EA032068B1 - Precision chip resistor and method for manufacturing the same - Google Patents
Precision chip resistor and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- EA032068B1 EA032068B1 EA201600585A EA201600585A EA032068B1 EA 032068 B1 EA032068 B1 EA 032068B1 EA 201600585 A EA201600585 A EA 201600585A EA 201600585 A EA201600585 A EA 201600585A EA 032068 B1 EA032068 B1 EA 032068B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- thin
- film
- layer
- substrate
- resistive
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 claims description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Description
Настоящее изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии изготовления резистивных элементов, в частности тонкопленочной технологии. Задачей настоящего изобретения является создание простого, надежного и технологичного чип-резистора и способа его изготовления Поставленная задача в прецизионном чип-резисторе, содержащем изоляционную подложку, несущую на рабочей поверхности тонкопленочный резистивный слой с рисунком, верхние контакты, выполненные на рабочей поверхности подложки, нижние контакты, выполненные на поверхности подложки, противоположной рабочей, причем верхние и нижние контакты соединены проводящим покрытием, нанесенным на торцы подложки, и покрыты последовательными слоями никеля и олова, решена тем, что между рабочей поверхностью подложки и резистивным слоем выполнен тонкопленочный барьерный слой хотя бы из одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррш и теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК), а поверх рабочей области резистивного слоя выполнен тонкопленочный защитный слой хотя бы из одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррш, теплопроводность не менее 80 Вт/(м*К), прозрачного для лазерного излучения. Заявлен также способ изготовления заявленного чип-резистора.The present invention relates to the field of electrical engineering, and in particular to a technology for manufacturing resistive elements, in particular thin-film technology. The objective of the present invention is to provide a simple, reliable and technologically advanced chip resistor and method for its manufacture. The problem is set in a precision chip resistor containing an insulating substrate carrying a thin-film resistive layer with a pattern on the working surface, upper contacts made on the working surface of the substrate, lower contacts made on the surface of the substrate opposite to the working one, the upper and lower contacts being connected by a conductive coating deposited on the ends of the substrate and coated with with the consistent layers of nickel and tin, it was decided that between the working surface of the substrate and the resistive layer a thin-film barrier layer is made of at least one material having a temporary stability in the range of 10 to 100 rhp and thermal conductivity of at least 80 W / (mKhK), and on top the working area of the resistive layer is made of a thin-film protective layer of at least one material having a temporary stability in the range from 10 to 100 rh, thermal conductivity of at least 80 W / (m * K), transparent to laser radiation. A method for manufacturing the claimed chip resistor is also claimed.
Настоящее изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии изготовления резистивных элементов, в частности тонкопленочной технологии.The present invention relates to the field of electrical engineering, and in particular to a technology for manufacturing resistive elements, in particular thin-film technology.
В современной технике известно большое количество резистивных элементов, описанных, например, в патентах России № 2123735, публ. 20.12.1998, и № 2312418, публ. 10.12.2007.In modern technology there are a large number of resistive elements described, for example, in Russian patents No. 2123735, publ. 12/20/1998, and No. 2312418, publ. 12/10/2007.
В частности, известен аналог как заявленного чип-резистора, так и способа его изготовления, описанный в патенте США № И8 6703683. В данном источнике описан чип-резистор, содержащий подложку, несущую на рабочей поверхности тонкопленочный резистивный слой с рисунком, верхние контакты, выполненные на рабочей поверхности подложки, нижние контакты, выполненные на поверхности подложки, противоположной рабочей, причем верхние и нижние контакты соединены проводящим покрытием. Верхние и нижние электроды сформированы толстопленочными. Верхние электроды выполнены на противоположных концах изолирующей подложки из двух слоев так, чтобы соответствующий конец резистивного слоя был зажат между указанными слоями соответствующего верхнего электрода.In particular, an analogue of both the declared chip resistor and the method of its manufacture is known, described in US Pat. No. I8 6703683. This source describes a chip resistor containing a substrate carrying a thin-film resistive layer with a pattern on the working surface, top contacts made on the working surface of the substrate, lower contacts made on the surface of the substrate opposite to the working one, the upper and lower contacts being connected by a conductive coating. The upper and lower electrodes are formed by thick film. The upper electrodes are made at the opposite ends of the insulating substrate of two layers so that the corresponding end of the resistive layer is sandwiched between these layers of the corresponding upper electrode.
Способ изготовления чип-резистора по указанному патенту включает в себя формирование на подложке толстопленочных верхних и нижних электродов, тонкопленочного резистивного слоя, фотолитографическое формирование на указанном резистивном слое токопроводящих резистивных дорожек для получения требуемого номинала резистора и лазерную подгонку указанного номинала резистора, формирование второго слоя верхних электродов, а также соединяющего верхние и нижние электроды проводящего покрытия на торцах подложки по толстопленочной технологии, формирование толстопленочных защитных слоев на рабочей области резистивной пленки.The method of manufacturing a chip resistor according to the aforementioned patent includes forming on the substrate thick-film upper and lower electrodes, a thin-film resistive layer, photolithographic formation on the specified resistive layer of conductive resistive tracks to obtain the desired resistor value and laser fitting of the specified resistor value, the formation of the second layer of the upper electrodes , as well as connecting the upper and lower electrodes of the conductive coating at the ends of the substrate by thick-film technology and, the formation of thick film protective layers on the working area of the resistive film.
