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DE69421434T2 - PCB for optical elements - Google Patents

PCB for optical elements

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DE69421434T2
DE69421434T2 DE69421434T DE69421434T DE69421434T2 DE 69421434 T2 DE69421434 T2 DE 69421434T2 DE 69421434 T DE69421434 T DE 69421434T DE 69421434 T DE69421434 T DE 69421434T DE 69421434 T2 DE69421434 T2 DE 69421434T2
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DE
Germany
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circuit board
layer
main surface
metal
optical circuit
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DE69421434T
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German (de)
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Toshihiro Dodo
Nobuhiro Fukuda
Mitsuo Takase
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Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Leiterplatte zum Befestigen einer optischen Vorrichtung, die zur Umwandlung von Licht in Elektrizität oder Elektrizität in Licht einzusetzen ist, insbesondere betrifft sie eine Leiterplatte für optische Elemente, die für eine optische Lesevorrichtung, optische Bilderzeugungsvorrichtung, einen optischen Drucker oder dergleichen zu verwenden ist.The present invention relates to a circuit board for mounting an optical device to be used for converting light into electricity or electricity into light, and more particularly, it relates to an optical element circuit board for use in an optical reading device, optical image forming device, optical printer, or the like.

Seit einiger Zeit wurden elektronische Schaltkreise auf einer Vielzahl von Gebieten, beispielsweise von Büromaschinen bis Haushaltsgegenständen oder Spielzeug verwendet und folglich setzt sich die Entwicklung kleinformatiger, leichtgewichtiger, sehr schneller und präziser Ausrüstung fort. Auf dem Gebiet verschiedener Formen der Bildeingabe einschließlich Hochgeschwindigkeitstelefax, Scanner, (white board) Kopiervorrichtungen oder beispielsweise eine Kopiervorrichtung auf der Basis der Elektrophotographie, besteht steigender Bedarf für eine Ausrüstung mit hoher Qualität, hoher Auflösung, Handhabbarkeit eines Rasterbilds, wobei sie einen einfachen kompakten Aufbau aufweist und auch bei geringen Kosten hergestellt werden kann.For some time, electronic circuits have been used in a wide range of fields, from office machines to household items or toys, and consequently the development of small-sized, lightweight, high-speed and precise equipment continues. In the field of various forms of image input including high-speed facsimile, scanner, (white-board) copying device or, for example, a copying device based on electrophotography, there is an increasing demand for equipment with high quality, high resolution, manageability of a raster image, while having a simple compact structure and also being able to be manufactured at a low cost.

Bei den vorstehend genannten Bildeingabevorrichtungen wird die optische Information mit einem Bildsensor in ein elektrisches Signal umgewandelt. Fig. 1 zeigt einen typischen Querschnitt, der ein Beispiel eines Aufbaus eines üblichen Bildsensors veranschaulicht. In Fig. 1 wird eine Abdunkelungsschicht 52 auf einem Glassubstrat 51 mit einem schmalen ausgeschnittenen Teil unter Herstellung eines Schlitzes 52a bereitgestellt. Der Schlitz 52a erstreckt sich in der Richtung senkrecht zur Oberfläche des Papiers, das die Figur darstellt, und Fig. 1 ist ein Querschnitt, genommen längs der Ebene, senkrecht zu der Längsrichtung des Schlitzes 52a. Eine durchsichtige Isolationsschicht 53 wird in einer Weise bereitgestellt, so daß die Abdunkelungsschicht 52 und Schlitz 52a bedeckt sind, und eine Vielzahl von lichtaufnehmenden Vorrichtungen 56 bzw. Elektroden 54 werden elektrisch damit verbunden auf der transparenten Isolationsschicht 53 bereitgestellt. Die lichtaufnehmenden Vorrichtungen 56 werden längs der Längsrichtung von Schlitz 52a angeordnet. Eine durchsichtige Schutzschicht 55 wird so bereitgestellt, daß die gesamte Fläche der transparenten Isolationsschicht 53, Elektrode 54 und lichtempfangenden Vorrichtung 56 bedeckt sind und auf der Oberfläche der transparenten Schutzschicht 55, d. h., auf der äußersten Oberfläche des Bildsensors wird eine durchsichtige leitfähige Schicht 57 gebildet. Der Bildsensor wird als eine Einheit gefertigt.In the above-mentioned image input devices, optical information is converted into an electrical signal with an image sensor. Fig. 1 is a typical cross section showing an example of a structure of a conventional image sensor. In Fig. 1, a darkening layer 52 is provided on a glass substrate 51 having a narrow cut-out portion to form a slit 52a. The slit 52a extends in the direction perpendicular to the surface of the paper constituting the figure, and Fig. 1 is a cross section taken along the plane perpendicular to the longitudinal direction of the slit 52a. A transparent insulating layer 53 is provided in a manner such that the obscuring layer 52 and slit 52a are covered, and a plurality of light receiving devices 56 and electrodes 54, respectively, are provided on the transparent insulating layer 53 in electrical connection therewith. The light receiving devices 56 are arranged along the longitudinal direction of slit 52a. A transparent protective layer 55 is provided such that the entire area of the transparent insulating layer 53, electrode 54 and light receiving device 56 are covered, and on the surface of the transparent protective layer 55, that is, on the outermost surface of the image sensor, a transparent conductive layer 57 is formed. The image sensor is manufactured as a unit.

Zum Lesen eines Buchstabens oder einer Zahl auf einem Manuskript 59 unter Verwendung dieses Bildsensors genügt es, wenn das Manuskript 59 auf der Oberfläche einer durchsichtigen leitfähigen Schicht 57 so angeordnet wird, daß das Manuskript in der Richtung eines Pfeils, dargestellt in der Figur mit einer gepunkteten Linie, mit einer Rolle 60 bewegt werden kann und außerdem wird eine Lichtquelle 58 auf der Seite des Glassubstrats 51 bereitgestellt, damit Licht 61 aus der Lichtquelle 58 durch den Schlitz 52a tritt und auf der Oberfläche des Manuskripts 59 reflektiert wird, um in die lichtempfangende Vorrichtung 56 einzutreten. Durch Überführen des Manuskripts in diesen Zustand mit der Rolle 60 wird durch Zeilenabtastung ein Bild eingegeben.In order to read a letter or a number on a manuscript 59 using this image sensor, it is sufficient that the manuscript 59 is placed on the surface of a transparent conductive layer 57 so that the manuscript can be moved in the direction of an arrow shown in the figure with a dotted line with a roller 60, and further, a light source 58 is provided on the side of the glass substrate 51 so that light 61 from the light source 58 passes through the slit 52a and is reflected on the surface of the manuscript 59 to enter the light receiving device 56. By bringing the manuscript into this state with the roller 60, an image is input by line scanning.

Da es erforderlich wurde, eine Vielzahl von lichtempfangenden Vorrichtungen 56 entlang der Längsrichtung von Schlitz 52a bereitzustellen, wurde eine lichtnachweisende Vorrichtung mit einem amorphen Halbleiter als Lichtempfangsvorrichtung 56 verwendet. Die amorphe Halbleitervorrichtung weist jedoch Mängel auf, wie geringe Lichtnachweisempfindlichkeit, die Eigenschaften werden in der Regel schlechter, wenn sie für einen längeren Zeitraum Licht ausgesetzt ist, und sie weist eine geringe Antwortrate auf. Es ist daher schwierig, mit einer schnellen Lesegeschwindigkeit zu arbeiten, wenn der amorphe Halbleiter als Lichtempfangsvorrichtung eingesetzt wird.Since it has become necessary to provide a plurality of light receiving devices 56 along the longitudinal direction of slit 52a, a light detecting device using an amorphous semiconductor has been used as the light receiving device 56. However, the amorphous semiconductor device has defects such as low light detecting sensitivity, the characteristics tend to deteriorate when exposed to light for a long period of time, and it has a low response rate. Therefore, it is difficult to operate at a fast reading speed when the amorphous semiconductor is used as a light receiving device.

