ainsi, le document US-Al -2008/0450693 décrit un dispositif d'antenne essentiellement pour un fonctionnement en mode lecteur. On trouve un agencement classique d'une inductance série, un agencement de deux inductances parallèles et enfin un agencement de deux inductances séries avec une troisième inductance parallèle à une des deux inductances série. Les modes de réalisation proposés imposent notamment deux surfaces différentes, une grande et une petite, sur soit la même inductance soit sur deux inductances. L'objectif des deux derniers modes de réalisation est de permettre d'amplifier le signal émis au centre de l'antenne par une petite inductance parallèle et, dans le troisième mode de réalisation, d'éliminer les trous de rayonnement sur une localisation comprise entre l'agencement des deux surfaces d'antennes.Thus, US-Al -2008 / 0450693 discloses an antenna device essentially for drive mode operation. There is a conventional arrangement of a series inductor, an arrangement of two parallel inductances and finally an arrangement of two series inductances with a third inductance parallel to one of the two series inductances. The proposed embodiments impose in particular two different surfaces, one large and one small, on either the same inductance or on two inductances. The purpose of the last two embodiments is to make it possible to amplify the signal emitted at the center of the antenna by a small parallel inductance and, in the third embodiment, to eliminate the radiation holes on a location between the arrangement of the two antenna surfaces.
L'un des inconvénients du dispositif d'antenne selon le document US-Al- 2008/0450693 est qu'il n'est pas intégrable dans une carte à embossage Un autre inconvénient est que le couplage de ce dispositif en mode lecteur avec une autre antenne ne remplit pas les conditions idéales pour obtenir un couplage optimum avec un transpondeur.One of the disadvantages of the antenna device according to US-Al-2008/0450693 is that it can not be integrated into an embossing card. Another disadvantage is that the coupling of this device in reader mode with another Antenna does not fulfill the ideal conditions for optimum coupling with a transponder.
Ainsi, les documents EP-A- 1031 939 et FR-A-2777141 décrivent un dispositif d'un circuit d'antenne pour un fonctionnement en mode transpondeur ayant deux circuits d'antenne indépendants électriquement entre eux Dans le dispositif décrit dans les documents EP-A- 1031 939 et FR-A-2777141, un premier circuit d'antenne est composé d'une inductance classique et de la puce transpondeur. Un deuxième circuit d'antenne est composé d'un enroulement de spire formant une inductance associé à une capacité planaire dit « résonateur ». L'objectif des deux modes de réalisation est de permettre l'amplification du signal électromagnétique reçu par l'agencement du « résonateur » pour le premier circuit d'antenne comportant le transpondeur.Thus, the documents EP-A-1031 939 and FR-A-2777141 describe a device of an antenna circuit for operation in transponder mode having two independently electrically independent antenna circuits in the device described in the EP documents. -A- 1031 939 and FR-A-2777141, a first antenna circuit is composed of a conventional inductor and the transponder chip. A second antenna circuit is composed of a coil winding forming an inductance associated with a planar capacitance called "resonator". The objective of the two embodiments is to allow the amplification of the electromagnetic signal received by the arrangement of the "resonator" for the first antenna circuit comprising the transponder.
Ces dispositif selon EP-1031 939 et FR 2 777 141 présentent l'inconvénient d'un couplage beaucoup trop fort, sans garantir l'efficacité d'augmentation de la distance de lecture. Pire, dans le cas d'une efficacité de couplage extrêmement grande, la communication RFID entre le lecteur et le transpondeur ne se fait pas.These devices according to EP-1031 939 and FR 2 777 141 have the disadvantage of a coupling that is much too strong, without guaranteeing the efficiency of increasing the reading distance. Worse, in the case of extremely high coupling efficiency, the RFID communication between the reader and the transponder is not done.
De plus , les mêmes remarques que celle faites pour le document US-A- 7 212 124 peuvent être faites. En effet, avec un circuit classique de « résonateur » couplé par mutuelle inductance avec un premier circuit d'antenne comportant le transpondeur, il existe une relation quasiment linéaire, en vulgarisant, entre d'une part l'efficacité de distance de lecture ou l'efficacité de captation du champ électromagnétique et d'autre part la surface des 2 circuits d'antennes, leur proximité et leurs accords en fréquence. L'intérêt des réalisations décrites dans les documents EP-A- 1031 939 et FR-In addition, the same remarks as that made for US-A-7,212,124 can be made. Indeed, with a conventional "resonator" circuit coupled by mutual inductance with a first antenna circuit comprising the transponder, there is an almost linear relationship, by popularizing, between on the one hand the efficiency of reading distance or the efficiency of capture of the electromagnetic field and secondly the surface of the 2 antenna circuits, their proximity and their frequency agreements. The interest of the achievements described in the documents EP-A-1031 939 and FR-A
A-2777141 est d'obtenir le maximum d'efficacité entre les 2 circuits d'antennes, donc avoir un coefficient de qualité le plus grand possible. On retombe donc sur les mêmes remarques du document US-A-7 212 124.A-2777141 is to get the maximum efficiency between the 2 antenna circuits, so have the highest quality coefficient possible. It therefore falls on the same remarks of US-A-7 212 124.
Ainsi, le document EP-A-I 970 840 décrit un dispositif comparable aux deux précédents dispositifs décrites dans les documents EP-A- 1031 939 et FR-A- 2777141,, dans le sens où 2 résonateurs sont utilisés pour l'amplification du champ électromagnétique reçu. On retrouve donc les mêmes remarques que précédemment. De plus, les contraintes indiquées pour les documents EP-A- 1031 939 et FR-A- 2777141 sont d'autant plus élevées et difficiles à réaliser que les deux résonateurs sont proches l'un de l'autre.Thus, document EP-AI 970 840 describes a device comparable to the two previous devices described in documents EP-A-1031 939 and FR-A-2777141, in the sense that two resonators are used for the amplification of the electromagnetic field. received. We thus find the same remarks as before. In addition, the constraints indicated for EP-A-1031 939 and FR-A-2777141 are all the higher and difficult to achieve that the two resonators are close to each other.
Afin d'augmenter la transmission de l'énergie émise ou reçue par l'antenne, on peut rajouter un amplificateur dans la chaîne radio d'émission ou de réception, mais cela rajoute un coût financier et en énergie disponible ainsi qu'une probable distorsion sur le signal HF modulé. On peut aussi augmenter le niveau du signal émis par le silicium mais celui-ci est souvent limité par l'intégration, les choix technologique et sa taille.In order to increase the transmission of the energy transmitted or received by the antenna, it is possible to add an amplifier in the transmit or receive radio chain, but this adds a financial and energy cost available as well as a probable distortion on the modulated RF signal. It is also possible to increase the level of the signal emitted by silicon but it is often limited by integration, technological choices and its size.
On peut aussi diminuer la consommation interne du silicium mais les besoins actuels en sécurité par cryptographie du signal, de capacité toujours plus grande en mémoire, et la vitesse d'exécution des tâches font que la tendance est plutôt à l'augmentation de la consommation d'énergie. Afin d'augmenter le champ magnétique émis ou capté, le couplage, la mutuelle inductance, on pourrait augmenter considérablement le nombre de spires composant l'antenne. On augmenterait alors l'inductance de l'antenne, le nombre de spire en vis-à-vis avec l'antenne à coupler, et donc la mutuelle inductance et le couplage. En distances très rapprochées des 2 antennes (< 2cm), ce n'est pas non plus une solution idéale car la mutuelle inductance serait très élevée, et aboutirait à un dysfonctionnement des systèmes RFID, en introduisant un coefficient de qualité Q très élevé donc une bande passante très basse. En fonctionnement distance longue (>It is also possible to reduce the internal consumption of silicon, but the current security needs by cryptography of the signal, of ever greater capacity in memory, and the speed of execution of the tasks make the tendency rather to increase the consumption of silicon. 'energy. In order to increase the magnetic field emitted or captured, the coupling, the mutual inductance, one could considerably increase the number of turns constituting the antenna. It would then increase the inductance of the antenna, the number of turns vis-à-vis with the antenna to be coupled, and therefore the mutual inductance and coupling. In distances very close to the 2 antennas (<2 cm), this is not an ideal solution either because the mutual inductance would be very high, and would lead to a malfunction of the RFID systems, by introducing a quality coefficient Q very high so a very low bandwidth. In long distance operation (>
15cm), ce serait finalement une solution quasi idéale, mais le signal HF modulé serait filtré, pour les systèmes RFID/NFC.15cm), it would be an almost ideal solution, but the modulated RF signal would be filtered for RFID / NFC systems.
Enfin, on peut jouer sur les dimensions de l'antenne mais c'est une variable rarement discutable et souvent une contrainte.Finally, we can play on the dimensions of the antenna but it is a rarely debatable variable and often a constraint.
L'invention vise d'une manière générale à obtenir un circuit d'antenne ayant une efficacité de transmission et des conditions de mise en œuvre de transmissions améliorées.The object of the invention is generally to obtain an antenna circuit having a transmission efficiency and improved transmission implementation conditions.
A cet effet, un premier objet de l'invention est un circuit d'antenne RFID, comportant une antenne formée par un nombre d'au moins trois spires, l'antenne ayant une première borne d'extrémité et une deuxième borne d'extrémité, au moins deux bornes d'accès pour la connexion d'une charge, au moins une capacité d'accord à une fréquence d'accord prescrite, ayant une première borne de capacité et une deuxième borne de capacité, une prise intermédiaire reliée à l'antenne et distincte des bornes d'extrémité, un premier moyen de connexion de la prise intermédiaire à une première des deux bornes d'accès, un deuxième moyen de connexion de la deuxième borne d'extrémité à la deuxième borne de capacité, caractérisé en ce qu'il comporte des troisièmes moyens de connexion de la première borne de capacité et de la deuxième des deux bornes d'accès à respectivement un premier point de l'antenne et à un deuxième point de l'antenne relié au premier point de l'antenne par au moins une spire de l'antenne.For this purpose, a first object of the invention is an RFID antenna circuit comprising an antenna formed by a number of at least three turns, the antenna having a first end terminal and a second end terminal. at least two access terminals for the connection of a load, at least one tuning capacity at a prescribed tuning frequency, having a first capacitance terminal and a second capacitance terminal, an intermediate tap connected to the antenna and separate end terminals, a first connection means of the intermediate tap at a first of the two access terminals, a second connection means of the second end terminal to the second capacitance terminal, characterized in it comprises third connection means of the first capacitance terminal and the second of the two access terminals to a first point of the antenna and at a second point of the antenna connected to the first point of the antenna by at least one turn of the antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, ladite prise intermédiaire (A) est reliée à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L), ladite prise intermédiaire (A) étant reliée à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L).According to one embodiment of the invention, said intermediate tap (A) is connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L) said intermediate tap (A) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 13, 14, 15, 16) le premier point (Pl) est relié à la prise intermédiaire (A) par au moins une spire de l'antenne. Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 13, 14, 15, 16) le premier point (Pl) est situé à la prise intermédiaire (A).According to one embodiment of the invention, (FIGS. 13, 14, 15, 16) the first point (P1) is connected to the intermediate tap (A) by at least one turn of the antenna. According to one embodiment of the invention, (FIGS. 13, 14, 15, 16) the first point (P1) is located at the intermediate tap (A).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le premier point (Pl) est relié à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L), le premier point (Pl) étant relié à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L).According to one embodiment of the invention, the first point (P1) is connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L). , the first point (Pl) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le premier point (Pl) est situé à la première borne (D) d'extrémité.According to one embodiment of the invention, the first point (P1) is located at the first end terminal (D).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le deuxième point (P2) est situé à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne. Suivant un mode de réalisation de l'invention, le deuxième point (P2) est situé à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne.According to one embodiment of the invention, the second point (P2) is located at the first end terminal (D) of the antenna. According to one embodiment of the invention, the second point (P2) is located at the second end terminal (E) of the antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le deuxième point (P2) est relié à la prise d'intermédiaire (A) par au moins une spire de l'antenne.According to one embodiment of the invention, the second point (P2) is connected to the intermediate tap (A) by at least one turn of the antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le deuxième point (P2) est relié à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L), le deuxième point (P2) étant relié à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L).According to one embodiment of the invention, the second point (P2) is connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L) , the second point (P2) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le premier point (Pl) est situé à la prise intermédiaire (A) de l'antenne (L) et le deuxième point (P2) est situé à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L). Suivant un mode de réalisation de l'invention, lesdits premiers et deuxièmes points (Pl, P2) sont distincts de la première prise intermédiaire (A), le premier pointAccording to one embodiment of the invention, the first point (Pl) is located at the intermediate point (A) of the antenna (L) and the second point (P2) is located at the first terminal (D) of end of the antenna (L). According to one embodiment of the invention, said first and second points (P1, P2) are distinct from the first intermediate tap (A), the first point
(Pl) étant relié à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L), le premier point (Pl) étant relié à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L).(Pl) being connected to the first end terminal (D) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L), the first point (P1) being connected to the second terminal (E) end of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 13, 14) le deuxième point (P2) est situé à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne, le premier point (Pl) est relié à la prise intermédiaire (A) par au moins une spire de l'antenne.According to one embodiment of the invention, (FIGS. 13, 14) the second point (P2) is located at the first end terminal (D) of the antenna, the first point (P1) is connected to the socket intermediate (A) by at least one turn of the antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, ladite prise intermédiaire (A) forme une première prise intermédiaire (A), la première prise intermédiaire (A) étant reliée à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spireAccording to one embodiment of the invention, said intermediate tap (A) forms a first intermediate tap (A), the first intermediate tap (A) being connected to the first end terminal (D) of the antenna (L). ) by at least one turn
(S) de l'antenne (L), la première prise intermédiaire (A) étant reliée à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L), le deuxième point (P2) est situé en une deuxième prise intermédiaire (P2) de l'antenne (L), la deuxième prise intermédiaire (P2) étant reliée à la première borne(S) of the antenna (L), the first intermediate tap (A) being connected to the second end terminal (E) of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna ( L), the second point (P2) is located at a second intermediate point (P2) of the antenna (L), the second intermediate point (P2) being connected to the first point
(D) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L), la deuxième prise intermédiaire (P2) étant reliée à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne (L) par au moins une spire (S) de l'antenne (L).(D) end of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L), the second intermediate tap (P2) being connected to the second terminal (E) of the end of the antenna (L) by at least one turn (S) of the antenna (L).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la capacité comporte une première surface métallique formant la première borne (ClX) de capacité, une deuxième surface métallique formant la deuxième borne (ClE) de capacité, au moins une couche de diélectrique située entre la première surface métallique et la deuxième surface métallique.According to one embodiment of the invention, the capacitance comprises a first metal surface forming the first capacitance terminal (ClX), a second metallic surface forming the second capacitance terminal (ClE), at least one dielectric layer situated between the first metal surface and the second metal surface.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la capacité comporte au moins une couche de diélectrique ayant un premier côté et un deuxième côté éloigné du premier côté, une première surface métallique formant la première borne (ClX) de capacité sur le premier côté de la couche de diélectrique, une deuxième surface métallique formant la deuxième borne (ClE) de capacité sur le deuxième côté de la couche de diélectrique, une troisième surface métallique formant une troisième borne (ClF) de capacité à distance de la première surface métallique sur le premier côté de la couche de diélectrique, la première borne (ClX) de capacité définissant une première valeur (C2) de capacité avec la deuxième borne (ClE) de capacité, la troisième borne (ClF) de capacité définissant une deuxième valeur (Cl) de capacité avec la deuxième borne (ClE) de capacité, la première borne (ClX) de capacité définissant une troisième valeur (C 12) de capacité de couplage avec la troisième borne (ClF) de capacité, un moyen de connexion de la troisième borne (ClF) de capacité à l'une des bornes (1, 2) d'accès.According to one embodiment of the invention, the capacitance comprises at least one dielectric layer having a first side and a second side remote from the first side, a first metal surface forming the first capacitance terminal (ClX) on the first side of the dielectric layer, a second metal surface forming the second capacitance terminal (ClE) on the second side of the dielectric layer, a third metal surface forming a third capacitance terminal (ClF) remote from the first metal surface on the first side of the dielectric layer, the first capacitance terminal (ClX) defining a first capacitance value (C2) with the second capacitance terminal (C2) capacitance terminal (ClE), the third capacity terminal (ClF) defining a second capacitance value (Cl) with the second capacitance terminal (ClE), the first capacitance terminal (ClX) defining a third value (C 12) coupling capacitance with the third capacitance terminal (ClF), means for connecting the third capacitance terminal (ClF) to one of the access terminals (1, 2).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, l'antenne (L) comporte au moins une première spire (Sl), au moins une deuxième spire et au moins une troisième spire, qui sont consécutives, la première spire (Sl) allant de la deuxième borne (E) d'extrémité dans un premier sens d'enroulement à un point (PR) de rebroussement connecté à la deuxième spire, les deuxième et troisièmes spires (S2, S3) allant dudit point (PR) de rebroussement à la première borne (D) d'extrémité dans un deuxième sens d'enroulement inverse du premier sens d'enroulement, le premier point (Pl) de l'antenne (L) et le deuxième point (P2) de l'antenne (L) étant situés sur les deuxième et troisièmes spires (S2, S3).According to one embodiment of the invention, the antenna (L) comprises at least a first turn (S1), at least a second turn and at least a third turn, which are consecutive, the first turn (S1) going from the second end terminal (E) in a first winding direction at a cusp point (PR) connected to the second turn, the second and third turns (S2, S3) running from said cusp point (PR) to the first end terminal (D) in a second reverse winding direction of the first winding direction, the first point (P1) of the antenna (L) and the second point (P2) of the antenna (L) being located on the second and third turns (S2, S3).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, l'antenne (L) comporte au moins une première spire (Sl) et au moins une deuxième spire (S2, S3) consécutives entre deux troisième et quatrième points (E ; D) de l'antenne, la première spire (Sl) étant connectée à la deuxième spire (S2, S3) par un point (PR) de rebroussement, la première spire (Sl) allant du troisième point (E) au point (PR) de rebroussement dans un premier sens d'enroulement, la deuxième spire (S2, S3) allant dudit point (PR) de rebroussement au quatrième point (D) dans un deuxième sens d'enroulement inverse du premier sens d'enroulement.According to one embodiment of the invention, the antenna (L) comprises at least a first turn (S1) and at least a second turn (S2, S3) consecutive between two third and fourth points (E; D) of the antenna, the first turn (S1) being connected to the second turn (S2, S3) by a reversal point (PR), the first turn (S1) going from the third point (E) to the cusp point (PR) in a first winding direction, the second turn (S2, S3) from said reversal point (PR) to the fourth point (D) in a second reverse winding direction of the first winding direction.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 12, 31, 32) l'antenne (L) comporte au moins une première spire (Sl) et au moins une deuxième spire (S2,According to one embodiment of the invention, (FIGS. 12, 31, 32) the antenna (L) comprises at least a first turn (Sl) and at least a second turn (S2,
