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EP0056671B1 - Dispositif de détection photoélectrique - Google Patents

Dispositif de détection photoélectrique Download PDF

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Publication number
EP0056671B1
EP0056671B1 EP82200039A EP82200039A EP0056671B1 EP 0056671 B1 EP0056671 B1 EP 0056671B1 EP 82200039 A EP82200039 A EP 82200039A EP 82200039 A EP82200039 A EP 82200039A EP 0056671 B1 EP0056671 B1 EP 0056671B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
substrate
thickness
intermediate layer
photoemissive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
EP82200039A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP0056671A1 (fr
Inventor
Pierre Dolizy
Françoise Grolière
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laboratoires dElectronique Philips SAS
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee, Philips Gloeilampenfabrieken NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee
Publication of EP0056671A1 publication Critical patent/EP0056671A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP0056671B1 publication Critical patent/EP0056671B1/fr
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric detection device for radiation of one length in a range, which device comprises in a vacuum envelope a photoemissive layer supported by a substrate which is transparent to incident radiation and further, for the optical adaptation, an intermediate layer transparent to said radiation, disposed between the photoemissive layer and the substrate, the refractive index of the material constituting the intermediate layer being between that of the substrate and that of the material of the photoemissive layer.
  • Such devices can be, for example, photoelectric cells, image intensifier tubes, image tubes integrated in television recording systems or even photomultipliers.
  • a photoelectric detection device comprises a photoemissive layer deposited directly on a substrate
  • the photoelectric detection efficiency of the device is considerably reduced. It is known to improve this efficiency by attenuating the reflection phenomena which occur at the substrate-photoemissive layer interface by means of one or more intermediate layers transparent to incident radiation placed between substrate and photoemissive layer.
  • Such a device comprising only a single intermediate layer, as according to the invention, is the subject, for example, of United States patent No. 3,254,253.
  • the intermediate layer introduced is chosen for its low absorption.
  • its optical constants and its thickness are such that, taking into account the optical constants of the substrate and of the photoemissive layer, the lights reflected respectively at the substrate-intermediate layer interface and at the intermediate layer-photoemissive layer interface are substantially of the same amplitude and opposite phase, so that they tend to cancel each other out by interference.
  • Such a device considerably attenuates the losses due to reflection phenomena but does not necessarily represent the device which, constructed with layers of the same composition, would have the optimal photoemission efficiency.
  • the object of the invention is to propose a photoelectric detection device comprising a photoemissive layer supported by a substrate transparent to incident radiation with an intermediate layer also transparent, between substrate and photoemissive layer, the photoemission efficiency of said device being optimal taking into account the nature of the constituent materials of the substrate and of the photoemissive and intermediate layers respectively.
  • the preamble is characterized in that the thickness e of the photoemissive layer and l the thickness e i of the intermediate layer are proportioned so that the absorption of the photons of the wavelength domain considered is preferably carried out in the photoemissive layer in the vicinity of the interface of said layer with the vacuum of the device, in a thickness slice, measured from said interface, of the order of magnitude of the depth.
  • the invention is based on theoretical expressions of the photoemission efficiency of a photoelectric detection device with or without an intermediate layer between substrate and photoemissive layer, the absorption of light in the photoemissive layer being supposed to be carried out in the photoemissive layer.
  • the absorption function AI of the photons in the photoemissive layer is a function not only of n, k, x but also of e 1 , ni, k i and the expression giving the yield p ' ⁇ of photoemission of the structure is written:
  • the materials used for the substrate have a refractive index of magnitude of the order of 1.5 to 2 and those, used for the transparent intermediate layer (k 1 ⁇ 0), a refractive index greater than that of the substrate and smaller than that of the photoemissive layer.
  • Figure 1 is a sectional view of an embodiment of a device in which the substrate consists of a disc 11 transparent to radiation on which are deposited the photoemissive layer 12 of thickness e and the intermediate layer 13 of thickness e 1 also transparent to radiation.
  • This stack is supposed to constitute the entrance to a photoelectric tube, the light to be detected being present on the left side of the stack in the direction of arrow 14, the vacuum of the tube 15 being on the right side.
  • the invention proposes to improve the photoemission efficiency compared to a reference photoemissive layer deposited directly on a substrate, this improvement being demonstrated in areas of the light spectrum centered on the lengths.
