Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern Es ist ein Verfahren
zur Herstellung von Selengleichrichtern vorgeschlagen worden, bei welchem die gleichrichtende
Selenschicht nach dem Aufbringe n auf ihre Metallunterlage Schwefeldämpfen ausgesetzt
wird, und zwar erst nach Umwandlung der Selenschicht in die leitende Form. Gemäß
diesem früheren Vorschlag läßt man die Schwefeldämpfe auf die Selenschicht bei I6o
bis I7o° etwa ¾/ Stunde lang einwirken.Method of making selenium rectifiers It is a method
been proposed for the production of selenium rectifiers, in which the rectifying
Selenium layer exposed to sulfur vapors after application to its metal base
becomes, and only after the selenium layer has been converted into the conductive form. According to
According to this earlier proposal, the sulfur fumes are left on the selenium layer at 160
act up to 17o ° for about ¾ / hour.
Es hat sich nun auch gezeigt, daß man noch wesentlich bessere Erfolge
hinsichtlich der Sperrwirkung bei hohen Werten des Durchlaßstromes und zugleich
eine sehr beträchtliche Zeitersparnis erzielen kann, wenn man die mit der Selenschicht
versehenen Metallplatten nach der thermischen Umwandlung der Selenschicht zunächst
bis auf etwa Zimmertemperatur abkühlt und dann erst die Schwefelaufdampfung vornimmt.
Die in kaltem Zustand befindlichen Platten brauchen dann nur etwa I bis I½ Minuten
lang den Schwefeldämpfen ausgesetzt zu werden. Eine für die Bildung bzw. Verstärkung
der Sperrschicht erforderliche, ausreichend hohe Reaktionstemperatur wird in diesem
Falle erfindungsgemäß durch die an sich bekannte elektrische, entsprechend vorgenommene
Formierung sichergestellt, die man auf die Schwefelaufdampfung folgen läßt.It has now also been shown that you can achieve even better results
with regard to the blocking effect at high values of the forward current and at the same time
a very considerable time saving can be achieved if one uses the selenium layer
provided metal plates after the thermal conversion of the selenium layer
cools down to about room temperature and only then does the sulfur vapor deposition.
The cold plates then only need about 1 to 1½ minutes
long exposure to sulfur fumes. One for education or reinforcement
The reaction temperature required for the barrier layer is sufficiently high in this
Case according to the invention by the known electrical, made accordingly
Formation ensured, which can be followed by sulfur vapor deposition.
Legt man z. B. zwecks Formierung der Selenschicht an ein Gleichrichterelement
von 45 mm Scheibendurchmesser, bei dem die auf eine Aluminiumelektrode aufgebrachte
Selenschicht nach ihrer thermischen Umwandlung und anschließenden
Abkühlung
auf Zimmertemperatur zunächst im kalten Zustand Schwefeldämpfen ausgesetzt wurde,
nach Aufbringung der metallischen Gegenelektrode in der Sperrichtung eine Spannung
von etwa Io V an, so erhält man anfänglich einen Stromdurchgang in dieser Richtung
von etwa 2 A. Infolge des Stromdürchganges erhitzt sich das Gleichrichterelement
auf eine erheblich über Zimmertemperatur liegende Temperatur. Steigert man nun die
angelegte Spannung allmählich auf I6 bis 18 V, so fällt, ohne daß ein merklicher
Temperaturrückgang eintritt, die Stromstärke auf etwa 0,5 A oder 500 mA, ein Zeichen,
daß bei der höheren Temperatur infolge der Reaktion des aufgedampften Schwefels
mit der Oberfläche der Selenschicht die Sperrwirkwug gestiegen ist. Läßt man darauf
das Gleichrichterelement sich wieder abkühlen, so beträgt nun die Stromstärke in
der Sperrichtung, also der sogenannte Rückstrom, bei einer Sperrspannung von iiz
V nur noch 5 mA, wähnend der Vorstrom bei einer Spannung von nur I V die Größe von
5oo bis 6oo mA hat.If you put z. B. for the purpose of forming the selenium layer to a rectifier element
of 45 mm disc diameter, with the applied to an aluminum electrode
Selenium layer after its thermal transformation and subsequent
cooling down
was initially exposed to sulfur vapors in a cold state at room temperature,
after application of the metallic counter-electrode in the reverse direction a voltage
from about Io V on, one initially obtains a passage of current in this direction
of about 2 A. As a result of the continuity of the current, the rectifier element heats up
to a temperature well above room temperature. If you now increase the
Applied voltage gradually drops to I6 to 18 V, so without any noticeable
Temperature drop occurs, the current strength to about 0.5 A or 500 mA, a sign,
that at the higher temperature due to the reaction of the vaporized sulfur
with the surface of the selenium layer, the barrier effect has increased. One leaves on it
the rectifier element cool down again, the current intensity is now in
the reverse direction, i.e. the so-called reverse current, with a reverse voltage of iiz
V only 5 mA, while the bias current at a voltage of only I V is the size of
500 to 600 mA.
Die Dauer der Beschwefelung läßt sich bei dem zuletzt beschriebenen
Verfahren noch weiter, und zwar bis auf wenige Sekunden pro Platte, herabsetzen,
wenn man den Schwefeldampf auf die bisher auf Zimmertemperatur abgekühlte Selenschicht
mittels eines Druckluftstrahles aufschleudert.The duration of the sulphurisation can be determined from the one described last
Reduce the procedure even further, down to a few seconds per plate,
if you put the sulfur vapor on the selenium layer, which has hitherto cooled down to room temperature
centrifuged by means of a compressed air jet.
Für eine Massenfertigung erweist sich diese Ausführungsform des Verfahrens
gemäß der Erfindung als ganz besonders geeignet.This embodiment of the method has proven to be suitable for mass production
according to the invention as being very particularly suitable.
Bemerkt sei noch, daß sich aus der Schwefelaufdampfung für die elektrische
Formierung des Gleichrichters eine erhebliche Abkürzung der Formierungsdauer ergibt,
was eine weitere Zeitersparnis im Herstellungsverfahren des Gleichrichters bedeutet.It should also be noted that from the vapor deposition of sulfur for the electrical
Formation of the rectifier results in a significant reduction in the formation time,
which means a further time saving in the manufacturing process of the rectifier.
Es ist nicht notwendig, daß sich die Formierung der Gleichrichterplatten
unmittelbar an die Schwefelaufdampfung anschließt. Sie kann auch mit praktisch gleichem
Erfolg erst kurz vor der Ingebrauchnahme des Gleichrichters stattfinden.It is not necessary that the formation of the rectifier plates
immediately after the sulfur evaporation. You can also do practically the same thing
Success can only take place shortly before the rectifier is used.