S3) consécutives entre deux troisième et quatrième points (E ; D) de l'antenne, la première spire (Sl) étant connectée à la deuxième spire (S2, S3) par un point (PR) de rebroussement, la première spire (Sl) allant du troisième point (E) au point (PR) de rebroussement dans un premier sens d'enroulement, la deuxième spire (S2, S3) allant dudit point (PR) de rebroussement au quatrième point (D) dans un deuxième sens d'enroulement inverse du premier sens d'enroulement, le premier point (Pl) est situé à la prise intermédiaire (A) de l'antenne (L) et le deuxième point (P2) est situé à la première borne (D) d'extrémité de l'antenne (L).S3) between two third and fourth points (E; D) of the antenna, the first turn (S1) being connected to the second turn (S2, S3) by a reversal point (PR), the first turn (S1) going from the third point (E) to the cusp point (PR) in a first direction of winding, the second turn (S2, S3) going from said cusp point (PR) to the fourth point (D) in a second reverse winding direction of the first winding direction, the first point (P1) is located at the intermediate point (A) of the antenna (L) and the second point (P2) is located at the first terminal (D) end of the antenna (L).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 15, 17) l'antenne (L) comporte au moins une première spire (Sl) et au moins une deuxième spire (S2, S3) consécutives entre deux troisième et quatrième points (E ; D) de l'antenne, la première spire (Sl) étant connectée à la deuxième spire (S2, S3) par un point (PR) de rebroussement, la première spire (Sl) allant du troisième point (E) au point (PR) de rebroussement dans un premier sens d'enroulement, la deuxième spire (S2, S3) allant dudit point (PR) de rebroussement au quatrième point (D) dans un deuxième sens d'enroulement inverse du premier sens d'enroulement, le premier point (Pl) est situé à la première borne (D) d'extrémité.According to one embodiment of the invention, (FIGS. 15, 17) the antenna (L) comprises at least a first turn (S1) and at least a second turn (S2, S3) consecutive between two third and fourth points ( E; D) of the antenna, the first turn (S1) being connected to the second turn (S2, S3) by a reversing point (PR), the first turn (S1) going from the third point (E) to the point (PR) of reversal in a first winding direction, the second turn (S2, S3) from said reversal point (PR) to the fourth point (D) in a second direction of reverse winding of the first direction of winding, the first point (P1) is located at the first end terminal (D).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, au moins une spire (S2) de l'antenne comprend en série un enroulement (S2') de spires de plus petite surface entourée par rapport à la surface entourée par le reste (S2") de ladite spire (S2) ou par rapport à la surface entourée par d'autres spires de l'antenne (3).According to one embodiment of the invention, at least one turn (S2) of the antenna comprises in series a winding (S2 ') of turns of smaller surface area surrounded with respect to the surface surrounded by the remainder (S2 ") of said turn (S2) or with respect to the surface surrounded by other turns of the antenna (3).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, les spires (S) de l'antenne (3) sont réparties sur plusieurs plans physiques distincts.According to one embodiment of the invention, the turns (S) of the antenna (3) are distributed over several distinct physical planes.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la capacité (Cl) d'accord comporte une seconde capacité (ZZ) formée par au moins une troisième spire (SC3) comportant deux première et deuxième extrémités (SC31, SC32) et par au moins une quatrième spire (SC4) comportant deux première et deuxième extrémité (SC41, SC42), la troisième spire (SC3) étant séparée électriquement par rapport à la quatrième spire (SC4) pour définir au moins la capacité (Cl) d'accord entre la première extrémité (SC31) de la troisième spire (SC3) et la deuxième extrémité (SC42) de la quatrième spire (SC4), la première extrémité (SC31) de la troisième spire étant plus éloignée de la deuxième extrémité (SC42) de la quatrième spire (SC4) que de la première extrémité (SC41) de la quatrième spire (SC4), la deuxième extrémité (SC32) de la troisième spire (SC3) étant plus éloignée de la première extrémité (SC41) de la quatrième spire (SC4) que de la deuxième extrémité (SC42) de la quatrième spire (SC4), la seconde capacité étant définie entre la première extrémité (SC31) de la troisième spire (SC3) et la deuxième extrémité (SC42) de la quatrième spire (SC4).According to one embodiment of the invention, the tuning capacity (Cl) comprises a second capacitance (ZZ) formed by at least a third turn (SC3) comprising two first and second ends (SC31, SC32) and by at least a fourth turn (SC4) having two first and second ends (SC41, SC42), the third turn (SC3) being electrically separated from the fourth turn (SC4) to define at least the capacity (C1) of agreement between the first end (SC31) of the third turn (SC3) and the second end (SC42) of the fourth turn (SC4), the first end (SC31) of the third turn being further away from the second end (SC42) of the fourth turn (SC4) than from the first end (SC41) of the fourth turn (SC4), the second end (SC32) of the third turn (SC3) being farther away from the first end (SC41) of the fourth turn (SC4) than from the second end (SC42) of the fourth turn (SC4), the second capacity being defined between the first end (SC31) ) of the third turn (SC3) and the second end (SC42) of the fourth turn (SC4).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, il y a au moins une spire (Sl) de l'antenne entre la prise intermédiaire (A) et la seconde capacité. Suivant un mode de réalisation de l'invention, des premiers moyens de couplage sont prévus pour assurer un couplage (COUPL 12) par mutuelle inductance entre d'une part la au moins une spire (S2) de l'antenne connectée électriquement en parallèle avec les première et deuxième bornes (1, 2) d'accès et d'autre part l'autre au moins une spire (Sl) de l'antenne, des deuxièmes moyens de couplage sont prévus pour assurer un couplage (COUPLZZ) par mutuelle inductance entre ladite autre au moins une spire (Sl) de l'antenne et les au moins une troisième et quatrième spires (SC3, SC4) de la seconde capacité (ZZ).According to one embodiment of the invention, there is at least one turn (Sl) of the antenna between the intermediate tap (A) and the second capacitor. According to one embodiment of the invention, first coupling means are provided to ensure coupling (COUPL 12) by mutual inductance between on the one hand the at least one turn (S2) of the antenna electrically connected in parallel with the first and second terminals (1, 2) of access and the other at least one turn (Sl) of the antenna, second coupling means are provided to ensure coupling (COUPLZZ) mutual mutual inductance between said other at least one turn (S1) of the antenna and the at least one third and fourth turns (SC3, SC4) of the second capacitance (ZZ).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, les premiers moyens de couplage sont réalisés par la proximité entre d'une part la au moins une spire (S2) de l'antenne connectée électriquement en parallèle avec les première et deuxième bornes (1, 2) d'accès et d'autre part l'autre au moins une spire (Sl) de l'antenne, les deuxièmes moyens de couplage sont réalisés par la proximité entre ladite autre au moins une spire (Sl) de l'antenne et les au moins une troisième et quatrième spires (SC3, SC4) de la seconde capacité (ZZ). Suivant un mode de réalisation de l'invention, la troisième spire (SC3) et la quatrième spire (SC4) sont entrelacées.According to one embodiment of the invention, the first coupling means are made by the proximity between on the one hand the at least one turn (S2) of the antenna electrically connected in parallel with the first and second terminals (1, 2) access and the other at least one turn (Sl) of the antenna, the second coupling means are made by the proximity between the other at least one turn (Sl) of the antenna and the at least one third and fourth turns (SC3, SC4) of the second capacitance (ZZ). According to one embodiment of the invention, the third turn (SC3) and the fourth turn (SC4) are interleaved.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la troisième spire (SC3) comporte au moins un troisième tronçon adjacent à un quatrième tronçon de la quatrième spire (SC4). Suivant un mode de réalisation de l'invention, les tronçons s'étendent parallèlement entre eux. Suivant un mode de réalisation de l'invention, la capacité (Cl) d'accord comporte une première capacité (Cl) comportant un diélectrique entre la première borne (ClX) de capacité et la deuxième borne (ClE) de capacité, la première capacité (Cl) étant réalisée sous la forme d'un élément fïlaire, gravé, discret ou imprimé.According to one embodiment of the invention, the third turn (SC3) comprises at least a third section adjacent to a fourth section of the fourth turn (SC4). According to one embodiment of the invention, the sections extend parallel to each other. According to one embodiment of the invention, the tuning capacitance (Cl) comprises a first capacitance (C1) comprising a dielectric between the first capacitance terminal (ClX) and the second capacitance terminal (ClE), the first capacitance (C1). (Cl) being made in the form of a wire element, engraved, discrete or printed.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 16, 18) une autre capacité (C30) est connectée entre la deuxième borne (E) d'extrémité et un point (PCl) de l'antenne, qui est reliée au deuxième point (P2) par au moins une spire de l'antenne. Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 20, 22) la capacitéAccording to one embodiment of the invention, (FIGS. 16, 18) another capacitor (C30) is connected between the second end terminal (E) and a point (PC1) of the antenna, which is connected to the second point (P2) by at least one turn of the antenna. According to one embodiment of the invention, (FIGS. 20, 22) the capacity
(Cl) d'accord comporte une première capacité (C30) en série avec ladite seconde capacité (Z).(Cl) agreement has a first capacitance (C30) in series with said second capacitance (Z).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figure 22) la première capacité (C30) est reliée entre la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne et le deuxième point (P2), qui est relié à la première borne (SC31) de la troisième spire (SC3), la prise intermédiaire (A) étant reliée à la deuxième borne (SC42) de la quatrième spire (SC4), qui forme le premier point (Pl), la première borne (SC41) de la quatrième spire (SC4) formant la première borne (D) d'extrémité de l'antenne.According to one embodiment of the invention, (FIG. 22) the first capacitance (C30) is connected between the second end terminal (E) of the antenna and the second point (P2), which is connected to the first terminal (SC31) of the third turn (SC3), the intermediate point (A) being connected to the second terminal (SC42) of the fourth turn (SC4), which forms the first point (P1), the first point (SC41) of the fourth turn (SC4) forming the first end terminal (D) of the antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figure 20) la première capacité (C30) est reliée entre la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne et le deuxième point (P2), qui est relié à la première borne (SC31) de la troisième spire (SC3) par au moins une spire (SlO), la prise intermédiaire (A) étant reliée à la deuxième borne (SC42) de la quatrième spire (SC4), qui forme le premier point (Pl), la première borne (SC41) de la quatrième spire (SC4) formant la première borne (D) d'extrémité de l'antenne.According to one embodiment of the invention, (FIG. 20) the first capacitance (C30) is connected between the second end terminal (E) of the antenna and the second point (P2), which is connected to the first terminal (SC31) of the third turn (SC3) by at least one turn (SlO), the intermediate point (A) being connected to the second terminal (SC42) of the fourth turn (SC4), which forms the first point (Pl ), the first terminal (SC41) of the fourth turn (SC4) forming the first terminal (D) end of the antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figure 21) le premier point (Pl) est situé à la prise intermédiaire (A), le deuxième point (P2) est situé à la deuxième borne (E) d'extrémité de l'antenne.According to one embodiment of the invention, (FIG. 21) the first point (Pl) is located at the intermediate point (A), the second point (P2) is located at the second end point (E) of the 'antenna.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figure 19) le premier point (Pl) est situé à la première borne (D) d'extrémité et le deuxième point (P2) est situé à la deuxième borne (E ) d'extrémité. Suivant un mode de réalisation de l'invention, la au moins une troisième spire (SC3) et la au moins une quatrième spire (SC4) définissent un second sous-circuit ayant une seconde fréquence de résonance propre, les première et deuxième bornes (1, 2) d'accès définissent avec un module (M) connecté à elles et avec au moins une spire (S2) connectée auxdites première et deuxième bornes (1, 2) d'accès un premier sous-circuit ayant une première fréquence de résonance propre, les spires étant agencées pour que l'écart de fréquence entre la première fréquence de résonance propre et la seconde fréquence de résonance propre soit inférieur ou égal à 10 MHz et par exemple inférieur ou égal à 2 MHz. Suivant un mode de réalisation de l'invention, la au moins une troisième spire (SC3) et la au moins une quatrième spire (SC4) définissent un second sous- circuit ayant une seconde fréquence de résonance propre, les première et deuxième bornes (1, 2) d'accès définissent avec un module (M) connecté à elles et avec au moins une spire (S2) connectée auxdites première et deuxième bornes (1, 2) d'accès un premier sous-circuit ayant une première fréquence de résonance propre, les spires étant agencées pour que l'écart de fréquence entre la première fréquence de résonance propre et la seconde fréquence de résonance propre soit inférieur ou égal à 500KHz.According to one embodiment of the invention, (FIG. 19) the first point (P1) is located at the first end terminal (D) and the second point (P2) is located at the second terminal (E) of end. According to one embodiment of the invention, the at least one third turn (SC3) and the at least one fourth turn (SC4) define a second sub-circuit having a second natural resonance frequency, the first and second terminals (1). , 2) of access define with a module (M) connected to them and with at least one turn (S2) connected to said first and second terminals (1, 2) of access a first sub-circuit having a first resonance frequency the turns being arranged so that the frequency difference between the first natural resonance frequency and the second own resonance frequency is less than or equal to 10 MHz and for example less than or equal to 2 MHz. According to one embodiment of the invention, the at least one third turn (SC3) and the at least one fourth turn (SC4) define a second sub-circuit having a second natural resonance frequency, the first and second terminals (1). , 2) of access define with a module (M) connected to them and with at least one turn (S2) connected to said first and second terminals (1, 2) of access a first sub-circuit having a first resonance frequency the turns being arranged so that the frequency difference between the first natural resonance frequency and the second natural resonance frequency is less than or equal to 500KHz.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la au moins une troisième spire (SC3) et la au moins une quatrième spire (SC4) définissent un second sous-circuit ayant une seconde fréquence de résonance propre, les première et deuxième bornes (1, 2) d'accès définissent avec un module (M) connecté à elles et avec au moins une spire (S2) connectée auxdites première et deuxième bornes (1, 2) d'accès un premier sous-circuit ayant une première fréquence de résonance propre, les spires étant agencées pour que la première fréquence de résonance propre et la seconde fréquence de résonance propre soient sensiblement égales.According to one embodiment of the invention, the at least one third turn (SC3) and the at least one fourth turn (SC4) define a second sub-circuit having a second natural resonance frequency, the first and second terminals (1). , 2) of access define with a module (M) connected to them and with at least one turn (S2) connected to said first and second terminals (1, 2) of access a first sub-circuit having a first resonance frequency the turns being arranged so that the first natural resonance frequency and the second natural resonance frequency are substantially equal.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, (figures 29, 30) l'antenne comporte un point milieu (PM) de fixation d'un potentiel à un potentiel de référence, avec un nombre égal de spires sur le tronçon allant de la première borne (D) d'extrémité au point milieu (PM) et sur le tronçon allant du point milieu (PM) à la deuxième borne (E ) d'extrémité. Suivant un mode de réalisation de l'invention, l'antenne se trouve sur un substrat.According to one embodiment of the invention, (FIGS. 29, 30) the antenna comprises a mid-point (PM) for fixing a potential to a reference potential, with an equal number of turns on the section going from the first terminal (D) end to the midpoint (PM) and the section from the midpoint (PM) to the second terminal (E) end. According to one embodiment of the invention, the antenna is on a substrate.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, l'antenne est un fil.According to one embodiment of the invention, the antenna is a wire.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, lesdites bornes (D, E, 1, 2, ClE, ClX), ladite prise (A), lesdits points (Pl, P2) et la capacité (Cl, ZZ) définissent une pluralité d'au moins trois nœuds, les nœuds définissant au moins un premier groupe (Sl) d'au moins une spire entre deux premiers nœuds (1, ClE) distincts entre eux et au moins un deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2) entre deux deuxièmes nœuds (1, 2) distincts entre eux, au moins un des premiers nœuds étant différent d'au moins un des deuxièmes nœuds, des premiers moyens de couplage sont prévus pour assurer un couplage (COUPL 12) par mutuelle inductance entre d'une part le premier groupe (Sl) d'au moins une spire et d'autre part le deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2) par le fait que le premier groupeAccording to one embodiment of the invention, said terminals (D, E, 1, 2, ClE, ClX), said tap (A), said points (P1, P2) and the capacitance (C1, ZZ) define a plurality at least three nodes, the nodes defining at least one first group (Sl) of at least one turn between two first distinct nodes (1, ClE) between them and at least one second group of at least one other turn ( S2) between two second nodes (1, 2) which are distinct from one another, at least one of the first nodes being different from at least one of the second nodes, first coupling means are provided to ensure coupling (COUPL 12) by mutual inductance between on the one hand the first group (Sl) of at least one turn and on the other hand the second group of at least one other turn (S2) in that the first group
(Sl) d'au moins une spire est positionné à proximité du deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2).(S1) of at least one turn is positioned near the second group of at least one other turn (S2).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, lesdites bornes (D, E, 1, 2, ClE, ClX), ladite prise (A), lesdits points (Pl, P2) et la capacité (Cl, ZZ) définissent une pluralité d'au moins trois nœuds, les nœuds définissant au moins un premier groupe (Sl) d'au moins une spire entre deux premiers nœuds (1, ClE) distincts entre eux, et au moins un deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2) entre deux deuxièmes nœuds (1, 2) distincts entre eux et au moins un troisième groupe d'au moins une autre spire (SC3, SC4) entre deux troisièmes nœuds (E, ClX) distincts entre eux, au moins un des premiers nœuds étant différent d'au moins un des deuxièmes nœuds, au moins un des premiers nœuds étant différent d'au moins un des troisièmes nœuds, au moins un des troisièmes nœuds étant différent d'au moins un des deuxièmes nœuds, des premiers moyens de couplage sont prévus pour assurer un couplage (COUPL12) par mutuelle inductance entre d'une part le premier groupe (Sl) d'au moins une spire et d'autre part le deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2) par le fait que le premier groupe (Sl) d'au moins une spire est positionné à proximité du deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2), des deuxièmes moyens de couplage sont prévus pour assurer un couplageAccording to one embodiment of the invention, said terminals (D, E, 1, 2, ClE, ClX), said tap (A), said points (P1, P2) and the capacitance (C1, ZZ) define a plurality at least three nodes, the nodes defining at least one first group (Sl) of at least one turn between two first nodes (1, ClE) distinct from each other, and at least one second group of at least one other turn (S2) between two second nodes (1, 2) which are distinct from one another and at least one third group of at least one other turn (SC3, SC4) between two third nodes (E, ClX) which are distinct from each other, at least one of first nodes being different from at least one of the second nodes, at least one of the first nodes being different from at least one of the third nodes, at least one of the third nodes being different from at least one of the second nodes, first means coupling are provided to ensure coupling (COUPL12) by mutual inductance between on the one hand the first group (Sl ) of at least one turn and secondly the second group of at least one other turn (S2) in that the first group (Sl) of at least one turn is positioned near the second group of at least one other turn (S2), second coupling means are provided to ensure coupling
(COUPLZZ) par mutuelle inductance entre d'une part le premier groupe (Sl) d'au moins une spire et d'autre part le troisième groupe d'au moins une autre spire (SC3,(COUPLZZ) by mutual inductance between on the one hand the first group (Sl) of at least one turn and on the other hand the third group of at least one other turn (SC3,
SC4) par le fait que le premier groupe (Sl) d'au moins une spire est positionné à proximité du troisième groupe d'au moins une autre spire (SC3, SC4).SC4) in that the first group (Sl) of at least one turn is positioned near the third group of at least one other turn (SC3, SC4).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, le premier groupe (Sl) d'au moins une spire est positionné entre le deuxième groupe d'au moins une autre spire (S2) et le troisième groupe d'au moins une autre spire (SC3, SC3, SC4).According to one embodiment of the invention, the first group (Sl) of at least one turn is positioned between the second group of at least one other turn (S2) and the third group of at least one other turn ( SC3, SC3, SC4).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la distance d'écartement entre les spires (Sl, S2, SC3, SC4) appartenant à des groupes différents est inférieure ou égale à 20 millimètres.According to one embodiment of the invention, the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is less than or equal to 20 millimeters.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la distance d'écartement entre les spires (Sl, S2, SC3, SC4) appartenant à des groupes différents est inférieure ou égale à 10 millimètres. Suivant un mode de réalisation de l'invention, la distance d'écartement entre les spires (Sl, S2, SC3, SC4) appartenant à des groupes différents est inférieure ou égale à 1 millimètres.According to one embodiment of the invention, the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is less than or equal to 10 millimeters. According to one embodiment of the invention, the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is less than or equal to 1 millimeter.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, la distance d'écartement entre les spires (Sl, S2, SC3, SC4) appartenant à des groupes différents est supérieure ou égale à 80 micromètres.According to one embodiment of the invention, the spacing distance between the turns (Sl, S2, SC3, SC4) belonging to different groups is greater than or equal to 80 micrometers.