Andererseits ist eine Lichtempfangsvorrichtung unter Verwendung eines kristallinen Halbleiters durch eine ausgezeichnete Lichtempfindlichkeit und hohe Antwortrate gekennzeichnet. Daher gestattet eine Abtastvorrichtung, zusammengesetzt aus einer Lichtempfangsvorrichtung auf der Basis eines Kristallhalbleiters Lesen bei hoher Geschwindigkeit. Wenn der Bildsensor unter Verwendung einer Halbleitervorrichtung auf der Basis eines Kristalls gefertigt wird, ist es schwierig, ihn als Einheit herzustellen, und folglich werden eine Halbleitervorrichtung auf Kristallbasis (LSI-Chip) und eine Leiterplatte getrennt hergestellt und dann eine Vielzahl der lichtempfangenden LSI-Chips mit der Leiterplatte in einem Multichipverfahren kombiniert. In dieser Weise wird ein Sensor, der hochempfindlich ist und eine hohe Lesegeschwindigkeit aufweist, hergestellt. In diesem Fall kann jeder LSI- Chip geprüft werden, ob er tauglich oder nicht tauglich ist, bevor er zu einer Sensorvorrichtung zusammengebaut wird. Daher kann durch Auswahl nur brauchbarer Lichtempfangs-LSI- Chips eine Leiterplatte für optische LSI-Chips vor dem Zusammenbau geprüft werden und es wird möglich, die Ausbeute an Sensoren zu erhöhen, wodurch eine Kostensenkung davon erreicht wird.On the other hand, a light receiving device using a crystalline semiconductor is characterized by excellent photosensitivity and high response rate. Therefore, a scanning device composed of a crystal semiconductor-based light receiving device allows high-speed reading. When the image sensor is manufactured using a crystal semiconductor device, it is difficult to manufacture it as a unit, and thus a crystal semiconductor device (LSI chip) and a circuit board are manufactured separately and then a plurality of the light receiving LSI chips are combined with the circuit board in a multi-chip process. In this way, a sensor that is highly sensitive and has a high reading speed is manufactured. In this case, each LSI chip can be checked whether it is suitable or not before it is assembled into a sensor device. Therefore, by selecting only usable light receiving LSI chips, a circuit board for optical LSI chips can be checked before assembly and it becomes possible to increase the yield of sensors, thereby achieving a cost reduction thereof.

Der Erfinder und andere unternahmen Untersuchungen, um den Bildsensor weiter zu verbessern. Der Erfinder und andere untersuchten zunächst den Aufbau, der einen minimalen Spielraum zwischen LSI-Chips und einem Manuskript gestattet, um eine Lichtquelle mit geringem Ausstoß zu realisieren, die für das Lesen des Manuskripts einzusetzen ist. Insbesondere untersuchten der Erfinder und andere als durchsichtige Leiterplatte zur Befestigung der LSI-Chips ein äußerst dünnes Glassubstrat mit einer Dicke von 0,1 mm oder geringer, oder sie untersuchten die Verwendung einer Kunststoff-Folie als Substrat. Der hier beschriebene LSI-Chip ist vom reinen Chiptyp oder weist darauf als äußeren Verbindungsanschluß aufgebracht eine aus Gold oder Aluminium hergestellte Unterlage auf.The inventor and others have made studies to further improve the image sensor. The inventor and others first studied the structure allowing a minimum clearance between LSI chips and a manuscript in order to realize a low-output light source to be used for reading the manuscript. In particular, the inventor and others studied using an extremely thin glass substrate having a thickness of 0.1 mm or less as a transparent circuit board for mounting the LSI chips, or using a plastic film as a Substrate. The LSI chip described here is of the pure chip type or has a substrate made of gold or aluminum applied thereto as an external connection terminal.

Es wird nun eine Leiterplatte, die als Grundlage einen Kunststoff-Film oder eine Kunststoff-Folie aufweist, beschrieben. Kunststoff ist biegsam und eine Elektrode kann leicht bei hoher Produktivität auf der aus Kunststoff gefertigten Leiterplatte durch Sputtern oder Vakuumabscheidung gebildet werden, während die Platte bei geringer Temperatur gehalten wird. Derzeit werden Leiterplatten, deren Grundlage ein Kunststoff-Film oder eine Kunststoff-Folie ist, in breitem Maße in Teilen von Ausrüstungen, die starkem Biegen unterzogen werden oder deren Gewicht vermindert werden soll, verwendet, jedoch wird erwartet, daß die Verwendung derartiger Leiterplatten auf einem breiteren Gebiet gemeinsam mit dem Fortschreiten höherer Integration und weiterer Verminderung an Größe und Gewicht elektronischer Ausrüstungen zunimmt.A circuit board having a plastic film or sheet as its base will now be described. Plastic is flexible and an electrode can be easily formed at high productivity on the plastic-made circuit board by sputtering or vacuum deposition while the board is kept at a low temperature. At present, circuit boards having a plastic film or sheet as its base are widely used in parts of equipment which are subjected to large bending or whose weight is to be reduced, but the use of such circuit boards in a wider field is expected to increase along with the progress of higher integration and further reduction in size and weight of electronic equipment.

Der Erfinder und andere haben jedoch festgestellt, daß, da eine aus Kunststoff gefertigte Leiterplatte aus einem Isolationsmaterial gefertigt ist und zum Aufladen neigt, statische Elektrizität, die durch Reibung erzeugt wurde, sich an der Oberfläche ansammeln kann, wodurch die auf der Leiterplatte befestigte Halbleitervorrichtung beeinflußt wird. Praktisch wird ein Fehler oder eine Störung im Ausgangssignal erzeugt, die schließlich ein Rauschen verursacht oder eine fehlerhafte Bewegung im mit dieser Leiterplatte verbundenen Schaltkreis induziert. Bei der Verwendung in einem Bildsensor vom Kontakttyp und wenn ein Manuskript und diese Leiterplatte aneinander reiben, erzeugt die Aufladung einen ernsthaften Einfluß. Es gibt eine Streu- oder parasitäre Kapazitanz, wenn die Isolationsschicht zwischen zwei leitfähigen Schichten ist. Wenn optische Halbleiter-LSI-Chips in der Isolierschicht sind, ruft die Kapazitanz das Rauschen oder Übersprechen für die Halbleiter-LSI-Chips hervor. Die Streukapazität wird im Fall eines längswärts gerichteten Bildsensors groß.However, the inventor and others have found that since a circuit board made of plastic is made of an insulating material and is prone to charging, static electricity generated by friction may accumulate on the surface, thereby affecting the semiconductor device mounted on the circuit board. Practically, an error or disturbance is generated in the output signal, which eventually causes a noise or induces an erroneous movement in the circuit connected to this circuit board. When used in a contact type image sensor, and when a manuscript and this circuit board rub against each other, the charging produces a serious influence. There is a stray or parasitic capacitance when the insulating layer is between two conductive layers. When optical semiconductor LSI chips are in the insulating layer, the capacitance causes the noise or crosstalk for the semiconductor LSI chips. The stray capacitance becomes large in the case of a longitudinally directed image sensor.

Bei der optischen Lesevorrichtung wird das Licht aus einer Lichtquelle auf ein Manuskript gestrahlt, das unter einer folienähnlichen durchsichtigen Leiterplatte zum Lesen des Manuskripts bewegt wird, während das Licht aus der Lichtquelle in mehreren Wegen zwischen Manuskript und Leiterplatte reflektiert wird. Der Erfinder und andere haben auch gefunden, daß die Lichtempfangsvorrichtung zum Lesen das über mehrere Wege reflektierte Licht empfängt, wodurch ein Fehler im Ausgangssignal der Lichtempfangsvorrichtung hervorgerufen wird, so daß das Lesen manchmal nicht korrekt ausgeführt wird.In the optical reading device, the light from a light source is irradiated onto a manuscript which is moved under a film-like transparent circuit board to read the manuscript, while the light from the light source is reflected in multiple paths between the manuscript and the circuit board. The inventor and others have also found that the light receiving device for reading receives the light reflected in multiple paths, thereby causing an error in the output of the light receiving device, so that reading is sometimes not carried out correctly.

Ein ähnliches zu dem vorstehenden Argument gilt auch für einen optischen bilderzeugenden LSI-Chip, der eine Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungen aufweist, die zur Erzeugung eines Bildes auf einem lichtempfindlichen Gegenstand unter Verwendung von Licht aus diesen lichtemittierenden Vorrichtungen angeordnet sind.A similar argument to the above also applies to an optical imaging LSI chip having a plurality of light-emitting devices arranged to form an image on a photosensitive object using light from these light-emitting devices.

