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DE69803438T2 - RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF - Google Patents

RADIATION DETECTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

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Publication number
DE69803438T2
DE69803438T2 DE69803438T DE69803438T DE69803438T2 DE 69803438 T2 DE69803438 T2 DE 69803438T2 DE 69803438 T DE69803438 T DE 69803438T DE 69803438 T DE69803438 T DE 69803438T DE 69803438 T2 DE69803438 T2 DE 69803438T2
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DE
Germany
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light
moisture
protective film
receiving devices
film
Prior art date
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Application number
DE69803438T
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Takuya Homme
Hiroto Sato
Toshio Takabayashi
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Hamamatsu Photonics KK
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Hamamatsu Photonics KK
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Publication date
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Description

Technisches FeldTechnical field

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung und insbesondere auf eine Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung, die einen lichtempfangenden Bereich mit einer großen Fläche, wie sie für medizinische Röntgenuntersuchungen und ähnliches verwendet wird, besitzt.The present invention relates to a radiation detection device, and more particularly to a radiation detection device having a light receiving portion with a large area, such as is used for medical X-ray examinations and the like.

Stand der TechnikState of the art

Während konventionell für Röntgenstrahlung empfindliche Filme für medizinische und industrielle Röntgenuntersuchungen benutzt werden, setzen sich Systeme, die eine Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung zur Strahlungsabbildung benutzen, aufgrund ihrer Annehmlichkeit und der Speicherfähigkeit ihrer fotografischen Ergebnisse immer mehr durch. Ein derartiges System zur Strahlungsabbildung verwendet einen aus vielen Pixeln bestehenden Bereich, um zweidimensionale Abbildungsdaten von einer Strahlung als ein elektrisches Signal zu erhalten, verarbeitet das erhaltene Signal mit einer Verarbeitungseinheit, um es auf einem Bildschirm darzustellen. Eine typische Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung ist so konfiguriert, dass ein Szintillator auf einer ein- oder zweidimensionalen Anordnung von Fotodetektoren angeordnet ist, um die einfallende Strahlung in Licht umzuwandeln, welches dann nachgewiesen wird.While conventional X-ray sensitive films are used for medical and industrial X-ray examinations, systems using a radiation detection device for radiation imaging are gaining popularity due to their convenience and the storage capacity of their photographic results. Such a radiation imaging system uses an area consisting of many pixels to obtain two-dimensional imaging data from a radiation as an electrical signal, processes the obtained signal with a processing unit to display it on a screen. A typical radiation detection device is configured such that a scintillator is arranged on a one- or two-dimensional array of photodetectors to convert the incident radiation into light, which is then detected.

CsI, ein typisches Szintillatormaterial, ist ein hygroskopisches Material, welches sich durch Absorption von Dampf (Feuchtigkeit) in der Luft auflöst. Im Ergebnis verschlechtern sich die Merkmale des Szintillators, insbesondere die Auflösung, nachteilig.CsI, a typical scintillator material, is a hygroscopic material that dissolves by absorbing vapor (moisture) in the air. As a result, the characteristics of the scintillator, especially the resolution, deteriorate adversely.

Bekannt als eine Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung mit einer Struktur zum Schutz des Szintillators gegen Feuchtigkeit ist die Technik offenbart in der japanischen offengelegten Patentanmeldung Nr. 5-196742, entsprechend der EP-A-0528676. Bei dieser Technik wird eine wasserundurchlässige Barriere mit Feuchtigkeitsschutz auf der Oberseite der Szintillatorschicht ausgebildet, die dadurch die Szintillatorschicht gegen Feuchtigkeit schützt.Known as a radiation detection device with a structure for protecting the scintillator against moisture, the technique is disclosed in Japanese Laid-Open Patent Application No. 5-196742, corresponding to EP-A-0528676. In this technique, a waterproof barrier with moisture protection is formed on top of the scintillator layer, thereby protecting the scintillator layer against moisture.

In der oben angeführten Technik ist es für die Barriere mit Feuchtigkeitsschutz dennoch schwierig, im äußeren Umfangsbereich der Szintillatorschicht in engen Kontakt mit dem Substrat der Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung zu kommen. Insbesondere bei Vorrichtungen zum Nachweis von Strahlung mit einer großen Fläche, etwa für Röntgenuntersuchungen des Brustkorbes o. ä., besteht aufgrund des langen äußeren Umfangsbereichs die Gefahr der Ablösung der Barriere mit Feuchtigkeitsschutz. Deshalb kann die hermetische Versiegelung der Szintillatorschicht unvollständig werden, Feuchtigkeit kann in die Szintillatorschicht eindringen und ein Problem verursachen, dass die Merkmale der Szintillatorschicht verschlechtert.In the above technique, it is still difficult for the moisture-proof barrier to come into close contact with the substrate of the radiation detection device in the outer peripheral region of the scintillator layer. In particular, in the radiation detection device with a large area, such as for chest X-ray examinations or the like, there is a risk of the moisture-proof barrier being peeled off due to the long outer peripheral region. Therefore, the hermetic sealing of the scintillator layer may become incomplete, moisture may penetrate into the scintillator layer and cause a problem that deteriorates the characteristics of the scintillator layer.

Außerdem offenbart die oben aufgeführte Technik ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht zur Feuchtigkeitsversiegelung für eine Barriere mit Feuchtigkeitsschutz, in der ein Silikonvergußmaterial oder ähnliches im flüssigen Zustand auf die Szintillatdrschicht, oder innerhalb eines auf der lichtempfangenden Oberflächenseite der Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung angeordnetes Fensterbauelement geschichtet wird und dann das Fensterbauelement, bevor die feuchtigkeitsversiegelnde Schicht getrocknet ist, auf der Szintillatorschicht angeordnet wird und dadurch die feuchtigkeitsversiegelnde Schicht fixiert. In diesem Verfahren ist es schwierig, auf einer Szintillatorschicht mit unregelmäßiger Oberflächenform die feuchtigkeitsversiegelnde Schicht gleichmäßig auszubilden, wobei möglicherweise die Adhäsion verschlechtert wird. Dieses Phänomen tritt besonders in Vorrichtungen zum Nachweis von Strahlung mit einer großen Fläche leicht auf.In addition, the above technique discloses a method for producing a moisture sealing layer for a moisture protection barrier, in which a silicone potting material or the like in a liquid state is applied to the scintillate layer, or within a light-receiving surface side of the radiation detection device, and then the window device is placed on the scintillator layer before the moisture-sealing layer is dried, thereby fixing the moisture-sealing layer. In this method, it is difficult to uniformly form the moisture-sealing layer on a scintillator layer having an irregular surface shape, possibly deteriorating the adhesion. This phenomenon is particularly likely to occur in radiation detection devices having a large area.

