[go: up one dir, main page]

EP1412731A1 - Micromechanical component - Google Patents

Micromechanical component

Info

Publication number
EP1412731A1
EP1412731A1 EP02758077A EP02758077A EP1412731A1 EP 1412731 A1 EP1412731 A1 EP 1412731A1 EP 02758077 A EP02758077 A EP 02758077A EP 02758077 A EP02758077 A EP 02758077A EP 1412731 A1 EP1412731 A1 EP 1412731A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
cover layer
micromechanical component
substrate
area
detection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02758077A
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Hubert Benzel
Heribert Weber
Michael Bauer
Hans Artmann
Thorsten Pannek
Frank Schaefer
Christian Krummel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Paragon AG
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of EP1412731A1 publication Critical patent/EP1412731A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0081—Thermal properties
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
    • G01N27/227—Sensors changing capacitance upon adsorption or absorption of fluid components, e.g. electrolyte-insulator-semiconductor sensors, MOS capacitors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0111—Bulk micromachining
    • B81C2201/0115—Porous silicon

Definitions

  • the present invention relates to a micromechanical component with a substrate and a cover layer applied to the substrate, an area made of porous material mechanically supporting and thermally insulating the cover layer being provided below the cover layer.
  • temperatures in any micromechanical components and structural, particularly sensors and actuators, r anwendba the present invention and its underlying problems with respect to one in the technology of silicon can be produced by surface micromachining, .mikromechanischen air quality sensor will be explained.
  • Previous air quality sensors are realized with a gas-sensitive material on a ceramic.
  • the gas-sensitive material changes its resistance and / or its dielectric properties depending on the concentration of the gas to be detected. To get good sensitivity, the gas sensitive material must be heated.
  • the disadvantage here is the use of a ceramic and the associated large design in terms of the large heating output and the long response time.
  • micromechanical component according to the invention with the features of claim 1 has the advantage that a simple and inexpensive production of a component with a thermally decoupled heatable cover layer area on which a detection device is provided is possible.
  • porous silicon by using porous silicon, a deep cavern with an overlying top layer can be produced relatively easily. Furthermore, there is the possibility The ability to make a defined area on a wafer porous up to a defined thickness and to oxidize it as an option to create a stable framework with low thermal conductivity.
  • a heating device is provided on the cover layer for heating the cover layer above the area; and a detecting means is provided for detecting an electrical characteristic of a provided above the 'area on the cap layer medium heated above the range.
  • the porous material is * made of the substrate material. This is easily possible, in particular in the case of a silicon substrate.
  • a cavity is formed below the area made of porous material.
  • the covering Layer formed in that the substrate surface and the surface of the porous region are oxidized.
  • the deposition of an additional cover layer can thus be saved.
  • the area made of porous material is completely oxidized. Such an oxidation is easily possible due to the porous structure and increases the thermal insulation capacity.
  • the component is an air quality sensor, the medium being a gas-sensitive medium and the detection device having a capacitance detection device and / or a resistance detection device.
  • the detection device has conductor tracks arranged on the cover layer.
  • the detection device has conductor tracks arranged on the insulating layer.
  • the heating device runs at least partially below the medium.
  • Fig. 1 is a plan view of an air quality sensor according to a first amongsfor * of the present invention
  • FIG. 2-4 manufacturing steps for the manufacture of the air quality sensor according to Fig. 1;
  • FIG. 7 shows a cross-sectional view of an air quality sensor according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a top view of an air quality sensor according to a first embodiment of the present invention.
  • reference numerals 6 denote contact areas or contact pads, 10 a semiconductor substrate, 40 a cover layer located on the surface of the semiconductor substrate 10 and 300 the boundary of an area in which a cover 30, which mechanically supports and thermally isolates the cover layer 40, see, for example, Fig. 3) made of porous material.
  • the substrate material is silicon and the porous material is anodized (porous etched) silicon.
  • reference numeral 50 designates an insulating layer provided over the covering layer 40, 70 a respective heating resistor between the covering layer 40 and insulating layer 50, 350 the boundary of an area in which the insulating layer 50 is removed above the covering layer 40, 200 a respective one interdigital capacitor lying on the cover layer 40 and 150 a gas-sensitive material with which the interdigital capacitors are covered.
  • the gas-sensitive material 150 is heated by the heating resistors 70 and the capacitance of the interdigital capacitors 200 is measured in a manner known per se.
  • the gas sensitive material changes its dielectric properties depending on the concentration of the gas to be detected. The gas quality or concentration can be determined in this way.
  • FIG. 2 in addition to the reference numerals 15 that have already been introduced, denote a mask, for example a lacquer mask, and 100 circuit components of a sensor circuit (not explained in more detail).
  • the substrate 10 shown in FIG. 2 is a silicon substrate.
  • the known method of porous etching produces a structure in which the substrate material is made porous in a specific area 30 and then a cavity 20 is formed under the porous area 30. that is, part of the porous region 30 is removed, which leads to the structure shown in FIG.
  • the porous region 30 is closed by depositing the cover layer 40, which consists, for example, of nitride, oxide, oxynitride, silicon carbide or polysilicon. Another possibility for forming the cover layer 40 is to oxidize the substrate surface and the surface of the porous region 30.
  • This airtight sealing of the cavity 20 does not necessarily have to take place after the production of the cavity 20, but can also be carried out as one of the last process steps.
  • the latter has the advantage that the cover layer 40 does not bulge during processing and thus leads to imaging errors in a structuring process.
  • the final internal pressure in the cavity 20 depends on the pressure conditions resulting from the deposition ′′ or oxidation.
  • the measuring capacities of the interdigital capacitor 200, the heating resistors 70 and optionally not shown measuring resistors are then generated on the cover layer 40. There can be seen between the cover layer 40 and the conductor tracks of the heating elements. 70 or above the conductor tracks further functional layers are applied and structured.
  • the gas-sensitive material 150 is applied, which changes its dielectric properties as a function of the concentration of a gas to be detected.
  • the present embodiment has a cavity 20 with an enclosed vacuum under the cover layer 40 and the region 30 in order to ensure good thermal insulation to the substrate 10 when the gas-sensitive material 150 is heated by the heating resistors 70.
  • 5-6 are manufacturing steps for manufacturing the air quality sensor according to a second embodiment of the present invention.
  • the porous region 30 is closed directly by depositing the cover layer 40 or by the oxidation.
  • the oxidation (not shown) has the advantage that the oxide has a lower thermal conductivity than the silicon, so better decoupling from the substrate 10 can be ensured.
  • the conductor tracks etc. are produced on the cover layer 40.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of an air quality sensor according to a third embodiment of the present invention.
  • the heating resistors 70 are provided on the cover layer 40 and the measuring capacitances of the interdigital capacitors 200 are provided on the insulating layer 50, not directly on the cover layer 40 as in the above exemplary embodiments.
  • This arrangement has the advantage that that the heating structure can be placed directly under the gas sensitive material 150.
  • a two-layer substrate 10 ′′, 10 ′′ ′′ is provided, in which an epitaxial growth on a wafer substrate 10 ′′ layer 10 "" is provided.
  • the evaluation circuit 100 is additionally isolated by a buried area 110.
  • Such an embodiment has the advantage that the formation of the porous region 30, 30 ⁇ on the lower wafer substrate 10 ′′ can be stopped with a corresponding doping of the components 10 ′′, 10 ′′ ′′.
  • changing the electrical resistance of the medium e.g. of the gas-sensitive medium can be detected by means of appropriate measuring electrodes.
  • the middle cover layer area can be designed with functional elements in such a way that it is only connected to the substrate outside the cavern with a few webs (eg connection only via two webs in the form of a bridge).
  • cover layer or the insulating layer above the porous area which are sensitive to different gases. In this way, several gases could be detected with the same sensor element. Furthermore, it is possible to realize the porous area continuously up to the underside of the substrate.
  • micromechanical base materials can be used, and not just the exemplary silicon substrate.
  • the electrical leads to the interdigital structures can be located under an electrically insulating protective layer. Furthermore, the electrical connection can be made through contact hole openings in the insulating layer with electrical feed lines that are located in the same plane as the heating resistors 70.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

