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DE838693C - Process for regulating the luminescence and conductivity of single crystal and coarse crystal layers - Google Patents

Process for regulating the luminescence and conductivity of single crystal and coarse crystal layers

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DE838693C
DE838693C DEP2844A DEP0002844A DE838693C DE 838693 C DE838693 C DE 838693C DE P2844 A DEP2844 A DE P2844A DE P0002844 A DEP0002844 A DE P0002844A DE 838693 C DE838693 C DE 838693C
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luminescence
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German (de)
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Dr-Ing Immanuel Broser
Dr-Ing Ruth Warminsky
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RUTH WARMINSKY DR ING
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RUTH WARMINSKY DR ING
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Description

Verfahren zur Regelung des Lumineszenz- und Leitvermögens an Einkristall- und Grobkristallschichten Es ist I>ek-aiiiit, (laß eine Reihe chemischer Ver- bindtingen, vor allem Chalkogenide (Verbindungen mit 0, S, Se, Te) von Züi, Cd oder Hg bei Vor- handenseln von Aktivatoren als Leuchtstoffe oder Verwündung finden können. Derartilge Stoffe werden in der Technik im all- ,gemeinen als polykristallitie Pulver hergestellt und verwen(Ict. Bentitzt man sie als Leuchtstoffe, so for(Icrt nian meistens hohe Lichtausbeuten; bei Ver- wendung als Photowiderstände verlangt man hohe Unipfindl clikeit für die anregende Strahlung. Für bLstiminte Zwecke eignen sich vorteilhaft größere einheitliche Kristalle oder Schichten. Die als Lütichthildschirrn großen Auf- und als Leuchtstoff im Leucht- inassenz# ähler sei erwähnt sowie die Tatsache, daß iiatur#"vm.-i Z, ' ß die Photoempfindlichkeit größerer einheitlicher Kristalle oder Schichten durch den Fortfall der vielen Übergangswiderstände weit höher ist als die einer polykristallinen Substanz.Process for regulating the luminescence and conductivity of single crystal and coarse crystal layers It 's I> ek-aiiiit, (let a series of chemical bindtingen, especially chalcogenides (compounds with 0, S, Se, Te) from Züi, Cd or Hg for act of activators as phosphors or Can find wounding. Such substances are generally used in technology , commonly made as a polycrystallite powder and use (Ict. If they are used as luminescent substances, so for (Icrt nian mostly high luminous efficacy; Application as photoresistors requires high Unipfindl clikeit for the stimulating radiation. They are useful for crimped purposes larger uniform crystals or layers. the as Lütichthildschirrn and as a luminescent substance in inassenz # ähler be mentioned, as well as the fact that iiatur # "vm.-i Z 'ß the photosensitivity more uniform crystals or layers by the elimination of many of the transition resistance is than that of a polycrystalline substance much higher.

In der Literatur existieren Angal--#n über Verfahren zur Herstellung größerer Kristalle aus den erwähnten Stoffen, nicht angegeben jedoch werden Behandlungen zur Erzielung bestimmter, jeweils gewünschter Lumineszenz- und Leitfähigkeitseigenschaften an derartigen Kristallen.There are Angal - # n in the literature about methods of manufacture larger crystals from the substances mentioned, but treatments are not specified to achieve specific, desired luminescence and conductivity properties on such crystals.

Die Erfindung betrifft Verfahren, um größeren einheitlichen Kristallen oder kris#tallinün Schichten aus Chalkogeniden von Zn, Cd, Hg oder einem Gemisch ans diesen erfindungsgemäß behandelten Präparaten bestimmte, vor allem sehr hohe oder (losierte Leucht- und Leitfähigkeiten zu ertei len.The invention relates to processes for giving larger, uniform crystals or crystalline layers of chalcogenides of Zn, Cd, Hg or a mixture of these preparations treated according to the invention certain, above all very high or loose luminous and conductivity capacities.