Наиболее близкий аналог как заявленного чип-резистора, так и способа его изготовления, описан в патенте России № 2402088, публ. 20.10.2010. В данном источнике описан прецизионный чип-резистор, содержащий изоляционную подложку, несущую на рабочей поверхности тонкопленочный резистивный слой с рисунком, верхние контакты, выполненные на рабочей поверхности подложки, нижние контакты, выполненные на поверхности подложки, противоположной рабочей, причем верхние и нижние контакты соединены проводящим покрытием. Верхние и нижние электроды сформированы толстопленочными.The closest analogue of both the declared chip resistor and the method of its manufacture are described in Russian patent No. 2402088, publ. 10/20/2010. This source describes a precision chip resistor containing an insulating substrate carrying a thin-film resistive layer with a pattern on the working surface, upper contacts made on the working surface of the substrate, lower contacts made on the surface of the substrate opposite to the working one, the upper and lower contacts being connected by a conductive coated. The upper and lower electrodes are formed by thick film.
Способ изготовления чип-резистора по указанному патенту включает в себя формирование на подложке толстопленочных верхних и нижних электродов и напыление тонкопленочного резистивного слоя, формирование в указанном резистивном слое токопроводящих резистивных дорожек методом фотолитографиии и ионного травления и лазерную подгонку номинала указанного резистора, формирование проводящего покрытия на торцах подложки, соединяющего верхние и нижние электроды, формирование хотя бы одного защитного слоя на рабочей области резистивной пленки.The method of manufacturing a chip resistor according to the aforementioned patent includes forming thick film upper and lower electrodes on a substrate and sputtering a thin film resistive layer, forming conductive resistive paths in said resistive layer by photolithography and ion etching and laser-matching the specified resistor, forming a conductive coating at the ends substrate connecting the upper and lower electrodes, the formation of at least one protective layer on the working area of the resistive film and.
Недостатком указанных устройства и способа является применение в одном процессе как тонкопленочных, так и толстопленочных технологий, что требует разнородного оборудования и усложняет технологический процесс. Кроме того, использование резистивного элемента, изготовленного по тонкопленочной технологии, и электродов, изготовленных по толстопленочной технологии, не обеспечивает гарантированно надежного и стабильного их взаимного контакта.The disadvantage of these devices and methods is the use in the same process of both thin-film and thick-film technologies, which requires heterogeneous equipment and complicates the process. In addition, the use of a resistive element made by thin-film technology and electrodes made by thick-film technology does not guarantee their reliable and stable mutual contact.
Задачей настоящего изобретения является создание простого, надежного и технологичного чипрезистора и способа его изготовления.The objective of the present invention is to provide a simple, reliable and technologically advanced chip resistor and method for its manufacture.
Поставленная задача в прецизионном чип-резисторе, содержащем изоляционную подложку, несущую на рабочей поверхности тонкопленочный резистивный слой с рисунком, верхние контакты, выполненные на рабочей поверхности подложки, проводящее покрытие, нанесенное на рабочую, торцы и противоположную сторону подложки, и покрытое последовательными слоями никеля и олова, решена тем, что между рабочей поверхностью подложки и резистивным слоем выполнен тонкопленочный барьерный слой из хотя бы одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррт и теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК), а поверх рабочей области резистивного слоя выполнен тонкопленочный защитный слой хотя бы из одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррт, теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК), прозрачного для лазерного излучения.The task is a precision chip resistor containing an insulating substrate, carrying a thin-film resistive layer with a pattern on the working surface, upper contacts made on the working surface of the substrate, a conductive coating deposited on the working surface, the ends and the opposite side of the substrate, and coated with successive layers of nickel and tin, it is decided that between the working surface of the substrate and the resistive layer is made of a thin-film barrier layer of at least one material having a temporary stability before at a temperature of 10 to 100 ppm and thermal conductivity of at least 80 W / (mhK), and a thin-film protective layer made of at least one material having a temporary stability in the range of 10 to 100 ppm and a thermal conductivity of at least 80 W / (MhK), transparent to laser radiation.
Тонкопленочный резистивный слой выполнен из ΝίίΤ сплава с толщиной в пределах 5-65 нм, а каждый из тонкопленочных барьерного и защитного слоев выполнен из материала, выбранного из группы, включающей 8ί3Ν4, 8ίΘ2, А12О3, Α1Ν, толщиной в пределах 50-250 нм.The thin-film resistive layer is made of ΝίίΤ alloy with a thickness in the range of 5-65 nm, and each of the thin-film barrier and protective layers is made of a material selected from the group consisting of 8ί 3 Ν 4 , 8ίΘ 2 , A1 2 O 3 , Α1Ν, thickness limits of 50-250 nm.
Верхние контакты выполнены в виде хотя бы одной тонкой пленки меди толщиной 100-300 нм, поверх которой нанесен хотя бы один тонкий слой никеля толщиной 100-200 нм, а проводящее покрытие на рабочей, торцах и обратной стороне подложки выполнено в виде хотя бы одного тонкого слоя никеля толщиной 100-200 нм.The upper contacts are made in the form of at least one thin film of copper 100-300 nm thick, on top of which at least one thin layer of nickel 100-200 nm thick is deposited, and the conductive coating on the working, ends and back of the substrate is made in the form of at least one thin a nickel layer 100-200 nm thick.
На свободной от контактов площади резистивного элемента выполнен второй защитный слой в виде толстопленочного слоя органической защиты.On the free contact area of the resistive element, a second protective layer is made in the form of a thick film layer of organic protection.