  • This reference layer for example of the S 20 trialcaline type of chemical formula (Sb Na 2 K, Cs) is deposited on a substrate with a refractive index of the order of 1.5.
  • the photoemission efficiency ⁇ of such a layer is maximum in each of the domains for a certain value of the thickness e of the layer. The order of magnitude of this value appears on line 2 of Table 1 below according to the spectral range.
  • the intermediate layer introduced between the photoemissive layer and the substrate is a layer for example of TiO 2 with a refractive index 2.6.
  • each curve corresponds to a value of e 1 of the intermediate layer, this value being indicated opposite each curve.
  • the photoemission efficiency p' ⁇ of the device is optimal in each of the spectral domains when the pairs of values of e and e 1 are those indicated in lines 4 and 5 of Table I, the efficiency being for its part indicated in line 6.
  • Line 7 indicates the ratio equal to 1.3; 1.25; 1.1; in the blue, green and red spectral domains respectively.
  • the highest photoemissive gain is therefore obtained in blue light with a photocathode thickness comparable to the photoemissive layers of type S 20 of the same composition deposited directly on the substrate.
  • the photoelectric detection device according to the invention is not limited to that corresponding to thicknesses e and e 1 , the pairs of values of which are those indicated in table I.
  • the invention extends to devices for which the sum e + e 1 is equal to the values previously indicated to within 15%.
  • the invention leads to devices which are defined in a similar manner and whose sums e + e 1 are characteristic of the spectral domains considered.
  • a second embodiment of the invention consists in the use of some of the devices obtained according to the first embodiment as a photoelectric detection device in the visible and near infrared spectrum with obtaining uniformity of sensitivity in said spectrum as good. as possible.
  • the invention extends to all devices comprising on the substrate a photoemissive layer and a transparent intermediate layer (K 1 ⁇ 0) whose refractive index of the material is between that of the substrate and that of the photoemissive material.
  • the photoemissive layer is bialcalan of chemical formula Sb Ax
  • a and B are alkaline elements and x, y coefficients, if it is a question of increasing the sensitivities in blue and green or of Sb Ax type if it is a question of increasing the sensitivity only in blue or of Ag 0 Cs type for the increase of the sensitivity in all the visible and near infrared spectrum light.
  • the TiO 2 material of the intermediate layer is for example replaced by Ta 2 O 5 or else In 2 O 3 or Sn 0 2 (except in the presence of sodium) or SiO, Mn O, Al 2 O 3 Si 3 N 4 , Mg O or a lanthanum glass prepared in a thin layer.
  • the thicknesses e and e 1 of the device are found to have substantially the same values as those indicated in Tables 1 and II, variations of 15% being permitted without substantially deviating optimizing the photoemission efficiency of the device.

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

  • La présente invention concerne un dispositif de détection photoélectrique pour un rayonnement de longueur d'one comprise dans un certain domaine, lequel dispositif comprend dans une enveloppe à vide une couche photoémissive supportée par un substrat qui est transparent au rayonnement incident et en outre, pour l'adaptation optique, une couche intermédiaire transparente audit rayonnement, disposée entre la couche photoémissive et le substrat, l'indice de réfraction du matériau constitutif de la couche intermédiaire étant compris entre celui du substrat et celui du matériau de la couche photoémissive.
  • De tels dispositifs peuvent être par exemple des cellules photoélectriques, des tubes intensifica- teurs d'image, des tubes image intégrés dans des systèmes de prise de vues de télévision ou encore des photomultiplicateurs.
  • Quand un dispositif de détection photoélectrique comporte une couche photoémissive déposée directement sur un substrat, il en résulte en général une mauvaise adaptation optique de la couche photoémissive sur le substrat si bien qu'une bonne partie de la lumière incidente sur le substrat est mal utilisée pour la conversion des photons en électrons. L'efficacité de détection photoélectrique du dispositif s'en trouve considérablement réduite. Il est connu d'améliorer cette efficacité en atténuant les phénomènes de réflexion qui se produisent à l'interface substrat-couche photoémissive au moyen d'une ou plusieurs couches intermédiaires transparentes au rayonnement incident placées entre substrat et couche photoémissive.