Die betreffenden Präparate erhalten ein extrem hohes Leuchtvermögen (entsprechend den besten Lichtausbeuten technischer polykrista,lliner Leuchtstoffe), indem man sie direkt im Anschluß an die Herstellung oder auch nachträglich von höherer Temperatur (> ioo' C) verhältnismäßig schnell auf Zimmertemperatur abkühlt, beispielsweise in einer Luft- oder Sauerstoffatmosphäre. Durch diese Behandlung wird gleichzeitig eine gleichmäßige Durchaktivierung der Präparate erzielt. So wurden beispielsweise CdS-Kristalle im Anschluß an die 1 lerstellung von i8o' C innerhalb etwa einer Minute in Luft auf 20"C abgekühlt und dadurch stark rot Imnineszierende Kristalle mit einer gleichmäßigen physikalischen Lichtausheute Voll 2390 bei Anregung durch a-Tcilchen erhalten; das beste käufliche ZnS-Cu besitzt eine Ausbeute von 250/0. The preparations in question have an extremely high luminosity (corresponding to the best light yields of technical polycrista, lliner phosphors) when they are cooled relatively quickly from a higher temperature (> 100 ° C) to room temperature, for example in a Air or oxygen atmosphere. This treatment also enables the preparations to be evenly activated. For example CdS-crystals were following the 1 lerstellung of i8o 'C within about one minute in air at 20 "C cooled and thereby strongly red Imnineszierende crystals having a uniform physical Lichtausheute full 2390 when excited by a-Tcilchen obtained; the best Commercially available ZnS-Cu has a yield of 250/0.

Die nach diesem Verfahren hergestellten Leuchtniassün besitzen nicht die vielfach störenden Streu-Lind Absorptionseigenschaften polykristalliner Stoffe. Sie eignen sich deshalb besonders als Leuchtstoff im 1.etichtmassenzähler, vor allem sind sie zur quantitativen Zählung einzelner energiereicher Teilchen unerläßlich.The Leuchtniassün produced by this process do not have the often disruptive scatter and absorption properties of polycrystalline substances. Therefore Y ou are particularly suitable as fluorescent in 1.etichtmassenzähler, above all, they are for quantitative counting of individual energy particles is essential.

Die nach dem beschriebenen Verfahren behandelten Präparate besitzen außerdem neue, bisher noch nicht an derartigen Substanzen nachgewiesene Leitfähigkeitseigenschaften: Sie stellen Halbleiter dar, d. h. sie besitzen auch ohne Anregung ein beträchtliches Leitvermögen (Dauerleiter). So wurde beispielsweise aneinem nach diesem Verfahren hergestellten GdS-Kristalt ein spezifischer Widerstand von i ooo Ohm - Zentimeter gemessen. Verwendet \%-,erden kötinen diese Präparate bei geeigneter Elektrod,enanordnung sowohl zum Gleichrichten und Steuern elektrischer Ströme als auch zur Herstellung von Photoelementen für Quanten- und Korpuskularstrahlen.The preparations treated according to the method described also have new conductivity properties that have not yet been demonstrated in such substances: They are semiconductors, i.e. they are semiconductors. H. they have a considerable conductivity even without stimulation (permanent conductor). For example, a GdS crystal produced using this method was measured to have a specific resistance of 100 ohms - centimeters. If the electrodes are arranged appropriately, these preparations are used to ground and control electrical currents as well as to produce photo elements for quantum and corpuscular rays.