Поставленная задача в способе изготовления чип-резистора, включающем напыление на подложке тонкопленочного резистивного слоя, формирование в указанном резистивном слое токопроводящих резистивных дорожек методом фотолитографиии и ионного травления, формирование верхних электродов, формирование защитного слоя на рабочей области резистивной пленки, лазерную подгонку номинала резистора, разделение изоляционной подложки на полосы и формирование проводящего покрытия наThe object of the invention is a method for manufacturing a chip resistor, including sputtering a thin film resistive layer on a substrate, forming conductive resistive paths in said resistive layer by photolithography and ion etching, forming upper electrodes, forming a protective layer on the resistive film working area, laser adjustment of the resistor value, separation insulating substrate into strips and forming a conductive coating on
- 1 032068 рабочей, торцах и обратной стороне подложки напылением тонкого слоя никеля, соединяющего верхнюю и нижнюю стороны подложки, а также разделение полос подложки на отдельные чипы, решена тем, что до формирования резистивного слоя на поверхность подложки напыляют тонкопленочный барьерный слой из хотя бы одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррт и теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК), после чего, не выгружая подложки из камеры напыления, напыляют резистивный слой путем магнетронного со-крийетшд компонентов конечной пленки из мишеней чистых материалов, верхние контакты формируют, осаждая последовательно пленки меди и никеля через соответствующую фотолитографическую маску на краях напыленного резистивного слоя, формируют тонкопленочный защитный слой на рабочей области резистивного слоя напылением хотя бы одного материала, имеющего временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррт и теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК), после чего производят лазерную подгонку номинала резистора.- 1 032068 working, ends and back of the substrate by spraying a thin layer of nickel connecting the upper and lower sides of the substrate, as well as the separation of the strip of the substrate into separate chips, it is decided that before the formation of the resistive layer on the surface of the substrate, a thin-film barrier layer of at least one a material having a temporary stability in the range of 10 to 100 rpm and a thermal conductivity of at least 80 W / (mKhK), after which, without unloading the substrate from the spraying chamber, the resistive layer is sprayed by the magnetron co-component of the final film from targets of pure materials, the upper contacts are formed by sequentially depositing copper and nickel films through the corresponding photolithographic mask at the edges of the deposited resistive layer, and a thin-film protective layer is formed on the working area of the resistive layer by sputtering of at least one material having a temporary stability ranging from 10 up to 100 ppm and thermal conductivity of at least 80 W / (mKhK), after which laser adjustment of the resistor value is performed.
До операции формирования барьерного слоя осуществляют многоступенчатую очистку подложки, осуществляя последовательно отмывку, химическую очистку в перекисно-аммиачном растворе в ультразвуковой ванне с нагревом раствора до температуры 50-70°С в течение 5-15 мин, а непосредственно перед нанесением барьерного слоя производят очистку поверхности подложки пучком ионов кислорода.Prior to the operation of forming the barrier layer, the substrate is multi-stage cleaned by washing, chemical cleaning in a peroxide-ammonia solution in an ultrasonic bath with heating the solution to a temperature of 50-70 ° C for 5-15 minutes, and immediately before applying the barrier layer, the surface is cleaned substrates with a beam of oxygen ions.
Тонкопленочный резистивный слой выполняют из №Ст сплава с толщиной в пределах 5-65 нм, а каждый из тонкопленочных барьерного и защитного слоев напыляют материалом, выбранным из группы, включающей 8ί3Ν4, 8ίΟ2, А12О3, Α1Ν, толщиной в пределах 50-250 нм.The thin-film resistive layer is made of No.St alloy with a thickness in the range of 5-65 nm, and each of the thin-film barrier and protective layers is sprayed with a material selected from the group consisting of 8ί 3 Ν 4 , 8ίΟ 2 , A1 2 O 3 , Α1Ν, thickness limits of 50-250 nm.
Верхние контакты выполняют в виде хотя бы одной тонкой пленки меди толщиной 100-300 нм, поверх которой наносят хотя бы один тонкий слой никеля толщиной 100-200 нм, а проводящее покрытие на рабочей, торцах и обратной стороне подложки выполняют в виде хотя бы одного тонкого слоя никеля толщиной 100-200 нмThe upper contacts are made in the form of at least one thin film of copper 100-300 nm thick, on top of which at least one thin layer of nickel 100-200 nm thick is applied, and the conductive coating on the working, ends and back of the substrate is made in the form of at least one thin 100-200 nm thick nickel layer
На свободную от контактов площадь резистивного элемента наносят толстопленочный слой органической защиты.A thick film layer of organic protection is applied to the area of the resistive element free of contacts.
На чертежах представлены неограничивающие примеры реализации заявленного изобретения.The drawings show non-limiting examples of the implementation of the claimed invention.
На фиг. 1 представлено схематическое изображение заявленного чип-резистора в продольном разрезе.In FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of the claimed chip resistor.
На фиг. 2 представлен алгоритм заявленного способа изготовления заявленного чип-резистора.In FIG. 2 presents the algorithm of the claimed method of manufacturing the claimed chip resistor.