The invention relates to a micromechanical component comprising a substrate (10) and a covering layer (40) which is applied thereon. A porous material is provided under the covering layer (40) in an area (30; 30') which is mechanically supporting and thermally insulating. A heating device (70) is provided on the covering layer (40) for the heating thereof, above the area (30; 30'), and a detection device, (200, 200') for detecting electrical characteristics of a heated medium (150) disposed above said area (30; 30'), is arranged above the area (30; 30') on the covering layer (40).

Description

Mikromechanisches BauelementMicromechanical component
STAND DER TECHNIKSTATE OF THE ART
Die vorliegende Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat und einer auf dem Substrat aufge- brachten Deckschicht, wobei unterhalb der Deckschicht ein die Deckschicht mechanisch unterstützender und thermisch isolierender Bereich aus porösem Material vorgesehen ist.The present invention relates to a micromechanical component with a substrate and a cover layer applied to the substrate, an area made of porous material mechanically supporting and thermally insulating the cover layer being provided below the cover layer.
Obwohl auf beliebige mikromechanische Bauelemente und Struk- turen, insbesondere Sensoren und Aktuatoren, anwendba r werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf einen in der Technologie der Silizi- um-Oberflächenmikromechanik herstellbaren,.mikromechanischen Luftgütesensor erläutert.Although temperatures in any micromechanical components and structural, particularly sensors and actuators, r anwendba the present invention and its underlying problems with respect to one in the technology of silicon can be produced by surface micromachining, .mikromechanischen air quality sensor will be explained.
Bisherige Luftgütesensoren werden mit einem gassensit'iven Material auf einer Keramik realisiert. Das gassensitive Material ändert seinen Widerstand und/oder seine dielektischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Konzentration des zu de- tektierenden Gases. Um eine gute Empfindlichkeit zu erhalten, muß das gassensitive Material beheizt werden. Nachteilig hierbei ist die Verwendung einer Keramik und die damit verbundene große Bauform hinsichtlich der großen aufzuwendenden Heizleistung und der langen Ansprechzeit.Previous air quality sensors are realized with a gas-sensitive material on a ceramic. The gas-sensitive material changes its resistance and / or its dielectric properties depending on the concentration of the gas to be detected. To get good sensitivity, the gas sensitive material must be heated. The disadvantage here is the use of a ceramic and the associated large design in terms of the large heating output and the long response time.
Das Verfahren, Silizium porös zu ätzen ( „Anodisieren" ) , gehört zum Stand der Technik und ist in zahlreichen Veröffentlichungen beschrieben. Das Verfahren, unter einer porösen Silizium-Schicht einen Hohlraum zu erzeugen, wurde ebenfalls bereits veröffentlicht (G. Lammel, P. Renaud, "Free-standing, mobile 3D microstructures of porous Silicon", Proceedings the 13th European Conference on Solid-State Transducers, Eurosensors XIII, Den Haag, 1999, 535-536) .The process of etching silicon porously ("anodizing") is state of the art and has been described in numerous publications. The process of creating a cavity under a porous silicon layer has also already been published (G. Lammel, P. Renaud, "Free-standing, mobile 3D microstructures of porous Silicon", Proceedings the 13th European Conference on Solid-State Transducers, Eurosensors XIII, Den Haag, 1999, 535-536).
VORTEILE DER ERFINDUNGADVANTAGES OF THE INVENTION
Das erfindungsgemäße mikromechanische Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 weist den Vorteil auf, daß eine einfache und kostengünstige Herstellung eines Bauelements mit thermisch entkoppeltem beheizbarem Deckschichtbereich, auf dem eine Erfassungseinrichtung vorgsehen ist, möglich ist.The micromechanical component according to the invention with the features of claim 1 has the advantage that a simple and inexpensive production of a component with a thermally decoupled heatable cover layer area on which a detection device is provided is possible.
Z.B. durch die Verwendung von porösem Silizium kann relativ einfach eine tiefe Kaverne mit einer darüberliegenden Deck- schicht hergestellt werden. Desweiteren besteht die Möglich- keit, einen definierten Bereich auf einem Wafer bis zu einer definierten Dicke porös zu machen und als Option aufzuoxidie- ren, um ein stabiles Gerüst mit geringer thermischer Leitfähigkeit zu erzeugen.For example, by using porous silicon, a deep cavern with an overlying top layer can be produced relatively easily. Furthermore, there is the possibility The ability to make a defined area on a wafer porous up to a defined thickness and to oxidize it as an option to create a stable framework with low thermal conductivity.
Bei der beispielhaften Realisierung eines Luftgütesensors mit diesem Verfahren erhält man folgende weitere Vorteile:In the exemplary implementation of an air quality sensor with this method, the following further advantages are obtained:
• Geringe Leistungsaufnahme aufgrund guter thermischer Ent- kopplung• Low power consumption due to good thermal decoupling
© Integration eines Sensorelements auf dem Chip© Integration of a sensor element on the chip
» Mögliche Integration einer Schaltung auf dem Sensorelement»Possible integration of a circuit on the sensor element