Mit Bezug auf eine Leiterplatte mit optischer Vorrichtung vom Mehrfachchiptyp mit einer Vielzahl von Lese-LSI- Chips (lichtempfangende LSI-Chips) oder bilderzeugenden LSI- Chips (lichtemittierende LSI-Chips) darauf befestigt, ist es erforderlich, auf der optischen Leiterplatte eine Vielzahl von Elektroden bereitzustellen zur Verwendung für einen 1 : 1- Anschluß mit diesen Vorrichtungen. Außerdem ist es erforderlich, auf der Außenseite der Leiterplatte einen Eingangs- und einen Ausgangskreis zum elektrischen Aktivieren dieser Vorrichtungen und zum Empfangen der Signale daraus bereitzustellen. Daher ist in diesem Fall Erfahrung zum elektrischen Verbinden des Eingangs-/Ausgangskreises und der Leiterplatte mit den optischen Vorrichtungen erforderlich, und außerdem kann die Verläßlichkeit der Verbindungen abnehmen. Wenn die Lesefläche durch Verwendung eines Bildsensors erhöht wird, sind auf der Leiterplatte zusätzlich lichtempfangende Vorrichtungen erforderlich, die der erhöhten Lesefläche entsprechen, was zu einer deutlichen Zunahme der Elektroden auf der Platte führt.With respect to a multi-chip type optical device circuit board having a plurality of reading LSI chips (light receiving LSI chips) or image forming LSI chips (light emitting LSI chips) mounted thereon, it is necessary to provide a plurality of electrodes on the optical circuit board for use in 1:1 connection with these devices. In addition, it is necessary to provide an input and an output circuit on the outside of the circuit board for electrically activating these devices and receiving the signals therefrom. Therefore, in this case, experience is required for electrically connecting the input/output circuit and the circuit board to the optical devices, and furthermore, reliability of the connections may decrease. When the reading area is increased by using an image sensor, additional light receiving devices corresponding to the increased reading area are required on the circuit board. which leads to a significant increase in the number of electrodes on the plate.

Um daher die lichtempfangenden LSI-Chips und die lichtemittierenden LSI-Chips in einer Weise der Matrixverdrahtung oder in ähnlicher Weise zu verbinden, wird eine aggregierte Leiterplatte zwischen der Leiterplatte mit der optischen Vorrichtung und dem Eingangs-/Ausgangskreis bereitgestellt. In diesem Fall kann die Verbindung so erfolgen, daß die elektrische Verbindung zwischen der Leiterplatte mit der optischen Vorrichtung und der aggregierten Leiterplatte zuerst ausgeführt wird und dann die aggregierten Elektroden auf der aggregierten Leiterplatte und der Eingangs-/Ausgangskreis verbunden werden. Durch Bereitstellung der aggregierten Leiterplatte kann der Eingangs-/Ausgangskreis zu den aggregierten Elektroden auf die Zahl geringer als die Zahl der optischen Vorrichtungen zugreifen, und folglich wird es möglich, eine optionale Vorrichtung zu aktivieren oder ein Signal von einer optionalen Vorrichtung zu empfangen. Die aggregierte Leiterplatte erfordert jedoch zusätzliche Kosten zur Herstellung davon, und Arbeitskraft ist außerdem für die elektrische Verbindung zwischen der Leiterplatte mit der optischen Vorrichtung und der aggregierten Leiterplatte erforderlich. Wenn elektrooptische Vorrichtungen in der Zahl erhöht werden, wird sich praktisch die Zahl der aggregierten Elektroden, etwa proportional der Zahl der erhöhten elektrooptischen Vorrichtungen, erhöhen. Daher wird ein Verfahren, das diese aggregierte Leiterplatte oder aggregierte Elektrode bei geringen Kosten und hoher Verläßlichkeit bereitstellen kann, gefordert. Es ist auch gewünscht, eine Leiterplatte mit einer optischen Vorrichtung zusammen mit einer Funktion der aggregierten Leiterplatte bereitzustellen.Therefore, in order to connect the light-receiving LSI chips and the light-emitting LSI chips in a manner of matrix wiring or the like, an aggregated circuit board is provided between the circuit board having the optical device and the input/output circuit. In this case, the connection may be made such that the electrical connection between the circuit board having the optical device and the aggregated circuit board is first carried out and then the aggregated electrodes on the aggregated circuit board and the input/output circuit are connected. By providing the aggregated circuit board, the input/output circuit can access the aggregated electrodes in number less than the number of optical devices, and thus it becomes possible to activate an optional device or to receive a signal from an optional device. However, the aggregated circuit board requires additional cost for manufacturing it, and labor is also required for electrical connection between the circuit board with the optical device and the aggregated circuit board. When electro-optical devices are increased in number, the number of aggregated electrodes will practically increase approximately in proportion to the number of electro-optical devices increased. Therefore, a method that can provide this aggregated circuit board or aggregated electrode at low cost and high reliability is required. It is also desired to provide a circuit board with an optical device together with a function of the aggregated circuit board.

GB-A-2 228 366 offenbart einen photoelektrischen Wandler mit Lichtempfangsvorrichtungen in Form eines Photosensorarrays, gebildet durch ein Dünnfilmverfahren auf einem durchsichtigen Sensorsubstrat. Dieses wird an ein durchsichtiges Verpackungssubstrat geheftet, das ein Drahtmuster auf seiner Oberfläche gebildet aufweist. Eine lichtabschirmende Schicht, die ein Fenster definiert, kann zwischen den Substraten bereitgestellt werden.GB-A-2 228 366 discloses a photoelectric converter having light receiving devices in the form of a photosensor array formed by a thin film process on a transparent sensor substrate. This is adhered to a transparent packaging substrate having a wire pattern on its surface. A light-shielding layer defining a window may be provided between the substrates.

Gemäß Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung wird eine optische Leiterplatte zur Befestigung einer Vielzahl von LSI- Chips zum Emittieren und/oder Empfangen von Licht bereitgestellt, umfassendAccording to claim 1 of the present invention, there is provided an optical circuit board for mounting a plurality of LSI chips for emitting and/or receiving light, comprising

ein transparentes Substrat, wobei das transparente Substrat einen schlitzförmigen Fensterteil zum Durchlassen von Licht, das in das Substrat eintritt und/oder das von einem genannten LSI-Chip durch das Substrat austritt, einschließt;a transparent substrate, the transparent substrate including a slit-shaped window portion for transmitting light entering the substrate and/or exiting from a said LSI chip through the substrate;

eine Vielzahl von Chipverbindungselektroden, bereitgestellt auf einer ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats, an der die LSI-Chips bei der Verwendung befestigt werden, wobei die Chipverbindungselektroden in einer Reihe auf mindestens einer Seite des Fensterteils längs der Längsrichtung davon angeordnet sind, wobei Chipverbindungselektroden länglich sind und sich von dem Fensterteil hinweg erstrecken;a plurality of chip connection electrodes provided on a first main surface of the transparent substrate to which the LSI chips are attached in use, the chip connection electrodes being arranged in a row on at least one side of the window part along the longitudinal direction thereof, the chip connection electrodes being elongated and extending from the window part;

eine Vielzahl von Eingangs-/Ausgangskreisverbindungselektroden (I/OCC-Elektroden), bereitgestellt auf einer zweiten Hauptoberfläche des Substrats, wobei die I/OCC-Elektroden länglich sind und sich parallel zueinander in der Längsrichtung des Fensterteils erstrecken, wobei die zweite Hauptoberfläche sich in bezug auf das transparente Substrat gegenüber der ersten Hauptoberfläche befindet und die I/OCC- Elektroden auf einem Bereich des ersten Substrats angebracht sind, der dem Bereich, der die Chipverbindungselektroden trägt, entspricht, so daß in der Draufsicht gesehen die Chipverbindung und I/OCC-Elektroden ein Gittermuster mit Schnittpunkten definieren;a plurality of input/output circuit connection electrodes (I/OCC electrodes) provided on a second major surface of the substrate, the I/OCC electrodes being elongated and extending parallel to each other in the longitudinal direction of the window part, the second major surface being opposite the first major surface with respect to the transparent substrate, and the I/OCC electrodes being mounted on a region of the first substrate corresponding to the region carrying the chip connection electrodes, so that, when viewed in plan view, the chip connection and I/OCC electrodes define a grid pattern with intersections;

elektrische Anschlußteile, die in den Bereichen der Schnittpunkte durch das transparente Substrat dringen, wodurch jede der I/OCC-Elektroden elektrisch mit einer betreffenden einen oder einer Vielzahl von Chip-Verbindungselek troden durch eines oder eine Vielzahl der elektrischen Anschlußteile verbunden ist; undelectrical connectors penetrating through the transparent substrate in the areas of the intersections, whereby each of the I/OCC electrodes is electrically connected to a respective one or a plurality of chip interconnect electrodes electrodes through one or a plurality of the electrical connectors; and

eine Vielzahl von äußeren Verbindungszuleitungen, die elektrisch mit den betreffenden der Vielzahl von I/OCC- Elektroden verbunden ist und auf der ersten Hauptoberfläche und/oder der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt ist.a plurality of external connection leads electrically connected to the respective ones of the plurality of I/OCC electrodes and provided on the first main surface and/or the second main surface.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung kann somit sein:A preferred embodiment of the invention can thus be:

eine optische Leiterplatte mit einer Funktion einer aggregierten Elektrode, wodurch die Zahl der Verbindungen, die an äußere Kreise angeschlossen wird, vermindert wird. Sie bietet vorzugsweise auch eines oder mehrere der nachstehenden Merkmale:an optical circuit board with an aggregated electrode function, thereby reducing the number of connections to external circuits. It preferably also offers one or more of the following features:

hohe Verläßlichkeit, wobei der thermische Einfluß zur Zeit der Verbindung mit einem äußeren Kreis zu einem Minimum verringert ist; Vermeiden von elektrostatischer Aufladung, auch wenn ein Manuskript und die Leiterplatte aneinander reiben; keine Streu- und parasitäre Kapazitanz; Schutz vor Mehrwegreflexion von Licht aus einer Lichtquelle zwischen der Lichtquelle und dem Manuskript und die Fähigkeit, ein Halbleiterbauteil nahe der Oberfläche der optischen Leiterplatte zu befestigen.high reliability, with the thermal influence at the time of connection to an external circuit reduced to a minimum; avoidance of electrostatic charge, even when a manuscript and the circuit board rub against each other; no stray and parasitic capacitance; protection against multi-path reflection of light from a light source between the light source and the manuscript and the ability to mount a semiconductor device close to the surface of the optical circuit board.

Bevorzugte Ausführungsformen können sein:Preferred embodiments may be:

eine optische Leiterplatte, in der nicht notwendiges Licht, das in einen Schlitz eintritt, vermindert wird, wobei der Schlitz in der optischen Leiterplatte zum Durchlassen des Lichts aus einer Lichtquelle dadurch bereitgestellt wird;an optical circuit board in which unnecessary light entering a slit is reduced, the slit in the optical circuit board being provided for passing the light from a light source therethrough;

eine optische Leiterplatte, worin eine Elektrode und eine Halbleitervorrichtung in Verbindung mit erhöhter Verläßlichkeit befestigt sind;an optical circuit board in which an electrode and a semiconductor device are mounted in conjunction with increased reliability;

eine optische Leiterplatte, auf der LSI-Chips leicht befestigt werden können.an optical circuit board on which LSI chips can be easily mounted.

Eine erfindungsgemäße optische Leiterplatte wird nachstehend beschrieben. Die optische Leiterplatte der vorliegenden Erfindung ist für verschiedene Verwendungen anwend bar, jedoch repräsentativ zum Zusammenbau eines Bildsensors einer optischen Lesevorrichtung durch Befestigen einer oder mehrerer lichtempfangender LSI-Chips oder eines Aufzeichnungskopfes für eine optische bilderzeugende Vorrichtung, wie einen optischen Drucker, durch Befestigen eines oder mehrerer lichtemittierender LSI-Chips.An optical circuit board according to the present invention will be described below. The optical circuit board of the present invention is applicable to various uses bar, but representative of assembling an image sensor of an optical reading device by mounting one or more light-receiving LSI chips or a recording head for an optical imaging device such as an optical printer by mounting one or more light-emitting LSI chips.

In der vorliegenden Erfindung bedeutet LSI-Chip eine elektronische Vorrichtung mit einer oder mehreren lichtnachweisenden Zellen oder einer oder mehreren lichtemittierenden Zellen. Vorzugsweise ist der LSI-Chip ein integrierter Schaltkreis von diesen lichtempfangenden und/oder -emittierenden Zellen, die an einem Halbleitersubstrat befestigt sind. Beispielsweise werden eine Photodioden-Die (Die = Siliziumplättchen), ein Photodiodenarray, eine CCD- (charge coupled device) bildaufnehmende Vorrichtung, eine LED-Die, ein LED-Array, eine LD (Laserdiode)-Die, ein LD-Array oder dergleichen als LSI-Chips der vorliegenden Erfindung verwendet.In the present invention, LSI chip means an electronic device having one or more light-detecting cells or one or more light-emitting cells. Preferably, the LSI chip is an integrated circuit of these light-receiving and/or emitting cells attached to a semiconductor substrate. For example, a photodiode die (die = silicon wafer), a photodiode array, a CCD (charge-coupled device) image pickup device, an LED die, an LED array, an LD (laser diode) die, an LD array or the like are used as LSI chips of the present invention.

Wenn der Bildsensor durch Verwendung der erfindungsgemäßen optischen Leiterplatte zusammengesetzt ist, wird der lichtempfangende LSI-Chip an eine Elektrode auf einer ersten Hauptoberfläche gebondet. In diesem Fall ist es bevorzugt, den lichtempfangenden LSI-Chip zu verwenden, der Zuleitungen zur Verbindung darauf bereitgestellt aufweist. Der lichtempfangende LSI-Chip ist auf der ersten Hauptoberflächenseite mit seiner lichtempfangenden Oberfläche zum Fensterteil ausgerichtet angeordnet. Da es in bezug auf den Bildsensor üblich ist, den Bildsensor zum Nachweis von Licht, das aus einer Lichtquelle abgestrahlt und auf ein Manuskript reflektiert wird, aufzubauen, ist der Bildsensor derart zusammengesetzt, daß das Manuskript auf der zweiten Hauptoberfläche angeordnet ist, daß Licht aus der Lichtquelle in das transparente Substrat von der ersten Hauptoberflächenseite zum Durchdringen des Fensterteils eintritt, anschließend wird das Licht von dem Manuskript reflektiert und dringt erneut in den Fensterteil zum Eintritt in den lichtaufnehmenden LSI-Chip ein. Zu diesem Zeitpunkt ist es erforderlich, die lichtemp fangenden LSI-Chips sorgfältig anzuordnen, so daß das Licht von der Lichtquelle in den Fensterteil gelangen kann, ohne von den lichtaufnehmenden LSI-Chips beeinflußt zu werden. Genauer ist es erforderlich, die lichtempfangenden LSI-Chips so anzuordnen, daß nicht der gesamte Raum rechts über dem Fensterteil bedeckt wird. Da das Manuskript und der Bildsensor gewöhnlich im Verhältnis zueinander zum Lesen der Bilddaten auf dem Manuskript bewegt werden, ist es bevorzugt, den Bildsensor mit der Längsrichtung seines Fensterteils gegenüber und quer zur Richtung dieser relativen Bewegung anzuordnen.When the image sensor is assembled by using the optical circuit board of the present invention, the light receiving LSI chip is bonded to an electrode on a first main surface. In this case, it is preferable to use the light receiving LSI chip having leads for connection provided thereon. The light receiving LSI chip is arranged on the first main surface side with its light receiving surface facing the window part. As for the image sensor, since it is common to construct the image sensor for detecting light emitted from a light source and reflected onto a manuscript, the image sensor is assembled such that the manuscript is arranged on the second main surface, light from the light source enters the transparent substrate from the first main surface side to penetrate the window part, then the light is reflected from the manuscript and again penetrates the window part to enter the light receiving LSI chip. At this time, it is necessary to adjust the light temperature It is necessary to arrange the light-receiving LSI chips carefully so that the light from the light source can enter the window part without being affected by the light-receiving LSI chips. More specifically, it is necessary to arrange the light-receiving LSI chips so that the entire space to the right above the window part is not covered. Since the manuscript and the image sensor are usually moved relative to each other for reading the image data on the manuscript, it is preferable to arrange the image sensor with the longitudinal direction of its window part facing and transverse to the direction of this relative movement.

Beim Zusammensetzen einer bilderzeugenden Vorrichtung, wie dem optischen Drucker, durch Verwendung der erfindungsgemäßen optischen Leiterplatte sind die lichtemittierenden LSI-Chips an den Elektroden auf der ersten Hauptoberfläche befestigt, so daß die lichtemittierenden Oberflächen der LSI-Chips zum Fensterteil ausgerichtet sind. In diesem Fall ist es bevorzugt, die lichtemittierenden LSI-Chips zu verwenden, die Anschlußzuleitungen daran aufweisen. Das Licht emittiert von den lichtemittierenden LSI-Chips in Antwort auf das Aufzeichnungssignal, dringt in den Fensterteil ein, um auf die Oberfläche des auf der zweiten Hauptoberflächenseite angeordneten lichtempfindlichen Materials zu gelangen. Obwohl das photoempfindliche Material zum Aufzeichnen relativ zu den lichtemittierenden LSI-Chips bewegt wird, ist es gewöhnlich bevorzugt, die Längsrichtung des Fensterteils so anzuordnen, daß die Richtung der relativen Bewegungen des lichtempfindlichen Materials gekreuzt wird. Wenn das lichtempfindliche Material Zylinderform aufweist, sollte die Rotationsachse davon parallel zu der Längsrichtung des Fensterteils sein.In assembling an image forming device such as the optical printer by using the optical circuit board of the present invention, the light emitting LSI chips are attached to the electrodes on the first main surface so that the light emitting surfaces of the LSI chips are aligned with the window part. In this case, it is preferable to use the light emitting LSI chips having lead wires thereon. The light emitted from the light emitting LSI chips in response to the recording signal penetrates the window part to enter the surface of the photosensitive material arranged on the second main surface side. Although the photosensitive material is moved relative to the light emitting LSI chips for recording, it is usually preferable to arrange the longitudinal direction of the window part so as to cross the direction of the relative movements of the photosensitive material. If the photosensitive material has a cylindrical shape, the rotation axis thereof should be parallel to the longitudinal direction of the window part.