Прецизионный тонкопленочный чип-резистор, показанный на фиг. 1, изготовлен на керамической подложке 1, выполненной из оксида алюминия, на которую напылен барьерный слой 2 толщиной 50-250 нм, на барьерном слое 2 методом магнетронного со-крийеттд выполнен резистивный слой в виде сплавной резистивной пленки 3 толщиной в пределах 5-65 нм, рабочая область которой закрыта защитным слоем 4 толщиной 50-250 нм. На краях резистивной пленки 3 последовательно осаждены пленки меди 5 и никеля 6 толщиной 100-300 нм каждая, формируя верхние контакты 7. На свободной от контактов 7 рабочей области резистивной пленки 3 размещен толстопленочный слой 8 органической защиты, предназначенный для нанесения на него маркировки (на чертеже не показана). На края обратной стороны и торцы подложки 1 напылен тонкий слой 9 никеля толщиной 100-200 нм, после чего с использованием гальванического осаждения нанесены слои никеля 10 и олова 11 толщиной 3-20 мкм.The precision thin film chip resistor shown in FIG. 1, is made on a ceramic substrate 1 made of aluminum oxide, on which a barrier layer 2 with a thickness of 50-250 nm is sprayed, a resistive layer in the form of an alloy resistive film 3 with a thickness in the range of 5-65 nm is made on the barrier layer 2 by the magnetron method , the working area of which is covered by a protective layer 4 with a thickness of 50-250 nm. At the edges of the resistive film 3, films of copper 5 and nickel 6 with a thickness of 100-300 nm each are sequentially deposited, forming the upper contacts 7. On the contact-free 7 working area of the resistive film 3 there is a thick film layer 8 of organic protection intended for marking ( not shown). A thin nickel layer 9 of 100-200 nm thick is sprayed onto the edges of the reverse side and the ends of the substrate 1, after which layers of nickel 10 and tin 11 with a thickness of 3-20 μm are deposited using galvanic deposition.
Заявленный способ осуществляют следующими последовательными этапами.The claimed method is carried out in the following sequential steps.
Подготовка подложек.Preparation of substrates.
Пленки функциональных слоев тонкопленочного резистора должны иметь прочную связь (адгезию) с подложкой 1. Эта связь не должна ухудшаться со временем или под внешним воздействием. Даже мельчайшие посторонние частицы по своим размерам соизмеримы с толщиной пленки и поэтому оказывают существенное влияние на качество пленки. Загрязнения могут химически взаимодействовать с материалом пленки. Кроме того, известно, что на чистой и загрязненной подложках получаются пленки различной структуры. Поэтому при изготовлении тонкопленочных резисторов одним из важнейших условий обеспечения качества является чистота подложки.The films of the functional layers of the thin-film resistor must have a strong bond (adhesion) with the substrate 1. This bond should not deteriorate with time or under external influence. Even the smallest foreign particles are commensurate in size with the thickness of the film and therefore have a significant effect on the quality of the film. Contaminants can chemically interact with the film material. In addition, it is known that films of various structures are obtained on clean and contaminated substrates. Therefore, in the manufacture of thin-film resistors, one of the most important conditions for ensuring quality is the purity of the substrate.
В технологии используют известные керамические подложки из А12О3 99,6% с предварительно нанесенными надсечками лазером или дисковой пилой, которые в дальнейшем упрощают процесс разделения на отдельные чипы.The technology uses well-known ceramic substrates of Al 2 O 3 99.6% with pre-cut laser or circular saw cuts, which further simplify the process of separation into individual chips.
Для данного типа подложек применяют многоступенчатую систему очистки, которая включает в себя удаление с поверхности твердых частиц и органики.For this type of substrates, a multi-stage cleaning system is used, which includes the removal of solid particles and organics from the surface.
Первоначальную отмывку производят методом центрифугирования с подачей изопропилового спирта.Initial washing is carried out by centrifugation using isopropyl alcohol.
Химическую очистку осуществляют в перекисно-аммиачном растворе (Н2О: Η2Ο22:ΝΗ4ΟΗ в соотношении 15:4:1) в ультразвуковой ванне с нагревом раствора до температуры 50-70°С в теченин 5-15 мин.Chemical cleaning is carried out in a peroxide-ammonia solution (H 2 O: Η 2 Ο 2 2: ΝΗ 4 ΟΗ in a ratio of 15: 4: 1) in an ultrasonic bath with heating the solution to a temperature of 50-70 ° C for 5-15 minutes.
После этого производят отмывку в деионизованной воде.After that, wash in deionized water.
Напыление барьерного слоя 2 и резистивного слоя 3.Spraying barrier layer 2 and resistive layer 3.
Предварительно подготовленные подложки 1 размещают на оснастке, которую загружают в вакуумную напылительную камеру.Pre-prepared substrates 1 are placed on a snap, which is loaded into a vacuum spraying chamber.
Перед процессом напыления осуществляют очистку подложек пучком ионов кислорода для удалеBefore the spraying process, the substrates are cleaned with a beam of oxygen ions to remove
- 2 032068 ния молекулярных частиц, адсорбированных газов, полимерных фрагментов, паров воды, а также для атомарной активации поверхностных связей подложки 1 непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия с целью улучшения адгезии наносимого слоя к поверхности подложки 1.- 02202068 molecular particles, adsorbed gases, polymer fragments, water vapor, as well as for atomic activation of surface bonds of the substrate 1 immediately before applying a thin film coating in order to improve the adhesion of the applied layer to the surface of the substrate 1.