Verändert man das beschriebene Verfahren derart, daß die Ausgangstemperatur niedriger liegt, oder derart, (laß die Abkühlung langsamer erfolgt, so erhält man Schichten, deren Lumineszenz- oder Leitvermögen um so geringer ist, je tiefer die ..Nusgangstemperatur liegt und je geringer die Ab- kühlungsgeschwindigkeit ist. Während die nach (fein eingangs beschriebenen Verfahren hergestellten Leuchtmassenein derart hohes DunkelleitvermÖgen besitzen, daß sie praktisch Halbleiter darstellen (deshalb mit Dauerleiter bezeichnet) und eine Erhöhung des LeitvermÖgens durch Anregung kaum noch möglich ist, besitzen die nach dem geänderten Verfahren behandelten Präparate eine nur geringe Dunkelleitfähigkeit, die gegenüber der bei Anregung erzeugten Leitfähigkeit vernachlässigt %%-erden kann. Durch dieses geänderte Verfahren kann somit den erfindungsgemäßen Präparaten eine hohe Photoempfindlichkeit für Quanten- und Korl-niskularstrahlung erteift werden.By changing the described method such that the outlet temperature is lower, or such (leave the cooling is slower, we obtain layers whose luminescence or conductivity is lower by the deeper is the ..Nusgangstemperatur and the lower the Ab - initially described method Leuchtmassenein such a high DunkelleitvermÖgen produced is cooling speed during the finely according to (have that they practically semiconductor represent (therefore designated by the time manager) and an increase in the conductivity by excitation is hardly possible, possess the treated according to the modified method of preparation. only low dark conductivity, which can be neglected compared to the conductivity generated upon excitation.

Die bisher beschriebenen Verfahren führen unserer Meinung nach zu einer Eigenaktivierung I der Präparate. Da die Lumineszenz- und Leitfähigkeifseigenschaften wesentlich von der Art des Aktivators abhängen, ist für gewisse Zwecke der Einbau anderer Aktivatoren von Wichtigkeit. Um dies zu erreichen, werden die zunächst ohne Aktivierung hergestellten Präparate zusammen mit der erforderlichen Menge des Aktivatorrnctalls oder einer den Aktivator enthaltenden Verbindung in einem zugeschmolzenen (beispielsweise evakuierten) Gefäß längere Zeit bei einer Temperatur >200' C gC-tümpert. Zweckmäßig wird man den Präparaten außerdem polykristallines Pulver gleicher Zusamm,ens-etzung beifügen, wodurch eine gleichmäßigere Durchaktivierung erreicht werden kann. je nach Art und Menge des gewählten Aktivators erhält man die betreffenden Objekte mit den entsprechenden Lumineszenz- und Leitfähigkeitseigenschaften. So wurden beispielsweise i g CdS-Kristalle zusammen mit einer Spur Silber (i cm3 Silbernitratlösung, die 2 - io#I g ,#g+ enthielt) in einem auf io-5 cm ausgepumpten Quarzrohr zwei Stunden lang bei 300' C gctempert und dadurch an den Kristallen gutes Lumineszenzvermögen (Lichtausbeute i8»/o), vor allem aber günstige Leitfähigkeitseigenschaften (hohe Pliotoempfindlichkeit bei gleichzeitiger geringer Trägheit) erzielt.In our opinion, the methods described so far lead to self-activation I of the preparations. Since the luminescence and conductivity properties essentially depend on the type of activator, the incorporation of other activators is important for certain purposes. In order to achieve this, the preparations initially produced without activation, together with the required amount of the activator metal or a compound containing the activator, are kept in a sealed (for example evacuated) vessel at a temperature of> 200 ° C. for a longer period of time. It is also advisable to add polycrystalline powder of the same composition to the preparations, so that more even activation can be achieved. Depending on the type and amount of activator selected, the objects in question are obtained with the corresponding luminescence and conductivity properties. For example, i g of CdS crystals together with a trace of silver (i cm3 of silver nitrate solution containing 2 - io # I g , # g +) were heated for two hours at 300 ° C. in a quartz tube which had been pumped down to 10 cm the crystals have good luminescence properties (luminous efficacy i8 »/ o), but above all favorable conductivity properties (high pliotosensitivity with simultaneous low inertia).