Il s'agit de la distance d'écartement entre les groupes de spires (Sl, S2).This is the distance between the groups of turns (Sl, S2).
Suivant un mode de réalisation de l'invention, au moins un lecteur (LECT) en tant que charge et/ou au moins un transpondeur (TRANS) en tant que charge est connecté aux bornes (1, 2) d'accès. Suivant un mode de réalisation de l'invention, le circuit comporte plusieurs premières bornes (1) d'accès distinctes entre elles et/ou plusieurs deuxièmes bornes (2) d'accès distinctes entre elles.According to one embodiment of the invention, at least one reader (LECT) as a load and / or at least one transponder (TRANS) as a load is connected to the access terminals (1, 2). According to one embodiment of the invention, the circuit comprises a plurality of first distinct access terminals (1) and / or a plurality of second access terminals (2) which are distinct from each other.
Suivant un mode de réalisation de l'invention, ladite au moins une première borne (1) d'accès et ladite au moins une deuxième borne (2) d'accès sont connectées à au moins une première charge (Zl) ayant une première fréquence d'accord prescrite dans une bande haute fréquence et à au moins une deuxième charge (Z2) ayant une deuxième fréquence d'accord prescrite dans une autre bande ultra haute fréquence.According to one embodiment of the invention, said at least one first access terminal (1) and said at least one second access terminal (2) are connected to at least one first load (Z1) having a first frequency tuned in a high frequency band and at least a second load (Z2) having a second tuning frequency prescribed in another ultra high frequency band.
Grâce à l'invention, on parvient à garder un facteur de qualité raisonnable ou limiter son augmentation (le facteur de qualité étant égal à la fréquence de résonance divisée par la bande passante à -3 dB), afin de garder une bande passante raisonnable ou peu augmentée, tout en maintenant ou en augmentant la puissance rayonnée ou reçue par l'antenne et en maintenant ou diminuant la mutuelle inductance généré lors du couplage avec le deuxième circuit d'antenne RFID extérieur.Thanks to the invention, it is possible to maintain a reasonable quality factor or limit its increase (the quality factor being equal to the resonance frequency divided by the bandwidth at -3 dB), in order to keep a reasonable bandwidth or slightly increased while maintaining or increasing the power radiated or received by the antenna and maintaining or decreasing the mutual inductance generated during coupling with the second external RFID antenna circuit.
En particulier, on s'affranchit du fait de devoir limiter l'antenne à une ou deux spires comme dans l'état de la technique des lecteurs RFID/NFC de tailles raisonnable (>16cm2) et se limiter à 3 ou 4 spires pour les antennes de tailles réduits (<16cm2). En effet, dans l'état de la technique des lecteurs RFID/NFC, on prévoyait au maximum une ou deux spires pour les antennes de taille raisonnable (>16cm2) et au maximum trois ou quatre spires pour les antennes de tailles réduites (<16cm2) pour garantir à la fois une puissance, rayonnée ou reçue, supérieure à une puissance minimum et une bande passante supérieure à une bande minimum. Dans l'état de la technique des transpondeurs, le nombre de spires est imposé par le compromis entre la surface de l'antenne et la capacité du silicium et la fréquence d'accord désirée (autour de 13.56MHz jusqu'à 20MHz). Pour le transpondeur, il y a donc peu de liberté sur le nombre de spires composant l'antenne donc peu de liberté sur l'efficacité radio de l'antenne, donc peu de liberté d'action sur le facteur de qualité, le champ magnétique capté, le couplage et la mutuelle inductance générée lors du couplage avec le deuxième circuit d'antenne RFID extérieur.In particular, it eliminates the fact of having to limit the antenna to one or two turns as in the state of the art of RFID / NFC readers of reasonable sizes (> 16cm 2 ) and be limited to 3 or 4 turns for antennas of reduced size (<16cm 2 ). Indeed, in the state of the art of the RFID / NFC readers, a maximum of one or two turns was envisaged for the antennas of reasonable size (> 16cm 2 ) and at most three or four turns for the antennas of reduced size (< 16cm 2 ) to ensure both a power, radiated or received, greater than a minimum power and a bandwidth greater than a minimum band. In the state of the art of transponders, the number of turns is imposed by the compromise between the surface of the antenna and the silicon capacitance and the desired tuning frequency (around 13.56 MHz to 20 MHz). For the transponder, there is little freedom on the number of turns forming the antenna so little freedom on the radio efficiency of the antenna, so little freedom of action on the quality factor, the magnetic field captured, the coupling and the mutual inductance generated during coupling with the second external RFID antenna circuit.
Le circuit suivant l'invention, en émission ou en réception, permet notamment de réduire la mutuelle inductance avec le deuxième circuit d'antenneThe circuit according to the invention, in transmission or reception, makes it possible in particular to reduce the mutual inductance with the second antenna circuit
RFID extérieur fonctionnant en réception ou en émission, du fait que la densité de courant est surtout concentrée dans la partie active de l'inductance de l'antenne. En simplifiant dans un souci de vulgarisation technique, la mutuelle inductance entre deux circuits est proportionnelle au nombre de spires des circuits en vis-à-vis. En diminuant la mutuelle inductance, on limite l'action perturbatrice sur les accords en fréquence des circuits d'antennes aux courtes distances (<2 cm par exemple). Cette diminution de la mutuelle inductance ne se fait pas au détriment de la puissance rayonnée ou reçue.External RFID operating in reception or transmission, because the current density is mainly concentrated in the active part of the inductance of the antenna. Simplifying in a technical extension, the mutual inductance between two circuits is proportional to the number of turns of the circuits vis-à-vis. By decreasing the mutual inductance, the disturbing action is limited to the frequency agreements of the antenna circuits at short distances (<2 cm for example). This Decrease of the mutual inductance is not done to the detriment of the radiated or received power.
Considérons ces 3 règles, régissant un système d'antenne RFID/NFC HF à enroulement de spires, connues de l'homme du métier :Consider these 3 rules, governing a RFID / NFC RF winding antenna system, known to those skilled in the art:
> Le champ magnétique (H) est défini par> The magnetic field (H) is defined by
+x2y pour les antennes circulaires. N est le nombre de spires de l'antenne, R est le rayon l'antenne et x est la distance du centre de l'antenne dans la direction x normale à l'antenne.+ x 2 y for circular antennas. N is the number of turns of the antenna, R is the radius of the antenna and x is the distance from the center of the antenna in the direction x normal to the antenna.
> La mutuelle inductance (M) est définie par> The mutual inductance (M) is defined by
où Nl est le nombre de spires d'une première antenne et N2 est le nombre de spires d'une seconde antenne. La mutuelle inductance est une description quantitative du flux couplant deux boucles de conducteurs. where N1 is the number of turns of a first antenna and N2 is the number of turns of a second antenna. The mutual inductance is a quantitative description of the flux coupling two loops of conductors.
> Le coefficient de qualité de l'antenne (Q) est défini par> The quality coefficient of the antenna (Q) is defined by
Q = L * 2π*Fo / Ra = Fo / Bande Passante à -3dBQ = L * 2π * Fo / Ra = Fo / Bandwidth at -3dB
> Le coefficient de couplage (K) est défini par> The coupling coefficient (K) is defined by
Le coefficient de couplage (K) introduit une prédiction qualitative sur le couplage des antennes indépendamment de leurs dimensions géométriques. Ll est l'inductance d'une première antenne et L2 est l'inductance d'une seconde antenne. On traite ci-dessous des possibilités d'augmenter l'efficacité radio d'une antenne magnétique.The coupling coefficient (K) introduces a qualitative prediction on the coupling of the antennas irrespective of their geometrical dimensions. Ll is the inductance of a first antenna and L2 is the inductance of a second antenna. Below are discussed possibilities of increasing the radio efficiency of a magnetic antenna.
Pour augmenter le champ magnétique (H) émis ou reçu, si on considère le rayon R et le courant dans l'antenne I comme imposés, il faut augmenter N, le nombre de spires de l'antenne.To increase the magnetic field (H) transmitted or received, if we consider the radius R and the current in the antenna I as imposed, it is necessary to increase N, the number of turns of the antenna.
Pour augmenter la mutuelle inductance (M) entre les 2 antennes, si on considère Rl et R2 comme imposés, il faut augmenter Nl et/ou N2.To increase the mutual inductance (M) between the 2 antennas, if we consider R1 and R2 as imposed, we must increase Nl and / or N2.
Pour diminuer le coefficient de qualité (Q) de l'antenne, il faut diminuer l'inductance (L) de l'antenne et/ou augmenter la résistance (Ra) de l'antenne. Pour augmenter le couplage (k) entre les 2 antennes, il faut augmenter la mutuelle inductance (M) et/ou diminuer l'inductance Ll et L2 des 2 antennes sans diminuer la mutuelle inductance (M).To decrease the quality coefficient (Q) of the antenna, it is necessary to decrease the inductance (L) of the antenna and / or to increase the resistance (Ra) of the antenna. To increase the coupling (k) between the 2 antennas, it is necessary to increase the mutual inductance (M) and / or to decrease the inductance Ll and L2 of the 2 antennas without decreasing the mutual inductance (M).
La problématique et les paramètres liés sont donc les suivants.The problem and the related parameters are as follows.
Il est difficile d'augmenter l'efficacité radio globale de l'antenne sans agir au détriment du champ magnétique émis ou capté, du couplage, de la mutuelle inductance et de la bande passante. Pour exemple, en augmentant le nombre de spires, on augmente favorablement l'inductance, le champ magnétique et la mutuelle inductance, mais on diminue la bande passante par l'augmentation du coefficient de qualité. En résumé sur les choix possibles :It is difficult to increase the overall radio efficiency of the antenna without acting to the detriment of the magnetic field emitted or captured, the coupling, the mutual inductance and the bandwidth. For example, by increasing the number of turns, the inductance, the magnetic field and the mutual inductance are favorably increased, but the bandwidth is decreased by the increase in the coefficient of quality. In summary about the possible choices:
Le champ magnétique rayonné ou capté dépend du nombre de spires dans l'antenne. Il faut donc idéalement augmenter le nombre de spires.The magnetic field radiated or captured depends on the number of turns in the antenna. It is therefore necessary to increase the number of turns.
Le coefficient de couplage est en fonction inverse des inductances des 2 antennes. En diminuant l'inductance des antennes, alors le coefficient de couplage entre les 2 antennes augmente. Il faut aussi idéalement soit augmenter la mutuelle inductance, soit limiter la perte sur la mutuelle inductance.The coupling coefficient is inversely related to the inductances of the 2 antennas. By decreasing the inductance of the antennas, then the coupling coefficient between the 2 antennas increases. It is also necessary to either increase the mutual inductance or limit the loss on mutual inductance.
La mutuelle inductance est fonction des nombres de spires des antennes. Donc, en augmentant le nombre de spires de l'antenne, alors la mutuelle inductance entre les 2 antennes augmente. En considérant le coefficient de couplage, il faut idéalement ne pas augmenter les inductances des antennes. La bande passante est fonction de l'inductance de l'antenne et fonction inverse de la résistance de l'antenne. Il faut donc idéalement diminuer l'inductance et augmenter la résistance de l'antenne.The mutual inductance is a function of the number of turns of the antennas. So by increasing the number of turns of the antenna, then the mutual inductance between the 2 antennas increases. Considering the coupling coefficient, ideally do not increase the inductances of the antennas. The bandwidth is a function of the inductance of the antenna and inverse function of the resistance of the antenna. It is therefore ideally to reduce the inductance and increase the resistance of the antenna.
En conclusion sur le champ magnétique, le nombre de spires doit augmenter ou être égal.In conclusion on the magnetic field, the number of turns must increase or be equal.
En conclusion sur le coefficient de couplage, la mutuelle inductance doit augmenter ou être égale et/ou l'inductance de l'antenne doit diminuer.In conclusion on the coupling coefficient, the mutual inductance must increase or be equal and / or the inductance of the antenna must decrease.
En conclusion sur la mutuelle inductance, le nombre de spires doit augmenter ou être égal. En conclusion sur le coefficient de qualité, l'inductance de l'antenne doit diminuer ou être égale et/ou la résistance de l'antenne doit augmenter.In conclusion on the mutual inductance, the number of turns must increase or be equal. In conclusion on the coefficient of quality, the inductance of the antenna must decrease or be equal and / or the resistance of the antenna must increase.
La solution suivant l'invention donne la possibilité de paramétrer, par le procédé de l'invention, la distribution du courant dans l'antenne comme par exemple d'avoir une densité de courant différente dans au moins 2 spires constituant l'antenne donc de ne pas avoir un courant uniforme dans l'antenne et donc un courant différent dans au moins 2 spires différentes.The solution according to the invention gives the possibility of parameterizing, by the method of the invention, the distribution of the current in the antenna such as for example to have a different current density in at least two turns constituting the antenna therefore of do not have a uniform current in the antenna and therefore a different current in at least 2 different turns.
Le fait de ne pas avoir un courant uniforme dans l'antenne permet d'obtenir une variation sur la valeur de l'inductance et de résistance entre au moins 2 spires constituant l'antenne. On peut alors idéalement favoriser ou limiter la valeur générale de l'inductance de l'antenne par rapport à la valeur de la résistance générale de l'antenne ou inversement.The fact of not having a uniform current in the antenna makes it possible to obtain a variation on the value of the inductance and of resistance between at least two turns constituting the antenna. One can then ideally favor or limit the general value of the inductance of the antenna with respect to the value of the general resistance of the antenna or vice versa.
Par la distribution non uniforme du courant et les variations des paramètres directs, on peut alors idéalement favoriser ou limiter les paramètres indirects comme le champ magnétique généré ou reçu, la mutuelle inductance et le couplage et leurs distributions dans l'espace de l'antenne.By the non-uniform distribution of the current and the variations of the direct parameters, it is then possible to favor or limit the indirect parameters such as the magnetic field generated or received, the mutual inductance and the coupling and their distributions in the space of the antenna.
Ainsi, dans des modes de réalisation, le circuit comporte des moyens pour rendre non uniforme la distribution du courant entre les deux extrémités de l'antenne.Thus, in embodiments, the circuit includes means for making the distribution of current between the two ends of the antenna nonuniform.
On comprend donc bien la différence fondamentale avec la technique de l'art antérieur des antennes boucles « classiques » où l'antenne est composée de N enroulements de spires. Dans l'antenne boucle classique, le courant est considéré comme fortement uniforme. Il y a donc peu de moyens de paramétrer ou de faire varier de manière croisée les paramètres directs (inductance, résistance de l'antenne, bande passante) avec les paramètres indirects (champ magnétique émis ou capté, couplage, mutuelle inductance). La solution suivant l'invention et les modes de réalisation possibles introduisent alors le concept d'agencement particulier d'inductance et de capacités, de borne de connexion, d'inductance dite « active », d'inductance dite « passive », d'inductance dite « négative » permettant une mise en œuvre idéale du champ magnétique émis ou capté, du couplage, de la mutuelle inductance et de la bande passante.The fundamental difference with the prior art technique of "conventional" loop antennas is therefore well understood, where the antenna is composed of N windings of turns. In the conventional loop antenna, the current is considered as strongly uniform. There is therefore little way to parameterize or cross-vary the direct parameters (inductance, antenna resistance, bandwidth) with the indirect parameters (magnetic field emitted or sensed, coupling, mutual inductance). The solution according to the invention and the possible embodiments then introduce the concept of a particular arrangement of inductance and capacitances, of connection terminal, of so-called "active" inductance, of so-called "passive" inductance, of so-called "negative" inductance enabling an ideal implementation of the emitted or sensed magnetic field, the coupling, the mutual inductance and the bandwidth.
Enfin, un agencement particulier de capacités avec la charge ou avec la charge plus les inductances ou avec les inductances ou avec un circuit d'accord en fréquence participent à obtenir l'objectif proposé.Finally, a particular arrangement of capacitances with the load or with the load plus the inductances or with the inductances or with a frequency tuning circuit participate in obtaining the proposed objective.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif en référence aux dessins annexés, sur lesquels :The invention will be better understood on reading the description which follows, given solely by way of non-limiting example with reference to the accompanying drawings, in which:
- les figures IA, 2 A, 3 A, 4 A représentent des modes de réalisation du circuit d'antenne en transpondeur suivant l'invention,FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A show embodiments of the transponder antenna circuit according to the invention,
- les figures IB, 2B, 3B, 4B représentent des schémas électriques équivalents des circuits des figures IA, 2 A, 3 A, 4 A,FIGS. 1B, 2B, 3B, 4B represent equivalent electrical diagrams of the circuits of FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A,
- les figures 5 A, 6 A, 7 A, 8 A, 9 A, 1 IA représentent des modes de réalisation du circuit d'antenne en lecteur suivant l'invention,FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 1A1 represent embodiments of the reader antenna circuit according to the invention,
- les figures 5B, 6B, 7B, 8B, 9B, HB représentent des schémas électriques équivalents des circuits des figures 5 A, 6 A, 7 A, 8 A, 9 A, 1 IA, - la figure 10 est une vue d'une antenne dans un mode de réalisation,FIGS. 5B, 6B, 7B, 8B, 9B, HB show equivalent electrical diagrams of the circuits of FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 1A1, FIG. 10 is a view of FIG. an antenna in one embodiment,
- les figures 12 à 46 représentent des modes de réalisation du circuit suivant l'invention.- Figures 12 to 46 show embodiments of the circuit according to the invention.
Dans ce qui suit, le circuit d'antenne peut aussi bien être un circuit d'émission d'un rayonnement électromagnétique par l'antenne, qu'un circuit de réception d'un rayonnement électromagnétique par l'antenne. Dans un premier cas d'application, le circuit d'antenne RFID est du type transpondeur, pour fonctionner en carte portative, étiquette (en anglais : « tag »), être intégré à un document en papier, comme par exemple un document délivré par une autorité officielle, telle qu'un passeport, les clés USB et cartes SIM et cartes (U)SIM dit « carte SIM RFID ou NFC », les vignettes pour carte Dual ou Dual Interface (la vignette possédant elle-même une antenne RFID/NFC), les montres.In what follows, the antenna circuit may be a circuit for emitting electromagnetic radiation by the antenna, as well as a circuit for receiving electromagnetic radiation by the antenna. In a first case of application, the RFID antenna circuit is of the transponder type, to operate as a portable card, tag (in English: "tag"), to be integrated in a paper document, such as for example a document issued by an official authority, such as a passport, USB keys and SIM cards and (U) SIM cards called "RFID or NFC SIM card", thumbnails for Dual or Dual Interface card (the sticker itself having an RFID antenna / NFC), watches.