Mit Blick auf die vorhergehenden Probleme ist es wünschenswert, eine Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung mit einem gleichmäßigen Schutzfilm zum Schutz des Szintillators gegen Feuchtigkeit, welche leicht hergestellt werden kann, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung, bereitzustellen.In view of the foregoing problems, it is desirable to provide a radiation detection device having a uniform protective film for protecting the scintillator against moisture, which can be easily manufactured, and a method for manufacturing the same.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

In Bezug auf einen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung zur Verfügung gestellt, die folgendes umfasst: Eine Anordnung lichtempfangender Einrichtungen, in der mehrere lichtempfangende Einrichtungen ein- oder zweidimensional auf einem Substrat zur Bildung eines lichtempfangenden Bereichs angeordnet sind, sowie mehrere mit den lichtempfangenden Einrichtungen elektrisch verbundene Anschlussflächen in entsprechenden Reihen oder Spalten des lichtempfangenden Bereichs außerhalb des lichtempfangenden Bereichs angeordnet sind, und eine auf den lichtempfangenden Einrichtungen abgeschiedene Szintillatorschicht zur Umwandlung einer Strahlung in sichtbares Licht, einen strahlungsübertragbaren, feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilm, der wenigstens die Szintillatorschicht bedeckt und wenigstens den Bereich der elektrischen Anschlussflächen der Anordnungen lichtempfangender Einrichtungen freilegt und ein Beschichtungsharz, mit dem der Umfangsbereich des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms beschichtet ist, um die Kante des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms mit der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen zu verbinden.In accordance with one aspect of the present invention, there is provided a radiation detection device comprising: an array of light-receiving devices in which a plurality of light-receiving devices are arranged one- or two-dimensionally on a substrate to form a light-receiving region, and a plurality of connection surfaces electrically connected to the light-receiving devices are arranged in corresponding rows or columns of the light-receiving region outside the light-receiving region, and a scintillator layer deposited on the light-receiving devices for converting radiation into visible light, a radiation-transmittable, a moisture-proof protective film covering at least the scintillator layer and exposing at least the electrical connection surface area of the light-receiving device arrays; and a coating resin coating the peripheral area of the moisture-proof protective film to bond the edge of the moisture-proof protective film to the light-receiving device array.

Folglich wird die einfallende Strahlung durch die Szintillatorschicht in sichtbares Licht umgewandelt. Da das resultierende Bild des sichtbaren Lichts durch die ein- oder zweidimensional angeordneten lichtempfangenden Einrichtungen nachgewiesen wird, wird ein elektrisches Signal entsprechend dem Bild der einfallenden Strahlung erhalten. Die Szintillatorschicht hat die Eigenschaft der Verschlechterung durch die Absorption von Feuchtigkeit. Da jedoch die Szintillatorschicht mit einem feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilm bedeckt ist, und die Kante des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms mit dem Beschichtungsharz beschichtet wird, ist die Szintillatorschicht komplett hermetisch versiegelt, um von der äußeren Umgebung isoliert und damit gegen Dampf in der Luft geschützt zu sein. Weiterhin wird der Bereich der elektrische Anschlussfläche für die Verbindung mit einer externen Schaltung freigelegt.Consequently, the incident radiation is converted into visible light by the scintillator layer. Since the resulting image of the visible light is detected by the one- or two-dimensionally arranged light-receiving devices, an electrical signal corresponding to the image of the incident radiation is obtained. The scintillator layer has the property of deteriorating by absorbing moisture. However, since the scintillator layer is covered with a moisture-proof protective film and the edge of the moisture-proof protective film is coated with the coating resin, the scintillator layer is completely hermetically sealed to be isolated from the external environment and thus protected against vapor in the air. Furthermore, the area of the electrical connection pad for connection to an external circuit is exposed.

Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung zur Verfügung gestellt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: einen Schritt der Bildung eines lichtempfangenden Bereichs durch die ein- oder zweidimensionale Anordnung einer Vielzahl lichtempfangender Einrichtungen, auf einem Substrat und der Abscheidung einer Szintillatorschicht zur Umwandlung von Strahlung in sichtbares Licht auf den lichtempfangenden Einrichtungen einer Anordnung lichtempfangender Einrichtungen, in welcher eine Vielzahl von Anschlussflächen, die mit den lichtempfangenden Einrichtungen in entsprechenden Reihen oder Spalten des lichtempfangenden Bereichs elektrisch verbunden sind außerhalb des lichtempfangenden Bereichs angeordnet sind, einen Schritt der Ausbildung eines strahlungsübertragbaren, feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms, um die Anordnung lichtempfangender Einrichtungen als ganzes zu umhüllen, einen Schritt des Schneidens und Entfernens wenigstens des Teils des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms außerhalb der Szintillatorschicht, der die Anschlussflächen umhüllt, um wenigstens einen Teil der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen in einer Fläche einschließend der Anschlussflächen freizulegen und einen Schritt der Beschichtung des Umfangsbereichs des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms mit einem Harz, um die Kante des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms mit den lichtempfangenden Einrichtungen zu verbinden.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a radiation detection device, the method comprising the steps of: a step of forming a light receiving region by one- or two-dimensionally arranging a plurality of light receiving devices on a substrate and depositing a scintillator layer for converting radiation into visible light on the light receiving devices of a light receiving device array in which a plurality of terminal pads electrically connected to the light receiving devices in corresponding rows or columns of the light receiving region are arranged outside the light receiving region, a step of forming a radiation-transmissible moisture-proof protective film to cover the light receiving device array as a whole, a step of cutting and removing at least part of the moisture-proof protective film outside the scintillator layer covering the terminal pads to expose at least part of the light receiving device array in an area including the terminal pads, and a step of coating the peripheral portion of the moisture-proof protective film with a resin to connect the edge of the moisture-proof protective film to the light receiving devices.

Da der erste organische Film so gebildet ist, dass er die gesamte Anordnung lichtempfangender Einrichtungen umhüllt, wird die Adhäsion zwischen der Szintillationsschicht und dem organischen Film verbessert, wobei ein gleichmäßiger Film gebildet wird. Da der gleichmässige feuchtigkeitsbeständige Schutzfilm nach seiner Ausbildung von dem Bereich der Anschlussflächen entfernt wird, ist der Bereich der Anschlussflächen mit Sicherheit freigelegt. Da ferner der feuchtigkeitsbeständige Schutzfilm mit einem Harz entlang des Kantenbereichs, der als eine Abgrenzung hinsichtlich des freigelegten Bereichs dient, beschichtet wird, kommt die Kante des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms in engen Kontakt mit der darunter liegenden Oberfläche der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen, wodurch die Szintillatorschicht unter dem feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilm versiegelt wird.Since the first organic film is formed to cover the entire light-receiving device array, the adhesion between the scintillation layer and the organic film is improved, forming a uniform film. Since the uniform moisture-proof protective film is removed from the pad area after its formation, the pad area is exposed with certainty. Furthermore, since the moisture-proof protective film is coated with a resin along the edge portion serving as a boundary with respect to the exposed area, the edge of the moisture-proof protective film comes into close contact with the underlying surface of the light-receiving device array, thereby improving the Scintillator layer is sealed under the moisture-resistant protective film.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenShort description of the drawings

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, während Fig. 2 eine vergrößerte Schnittansicht davon entlang der Linie A-A ist;Fig. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, while Fig. 2 is an enlarged sectional view thereof taken along the line A-A ;

Fig. 3 bis 10 sind Ansichten, die Herstellungsschritte der Ausführungsform gemäß Fig. 1 und 2 zeigen, undFig. 3 to 10 are views showing manufacturing steps of the embodiment according to Figs. 1 and 2, and

Fig. 11 ist eine Draufsicht, die eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, während Fig. 12 eine vergrößerte Schnittansicht davon entlang der Linie B-B ist.Fig. 11 is a plan view showing another embodiment of the present invention, while Fig. 12 is an enlarged sectional view thereof taken along the line B-B.

