DE976574C - Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von TrockengleichrichterplattenInfo
- Publication number
- DE976574C DE976574C DES19632D DES0019632D DE976574C DE 976574 C DE976574 C DE 976574C DE S19632 D DES19632 D DE S19632D DE S0019632 D DES0019632 D DE S0019632D DE 976574 C DE976574 C DE 976574C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- counter electrode
- compressive stress
- sprayed
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 2
- 230000009189 diving Effects 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010003 thermal finishing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
- H10D48/047—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to foundation plates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten Die bekannten Trockengleichrichterplatten bestehen aus einer metallenen, meist kreisrunden Grundplatte, auf deren einer Seite eine Halbleiterschicht erzeugt oder aufgebracht ist. Auf dieser Halbleiterschicht befindet sich die Sperrschicht und auf dieser eine Spritzmetallschicht als Gegenelektrode. Die metallene Grundplatte ist häufig in der Mitte durchbohrt. Die Bohrung dient zur Montage mehrerer Ventilscheiben auf einem isolierten Dorn beim Zusammenbau der Scheiben zu einem Gleichrichterventil.
- Am Innen- und Außenrand der Scheibe ist die Halbleiterschicht nicht mit der Spritzmetallschicht bedeckt. Durch diese Maßnahme wird verhütet, daß an diesen Stellen, die oft kleine, bei der Herstellung unvermeidbare Risse in der Halbleiterschicht oder Absplitterungen der letzteren aufweisen, beim Aufspritzen der Metallschicht elektrisch leitende Verbindungen zwischen Grundplatte und Gegenelektrode oder Kurzschlüsse der Sperrschicht entstehen.
- Unter Zwischenlage einer kleinen Isolierstoffscheibe in der Mitte der Platte auf dem von dem Spritzmetall nicht bedeckten Teil des Halbleiters wird bei den bekannten Gleichrichterplatten eine federnde Kontaktscheibe aus dünnem Metallblech, welche die Spritzmetallgegenelektrode auf einer kleineren oder größeren Fläche elektrisch leitend berührt, auf letztere aufgedrückt. Die Kontaktscheiben, sowie die dazwischengelegten Isolierstoffscheiben, sind konzentrisch zur Mittelachse der Gleichrichterplatten angeordnet. Mit Hilfe der aufgelegten Kontaktscheiben erfolgt sowohl die Kontaktgabe zwischen den Elektroden der Ventilscheiben als auch die Stromzuführung zu diesen Scheiben. Die einzelnen zu einem Ventil zusammengebauten Gleichrichterplatten haben bei dieser bekannten Anordnung einen Abstand voneinander.
- Es sind auch Trockengleichrichterplatten bekannt, bei denen die Einzelplatten mit aufgespritzter Gegenelektrode oder mit statt dieser aufgelegter duktiler Metallfolie ohne Zwischenlage von Kontakt- und Abstandscheiben unmittelbar aufeinandergelegt werden. Bei diesen Gleichrichtern wird der erforderliche Kontaktdruck durch Druckschraubenbolzen od. dgl. erzeugt.
- Die zuletzt genannten bekannten Gleichrichterplatten haben gegenüber den. zuerst genannten den Nachteil der wesentlich schlechteren natürlichen Kühlung und können infolgedessen unter sonst gleichen Voraussetzungen auch nur geringer belastet werden als. jene.
- Zur Vermeidung dieser Nachteile wurde bereits vorgeschlagen, Trockengleichrichterplatten in der Weise aufzubauen, daß im Schichtaufbau zwischen der Trägerelektrode und der Gegenelektrode im Bereich der beim Zusammenbau der Platten auftretenden Druckbeanspruchung eine harte und fest haftende Isolierlackschicht angerdnet ist.
- Gemäß der Erfindung wird diese Isolierlackschicht auf die Halbleiterschicht durch Aufstempeln, Aufwalzen oder Tauchen aufgebracht.
- Auf diese Weise kann eine große Anzahl von Gleichrichterplatten in rationeller Weise mit einer Lackschicht im Bereich der Druckbeanspruchung versehen werden.