Dans un deuxième cas d'application, le circuit d'antenne RFID est du type lecteur pour lire, c'est-à-dire au moins recevoir, le signal rayonné par l'antenne RFID d'un transpondeur tel que défini dans le premier cas comme les téléphones portables, les organisateurs personnels dit « PDA », les ordinateurs.In a second case of application, the RFID antenna circuit is of the reader type to read, that is to say at least receive, the signal radiated by the RFID antenna of a transponder as defined in the first cases like mobile phones, personal organizers said "PDA", computers.
D'une manière générale, le circuit comporte une antenne 3 formée par au moins trois spires S d'un conducteur sur un substrat isolant SUB. Les spires S ont un agencement définissant une inductance L ayant une valeur déterminée entre une première borne D d'extrémité de l'antenne 3 et une deuxième borne E d'extrémité de l'antenne 3.In general, the circuit comprises an antenna 3 formed by at least three turns S of a conductor on an insulating substrate SUB. The turns S have an arrangement defining an inductance L having a determined value between a first end terminal D of the antenna 3 and a second end terminal E of the antenna 3.
Dans le mode de réalisation représenté aux figures IA et IB, l'antenne 3 est formée par trois spires Sl, S2, S3 consécutives de la borne E d'extrémité extérieure à la borne D d'extrémité intérieure.In the embodiment shown in FIGS. 1A and 1B, the antenna 3 is formed by three consecutive turns S1, S2, S3 from the outer end terminal E to the inner end terminal D.
Une première borne 1 d'accès est connectée par un conducteur CONlA à une prise ou point intermédiaire A de l'antenne 3 entre ses bornes d'extrémité D, E.A first access terminal 1 is connected by a conductor CONlA to an intermediate point or point A of the antenna 3 between its end terminals D, E.
Une capacité C d'accord à une fréquence d'accord prescrite, c'est-à-dire à une fréquence de résonance, par exemple de 13.56 MHz jusqu'à 20MHz, est prévue en combinaison avec l'inductance L de l'antenne 3.A capacity C according to a prescribed tuning frequency, that is to say at a resonance frequency, for example from 13.56 MHz up to 20 MHz, is provided in combination with the inductance L of the antenna 3.
La deuxième borne E d'extrémité de l'antenne 3 est reliée par un conducteur CON2E à la deuxième borne ClE de la capacité C.The second end terminal E of the antenna 3 is connected by a conductor CON2E to the second terminal ClE of the capacitor C.
La première borne ClX de la capacité C est reliée par un conducteur CON31 à la prise intermédiaire A formant un premier point Pl de l'antenne 3.The first terminal ClX of the capacitor C is connected by a conductor CON31 to the intermediate socket A forming a first point P1 of the antenna 3.
Une deuxième borne 2 d'accès est connectée par un conducteur CON32 à la première borne D d'extrémité formant un deuxième point P2 de l'antenne 3. Le point P2 est différent du point A.A second access terminal 2 is connected by a conductor CON32 to the first end terminal D forming a second point P2 of the antenna 3. The point P2 is different from the point A.
Les deux bornes 1, 2 d'accès servent à la connexion d'une charge. Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point A, Pl et le deuxième point P2.The two access terminals 1, 2 are used to connect a load. According to the invention, there is at least one turn S between the first point A, P1 and the second point P2.
La prise intermédiaire A, Pl est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit une spire S3 à la figure 1. La prise intermédiaire A, Pl est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit deux spires Sl et S2 à la figure 1, où la prise intermédiaire A est située entre les spires S3 et S2.The intermediate tap A, P1 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie one turn S3 in FIG. 1. The intermediate tap A, P1 is connected to the second terminal E end of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie two turns S1 and S2 in FIG. 1, where the intermediate tap A is located between the turns S3 and S2.
D'une manière générale, suivant l'invention, les points D, E, 1, 2, A, ClE,In a general way, according to the invention, the points D, E, 1, 2, A, ClE,
CIX, Pl, P2 forment des nœuds électriques du circuit. Les points directement connectés entre eux forment le même nœud, par exemple lorsque les moyens de connexion sont des conducteurs électriques. Deux nœuds distincts sont reliés par au moins une spire.CIX, P1, P2 form electrical nodes of the circuit. The points directly connected to each other form the same node, for example when the connection means are electrical conductors. Two distinct nodes are connected by at least one turn.
Dans le schéma équivalent de la figure IB, le circuit de la figure IA possède une première inductance Ll, dite inductance active, formée par la troisième spire S3, entre les bornes d'accès 1, 2. Entre la prise intermédiaire A et la borne E se trouve une deuxième inductance L2, dite inductance passive, formée par la première spireIn the equivalent diagram of FIG. 1B, the circuit of FIG. 1A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the third turn S3, between the access terminals 1, 2. Between the intermediate tap A and the terminal E is a second inductance L2, called passive inductance, formed by the first turn
Sl et la deuxième spire S2. La deuxième inductance L2 est en parallèle avec la capacité C entre la prise A intermédiaire et la borne E. La somme de la première inductance Ll et de la deuxième inductance L2 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3. Il va de soi que l'antenne 3 possède une résistance en série avec son inductance L ainsi que des capacités de couplage inter-spires, qui n'ont toutefois pas été représentée sur toutes les figures.Sl and the second turn S2. The second inductor L2 is in parallel with the capacitor C between the intermediate tap A and the terminal E. The sum of the first inductance L1 and the second inductor L2 is equal to the total inductance L of the antenna 3. It is of course, the antenna 3 has a resistance in series with its inductance L as well as inter-turn coupling capacitors, which however have not been shown in all the figures.
La capacité C peut être de tout type de technologie et de procédé de réalisation. Dans l'exemple de la figure IA, la capacité C est de type planaire en étant disposée sur la zone libre du substrat, présente au milieu des spires S. A la figure IA, la capacité C est formée par un condensateur ayant une première surface métallique SIX formant la première borne ClX de capacité, une deuxième surface métallique SlE supportée par le substrat et formant la deuxième borne ClE de capacité. Une ou plusieurs couches de diélectriques sont situées entre la première surface métallique S IX et la deuxième surface métallique SlE. Le mode de réalisation représenté aux figures IA et IB permet d'augmenter l'efficacité de l'antenne 3.The capacity C can be of any type of technology and method of production. In the example of FIG. 1A, the capacitor C is of planar type being disposed on the free zone of the substrate, present in the middle of the turns S. In FIG. 1A, the capacitor C is formed by a capacitor having a first surface SIX metal forming the first capacitance terminal ClX, a second metal surface SlE supported by the substrate and forming the second terminal ClE capacitance. One or more dielectric layers are located between the first metal surface S IX and the second metal surface SlE. The embodiment shown in FIGS. 1A and 1B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 2 A et 2B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures IA et IB. Aux figures 2 A et 2B, la prise intermédiaire A, Pl est située entre les spiresThe embodiment shown in Figures 2A and 2B is a variant of the embodiment shown in Figures IA and IB. In FIGS. 2A and 2B, the intermediate tap A, P 1 is located between the turns
Sl et S2. La prise intermédiaire A, Pl est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit deux spires S2 et S3. La prise intermédiaire A, Pl est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit une spire Sl. La capacité C est formée par un condensateur ayant une ou plusieurs couche de diélectrique ayant un premier côté et un deuxième côté éloigné du premier côté. La première surface métallique SIX forme la première borne ClX de capacité sur le premier côté de la couche de diélectrique. Une deuxième surface métallique SlE forme la deuxième borne ClE de capacité sur le deuxième côté de la couche de diélectrique. La première surface métallique SIX définit avec la deuxième surface métallique SlE une valeur de capacité C2.Sl and S2. The intermediate tap A, P1 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie two turns S2 and S3. The intermediate tap A, P1 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie a turn S1. Capacity C is formed by a capacitor having one or more dielectric layers having a first side and a second side remote from the first side. The first metal surface SIX forms the first capacitance terminal ClX on the first side of the dielectric layer. A second metal surface SlE forms the second capacity terminal ClE on the second side of the dielectric layer. The first metal surface SIX defines with the second metal surface SlE a capacitance value C2.
Une troisième surface métallique SlF forme une troisième borne ClF de la capacité C. La troisième surface métallique SlF est située sur le même premier côté de la couche de diélectrique à distance que la première surface métallique SIX mais à distance de cette première surface métallique SIX. La troisième borne ClF de capacité est reliée par un conducteur CON33 à la borne D d'extrémité. La troisième surface métallique SlF définit avec la deuxième surface métallique SlE une valeur de capacité Cl.A third metal surface SlF forms a third terminal ClF of the capacitance C. The third metal surface SlF is situated on the same first side of the dielectric layer at a distance as the first metal surface SIX but at a distance from this first metal surface SIX. The third capacitance terminal ClF is connected by a conductor CON33 to the end terminal D. The third metal surface SlF defines with the second metal surface SlE a capacitance value C1.
La troisième surface métallique SlF est couplée à la première surface métallique SIX par le fait qu'elles partagent la même borne de référence ClE formée par la surface SlE, pour former une capacité de couplage appelée C 12.The third metal surface SlF is coupled to the first metal surface SIX in that they share the same reference terminal ClE formed by the surface S1E, to form a coupling capacitor C12.
Dans le schéma équivalent de la figure 2B, le circuit de la figure 2A possède une première inductance Ll, dite inductance active, formée par la deuxième spire S2 et la troisième spire S3, entre les bornes d'accès 1, 2. Entre la prise intermédiaire A et la borne E se trouve une deuxième inductance L2, dite inductance passive, formée par la première spire Sl. La somme de la première inductance Ll et de la deuxième inductance L2 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.In the equivalent diagram of FIG. 2B, the circuit of FIG. 2A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the second turn S2 and the third turn S3, between the access terminals 1, 2. intermediate A and the terminal E is a second inductor L2, called passive inductance, formed by the first turn S1. The sum of the first inductance L1 and the second inductance L2 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
La deuxième inductance L2 est en parallèle avec la capacité C2 entre la prise A intermédiaire et la borne E. La première inductance Ll est en parallèle avec la capacité de couplage C 12.The second inductance L2 is in parallel with the capacitance C2 between the intermediate tap A and the terminal E. The first inductor L1 is in parallel with the coupling capacitor C 12.
La capacité Cl est reliée d'une part à la borne D et d'autre part à la borne E.The capacitor C1 is connected on the one hand to the terminal D and on the other hand to the terminal E.
Le mode de réalisation représenté aux figures 2 A et 2B permet d'augmenter encore l'efficacité radio de l'antenne 3, du fait de l'agencement des capacités Cl et C2 et du couplage entre les capacités Cl et C2. Le mode de réalisation représenté aux figures 3A et 3B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures 2A et 2B. Dans le mode de réalisation représenté aux figures 3 A et 3B, le premier point Pl est distinct de la première prise intermédiaire A et est éloigné de cette première prise intermédiaire A par au moins une spire S. L'antenne 3 est formée par quatre spires Sl, S2, S3, S4 consécutives de la borne E d'extrémité extérieure à la borne D d'extrémité intérieure. En outre, par exemple, aux figures 3A et 3B, la capacité C est du type de celle des figures 2A et 2B.The embodiment shown in FIGS. 2A and 2B makes it possible to further increase the radio efficiency of antenna 3, because of the arrangement of capacitors C1 and C2 and of the coupling between capacitors C1 and C2. The embodiment shown in FIGS. 3A and 3B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 2A and 2B. In the embodiment shown in FIGS. 3A and 3B, the first point P 1 is distinct from the first intermediate tap A and is spaced from this first intermediate tap A by at least one turn S. The antenna 3 is formed by four turns S1, S2, S3, S4 consecutive from the outer end terminal E to the inner end terminal D. In addition, for example, in FIGS. 3A and 3B, the capacitor C is of the type of that of FIGS. 2A and 2B.
La première prise intermédiaire A est située entre les spires S2 et S3. La première prise intermédiaire A est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit les deux spires S3 et S4. La prise intermédiaire A est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit les deux spires S2 et Sl.The first intermediate tap A is located between turns S2 and S3. The first intermediate tap A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the two turns S3 and S4. The intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie the two turns S2 and S1.
La borne 1 d'accès est reliée à la première prise intermédiaire A par le conducteur CONlA. La borne 2 d'accès est reliée à la borne D, qui n'est pas reliée à la borne ClF.The access terminal 1 is connected to the first intermediate socket A by the conductor CONlA. The access terminal 2 is connected to the terminal D, which is not connected to the terminal ClF.
Entre les bornes 1, 2 d'accès se trouve une charge Z. La charge Z est par exemple une puce désignée globalement par « silicium ». Cette puce peut également être présente d'une manière générale entre les bornes d'accès.Between the access terminals 1, 2 is a load Z. The load Z is for example a chip generally designated by "silicon". This chip can also be present in general between the access terminals.
La borne ClX est reliée par le conducteur CON31 à un premier point Pl de l'antenne 3, distinct de ses bornes D, E. Le premier point Pl est situé entre les spires S3 et S4. Le premier point Pl est relié à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire S4. Le premier point Pl est relié à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit les trois spires S3, S2 et Sl. La borne D forme le deuxième point P2.The terminal ClX is connected by the conductor CON31 to a first point P1 of the antenna 3, distinct from its terminals D, E. The first point P1 is located between the turns S3 and S4. The first point P1 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S4. The first point P1 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie the three turns S3, S2 and S1. Terminal D forms the second point P2.
Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl et le deuxième point P2, soit la spire S4.According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1 and the second point P2, ie the turn S4.
La troisième borne ClF de capacité est reliée par un conducteur CON33 à la borne 1 d'accès. La borne C IE est reliée par un conducteur CON2E à la borne E.The third capacitance terminal ClF is connected by a conductor CON33 to the access terminal 1. The terminal C IE is connected by a conductor CON2E to the terminal E.
Dans le schéma équivalent de la figure 3B, le circuit de la figure 3A possède une première inductance Ll, dite inductance active, formée par la spire S4 entre la borne 2 et le point Pl. Entre le point Pl et la prise A se trouve une deuxième inductance LI l, dite également active, formée par la spire S3. Entre la prise intermédiaire A et la borne E se trouve une troisième inductance L3, dite inductance passive, formée par les deux spires S2 et Sl. La somme de la première inductance Ll, de la deuxième inductance LI l et de la troisième inductance L3 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.In the equivalent diagram of FIG. 3B, the circuit of FIG. 3A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the turn S4 between the terminal 2 and the point P1. Between the point P1 and the tap A is a second inductor LI l, also called active, formed by the turn S3. Between the intermediate tap A and the terminal E is a third inductor L3, called passive inductance, formed by the two turns S2 and S1. The sum of the first inductance L1, the second inductance LI1 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
La troisième inductance L3 est en parallèle avec la capacité Cl entre la prise A intermédiaire et la borne E.The third inductance L3 is in parallel with the capacitance C1 between the intermediate socket A and the terminal E.
La deuxième inductance LI l est en parallèle avec la capacité de couplage C12.The second inductance LI1 is in parallel with the coupling capacitance C12.
La capacité C2 est reliée d'une part au point Pl et d'autre part à la borne E.The capacitor C2 is connected on the one hand to the point P1 and on the other hand to the terminal E.
Bien entendu, la capacité C pourrait être du type de celle de la figure IA, c'est-à-dire en ayant au lieu de Cl et C 12 seulement la capacité C entre Pl et E aux figures 3 A et 3B.Of course, the capacitance C could be of the type of that of FIG. 1A, that is to say having instead of Cl and C 12 only the capacitance C between Pl and E in FIGS. 3A and 3B.
Le mode de réalisation représenté aux figures 3 A et 3B permet d'augmenter l'efficacité de l'antenne 3 du fait de l'agencement et de la combinaison des inductances « actives » et « passives » et des capacités. Le mode de réalisation représenté aux figures 4A et 4B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures IA et IB. Aux figures 4 A et 4B, l'antenne 3 est formée de la deuxième borne E d'extrémité à la première borne D par une première spire Sl, une deuxième spire S2 et une troisième spire S3, qui sont consécutives. Les spires Sl puis S2 vont de la deuxième borne E d'extrémité à un point PR de rebroussement dans un premier sens d'enroulement, correspondant à la figure 4A au sens des aiguilles d'une montre. La spire S3 va du point PR de rebroussement à la première borne D d'extrémité dans un deuxième sens d'enroulement opposé au premier sens d'enroulement, et donc inverse du sens des aiguilles d'une montre à la figure 4A. Par exemple, la spire S3 est de sens inversé en intérieur par rapport aux spires S2 et S3 extérieures. Le premier point Pl formant première prise intermédiaire A de l'antenne connectée à la borne 1 d'accès, est situé au point PR de rebroussement.The embodiment shown in FIGS. 3A and 3B makes it possible to increase the efficiency of antenna 3 because of the arrangement and combination of "active" and "passive" inductances and capacitors. The embodiment shown in Figures 4A and 4B is a variant of the embodiment shown in Figures IA and IB. In FIGS. 4A and 4B, the antenna 3 is formed from the second end terminal E to the first terminal D by a first turn S1, a second turn S2 and a third turn S3, which are consecutive. The turns S1 then S2 go from the second terminal E end to a point PR of a reversal in a first winding direction, corresponding to Figure 4A clockwise. The turn S3 goes from the recoiling point PR to the first end terminal D in a second direction of winding opposite to the first direction of winding, and therefore reverse clockwise in FIG. 4A. For example, the turn S3 is reversed direction inward with respect to the outer turns S2 and S3. The first point P1 forming the first intermediate tap A of the antenna connected to the access terminal 1 is located at the recoil point PR.
Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl, A et le deuxième point P2.According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1, A and the second point P2.
On considère que le sens positif du courant dans l'antenne 3 est celui allant du point PR de rebroussement à la borne E, coïncidant dans cet exemple au plus grand nombre de spires allant dans le même sens, ainsi que cela est indiqué par les flèches dessinées sur l'antenne 3. Les flèches dessinées sur les spires Sl et S2 correspondent à ce sens positif du courant.It is considered that the positive direction of the current in the antenna 3 is that going from the recoiling point PR to the terminal E, coinciding in this example with the greatest number of turns going in the same direction, as indicated by the arrows drawn on the antenna 3. The arrows drawn on the turns S1 and S2 correspond to this positive direction of the current.
Dans le schéma équivalent de la figure 4B, le circuit de la figure 4A possède une deuxième inductance positive +L2, dite inductance passive, formée par les spires S2 et Sl.In the equivalent diagram of FIG. 4B, the circuit of FIG. 4A has a second positive inductance + L2, called passive inductance, formed by the turns S2 and S1.
Du fait du point PR de rebroussement, apparaît entre la prise intermédiaire A, Pl et la borne D une première inductance négative -Ll, dite inductance active, formée par la troisième spire S3, entre les points Pl et P2. La somme de la première inductance Ll en valeur absolue et de la deuxième inductance L2 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.Due to the PR point of reversal, appears between the intermediate socket A, P1 and the terminal D a first negative inductance -Ll, called active inductance, formed by the third turn S3, between the points P1 and P2. The sum of the first inductance L1 in absolute value and the second inductance L2 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
L'inductance négative -Ll permet de diminuer encore davantage la mutuelle inductance engendrée par l'antenne 3.The negative inductance -L1 makes it possible to further reduce the mutual inductance generated by the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 5A et 5B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures IA et IB. Aux figures 5A et 5B, l'antenneThe embodiment shown in Figs. 5A and 5B is a variation of the embodiment shown in Figs. 1A and 1B. In FIGS. 5A and 5B, the antenna
3 est formée par trois spires Sl, S2, S3 consécutives de la borne E d'extrémité extérieure à la borne D d'extrémité intérieure formant le premier point Pl de l'antenne.3 is formed by three consecutive turns S1, S2, S3 of end terminal E outside the inner end terminal D forming the first point Pl of the antenna.