После проведения процесса ионной очистки производят процесс напыления барьерного слоя 2, материалами могут выступать 8ί3Ν4, 8ίΘ2, А12О3, Α1Ν или другие материалы, имеющие временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррт и теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК).After the ion cleaning process, the barrier layer 2 is sprayed, 8ί 3, 4 , 8ίΘ 2 , A1 2 O 3 , Α1Ν or other materials having a temporary stability in the range of 10 to 100 rpm and thermal conductivity of at least 80 W / can be used as materials (mhk).
Затем, не выгружая из подложек 1 из напылительной камеры, производят процесс напыления резистивного слоя 3 путем магнетронного со-крийегшд компонентов конечной пленки из мишеней чистых материалов (N1, Сг, А1, δί, Си, Та, Τι).Then, without unloading from the substrates 1 from the spraying chamber, the resistive layer 3 is sputtered by means of magnetron co-components of the final film from targets of pure materials (N1, Cr, A1, δί, Cu, Ta, Τι).
При использовании процесса со-крийегшд достигается высокая воспроизводимость состава пленки на подложке, что, в свою очередь, влияет на воспроизводимость сопротивления и температурного коэффициента сопротивления.When using the co-process, high reproducibility of the film composition on the substrate is achieved, which, in turn, affects the reproducibility of the resistance and temperature coefficient of resistance.
После напыления резистивного слоя 2 подложки 1 извлекают из напылительной камеры.After spraying the resistive layer 2, the substrates 1 are removed from the spray chamber.
Фотолитография Резистивный слой.Photolithography Resistive layer.
Как метод для формирования токопроводящих резистивных дорожек и получения требуемого номинала резистора применяется стандартный процесс фотолитографии, который включает в себя такие шаги как нанесение фоторезиста, сушку, экспонирование, проявление, дубление. Все эти шаги являются стандартными для процессов микроэлектроники и известны, например, из упомянутого патента России № 2402088. Цель фотолитографии по резистивному слою 3 - получить топологию в виде меандра, тем самым увеличить сопротивление резистора, не изменяя при этом занимаемую площадь. Использование фотолитографии позволяет сократить воздействие лазера на резистивную пленку 3, что повышает надежность и стабильность тонкопленочного резистора.As a method for forming conductive resistive tracks and obtaining the required resistor value, the standard photolithography process is used, which includes such steps as applying photoresist, drying, exposure, developing, tanning. All these steps are standard for microelectronics processes and are known, for example, from the aforementioned Russian patent No. 2402088. The purpose of photolithography in resistive layer 3 is to obtain a topology in the form of a meander, thereby increasing the resistance of the resistor without changing the occupied area. The use of photolithography can reduce the laser effect on the resistive film 3, which increases the reliability and stability of the thin-film resistor.
Травление ионным пучком.Ion beam etching.
Для формирования рисунка на резистивном слое 3 после проведения процесса фотолитографии применяют травление резистивного слоя 3. Известны химические способы травления, когда химические реагенты подбирают таким образом, чтобы обеспечить максимальную скорость травления и селективность к материалам обрабатываемых слоев и подложек. В случае химического травления существует подтрав шириной порядка 2-3 мкм, а при ионном травлении данный эффект отсутствует. [см. Уткин В.Н., Исаков М.А., Хапугин О.Е. Сравнение методов химического и ионного травления при формировании топологии резистивного слоя чип-резисторов.//Современные наукоемкие технологии, № 11 за 2007 год, (1Шр://\у\\л\\гае.ги/5п1/?5ес1юп=соп1еп1&ор=511о\\_агис1е&агис1е_|б=2689)|.To form a pattern on the resistive layer 3 after the photolithography process, etching of the resistive layer 3 is used. Chemical etching methods are known when the chemical reagents are selected in such a way as to ensure maximum etching speed and selectivity to the materials of the processed layers and substrates. In the case of chemical etching, there is an etching with a width of the order of 2-3 μm, and with ion etching this effect is absent. [cm. Utkin V.N., Isakov M.A., Khapugin O.E. Comparison of chemical and ion etching methods in the formation of the topology of the resistive layer of chip resistors. // Modern High-Tech Technologies, No. 11 for 2007, (1Wr: // \ y \\ l \\ gaegi / 5p1 /? 5es1yup = sop1ep1 & op = 511o \\ _ agis1e & agis1e_ | b = 2689) |.
Ионное травление, таким образом, дает лучшее качество границы резистивного слоя 3, при этом практически отсутствую боковые подтравы и уход рисунка топологии. Для проведения процесса ионного травления подложки 1 с нанесенной фотолитографической маской загружают в вакуумную камеру установки ионного травления, где проводят процесс травления ионами аргона с энергией порядка 1200-1800 эВ. После проведения процесса травления подложки 1 извлекают из вакуумной камеры и снимают фоторезист в растворителе.Ion etching, thus, gives the best quality of the boundary of the resistive layer 3, while there is practically no lateral etching and leaving the topology pattern. To carry out the ion etching process, the substrate 1 with the photolithographic mask applied is loaded into the vacuum chamber of the ion etching unit, where the etching process is carried out with argon ions with an energy of about 1200-1800 eV. After the etching process, the substrates 1 are removed from the vacuum chamber and the photoresist in the solvent is removed.
Фотолитография Защитный слой.Photolithography Protective layer.
Формирование маски защитного слоя 4 производят с применением стандартного процесса фотолитографии.The formation of the mask of the protective layer 4 is performed using the standard photolithography process.
Напыление защитного слоя 4.Spraying the protective layer 4.