β Sehr kleine Baugröße mit beliebiger Geometrie des porösen Bereichs β Very small size with any geometry of the porous area
© Geringe Ansprechzeit aufgrund der kleinen Masse, die um- temp*er-iert werden muß© Short response time due to the small mass that environmentally temp * er-ated must be
© kapazitive oder resistive Auswertung möglich β unterschiedliche Materialien für Heiz- und/oder Meßwiderstände bzw. -elektroden verwendbar© capacitive or resistive evaluation possible β different materials for heating and / or measuring resistors or electrodes can be used
• mehrere gassensitive Materialien auf einem Chip einsetzbar• Several gas-sensitive materials can be used on one chip
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht darin, daß auf der Deckschicht eine Heizeinrichtung zum Heizen der Deckschicht oberhalb des Bereichs vorgesehen ist; und oberhalb des Bereichs eine Erfassungseinrichtung zum Erfassen einer elektrischen Eigenschaft eines oberhalb des' Bereichs auf der Deckschicht vorgesehenen geheizten Mediums vorgesehen ist.The idea on which the present invention is based is that a heating device is provided on the cover layer for heating the cover layer above the area; and a detecting means is provided for detecting an electrical characteristic of a provided above the 'area on the cap layer medium heated above the range.
In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildun- gen und Verbesserungen des in Anspruch 1 angegebenen mikromechanischen Bauelements.Advantageous further developments and improvements of the micromechanical component specified in claim 1 are found in the subclaims.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist*-das poröse Material aus dem Substratmaterial gebildet. Dies ist insbesondere bei einem Siliziumsubstrat leicht möglich.According to a preferred -the porous material is * made of the substrate material. This is easily possible, in particular in the case of a silicon substrate.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist unterhalb des Bereichs aus porösem Material ein Hohlraum gebildet.According to a further preferred development, a cavity is formed below the area made of porous material.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die Deck- Schicht dadurch gebildet, daß die Substratoberfläche und die Oberfläche des porösen Bereichs oxidiert sind. So läßt sich die Abscheidung einer zusätzlichen Deckschicht einsparen.According to a further preferred development, the covering Layer formed in that the substrate surface and the surface of the porous region are oxidized. The deposition of an additional cover layer can thus be saved.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der Bereich aus porösem Material vollständig oxidiert. Eine derartige Oxidation ist aufgrund der porösen Struktur leicht möglich und erhöht das thermische Isolationsvermögen.According to a further preferred development, the area made of porous material is completely oxidized. Such an oxidation is easily possible due to the porous structure and increases the thermal insulation capacity.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist das Bauelement ein Luftgütesensor, wobei das Medium ein gassensitives Medium ist und die Erfassungseinrichtung eine Kapazitäts- erfassungseinrichtung und/oder eine Widerstandserfassungseinrichtung aufweist.According to a further preferred development, the component is an air quality sensor, the medium being a gas-sensitive medium and the detection device having a capacitance detection device and / or a resistance detection device.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Er- fassungseinrichtung auf der Deckschicht angeordnete Leiterbahnen auf.According to a further preferred development, the detection device has conductor tracks arranged on the cover layer.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Erfassungseinrichtung auf der Isolierschicht angeordnete Leiterbahnen auf.According to a further preferred development, the detection device has conductor tracks arranged on the insulating layer.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung verläuft die Heizeinrichtung zumindest teilweise unterhalb des Mediums. ZEICHNUNGENAccording to a further preferred development, the heating device runs at least partially below the medium. DRAWINGS
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.Embodiments of the invention are shown in the drawings and explained in more detail in the following description.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 eine Aufsicht auf einen Luftgütesensor gemäß einer ersten Ausführungsfor * der vorliegenden Erfindung;Fig. 1 is a plan view of an air quality sensor according to a first Ausführungsfor * of the present invention;
Fig. 2-4 Herstellungsschritte zur Herstellung des Luftgütesensors nach Fig. 1;Fig. 2-4 manufacturing steps for the manufacture of the air quality sensor according to Fig. 1;
Fig. 5-6 Herstellungsschritte zur Herstellung eines Luftgütesensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;5-6 manufacturing steps for manufacturing an air quality sensor according to a second embodiment of the present invention;
Fig. 7 eine Querschnittsansicht auf einen Luftgütesensor gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und7 shows a cross-sectional view of an air quality sensor according to a third embodiment of the present invention; and