Une première borne 1 d'accès est connectée par un moyen de connexion CONlA à une première prise intermédiaire A de l'antenne 3 entre ses bornes d'extrémité D, E. Le moyen de connexion CONlA est par exemple une capacité ClO.A first access terminal 1 is connected by a connection means CONlA to a first intermediate tap A of the antenna 3 between its end terminals D, E. The connection means CONlA is for example a capacitor ClO.
La deuxième borne 2 d'accès est connectée par un moyen de connexion CON32 à une deuxième prise intermédiaire P2 formant un deuxième point P2 de l'antenne 3. Le moyen de connexion CON32 est par exemple une capacité C20. Une capacité C d'accord à une fréquence d'accord prescrite, c'est-à-dire à une fréquence de résonance, par exemple de 13.56 MHz, est prévue en combinaison avec l'inductance L de l'antenne 3.The second access terminal 2 is connected by a connection means CON32 to a second intermediate socket P2 forming a second point P2 of the antenna 3. The connection means CON32 is for example a capacitor C20. A capacity C according to a prescribed tuning frequency, that is to say at a resonance frequency, for example 13.56 MHz, is provided in combination with the inductance L of the antenna 3.
La deuxième borne E d'extrémité de l'antenne 3 est reliée par un conducteur CON2E à la deuxième borne ClE de la capacité C. La première borne ClX de la capacité C est reliée par un conducteur CON31 à la borne D, Pl de l'antenne 3.The second end terminal E of the antenna 3 is connected by a conductor CON2E to the second terminal ClE of the capacitor C. The first terminal ClX of the capacitor C is connected by a conductor CON31 to the terminal D, P1 of the antenna 3.
Les deux bornes 1, 2 d'accès servent à la connexion d'une charge.The two access terminals 1, 2 are used to connect a load.
Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl et le deuxième point P2, soit la spire S3 et la spire S2 dans le mode de réalisation représenté.According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1 and the second point P2, ie the turn S3 and the turn S2 in the embodiment shown.
La prise intermédiaire A est située entre les spires S3 et S2. La prise intermédiaire P2 est située entre les spires Sl et S2. La prise intermédiaire A est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire S 3 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire A est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenneThe intermediate tap A is located between the turns S3 and S2. The intermediate plug P2 is located between the turns S1 and S2. The intermediate terminal A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S 3 in the embodiment shown. The intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna
L, soit deux spires Sl et S2 dans le mode de réalisation représenté.L, two turns S1 and S2 in the embodiment shown.
La prise intermédiaire P2 est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire S2 et la spire S3 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire P2 est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire Sl dans le mode de réalisation représenté. Dans le schéma équivalent de la figure 5B, le circuit de la figure 5A possède une première inductance Ll, dite inductance active, formée par la deuxième spire S2, entre les points A et P2. Entre la prise intermédiaire P2 et la borne E se trouve une deuxième inductance L2, dite inductance passive, formée par la première spire Sl. Entre la prise intermédiaire A et la borne D se trouve une troisième inductance L3, dite inductance passive, formée par la troisième spire S3.The intermediate plug P2 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S2 and the turn S3 in the embodiment shown. The intermediate plug P2 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, the turn S1 in the embodiment shown. In the equivalent diagram of FIG. 5B, the circuit of FIG. 5A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the second turn S2, between points A and P2. Between the intermediate tap P2 and the terminal E is a second inductor L2, called passive inductance, formed by the first turn S1. Between the intermediate tap A and the terminal D is a third inductor L3, called passive inductance, formed by the third turn S3.
La somme de la première inductance Ll, de la deuxième inductance L2 et de la troisième inductance L3 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.The sum of the first inductance L1, the second inductance L2 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 5 A et 5B permet d'augmenter l'efficacité de l'antenne 3.The embodiment shown in FIGS. 5A and 5B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 6A et 6B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures 5A et 5B. Aux figures 6A et 6B, une quatrième capacité C4 d'accord supplémentaire est connectée entre la prise intermédiaire A et le deuxième point P2, en parallèle avec la première inductance Ll. La quatrième capacité C4 participe à l'accord en fréquence avec C, particulièrement sur la deuxième inductance L2. Le mode de réalisation représenté aux figures 6A et 6B permet d'augmenter l'efficacité de l'antenne 3.The embodiment shown in FIGS. 6A and 6B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B. In FIGS. 6A and 6B, a fourth additional tuning capacitor C4 is connected between the intermediate tap A and the second tap P2, in parallel with the first inductor L1. The fourth capacitor C4 participates in the frequency tuning with C, particularly on the second inductor L2. The embodiment shown in FIGS. 6A and 6B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 7A et 7B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures 5A et 5B. Aux figures 7A et 7B, l'antenne 3 est formée par quatre spires Sl, S21, S22, S3 consécutives de la borne E d'extrémité extérieure à la borne D d'extrémité intérieure.The embodiment shown in FIGS. 7A and 7B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B. In FIGS. 7A and 7B, the antenna 3 is formed by four consecutive turns S1, S21, S22, S3 from the outer end terminal E to the inner end terminal D.
Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl et le deuxième point P2, soit la spire S21, la spire S22 et la spire S3, c'est-à-dire trois deuxièmes spires dans le mode de réalisation représenté. Le premier point Pl est formé par la borne D d'extrémité de l'antenne.According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1 and the second point P2, ie the turn S21, the turn S22 and the turn S3, that is to say three second turns in the mode. embodiment shown. The first point P1 is formed by the terminal terminal D of the antenna.
La prise intermédiaire A est située entre les spires S3 et S22. La prise intermédiaire P2 est située entre les spires Sl et S21. La prise intermédiaire A est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire S3 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire A est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenneIntermediate tap A is located between turns S3 and S22. The intermediate plug P2 is located between the turns S1 and S21. The intermediate terminal A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the turn S3 in the embodiment shown. The intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna
L, soit trois spires Sl, S21 et S22 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire P2 est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit trois spires S21, S22 et S3 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire P2 est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire Sl dans le mode de réalisation représenté.L, ie three turns S1, S21 and S22 in the embodiment shown. The catch intermediate P2 is connected to the terminal D end by at least one turn S of the antenna L, three turns S21, S22 and S3 in the embodiment shown. The intermediate plug P2 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, the turn S1 in the embodiment shown.
Dans le schéma équivalent de la figure 7B, le circuit de la figure 5A possède une première inductance Ll, dite inductance active, formée par les trois deuxièmes spires S21, S22 et S3, entre les points Pl et P2. Entre la prise intermédiaire P2 et la borne E se trouve une deuxième inductance L2, dite inductance passive, formée par la première spire Sl. Entre la prise intermédiaire A et la borne D se trouve une troisième inductance L3, dite inductance passive, formée par la troisième spire S3.In the equivalent diagram of FIG. 7B, the circuit of FIG. 5A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the three second turns S21, S22 and S3, between the points P1 and P2. Between the intermediate tap P2 and the terminal E is a second inductor L2, called passive inductance, formed by the first turn S1. Between the intermediate tap A and the terminal D is a third inductor L3, called passive inductance, formed by the third turn S3.
La somme de la première inductance Ll, de la deuxième inductance L2 et de la troisième inductance L3 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.The sum of the first inductance L1, the second inductance L2 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 7 A et 7B permet d'augmenter l'efficacité de l'antenne 3 avec un plus grand nombre de spires.The embodiment shown in FIGS. 7A and 7B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3 with a larger number of turns.
Le mode de réalisation représenté aux figures 8A et 8B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures 5A et 5B. Aux figures 8A et 8B, l'antenneThe embodiment shown in FIGS. 8A and 8B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B. In FIGS. 8A and 8B, the antenna
3 est formée par six spires Sl, S2, S31, S32, S33 et S34 consécutives de la borne E d'extrémité extérieure à la borne D d'extrémité intérieure. Le premier point Pl est formé par la borne D d'extrémité.3 is formed by six consecutive turns S1, S2, S31, S32, S33 and S34 from the outer end terminal E to the inner end terminal D. The first point P1 is formed by the end terminal D.
Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl et le deuxième point P2, soit les spires S2, S31, S32, S33 et S34, c'est-à-dire cinq deuxièmes spires dans le mode de réalisation représenté.According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1 and the second point P2, ie the turns S2, S31, S32, S33 and S34, that is to say five second turns in the mode. embodiment shown.
La prise intermédiaire A est située entre les spires S2 et S31. La prise intermédiaire P2 est située entre les spires Sl et S2. La prise intermédiaire A est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit les quatre spires S31, S32, S33 et S34 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire A est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit les deux spires Sl, S2 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire P2 est reliée à la borne D d'extrémité par au moins une spire S de l'antenne L, soit les cinq spires S2, S31, S32, S33 et S34 dans le mode de réalisation représenté. La prise intermédiaire P2 est reliée à la deuxième borne E d'extrémité de l'antenne L par au moins une spire S de l'antenne L, soit la spire Sl dans le mode de réalisation représenté.The intermediate tap A is located between the turns S2 and S31. The intermediate plug P2 is located between the turns S1 and S2. The intermediate tap A is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the four turns S31, S32, S33 and S34 in the embodiment shown. The intermediate tap A is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, ie the two turns S1, S2 in the embodiment shown. The intermediate tap P2 is connected to the end terminal D by at least one turn S of the antenna L, ie the five turns S2, S31, S32, S33 and S34 in the embodiment shown. The intermediate plug P2 is connected to the second end terminal E of the antenna L by at least one turn S of the antenna L, the turn S1 in the embodiment shown.
Dans le schéma équivalent de la figure 8B, le circuit de la figure 8A possède une première inductance Ll, dite inductance active, formée par les deuxièmes spiresIn the equivalent diagram of FIG. 8B, the circuit of FIG. 8A has a first inductance L1, called active inductance, formed by the second turns
S2, S31, S32, S33 et S34, entre les points Pl et P2. Entre la prise intermédiaire P2 et la borne E se trouve une deuxième inductance L2, dite inductance passive, formée par la première spire Sl. Entre la prise intermédiaire A et la borne D se trouve une troisième inductance L3, dite inductance passive, formée par les quatre spires S31, S32, S33 et S34.S2, S31, S32, S33 and S34, between the points P1 and P2. Between the intermediate tap P2 and the terminal E is a second inductor L2, called passive inductance, formed by the first turn S1. Between the intermediate tap A and the terminal D is a third inductor L3, called passive inductance, formed by the four turns S31, S32, S33 and S34.
La somme de la première inductance Ll, de la deuxième inductance L2 et de la troisième inductance L3 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.The sum of the first inductance L1, the second inductance L2 and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 8 A et 8B permet d'augmenter l'efficacité de l'antenne 3 avec encore davantage de spires. La capacité C est formée par exemple par un condensateur du type planaire comme à la figure IA.The embodiment shown in FIGS. 8A and 8B makes it possible to increase the efficiency of the antenna 3 with even more turns. The capacitor C is formed for example by a capacitor of the planar type as in FIG.
Dans les applications de transpondeur, la capacité C, Cl, C2 est par exemple du type planaire décrit. Dans les applications de lecteur, la capacité C peut être sous la forme d'un composant de condensateur ajouté, au lieu d'être du type planaire. Le mode de réalisation représenté aux figures 9 A et 9B est une variante du mode de réalisation représenté aux figures 5A et 5B. Aux figures 9A et 9B, l'antenne 3 est formée de la deuxième borne E d'extrémité à la première borne D par une première spire Sl, une deuxième spire S2 et une troisième spire S3, qui sont consécutives. La spire Sl va de la deuxième borne E d'extrémité à un point PR de rebroussement dans un premier sens d'enroulement, correspondant à la figure 9 A au sens des aiguilles d'une montre. Les spires S2 puis S3 vont du point PR de rebroussement à la première borne D d'extrémité dans un deuxième sens d'enroulement opposé au premier sens d'enroulement, et donc inverse du sens des aiguilles d'une montre à la figure 9A. Par exemple, la spire Sl est de sens inversé en extérieur par rapport aux spires S2 et S3 intérieures.In transponder applications, the capacitance C, Cl, C2 is for example of the described planar type. In reader applications, the capacitance C may be in the form of an added capacitor component, instead of being of the planar type. The embodiment shown in FIGS. 9A and 9B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B. In FIGS. 9A and 9B, the antenna 3 is formed from the second end terminal E to the first terminal D by a first turn S1, a second turn S2 and a third turn S3, which are consecutive. The turn S1 goes from the second end terminal E to a rewind point PR in a first winding direction corresponding to FIG. 9A clockwise. The turns S2 then S3 go from the reversal point PR to the first end terminal D in a second winding direction opposite to the first direction of winding, and therefore reverse clockwise in FIG. 9A. For example, the turn S1 is of direction reversed outside with respect to the internal turns S2 and S3.
Le premier point Pl est formé par la borne D. Le deuxième point P2 formant deuxième prise intermédiaire de l'antenne connectée à la borne 2 d'accès, est situé au point PR de rebroussement.The first point P1 is formed by the terminal D. The second point P2 forming the second intermediate point of the antenna connected to the access terminal 2, is located at the point PR of cusp.
Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl et le deuxième point P2, soit la spire S2 et la spire S3 dans le mode de réalisation représenté.According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1 and the second point P2, ie the turn S2 and the turn S3 in the embodiment shown.
Dans le schéma équivalent de la figure 9B, le circuit de la figure 9A possède une première inductance positive Ll, dite inductance active, formée par la deuxième spire S2, entre les points A et P2.In the equivalent diagram of FIG. 9B, the circuit of FIG. 9A has a first positive inductance L1, called active inductance, formed by the second turn S2, between points A and P2.
Du fait du point PR de rebroussement, apparaît entre la prise intermédiaire P2, PR et la borne E une deuxième inductance négative -L2, dite inductance passive, formée par la première spire Sl, en considérant que le sens positif du courant dans l'antenne 3 est celui allant du point PR, P2 au point A, coïncidant dans cet exemple avec le plus grand nombre de spires allant dans le même sens, ainsi que cela est indiqué par les flèches dessinées sur l'antenne 3. Les flèches dessinées sur les spires S2 et S3 correspondent à ce sens positif du courant.Due to the recoiling point PR, there appears between the intermediate tap P2, PR and the terminal E a second negative inductance -L2, called passive inductance, formed by the first turn S1, considering that the positive direction of the current in the antenna 3 is the one going from the point PR, P2 to the point A, coinciding in this example with the greatest number of turns going in the same direction, as indicated by the arrows drawn on the antenna 3. The arrows drawn on the turns S2 and S3 correspond to this positive direction of the current.
Entre la prise intermédiaire A et la borne D se trouve une troisième inductance +L3 positive, dite inductance passive, formée par la troisième spire S3.Between the intermediate tap A and the terminal D is a third inductance + L3 positive, called passive inductance, formed by the third turn S3.
La somme de la première inductance Ll, de la deuxième inductance L2 en valeur absolue et de la troisième inductance L3 est égale à l'inductance totale L de l'antenne 3.The sum of the first inductance L1, the second inductance L2 in absolute value and the third inductance L3 is equal to the total inductance L of the antenna 3.
L'inductance négative -L2 permet de diminuer encore davantage la mutuelle inductance engendrée par l'antenne 3.The negative inductance -L2 makes it possible to further reduce the mutual inductance generated by the antenna 3.
Le mode de réalisation représenté aux figures 1 IA et 1 IB est une variante du mode de réalisation représenté aux figures 5A et 5B. Le moyen de connexion CONlA est par exemple un conducteur électrique.The embodiment shown in FIGS. 1A and 1B is a variant of the embodiment shown in FIGS. 5A and 5B. The connection means CONlA is for example an electrical conductor.
Le moyen de connexion CON32 est par exemple un conducteur électrique. La capacité C est du type de celle de la figure 2A.The connection means CON32 is for example an electrical conductor. The capacitor C is of the type of that of FIG. 2A.
La deuxième borne E d'extrémité de l'antenne 3 est reliée par un conducteur CON2E à la deuxième borne ClE de la capacité C. La première borne D est reliée à la borne ClF de la capacité C par le conducteur CON33. Le point Pl est formé par la borne D.The second end terminal E of the antenna 3 is connected by a conductor CON2E to the second terminal ClE of the capacitor C. The first terminal D is connected to the terminal ClF of the capacitor C by the conductor CON33. The point P1 is formed by the terminal D.
La première borne ClX de la capacité C est reliée par un conducteur CON31 à la borne D.The first terminal ClX of the capacitor C is connected by a conductor CON31 to the terminal D.
La borne ClF est reliée à la borne 2 d'accès. Suivant l'invention, il y a au moins une spire S entre le premier point Pl et le deuxième point P2, soit la spire S3 et la spire S2 dans le mode de réalisation représenté.Terminal ClF is connected to terminal 2 access. According to the invention, there is at least one turn S between the first point P1 and the second point P2, ie the turn S3 and the turn S2 in the embodiment shown.
Dans le schéma équivalent de la figure HB, la capacité Cl est en parallèle avec l'inductance L2 entre la borne E et le point P2. La capacité C2 est connectée entre les bornes D et E. La capacité C 12 de couplage est connectée entre le deuxième point P2 et la borne D.In the equivalent diagram of FIG. HB, the capacitance C1 is in parallel with the inductance L2 between the terminal E and the point P2. The capacitor C2 is connected between the terminals D and E. The coupling capacitor C 12 is connected between the second point P2 and the terminal D.
Le mode de réalisation représenté aux figures HA et HB permet d'augmenter encore l'efficacité de l'antenne 3, du fait du couplage entre les capacités Cl et C2. Bien entendu, un ou plusieurs des modes de réalisation ci-dessus peuvent être combinés en ce qui concerne l'agencement et la disposition des inductances, des capacités, le ou les points de rebroussement, le nombre de spires.The embodiment shown in Figures HA and HB makes it possible to further increase the efficiency of the antenna 3, because of the coupling between the capacitors C1 and C2. Of course, one or more of the above embodiments may be combined with respect to the arrangement and arrangement of the inductors, capacitors, the one or more cusps, the number of turns.
En particulier, les moyens de connexion, tels que CONlA, CON32, des bornes 1, 2 d'accès à l'antenne peuvent être par capacité, par conducteur ou autres, comme par exemple des éléments actifs, notamment du type transistor ou amplificateur.In particular, the connection means, such as CONlA, CON32, terminals 1, 2 of access to the antenna can be capacitance, conductor or other, such as for example active elements, in particular of the transistor or amplifier type.
D'une manière générale, toute charge ou circuit supplémentaire d'accord en fréquence ou en puissance peut être connecté aux bornes 1, 2 d'accès, comme par exemple une puce, notamment à base de silicium, aussi bien dans le cas dit transpondeur que dans le cas dit lecteur.In general, any additional load or frequency or power matching circuit can be connected to the access terminals 1, 2, for example a chip, in particular a silicon-based chip, as well in the so-called transponder case. only in the case said reader.