Ein für die erfindungsgemäße optische Leiterplatte zu verwendendes transparentes Substrat sollte vorzugsweise eine hohe Transparenz hinsichtlich des verschiedenen Lichts, das durch den Fensterteil dringt, aufweisen. Der Wert der Transparenz ist mindestens nicht geringer als 70% und vorzugsweise nicht weniger als 80%. Als Grundmaterial zum Zusammensetzen des transparenten Substrats ist es erwünscht, eine Kunst stoff-Folie von Standpunkt der nachstehenden Eigenschaften des Kunststoff-Films zu verwenden, wie geeignete Handhabung und Verarbeitungsfähigkeit, Flexibilität, Möglichkeit der kontinuierlichen Herstellung und dünne Filmdicke, die einen kleinen Transmissionsabstand zwischen Manuskript und Lichtquellen, lichtlesenden LSI-Chips oder lichtemittierenden LSI- Chips gestattet. Als bevorzugte Grundmaterialien werden beispielsweise Kunststoff-Folien, hergestellt aus Polyester, wie Polyethylenterephthalat (PET) oder Polyethylennaphthalat (PEN), oder Kunststoff-Folien, hergestellt aus Homopolymer oder Copolymer, wie Polyamid, Polyether, Polysulfon, Polyethersulfon (PES), Polycarbonat, Polyarylat, Polyetherimid, Polyetheretherketon (PEEK), Polyimid, Polyparabansäure, verwendet. Außerdem liegt die Filmdicke gewöhnlich im Bereich von 5 bis 500 um, geeigneterweise im Bereich von 10 bis 100 um und vorzugsweise im Bereich von 20 bis 50 um. Ein Glas mit einer Biegsamkeit (wie ein biegsames Glas) ist ebenfalls für die vorliegende Erfindung mit der Dicke wie vorstehend in der selben Weise wie Kunststoff-Folie anwendbar.A transparent substrate to be used for the optical circuit board of the present invention should preferably have high transparency with respect to various lights passing through the window portion. The value of transparency is at least not less than 70%, and preferably not less than 80%. As a base material for composing the transparent substrate, it is desirable to use a synthetic resin. plastic film from the viewpoint of the following properties of the plastic film, such as convenient handling and processability, flexibility, possibility of continuous production, and thin film thickness allowing a small transmission distance between manuscript and light sources, light-reading LSI chips or light-emitting LSI chips. As preferred base materials, for example, plastic films made of polyester such as polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN), or plastic films made of homopolymer or copolymer such as polyamide, polyether, polysulfone, polyethersulfone (PES), polycarbonate, polyarylate, polyetherimide, polyetheretherketone (PEEK), polyimide, polyparabanic acid are used. In addition, the film thickness is usually in the range of 5 to 500 µm, suitably in the range of 10 to 100 µm, and preferably in the range of 20 to 50 µm. A glass having a flexibility (such as a flexible glass) is also applicable to the present invention with the thickness as above in the same manner as plastic film.

In der vorliegenden Erfindung wird eine Vielzahl von Elektroden bereitgestellt zum Verbinden mit den lichtaufnehmenden LSI-Chips und die lichtemittierenden LSI-Chips werden entlang der Längsrichtung des Fensterteils so angeordnet, daß sie das Licht, das der Fensterteil durchläßt, nicht schneiden. In diesem Fall können sie nur auf einer Seite des Fensterteils bereitgestellt werden bzw. eine Vielzahl von Elektroden kann auf beiden Seiten des Fensterteils bereitgestellt werden. Als Material zum Aufbau der Elektrode kann ein Material mit Leitfähigkeit, beispielsweise Metall oder leitfähiges Harz, verwendet werden. Als Material der Elektrode ist jedoch ein Metall wie Au, Ag, Al, Ni, Cr, Cu und W, jeweils verwendet als übliches Material für die Elektrode, bevorzugt und vom Standpunkt der elektrischen Eigenschaften ist Cu besonders bevorzugt.In the present invention, a plurality of electrodes are provided for connecting to the light receiving LSI chips, and the light emitting LSI chips are arranged along the length direction of the window part so as not to intersect the light transmitted through the window part. In this case, they may be provided only on one side of the window part, or a plurality of electrodes may be provided on both sides of the window part. As the material for constituting the electrode, a material having conductivity such as metal or conductive resin may be used. However, as the material of the electrode, a metal such as Au, Ag, Al, Ni, Cr, Cu and W, each used as a common material for the electrode, is preferred, and from the viewpoint of electrical properties, Cu is particularly preferred.

Als eine bevorzugte weitere, verbesserte Elektrode gibt es ein laminiertes Produkt, zusammengesetzt aus einer ersten Metallschicht und einer zweiten Metallschicht. In der Elektrode der laminierten Struktur stellt die erste Metallschicht die Hauptelektrode und die zweite Metallschicht stellt den Teil zur Verwendung zum Preßbonding oder Wärmebonding von elektronischen Teilen, wie lichtempfangende LSI- Chips, bereit. Als weitere bevorzugte Beispiele gibt es laminierte Elektroden wie jene mit einer ersten Metallschicht, gefertigt zu einer gering reflektierenden Schicht, mit einer zweiten Metallschicht, gefertigt zu einer gering reflektierenden Schicht, mit einer ersten Metallschicht auf der Oberfläche, auf der eine gering reflektierende Schicht bereitgestellt ist, mit einer ersten bzw. einer zweiten Schicht, wobei auf der Oberfläche von beiden Schichten gering reflektierende Schichten bereitgestellt werden. Eine Schicht mit geringer Reflexion wird nachstehend beschrieben.As a preferred further improved electrode, there is a laminated product composed of a first metal layer and a second metal layer. In the electrode of the laminated structure, the first metal layer provides the main electrode and the second metal layer provides the part for use in press bonding or heat bonding of electronic parts such as light receiving LSI chips. As further preferable examples, there are laminated electrodes such as those having a first metal layer made into a low-reflective layer, a second metal layer made into a low-reflective layer, a first metal layer on the surface on which a low-reflective layer is provided, and first and second layers, respectively, low-reflective layers being provided on the surface of both layers. A low-reflective layer will be described below.

Als Herstellungsverfahren der Elektrode oder der Metallschicht, die die Elektrode der vorliegenden Erfindung aufbaut, gibt es verschiedene Verfahren, nämlich: (1) Herstellen eines dünnen Metallfilms, bestehend aus beispielsweise Kupfer, auf dem transparenten Substrat mit einem Vakuumverarbeitungsverfahren, wie Sputtern oder einem Vakuumabscheidungsverfahren. Elektroplattieren oder stromloses Plattieren wird bei Bedarf angewendet, um die Dicke des vorher hergestellten Metallfilms zu erhöhen oder ein anderes Metall auf den dünnen Metallfilm zu laminieren. (2) Bereitstellen einer Metallschicht, direkt auf dem transparenten Substrat durch stromloses Plattieren zur Herstellung einer Elektrode. (3) Erzeugen einer Elektrode durch Auftragen von leitfähiger Tinte direkt auf das durchsichtige Substrat. (4) Ausbilden einer Elektrode durch Bonden einer Metallfolie, hergestellt beispielsweise aus Kupfer, auf dem transparenten Substrat mit einem Klebstoff. (5) Gießen des durchsichtigen Kunststoffs auf die Folie, die beispielsweise aus Kupfer gefertigt ist. (6) Ausbildung einer Elektrode durch Bereitstellen eines leitfähigen Harzes auf dem transparenten Substrat durch Bedrucken oder durch ein entsprechendes Verfahren dafür.As a manufacturing method of the electrode or the metal layer constituting the electrode of the present invention, there are various methods, namely: (1) Forming a thin metal film made of, for example, copper on the transparent substrate by a vacuum processing method such as sputtering or a vacuum deposition method. Electroplating or electroless plating is used as needed to increase the thickness of the previously prepared metal film or to laminate another metal on the thin metal film. (2) Providing a metal layer directly on the transparent substrate by electroless plating to prepare an electrode. (3) Producing an electrode by applying conductive ink directly on the transparent substrate. (4) Forming an electrode by bonding a metal foil made of, for example, copper on the transparent substrate with an adhesive. (5) Casting the transparent resin on the foil made of, for example, copper. (6) Forming an electrode by providing a conductive resin on the transparent substrate by printing or by a similar method therefor.