- In der Zeichnung, die im folgenden beschrieben werden soll, ist der Aufbau einer erfindungsgemäß hergestellten Gleichrichterplatte schematisch dargestellt. Die Stärke der Schichten dieser Gleichrichterplatte ist der besseren Übersichtlichkeit halber in der üblichen Weise in vergrößertem Maßstabe dargestellt.
- Auf einer metallenen Grundplatte z, die in der Mitte mit einer Bohrung 2 versehen ist, ist eine Halbleiterschicht 3 entweder erzeugt oder aufgetragen, die an ihrer freien Oberfläche mit einer Sperrschicht bedeckt ist. Die sehr dünne Sperrschicht ist in der Zeichnung nicht besonders angegeben. Am inneren Plattenrand, um das Montageloch herum, ist eine isolierende Lackschicht 4, je nach dem Scheibendurchmesser von geringerer oder größerer Breite, aufgetragen. Dieser Lackring wird gemäß der Erfindung durch Aufstempeln oder Aufwalzen oder Tauchen auf die Halbleiterschicht aufgebracht.
- Auf diese Isolierlack- und die Halbleiterschicht wird dann eine Metallschicht 5 aufgespritzt, die die ganze Platte mit Ausnahme eines schmalen Randes an der Außenseite und nötigenfalls auch am inneren Rand der Platte bedeckt. Der schmale Rand an der Plattenaußenseite muß, wie oben schon erwähnt wurde, zur Vermeidung von Kurzschlüssen der Sperrschicht frei von -der Spritzmetallschicht bleiben. Der freie Rand um das Montageloch herum soll eine leitende Verbindung zwischen der Lochwandung und der Spritzmnetallschicht verhindern.
- An dem inneren Plattenrand werden Kurzschlüsse der Sperrschicht auch bei einem Kontakt-und Montagedruck, wie er in der Nähe der Achse bei zusammengebauten Gleichrichterplatten auf die Spritzmetallschicht ausgeübt wird, durch die unter der Spritzmetallschicht angeordnete, harte und fest haftende Lackschicht 4 verhindert.
- Die Stromableitung der Stromzuleitung erfolgt bei den erfindungsgemäßen Gleichrichterplatten ohne besondere Kontaktscheiben unmittelbar durch die Spritzmetallschicht in der Mitte der Platte. Werden mehrere solcher Gleichrichterplatten mit Hilfe einer isolierten Achse zu einem Gleichrichter zusammengeschaltet, so werden zwischen die einzelnen Gleichrichterplatten kleine Metallscheiben 6 und an den erforderlichen Stellen in bekannter Weise Lötösen gelegt, die einmal die elektrische Leitung von Platte zu Platte übernehmen und zum anderen für den für die Kühlung erforderlichen Abstand zwischen den Gleichrichterplatten sorgen.
- Durch die Anordnung des Isolierlackringes 4 zwischen der Halbleiterschicht 3 und der Spritzmetallschicht 5 wer den besondere federnde Kontaktscheiben und die zu diesen gehörigen Isolierstoffscheiben, wie sie bei den bekannten Gleichrichterplatten erforderlich sind, bei denen zur besseren Kühlung die einzelnen Gleichrichterplatten mit Abständen montiert sind, überflüssig.
- Die Gleichrichterplatten können nach dem Verfahren gemäß der Erfindung, sofern es sich z. B. um Platten mit Selen als Halbleiter handelt, auch in der Weise hergestellt werden, daß die Isolierlackringe q. auf die amorphe Selenschicht oder auf die Selenschicht nach dem ersten thermischen Formieren aufgetragen und diese Lackringe dann gleichzeitig mit der thermischen Fertigformierung der Gleichrichterplatten im Formierofe:n aufgebrannt und gehärtet werden.