En particulier, les moyens de connexion des bornes 1, 2 d'accès à l'antenne des figures 5A, 6A, 7A, 8A, 9A peuvent être également des conducteurs. On peut également ajouter un élément actif ou passif, tel que par exemple une capacité, aux bornes 1, 2 d'accès aux figures IA, 2A, 3A, 4A. II peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre le premier point Pl et le deuxième point P2. Il peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre la première prise A et l'extrémité D. Il peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre la première prise A et l'extrémité E. Il peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre le premier point Pl et l'extrémité D. Il peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre le premier point Pl et l'extrémité E. Il peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre le deuxième point P2 et l'extrémité D. Il peut être prévu un nombre de spires égal à un, deux ou plus entre le deuxième point P2 et l'extrémité E.In particular, the connection means of the antenna access terminals 1, 2 of FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A may also be conductors. It is also possible to add an active or passive element, such as, for example, a capacitor, to terminals 1, 2 of access to FIGS. 1A, 2A, 3A, 4A. There can be provided a number of turns equal to one, two or more between the first point P1 and the second point P2. It can be expected a number of turns equal one, two or more between the first tap A and the end D. There may be provided a number of turns equal to one, two or more between the first tap A and the end E. A number of taps may be provided. turns equal to one, two or more between the first point P1 and the end D. It may be provided a number of turns equal to one, two or more between the first point P1 and the end E. It may be provided a number of turns equal to one, two or more between the second point P2 and the end D. It may be provided a number of turns equal to one, two or more between the second point P2 and the end E.
L'antenne peut être réalisée en technologie fïlaire, gravée, imprimée (plaque de circuit imprimé), en cuivre, en aluminium, à particules d'argent ou d'aluminium et tout autre conducteur électrique et tout autre conducteur non électrique mais prévue chimiquement à cet effet.The antenna can be made of wire, engraved, printed (printed circuit board), copper, aluminum, silver particle or aluminum and any other electrical conductor and any other non-electrical conductor but chemically predicted to this effect.
Les spires de l'antenne peuvent être réalisées en multi-couches, superposées ou non, dans sa totalité ou partiellement. Ainsi que représenté à la figure 10, au moins une spire S2 de l'antenne peut comprendre en série un enroulement S2' de spires de plus petite surface entourée par rapport à la surface entourée par le reste S2" de la spire S2 ou par rapport à la surface entourée par les autres spires de l'antenne 3, afin d'augmenter la résistance ou l'inductance de la spire S2 sans accentuer le couplage, la mutuelle inductance et le rayonnement général de l'antenne 3.The turns of the antenna can be made in multi-layers, superimposed or not, in whole or in part. As shown in FIG. 10, at least one turn S2 of the antenna may comprise in series a winding S2 'of turns of smaller surface area surrounded with respect to the surface surrounded by the remainder S2 "of the turn S2 or relative at the surface surrounded by the other turns of the antenna 3, in order to increase the resistance or the inductance of the turn S2 without accentuating the coupling, the mutual inductance and the general radiation of the antenna 3.
Le(s) capacités peuvent être en élément discret (composant) ou réalisés en technologie planaire.The capacity (s) can be in discrete element (component) or made in planar technology.
Le(s) capacités peuvent être rajoutées à l'antenne pendant le processus de fabrication des enroulements de spires comme un élément extérieur à la plaque de circuit imprimé et de l'antenne, notamment en technologie fïlaire.The capacitance (s) can be added to the antenna during the process of manufacturing the windings of turns as an element outside the printed circuit board and the antenna, especially in wire technology.
Le(s) capacités peuvent être intégrées dans un module, notamment celui du silicium.The capacitance (s) can be integrated in a module, in particular silicon.
Le(s) capacités peuvent être intégrées et réalisées sur une plaque de circuit imprimé. Les spires S de l'antenne 3 peuvent être réparties sur plusieurs plans physiques distincts, par exemple parallèles. Les spires sont formées de tronçons par exemple rectilignes mais pouvant également avoir toute autre forme.The capacitance (s) can be integrated and realized on a printed circuit board. The turns S of the antenna 3 can be distributed over several different physical planes, for example parallel. The turns are formed of sections, for example rectilinear but may also have any other shape.
Les spires de l'antenne peuvent être sous la forme d'un fil qui sera ensuite chauffé pour être incorporé sur ou dans un substrat isolant. Les spires de l'antenne peuvent être gravées sur un substrat isolant.The turns of the antenna may be in the form of a wire which will then be heated to be embedded on or in an insulating substrate. The turns of the antenna can be etched on an insulating substrate.
Les spires de l'antenne peuvent être sur des faces opposées d'un substrat isolant.The turns of the antenna may be on opposite sides of an insulating substrate.
Les spires sont par exemple sous la forme de rubans parallèles.The turns are for example in the form of parallel ribbons.
Aux figures suivantes est représenté un module M de charge, tel que par exemple une puce, le module M étant connecté entre la première borne 1 d'accès et la deuxième borne 2 d'accès.In the following figures is shown a load module M, such as for example a chip, the module M being connected between the first access terminal 1 and the second terminal 2 access.
Dans le mode de réalisation représenté à la figure 12, l'antenne L est formée par les spires Sl, S2 situées entre la première borne D d'extrémité et la deuxième borne E d'extrémité. La première borne D est reliée à la deuxième borne 2 d'accès formant le deuxième point P2.In the embodiment shown in FIG. 12, the antenna L is formed by the turns S1, S2 situated between the first end terminal D and the second end terminal E. The first terminal D is connected to the second access terminal 2 forming the second point P2.
La capacité Cl d'accord à une fréquence d'accord prescrite comporte une première borne ClX de capacité et une deuxième borne ClE de capacité.The tuning capacitance Cl at a prescribed tuning frequency comprises a first capacitance terminal ClX and a second capacitance terminal ClE.
La première borne ClX de capacité est reliée à la première borne 1 par le moyen CON31 à la première borne 1 d'accès.The first capacitance terminal ClX is connected to the first terminal 1 by means CON31 at the first access terminal 1.
La deuxième borne ClE de capacité est reliée à la deuxième borne E d'extrémité.The second capacity terminal ClE is connected to the second end terminal E.
Le deuxième point P2 est formé par la deuxième borne 2 d'accès.The second point P2 is formed by the second access terminal 2.
Le premier point Pl de l'antenne et la prise intermédiaire A de l'antenne sont formés par la première borne 1 d'accès.The first point Pl of the antenna and the intermediate point A of the antenna are formed by the first terminal 1 access.
Le deuxième point P2, 2 de l'antenne L est relié au premier point Pl, 1, A de l'antenne L par au moins une première spire Sl de l'antenne L.The second point P2, 2 of the antenna L is connected to the first point P1, 1, A of the antenna L by at least a first turn S1 of the antenna L.
L'antenne L est formée par une ou plusieurs deuxièmes spires Sl entre E et A, à savoir par exemple par deux deuxièmes spires S 1 , reliées par le point A à une ou plusieurs spires S2 allant du point A à la borne D, par exemple trois spires S2. II y a au moins une spire de l'antenne L entre le premier point Pl et le deuxième point P2, à savoir la au moins une spire S2 entre Pl et P2.The antenna L is formed by one or more second turns S1 between E and A, that is, for example, by two second turns S 1, connected by the point A to one or more turns S2 going from the point A to the terminal D, by example three turns S2. There is at least one turn of the antenna L between the first point P1 and the second point P2, namely the at least one turn S2 between P1 and P2.
La capacité Cl d'accord est formée par une ou plusieurs troisièmes spires SC3 (par exemple cinq spires SC3) comportant deux première et deuxième extrémités SC31, SC32 et par une ou plusieurs quatrièmes spires SC4 (par exemple cinq spires SC4) comportant deux première et deuxième extrémités SC41, SC42.The capacity Cl of agreement is formed by one or more third turns SC3 (for example five turns SC3) having two first and second ends SC31, SC32 and by one or more fourth turns SC4 (for example five turns SC4) comprising two first and second ends SC41, SC42.
La au moins une troisième spire SC3 est distincte des spires Sl, S2 formant l'antenne L et est reliée à l'une E des bornes d'extrémité de l'antenne L. La au moins une quatrième spire SC4 est distincte des spires Sl, S2 formant l'antenne L et est séparée électriquement par rapport aux troisièmes spires SC3, par exemple en longeant les troisièmes spires SC3, pour que les spires SC3 soient disposées face aux spires SC4, par exemple en ayant des tronçons parallèles. L'extrémité SC31 forme la borne ClE et est reliée à la borne E. L'extrémité SC32 est libre et isolée de SC4. L'extrémité SC41 est libre et isolée de SC3. L'extrémité SC42 forme la borne ClX et est reliée à la prise intermédiaire A, 1, Pl. L'extrémité SC31 est éloignée de l'extrémité SC42, tout en étant proche et isolée de l'extrémité SC41. L'extrémité SC42 est éloignée de l'extrémité SC31, tout en étant proche et isolée de l'extrémité SC32.The at least one third turn SC3 is distinct from the turns S1, S2 forming the antenna L and is connected to one E of the end terminals of the antenna L. The at least one fourth turn SC4 is distinct from the turns S1 , S2 forming the antenna L and is electrically separated from the third turns SC3, for example along the third turns SC3, so that the turns SC3 are arranged facing the turns SC4, for example by having parallel sections. The end SC31 forms the terminal ClE and is connected to the terminal E. The end SC32 is free and isolated from SC4. The SC41 end is free and isolated from SC3. The end SC42 forms the terminal ClX and is connected to the intermediate socket A, 1, Pl. The end SC31 is remote from the end SC42, while being close to and isolated from the end SC41. The end SC42 is remote from the end SC31, while being close and isolated from the end SC32.
Les tronçons des troisièmes spires SC3 situés en face des quatrièmes spires SC4, qui ne sont pas connectées électriquement aux quatrièmes spires SC4, définissent la capacité Cl. Du fait des troisièmes spires SC3 et des quatrièmes spires SC4 amenant en elles-mêmes une inductance du fait de l'enroulement des spires, l'impédance ZZ située entre les extrémités SC31, SC42 servant à la connexion de la capacité Cl au reste du circuit ramènent également une inductance. L'impédance ZZ entre les extrémités SC31, SC42 de connexion peut par exemple être vue comme comportant un circuit capacitif- inductif résonant parallèle et/ou série selon la figure 33, comportant deux branches parallèles, avec dans l'une des branches la capacité Cl et dans l'autre branche une capacité en série avec une inductance. Par conséquent, l'impédance ZZ vue entre les extrémités SC31, SC42 de connexion comporte la capacité Cl. La valeur de la capacité Cl de l'impédance ZZ dépend de la relation entre les spires SC3 et SC4, et notamment de leur disposition réciproque, par exemple adjacente.The sections of the third turns SC3 located in front of the fourth turns SC4, which are not electrically connected to the fourth turns SC4, define the capacitor C1. Due to the third turns SC3 and the fourth turns SC4, which in themselves induce an inductance. the winding of the turns, the impedance ZZ located between the ends SC31, SC42 serving to connect the capacitor C1 to the rest of the circuit also reduce an inductance. The impedance ZZ between the connection ends SC31, SC42 can for example be seen as comprising a capacitive-inductive resonant parallel and / or series circuit according to FIG. 33, comprising two parallel branches, with in one branch the capacitance Cl and in the other branch a capacitance in series with an inductor. Therefore, the ZZ impedance seen between connection ends SC31, SC42 has the capacitance Cl. The value of the capacitance C1 of the impedance ZZ depends on the relation between the turns SC3 and SC4, and in particular of their mutual arrangement, for example adjacent.
A la figure 12, il y a au moins une spire Sl entre la prise intermédiaire A reliée à la borne 1 d'accès du module et l'impédance ZZ formée par la au moins une troisième spire SC3 et la au moins une quatrième spire SC4.In FIG. 12, there is at least one turn S1 between the intermediate tap A connected to the access terminal 1 of the module and the impedance ZZ formed by the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4. .
L'impédance ZZ formée par la au moins une troisième spire SC3 et par la au moins une quatrième spire SC4 est auto-résonante, du fait qu'une capacité et une inductance en série et/ou parallèle sont contenues dans l'impédance ZZ. Le schéma électrique équivalent du circuit représenté à la figure 12 est représenté à la figure 34. La au moins une troisième spire SC3 et la au moins une quatrième spire SC4 permettent d'égaliser la fréquence d'accord du module M (par exemple puce) se trouvant en parallèle avec une inductance (spire(s) S2) sur la fréquence d'accord du circuit formé par la au moins une troisième spire SC3 et la au moins une quatrième spire SC4, par exemple pour avoir la fréquence d'accord prescrite à 13,56 MHz.The impedance ZZ formed by the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4 is self-resonant, because a capacitance and a series and / or parallel inductance are contained in the impedance ZZ. The equivalent circuit diagram of the circuit shown in FIG. 12 is represented in FIG. 34. The at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4 make it possible to equalize the tuning frequency of the module M (for example chip) being in parallel with an inductor (turn (s) S2) on the tuning frequency of the circuit formed by the at least one third turn SC3 and the at least one fourth turn SC4, for example to have the tuning frequency prescribed at 13.56 MHz.
On parvient ainsi à obtenir un couplage grand entre le circuit auto-résonant ZZ, SC3, SC4 et le circuit formé par le module M se trouvant en parallèle avec la ou les spires S2, en diminuant la mutuelle inductance entre ces deux circuits. L'inductance formée par la ou les spires Sl située(s) entre le module M et les spires SC3, SC4 formant le circuit auto-résonant ZZ permet de jouer sur cette mutuelle inductance entre le circuit auto-résonant ZZ, SC3, SC4 et le circuit formé par le module M se trouvant en parallèle avec la ou les spires S2.It is thus possible to obtain a large coupling between the self-resonant circuit ZZ, SC3, SC4 and the circuit formed by the module M being in parallel with the or turns S2, decreasing the mutual inductance between these two circuits. The inductance formed by the one or more turns S1 located between the module M and the turns SC3, SC4 forming the self-resonant circuit ZZ makes it possible to play on this mutual inductance between the self-resonant circuit ZZ, SC3, SC4 and the circuit formed by the module M being in parallel with the or turns S2.
On parvient ainsi, par un agencement astucieux de la valeur des courants et inductances intrinsèques des spires, à paramétrer les valeurs de mutuelles inductances entre les deux circuits d'antennes précités (M, S2) et (ZZ, Sl) et à obtenir deux accords en fréquence quasi indépendants l'un de l'autre ou deux accords en fréquence très proches l'un de l'autre, par exemple avec des écarts de fréquence d'accord < 10 MHz, < 2 MHz ou < 500 KHz ou 2 accords en fréquence confondus dans une même plage de fréquence, ce qui permet d'obtenir une grande largeur de bande passante par rapport au canal de transmission RFID, tout en gardant une grande efficacité de couplage et donc de transmission d'énergie, alors même que la surface d'intégration du circuit d'antenne peut être très réduite, par exemple < 16cm2 ou < 8 cm2.Thus, by a clever arrangement of the value of the intrinsic currents and inductances of the turns, it is possible to parameterize the values of mutual inductances between the two aforementioned antenna circuits (M, S2) and (ZZ, S1) and to obtain two chords. in frequency quasi-independent of one another or two frequency agreements very close to one another, for example with tuning frequency differences <10 MHz, <2 MHz or <500 KHz or 2 chords frequency in the same frequency range, which makes it possible to obtain a large bandwidth with respect to the RFID transmission channel, while keeping a high efficiency of coupling and therefore energy transmission, even though the integration surface of the antenna circuit can be very small, for example <16cm 2 or <8 cm 2 .
On cherche notamment à avoir la plus grande possible l'inductance des spires S2 se trouvant en parallèle avec le module M afin d'obtenir un accord en fréquence au plus proche de la fréquence utile, pour exemple 13.56MHz.One seeks in particular to have as much as possible the inductance of the turns S2 being in parallel with the module M in order to obtain a tuning frequency closest to the useful frequency, for example 13.56MHz.
On cherche notamment à avoir la plus petite possible l'inductance contenue dans le circuit auto-résonant ZZ, SC3, SC4 afin de permettre l'intégration du circuit d'antenne dans une petite surface < 16 cm2 comme par exemple une étiquette (tag en anglais) ou un circuit autocollant (en anglais : sticker).In particular, the aim is to have the inductance contained in the self-resonant circuit ZZ, SC3, SC4 as small as possible in order to allow the integration of the antenna circuit into a small area <16 cm 2, for example a tag (tag in English) or a sticker circuit (in English: sticker).
De plus, on voit que l'un des intérêts de l'invention est la possibilité de paramétrer la mutuelle inductance entre les circuits d'antennes, par exemple, entre d'une part le circuit d'antenne comportant la puce transpondeur ou lecteur et d'autre part une première et une seconde partie d'antenne, de façon à paramétrer la mutuelle inductance finale du système transpondeur ou lecteur. De plus, contrairement aux documents de l'état de la technique indiqués ci-dessus, on parvient à produire deux accords en fréquence quasi indépendants l'un de l'autre ou deux accords en fréquence très proches l'un de l'autre, par exemple < 10 MHz, < 2 MHz ou < 500KHz ou 2 accords en fréquence confondus dans une même plage de fréquence. Suivant des modes de réalisation de l'invention, il est prévu au moins une connexion électrique entre un premier circuit d'antenne comportant la puce et au moins un second (ou plus) circuit d'antenne comportant au moins un élément capacitif.In addition, it can be seen that one of the advantages of the invention is the possibility of parameterizing the mutual inductance between the antenna circuits, for example, between, on the one hand, the antenna circuit comprising the transponder chip or reader and on the other hand a first and a second antenna part, so as to set the mutual final inductance of the transponder or reader system. Moreover, unlike the documents of the state of the art indicated above, it is possible to produce two frequency agreements that are almost independent of one another or two frequency agreements that are very close to one another, for example <10 MHz, <2 MHz or <500KHz or 2 frequency agreements combined in the same frequency range. According to embodiments of the invention, at least one electrical connection is provided between a first antenna circuit comprising the chip and at least one second (or more) antenna circuit comprising at least one capacitive element.
En particulier, les dispositifs selon les documents EP-A- 1031 939 θt FR-A- 2777141 ne permettent pas de produire deux accords en fréquence quasi indépendants l'un de l'autre ou deux accords en fréquence très proches l'un de l'autre par exemple < 10 MHz, < 2MHz ou < 500KHz ou 2 accords en fréquence confondus dans une même plage de fréquence. En effet, plus la mutuelle inductance entre les 2 circuits d'antennes est grande, plus les 2 accords dit « naturels » des 2 circuits d'antennes augmentent. Si on veut que ces 2 accords en fréquence soient proches, il faut donc diminuer la mutuelle inductance en, par exemple, diminuant fortement l'une des surfaces de circuit d'antenne par rapport à l'autre ce qui induit une perte considérable dans l'efficacité du transpondeur.In particular, the devices according to the documents EP-A-1031 939 and FR-A-2777141 do not make it possible to produce two frequency agreements that are almost independent of one another or two frequency agreements that are very close to one another. other example <10 MHz, <2MHz or <500KHz or 2 frequency agreements combined in the same frequency range. In fact, the greater the mutual inductance between the 2 antenna circuits, the more the 2 so-called "natural" agreements of the 2 antenna circuits increase. If we want these two frequency agreements to be close, we must reduce the mutual inductance by, for example, decreasing strongly one of the antenna circuit surfaces relative to the other which induces a considerable loss in the transponder efficiency.