Ausführliche Beschreibung der ZeichnungenDetailed description of the drawings

Im folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert. Um die Verständlichkeit der Erläuterungen zu erleichtern, wird, soweit möglich, in allen Zeichnungen das gleiche Bezugszeichen für gleiche Teile verwendet und auf wiederholte Erläuterung verzichtet. Außerdem sind zum leichteren Verständnis die Dimensionen und Formen in jeder Zeichnung nicht immer identisch zu denen in der Praxis, sondern beinhalten übertrieben dargestellte Teile, um das Verständnis zu erleichtern.In the following, embodiments of the present invention will be explained with reference to the drawings. In order to facilitate the understanding of the explanations, the same reference numerals are used for the same parts in all drawings as far as possible and repeated explanations are omitted. In addition, for ease of understanding, the dimensions and shapes in each drawing are not always identical to those in practice, but include exaggerated parts to facilitate understanding.

Fig. 1 ist eine Draufsicht, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, während Fig. 2 eine vergrößerte Schnittansicht des äußeren Umfangsbereichs davon entlang der Linie A-A ist.Fig. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, while Fig. 2 is a enlarged sectional view of the outer peripheral portion thereof taken along the line AA.

Zunächst wird die Konfiguration dieser Ausführungsform unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 erläutert. Auf einem isolierenden Substrat 1, welches z. B. aus Glas hergestellt ist, werden lichtempfangende Einrichtungen 2 für lichtelektrische Umwandlung zweidimensional angeordnet, um einen lichtempfangenden Bereich zu bilden. Jede lichtempfangende Einrichtung 2 besteht aus einer Photodiode (PD) aus amorphem Silizium oder einem Dünnschichttransistor (TFT). Die lichtempfangenden Einrichtungen 2 in den entsprechenden Reihen und Spalten sind für die Auslesung von Signalen über Signalleitungen 3 elektrisch leitend miteinander verbunden. Mehrere Anschlussflächen 4 für die Ausgabe von Signalen zu einer externen Schaltung (nicht gezeigt) sind entlang der äußeren Umfangsseiten des Substrats 1, z. B. an zwei nebeneinanderliegenden Seiten, angeordnet und sind elektrisch leitend mit ihren entsprechenden mehreren lichtempfangenden Einrichtungen 2 über Signalleitungen 3 verbunden. Ein isolierender Passivierungsfilm 5 ist über den lichtempfangenden Einrichtungen 2 und den Signalleitungen 3 ausgebildet. Für den Passivierungsfilm 5 wird bevorzugt Siliziumnitrid oder Siliziumoxid verwendet. Anderseits sind die Anschlussflächen 4 für die Verbindung mit der externen Schaltung freigelegt. Im folgenden wird auf dieses Substrat, sowie auf den Schaltungsbereich auf dem Substrat als Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 Bezug genommen.First, the configuration of this embodiment will be explained with reference to Figs. 1 and 2. On an insulating substrate 1 made of, for example, glass, light-receiving devices 2 for photoelectric conversion are arranged two-dimensionally to form a light-receiving region. Each light-receiving device 2 consists of a photodiode (PD) made of amorphous silicon or a thin film transistor (TFT). The light-receiving devices 2 in the respective rows and columns are electrically connected to each other for reading out signals via signal lines 3. A plurality of pads 4 for outputting signals to an external circuit (not shown) are arranged along the outer peripheral sides of the substrate 1, for example, on two adjacent sides, and are electrically connected to their corresponding plurality of light-receiving devices 2 via signal lines 3. An insulating passivation film 5 is formed over the light-receiving devices 2 and the signal lines 3. Silicon nitride or silicon oxide is preferably used for the passivation film 5. On the other hand, the connection pads 4 for the connection to the external circuit are exposed. In the following, reference is made to this substrate, as well as to the circuit area on the substrate, as an arrangement of light-receiving devices 6.

Auf dem lichtempfangenden Bereich der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 ist zur Umwandlung auftreffender Strahlung in sichtbares Licht ein Szintillator 7 mit Säulenstruktur ausgebildet. Obwohl verschiedene Materialen für den Szintillator 7 verwendet werden können, werden Tl-dotiertes CsI oder gleichartiges, welches eine bevorzugte Emissionseffizienz besitzt, bevorzugt. Auf dem Szintillator 7 sind ein erster organischer Film 8, ein anorganischer Film 9 und ein zweiter organischer Film 10 laminiert, jeder durchlässig für Röntgenstrahlen aber dampfundurchlässig, wodurch ein Schutzfilm 11 gebildet wird.A scintillator 7 with a columnar structure is formed on the light-receiving region of the array of light-receiving devices 6 for converting incident radiation into visible light. Although various materials can be used for the scintillator 7, Tl-doped CsI or similar having a preferred emission efficiency is preferred. On the scintillator 7, a first organic film 8, an inorganic film 9 and a second organic film 10 are laminated, each transparent to X-rays but impermeable to vapor, thereby forming a protective film 11.

Als der erste organische Film 8 und der zweite organische Film 10 wird vorzugsweise ein Poly-p- Xylylenharz (hergestellt von Three Bond Co., Ltd.; Markenname: Parylene), wie insbesondere Poly-p- Chloroxylylen (gleiche Herstellerfirma, Markenname: Parylene C), verwendet. Die aus Parylene hergestellte Beschichtung hat hervorragende Eigenschaften für den organischen Film 8 bzw. 10 dahingehend, dass sie z. B. nur sehr geringe Mengen von Dampf oder Gasen durchlässt, eine hohe Wasserabstoßung und chemische Widerstandsfähigkeit hat, auch als dünner Film hervorragende elektrische Isolierungseigenschaften aufweist und transparent gegenüber Strahlung und sichtbarem Licht ist. Die Einzelheiten für die Beschichtung mit Parylene werden in Three Bond Technical News (Ausgabe 23. September 1992) beschrieben und ihre charakteristischen Merkmale werden hier kurz erläutert.As the first organic film 8 and the second organic film 10, a poly-p-xylylene resin (manufactured by Three Bond Co., Ltd.; brand name: Parylene), particularly poly-p-chloroxylylene (same manufacturer, brand name: Parylene C), is preferably used. The coating made of Parylene has excellent properties for the organic film 8 and 10, such as transmitting very little vapor or gas, having high water repellency and chemical resistance, having excellent electrical insulation properties even as a thin film, and being transparent to radiation and visible light. The details of the coating with Parylene are described in Three Bond Technical News (issue September 23, 1992), and its characteristic features are briefly explained here.

Die Beschichtung mit Parylene kann mittels des chemischen Dampfabscheidungsverfahrens (CVD) geschehen, bei der eine Dampfabscheidung auf einer Unterlage im Vakuum stattfindet, wie bei der Vakuum-Dampfabscheidung von Metallen. Dieses Verfahren beinhaltet einen Schritt der thermischen Spaltung von p-Xylol als ein Ausgangsmaterial und die rasche Abkühlung des resultierenden Produkts in einem organischem Lösungsmittel wie Toluol oder Benzol, um Di-p-Xylylen, welches bekanntermaßen als Dimer vorliegt, zu erhalten; einen Schritt der thermischen Spaltung dieses Dimers, um ein stabiles, radikalisches p-Xylylen-Gas herzustellen;Parylene coating can be done by the chemical vapor deposition (CVD) process, in which vapor deposition takes place on a substrate in vacuum, as in vacuum vapor deposition of metals. This process involves a step of thermally decomposing p-xylene as a starting material and rapidly cooling the resulting product in an organic solvent such as toluene or benzene to obtain di-p-xylylene, which is known to exist as a dimer; a step of thermally decomposing this dimer to produce a stable radical p-xylylene gas;

sowie eine Schritt um durch Absorption und Polymerisation des dadurch entstandenen Gases auf einem Material durch Polymerisation einen Poly-p-Xylylenfilm mit einem Molekulargewicht von etwa 500.000 zu erzeugen.and a step of producing a poly-p-xylylene film with a molecular weight of about 500,000 by absorption and polymerization of the resulting gas on a material by polymerization.