Fig. 8-9 Herstellungsschritte zur Herstellung eines Luftgü- tesensors gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.8-9 manufacturing steps for manufacturing an air quality sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELEDESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS
In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten.In the figures, identical reference symbols designate identical or functionally identical components.
Fig. 1 ist eine Aufsicht auf einen Luftgütesensor gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.1 is a top view of an air quality sensor according to a first embodiment of the present invention.
In Figur 1 bezeichnet Bezugszeidhen 6 Kontaktflächen bzw. Kontaktpads, 10 ein Halbleitersubstrat, 40 eine auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 befindliche Deckschicht und 300 die Grenze eines Bereichs, in dem unter der Deckschicht 40 ein die Deckschicht 40 mechanisch unterstützender und thermisch isolierender Bereich 30 (vgl. z.B. Fig. 3) aus porösem Material vorgesehen ist. Im vorliegendem Fall ist das Substratmaterial Silizium und das poröse Material anodisier- tes (porös geätztes) Silizium.In FIG. 1, reference numerals 6 denote contact areas or contact pads, 10 a semiconductor substrate, 40 a cover layer located on the surface of the semiconductor substrate 10 and 300 the boundary of an area in which a cover 30, which mechanically supports and thermally isolates the cover layer 40, see, for example, Fig. 3) made of porous material. In the present case, the substrate material is silicon and the porous material is anodized (porous etched) silicon.
Desweiteren bezeichnet Bezugszeichen 50 eine über der Deckschicht 40 vorgesehene Isolierschicht, 70 einen j eweiligen Heizwiderstand zwischen Deckschicht 40 und Isolierschicht 50 , 350 die Grenze eines Bereichs, in dem die Isolierschicht 50 über der Deckschicht 40 entfernt ist , 200 einen j eweil igen auf der Deckschicht 40 liegenden Interdigitalkondensator sowie 150 ein gassensitives Material, mit dem die Interdigital- kondensatoren bedeckt sind.Furthermore, reference numeral 50 designates an insulating layer provided over the covering layer 40, 70 a respective heating resistor between the covering layer 40 and insulating layer 50, 350 the boundary of an area in which the insulating layer 50 is removed above the covering layer 40, 200 a respective one interdigital capacitor lying on the cover layer 40 and 150 a gas-sensitive material with which the interdigital capacitors are covered.
Zum Betrieb der in Figur 1 gezeigten Sensorstruktur wird das gassensitive Material 150 durch die Heizwiderstände 70 beheizt und die Kapazität der Interdigialkondensatoren 200 in an sich bekannter Art und Weise gemessen. Das gassensitive Material ändert 'seine dielektischen Eigenschaften in Abhän- gigkeit von der Konzentration des zu detektierenden Gases. So läßt sich die Gasgüte bzw. Konzentration bestimmen.To operate the sensor structure shown in FIG. 1, the gas-sensitive material 150 is heated by the heating resistors 70 and the capacitance of the interdigital capacitors 200 is measured in a manner known per se. The gas sensitive material changes its dielectric properties depending on the concentration of the gas to be detected. The gas quality or concentration can be determined in this way.
Fig. 2-4 sind Herstellungsschritte zur Herstellung des Luftgütesensors nach Fig. 1.2-4 are manufacturing steps for manufacturing the air quality sensor according to FIG. 1.
In Figur 2 bezeichnen zusätzlich zu den bereits eingeführten Bezugszeichen 15 eine Maske, beispielsweise eine Lackrαaske, und 100 Schaltungsbestandteile einer nicht näher erläuterten Sensorschaltung. Bei dem in Figur 2 gezeigten Substrat 10 handelt es sich um ein Siliziumsubstrat.In FIG. 2, in addition to the reference numerals 15 that have already been introduced, denote a mask, for example a lacquer mask, and 100 circuit components of a sensor circuit (not explained in more detail). The substrate 10 shown in FIG. 2 is a silicon substrate.
Gemäß Figur 3 wird mit dem bekannten Verfahren des porösen Ätzens eine Struktur erzeugt, bei dem das Substratmaterial in einem bestimmten Bereich 30 porös gemacht und anschließend ein Hohlraum 20 unter dem porösem Bereich 30 gebildet wird, also ein Teil des porösen Bereich 30 entfernt wird, was zu der in Figur 3 gezeigten Struktur führt.According to FIG. 3, the known method of porous etching produces a structure in which the substrate material is made porous in a specific area 30 and then a cavity 20 is formed under the porous area 30. that is, part of the porous region 30 is removed, which leads to the structure shown in FIG.
Um die in Figur 4 gezeigte Struktur herzustellen, wird nach dem Entfernen der Maske 15 der poröse Bereich 30 durch Abscheiden der Deckschicht 40, welche beispielsweise aus Nitrid, Oxid, Oxinitrid, Siliziumcarbid oder Poly-Silizium besteht, verschlossen. Eine weitere Möglichkeit zur Bildung der Deckschicht 40 besteht darin, die Substratoberfläche und die Oberfläche des porösen Bereichs 30 zu oxidieren. •In order to produce the structure shown in FIG. 4, after the mask 15 has been removed, the porous region 30 is closed by depositing the cover layer 40, which consists, for example, of nitride, oxide, oxynitride, silicon carbide or polysilicon. Another possibility for forming the cover layer 40 is to oxidize the substrate surface and the surface of the porous region 30. •