Wenn eine Metallelektrode oder eine Metallschicht durch ein Abscheidungsverfahren bei einem Unterdruck oder im Vakuum hergestellt wird, ist es bevorzugt, zur Erhöhung des Kontaktgrades zwischen dem transparenten Substrat und der Metallelektrode oder der Metallschicht ein Herstellungsverfahren zu verwenden, das eine Ionentechnik einsetzt wie ein Sputterverfahren, ein Ionenplattierungsverfahren, ein Ionenclusterstrahlenverfahren, ein ionisiertes Verdampfungsverfahren oder ein ionenunterstütztes Verdampfungsverfahren. Um den Kontaktgrad zwischen der Metallelektrode und dem transparenten Substrat oder zwischen der Metallschicht und dem transparenten Substrat zu erhöhen, kann eine Zwischenschicht zwischen der Metallelektrode und dem transparenten Substrat oder zwischen der Metallschicht und dem transparenten Substrat bereitgestellt werden. Als Zwischenschicht kann ein beliebiges Material, das die Kontaktfestigkeit erhöhen kann, eingesetzt werden, es gibt beispielsweise ein Metall oder eine Metallverbindung, die z. B. Ni, Cr oder Kunststoff einschließt.When a metal electrode or a metal layer is formed by a deposition process under a reduced pressure or in a vacuum, it is preferable to use a manufacturing process using an ion technique such as a sputtering process, an ion plating process, an ion cluster beam process, an ionized evaporation process or an ion-assisted evaporation process in order to increase the degree of contact between the metal electrode and the transparent substrate or between the metal layer and the transparent substrate. In order to increase the degree of contact between the metal electrode and the transparent substrate or between the metal layer and the transparent substrate, an intermediate layer may be provided between the metal electrode and the transparent substrate or between the metal layer and the transparent substrate. As the intermediate layer, any material that can increase the contact strength may be used, for example, there is a metal or a metal compound including, for example, Ni, Cr or plastic.

In der vorliegenden Erfindung wird als Verfahren zur Herstellung einer Metallelektrode auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats ein Verfahren zur Herstellung einer Metallelektrode mit einer vorbestimmten Größe auf der ersten Hauptoberfläche unter Verwendung einer Maske oder dergleichen oder ein Verfahren zur Herstellung eines Metallfilms auf der gesamten ersten Hauptoberfläche und anschließend Anwenden von Ätzen zur Herstellung eines Metallmusters festgelegter Größe eingesetzt. Ein Verfahren zur Verarbeitung und zur Erzeugung eines Musters der Metallelektrode wird genauer beschrieben. Es gibt folgende Verfahren: (1) Durch Verwendung eines Resists oder einer Maske wird zunächst der Teil der ersten Hauptoberfläche bedeckt, der nicht der Teil einer Metallelektrode ist, und danach direkt die Metallelektrode gebildet, die ein vorbestimmtes Schaltkreismuster aufweist, und nach Ausbilden des Musters Entfernen von Resist und Maske. (2) Auf dem Metallfilm, der auf der gesamten Fläche der ersten Hauptoberfläche gebildet ist, Erzeugen eines vorbe stimmten Musters der Metallelektrode unter Verwendung eines Resists zum Schutz der Metallfolie, anschließend Entfernen des nicht mehr erforderlichen Metallfilms durch Ätzen und schließlich Entfernen des Resists. (3) Auf den Metallfilm, gebildet auf der gesamten Fläche der ersten Hauptoberfläche, Ausbilden einer Maske mit einem Resist, der einen Teil des Metallfilms, ausgenommen die Metallelektrodenfläche, bedeckt. Dann Erhöhen der Dicke des Metallfilms durch Elektroplattieren zur Herstellung der Metallelektrode eines vorbestimmten Musters. Anschließend Entfernen des Resists und Anwenden von Flash-Ätzen zur weiteren Entfernung des nicht erforderlichen Metallfilms, während der Metallelektrodenteil auf dem Metallfilm beibehalten wird.In the present invention, as a method for forming a metal electrode on the first main surface of the transparent substrate, a method for forming a metal electrode having a predetermined size on the first main surface using a mask or the like, or a method for forming a metal film on the entire first main surface and then applying etching to form a metal pattern of a predetermined size is used. A method for processing and forming a pattern of the metal electrode will be described in more detail. There are the following methods: (1) By using a resist or a mask, first, the part of the first main surface which is not the part of a metal electrode is covered, and then the metal electrode having a predetermined circuit pattern is directly formed, and after forming the pattern, removing the resist and the mask. (2) On the metal film formed on the entire area of the first main surface, forming a pre-defined circuit pattern. (3) On the metal film formed on the entire area of the first main surface, forming a mask with a resist covering a part of the metal film except the metal electrode area. Then increasing the thickness of the metal film by electroplating to prepare the metal electrode of a predetermined pattern. Then removing the resist and applying flash etching to further remove the unnecessary metal film while keeping the metal electrode part on the metal film.

Wenn die Metallelektrode von laminierter Struktur, bestehend aus einer ersten und einer zweiten Metallschicht, ist, gibt es Verarbeitungs- und Formungsverfahren mit Bezug auf die Muster der Metallelektroden, genauer wie nachstehend: (1) Auf der ersten Metallelektrode, gebildet auf der gesamten Fläche der ersten Hauptoberfläche, Ausbilden eines vorbestimmten Musters der Metallelektrode mit einem Resist zur Beschichtung der ersten Metallschicht, anschließend Verarbeiten des nicht erforderlichen Teils der ersten Metallschicht durch Ätzen und dann Entfernen des Resists. Es ist annehmbar, eine zweite Metallschicht auf der ersten Metallschicht auszubilden. (2) Auf der ersten Metallschicht Ausbilden auf der gesamten Fläche der ersten Hauptfläche einer Maske derart, daß ein Resist den Teil des Metallfilms, ausgenommen die Metallelektrodenfläche, bedeckt. Dann Erhöhen der Dicke der Metallschicht durch Elektroplattieren, stromloses Plattieren oder Laminieren eines anderen Metalls auf die Metallschicht zur Herstellung der Metallelektrode mit vorbestimmtem Muster. Anschließend Entfernen des Resists und Anwenden von Flash-Ätzen zur weiteren Entfernung von nicht erforderlichen Teilen der ersten Metallschicht, während der Metallelektrodenbereich, der auf der Metallschicht verbleibt, beibehalten wird. Gegebenenfalls ist es gestattet, eine zweite Metallschicht auf der oberen Metallelektrode auszubilden, dann einen Resist zu entfernen und außerdem Flash-Ätzen dazu zu verwenden, nicht erforderlichen Metallfilm zu entfernen, wobei der Metallelektrodenteil beibehalten wird, wodurch ein Metallelektrodenmuster mit einer zweiten Metallschicht gebildet wird. (3) Auf der ersten Metallschicht, gebildet auf der gesamten Fläche der ersten Hauptoberfläche, Ausbilden einer Maske wie einen Resist, der den Teil des Metallfilms bedeckt, ausgenommen die Metallelektrodenfläche, mit einem vorbestimmten Muster. Anschließend nach Ausbilden einer zweiten Metallschicht Entfernen eines Resists und außerdem Anwenden von Flash-Ätzen darauf, Ausbilden der Metallelektrode durch Entfernen des Teils, der von dem Metallelektrodenteil verschieden ist. (4) Ausbilden eines Metallfilms auf einer laminierten Struktur, bestehend aus einer ersten und zweiten Metallschicht auf der Gesamtfläche der ersten Hauptoberfläche, anschließend Ausbilden einer Maske, beispielsweise mit einem Resist auf der zweiten Metallschicht, die mit dem Metallelektrodenteil eines vorbestimmten Musters bedeckt ist, dann Anwenden von Ätzen darauf zum Entfernen der Metallschicht, ausgenommen der Metallelektrode und außerdem Entfernen des Resists zur Ausbildung der Metallelektrode. (5) Es ist praktisch, Metallschichten auszubilden, die aus einer gering reflektierenden Schicht bestehen, einer ersten Metallschicht und einer zweiten Metallschicht auf der gesamten Fläche der ersten und zweiten Hauptoberfläche, dann Ausbilden einer Maske mit beispielsweise einem Resist auf der zweiten Metallschicht auf einer Fläche eines vorbestimmten Musters, anschließend Anwenden von Ätzen, Entfernen des Resists zur Bildung von Mustern einer Vielzahl von Metallelektroden, einer Vielzahl von aggregierten Elektroden, einer Abdunkelungsschicht und einer antistatischen Schicht.When the metal electrode is of a laminated structure consisting of first and second metal layers, there are processing and forming methods with respect to the patterns of the metal electrodes, specifically as follows: (1) On the first metal electrode formed on the entire area of the first main surface, forming a predetermined pattern of the metal electrode with a resist for coating the first metal layer, then processing the unnecessary part of the first metal layer by etching and then removing the resist. It is acceptable to form a second metal layer on the first metal layer. (2) On the first metal layer, forming on the entire area of the first main surface a mask such that a resist covers the part of the metal film excluding the metal electrode surface. Then increasing the thickness of the metal layer by electroplating, electroless plating or laminating another metal on the metal layer to prepare the metal electrode having a predetermined pattern. Then removing the resist and applying flash etching to further remove unnecessary parts of the first metal layer while maintaining the metal electrode area remaining on the metal layer. If necessary, it is permitted to deposit a second metal layer on the upper metal electrode, then removing a resist and further applying flash etching to remove unnecessary metal film while keeping the metal electrode part, thereby forming a metal electrode pattern having a second metal layer. (3) On the first metal layer formed on the entire area of the first main surface, forming a mask such as a resist covering the part of the metal film except the metal electrode area having a predetermined pattern. Then, after forming a second metal layer, removing a resist and further applying flash etching thereto, forming the metal electrode by removing the part other than the metal electrode part. (4) Forming a metal film on a laminated structure consisting of first and second metal layers on the entire area of the first main surface, then forming a mask with, for example, a resist on the second metal layer covered with the metal electrode part of a predetermined pattern, then applying etching thereto to remove the metal layer except the metal electrode, and further removing the resist to form the metal electrode. (5) It is practical to form metal layers consisting of a low-reflective layer, a first metal layer, and a second metal layer on the entire area of the first and second main surfaces, then forming a mask with, for example, a resist on the second metal layer on an area of a predetermined pattern, then applying etching, removing the resist to form patterns of a plurality of metal electrodes, a plurality of aggregated electrodes, a darkening layer, and an antistatic layer.