Des moyens sont prévus pour assurer un couplage COUPL 12 par mutuelle inductance entre les spires voisines Sl et S2. Des moyens sont prévus pour assurer un couplage COUPLZZ par mutuelle inductance entre les spires voisines Sl et SC3, SC4 de l'impédance ZZ. Ce couplage par mutuelle inductance est par exemple dû à la disposition de Sl proche de S2 et à la disposition de Sl proche de SC3, SC4. Par exemple, à la figure 12, on a successivement de la périphérie vers le centre : S2, Sl, SC3, SC4. Le circuit d'antenne possède au mois deux mutuelles inductances intrinsèques propres couplées entre elles : entre Sl et S2, entre Sl et ZZ.Means are provided for coupling COUPL 12 by mutual inductance between neighboring turns S1 and S2. Means are provided for coupling COUPLZZ by mutual inductance between the neighboring turns S1 and SC3, SC4 of the impedance ZZ. This coupling by mutual inductance is for example due to the arrangement of Sl close to S2 and to the arrangement of S1 close to SC3, SC4. For example, in FIG. 12, successively from the periphery to the center: S2, S1, SC3, SC4. The antenna circuit has at least two mutually intrinsic intrinsic inductances coupled between them: between Sl and S2, between Sl and ZZ.
On parvient ainsi à augmenter la distance de lecture du circuit de la figure 12.It is thus possible to increase the reading distance of the circuit of FIG. 12.
Ci-dessous sont indiqués d'autres modes de réalisation de l'invention dans le tableau ci-dessous, en référence aux figures ci-dessous mentionnées. Dans ce tableau sont indiqués les points connectés électriquement ensemble dans les quatre colonnes correspondantes (1, A), (ClE, E), (ClX, Pl) et (2, P2), ainsi que les nombres de spires. Dans les figures 12 et suivantes mentionnées ci-dessous, le moyen de connexion CONlA de la prise intermédiaire A avec la première borne 1 d'accès, le moyen CON2E de connexion de la deuxième borne E d'extrémité à la deuxième borne ClE de capacité, le moyen CON31 de connexion de la première borne ClX de capacité au premier point Pl de l'antenne L et le moyen CON32 de connexion de la deuxième borne 2 d'accès au deuxième point P2 sont mis en œuvre par des conducteurs électriques, sans être forcément indiqués aux figures ni dans le tableau ci-dessous. La colonne A-E indique le nombre de spires Sl entre A et E. La colonne A-D indique le nombre de spires S2 entre A et D. La colonne P1-P2 indique le nombre N12 égal à au moins une spire S de l'antenne L entre les points Pl et P2. La dernière colonne à droite indique soit la présence de l'impédance ZZ formée par les spires SC3 et SC4 en indiquant dans ce cas le nombre de spires de ZZ entre parenthèses, soit la présence d'une capacité C30 supplémentaire, dite première capacité, formée par un composant capacitif à diélectrique entre ses bornes. On entend par composant capacitif diélectrique toute réalisation permettant l'agencement d'une capacité. Le cas échéant, ce composant capacitif peut être formé par un autre circuit ZZ. Other embodiments of the invention are given in the table below, with reference to the figures below mentioned. In this table are indicated the electrically connected points together in the four corresponding columns (1, A), (ClE, E), (ClX, Pl) and (2, P2), as well as the number of turns. In FIGS. 12 and following mentioned below, the connecting means CONlA of the intermediate tap A with the first access terminal 1, the connecting means CON2E connecting the second end terminal E to the second terminal ClE of capacity the means CON31 connecting the first capacitance terminal ClX to the first point Pl of the antenna L and the connecting means CON32 connecting the second terminal 2 to the second point P2 are implemented by electrical conductors, without be necessarily indicated in the figures or in the table below. The column AE indicates the number of turns S1 between A and E. The column AD indicates the number of turns S2 between A and D. The column P1-P2 indicates the number N12 equal to at least one turn S of the antenna L between points P1 and P2. The last column on the right indicates either the presence of the impedance ZZ formed by the turns SC3 and SC4, indicating in this case the number of ZZ turns in parentheses, ie the presence of an additional capacitor C30, called the first capacitor, formed by a capacitive dielectric component between its terminals. The term "dielectric capacitive component" means any embodiment allowing the arrangement of a capacity. If necessary, this capacitive component may be formed by another circuit ZZ.
Aux figures 16 et 18, deux capacités C30 et ZZ sont prévues. La capacité ZZ est formée par les spires SC3, SC4 entre SC42 et SC31 (par exemple 4 spires), avec SC31 formant ClXZ. En plus de Z, une autre capacité C30 formée par un composant capacitif est prévue entre E et ClXCl. La borne ClXCl est reliée à un point PCl de l'antenne L, qui est distant de P2 d'au moins une spire, par exemple une spire à cette figure. Aux figures 16 et 18, ZZ est entre ClXZ et ClE, et C30 est un composant capacitif entre E et ClXCl.In Figures 16 and 18, two capacities C30 and ZZ are provided. The capacitance ZZ is formed by turns SC3, SC4 between SC42 and SC31 (for example 4 turns), with SC31 forming ClXZ. In addition to Z, another capacity C30 formed by a capacitive component is provided between E and ClXCl. The terminal ClXCl is connected to a point PC1 of the antenna L, which is at a distance of P2 from at least one turn, for example a turn to this figure. In Figures 16 and 18, ZZ is between ClXZ and ClE, and C30 is a capacitive component between E and ClXCl.
A la figure 22, deux capacités C30 et ZZ sont prévues en série entre la borne ClE, E et la borne ClX, Pl formée par l'extrémité SC42. La capacité ZZ est formée par les spires SC3, SC4 entre SC42 et SC31 (par exemple 4 spires), avec SC31 formant PCl. En plus de Z, une autre capacité C30 formée par un composant capacitif est prévue entre E et PCl. La borne PCl est reliée au point 2, P2 de l'antenne L. La borne ClE, E est formée par l'extrémité de la ou des spires Sl, éloignée de la borne 2. A la figure 20, deux capacités C30 et ZZ sont prévues en série entre la borneIn FIG. 22, two capacitors C30 and ZZ are provided in series between the terminal ClE, E and the terminal ClX, Pl formed by the end SC42. The capacitance ZZ is formed by the turns SC3, SC4 between SC42 and SC31 (for example 4 turns), with SC31 forming PC1. In addition to Z, another capacity C30 formed by a capacitive component is provided between E and PCl. The terminal PC1 is connected to the point 2, P2 of the antenna L. The terminal ClE, E is formed by the end of the or turns Sl, remote from the terminal 2. In FIG. 20, two capacitors C30 and ZZ are provided in series between the terminal
ClE, E et la borne ClX, Pl formée par l'extrémité SC42. La capacité ZZ est formée par les spires SC3, SC4 entre SC42 et SC31 (par exemple 4 spires), avec SC31 en relié en série avec le point PCl par une ou plusieurs spires SlO (par exemple deux spires SlO). En plus de Z, une autre capacité C30 formée par un composant capacitif est prévue entre E et PCl. La borne PCl est reliée au point 2, P2 de l'antenne L. La borne ClE, E est formée par l'extrémité de la ou des spires Sl, éloignée de la borne 2.ClE, E and the terminal ClX, Pl formed by the end SC42. The capacitance ZZ is formed by the turns SC3, SC4 between SC42 and SC31 (for example 4 turns), with SC31 connected in series with the point PC1 by one or more turns SlO (for example two turns SlO). In addition to Z, another capacity C30 formed by a capacitive component is provided between E and PCl. The terminal PCl is connected to the point 2, P2 of the antenna L. The terminal ClE, E is formed by the end of the or turns Sl, remote from the terminal 2.
Aux figures 23, 24 sont prévus deux points PRl et PR2 de rebroussement dans les spires Sl entre A et E. Le point PRl est éloigné de A par au moins une spire et de E par au moins une spire (par exemple deux spires entre A et PRl et deux spires entre PRl et E). Le point PR2 est éloigné de A par au moins une spire et de E par au moins une spire (par exemple une spire entre A et PR2 et trois spires entre PR2 et E).In FIGS. 23 and 24 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and E. The point PR1 is away from A by at least one turn and E by at least one turn (for example two turns between A and PR1 and two turns between PR1 and E). The point PR2 is away from A by at least one turn and E by at least one turn (for example a turn between A and PR2 and three turns between PR2 and E).
A la figure 23, PR2 est éloigné de P2 par au moins une spire. A la figure 25 sont prévus deux points PRl et PR2 de rebroussement dans les spires Sl entre A et E. Le point PRl est situé en A. Le point PR2 est éloigné de A par au moins une spire et de E par au moins une spire (par exemple une spire entre A et PR2 et trois spires entre PR2 et E). A la figure 26 sont prévus deux points PRl et PR2 de rebroussement dans les spires Sl entre A et E. Le point PRl est situé en A. Le point PR2 est éloigné de A par au moins une spire et de E par au moins une spire (par exemple une spire entre A et PR2 et quatre spires entre PR2 et E).In Figure 23, PR2 is away from P2 by at least one turn. In FIG. 25 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and E. The point PR1 is located in A. The point PR2 is away from A by at least one turn and E by at least one turn (for example a turn between A and PR2 and three turns between PR2 and E). In FIG. 26 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and E. The point PR1 is located in A. The point PR2 is away from A by at least one turn and from E by at least one turn (for example a turn between A and PR2 and four turns between PR2 and E).
A la figure 27 sont prévus deux points PRl et PR2 de rebroussement dans les spires Sl entre A et D. Le point PRl est éloigné de A par au moins une spire et de D par au moins une spire (par exemple une spire entre A et PRl et deux spires entre PRl et D). Le point PR2 est éloigné de A par au moins une spire et de D par au moins une spire (par exemple deux spires entre A et PR2 et une spire entre PR2 et D). Aux figures 29 et 30, un point milieu PM de fixation d'un potentiel à un potentiel de référence est prévu sur l'antenne à mi-chemin entre les deux bornes d'extrémité D et E de l'antenne. A la figure 29, où le nombre de spires de l'antenne entre D et E est pair, le point milieu PM est éloigné des autres points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, Pl, D par au moins une spire de l'antenne. A la figure 30, où le nombre de spires de l'antenne entre D et E est impair, le point milieu PM est éloigné des autres points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, Pl, D par au moins une demi-spire de l'antenne et se trouve par exemple de l'autre côté par rapport au côté ayant ces points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, Pl, D.In FIG. 27 are provided two points PR1 and PR2 for reversing in the turns S1 between A and D. The point PR1 is away from A by at least one turn and D by at least one turn (for example a turn between A and PR1 and two turns between PR1 and D). The point PR2 is away from A by at least one turn and D by at least one turn (for example two turns between A and PR2 and a turn between PR2 and D). In FIGS. 29 and 30, a mid-point PM for fixing a potential to a reference potential is provided on the antenna halfway between the two end terminals D and E of the antenna. In FIG. 29, where the number of turns of the antenna between D and E is even, the midpoint PM is distant from the other points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, P1, D by at least a turn of the antenna. In FIG. 30, where the number of turns of the antenna between D and E is odd, the midpoint PM is remote from the other points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, P1, D by at least a half-turn of the antenna and is for example on the other side with respect to the side having these points 1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, Pl, D.
Bien entendu, dans ce qui précède, le nombre de spires entre les points mentionnés sur l'antenne (1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, Pl, D, ainsi que le ou les points de rebroussement) peut être quelconque, par exemple en étant supérieur ou égal à un. Ces nombres de spires peuvent être entiers, par exemple ainsi que représenté aux figures, ou non entiers comme par exemple aux figures 31 et 32.Of course, in the foregoing, the number of turns between the points mentioned on the antenna (1, A, 2, P2, ClE, E, ClX, P1, D, as well as the cusp point (s)) can be whatever, for example by being greater than or equal to one. These numbers of turns may be integers, for example as shown in the figures, or not integers such as for example in FIGS. 31 and 32.
Aux figures 12, 13, 14, 19, 21, 25, 26 est prévu un point PR3 de rebroussement au point 1, A, c'est-à-dire une inversion du sens d'enroulement des spires de l'antenne au passage de 1, A en allant de D vers E. Aux figures 15, 16, 17, 18, 22, 23, 24, 27, 28, 29, 30, 31 et 32, on passe par le point 1, A en allant de D vers E en gardant le même sens d'enroulement des spires de l'antenne. Toutefois, on effectue un ou plusieurs changements de sens d'enroulement des spires en un point PR2, PRl autre que 1, A aux figures 23, 24, 26, 27. La première borne d'accès est distincte de la deuxième borne d'accès en ce que la première borne d'accès est séparée de la deuxième borne d'accès par une ou plusieurs spires.In FIGS. 12, 13, 14, 19, 21, 25, 26 is provided a point PR3 of reversal at point 1, A, that is to say an inversion of the winding direction of the turns of the antenna to the passage 1, A from D to E. In Figures 15, 16, 17, 18, 22, 23, 24, 27, 28, 29, 30, 31 and 32, we go through the point 1, A going from D to E keeping the same winding direction of the turns of the antenna. However, one or more changes in winding direction of the turns are made at a point PR2, PR1 other than 1, A in FIGS. 23, 24, 26, 27. The first access terminal is distinct from the second terminal of FIG. access in that the first access terminal is separated from the second access terminal by one or more turns.
Une seule première borne 1 d'accès et une seule deuxième borne 2 d'accès sont par exemple prévues. Dans un mode de réalisation, un transpondeur TRANS comme charge Z est connecté à la première borne 1 et à la deuxième borne 2, comme par exemple à la figure 35.Only one first access terminal 1 and only one second access terminal 2 are for example provided. In one embodiment, a transponder TRANS as load Z is connected to the first terminal 1 and the second terminal 2, as for example in FIG.
Les figures 35 à 46 correspondent à l'un quelconque des modes de réalisation décrits ci-dessus, où les capacités ClO, C20 présentes le cas échéant n'ont pas été représentées.Figures 35 to 46 correspond to any of the embodiments described above, where the capacities ClO, C20 present where appropriate have not been represented.
Dans un autre mode de réalisation, un lecteur LECT comme charge Z est connecté à la première borne 1 et à la deuxième borne 2, comme par exemple à la figure 36.In another embodiment, a reader LECT as load Z is connected to the first terminal 1 and the second terminal 2, as for example in FIG.
Plusieurs charges peuvent être prévues. Dans un autre mode de réalisation, plusieurs charges Z distinctes peuvent être connectées à la même première borne 1 d'accès et à la même deuxième borne 2 d'accès.Several charges can be provided. In another embodiment, several separate charges Z can be connected to the same first access terminal 1 and to the same second access terminal 2.
Par exemple, un transpondeur TRANS en tant que première charge Zl et un lecteur LECT en tant que deuxième charge Z2 peuvent être connectés à la même première borne 1 et à la même deuxième borne 2, ainsi que représenté par exemple aux figures 37 et 38, le transpondeur TRANS et le lecteur LECT étant électriquement en parallèle à la figure 38.For example, a transponder TRANS as the first load Z1 and a reader LECT as the second load Z2 can be connected to the same first terminal 1 and the same second terminal 2, as shown for example in FIGS. 37 and 38, the TRANS transponder and the reader LECT being electrically in parallel with FIG.
Dans un autre mode de réalisation, l'antenne peut comporter, pour la connexion de plusieurs charges distinctes, plusieurs premières bornes 1 d'accès distinctes entre elles et/ou plusieurs deuxièmes bornes 2 d'accès distinctes entre elles. Des premières bornes 1 d'accès distinctes sont séparées entre elles par au moins une spire de l'antenne. Des deuxièmes bornes 2 d'accès distinctes sont séparées entre elles par au moins une spire de l'antenne.In another embodiment, the antenna may comprise, for the connection of several separate loads, a plurality of first distinct access terminals 1 and / or a plurality of second access terminals 2 distinct from each other. First distinct access terminals 1 are separated from each other by minus one turn of the antenna. Separate second terminals 2 are separated from each other by at least one turn of the antenna.
Par exemple, à la figure 39, un transpondeur TRANS en tant que première charge Zl est connecté entre la première borne 1 d'accès et la deuxième borne 2 d'accès, tandis qu'un lecteur LECT en tant que deuxième charge Z2 est connecté entre une autre première borne 11 d'accès et une autre deuxième borne 12 d'accès.For example, in FIG. 39, a transponder TRANS as the first load Z1 is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2, while an LECT reader as the second load Z2 is connected. between another first access terminal 11 and another second access terminal 12.
Par exemple, à la figure 40, un transpondeur TRANS en tant que première charge Zl est connecté entre la première borne 1 d'accès et la deuxième borne 2 d'accès, tandis qu'un lecteur LECT en tant que deuxième charge Z2 est connecté entre une autre deuxième borne 12 d'accès et la deuxième borne d'accès 2 (bornes d'accès successives).For example, in FIG. 40, a transponder TRANS as the first load Z1 is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2, while an LECT reader as the second load Z2 is connected. between another second access terminal 12 and the second access terminal 2 (successive access terminals).
Dans un autre mode de réalisation, plusieurs applications RFID, et/ou lecteur RFID et/ou transpondeur RFID peuvent être connectés entre les première et deuxième bornes 1, 2 d'accès identiques ou entre des première et deuxième bornes 1, 2 d'accès distinctes, comme par exemple les applications désignées par APPLl, APPL3 à la figure 41 entre des première et deuxième bornes 1, 2, d'accès distinctes 1, 2, 12, 13 successives.In another embodiment, a plurality of RFID applications, and / or RFID reader and / or RFID transponder may be connected between the first and second identical access terminals 1, 2 or between first and second access terminals 1, 2 distinct, as for example the applications designated by APPLl, APPL3 in Figure 41 between first and second terminals 1, 2, access distinct 1, 2, 12, 13 successive.
Bien entendu, dans ce qui précède, le rôle de la première borne 1 d'accès et le rôle de la deuxième borne 2 d'accès peuvent être intervertis. Dans ce qui précède, la charge Z connectée aux bornes 1, 2 d'accès a par exemple une fréquence d'accord prescrite, ainsi que cela est représenté à la figure 42. Cette fréquence d'accord est fixe.Of course, in the foregoing, the role of the first access terminal 1 and the role of the second access terminal 2 can be inverted. In the foregoing, the load Z connected to the access terminals 1, 2 has, for example, a prescribed tuning frequency, as shown in FIG. 42. This tuning frequency is fixed.
Cette fréquence d'accord prescrite est par exemple dans une bande haute fréquence (HF), la bande haute fréquence couvrant les fréquences supérieures ou égales à 30 kHz et inférieures à 80MHz. Cette fréquence d'accord est par exemple de 13.56 MHz.This prescribed tuning frequency is for example in a high frequency band (HF), the high frequency band covering frequencies greater than or equal to 30 kHz and less than 80 MHz. This tuning frequency is for example 13.56 MHz.