Dieses luftdichte Verschließen des Hohlraums 20 muss dabei nicht zwingend nach der Herstellung des Hohlraums 20 erfolgen, sondern kann auch als eine der letzten Prozeßschritte ausgeführt werden. Letzteres hat den Vorteil, dass während der Prozessierung die Deckschicht 40 nicht ausbeult und so zu Abbildungsfehlern bei einem Strukturierungsprozeß führt. Der sich letztendlich einstellende Innendruck in dem Hohlraum 20 ist abhängig von den bei der Abscheidung'' bzw. Oxidation herr- sehenden Druckverhältnissen.This airtight sealing of the cavity 20 does not necessarily have to take place after the production of the cavity 20, but can also be carried out as one of the last process steps. The latter has the advantage that the cover layer 40 does not bulge during processing and thus leads to imaging errors in a structuring process. The final internal pressure in the cavity 20 depends on the pressure conditions resulting from the deposition ″ or oxidation.
Auf der Deckschicht 40 werden dann die Meßkapazitäten des In- terdigitalkondensators 200, die Heizwiderstände 70 und optional nicht dargestellte Meßwiderstände erzeugt. Es können zwi- sehen der Deckschicht 40 und den Leiterbahnen der Heizwider- stände 70 bzw. oberhalb der Leiterbahnen weitere Funktionsschichten aufgebracht und strukturiert werden.The measuring capacities of the interdigital capacitor 200, the heating resistors 70 and optionally not shown measuring resistors are then generated on the cover layer 40. There can be seen between the cover layer 40 and the conductor tracks of the heating elements. 70 or above the conductor tracks further functional layers are applied and structured.
Oberhalb der Meßkapazitäten des Interdigitalkondensators 200 wird nach Aufbringen der Isolierschicht 50, die die gebildete Struktur vor Umwelteinflüssen schützt, das gassensitive Material 150 aufgebracht, das seine dielektrischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Konzentration eines zu erfassenden Gases ändert.Above the measuring capacities of the interdigital capacitor 200, after the application of the insulating layer 50, which protects the structure formed from environmental influences, the gas-sensitive material 150 is applied, which changes its dielectric properties as a function of the concentration of a gas to be detected.
Die vorliegende Ausführungsform -weist einen Hohlraum 20 mit eingeschlossenem Vakuum unter der Deckschicht 40 und dem Bereich 30 auf, um eine gute thermische Isolation zum Substrat 10 zu gewährleisten, wenn das gassensitive Material 150 durch die Heizwiderstände 70 aufgeheizt wird.The present embodiment has a cavity 20 with an enclosed vacuum under the cover layer 40 and the region 30 in order to ensure good thermal insulation to the substrate 10 when the gas-sensitive material 150 is heated by the heating resistors 70.
Fig. 5-6 sind Herstellungsschritte zur Herstellung des Luftgütesensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.5-6 are manufacturing steps for manufacturing the air quality sensor according to a second embodiment of the present invention.
Bei der mit Bezug auf Figur 5 und 6 gezeigten zweiten Ausführungsform wird kein Hohlraum unter dem porös gemachten Substratbereich 30 gebildet, sondern nach dem Entfernen der Maske 15 der poröse Bereich 30 unmittelbar durch Abscheiden der Deckschicht 40 bzw. durch die Oxidation verschlossen. Die (nicht gezeigte) Oxidation hat dabei den Vorteil, dass das Oxid eine geringere thermische Leitfähigkeit besitzt als das Silizium somit eine bessere Entkopplung zum Substrat 10 gewährleistet werden kann. Auf der Deckschicht 40 werden wie bei der ersten Ausführungsfor die Leiterbahnen etc. erzeugt.In the second embodiment shown with reference to FIGS. 5 and 6, no cavity is formed under the substrate region 30 made porous, but rather, after the mask 15 has been removed, the porous region 30 is closed directly by depositing the cover layer 40 or by the oxidation. The oxidation (not shown) has the advantage that the oxide has a lower thermal conductivity than the silicon, so better decoupling from the substrate 10 can be ensured. As in the first embodiment, the conductor tracks etc. are produced on the cover layer 40.
Fig. 7 ist eine Querschnittsansicht auf einen Luftgütesensor gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin- düng.7 is a cross-sectional view of an air quality sensor according to a third embodiment of the present invention.
Bei der in Fig. 7 gezeigten dritten Ausführungsform sind die Heizwiderstände 70 auf der Deckschicht 40 vorgesehen und die Meßkapazitäten der Interdigitalkondensatoren 200^ auf der Isolierschicht 50 vorgesehen, nicht also wie bei den obigen Ausführungsbeispielen direkt auf der Deckschicht 40. Diese Anordnung hat den Vorteil, dass die Heizstruktur direkt unter das gassensitive Material 150 gelegt werden kann.In the third embodiment shown in FIG. 7, the heating resistors 70 are provided on the cover layer 40 and the measuring capacitances of the interdigital capacitors 200 are provided on the insulating layer 50, not directly on the cover layer 40 as in the above exemplary embodiments. This arrangement has the advantage that that the heating structure can be placed directly under the gas sensitive material 150.
Fig. 8-9 Herstellungsschritte zur Herstellung eines Luftgü- tesens'ors gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.8-9 manufacturing steps for manufacturing an air quality sensor according to a fourth embodiment of the present invention.