Der Druck zum Zeitpunkt der Parylene- Dampfabscheidung beträgt 13.3 bis 26.7 Pa (0.1 bis 0.2 Torr), der höher ist als der Druck bei der Dampfabscheidung von Metallen im Vakuum, 0.133 Pa (0.001 Torr). Bei der Dampfabscheidung bedeckt ein monomolekularer Film das gesamte zu beschichtende Material und dann wird Parylene darauf dampfabgeschieden. Folglich kann ein dünner Film mit einer gleichmäßigen Stärke kleiner als 0,2 um, die frei von nadelfeinen Löchern ist, ausgebildet werden. Daher kann auf diese Weise die Beschichtung von spitzwinkeligen Bereichen, Eckbereichen und engen Spalten im Mikrometerbereich, was in Flüssigkeitsform unmöglich war, erfolgen. Außerdem kann die Beschichtung bei einer Temperatur nahe Raumtemperatur erfolgen, also ohne Hitzebehandlung oder ähnliches zum Zeitpunkt der Beschichtung. Folglich können mechanischer Stress oder thermische Verspannung während der Aushärtung nicht auftreten, und die Beschichtung hat außerdem eine hervorragende Stabilität. Darüber hinaus ist eine Beschichtung für nahezu jedes festes Material möglich.The pressure at the time of parylene vapor deposition is 13.3 to 26.7 Pa (0.1 to 0.2 Torr), which is higher than the pressure of vacuum vapor deposition of metals, 0.133 Pa (0.001 Torr). In vapor deposition, a monomolecular film covers the entire material to be coated and then parylene is vapor deposited thereon. Consequently, a thin film with a uniform thickness of less than 0.2 µm and free from pinholes can be formed. Therefore, coating of acute angle areas, corner areas and narrow gaps in the micrometer range, which was impossible in liquid form, can be carried out in this way. In addition, coating can be carried out at a temperature close to room temperature, thus without heat treatment or the like at the time of coating. As a result, mechanical stress or thermal distortion cannot occur during curing and the coating also has excellent stability. In addition, a coating is possible for almost any solid material.

Für den anorganischen Film 9 können verschiedene Materialen, wie etwa die für sichtbares Licht transparenten, undurchlässigen oder reflektierenden verwendet werden, solange sie für Röntgenstrahlen durchlässig sind. Oxidierte Filme von Si, Ti und Cr sowie dünne Metallfilme aus Gold, Silber, Aluminium oder ähnlichem können benutzt werden. Im einzelnen wird ein Film bevorzugt verwandt, der sichtbares Licht reflektiert, da er effizient verhindert, dass im Szintillator 7 entstehende Fluoreszenz entweicht, wodurch die Empfindlichkeit erhöht wird. Hier wird ein Beispiel mit Al erläutert, welches leicht zu formen ist. Obwohl Al wahrscheinlich an der Luft korrodiert, ist der anorganische Film 9, da er zwischen dem ersten organischen Film 8 und dem zweiten organischen Film 10 gehalten wird, vor Korrosion geschützt.For the inorganic film 9, various materials such as those transparent to visible light, opaque or reflective can be used as long as they are transparent to X-rays. Oxidized films of Si, Ti and Cr and thin metal films of gold, silver, aluminum or the like can be used. In particular, a film that reflects visible light is preferably used because it effectively prevents fluorescence generated in the scintillator 7 from escaping, thereby the sensitivity is increased. Here, an example is explained using Al, which is easy to form. Although Al is likely to corrode in air, the inorganic film 9, since it is held between the first organic film 8 and the second organic film 10, is protected from corrosion.

Der Außenumfang des Schutzfilms 11 erstreckt sich zu der Innenseite der Anschlussflächen 4 zwischen dem entsprechenden Außenumfang des lichtempfangenden Bereichs und der Anordnung lichtempfangenden Einrichtungen 6, wobei die Anschlussflächen 4 für die Verbindung mit der externen Schaltung freigelegt werden. Während dieser Schutzfilm 11 durch die vorstehend erwähnte Beschichtung mit Parylene mittels des CVD-Verfahrens gebildet wird, da dieser durch das CVD-Verfahren gebildet wird, wird sie zur Abdeckung der gesamten Oberfläche der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 ausgebildet. Um die Anschlussflächen 4 freizulegen, ist es daher notwendig, dass der durch die Beschichtung mit Parylene gebildete Schutzfilm 11 innerhalb der Anschlussflächen 4 geschnitten und der äußere Teil des Schutzfilms 11 entfernt wird. In diesem Fall würde sich der Schutzfilm wahrscheinlich von dem als schneidenden Bereich dienenden Außenumfangsbereich ablösen. Daher sind der Außenumfangsbereich des Schutzfilms 11 und der Bereich des Passivierungsfilms 5 der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 an dessen Außenumfang beschichtet und mit einem Beschichtungsharz 12 bedeckt.The outer periphery of the protective film 11 extends to the inside of the pads 4 between the corresponding outer periphery of the light receiving region and the light receiving device array 6, exposing the pads 4 for connection to the external circuit. While this protective film 11 is formed by the above-mentioned parylene coating by the CVD method, since it is formed by the CVD method, it is formed to cover the entire surface of the light receiving device array 6. Therefore, in order to expose the pads 4, it is necessary that the protective film 11 formed by the parylene coating is cut inside the pads 4 and the outer part of the protective film 11 is removed. In this case, the protective film would likely peel off from the outer periphery portion serving as the cutting portion. Therefore, the outer peripheral portion of the protective film 11 and the portion of the passivation film 5 of the light-receiving device array 6 on its outer peripheral side are coated and covered with a coating resin 12.

Für das Beschichtungsharz 12, ein Harz mit bevorzugten Adhäsionseigenschaften an dem Schutzfilm 11 und dem Passivierungsfilm 5, wird z. B. WORLD ROCK Nr. 801-SET2 (Typ 70.000 cP), hergestellt von Kyoritsu Chemical Industries Co., Ltd., wobei es sich um einen Acrylklebstoff handelt, bevorzugt verwendet. Dieser Harzkleber ist nach etwa 20 Sekunden UV-Bestrahlung mit 100 mW/cm² ausgehärtet. Dieser so ausgehärtete Beschichtungsfilm ist weich, hat aber eine ausreichende Festigkeit, ist hervorragend in seiner Widerstandsfähigkeit gegen Feuchtigkeit, Wasser, Kontaktkorrosion und Migration, haftet bevorzugt an verschiedenen Materialen wie etwa Glas, Kunststoffen u. ä., und hat daher bevorzugte Eigenschaften als das Beschichtungsharz 12.For the coating resin 12, a resin having preferable adhesion properties to the protective film 11 and the passivation film 5, for example, WORLD ROCK No. 801-SET2 (Type 70,000 cP) manufactured by Kyoritsu Chemical Industries Co., Ltd., which is an acrylic adhesive, is preferably used. This resin adhesive is curable after about 20 seconds of UV irradiation with 100 mW/cm². This coating film cured in this way is soft, but has sufficient strength, is excellent in its resistance to moisture, water, contact corrosion and migration, adheres preferentially to various materials such as glass, plastics, etc., and therefore has preferred properties than the coating resin 12.