  • Un tel dispositif ne comportant qu'une seule couche intermédiaire, comme selon l'invention, fait l'objet par exemple du brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 254 253. La couche intermédiaire introduite est choisie pour sa faible absorption. Par ailleurs, ses constantes optiques et son épaisseur sont telles que, compte tenu des constantes optiques du substrat et de la couche photoémissive, les lumières réfléchies respectivement à l'interface substrat-couche intermédiaire et à l'interface couche intermédiaire-couche photoémissive sont sensiblement de même amplitude et de phase opposées, si bien qu'elles tendent à s'annuler mutuellement par interférence.
  • Un tel dispositif atténue considérablement les pertes dues aux phénomènes de réflexion mais ne représente pas nécessairement le dispositif qui, construit avec des couches de même composition, présenterait le rendement de photoémission optimal.
  • Le but de l'invention est de proposer un dispositif de détection photoélectrique comprenant une couche photoémissive supportée par un substrat transparent aux radiations incidentes avec couche intermédiaire également transparente, entre substrat et couche photoémissive, le rendement de photoémission dudit dispositif étant optimal compte tenu de la nature des matériaux constitutifs respectivement du substrat et des couches photoémissive et intermédiaire.
  • Ce but est atteint pour les longueurs d'onde indiquées par les dispositifs selon les revendications 1 et 2. Des réalisations particulières sont définies dans les revendications 3 et 4. Le préambule est caractérisé en ce que l'épaisseur e de la couche photoémissive et l'épaisseur ei de la couche intermédiaire sont proportionnées de telle sorte que l'absorption des photons du domaine de longueur d'onde considéré s'effectue préférentiellement dans la couche photoémissive au voisinage de l'interface de ladite couche avec le vide du dispositif, dans une tranche d'épaisseur, mesurée à partir de ladite interface, de l'ordre de grandeur de la profondeur.
  • Pour naître, l'invention se fonde sur les expressions théoriques du rendement de photoémission d'un dispositif de détection photoélectrique avec ou sans couche intermédiaire entre substrat et couche photoémissive, l'absorption de la lumière dans la couche photoémissive étant supposée s'effectuer dans la couche photoémissive.
  • En l'absence de couche intermédiaire, ce rendement est fonction de l'épaisseur e de la couche photoémissive et de ses constantes optiques n, k (n indice de réfraction et k indice d'extinction du matériau). Son expression s'écrit:
    Figure imgb0001
    dans laquelle les symboles ont la signification suivante:
    • - x distance mesurée entre l'interface couche photoémissive vide du tube (x = 0) et le lieu d'absorption des photons dans la couche;
    • - W énergie des photoélectrons;
    • - Aλ (n, k, x) fonction d'absorption de la radiation de longueur d'onde À dans la couche photoémissive à la distance x de l'interface couche photoémissive vide;
    • - P(W, 0) propabilité de sortie des photoélectrons à l'interface couche photoémissive vide (x = 0), prise égale à l'unité dans les applications qui suivent;
    • - L profondeur d'échappement des photoélectrons de la couche photoémissive;
    • - f(x, L) loi caractérisant le transport des électrons dans la couche;
    • - e épaisseur de la couche photoémissive.
  • En présence d'une couche intermédiaire d'épaisseur e1 et de constantes optiques ni, k1 (ni indice de réfraction, k1 indice d'extinction) entre le substrat et la couche photoémissive, la fonction d'absorption AI des photons dans la couche photoémissive est fonction non seulement de n, k, x mais aussi de e1, ni, ki et l'expression donnant le rendement p'λ de photoémission de la structure s'écrit:
    Figure imgb0002
  • Des applications numériques des expressions (1) et (2) en prenant comme loi de transport des électrons
    Figure imgb0003
    (où e représente ici le nombre de Neper) pour quelques cas théoriques, suivies de vérifications expérimentales servent à illustrer l'invention. Les matériaux utilisés pour le substrat présentent un indice de réfraction de grandeur de l'ordre de 1,5 à 2 et ceux, utilisés pour la couche intermédiaire transparente (k1≠0), un indice de réfraction plus grand que celui du substrat et plus petit que celui de la couche photoémissive.
  • L'invention est décrite ci-après plus en détail au moyen d'exemples en référence à des dessins qui représentent:
    • Figure 1: une vue schématique en coupe du dispositif de photoémission selon l'invention.