- Das Verfahren kann auch so ausgeführt werden, daß auf die Halbleiterschicht in bekannter Weise zunächst unter Freilassung eines verhältnismäßig breiten inneren Randes eine Metallschicht aufgespritzt wird, die ganze Platte danach durch Tauchen oder Spritzen mit einer Isolierlackschicht überzogen und dann auf- die erste Spritzmetallschicht eine zweite Metallschicht aufgespritzt wird. An den Stellen, an denen die zuerst aufgespritzte Metallschicht Spitzen, an ihrer Oberfläche besitzt, wird die Lackschicht durch die nach dem Lackieren aufgespritzte zweite Metallschicht durchschlagen. Die beiden Spritzmetallschichten geben auf diese Weise miteinander guten elektrischen Kontakt. In der Mitte der Gleichrichterplatten, in der bei der Montage der Einzelplatten zu Gleichrichtern Metallscheiben ähnlich der Scheibe 6 in dem in der Zeichnung dargestellten Beispiel aufliegen, befindet sich kein Metall der zuerst aufgespritzten Metallschicht, wohl aber der Isolierlackring und die auf diesem - aufgespritzte zweite Metallschicht. In gleicher Weise wie bei. dem zuerst beschriebenen Herstellungsverfahren erfolgt also auch hier die Stromabnahme unmittelbar durch die Spritzschicht, und zwar in diesem Falle durch die zuletzt aufgespritzte Metallschicht, wobei ein Kurzschluß der Sperrschicht an der Scheibenmitte, etwa hervorgerufen durch den Druck der Zwischenscheiben auf die obere Spritzmetallschicht, durch die Lackschicht verhütet wird.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten mit metallischer Grundplatte, auf dieser erzeugter oder aufgetragener Halbleiterschicht, anschließender Sperrschicht und als Gegenelektrode aufgespritzter Metallschicht, bei denen sich im Schichtaufbau zwischen der Trägerelektrode und der Gegenelektrode im Bereich der beim Zusammenbau der Platten auftretenden Druckbeanspruchung eine harte und fest haftende Isolierlackschicht befindet, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierlackschicht auf die Halbleiterschicht durch Aufstempeln, Aufwalzen oder Tauchen aufgebracht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Halbleiterschicht mit Ausnahme des Bereiches der Druckbeanspruchung eine Gegenelektrode aufgespritzt, diese und der Bereich der Druckbeanspruchung der Halbleiterschicht mit einer Isolierlackschicht überzogen und anschließend eine Metallschicht auf die Lackschicht so aufgespritzt wird, daß sie durch die Lackschicht hindurch mit der Gegenelektrode in elektrisch gut leitende Verbindung kommt.
- 3. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten nach Anspruch I und 2 mit Selen als Halbleiter, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierlackschicht im Bereich der Druckbeanspruchung auf die amorphe oder noch nicht thermisch ausformierte Selenschicht aufgetragen und gleichzeitig mit der Fertigformierung der Selenschicht im Formierofen aufgebrannt oder gehärtet wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 561 548, 6302I6, 658 362, 681 Io8; USA.-Patentschrift Nr. 2 157 895; britische Patentschrift Nr. 308 306; italienische Patentschrift Nr. 374650; französische Patentschrift Nr. 773 946; schweizerische Patentschrift Nr. 196 797; B. Langen, »Die Photoelemente und ihre Anwendungen«, Teil 2, 1936, S. i und 2; »Zeitschrift für technische Physik«, 1938, S. 97; Prospekt der Elektrocell-Gesellschaft Nr. i, 1937, S. 2; K. M ey 1, »Trockengleichrichter«, S.:212. In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 974 772.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES19632D DE976574C (de) | 1939-10-17 | 1939-10-18 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0019632 | 1939-10-17 | ||
DES19632D DE976574C (de) | 1939-10-17 | 1939-10-18 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE976574C true DE976574C (de) | 1963-11-21 |
Family
ID=25994907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES19632D Expired DE976574C (de) | 1939-10-17 | 1939-10-18 | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE976574C (de) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT374650A (de) * | ||||
GB308306A (de) * | 1928-03-21 | 1930-05-29 | Siemens - Schuckertwerke Aktiengesellschaft | |
DE561548C (de) * | 1929-11-10 | 1932-10-15 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Plattenfoermiges Trockengleichrichter-Element |
