DE975580C - Transistorverstaerkerstufe - Google Patents

Description

Die Erfindung-bezieht sich auf eine Verstärkerstufe mit einem Transistor, einer Spannungsquelle zur Lieferung der Kollektorspeisespannung, einem parallel zur Spannungsquelle liegenden Spannungsteiler zum Gewinnen der Basisvorspannung und einer im Emittor-Basis-Kreis des Transitors in Reihe mit der Basisvorspannung liegenden Signalquelle mit niedrigem Gleichstromwiderstand. Sie bezweckt, eine einfache Anordnung zur Gewinnung der Basisvorspannung zu schaffen in der Weise, daß der effektive Gleichstrom wider stand zwischen Basiselektrode und Erde nur sehr gering ' ist, und hat das Merkmal, daß der zu dem Emittor-Basis-Kreis des Transistors gehörende Teil des erwähnten Spannungsteilers aus einer durch die Speisequelle in Durchlaßrichtung betriebenen Gleichrichterzelle besteht.

Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung an Ausführungsbeispielen näher erläutert,
ao Fig. ι zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 2 zeigt Stromspannungskennlinien der benutzten Gleichrichterzellen;

Fig. 3 zeigt eine Abart der Schaltung nach Fig. i. as Der Verstärker nach Fig. ι enthält einen Grenzschichttransistor ι mit der Kollektorspeisequelle 2, zu der ein Spannungsteiler 3, 4 zur Gewinnung der Basisvorspannung parallel geschaltet ist, während der Eingangskreis zwischen der Basis- und Emittorelektrode eine Signalquelle 5 mit niedrigem Gleichstromwiderstand enthält. Über einer Belastungsimpedanz 6 werden somit verstärkte Signale erzeugt.

Es zeigt sich, daß die Stabilität des Transistors um so besser ist, je niedriger der im Emittor-Basis-Kreis wirksame Gleichstromwiderstand ist. Der Spannungsteiler sollte daher niederohmig sein, in welchem Falle jedoch der Speisequelle eine höhere Leistung entnommen wird. Gemäß der Erfindung besteht der zum Emittor-Basis-Kreis gehörende Teil 3 dieses Spannungsteilers aus einer Sperrschichtgleichrichterzelle, die durch die Quelle 2 in Durchlaßrichtung betrieben wird.

In Fig. 2 ist der Strom / durch einen Gleichrichter dieser Art als Funktion der Spannung V über dem Gleichrichter aufgetragen. Es ergibt sich, daß Sperrschichtgleichrichterzellen, z. B. Ge-, Si-, Se-Gleichrichter, eine Kennlinie aufweisen, die in der Nähe des Arbeitspunktes w durch die Gleichung V — IR +V₀ dargestellt werden kann, wobei R den Differentialwiderstand im Arbeitspunkt w bezeichnet, während V₀, im Gegensatz zu Gleichrichterröhren, positiv und von der Größenordnung von 0,1 bis 0,3 V ist. Über der Gleichrichterzelle 3 tritt somit eine geringe Spannung auf, die gerade hinreichend groß ist zum Liefern der erforderlichen Basisvorspannung, wobei der im Basiskreis wirksame Widerstand R kleiner ist, als wenn anstatt des Gleichrichters ein Widerstand eingeschaltet wäre.

Weiter nimmt der den ■ Gleichrichter 3 durchlaufende Strom bei zunehmender Temperatur zu, was durch die gestrichelte Kurve in Fig. 2 angegeben ist, so daß der Basisstrom des Transistors abnimmt und eine Kompensation der Zunahme des Kollektorgleichstroms bei zunehmender Temperatur erzielt wird. Wird diese Wirkung zu groß" so kann man zum Erzielen einer vollständigen Kompensation einen Widerstand größer als R parallel zur Gleichrichterzelle 3 schalten (nicht dargestellt). Der Widerstand 4 muß selbstverständlich gegenüber R groß sein.

Fig. 3 zeigt-eine Abwandlung der Schaltung nach Fig. ι in Gegentaktausführung und mit Basiseinspeisung des Signals. Die Funktion des Spannungsteilers 3, 4 parallel zur Speiseqüelle 2 entspricht »der nach- Fig. 1.

Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel wurden Transistoren des Typs OC 71 und eine Gleichrichterzelle des Typs OA 70 verwendet, die Spannungsquelle 2 lieferte 12 V und der Widerstand 4 war 48 kOhm. Selbstverständlich kann der Spannungsteiler 3, 4 auch zur Erzeugung der Basisvorspannung einer Anzahl z. B. in Kaskade geschalteter Transistoren dienen.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Verstärkerstufe mit einem Transistor, einer Spannungsquelie zur Lieferung der Kollektorspeisespannung, einem Spannungsteiler parallel zur Spannungsquelle zum Gewinnen der Basisvorspannung und einer in den Emittor-Basis-Kreis des Transistors in Reihe zur Basisvorspannung geschalteten Signalquelle mit niedrigem Gleichstromwiderstand, dadurch gekennzeichnet, daß der zum Emittor-Basis-Kreis des Transistors gehörende Teil des Spannungsteilers (3, 4) aus einer durch die Spannungsquelle (2) in der Durchlaßrichtung betriebenen Sperrschichtgleichrichterzelle (3) besteht.