Soll die Lutnineszenz nicht gleichmäßig über die ganze Leuchtschicht verteilt sein, so kann dies durch folgende nachträgliche, Behandlung der zunächst gleichmäßig lumineszierenden Fläche erreicht werden: Die Stellen, die eine geringere oder praktisch keine Lumineszenz aufweisen sollen, werden längere Zeit der Wirkung von energiereichen Atomstrahlen, beispielsweise a-Strahlen, ausgesetzt, wodurch die Lichtausbeute dies-er Teile dosiert herabgesetzt werden kann. So läßt sich z. B. die Lumineszenzausl).eute von einem i cm2 großen CdS-Kristall durch dreitägige Einwirkung einer a-Aktivität von i mC auf die Hälfte herabsetzen. Man kann durch dieses Verfahren auf den erfindungsgemäß hergestellten Leuchtschichten Schriftzeichen oder andere unsichtbare Kennzeichen anbringen, die nur bei Anregung der Lumineszenz sichtbar werden.Should the lutninescence not be uniform over the entire luminous layer be distributed, this can be done by the following subsequent treatment of the initially evenly luminescent surface can be achieved: The bodies that have a lower or should have practically no luminescence, the effect will be longer exposed to high-energy atomic beams, for example a-rays, whereby the light output of these parts can be reduced in a dosed manner. So z. B. the Lumineszenzausl) .eute from an i cm2 CdS crystal through three-day Reduce exposure to a activity of i mC by half. You can go through this method on the luminous layers produced according to the invention characters or attach other invisible markings that only work when the luminescence is excited become visible.

Durch das gleiche Verfahren wird die Photoempfindlichkeit der durch energicreiche Atomstrahlen veränderten Stellen erhöht. Beispielsweise wurde der bei Anregung vorhandene spezifische Widerstand einer mit einem a-Präparat von i mC bestrahlten I CM2 großen Fläche eines vorher' kaum aktiviertenCdS-Kristalles durch eine dreitägigeBestrahlung von 5o Meg0hm - Zentimeter auf o,oi Mcg0hm - Zentimeter verringert, also um einen Faktor 5000. Unter anderem ist diese Erzielung einer örtlich dosierten Störstel.Iendichte wichtig für die Verwendung der betreffenden Ob- jekte als GJeichrichtcr oder Photoelement.The same process increases the photosensitivity of the areas affected by high-energy atomic beams. For example, the specific resistance of an I CM2 large area of a previously barely activated CdS crystal that was irradiated with an a preparation of i mC was reduced by a three-day irradiation from 50 megohm- centimeters to o, oi mcgohm - centimeters, i.e. by a factor 5000. Among other things, this is obtaining a locally metered Störstel.Iendichte important for the use of the relevant Obwalden projects as GJeichrichtcr or photocell.

Claims (1)