Gemäß Figur 8 ist ein zweischichtiges Substrat 10", 10"" vor- gesehen, bei dem auf einem Wafersubstrat 10" eine Epitaxie- schicht 10"" vorgesehen ist. Die Auswerteschaltung 100 ist durch einen vergrabenen Bereich 110 zusätzlich isoliert . Eine derartige Ausbildung hat den Vorteil, dass die Ausbildung des porösen Bereichs 30, 30 Λ auf den unteren Wafersubstrat 10" bei entsprechender Dotierung der Bestandteile 10", 10"", gestoppt werden kann.According to FIG. 8, a two-layer substrate 10 ″, 10 ″ ″ is provided, in which an epitaxial growth on a wafer substrate 10 ″ layer 10 "" is provided. The evaluation circuit 100 is additionally isolated by a buried area 110. Such an embodiment has the advantage that the formation of the porous region 30, 30 Λ on the lower wafer substrate 10 ″ can be stopped with a corresponding doping of the components 10 ″, 10 ″ ″.
Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar .Although the present invention has been described above on the basis of preferred exemplary embodiments, it is not restricted to these but can be modified in a variety of ways.
In den obigen Beispielen ist der erfindungsgemäße Luftgütesensor in einfachen Formen zur Erläuterung ihrer Grundprinzi- pien aufgeführt worden. Kombinationen der Beispiele und wesentlich kompliziertere Ausgestaltungen unter Verwendung derselben Grundprinzipien sind selbstverständlich denkbar.In the above examples, the air quality sensor according to the invention has been listed in simple forms to explain its basic principles. Combinations of the examples and much more complicated configurations using the same basic principles are of course conceivable.
Beispielsweise kann anstatt der Veränderung der dielektri- sehen Eigenschaften auch die Veränderung des elektrischen Widerstands des Mediums, z.B. des gassensitiven Mediums, mittels entsprechender Meßelektroden erfaßt werden.For example, instead of changing the dielectric properties, changing the electrical resistance of the medium, e.g. of the gas-sensitive medium can be detected by means of appropriate measuring electrodes.
Weiterhin ist es möglich, nach oder zwischen den obigen Pro- zeßschritten den porösen Bereich 30, 30 ^ selektiv zu ätzen. Dazu können in der Deckschicht 40 eine oder mehrere Öffnungen realisiert werden, durch die ein selektiv wirkendes Ätzmedium im flüssigen oder gasförmigen Zustand den porösen Bereich teilweise oder vollständig herauslösen kann. Die Öffnungen können anschließend wieder verschlossen werden, wobei dabei bevorzugt ein Vakuum in dem Hohlraum 20 eingeschlossen wird, um eine optimale thermische Entkopplung zwischen Deckschicht 40 und Substrat 10 zu gewährleisten. Die Öffnungen können auch bewusst nicht geschlossen werden. Dadurch kann der mitt- lere Deckschichtbereich mit Funktionselementen so gestaltet werden, dass er nur noch mit wenigen Stegen mit dem Substrat außerhalb der Kaverne verbunden ist (z.B. Verbindung nur über zwei Stege in Form einer Brücke) .Furthermore, it is possible to selectively etch the porous region 30, 30 ^ after or between the above process steps. For this purpose, one or more openings can be realized in the cover layer 40, through which a selectively acting etching medium in the liquid or gaseous state can partially or completely detach the porous area. The openings can then be closed again, a vacuum preferably being enclosed in the cavity 20 in order to ensure optimum thermal decoupling between the cover layer 40 and the substrate 10. The openings can also be deliberately not closed. As a result, the middle cover layer area can be designed with functional elements in such a way that it is only connected to the substrate outside the cavern with a few webs (eg connection only via two webs in the form of a bridge).
Möglich ist weiterhin die zusätzliche Integration eines Temperaturfühlers auf der Deckschicht oberhalb des porösen Bereichs, um die gewünschte Temperatur genau einzustellen bzw. zu regeln.It is also possible to integrate a temperature sensor on the cover layer above the porous area in order to precisely set or regulate the desired temperature.
Weiterhin möglich ist es, unterschiedliche Medien auf derIt is also possible to use different media on the
Deckschicht bzw. der Isolierschicht oberhalb des porösen Bereichs vorzusehen, welche auf verschiedene Gase sensitiv sind. So könnten mehrere Gase mit dem gleichen Sensorelement erfasst werden. Weiterhin ist es möglich, den porösen Bereich durchgehend bis zur Substratunterseite zu realisieren.Provide cover layer or the insulating layer above the porous area, which are sensitive to different gases. In this way, several gases could be detected with the same sensor element. Furthermore, it is possible to realize the porous area continuously up to the underside of the substrate.
Es können schließlich auch beliebige mikromechanische Grund- materialien verwendet werden, und nicht nur das exemplarisch angeführte Siliziumsubstrat.Finally, any micromechanical base materials can be used, and not just the exemplary silicon substrate.
Weiterhin können die in Fig. 7 nicht gezeigten elektrischen Zuleitungen zu den Interdigitalstrukturen sich unter einer elektrisch isolierenden Schutzschicht befinden. Weiterhin kann die elektrische Anbindung durch Kontaktlochöffnungen in der Isolierschicht mit elektrischen Zuleitungen erfolgen, die sich in der gleichen Ebene befinden wie die Heizwiderstände 70. Furthermore, the electrical leads to the interdigital structures, not shown in FIG. 7, can be located under an electrically insulating protective layer. Furthermore, the electrical connection can be made through contact hole openings in the insulating layer with electrical feed lines that are located in the same plane as the heating resistors 70.
BEZUGSZEICHENLISTELIST OF REFERENCE NUMBERS