    • Figure 2: un réseau de courbes en coordonnées cartésiennes indiquant le rendement de photoémission du dispositif en fonction de l'épaisseur e de la couche photoémissive pour différentes valeurs e1 de la couche intermédiaire à la longueur d'onde λ = 436 nm, le matériau photoémissif étant (Sb Na2 K, Cs) et celui de la couche intermédiaire Ti02.
    • Figure 3: un réseau de courbes semblables indiquant le rendement de photoémission du dispositif à la longueur d'onde λ = 546 nm.
    • Figure 4: un réseau de courbes semblables indiquant le rendement de photoémission du dispositif à la longueur d'onde λ = 800 nm.
    • Figure 5: un réseau de courbes indiquant la sensibilité énergétique en fonction de l'épaisseur e de couche photoémissive d'un dispositif de photoémission avec et sans couche intermédiaire en TiO2 d'épaisseur e1 = 50 nm.
    • Figure 6: la sensibilité spectrale énergétique d'un dispositif de photoémission selon l'invention en fonction de la longueur d'onde de la lumière, avec couche intermédiaire d'épaisseur e1 = 50 nm en Ti02 et couche photoémissive d'épaisseur e = 90 nm en (Sb Na2 K, Cs), et la sensibilité de la même couche photoémissive d'épaisseur 130 nm déposée directement sur le substrat de verre (couche dite S 25).
  • La figure 1 est une vue en coupe d'une réalisation d'un dispositif dans lequel le substrat consiste en un disque 11 transparent au rayonnement sur lequel sont déposées la couche photoémissive 12 d'épaisseur e et la couche intermédiaire 13 d'épaisseur e1 transparente également aux radiations. Cet empilement est censé constituer l'entrée d'un tube photoélectrique, la lumière à détecter se présentant du côté gauche de l'empilement dans le sens de la flèche 14, le vide du tube 15 se trouvant du côté droit.
  • Selon un premier mode de réalisation, l'invention se propose d'améliorer le rendement de photoémission par rapport à une couche photoémissive de référence déposée directement sur un substrat, cette amélioration étant mise en évidence dans des domaines du spectre de lumière centré sur les longueurs d'ondes du bleu (λ = 436 nm), du vert (λ = 546 nm) et du rouge (λ = 800 nm). Cette couche de référence, par exemple du type S 20 trialcaline de formule chimique (Sb Na2 K, Cs) est déposée sur un substrat d'indice de réfraction de l'ordre de 1,5. Le rendement ρλ de photoémission d'une telle couche est maximal dans chacun des domaines pour une certaine valeur de l'épaisseur e de la couche. L'ordre de grandeur de cette valeur apparaît sur la ligne 2 du tableau 1 ci-après en fonction du domaine spectral. Sur la ligne 3 du même tableau est indiqué le rendement de photoémission correspondant exprimé en électrons par 100 photons incidents. Selon ce premier mode de réalisation, la couche intermédiaire introduite entre la couche photoémissive et le substrat est une couche par exemple en TiO2 d'indice de réfraction 2,6. Sur les figures 2, 3, 4 sont représentées en coordonnées cartésiennes les variations en fonction de l'épaisseur e de la couche photoémissive, du rendement de photoémission du dispositif construit pour des lumières respectivement bleue, verte et rouge centrées sur les longueurs d'onde λ respectivement: λ = 436 nm, λ = 546 nm, λ = 800 nm. Sur ces figures, chaque courbe correspond à une valeur de e1 de la couche intermédiaire, cette valeur étant indiquée en regard de chaque courbe. Le rendement p'λ de photoémission du dispositif est optimal dans chacun des domaines spectraux lorsque les couples de valeurs de e et e1 sont ceux indiqués aux lignes 4 et 5 du tableau I, le rendement étant pour sa part indiqué à la ligne 6. Sur la ligne 7 on a indiqué le rapport
    Figure imgb0004
     égal à 1,3; 1,25; 1,1; dans les domaines spectraux respectivement bleu, vert et rouge. Le gain photoémissif le plus important est donc obtenu en lumière bleu avec une épaisseur de photocathode comparable aux couches photoémissives de type S 20 de même composition déposée directement sur le substrat.
  • Le dispositif de détection photoélectrique selon l'invention ne se limite pas à celle correspondant à des épaisseurs e et e1 dont les couples de valeurs sont ceux indiqués sur le tableau I.