Подложки 1 с нанесенной фотолитографической маской защитного слоя 4 размещают на оснастке, которую загружают в вакуумную напылительную камеру.The substrates 1 with a photolithographic mask of the protective layer 4 are placed on a snap, which is loaded into a vacuum spraying chamber.
Перед процессом напыления защитного слоя 4 осуществляют очистку подложек пучком ионов кислорода для удаления молекулярных частиц, адсорбированных газов, полимерных фрагментов, паров воды, а также для атомарной активации поверхностных связей резистивного слоя 3 непосредственно перед нанесением тонкопленочного покрытия с целью улучшения адгезии наносимого слоя к поверхности подложки 1.Before the process of spraying the protective layer 4, the substrates are cleaned with a beam of oxygen ions to remove molecular particles, adsorbed gases, polymer fragments, water vapor, as well as to atomically activate the surface bonds of the resistive layer 3 immediately before applying a thin film coating in order to improve the adhesion of the applied layer to the substrate surface one.
При создании защитного слоя 4 напыляют такие же материалы, как и для барьерного слоя 2, а именно 8ί3Ν4, δίθ2, А12О3, Α1Ν или другие материалы, имеющие хорошую тепловую и химическую стабильность (временную стабильность в пределах от 10 до 100 ррт и теплопроводность не менее 80 Вт/(мхК)). Назначение защитного слоя 4 - предотвратить воздействие окружающей среды на резистивную пленку 3. Во время проведения отжига на атмосфере на структуру воздействует кислород, тем самым окисляя резистивную пленку 3, что, в свою очередь, ведет к изменению сопротивления и температурного коэффициента сопротивления. Нанесение диэлектрического защитного слоя 4 позволяет предотвратить негативное влияние атмосферы, особенно на температурных операциях. Еще одно предъявляемое к защитному слою 4 условие - это прозрачность для излучения лазера, который воздействует на резистивный слой во время лазерной подгонки.When creating the protective layer 4, the same materials are sprayed as for the barrier layer 2, namely 8ί 3 Ν 4 , δίθ 2 , A1 2 О 3 , Α1Ν or other materials having good thermal and chemical stability (temporary stability in the range from 10 up to 100 ppm and thermal conductivity of at least 80 W / (mkhK)). The purpose of the protective layer 4 is to prevent the influence of the environment on the resistive film 3. During annealing in the atmosphere, oxygen acts on the structure, thereby oxidizing the resistive film 3, which, in turn, leads to a change in the resistance and temperature coefficient of resistance. The application of a dielectric protective layer 4 helps to prevent the negative influence of the atmosphere, especially in temperature operations. Another condition for the protective layer 4 is transparency for laser radiation, which acts on the resistive layer during laser fitting.
После создания защитного слоя 4 подложки 1 извлекают из вакуумной камеры и снимают фоторезист в растворителе.After creating the protective layer 4, the substrates 1 are removed from the vacuum chamber and the photoresist in the solvent is removed.
Фотолитография верхние контакты.Photolithography top contacts.
- 3 032068- 3 032068
Формирование маски верхних контактов 7 производят с применением стандартного процесса фотолитографии.The formation of the mask of the upper contacts 7 is performed using the standard photolithography process.
Формирование верхних контактов 7.Formation of the upper contacts 7.
Верхние контакты 7 формируют, напыляя последовательно пленки меди 5 и никеля 6 через соответствующую фотолитографическую маску на краях напыленного резистивного слоя 3, в виде хотя бы одной тонкой пленки меди 5 толщиной 100-300 нм, поверх которой позднее наносят хотя бы один тонкий слой никеля 6 толщиной 100-200 нмThe upper contacts 7 are formed by sequentially spraying films of copper 5 and nickel 6 through the corresponding photolithographic mask at the edges of the deposited resistive layer 3, in the form of at least one thin film of copper 5 with a thickness of 100-300 nm, on top of which at least one thin layer of nickel 6 is later applied 100-200 nm thick
Термический отжиг.Thermal annealing.
Отжиг вызывает рекристаллизацию структуры резистивной пленки 3. Дефекты кристаллической решетки обусловливают квазиравновесное состояние пленки, поэтому термообработка вызывает протекание трех процессов: отжиг дефектов, рекристаллизацию структуры материала, проявляющуюся в увеличении размеров зерен и окисление компонентов пленки, также пленки становятся более однородными по толщине.Annealing causes recrystallization of the structure of the resistive film 3. Defects of the crystal lattice determine the quasiequilibrium state of the film, therefore, heat treatment causes three processes: annealing of defects, recrystallization of the material structure, which manifests itself in an increase in grain size and oxidation of the film components, and the films become more uniform in thickness.
Лазерная подгонка (первый этап).Laser fitting (first stage).