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Mikromechanisches Bauelement mit:1. Micromechanical component with:
einem Substrat (10) ; unda substrate (10); and
einer auf dem Substrat (10) aufgebrachten Deckschicht (40);a cover layer (40) applied to the substrate (10);
wobeiin which
unterhalb der Deckschicht (40) ein die Deckschicht (40) mechanisch unterstützender und thermisch isolierender Bereich (30; 30 λ) aus porösem Material vorgesehen ist;beneath the cover layer (40) there is provided a thermally insulating and thermally insulating region (30; 30λ ) made of porous material;
dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daßbecause of the fact that
auf der Deckschicht (40) eine Heizeinrichtung (70) zum Heizen der Deckschicht (40) oberhalb des Bereichs (30; 30 ) vorgesehen ist; und oberhalb des Bereichs (30; 30 ) eine Erfassungseinrichtung (200, 200' ) zum Erfassen einer elektrischen Eigenschaft eines oberhalb des Bereichs (30; 30') auf der Deckschicht (40) vorgesehenen geheizten Mediums (150) vorgesehen ist.a heating device (70) for heating the cover layer (40) above the region (30; 30) is provided on the cover layer (40); and Above the area (30; 30), a detection device (200, 200 ') is provided for detecting an electrical property of a heated medium (150) provided above the area (30; 30') on the cover layer (40).
2. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das poröse Material des Bereichs (30; 30 ) aus dem Substratmaterial gebildet ist.2. Micromechanical component according to claim 1, characterized in that the porous material of the region (30; 30) is formed from the substrate material.
3. Mikromechanisches Bauelement nach Anspruch l.oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß unterhalb des Bereichs (30) aus porösem Material ein Hohlraum (20) gebildet ist.3. Micromechanical component according to claim 1 or 2, characterized in that a cavity (20) is formed below the region (30) made of porous material.
4. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorhergehen- den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Deckschicht4. Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that the cover layer
(40) dadurch gebildet ist, daß die Substratoberfläche und die Oberfläche des porösen Bereichs (30; 30 ) oxidiert sind.(40) is formed in that the substrate surface and the surface of the porous region (30; 30) are oxidized.
5. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorhergehen- den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Bereich (30;5. Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that the region (30;
30 > ) aus 'porösem Material vollständig oxidiert ist.30>) from ' porous material is completely oxidized.
6. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bauelement ein Luftgütesensor ist, wobei das Medium (150) ein gassensitives Medium ist und die Erfassungseinrichtung (200, 200') eine Ka- pazitätserfassungseinrichtung und/oder eine Widerstandserfassungseinrichtung aufweist.6. Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that the component is an air quality sensor, the medium (150) being a gas-sensitive Is medium and the detection device (200, 200 ') has a capacity detection device and / or a resistance detection device.
7. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungseinrichtung (200, 200') auf der Deckschicht (40) angeordnete Leiterbahnen (200) aufweist.7. Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that the detection device (200, 200 ') on the cover layer (40) arranged conductor tracks (200).
8. Mikromechanisches Bauelement nach einem der -vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Erfassungseinrichtung (200, 200') auf der Isolierschicht (50) angeordnete Leiterbahnen (200 Λ) aufweist.8. Micromechanical component according to one of the preceding claims 1 to 6, characterized in that the detection device (200, 200 ') on the insulating layer (50) arranged conductor tracks (200 Λ ).
9. Mikromechanisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizeinrichtung (80) zumindest teilweise unterhalb des Mediums (150) verläuft . 9. Micromechanical component according to one of the preceding claims, characterized in that the heating device (80) extends at least partially below the medium (150).
EP02758077A 2001-07-25 2002-07-06 Micromechanical component Withdrawn EP1412731A1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10136164A DE10136164A1 (en) 2001-07-25 2001-07-25 Micromechanical component used in sensors and actuators comprises substrate, covering layer on substrate, and thermally insulating region made from porous material provided below covering layer
DE10136164 2001-07-25
PCT/DE2002/002480 WO2003012420A1 (en) 2001-07-25 2002-07-06 Micromechanical component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP1412731A1 true EP1412731A1 (en) 2004-04-28