Das Herstellungsverfahren für diese Ausführungsform wird im folgenden gemäß Fig. 3 bis 10 erläutert. Wie in Fig. 4 gezeigt, werden auf der lichtempfangenden Oberfläche der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6, gezeigt im Fig. 3, säulenförmige Kristalle von Tldotierten CsI mittels des Dampfabscheidungsverfahrens bis zu einer Stärke von 600 um wachsen gelassen, um eine Schicht des Szintillators 7 zu bilden.The manufacturing process for this embodiment is explained below according to Figs. 3 to 10. As shown in Fig. 4, on the light-receiving surface of the light-receiving device array 6 shown in Fig. 3, columnar crystals of Tl-doped CsI are grown by the vapor deposition method to a thickness of 600 µm to form a layer of the scintillator 7.

Das die Szintillatorschicht 7 bildende CsI ist hochhygroskopisch; so dass es nach weiterer Aussetzung durch absorbierenden Dampf in der Luft gelöst wird. Zur Verhinderung des Auftretens dieses Phänomens, wird, wie in Fig. 5 gezeigt, das CVD-Verfahren zur Umhüllung des gesamten Substrats mit Parylene in einer Schichtstärke von 10 um verwendet, wobei der erste organische Film 8 gebildet wird. Obgleich zwischen den säulenförmigen Kristallen des CsI Lücken sind, kann Parylene zu einem gewissen Maße in diesen engen Lücken eindringen, wobei der erste organische Film 8 in engen Kontakt zur Szintillatorschicht 7 kommt. Weiterhin ergibt die Parylenebeschichtung eine präzise, dünne Filmbeschichtung mit einer gleichmäßigen Stärke über der unregelmäßigen Szintillatorschicht 7. Da Parylene durch CVD, im Vergleich mit der Metall-Dampfabscheidung, bei einem geringeren Vakuum und bei normaler Temperatur erzeugt werden kann, kann es einfach verarbeitet werden.The CsI constituting the scintillator layer 7 is highly hygroscopic, so that it is dissolved in the air after further exposure to absorbing vapor. To prevent the occurrence of this phenomenon, as shown in Fig. 5, the CVD method is used to cover the entire substrate with parylene in a layer thickness of 10 µm, thereby forming the first organic film 8. Although there are gaps between the columnar crystals of the CsI, parylene can penetrate into these narrow gaps to some extent, whereby the first organic film 8 comes into close contact with the scintillator layer 7. Furthermore, the parylene coating provides a precise, thin film coating with a uniform thickness over the irregular scintillator layer 7. Since parylene can be produced by CVD at a lower vacuum and at normal temperature compared to metal vapor deposition, it can be easily processed.

Danach wird, wie in Fig. 6 gezeigt, auf der Oberfläche des ersten organischen Films 8 auf der Eintrittsseite mittels des Dampfabscheidungsverfahrens ein Al-Film mit einer Stärke von 0,15 um laminiert, welche so den anorganischen Film 9 bildet. Dann, wieder durch Nutzung des CVD-Verfahrens, wird die Oberfläche des gesamten Substrats mit einer Paryleneschicht mit einer Stärke von 10 um beschichtet, welche den zweiten organischen Film 10 bildet (siehe Fig. 7). Dieser zweite organische Film 10 schützt den anorganischen Film 9 vor einer Verschlechterung infolge von Korrosion.Thereafter, as shown in Fig. 6, on the surface of the first organic film 8 on the entrance side, an Al film having a thickness of 0.15 µm is laminated by the vapor deposition method, thus forming the inorganic film 9. Then, again by using the CVD method, the surface of the entire substrate is coated with a parylene layer having a thickness of 10 µm, which forms the second organic film 10 (see Fig. 7). This second organic film 10 protects the inorganic film 9 from deterioration due to corrosion.

Der so ausgebildete Schutzfilm 11 wird mit einem Excimer-Laser oder dergleichen entlang des Außenumfangs des lichtempfangenden Bereichs bei dem Teil innerhalb der Anschlussflächen 4 zwischen dem lichtempfangenden Bereich und dem äußeren Umfangsbereich der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6, wie in Fig. 8 gezeigt, geschnitten und dann werden vom so geschnittenen Bereich die unnötigen Bereiche des Schutzfilms 11 auf die Außenseite davon und auf der Rückseite der Eintrittsoberfläche, wie in Fig. 9 gezeigt, entfernt, um die Anschlussflächen 4 für die Verbindung mit der externen Schaltung freizulegen. Da der Passivierungsfilm 5 und die erste organische Schicht 7, die als die unterste Schicht des Schutzfilms 11 aufgebracht ist, nicht gut aneinander haften, wird sich die Schutzschicht 11 leicht ablösen, falls der geschnittene Außenumfangsbereich so belassen wird, wie er ist. Daher, wie in Fig. 10 gezeigt, werden der Außenumfangsbereich des Schutzfilms 11 und der Teil des Passivierungsfilms 5 rundum beschichtet und mit dem Beschichtungsharz 12 bedeckt, der dann durch UV-Bestrahlung gehärtet wird, wobei der Schutzfilm 11 nahe an der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 haftet. Als Folge wird der Szintillator 7 hermetisch eingeschlossen, wodurch Verschlechterung der Auflösung wegen Feuchtigkeitsabsorption verhindert werden kann.The protective film 11 thus formed is cut with an excimer laser or the like along the outer periphery of the light receiving region at the part inside the pads 4 between the light receiving region and the outer peripheral region of the light receiving device array 6 as shown in Fig. 8, and then, from the thus cut region, the unnecessary portions of the protective film 11 on the outside thereof and on the back of the entrance surface as shown in Fig. 9 are removed to expose the pads 4 for connection to the external circuit. Since the passivation film 5 and the first organic layer 7 deposited as the lowermost layer of the protective film 11 do not adhere well to each other, the protective layer 11 will easily peel off if the cut outer peripheral region is left as it is. Therefore, as shown in Fig. 10, the outer peripheral portion of the protective film 11 and the part of the passivation film 5 are coated all around and covered with the coating resin 12, which is then cured by UV irradiation, whereby the protective film 11 adheres closely to the light receiving device array 6. As a result, the scintillator 7 is hermetically sealed, whereby Deterioration of resolution due to moisture absorption can be prevented.