Wenn die erfindungsgemäße Elektrode aus einer laminierten Struktur, bestehend aus einer ersten und einer zweiten Metallschicht, gefertigt ist, ist es bevorzugt, daß die zweite Metallschicht, wie vorstehend beschrieben, umfaßt ist, an die die elektrischen Teile durch Preßbonding oder Heißbonding angefügt sind. Die zweite Metallschicht dieser Art kann durch Vakuumverfahren, wie Sputterverfahren, gebildet werden, jedoch vorzugsweise wird sie durch Goldplattieren, Lötmetallplattieren oder Bedrucken gebildet. Wenn beispielsweise eine Goldplattierungsschicht als die zweite Metallschicht verwendet wird, kann diese Goldplattierungsschicht durch verschiedene Verfahren wie nachstehend gebildet werden: (1) Ein Elektroplattierungsverfahren in einem alkanischen Cyanidbad. (2) Ein Elektroplattierungsverfahren in einem neutralen oder schwach-alkalischen Bad. (3) Ein gewöhnliches Goldplattierungsverfahren, beispielsweise in einem schwach-sauren Bad unter Verwendung einer organischen Säure. Eine geeignete Dicke der Goldplattierungsschicht liegt gewöhnlich im Bereich 0,05 um bis 80 um, vorzugsweise im Bereich 0,1 um bis 50 um, bevorzugter im Bereich 0,5 um bis 50 um, besonders bevorzugt im Bereich 0,1 um bis 5 um.When the electrode according to the invention is made of a laminated structure consisting of a first and a second metal layer, it is preferred that the second metal layer is comprised as described above, to which the electrical parts are attached by press bonding or hot bonding. The second metal layer of this type may be formed by vacuum methods such as sputtering methods, but preferably it is formed by gold plating, solder plating or printing. For example, when a gold plating layer is used as the second metal layer, this gold plating layer can be formed by various methods as follows: (1) An electroplating method in an alkane cyanide bath. (2) An electroplating method in a neutral or weak alkaline bath. (3) An ordinary gold plating method, for example, in a weak acid bath using an organic acid. A suitable thickness of the gold plating layer is usually in the range of 0.05 µm to 80 µm, preferably in the range of 0.1 µm to 50 µm, more preferably in the range of 0.5 µm to 50 µm, particularly preferably in the range of 0.1 µm to 5 µm.

Wenn eine Lötmetallplattierungsschicht als die zweite Metallschicht verwendet wird, kann diese Lötplattierungsschicht durch einige Verfahren wie nachstehend gebildet werden, d. h. durch (1) ein Elektroplattierungsverfahren, wie ein Fluorborsäurebad, Phenolsulfonatbad oder Alkanolsulfonatbad. (2) Ein stromloses Plattierungsverfahren, wie Substitutionsplattieren oder Reduktionsfällungsverfahren. (3) Ein Lötpastendruckverfahren, bei dem Lötpaste, wie Lötmetallcreme, durch ein Siebdruckverfahren aufgedruckt wird. Die Dicke der Lötmetallplattierungsschicht liegt gewöhnlich im Bereich 0,05 um bis 80 um, vorzugsweise im Bereich 0,5 um bis 50 um, insbesondere im Bereich 2 um bis 10 um. In der vorliegenden Erfindung bedeutet Lötmetall ein Metall oder eine Legierung mit einem geringen Schmelzpunkt, die zum Verbinden von Materialien (Bonden) verwendet wird. Diese Art Metall oder Legierung weist einen Schmelzpunkt, insbesondere von weniger als 723 K Absoluttemperatur, einschließlich beispielsweise eines einfachen Stoffes oder einer Legierung von In, Sn, Pb oder Zn, auf. Als Lötmetall wird gewöhnlich eine Sn-Pb-Legierung, die ein eutektisches Lot bildet, verwendet. Zusätzlich zu den vorstehenden gibt es die Homberg'sche Legierung, die Mellott'sche Legierung, die Newton'sche Legierung, das D'Arcet'sche Metall, die Lichtenberg'sche Legierung, die Crose'sche Legierung, Rose-Metall, Wood-Metall, Lipowitz-Metall, Lot mit geringem Schmelzpunkt, alkalifestes Lot, eutektisches Lot, JIS (Japanese Industrial Standard) Lot, Lot mit geringer thermoelektromotorischer Kraft und Aluminiumlot oder dergleichen. Außerdem können Legierungen, die von den genannten Legierungen abweichen, aber zum Verbinden geeignet sind, als zweite Metallschicht verwendet werden.When a solder plating layer is used as the second metal layer, this solder plating layer can be formed by some methods as follows, that is, (1) an electroplating method such as a fluoroboric acid bath, phenolsulfonate bath or alkanolsulfonate bath. (2) an electroless plating method such as substitution plating or reduction precipitation method. (3) a solder paste printing method in which solder paste such as solder cream is printed by a screen printing method. The thickness of the solder plating layer is usually in the range of 0.05 µm to 80 µm, preferably in the range of 0.5 µm to 50 µm, particularly in the range of 2 µm to 10 µm. In the present invention, solder means a metal or alloy having a low melting point used for bonding materials. This type of metal or alloy has a melting point, in particular of less than 723 K absolute temperature, including, for example, a simple substance or alloy of In, Sn, Pb or Zn. The solder metal used is usually a Sn-Pb alloy which forms a eutectic solder. In addition to the above, there are Homberg's alloy, Mellott's alloy, Newton's alloy, D'Arcet's metal, Lichtenberg's alloy, Crose's alloy, Rose metal, Wood's metal, Lipowitz metal, low melting point solder, alkali-proof solder, eutectic solder, JIS (Japanese Industrial Standard) solder, low thermoelectromotive force solder and aluminum solder or the like. In addition, alloys other than the above alloys but suitable for joining may be used as the second metal layer.

