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DE887543C - Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung sowie zum Schmelzen von Halbleitermaterialien - Google Patents

Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung sowie zum Schmelzen von Halbleitermaterialien

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Publication number
DE887543C
DE887543C DEL10063A DEL0010063A DE887543C DE 887543 C DE887543 C DE 887543C DE L10063 A DEL10063 A DE L10063A DE L0010063 A DEL0010063 A DE L0010063A DE 887543 C DE887543 C DE 887543C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor materials
electrode
hot cathode
melting
shaping processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEL10063A
Other languages
English (en)
Inventor
Wilhelm Dipl-Phys Schneider
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DES22736A external-priority patent/DE903017C/de
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL10063A priority Critical patent/DE887543C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE887543C publication Critical patent/DE887543C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • GPHYSICS
    • G04HOROLOGY
    • G04DAPPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
    • G04D3/00Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials
    • G04D3/0069Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for working with non-mechanical means, e.g. chemical, electrochemical, metallising, vapourising; with electron beams, laser beams
    • G04D3/0071Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for working with non-mechanical means, e.g. chemical, electrochemical, metallising, vapourising; with electron beams, laser beams for bearing components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/06Electron sources; Electron guns
    • H01J37/063Geometrical arrangement of electrodes for beam-forming
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Description

  • Bei der Bearbeitung von Halbleitermaterialien mittels eines Elektronenstrahles besteht die Schwierigkeit, eine Elektronenquelle zu finden, die einerseits genügend große Mengen von Elektronen abgibt und andererseits den aus ihr austretenden Elektronenstrahl so. fein bündelt, -daß möglichst alle austretenden Elektronen zur Bearbeitung benutzt werden können. Auch die Abbildung mit elektronenoptischen Mitteln führt nicht immer zum Ziel, da die Öffnungen der Linsen sehr gering sind und gewöhnlich nur einen kleinen. Bruchteil des aus den Kathoden austretenden Elektronenpinsels aufnehmen. Um alle austretenden Elektronen zu erfassen, müßte man das optische Abbildungsmittel sehr dicht an die Elektronenquelle heranführen, was jedoch technisch nicht leicht durchführbar ist.
  • Die Erfindung betrifft nun eine Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung von Halbleitermaterialien oder zum Schmelzen derselben, bei welcher die Bearbeitung bzw. das Schmelzen mittels Elektronenstrahles erfolgt, als dessen Elektronenquelle e,in aus Glühkathode, Wehnelt-Elektrode und Anode bestehendes Triodensystem verwendet wird, das nach der Glühkathode eine in ihrem kathodennahen Teil in Strahlrichtung stark vorgewölbte, vorzugsweise kegelförmige Hilfselektrode enthält, die betriebsmäßig gegenüber der Glühkathode auf einem negativen Potential liegt.
  • Hierbei liegt der Vorteil darin, daß die aus der Glühkathode austretenden Elektronen von derselben erst in sehr großem Abstand fokussiert werden und so einen sehr schlanken Elektronenpinsel bilden. Es ist deswegen möglich, der Elektronenquelle von dem abbildenden elektronenoptischen System einen genügend großen Abstand zu geben.
  • Als vorteilhaft hat es sich herausgestellt, die Hilfselektrode zu unterteilen und Mittel vorzusehen, um den Elektrodenteilen verschiedene Spannungen zuzuführen.
  • Die Figuren zeigen in zum Teil schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel eines Gerätes gemäß der Lehre der Erfindung sowie die Elektronenquelle in ihren Einzelheiten.
  • In Fig. i ist i ein Glühfaden, der von der kegelförmigen Hilfselektrode :2 und der Wehnelt-Elektrode 3 umschlossen wird. Der austretende Elektronenstrahl q. wird durch die Anode 5 beschleunigt und im Brennpunkt 6 gebündelt. Der Brennpunkt 6 wird durch eine Einzellinse 7 sodann auf das zu bearbeitende Werkstück 8 abgebildet. Fig. 2 und 3 zeigen bei 9 den Glühfaden, der von der kegelförmigen Elektrode io, die in Abb. 3 in Segmente aufgeteilt ist, umschlossen wird. Um das ganze System herum liegt die Wehnelt-Elektrode i i, die in Fig. 3 nur zum Teil dargestellt ist. 12 ist die den Elektronenstrahl 13 beschleunigende Anode.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Einrichtung zur formgebendenBearbeitung von Halbleitermaterialien oder zum Schmelzen, dadurch gekennzeichnet, daß die Bearbeitung ,bzw. das Schmelzen mittels Elektronenstrahles erfolgt, als dessen Elektronenquelle ein aus Glühkathode, Wehnelt-Elektrode und Anode bestehendes Triodensystem verwendet wird, das nach der Glühkathode eine in ihrem kathodennahen Teil in Strahlrichtung stark vorgewölbte, vorzugsweise kegelförmige Hilfselektrode enthält, die betriebsmäßig gegenüber der Glühkathode auf einem negativen Potential liegt. a. Einrichtung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfselektrode unterteilt ist und daß Mittel vorgesehen. sind, den Elektrodenteilen verschiedene Spannungen zuzuführen.
DEL10063A 1951-01-31 1951-09-09 Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung sowie zum Schmelzen von Halbleitermaterialien Expired DE887543C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL10063A DE887543C (de) 1951-01-31 1951-09-09 Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung sowie zum Schmelzen von Halbleitermaterialien

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE299863X 1951-01-31
DES22736A DE903017C (de) 1951-01-31 1951-04-14 Herstellung kleiner Kugeln aus hochschmelzbaren Materialien
DEL10063A DE887543C (de) 1951-01-31 1951-09-09 Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung sowie zum Schmelzen von Halbleitermaterialien

Publications (1)

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DE887543C true DE887543C (de) 1953-08-24

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ID=32329403

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DEL10063A Expired DE887543C (de) 1951-01-31 1951-09-09 Einrichtung zur formgebenden Bearbeitung sowie zum Schmelzen von Halbleitermaterialien

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