Die Funktionsweise dieser Ausführungsform wird nun mit Bezug zu Fig. 1 und 2 erläutert. Eine durch die Eintrittsoberfläche einfallende Röntgenstrahlung (Strahlung) fällt durch dem Schutzfilm 11, der aus dem ersten organischen Film 8, dem anorganischen Film 9, dem zweiten organischen Film 10 besteht, um den Szintillator 7 zu erreichen. Diese Röntgenstrahlung wird vom Szintillator 7 aufgenommen, der sichtbares Licht im proportionalen Maße zur Dosis der Röntgenstrahlung abstrahlt. Von diesem abgestrahlten, sichtbaren Licht wird der Teil mit direkt entgegengesetzter Richtung zur Einfallsrichtung der Röntgenstrahlung durch den anorganischen Film 9 reflektiert. Folglich wird nahezu das gesamte vom Szintillator 7 generierte, sichtbare Licht auf der lichtempfangenden Einrichtung 2, unterhalb dem Szintillator 7 gelegen, eingestrahlt. Dadurch wird ein effizienter Nachweis erreicht.The operation of this embodiment will now be explained with reference to Figs. 1 and 2. An X-ray (radiation) incident through the entrance surface passes through the protective film 11 consisting of the first organic film 8, the inorganic film 9, the second organic film 10 to reach the scintillator 7. This X-ray is received by the scintillator 7, which emits visible light in proportion to the dose of the X-ray. Of this emitted visible light, the part in the direction directly opposite to the direction of incidence of the X-ray is reflected by the inorganic film 9. Consequently, almost all of the visible light generated by the scintillator 7 is irradiated on the light receiving device 2 located below the scintillator 7. This achieves efficient detection.

Durch lichtelektrische Umwandlung wird in jeder lichtempfangenden Einrichtung 2 ein der Menge des sichtbaren Lichts entsprechendes elektrisches Signal erzeugt und für eine vorbestimmte Zeit gespeichert. Da die Menge des sichtbaren Lichts, das die lichtempfangende Einrichtung 2 erreicht, der Dosis der eingefallenen Röntgenstrahlung entspricht, entspricht das in jeder lichtempfangenden Einrichtung 2 gespeicherte elektrische Signal der Dosis der eingefallenen Röntgenstrahlung, so dass man ein einem Röntgenbild entsprechendes Bildsignal erhält. Die in den lichtempfangenden Einrichtungen 2 gespeicherten Bildsignale werden seriell über die Signalleitungen 3 von den Anschlussflächen 4 ausgelesen, nach außen geleitet, in einer vorbestimmten Verarbeitungsschaltung verarbeitet, wodurch das Röntgenbild dargestellt werden kann.By photoelectric conversion, an electrical signal corresponding to the amount of visible light is generated in each light-receiving device 2 and stored for a predetermined time. Since the amount of visible light reaching the light-receiving device 2 corresponds to the dose of incident X-rays, the electrical signal stored in each light-receiving device 2 corresponds to the dose of incident X-rays, so that an image signal corresponding to an X-ray image is obtained. The image signals stored in the light-receiving devices 2 are read out serially via the signal lines 3 from the connection surfaces 4, conducted to the outside, processed in a predetermined processing circuit, whereby the X-ray image can be displayed.

Obgleich die vorhergehende Erläuterung bezüglich dem Schutzfilm 11 von einem Aufbau, bei dem ein anorganischer Film 9 zwischen einem ersten und zweiten aus Parylene gemachten organischen Film 8 und 10 gehalten wird, ausgeht, können der erste organische Film 8 und der zweite organische Film 10 auch aus voneinander unterschiedlichen Material gemacht werden. Außerdem kann, wenn für den anorganischen Film 9 ein Material mit einer hohen Korrosionsbeständigkeit verwendet wird, auf den zweiten organischen Film 10 per se verzichtet werden.Although the above explanation regarding the protective film 11 assumes a structure in which an inorganic film 9 is held between first and second organic films 8 and 10 made of parylene, the first organic film 8 and the second organic film 10 may be made of different materials from each other. In addition, if a material having high corrosion resistance is used for the inorganic film 9, the second organic film 10 per se may be omitted.

Obwohl hier ein Beispiel erläutert wird, in dem das Beschichtungsharz 12 auf dem Passivierungsfilm 5 außerhalb des Teils der mit den lichtempfangenden Einrichtungen 2 ausgebildeten Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 gebildet wird, wird es schwierig sein, die Harzbeschichtung 12 in einem Grenzbereich zwischen den lichtempfangenden Einrichtungen 2 und der Anschlussfläche 4 zu gestalten, wenn diese sehr nahe beieinander liegen. Um mit Sicherheit die Anschlussfläche 4 freizulegen und den Umfang des Schutzfilms 11 sicher mit dem Beschichtungsharz 12 zu beschichten, wird bevorzugt, dass die Position des Beschichtungsharzes 12 in Richtung der lichtempfangenden Einrichtungen 2 verschoben wird. Zu diesem Zweck wird der Szintillator 7 nicht auf der gesamten Oberfläche der lichtempfangenden Einrichtungen 2 gebildet, sondern auf den lichtempfangenden Einrichtungen 2 innerhalb der wirksamen Schirmfläche unter Auslassung der Pixel nahe der Anschlussflächen 4. Dann, nachdem der Schutzfilm 11 über der gesamten ausgebildeten Schicht des Szintillators 7 ausgebildet ist, wird der Schutzfilm 11 mit dem Beschichtungsharz 12 auf den Pixeln der lichtempfangenden Einrichtungen 2, deren obere Vorderseite nicht mit dem Szintillator 7 ausgebildet wird, beschichtet. In diesem Fall, da die Pixel nahe der Anschlussfläche 4 mit dem Beschichtungsharz bedeckt werden oder frei von dem Szintillator 7 auf der Vorderseite sind, verringert sich ihre Empfindlichkeit gegen Strahlung. Folglich sind diese Pixel unbrauchbar und reduzieren dadurch die Anzahl der wirksamen Pixel und den Bereich der wirksamen Schirmfläche der lichtempfangenden Einrichtungen 2. Wenn die lichtempfangenden Einrichtungen 2 eine große Schirmfläche bilden und eine große Anzahl von Pixel insgesamt haben, ist dennoch der Anteil der unbrauchbaren Pixel gering und, abhängig von der Konfiguration der Vorrichtungen, haben sie den Vorteil, dass die Herstellung vereinfacht wird.Although an example is explained here in which the coating resin 12 is formed on the passivation film 5 outside the part of the light-receiving device array 6 formed with the light-receiving devices 2, it will be difficult to form the resin coating 12 in a boundary region between the light-receiving devices 2 and the pad 4 when they are very close to each other. In order to surely expose the pad 4 and securely coat the periphery of the protective film 11 with the coating resin 12, it is preferable that the position of the coating resin 12 is shifted toward the light-receiving devices 2. For this purpose, the scintillator 7 is not formed on the entire surface of the light receiving devices 2, but on the light receiving devices 2 within the effective screen area, omitting the pixels near the terminal surfaces 4. Then, after the protective film 11 is formed over the entire formed layer of the scintillator 7, the protective film 11 is coated with the coating resin 12 on the pixels of the light receiving devices 2 whose upper front surface is not formed with the scintillator 7. In this case, since the pixels near the terminal surface 4 are coated with the coating resin or are free from the scintillator 7 on the front, their sensitivity to radiation is reduced. Consequently, these pixels are useless, thereby reducing the number of effective pixels and the area of the effective screen surface of the light-receiving devices 2. When the light-receiving devices 2 form a large screen surface and have a large number of pixels in total, the proportion of useless pixels is nevertheless small and, depending on the configuration of the devices, they have the advantage of simplifying manufacture.