FR773946A (fr) * | 1933-05-11 | 1934-11-28 | Procédé de fabrication de cellules à couche de barrage en protoxyde de cuivre | |
DE630216C (de) * | 1929-01-25 | 1936-05-23 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Aus mehreren Elementen bestehender Trockenplattengleichrichter |
CH196797A (de) * | 1936-08-03 | 1938-03-31 | Sueddeutsche Apparate Fabrik G | Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter. |
DE658362C (de) * | 1935-12-24 | 1938-04-01 | Ernst Presser | Lichtelektrische Zelle mit Halbleiterschicht |
US2157895A (en) * | 1938-08-25 | 1939-05-09 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Contact assembly for double-surfaced rectifier elements |
DE681108C (de) * | 1930-05-15 | 1939-09-14 | Philips Patentverwaltung | Trockengleichrichter |
DE974772C (de) * | 1939-01-22 | 1961-04-20 | Int Standard Electric Corp | Selengleichrichter, bei dem eine Druckbeanspruchung der Sperrschicht vermieden ist |
-
1939
- 1939-10-18 DE DES19632D patent/DE976574C/de not_active Expired
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT374650A (de) * | ||||
GB308306A (de) * | 1928-03-21 | 1930-05-29 | Siemens - Schuckertwerke Aktiengesellschaft | |
DE630216C (de) * | 1929-01-25 | 1936-05-23 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Aus mehreren Elementen bestehender Trockenplattengleichrichter |
DE561548C (de) * | 1929-11-10 | 1932-10-15 | Siemens Schuckertwerke Akt Ges | Plattenfoermiges Trockengleichrichter-Element |
DE681108C (de) * | 1930-05-15 | 1939-09-14 | Philips Patentverwaltung | Trockengleichrichter |
FR773946A (fr) * | 1933-05-11 | 1934-11-28 | Procédé de fabrication de cellules à couche de barrage en protoxyde de cuivre | |
DE658362C (de) * | 1935-12-24 | 1938-04-01 | Ernst Presser | Lichtelektrische Zelle mit Halbleiterschicht |
CH196797A (de) * | 1936-08-03 | 1938-03-31 | Sueddeutsche Apparate Fabrik G | Verfahren zur Herstellung kleinflächiger Trockengleichrichter. |
US2157895A (en) * | 1938-08-25 | 1939-05-09 | Westinghouse Electric & Mfg Co | Contact assembly for double-surfaced rectifier elements |
DE974772C (de) * | 1939-01-22 | 1961-04-20 | Int Standard Electric Corp | Selengleichrichter, bei dem eine Druckbeanspruchung der Sperrschicht vermieden ist |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE976574C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten | |
DE19809752A1 (de) | Kondensator mit kaltfließgepreßten Elektroden | |
DE2543079C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren | |
DE742587C (de) | Vielfachfunkenstrecke fuer UEberspannungsableiter | |
DE689104C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kleinflaechen-Trockengleichrichtern | |
DE1539322A1 (de) | Herstellungsverfahren fuer eine thermoelektrische Anordnung | |
DE555545C (de) | Aus beiderseits oxydierten Metallscheiben zusammengesetzte Gleichrichtersaeule | |
DE3247373C2 (de) | ||
DE886178C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern | |
DE961733C (de) | Verfahren zum Herstellen elektrisch unsymmetrisch leitender Elemente mit einem Halbleiter wie Selen | |
DE701808C (de) | Regelbarer Schichtwiderstand | |
DE2127633C3 (de) | ||
DE567857C (de) | Veraenderbarer Drehkondensator, dessen einzeln um die gemeinsame Achse bewegbare Rotor-platten mit vorstehenden, zum Verdrehen der Platten dienenden Isolierteilen versehen sind | |
DE686405C (de) | en | |
DE972120C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters der Freiflaechenbauart | |
CH632107A5 (de) | Funkenstreckenanordnung. | |
DE1766144C (de) | Gehäuse mit einer Tragerplatte zur Aufnahme integrierter Schaltungen | |
DE933578C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Trockengleichrichter | |
DE971697C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
DE1564821C (de) | Elektrischer Kondensator | |
DE903640C (de) | Zuendkerze | |
DE863388C (de) | Elektrische Entladungsroehre | |
DE1116828B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters, insbesondere Selengleichrichters, bei welchem an den druckbeanspruchten Stellen eine isolierende Schicht ueber dem Selen angeordnet ist | |
DE768158C (de) | Anordnung zur Vermeidung von Isolationsstoerungen | |
DE2056901C3 (de) |