Family

ID=7693002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP02758077A Withdrawn EP1412731A1 (en) 2001-07-25 2002-07-06 Micromechanical component

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6906392B2 (en)
EP (1) EP1412731A1 (en)
JP (1) JP2004522174A (en)
DE (1) DE10136164A1 (en)
WO (1) WO2003012420A1 (en)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10053326A1 (en) * 2000-10-27 2002-05-08 Bosch Gmbh Robert Micro-mechanical component for sensing dew point contains membrane and porous material thermal insulating zone membrane support
US7141859B2 (en) * 2001-03-29 2006-11-28 Georgia Tech Research Corporation Porous gas sensors and method of preparation thereof
DE10136164A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-20 Bosch Gmbh Robert Micromechanical component used in sensors and actuators comprises substrate, covering layer on substrate, and thermally insulating region made from porous material provided below covering layer
DE10323559A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-30 Robert Bosch Gmbh Micromechanical device, pressure sensor and method
JP2006528766A (en) * 2003-07-25 2006-12-21 パラゴン アクチエンゲゼルシャフト Gas sensor and method for manufacturing a gas sensor
CN1947007B (en) * 2004-01-27 2011-11-09 H2Scan公司 Thin film gas sensor configuration
US7531002B2 (en) * 2004-04-16 2009-05-12 Depuy Spine, Inc. Intervertebral disc with monitoring and adjusting capabilities
DE102005029841B4 (en) * 2004-07-28 2013-09-05 Robert Bosch Gmbh Micromechanical pressure sensor with heated passivating agent and method for its control
US7691130B2 (en) * 2006-01-27 2010-04-06 Warsaw Orthopedic, Inc. Spinal implants including a sensor and methods of use
KR100812996B1 (en) * 2006-12-07 2008-03-13 한국전자통신연구원 Micro gas sensor and its manufacturing method
KR20090064693A (en) * 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 Micro gas sensor and its manufacturing method
KR100942439B1 (en) * 2007-12-28 2010-02-17 전자부품연구원 Micro Gas Sensor and Manufacturing Method
ITMI20080532A1 (en) * 2008-03-28 2009-09-29 St Microelectronics Srl METHOD OF MANUFACTURE OF A GAS SENSOR INTEGRATED ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
DE102008002579A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-24 Robert Bosch Gmbh Microelectromechanical sensor element
WO2010022321A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Georgia Tech Research Corporation Gas sensors, methods of preparation thereof, methods of selecting gas sensor materials, and methods of use of gas sensors
US7816681B2 (en) * 2008-12-03 2010-10-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Capacitive gas sensor and method of fabricating the same
KR101094870B1 (en) * 2008-12-17 2011-12-15 한국전자통신연구원 Humidity sensor and its manufacturing method
JP5494078B2 (en) * 2010-03-19 2014-05-14 富士通株式会社 Sensor device and manufacturing method thereof
KR101677297B1 (en) * 2010-12-21 2016-11-29 한국전자통신연구원 Micro Energy Harvester and Manufacturing Method Thereof
US8878071B2 (en) 2011-01-20 2014-11-04 International Business Machines Corporation Integrated device with defined heat flow
JP6467173B2 (en) * 2014-09-16 2019-02-06 ヤマハファインテック株式会社 Contact combustion type gas sensor
DE102019130755A1 (en) * 2019-11-14 2021-05-20 Tdk Corporation Sensor device, method for producing a sensor device and sensor assembly

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5464966A (en) * 1992-10-26 1995-11-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Micro-hotplate devices and methods for their fabrication
DE4400838A1 (en) 1994-01-14 1995-07-20 Smt & Hybrid Gmbh Gas sensor chip and method for its production
US5659127A (en) * 1996-08-26 1997-08-19 Opto Tech Corporation Substrate structure of monolithic gas sensor
GR1003010B (en) * 1997-05-07 1998-11-20 "����������" Integrated gas flow sensor based on porous silicon micromachining
EP0882978A1 (en) 1997-06-04 1998-12-09 STMicroelectronics S.r.l. Integrated semi-conductor device comprising a chemoresistive gas microsensor and manufacturing process thereof
DE19752208A1 (en) 1997-11-25 1999-06-02 Bosch Gmbh Robert Thermal membrane sensor and method for its manufacture
US6265222B1 (en) * 1999-01-15 2001-07-24 Dimeo, Jr. Frank Micro-machined thin film hydrogen gas sensor, and method of making and using the same
DE10136164A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-20 Bosch Gmbh Robert Micromechanical component used in sensors and actuators comprises substrate, covering layer on substrate, and thermally insulating region made from porous material provided below covering layer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *
See also references of WO03012420A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004522174A (en) 2004-07-22
DE10136164A1 (en) 2003-02-20
US6906392B2 (en) 2005-06-14
WO2003012420A1 (en) 2003-02-13
US20040021184A1 (en) 2004-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1412731A1 (en) Micromechanical component
US5321989A (en) Integratable capacitative pressure sensor and process for its manufacture
DE69627645T2 (en) Integrated piezoresistive pressure transducer and manufacturing process
DE102016208360B4 (en) Combination of a MEMS gas sensor and a MEMS acoustic transducer and associated manufacturing method
US5431057A (en) Integratable capacitative pressure sensor
DE4244450C2 (en) Method of manufacturing a capacitive pressure sensor
EP1350078B1 (en) Micromechanical flow sensor with a tensile coating
DE102012201304A1 (en) Micromechanical solid electrolyte sensor device and corresponding manufacturing method
EP0684462A2 (en) Thermal sensor/actuator realised in semiconductor material
EP1902282B1 (en) Sensor
DE10053326A1 (en) Micro-mechanical component for sensing dew point contains membrane and porous material thermal insulating zone membrane support
DE3635462A1 (en) FIELD EFFECT PRESSURE SENSOR
WO1995009366A1 (en) Micromechanical device and process for producing the same
DE102013204197A1 (en) Microelectrochemical sensor and method for operating a microelectrochemical sensor
EP2606002B1 (en) Micromechanical substrate for a diaphragm with a diffusion barrier layer
JP2004525352A (en) In particular, a method for producing a semiconductor component having a movable mass and a semiconductor component produced by the method
WO2016005464A1 (en) Device and method for producing a device with micro- or nanostructures
EP1412732A2 (en) Semiconductor component and method for producing the same
EP1402235A1 (en) Micromechanical mass flow sensor and method for the production thereof
EP1115649B1 (en) Micromechanical component with sealed membrane openings
US8033178B2 (en) Pressure-measuring cell
WO2000012427A1 (en) Micromechanical component and its production method
WO1997021986A1 (en) Microsensors with silicon membranes and method of manufacturing such sensors
EP2138450A2 (en) Structure of electrodes for a micromechanical device
DE102019130755A1 (en) Sensor device, method for producing a sensor device and sensor assembly

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20040211

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL LT LV MK RO SI

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: KRUMMEL, CHRISTIAN

Inventor name: SCHAEFER, FRANK

Inventor name: PANNEK, THORSTEN

Inventor name: ARTMANN, HANS

Inventor name: BAUER, MICHAEL

Inventor name: WEBER, HERIBERT

Inventor name: BENZEL, HUBERT

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: PARAGON AG

17Q First examination report despatched

Effective date: 20070306

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20070717