Лазерная подгонка является одним из механизмов получения заданного номинала и точности электрического сопротивления резисторов. Величина сопротивления резистора зависит от его геометрических размеров (длина, ширина, толщина) и материала резистивной пленки 3. Лазерный рез увеличивает длину резистивной пленки 3, через которую протекает электрический ток, тем самым увеличивая величину электрического сопротивления. Для лазерной подгонки, как правило, используется Νά:ΥΆΟ лазер, генерирующий излучение с длиной волны λ=1064 нм или кратной λ =532 нм. Излучение лазера, проходящее через верхний защитный слой 4, поглощается материалом резистивной пленки 3. Поглощенная энергия лазерного излучения переходит в тепловую энергию, при этом резистивная пленка 3 испаряется, взрывая защитный слой. При этом защитный слой 4 предохраняет поверхность резистивного слоя 3 от попадания на него испаренного материала.Laser fitting is one of the mechanisms for obtaining a given rating and accuracy of the electrical resistance of resistors. The resistance value of the resistor depends on its geometrical dimensions (length, width, thickness) and the material of the resistive film 3. Laser cutting increases the length of the resistive film 3 through which electric current flows, thereby increasing the electrical resistance. For laser fitting, as a rule, a Νά: ΥΆΟ laser is used that generates radiation with a wavelength of λ = 1064 nm or a multiple of λ = 532 nm. Laser radiation passing through the upper protective layer 4 is absorbed by the material of the resistive film 3. The absorbed energy of the laser radiation is converted into thermal energy, while the resistive film 3 evaporates, exploding the protective layer. In this case, the protective layer 4 protects the surface of the resistive layer 3 from the evaporation of vaporized material on it.
Лазерную подгонку осуществляют, как правило, в несколько этапов с контролем полученного значения сопротивления резистивного слоя, последовательно приближая указанное значение сопротивления к заданному.Laser fitting is carried out, as a rule, in several stages with the control of the obtained value of the resistance of the resistive layer, sequentially bringing the specified value of the resistance to the set value.
Старение.Aging.
Старение необходимо для предотвращения или сокращения изменений в резистивной пленке во время работы. Во время проведения старения пленка релаксирует, что приводит изменению сопротивления.Aging is necessary to prevent or reduce changes in the resistive film during operation. During aging, the film relaxes, resulting in a change in resistance.
Старение производится в среде атмосферы при температуре 200-250°С, типичная длительность составляет порядка 24 ч.Aging is performed in the atmosphere at a temperature of 200-250 ° C, a typical duration is about 24 hours.
Лазерная подгонка (второй этап).Laser fitting (second stage).
Для лазерной подгонки, как и на первом этапе, используется Νά:ΥΆΟ лазер, генерирующий излучение с длиной волны λ=1064 нм или кратной λ=532 нм.For laser fitting, as in the first stage, we use Νά: ΥΆΟ a laser that generates radiation with a wavelength of λ = 1064 nm or a multiple of λ = 532 nm.
Первая подгонка производится до старения, и отклонение от номинала составляет порядка -1%, второй этап производится после старения, и отклонение от номинала достигает заданной величины.The first fit is made before aging, and the deviation from the nominal is about -1%, the second step is done after aging, and the deviation from the nominal reaches the set value.
Органическая защита и маркировка.Organic protection and labeling.
На свободную от контактов 7 площадь резистивной пленки 3 посредством известного метода трафаретной печати наносят толстопленочный слой органической защиты 8, после чего может быть нанесена маркировка на указанный слой органической защиты.A thick film layer of organic protection 8 is applied to the area of the resistive film 3 free of contacts 7 by means of the known screen printing method, after which a marking can be applied to the specified layer of organic protection.
Разделение изоляционной подложки 1 на полосы.Separation of the insulating substrate 1 into strips.
Каждую подложку 1 разделяют (разламывают) по предварительно нанесенным лазером или дисковой пилой надсечкам.Each substrate 1 is separated (broken) by previously cut notches by a laser or circular saw.
Формирование проводящего покрытия на торцах подложки 1.The formation of a conductive coating at the ends of the substrate 1.
Полосы подложки с нанесенной защитой 8 укладывают друг на друга, загружают в кассеты и в камеру вакуумного напыления. Посредством магнетронного распыления формируют хотя бы один тонкий слой никеля 9 толщиной 100-200 нм на торцах подложки 1. При этом такой же слой никеля образуется и на верхней поверхности подложки 1 на слое никеля 6 верхних контактов 7 и на нижней поверхности подложки 1.The strips of the substrate with the applied protection 8 are stacked on top of each other, loaded into cassettes and into the vacuum deposition chamber. Using magnetron sputtering, at least one thin nickel layer 9 is formed with a thickness of 100-200 nm at the ends of the substrate 1. In this case, the same nickel layer is also formed on the upper surface of the substrate 1 on the nickel layer 6 of the upper contacts 7 and on the lower surface of the substrate 1.
После чего с использованием гальванического осаждения наносят слои никеля 10 и олова 11 толщиной 3-20 мкм, формируя окончательно указанное проводящее покрытие.Then, using galvanic deposition, layers of nickel 10 and tin 11 with a thickness of 3-20 μm are applied, forming the finally indicated conductive coating.
Разделение и упаковка.Separation and packaging.
Далее осуществляют разделение полос подложки 1 на отдельные чипы по предварительно нанесенным лазером или дисковой пилой надсечкам и упаковку полученных чип-резисторов.Next, the strips of the substrate 1 are separated into individual chips according to the notches previously applied by a laser or circular saw and packaging the obtained chip resistors.
Таким образом, заявленный удобный и технологичный способ позволяет получить заявленный простой, надежный и технологичный чип резисторThus, the claimed convenient and technological method allows to obtain the claimed simple, reliable and technological chip resistor
Использование процесса со-зрийепид обеспечивает высокую воспроизводимость состава пленки на подложке, что, в свою очередь, влияет воспроизводимость сопротивления и температурного коэффициента сопротивления.Using the co-sriepide process provides high reproducibility of the film composition on the substrate, which, in turn, affects the reproducibility of the resistance and temperature coefficient of resistance.