    Figure imgb0005
  • En effet, comme il apparaît sur chacune des figures 2, 3, 4, il existe d'autres couples de valeurs pour lesquelles le rendement de photoémission est sensiblement optimal. Chaque couple de valeurs correspond à une variante de l'invention. Ces couples de valeurs apparaissent pour chacun des domaines spectraux dans le tableau Il ci-après.
    Figure imgb0006
  • Dans les domaines spectraux bleu et vert, les couples des valeurs se groupent dans deux ensembles correspondant chacun à une somme des épaisseurs e et ej sensiblement constante à savoir dans le bleu e+e1 = 145 nm et e+ei = 70 nm et dans le vert e+e1 = 190 nm, e+e1 = 90 nm. Dans le domaine rouge les couples des valeurs forment un ensemble pour lequel e + e1 = 145 nm. Compte tenu de la précision des mesures, l'invention s'étend aux dispositifs pour lesquels la somme e+e1 est égale aux valeurs précédemment indiquées à 15% près. Pour des domaines de longueurs d'onde différents, l'invention conduit à des dispositifs se définissant de manière analogue et dont les sommes e+e1 sont caractéristiques des domaines spectraux considérés.
  • Un second mode de réalisation de l'invention consiste dans l'utilisation de certains des dispositifs obtenus selon le premier mode de réalisation comme dispositif de détection photoélectrique dans le spectre visible et proche infrarouge avec obtention d'une uniformité de sensibilité dans ledit spectre aussi bonne que possible. Le dispositif choisi est par exemple celui pour lequel les matériaux de couches photoémissive et intermédiaire sont respectivement (Sb Na2 K, Cs) et TiO2 avec des épaisseurs e et e1 de l'ordre e1 = 50 nm et e = 90 nm. La figure 5 représente à ce sujet trois couples de courbes répertoriés B, V, R indiquant la sensiblité énergétique, exprimée en mA par Watt de dispositifs de détection photoélectrique dans les domaines, respectivement bleu, vert, rouge du spectre en fonction de l'épaisseur de la couche photoémissive, les courbes en pointillés correspondant à un dispositif avec un dépôt direct de la couche photoémissive sur le substrat, les courbes en traits pleins à un dispositif avec couche photoémissive déposée sur couche intermédiaire d'épaisseur el = 50 nm entre substrat et couche photoémissive, la probabilité P(W, 0) de sortie des électrons de la couche photoémissive étant prise égale à 0,5 dans tous les cas. L'ensemble de ces courbes permet de comparer la sensibilité du dispositif photoélectrique selon l'invention avec celle d'une couche photoémissive S 25 déposée directement sur le verre et dont l'épaisseur serait 130 nm. Ce gain photoémissif obtenu, selon l'invention, par rapport à la couche S 25 est de l'ordre de 1,1 dans le rouge, 1,5 dans le vert, 2,5 dans le bleu. Les conséquences apparaissent sur les courbes 61 et 62 de la figure 6 représentant les variations, en fonction de la longueur d'onde λ de la lumière, de la sensibilité énergétique exprimée en mA par Watt respectivement de la couche S 25 et du dispositif selon l'invention. Par rapport à la couche S 25, la sensibilité se trouve augmentée dans le bleu et le vert et de ce fait présente une certaine uniformité.
  • Il va de soi que l'invention s'étend à tous les dispositifs comportant sur le substrat une couche photoémissive et une couche intermédiaire transparente (K1≠0) dont l'indice de réfraction du matériau est compris entre celui du substrat et celui du matériau photoémissif.
  • Ainsi, selon des variantes de ces modes de réalisation, la couche photoémissive est bialca- line de formule chimique Sb Ax By dans laquelle A et B sont des éléments alcalins et x, y des coefficients, s'il s'agit d'accroître les sensibilités dans le bleu et le vert ou encore de type Sb Ax s'il s'agit d'accroître la sensibilité seulement dans le bleu ou encore de type Ag 0 Cs pour l'accroissement de la sensibilité dans tout le spectre visible et proche infrarouge de la lumière. Par ailleurs, le matériau TiO2 de la couche intermédiaire est par exemple remplacé par Ta2O5 ou encore In2 O3 ou Sn 02 (sauf en cas de présence de sodium) ou SiO, Mn O,Al2O3 Si3N4, Mg O ou encore un verre au lanthane préparé en couche mince. Lorsque les matériaux des couches photoémissive et intermédiaire sont ceux précédemment indiqués, les épaisseurs e et e1 du dispositif se trouvent avoir sensiblement les mêmes valeurs que celles indiquées dans les tableaux 1 et Il, des variations de 15% étant autorisées sans s'écarter sensiblement de l'optimalisation du rendement de photoémission du dispositif.