PATE NTANSP R ÜCH E: i. Verfahren zur Regelung des Lu nineszenz-und Leitvermögens an Einkristall- und Grobkristallschichten, dadurch gekennzeichnet, daß diese Schichten in einer oxydierend-en Atmo- untnittülbar nach ihrer Herstellung oder -Ctrennt davon cilier Wärm-ebehandlung unter- worfen wIerden. 2. \',orfalireii nach Anspruch i, dadurch ge- 1.zeiiiizelcliiiüt, daß nian zur Erzeugung einer lioll'en 1,timiii#uszeiiz und Leitfähigkeit d i,e Schiellten von einer liohen Temperatur rasch 3. nach Anspruch i, dadurch ge- l#eiiiizelcliii-f#t, (laß man zur Erzeugung einer niedrigen Lamineszenz und Leitfähigkeit die Scliicliteil von einer niedrigen Temperatur ans al)k-iihlt. 4. \'erfahren nach Anspruch i, dadurch ge- l#,L-iiiizeicliii(,t, daß die Schichten durch Zusatz
eines Aktivators und längere Einwirkung von Temperaturen über 200' C in einem zugeschmolzenen Rohr aktiviert werden. 5. Verfahren nach Anspruch i bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Erzeugung einer lokal verminderten oder vollständig aufgehobenen Lumineszünz die betreffenden Stellen der Einwirkung einer energiereichen Korpuskularstrahlung aussetzt. 6. Verfahren nach Anspruch i und ä, dadurch M ekennzeichnet, daß man zur Erzeugung einer lokal #erhöhten Leitfähigkeit die betreffenden Stellen einer vorher wenig leitenden Schicht der Einwirkung einer energiereichen Korpuskularstrahlung aussetzt. PATE NTANSP R ÜCH E: i. Method for regulating the luminescence and conductivity of single crystal and coarse crystal layers, characterized in that these layers are in an oxidizing atmosphere indefinable after their production or - separates it from cilier heat treatment under- thrown. 2. \ ', orfalireii according to claim i, characterized in that 1.zeiiiizelcliiiüt that nian to generate a lioll'en 1, timiii # uszeiiz and conductivity d i, e Switched quickly from a high temperature 3. according to claim i, characterized l # eiiiizelcliii-f # t, (let us generate a low laminescence and conductivity the Partly from a low temperature al) k-iihlt. 4. \ 'experienced according to claim i, characterized in that l #, L-iiiizeicliii (, t that the layers by addition
an activator and prolonged exposure to temperatures above 200 ° C in a fused tube. 5. The method according to claim i to 4, characterized in that in order to generate a locally reduced or completely canceled luminescence, the relevant points are exposed to the action of high-energy corpuscular radiation. 6. The method of claim i, and the like, characterized ekennzeichnet M, that a previously little conductive layer to the action of a high-energy corpuscular radiation exposing the respective positions to generate a locally # increased conductivity.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1009021B (en) * 1952-06-19 1957-05-23 British Thomson Houston Co Ltd Process for the production of luminous surfaces
DE1046794B (en) * 1955-02-15 1958-12-18 Emi Ltd Process for forming a photoconductive layer on a carrier layer
DE1087703B (en) * 1955-03-26 1960-08-25 Philips Nv Asymmetrically conductive semiconductor arrangement
DE1144415B (en) * 1959-06-04 1963-02-28 Philips Nv Process for the production of coherent photoconductive or luminous layers or layers for optical filters
DE1162010B (en) * 1962-06-26 1964-01-30 Forschungslaboratorium Prof Dr Process for the production of multi-layer high-resistance semiconductor layers for photoresistors
DE1194996B (en) * 1959-11-28 1965-06-16 Philips Nv Semiconductor device, especially photosensitive device
DE1199897B (en) * 1962-04-03 1965-09-02 Philips Nv Process for the production of a barrier layer in an n-conducting cadmium sulfide body
DE1246136B (en) * 1956-03-22 1967-08-03 Philips Nv Method for producing a radiation-sensitive body
DE1257302B (en) * 1961-07-01 1967-12-28 Tesla Np Photoresistor

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1009021B (en) * 1952-06-19 1957-05-23 British Thomson Houston Co Ltd Process for the production of luminous surfaces
DE1046794B (en) * 1955-02-15 1958-12-18 Emi Ltd Process for forming a photoconductive layer on a carrier layer
DE1087703B (en) * 1955-03-26 1960-08-25 Philips Nv Asymmetrically conductive semiconductor arrangement
DE1246136B (en) * 1956-03-22 1967-08-03 Philips Nv Method for producing a radiation-sensitive body
DE1144415B (en) * 1959-06-04 1963-02-28 Philips Nv Process for the production of coherent photoconductive or luminous layers or layers for optical filters
DE1194996B (en) * 1959-11-28 1965-06-16 Philips Nv Semiconductor device, especially photosensitive device
DE1257302B (en) * 1961-07-01 1967-12-28 Tesla Np Photoresistor
DE1199897B (en) * 1962-04-03 1965-09-02 Philips Nv Process for the production of a barrier layer in an n-conducting cadmium sulfide body
DE1162010B (en) * 1962-06-26 1964-01-30 Forschungslaboratorium Prof Dr Process for the production of multi-layer high-resistance semiconductor layers for photoresistors

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