Unter Bezugnahme auf Fig. 11 und 12 wird nun eine andere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert. Fig. 11 ist eine Draufsicht auf die Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung in Übereinstimmung mit dieser Ausführungsform, während Fig. 12 eine vergrößerte Schnittansicht davon entlang der Linie B-B ist. Da der grundsätzliche Aufbau dieser Ausführungsform der in den Fig. 1 und 2 dargestellten Ausführungsform entspricht, werden im folgenden nur ihre Unterschiede erläutert.Referring to Figs. 11 and 12, another embodiment of the present invention will now be explained. Fig. 11 is a plan view of the radiation detection device according to this embodiment, while Fig. 12 is an enlarged sectional view thereof taken along line B-B. Since the basic structure of this embodiment is the same as that shown in Figs. 1 and 2, only their differences will be explained below.

In der in den Fig. 11 und 12 gezeigten Ausführungsform ist der Schutzfilm 11 auf der gesamten Oberfläche der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 auf der lichtempfangenden Oberflächenseite sowie der Rückseite ausgebildet, wobei nur die Anordnung der Anschlussflächen 4 freigelegt werden. Das Beschichtungsharz 12 ist entlang der Begrenzungen (Kanten) des Schutzfilms 11 beschichtet, um den Bereich der freigelegten Anschlussflächen 4 zu umhüllen. Da der Bereich der Anschlussflächen 4 mit Sicherheit freigelegt ist, und der Schutzfilm 11 mit Hilfe des Beschichtungsharzes 12 sicher an der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen 6 haftet, ist die Szintillatorschicht 7 hermetisch versiegelt, womit eine durch Feuchtigkeitsaufnahme verursachte Verschlechterung in dieser Ausführungsform vermieden wird.In the embodiment shown in Figs. 11 and 12, the protective film 11 is formed on the entire surface of the light receiving device array 6 on the light receiving surface side and the back side, exposing only the pad array 4. The coating resin 12 is coated along the peripheries (edges) of the protective film 11 to envelop the area of the exposed pad 4. Since the area of the pad 4 is securely exposed and the protective film 11 is securely adhered to the light receiving device array 6 by means of the coating resin 12, the scintillator layer 7 is hermetically sealed, thus achieving a Deterioration caused by moisture absorption is avoided in this embodiment.

Diese Ausführungsform ist effektiv, da sie die Länge des als Grenzbereiches dienenden Kantenbereichs verkürzt, der eine Ablösung des Schutzfilms verursachen kann, insbesondere im Fall von Abbildungssystemen vom CCD- oder MOS-Typ mit kleinen Anschlussflächen 4.This embodiment is effective because it shortens the length of the edge portion serving as a boundary portion, which may cause peeling of the protective film, particularly in the case of CCD or MOS type imaging systems having small terminal areas 4.

Ferner, obwohl sich die vorhergehende Erläuterung auf Vorrichtungen zum Nachweis von Strahlung des sogenannten Oberflächeneintrittstyps beziehen, bei denen die Strahlung von der Szintillatorseite auf die lichtempfangenden Bereiche trifft, kann die vorliegende Erfindung auch so ausgeführt werden kann, dass sie als Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung des sogenannten Rückseiteneintrittstyps verwendet werden kann. Derartige Vorrichtungen des Rückseiteneintrittstyps zum Nachweis von Strahlung können als Vorrichtung zum Nachweis von hochenergetischer Strahlung verwendet werden.Furthermore, although the foregoing explanation refers to radiation detection devices of the so-called surface entry type in which the radiation from the scintillator side is incident on the light-receiving areas, the present invention can also be embodied so that it can be used as a radiation detection device of the so-called rear entry type. Such rear entry type radiation detection devices can be used as a high-energy radiation detection device.

Wie bereits erläutert, wird für den Schutz eines hochhygroskopischen Szintillators ein aus Parylene oder ähnlichem bestehender Schutzfilm auf den Szintillator gebildet und Kanten des Schutzfilms werden an die Anordnung lichtempfangender Einrichtungen mit einer Harzbeschichtung aus Acryl oder dergleichen gebunden, wodurch die Szintillatorschicht hermetisch versiegelt wird.As explained above, in order to protect a highly hygroscopic scintillator, a protective film made of parylene or the like is formed on the scintillator, and edges of the protective film are bonded to the light-receiving device array with a resin coating made of acrylic or the like, thereby hermetically sealing the scintillator layer.

Insbesondere, da die Ablösung des Schutzfilms von den Kanten verhindert wird, wird die Feuchtigkeitsbeständigkeit verbessert.In particular, since the detachment of the protective film from the edges is prevented, the moisture resistance is improved.

In dem Herstellungsverfahren wird der Schutzfilm ausgebildet und dann werden unnötige Teile davon entfernt, wodurch der Schutzfilm in einem einheitlichen Zustand leichter ausgebildet wird, im Vergleich zu dem Fall, in dem der Schutzfilm nur auf notwendigen Teilen unter sicherem Freilegen der Anschlussflächen ausgebildet wird. Da außerdem der Schutzfilm in die Lücken zwischen den abgeschiedenen säulenförmigen Kristallen in der Szintillatorschicht dringt, wird die Haftung zwischen dem Schutzfilm und der Szitillatorschicht erhöht.In the manufacturing process, the protective film is formed and then unnecessary parts are removed therefrom, whereby the protective film is more easily formed in a uniform state, compared with the case where the protective film is formed only on necessary parts while securely exposing the connection surfaces. In addition, since the protective film penetrates into the gaps between the deposited columnar crystals in the scintillator layer, the adhesion between the protective film and the scintillator layer is increased.

Industrielle AnwendbarkeitIndustrial applicability

Die Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung gemäß der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ist anwendbar auf einen großen Bereich von Systemen zum Strahlennachweis, die insbesondere für medizinische und industrielle Röntgenuntersuchungen verwendet werden. Sie kann insbesondere anstelle der immer noch häufig verwendeten Röntgenfilme für die Röntgenuntersuchung am Brustkorb o. ä. benutzt werden.The device for detecting radiation according to the embodiments described above is applicable to a wide range of systems for detecting radiation, which are used in particular for medical and industrial X-ray examinations. It can be used in particular instead of the X-ray films which are still frequently used for X-ray examinations of the chest or similar.

Es sollte erwähnt werden, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehend erläuterten Ausführungsformen beschränkt ist. Es ist beabsichtigt, dass verschiedene Modifikationen und Variationen der vorstehend erläuterten Ausführungsformen gemacht werden können, ohne den in den Ansprüchen festgelegten Bereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments. It is intended that various modifications and variations of the above-described embodiments may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the claims.