La fréquence d'accord peut également être dans une bande ultra haute fréquence (UHF), la bande ultra haute fréquence couvrant les fréquences supérieures ou égales à 80 MHz et inférieures ou égales à 5800 MHz. Par exemple dans ce cas, la fréquence d'accord est de 868 MHz ou 915 MHz. Dans un mode de réalisation, ladite au moins une première borne 1 d'accès et ladite au moins une deuxième borne 2 d'accès sont connectées à au moins une première charge Zl ayant une première fréquence d'accord prescrite et à au moins une deuxième charge Z2 ayant une deuxième fréquence d'accord prescrite différente de la première fréquence d'accord prescrite.The tuning frequency may also be in an ultra high frequency (UHF) band, the ultra high frequency band covering frequencies greater than or equal to 80 MHz and less than or equal to 5800 MHz. For example, in this case, the tuning frequency is 868 MHz or 915 MHz. In one embodiment, said at least one first access terminal 1 and said at least one second access terminal 2 are connected to at least one first load Z1 having a first prescribed frequency of agreement and to at least one second charge Z2 having a second prescribed tuning frequency different from the first prescribed tuning frequency.
Dans un mode de réalisation, une première charge Zl ayant la première fréquence d'accord prescrite dans la bande haute fréquence et une deuxième charge Z2 ayant la deuxième fréquence d'accord prescrite dans la bande ultra haute fréquence sont connectées aux bornes 1, 2 d'accès. Dans le mode de réalisation de la figure 43, la première charge Zl ayant la première fréquence d'accord prescrite dans la bande haute fréquence et une deuxième charge Z2 ayant la deuxième fréquence d'accord prescrite dans la bande ultra haute fréquence sont connectées à la même première borne 1 d'accès et à la même deuxième borne 2 d'accès. Dans le mode de réalisation de la figure 44, la première charge Zl ayant la première fréquence d'accord prescrite dans la bande haute fréquence est connectée entre la première borne 1 d'accès et la deuxième borne 2 d'accès, tandis que la deuxième charge Z2 ayant la deuxième fréquence d'accord prescrite dans la bande ultra haute fréquence est connectée entre une autre première borne 11 d'accès et une autre deuxième borne 12 d'accès.In one embodiment, a first load Z1 having the first prescribed tuning frequency in the high frequency band and a second load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra high frequency band are connected to the terminals 1, 2 d. 'access. In the embodiment of Fig. 43, the first load Z1 having the first tuning frequency prescribed in the high frequency band and a second load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra high frequency band are connected to the same first terminal 1 access and the same second terminal 2 access. In the embodiment of FIG. 44, the first load Z1 having the first tuning frequency prescribed in the high frequency band is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2, while the second Load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra high frequency band is connected between another first access terminal 11 and another second access terminal 12.
Dans les modes de réalisation des figures 45 et 46, la première charge Zl ayant la première fréquence d'accord prescrite dans la bande haute fréquence est connectée entre la première borne 1 d'accès et la deuxième borne 2 d'accès, tandis que la deuxième charge Z2 ayant la deuxième fréquence d'accord prescrite dans la bande ultra haute fréquence est connectée entre une autre deuxième borne 12 d'accès et la deuxième borne d'accès 2 (bornes d'accès successives), le nombre de spires entre les bornes étant différent entre les deux figures. In the embodiments of Figures 45 and 46, the first load Z1 having the first tuning frequency prescribed in the high frequency band is connected between the first access terminal 1 and the second access terminal 2, while the second load Z2 having the second tuning frequency prescribed in the ultra-high frequency band is connected between another second access terminal 12 and the second access terminal 2 (successive access terminals), the number of turns between the two terminals being different between the two figures.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108701890A (en) * | 2017-02-27 | 2018-10-23 | 华为技术有限公司 | A kind of NFC antenna and terminal equipment |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2963140B1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-08-31 | Oberthur Technologies | NON-CONTACT TYPE MICROCIRCUIT DEVICE |
EP2431926B1 (en) * | 2010-09-21 | 2018-05-23 | Inside Secure | NFC card for handheld device |
FR2966267A1 (en) | 2010-10-19 | 2012-04-20 | Inside Contactless | APPARATUS COMPRISING NEAR FIELD COMMUNICATION DEVICE BY INDUCTIVE COUPLING |
KR101273184B1 (en) | 2011-08-02 | 2013-06-17 | 엘지이노텍 주식회사 | Antenna and mobile terminal device therof |
JP5709690B2 (en) * | 2011-08-17 | 2015-04-30 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | antenna |
US9590761B2 (en) * | 2011-09-23 | 2017-03-07 | Commscope Technologies Llc | Detective passive RF components using radio frequency identification tags |
CN102544709B (en) * | 2011-12-21 | 2014-07-30 | 上海坤锐电子科技有限公司 | Mobile payment through-connection-bridge communication distance balanced through-connection-bridge antenna |
FR2985863B1 (en) * | 2012-01-18 | 2014-02-14 | Inside Secure | ANTENNA CIRCUIT FOR NFC DEVICE |
FR2991511B1 (en) * | 2012-06-01 | 2014-07-04 | Eray Innovation | RFID AND / OR NFC ANTENNA CIRCUIT |
CN103515698A (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-15 | 比亚迪股份有限公司 | NFC (Near Field Communication) antenna and electronic equipment |
US9934895B2 (en) * | 2012-06-29 | 2018-04-03 | Intel Corporation | Spiral near field communication (NFC) coil for consistent coupling with different tags and devices |
KR20140046754A (en) * | 2012-10-11 | 2014-04-21 | 삼성메디슨 주식회사 | Ultrasound system and method for automatically activating ultrasound probe based on motion of ultrasound probe |
KR102144360B1 (en) | 2012-12-05 | 2020-08-13 | 삼성전자주식회사 | Smart nfc antenna matching network system and user device including the same |
US9270343B2 (en) * | 2012-12-20 | 2016-02-23 | Nxp B.V. | Wireless charging recognizing receiver movement over charging pad with NFC antenna array |
TW201426220A (en) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Watch having NFC antenna |
TW201426221A (en) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Watch having NFC antenna |
US9293825B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-22 | Verifone, Inc. | Multi-loop antenna system for contactless applications |
KR101559527B1 (en) * | 2013-05-13 | 2015-10-14 | 주식회사 아모텍 | Nfc antenna module and portable terminal device having the same |
JP6146272B2 (en) * | 2013-11-22 | 2017-06-14 | トヨタ自動車株式会社 | Power receiving device and power transmitting device |
KR102184679B1 (en) | 2013-12-20 | 2020-11-30 | 삼성전자주식회사 | Smart nfc antenna matching network system having multiple antennas and user device including the same |
US20150188227A1 (en) * | 2013-12-31 | 2015-07-02 | Identive Group, Inc. | Antenna for near field communication, antenna arrangement, transponder with antenna, flat panel and methods of manufacturing |
KR101664439B1 (en) * | 2014-06-13 | 2016-10-10 | 주식회사 아모텍 | Nfci antenna module and portable device having the same |
WO2016059285A1 (en) * | 2014-10-14 | 2016-04-21 | Confidex Oy | Rfid transponder and rfid transponder web |
PL3010084T3 (en) * | 2014-10-17 | 2020-01-31 | Synoste Oy | A device with a receiving antenna and a related power transfer system |
FR3032050B1 (en) * | 2015-01-27 | 2018-02-16 | Starchip | MICROELECTRONIC CHIP WITH MULTIPLE PLOTS |
US10333200B2 (en) | 2015-02-17 | 2019-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Portable device and near field communication chip |
EP3231132A4 (en) * | 2015-02-20 | 2018-06-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | User authentication device |
US10819007B2 (en) * | 2015-05-21 | 2020-10-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
KR102511755B1 (en) * | 2015-06-12 | 2023-03-21 | 삼성전자주식회사 | Near field communication antenna and near field communication device having the same |
CN106329096B (en) * | 2015-06-30 | 2020-03-31 | 比亚迪股份有限公司 | NFC antenna |
US9947988B2 (en) * | 2015-08-06 | 2018-04-17 | Thin Film Electronics Asa | Wireless communication device with integrated ferrite shield and antenna, and methods of manufacturing the same |
US10692643B2 (en) * | 2015-10-27 | 2020-06-23 | Cochlear Limited | Inductance coil path |
US10649572B2 (en) | 2015-11-03 | 2020-05-12 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Multi-modal sensing surface |
US10955977B2 (en) | 2015-11-03 | 2021-03-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Extender object for multi-modal sensing |
US10338753B2 (en) | 2015-11-03 | 2019-07-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Flexible multi-layer sensing surface |
CN107368616B (en) * | 2016-05-11 | 2021-03-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Simulation model circuit for realizing radio frequency identification and simulation method thereof |
TWI625896B (en) * | 2016-05-13 | 2018-06-01 | Chen Yi Feng | Broadband multi-frequency dual loop antenna |
US10055619B2 (en) * | 2016-06-17 | 2018-08-21 | Intermec, Inc. | Systems and methods for compensation of interference in radiofrequency identification (RFID) devices |
CN106252842A (en) * | 2016-07-29 | 2016-12-21 | 中国科学院微电子研究所 | Gain antenna and communication system |
CN106299667A (en) * | 2016-09-26 | 2017-01-04 | 上海德门电子科技有限公司 | The NFC antenna device of adjustable self-resonant frequency and electronic equipment and method |
JP6369666B1 (en) * | 2016-09-26 | 2018-08-08 | 株式会社村田製作所 | ANTENNA DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
KR102452409B1 (en) * | 2016-10-19 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | Electronic device with radiating member |
US10152837B1 (en) | 2016-12-29 | 2018-12-11 | George Mallard | System and method for integrating credential readers |
BR102018007799A2 (en) * | 2018-04-18 | 2019-11-05 | Centro Nac De Tecnologia Eletronica Avancada S A | module type electronic radio frequency identification device |
GB2576319B (en) * | 2018-08-13 | 2021-01-06 | Pragmatic Printing Ltd | Capacitively coupled RFID communication |
EP3918523B1 (en) * | 2019-01-31 | 2024-06-05 | Linxens Holding | Chip card, antenna support for a chip card and method for manufacturing an antenna support for a chip card |
SE545998C2 (en) * | 2019-09-19 | 2024-04-09 | Husqvarna Ab | Wireless identification tags and corresponding readers |
AU2019466740A1 (en) * | 2019-09-19 | 2022-04-07 | Husqvarna Ab | Wireless identification tags and corresponding readers |
WO2024219926A1 (en) * | 2023-04-19 | 2024-10-24 | 삼성전자 주식회사 | Electronic device and antenna structure of electronic device |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3823403A (en) | 1971-06-09 | 1974-07-09 | Univ Ohio State Res Found | Multiturn loop antenna |
IL100451A (en) | 1990-12-28 | 1994-08-26 | Bashan Oded | Non-contact data communications system |
US5541399A (en) | 1994-09-30 | 1996-07-30 | Palomar Technologies Corporation | RF transponder with resonant crossover antenna coil |
US5955723A (en) | 1995-05-03 | 1999-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Contactless chip card |
US5708419A (en) | 1996-07-22 | 1998-01-13 | Checkpoint Systems, Inc. | Method of wire bonding an integrated circuit to an ultraflexible substrate |
PT919050E (en) | 1996-08-06 | 2000-08-31 | Meto International Gmbh | SECURITY ELEMENT FOR THE ELECTRONIC PROTECTION OF ARTICLES |
DE19753619A1 (en) | 1997-10-29 | 1999-05-06 | Meto International Gmbh | Identification tag with radio frequency identification transponder |
IL119943A (en) | 1996-12-31 | 2000-11-21 | On Track Innovations Ltd | Contact/contactless data transaction card |
JP3823406B2 (en) * | 1997-01-07 | 2006-09-20 | 松下電器産業株式会社 | Multilayer filter and mobile phone using the same |
DE19719434A1 (en) | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Meto International Gmbh | Universal securing element and method for its manufacture |
JPH11346114A (en) * | 1997-06-11 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Antenna device |
WO1999026195A1 (en) | 1997-11-14 | 1999-05-27 | Toppan Printing Co., Ltd. | Composite ic module and composite ic card |
IL122841A0 (en) | 1997-12-31 | 1998-08-16 | On Track Innovations Ltd | Smart card for effecting data transfer using multiple protocols |
FR2777141B1 (en) | 1998-04-06 | 2000-06-09 | Gemplus Card Int | TRANSPONDER |
US6154137A (en) | 1998-06-08 | 2000-11-28 | 3M Innovative Properties Company | Identification tag with enhanced security |
JP2000067194A (en) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Sony Corp | Storage device |
DE19905886A1 (en) | 1999-02-11 | 2000-08-17 | Meto International Gmbh | Identification element and method for producing an identification element |
JP3632894B2 (en) * | 1999-03-15 | 2005-03-23 | ソニー株式会社 | Antenna device and card-like storage medium |
DE19951561A1 (en) | 1999-10-27 | 2001-05-03 | Meto International Gmbh | Securing element for electronic article surveillance |
JP4186149B2 (en) * | 1999-12-06 | 2008-11-26 | 株式会社エフ・イー・シー | Auxiliary antenna for IC card |
US6522308B1 (en) * | 2000-01-03 | 2003-02-18 | Ask S.A. | Variable capacitance coupling antenna |
FI113809B (en) | 2000-11-01 | 2004-06-15 | Rafsec Oy | Method for making a smart sticker and a smart sticker |
NO313976B1 (en) * | 2000-11-06 | 2003-01-06 | Helge Idar Karlsen | Device by antenna |
JP2002183689A (en) * | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | Noncontact data carrier device and method of manufacture |
US6407669B1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-06-18 | 3M Innovative Properties Company | RFID tag device and method of manufacturing |
FR2823888B1 (en) | 2001-04-24 | 2005-02-18 | Gemplus Card Int | METHOD FOR MANUFACTURING CONTACTLESS OR HYBRID CARD AND OBTAINED CARD |
US6693541B2 (en) * | 2001-07-19 | 2004-02-17 | 3M Innovative Properties Co | RFID tag with bridge circuit assembly and methods of use |
JP4196554B2 (en) * | 2001-09-28 | 2008-12-17 | 三菱マテリアル株式会社 | Tag antenna coil and RFID tag using the same |
US7119693B1 (en) | 2002-03-13 | 2006-10-10 | Celis Semiconductor Corp. | Integrated circuit with enhanced coupling |
FR2840431B1 (en) | 2002-05-29 | 2004-09-03 | Francois Trantoul | METHOD AND DEVICE FOR PROTECTING READING INSTRUCTIONS |
JP4063040B2 (en) * | 2002-10-22 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | IC module and IC module antenna |
JP2004227046A (en) | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Hitachi Ltd | Portable information equipment |
US6970141B2 (en) * | 2003-07-02 | 2005-11-29 | Sensormatic Electronics Corporation | Phase compensated field-cancelling nested loop antenna |
JP4244169B2 (en) * | 2003-08-04 | 2009-03-25 | 日本発條株式会社 | Non-contact information medium and communication system using the same |
US20060044769A1 (en) | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Forster Ian J | RFID device with magnetic coupling |
US7812729B2 (en) * | 2004-11-15 | 2010-10-12 | Sensormatic Electronics, LLC | Combination EAS and RFID label or tag with controllable read range using a hybrid RFID antenna |
WO2006078709A2 (en) | 2005-01-19 | 2006-07-27 | Tosoh Smd Etna, Llc | Automated sputtering target production |
FR2886466B1 (en) | 2005-05-25 | 2012-06-15 | Oberthur Card Syst Sa | ELECTRONIC ENTITY WITH MAGNETIC ANTENNA |
FR2887665B1 (en) | 2005-06-27 | 2007-10-12 | Oberthur Card Syst Sa | ELECTRONIC ENTITY WITH MAGNETIC ANTENNA |
FR2893162B1 (en) | 2005-11-08 | 2008-02-15 | Oberthur Card Syst Sa | MICROCIRCUIT CARD COMPRISING A ADVANCED INTERDIGITAL CAPACITOR |
JP2007166379A (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Fujitsu Ltd | Loop antenna and electronic device equipped with the loop antenna |
IL175824A0 (en) | 2006-05-22 | 2007-09-20 | On Track Innovations Ltd | Data transaction card having a tunable coil antenna with reduced footprint |
FR2904453B1 (en) | 2006-07-25 | 2009-01-16 | Oberthur Card Syst Sa | ELECTRONIC ANTENNA WITH MICROCIRCUIT. |
KR100822240B1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-04-17 | 전자부품연구원 | RFID tag |
FR2910152B1 (en) | 2006-12-19 | 2009-04-03 | Oberthur Card Syst Sa | ANTENNA WITH BRIDGE WITHOUT VIA FOR PORTABLE ELECTRONIC ENTITY |
JP4452782B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-21 | 仁川大學校産學協力團 | Multiple loop antenna for RFID reader, RFID reader having the same, and RFID system having the same |
US7675365B2 (en) | 2007-01-10 | 2010-03-09 | Samsung Electro-Mechanics | Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers |
EP1970840A1 (en) | 2007-03-15 | 2008-09-17 | Magnex Corporation | RFID tag with improved range |
GB0705635D0 (en) | 2007-03-23 | 2007-05-02 | Innovision Res & Tech Plc | Near field RF communicators |
FR2914458B1 (en) | 2007-03-28 | 2009-06-26 | Inside Contactless Sa | METHOD OF COUPLING A CONTACTLESS INTEGRATED CIRCUIT TO AN NFC COMPONENT |
FR2915011B1 (en) | 2007-03-29 | 2009-06-05 | Smart Packaging Solutions Sps | CHIP CARD WITH DOUBLE COMMUNICATION INTERFACE |
WO2008131243A1 (en) * | 2007-04-18 | 2008-10-30 | 3M Innovative Properties Company | Radio frequency identification functionality coupled to electrically conductive signage |
JP5020161B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-09-05 | 三菱電機株式会社 | Wireless communication device |
WO2010019961A2 (en) | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Ivi Smart Technologies, Inc. | Rf power conversion circuits & methods, both for use in mobile devices |
US8201748B2 (en) * | 2009-04-27 | 2012-06-19 | Impinj, Inc. | Packaged RFID IC with integrated antenna |
-
2008
- 2008-12-11 WO PCT/FR2008/052281 patent/WO2010066955A1/en active Application Filing
-
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- 2009-12-09 US US13/133,640 patent/US8749390B2/en active Active
- 2009-12-09 EP EP09805691A patent/EP2377200B1/en active Active
- 2009-12-11 TW TW098142430A patent/TWI524587B/en not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-06-09 IL IL213449A patent/IL213449A/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See references of WO2010066799A2 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108701890A (en) * | 2017-02-27 | 2018-10-23 | 华为技术有限公司 | A kind of NFC antenna and terminal equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110099722A (en) | 2011-09-08 |
US20110266883A1 (en) | 2011-11-03 |
BRPI0922402A2 (en) | 2017-07-11 |
CA2746241A1 (en) | 2010-06-17 |
WO2010066799A2 (en) | 2010-06-17 |
WO2010066799A3 (en) | 2010-08-19 |
CN102282723B (en) | 2014-09-24 |
SG172085A1 (en) | 2011-07-28 |
TW201101579A (en) | 2011-01-01 |
KR101634837B1 (en) | 2016-06-29 |
EP2377200B1 (en) | 2012-10-31 |
CA2746241C (en) | 2018-01-23 |
TWI524587B (en) | 2016-03-01 |
JP2012511850A (en) | 2012-05-24 |
FR2939936A1 (en) | 2010-06-18 |
JP5592895B2 (en) | 2014-09-17 |
IL213449A0 (en) | 2011-07-31 |
FR2939936B1 (en) | 2018-11-23 |
IL213449A (en) | 2015-08-31 |
CN102282723A (en) | 2011-12-14 |
WO2010066955A1 (en) | 2010-06-17 |
US8749390B2 (en) | 2014-06-10 |
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