- 4 032068- 4 032068
Нанесение диэлектрического защитного слоя позволяет предотвратить негативное влияние атмосферы, особенно на температурных операциях, и, при последующей лазерной подгонке, защищает резистивный слой от осаждения испаряемого материала, т.е. позволяет сохранить свойства резистора соответствующими расчетным.The application of a dielectric protective layer prevents the negative influence of the atmosphere, especially during temperature operations, and, with subsequent laser fitting, protects the resistive layer from deposition of the vaporized material, i.e. allows you to save the properties of the resistor in accordance with the calculated.
Claims (14)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/BY2014/000008 WO2016049727A1 (en) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | Precision chip resistor and preparation method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201600585A1 EA201600585A1 (en) | 2016-12-30 |
| EA032068B1 true EA032068B1 (en) | 2019-04-30 |
Family
ID=55629184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201600585A EA032068B1 (en) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | Precision chip resistor and method for manufacturing the same |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA032068B1 (en) |
| WO (1) | WO2016049727A1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113571275B (en) * | 2021-06-24 | 2022-03-11 | 贝迪斯电子有限公司 | Method for manufacturing sheet type alloy foil resistor |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1490167A1 (en) * | 1987-01-04 | 1989-06-30 | Предприятие П/Я В-8851 | Method of producing niobium dioxide films |
| SU1828306A1 (en) * | 1990-03-05 | 1996-07-20 | Минский радиотехнический институт | Method for manufacture of thin-filmed resistors |
| RU2123735C1 (en) * | 1995-08-31 | 1998-12-20 | Конструкторское бюро "ИКАР" | Thin-film precision chip resistor |
| RU2263998C2 (en) * | 2003-06-05 | 2005-11-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor |
| RU2312418C1 (en) * | 2006-09-25 | 2007-12-10 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Method for forming contacts of chip-resistors in thick-film technology |
| WO2009007448A2 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Materia Nova | Magnetron co-sputtering device |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
-
2014
- 2014-09-30 EA EA201600585A patent/EA032068B1/en not_active IP Right Cessation
- 2014-09-30 WO PCT/BY2014/000008 patent/WO2016049727A1/en active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1490167A1 (en) * | 1987-01-04 | 1989-06-30 | Предприятие П/Я В-8851 | Method of producing niobium dioxide films |
| SU1828306A1 (en) * | 1990-03-05 | 1996-07-20 | Минский радиотехнический институт | Method for manufacture of thin-filmed resistors |
| RU2123735C1 (en) * | 1995-08-31 | 1998-12-20 | Конструкторское бюро "ИКАР" | Thin-film precision chip resistor |
| RU2263998C2 (en) * | 2003-06-05 | 2005-11-10 | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor |
| RU2312418C1 (en) * | 2006-09-25 | 2007-12-10 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Method for forming contacts of chip-resistors in thick-film technology |
| WO2009007448A2 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Materia Nova | Magnetron co-sputtering device |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016049727A1 (en) | 2016-04-07 |
| EA201600585A1 (en) | 2016-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2022033140A (en) | Liquid crystal display and electroluminescence display | |
| US3406043A (en) | Integrated circuit containing multilayer tantalum compounds | |
| KR102056407B1 (en) | Method for increasing the electrical conductivity of metal oxide semiconductor layers | |
| JP2012502411A5 (en) | ||
| JP6572143B2 (en) | Chip resistor and manufacturing method thereof | |
| CN109065581A (en) | A kind of flexible base board and preparation method thereof, array substrate | |
| CN103401053A (en) | Preparation method for electrode with thicker Au | |
| EA032068B1 (en) | Precision chip resistor and method for manufacturing the same | |
| CN107369617A (en) | A kind of SiC high temperature ohmic contacts electrode and preparation method thereof | |
| US4380867A (en) | Method for making electrically conductive penetrations into thin films | |
| US20210299789A1 (en) | Process of making components for electronic and optical devices using laser processing on a patterned conductive film | |
| CN104505334B (en) | It is a kind of that the method for making Thinfilm pattern is heated by laser | |
| RU2552630C1 (en) | Chip resistor manufacturing method | |
| JP5406274B2 (en) | Method of manufacturing electrical component including at least one dielectric layer, and electrical component including at least one dielectric layer | |
| JP2016527688A (en) | Fabrication of gate electrodes by dewetting silver | |
| TWI571891B (en) | Thin film resistor method | |
| JP5099616B2 (en) | Method for manufacturing transparent substrate with circuit pattern | |
| RU2551905C1 (en) | Chip resistor manufacturing method | |
| WO2022196684A1 (en) | Thin film transistor and method for producing thin film transistor | |
| JP4803726B2 (en) | Electronic circuit and manufacturing method thereof | |
| KR101068490B1 (en) | Method for manufacturing the thin film thermoelectric energy conversion module | |
| JP2010165888A (en) | Method of manufacturing resistor film, and resistor film | |
| KR20200072627A (en) | Method of mamufacturing transition metal dichalcogenide thin film and method of mamufacturing electronic device using the same | |
| KR100734882B1 (en) | Wafer having abruptly metal-insulator transition and apparatus of heat treating the same and method of heat treating using the same | |
| US20150091032A1 (en) | Nickel-Titanium and Related Alloys as Silver Diffusion Barriers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ KZ KG TJ TM |