  • Parmi les autres avantages présentés par les dispositifs selon l'invention, on peut noter la faiblesse des épaisseurs de couche photoémissive par rapport à celles dans les dispositifs de l'art antérieur et, par ailleurs, le fait que certaines des couches intermédiaires par exemple Sn02 et In203, en présentant une résistance électrique très faible, permettent une stabilisation du potentiel électrique à la surface de la couche photoémissive favorable à son fonctionnement en photocathode.

Claims (4)

1. Dispositif de détection photoélectrique pour un rayonnement de longueur d'onde comprise dans un certain domaine, lequel dispositif comprend dans une enveloppe à vide une couche photoémissive (12) d'épaisseur e supportée par un substrat (11) qui est transparent au rayonnement incident et en outre, pour l'adaptation optique, une couche intermédiaire (13) transparente audit rayonnement et d'épaisseur e1 disposée entre la couche photoémissive et le substrat, l'indice de réfraction de matériau constructif de la couche intermédiaire étant compris entre celui du substrat et celui du matériau de la couche photoémissive, caractérisé en ce que pour obtenir un rendement de photoémission maximal dans le bleu, ou dans le vert ou dans le rouge, on choisit les épaisseurs e1 et e parmi les couples de valeurs figurant dans le tableau suivant:
Figure imgb0007
les épaisseurs étant soumises à une tolérance de 15%, les couples des valeurs se groupant, dans les domaines du bleu et du vert, selon deux ensembles avec e+e1 = 145 nm et e+e1 = 70 nm dans le bleu et e+e1 = 190 nm et e+e1 = 90 nm dans le vert, et dans le rouge selon un ensemble avec e+e1 = 145 nm.
2. Dispositif de détection photoélectrique pour la détection de radiations de longueurs d'onde appartenant au spectre visible et au proche infrarouge avec une bonne uniformité de sensibilité énergétique spectrale, lequel dispositif comprend dans une enveloppe à vide une couche photoémissive (12) d'épaisseur e supportée par un substrat (11) qui est transparent au rayonnement incident et en outre, pour l'adaptation optique, une couche intermédiaire (13) transparente audit rayonnement et d'épaisseur e1, disposée entre la couche photoémissive et le substrat, l'indice de réfraction du matériau constitutif de la couche intermédiaire étant compris entre celui du substrat et celui du matériau de la couche photoémissive, caractérisé en ce que les valeurs de e et e1 sont respectivement: e1 = 50 nm et e = 90 nm avec une tolérance de 15%.
3. Dispositif de détection photoélectrique selon une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau photoémissif est l'un des matériaux suivants: Sb K2 Cs, Sb K2 Rb, Sn Rb2 Cs, Sb Cs3, Ag 0 Cs, et en ce que le matériau de couche intermédiaire (13) est l'un des matériaux suivants: TiO2, Ta2O5, In2O3, Sn O2, SiO, MnO, Al2O3, Si3N4, MgO, verre au lanthane.
4. Dispositif de détection photoélectrique selon une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau photoémissif est l'un des matériaux suivants: Sb K2 Cs, Sb Na2 K Cs, Sb K2 Rb, Sb Rb2 Cs, Sb Cs3, Ag 0 Cs, et en ce que la matériau du couche intermédiaire (13) est l'un des matériaux suivants: Ti02, Ta205, SiO, MnO, AI203, MgO, Si3N4, verre au lanthane.
EP82200039A 1981-01-21 1982-01-14 Dispositif de détection photoélectrique Expired EP0056671B1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8101039A FR2498321A1 (fr) 1981-01-21 1981-01-21 Structure de detection photoelectrique
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Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0056671A1 EP0056671A1 (fr) 1982-07-28
EP0056671B1 true EP0056671B1 (fr) 1987-08-26

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EP82200039A Expired EP0056671B1 (fr) 1981-01-21 1982-01-14 Dispositif de détection photoélectrique

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4490605A (fr)
EP (1) EP0056671B1 (fr)
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