Claims (8)

1. Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung, die folgendes umfasst:1. A device for detecting radiation, comprising: eine Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6), in der mehrere lichtempfangende Einrichtungen (2) ein oder zweidimensional auf einem Substrat (1) zur Bildung eines lichtempfangenden Bereich angeordnet sind, und mehrere mit den lichtempfangenden Einrichtungen (2) elektrisch verbundene Anschlussflächen (4) in entsprechenden Reihen oder Spalten des lichtempfangenden Bereichs außerhalb des lichtempfangenden Bereichs angeordnet sind,an arrangement of light-receiving devices (6), in which a plurality of light-receiving devices (2) are arranged one- or two-dimensionally on a substrate (1) to form a light-receiving area, and a plurality of connection surfaces (4) electrically connected to the light-receiving devices (2) are arranged in corresponding rows or columns of the light-receiving area outside the light-receiving area, eine auf den lichtempfangenden Einrichtungen (2) abgeschiedene Szintillatorschicht (7) zur Umwandlung einer Strahlung in sichtbares Licht,a scintillator layer (7) deposited on the light-receiving devices (2) for converting radiation into visible light, ein strahlungsdurchlässiger, feuchtigkeitsbeständiger Schutzfilm (11), der wenigstens die Szintillatorschicht (7) bedeckt und wenigstens den Bereich der Anschlussflächen der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6) offen lässt, unda radiation-permeable, moisture-resistant protective film (11) which covers at least the scintillator layer (7) and leaves open at least the area of the connection surfaces of the arrangement of light-receiving devices (6), and ein Beschichtungsharz (12), mit dem der Umfangsbereich des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) beschichtet ist, um die Kante des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) mit der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6) zu verbinden.a coating resin (12) with which the peripheral portion of the moisture-proof protective film (11) is coated to connect the edge of the moisture-proof protective film (11) to the array of light-receiving devices (6). 2. Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung nach Anspruch 1, wobei die Anschlussflächen (4) an einem äußeren Umfangsbereich des Substrats (1) angeordnet sind, der feuchtigkeitsbeständige Schutzfilm (11) derart ausgebildet ist, dass er sich auf eine Fläche zwischen einen äußeren Umfang des lichtempfangenden Bereichs und eines äußeren Umfangs der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6) erstreckt, und ein äußerer Umfangsbereich des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) mit dem Beschichtungsharz (12) beschichtet ist.2. A radiation detection device according to claim 1, wherein the terminal pads (4) are arranged on an outer peripheral region of the substrate (1), the moisture-proof protective film (11) is formed such that it extends to an area between an outer periphery of the light-receiving region and an outer periphery of the array of light-receiving devices (6), and an outer periphery of the moisture-proof protective film (11) is coated with the coating resin (12). 3. Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung nach Ansprüchen 1 oder 2, wobei der feuchtigkeitsbeständige Schutzfilm (11) aus einem aus mindestens zwei Schichten hergestellten mehrlagigen Film, einschließlich einem darauf laminierten organischen Film (8, 10), aufgebaut ist.3. A radiation detection device according to claims 1 or 2, wherein the moisture-resistant protective film (11) is composed of a multilayer film made of at least two layers, including an organic film (8, 10) laminated thereon. 4. Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung nach Anspruch 3, wobei der mehrlagige Film (11) wenigstens eine anorganische Schicht (9) einschließt.4. A radiation detection device according to claim 3, wherein the multilayer film (11) includes at least one inorganic layer (9). 5. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung, das umfasst:5. A method of manufacturing a device for detecting radiation, comprising: einen Schritt der Bildung eines lichtempfangenden Bereichs durch die ein- oder zweidimensionale Anordnung mehrerer lichtempfangender Einrichtungen (2) auf einem Substrat (l)und die Abscheidung einer Szintillatorschicht (7) zur Umwandlung von Strahlung in sichtbares Licht auf den lichtempfangenden Einrichtungen (2) einer Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6), in der mehrere Anschlussflächen (4), die mit den lichtempfangenden Einrichtungen (2) in entsprechenden Reihen oder Spalten des lichtempfangenden Bereichs elektrisch verbunden sind, außerhalb des lichtempfangenden Bereichs angeordnet sind,a step of forming a light-receiving region by the one- or two-dimensional arrangement of a plurality of light-receiving devices (2) on a substrate (1) and the deposition of a scintillator layer (7) for converting radiation into visible light on the light-receiving devices (2) of an arrangement of light-receiving devices (6) in which a plurality of connection surfaces (4) connected to the light-receiving devices (2) in corresponding rows or columns of the light-receiving region are electrically connected, are located outside the light-receiving area, einen Schritt der Ausbildung eines strahlungsdurchlässigen, feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) zur Umhüllung der gesamten Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6),a step of forming a radiation-permeable, moisture-resistant protective film (11) for enveloping the entire arrangement of light-receiving devices (6), einen Schritt des Schneidens und Entfernens von wenigstens einen Teil des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) außerhalb der die Anschlussflächen (4)bedeckenden Szintillatorschicht (7), um wenigstens den Teil der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6) in einer die Anschlussflächen (4) einschließenden Fläche offen zu legen, unda step of cutting and removing at least a part of the moisture-resistant protective film (11) outside the scintillator layer (7) covering the connection surfaces (4) in order to expose at least the part of the arrangement of light-receiving devices (6) in an area enclosing the connection surfaces (4), and einen Schritt der Beschichtung des Umfangsbereichs des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) mit einem Harz (12), um die Kante des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) mit der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6) zu verbinden.a step of coating the peripheral portion of the moisture-proof protective film (11) with a resin (12) to bond the edge of the moisture-proof protective film (11) to the array of light-receiving devices (6). 6. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung nach Anspruch 5, wobei der Schritt des Schneidens und Entfernens das Schneiden des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) entlang einem äußeren Umfang der Szintillatorschicht (7) bei einer Position zwischen dem äußeren Umfang der Szintillatorschicht (7) und dem Bereich der Anschlussflächen und Entfernen des Teils des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11), der außerhalb der so geschnittenen Oberfläche und auf der Seite entgegengesetzt zu einer Eingangsoberfläche ausgebildet ist, um die Anschlussflächen (4) freizulegen, beinhaltet und wobei der Schritt der Beschichtung das Beschichten des so geschnittenen äußeren Umfangsbereich des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) mit einem Harz (12) beinhaltet, um den äußeren Umfangsbereich des feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) in engen Kontakt mit der Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6) zu bringen.6. A method of manufacturing a radiation detection device according to claim 5, wherein the cutting and removing step includes cutting the moisture-proof protective film (11) along an outer circumference of the scintillator layer (7) at a position between the outer circumference of the scintillator layer (7) and the area of the terminal pads and removing the part of the moisture-proof protective film (11) formed outside the thus-cut surface and on the side opposite to an input surface to expose the terminal pads (4), and wherein the coating step includes coating the thus-cut outer circumference portion of the moisture-proof protective film (11) with a resin (12) to form the outer circumference portion of the moisture-resistant protective film (11) into close contact with the arrangement of light-receiving devices (6). 7. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung nach Ansprüchen 5 oder 6, wobei der Schritt der Ausbildung eines feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilms (11) folgendes umfasst:7. A method of manufacturing a radiation detection device according to claim 5 or 6, wherein the step of forming a moisture-resistant protective film (11) comprises: einen Unterschritt der Ausbildung eines strahlungsdurchlässigen, ersten organischen Films (8), zur Umhüllung der gesamten Anordnung lichtempfangender Einrichtungen (6), unda sub-step of forming a radiation-permeable first organic film (8) for enclosing the entire arrangement of light-receiving devices (6), and einen Unterschritt der Beschichtung mindestens einer Filmschicht (9, 10) auf den ersten organischen Film (8), um einen strahlungsdurchlässigen,a sub-step of coating at least one film layer (9, 10) on the first organic film (8) in order to form a radiation-permeable, feuchtigkeitsbeständigen Schutzfilm (11), bestehend aus einem mehrlagigen Film, hergestellt aus mindestens zwei Schichten zu bilden.moisture-resistant protective film (11) consisting of a multilayer film made of at least two layers. 8. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zum Nachweis von Strahlung nach Anspruch 7, wobei der mehrlagige Film (11) einen anorganischen Film (9) einschließt.8. A method of manufacturing a radiation detection device according to claim 7, wherein the multilayer film (11) includes an inorganic film (9).
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