Beim Herstellen einer Lötmetallschicht durch ein Plattierungsverfahren oder ein Druckverfahren ohne Verwendung eines geschmolzenen Lötbads, das eine relativ hohe Temperatur aufweist, kann die zweite Metallschicht mit einer hohen Verläßlichkeit gebildet werden, auch wenn eine Kunststoff-Folie mit relativ geringer thermischer Beständigkeit als transparentes Substrat verwendet wird, geschweige denn im Fall, bei dem ein Substrat mit hoher thermischer Beständigkeit als transparentes Substrat eingesetzt wird. Folglich kann eine elektrische Verbindung zwischen der Halbleitervorrichtung, wie einem lichtempfangenden LSI-Chip und einer Elektrode, durch ein Verfahren mit hoher Verbindungsverläßlichkeit ausgeführt werden, das das Lot verwendet.When forming a solder layer by a plating method or a printing method without using a molten solder bath having a relatively high temperature, the second metal layer can be formed with high reliability even when a plastic film having relatively low thermal resistance is used as the transparent substrate, let alone in the case where a substrate having high thermal resistance is used as the transparent substrate. Consequently, an electrical connection between the semiconductor device such as a light-receiving LSI chip and an electrode can be carried out by a method with high connection reliability using the solder.

Bei der optischen Leiterplatte der vorliegenden Erfindung werden eine Vielzahl von aggregierten Elektroden auf der zweiten Hauptoberfläche angeordnet. In dieser Beschreibung wird eine gemeinsame Elektrode auf der zweiten Hauptoberfläche als "aggregierte Elektrode" bezeichnet. Diese aggregierte Elektrode wird zum Weiterleiten von Signal oder Daten zwischen optischen Vorrichtungen, wie Lichtempfangs-LSI- Chip oder lichtemittierenden LSI-Chips und einer anderen Leiterplatte oder eines anderen elektronischen Kreises, verwendet und dient dem Anschluß dieser optischen Vorrichtungen elektrisch äquivalent in einer Verbindungsanordnung, wie einer Matrixverbindung. Jede aggregierte Elektrode wird als ge meinsame Elektrode für eine Vielzahl von optischen Vorrichtungen bereitgestellt. Das Material und das Herstellungsverfahren mit Bezug auf die vorstehende Elektrode, insbesondere auf die Metallelektrode werden ohne Änderung des Materials und des Herstellungsverfahrens der aggregierten Elektrode angewendet. Die Elektrode auf der ersten Hauptoberfläche und die aggregierte Elektrode werden durch einen elektrischen Verbindungsteil, der das transparente Substrat durchdringt, verbunden. Der elektrische Verbindungsteil wird nachstehend beschrieben.In the optical circuit board of the present invention, a plurality of aggregated electrodes are arranged on the second main surface. In this specification, a common electrode on the second main surface is referred to as an "aggregated electrode". This aggregated electrode is used for passing signal or data between optical devices such as light receiving LSI chips or light emitting LSI chips and another circuit board or other electronic circuit, and for connecting these optical devices electrically equivalently in a connection arrangement such as a matrix connection. Each aggregated electrode is referred to as a common electrode for a variety of optical devices. The material and the manufacturing method with respect to the above electrode, particularly the metal electrode, are applied without changing the material and the manufacturing method of the aggregated electrode. The electrode on the first main surface and the aggregated electrode are connected by an electrical connection part penetrating the transparent substrate. The electrical connection part will be described below.

Die elektrische Verbindung zwischen einer aggregierten Elektrode und einer anderen Leiterplatte oder elektrischen Kreises kann durch Verbinden eines Endes eines Verbindungsdrahts an der aggregierten Elektrode gebildet werden, es ist jedoch bevorzugt, einen äußeren Verbindungsanschluß elektrisch verbunden mit der aggregierten Elektrode und ein Ende des Verbindungsdrahts zu diesem äußeren Verbindungsanschluß herzustellen. Außerdem ist es möglich, den äußeren Verbindungsanschluß als Anschlußfläche für Direktbonden an einen Anschluß, der an der äußeren Leiterplatte bereitgestellt wird, zu verwenden. Der äußere Verbindungsanschluß kann auf einer beliebigen der ersten und zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt werden. Wenn der äußere Verbindunganschluß auf der ersten Hauptoberfläche bereitgestellt wird, kann er vom selben Aufbau wie die Elektrode für den optischen LSI-Chip sein und kann mit der aggregierten Elektrode durch den elektrischen Anschlußteil, der das transparente Substrat durchdringt, verbunden werden. Wenn andererseits der äußere Verbindungsanschluß auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt wird, kann er als Unterlagenfläche, verbunden mit der aggregierten Elektrode, gebildet werden. Durch Bereitstellen des äußeren Verbindungsanschlusses kann eine wärmebeeinflussende Zone, die die durch die elektrische Verbindung zwischen dem äußeren Kreis und der optischen Leiterplatte erzeugte Wärme aufnimmt, in Nachbarschaft des äußeren Verbindungsanschlusses begrenzt werden, wodurch das Verbreiten thermischer Wärme über die gesamte Leiterplatte verhindert wird. Daher kann Lot hoher Temperatur zum Verbinden verwendet werden, auch wenn ein transparentes Substrat mit geringer Wärmebeständigkeit verwendet wird.The electrical connection between an aggregated electrode and another circuit board or electric circuit may be formed by connecting one end of a connecting wire to the aggregated electrode, but it is preferable to make an external connecting terminal electrically connected to the aggregated electrode and one end of the connecting wire to this external connecting terminal. In addition, it is possible to use the external connecting terminal as a pad for direct bonding to a terminal provided on the external circuit board. The external connecting terminal may be provided on any of the first and second main surfaces. When the external connecting terminal is provided on the first main surface, it may be of the same structure as the electrode for the optical LSI chip and may be connected to the aggregated electrode through the electrical connection part penetrating the transparent substrate. On the other hand, when the external connecting terminal is provided on the second main surface, it may be formed as a pad connected to the aggregated electrode. By providing the external connection terminal, a heat-affected zone which absorbs the heat generated by the electrical connection between the external circuit and the optical circuit board can be limited in the vicinity of the external connection terminal, thereby preventing the propagation of thermal Heat is prevented across the entire circuit board. Therefore, high temperature solder can be used for joining even when a transparent substrate with low heat resistance is used.

Außerdem können sie mit Bezug auf Elektroden, die ein Teil einer Vielzahl von Elektroden, gebildet auf der ersten Hauptoberfläche, sind, gewöhnlich mit einer gemeinsamen Elektrode (in dieser Beschreibung wird eine gemeinsame Elektrode auf der ersten Hauptoberfläche als gemeinsame Elektrode bezeichnet) angeschlossen werden, vorausgesetzt, daß die erste Hauptoberfläche ohne Anschluß an die aggregierte Elektrode, die auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt wird, verbunden ist. Die Struktur dieser gemeinsamen Elektrode ist ähnlich der aggregierten Elektrode, ausgenommen, daß sie auf der ersten Hauptoberfläche bereitgestellt wird. Die Elektroden für optische Vorrichtungen und die gemeinsame Elektrode werden durch ein Schaltkreismuster verbunden, das auf der ersten Hauptoberfläche gebildet ist. Es ist auch möglich, einen äußeren Verbindungsanschluß am Ende des gemeinsamen Anschlusses zu bilden. Die Elektrode, die gemeinsame Elektrode und ein Schaltkreismuster zum Anschließen derselben können in derselben Weise auf der ersten Hauptoberfläche gebildet werden.In addition, with respect to electrodes that are a part of a plurality of electrodes formed on the first main surface, they can be usually connected to a common electrode (in this specification, a common electrode on the first main surface is referred to as a common electrode), provided that the first main surface is connected without connection to the aggregated electrode provided on the second main surface. The structure of this common electrode is similar to the aggregated electrode except that it is provided on the first main surface. The electrodes for optical devices and the common electrode are connected by a circuit pattern formed on the first main surface. It is also possible to form an external connection terminal at the end of the common terminal. The electrode, the common electrode and a circuit pattern for connecting them can be formed in the same manner on the first main surface.

Ein elektrischer Anschlußteil, der zur elektrischen Verbindung der Elektrode oder des äußeren Verbindungsanschlusses an der zweiten Hauptoberfläche verwendet wird, wird nachstehend beschrieben. Die Herstellungsverfahren für den elektrischen Anschlußteil sind beispielsweise: (1) Ein Durchdringungsloch wird in dem transparenten Substrat durch mechanische Bearbeitung des Substrates unter Verwendung eines Bohrers oder Lasers gebildet, und dann wird die Beschichtung des Loches mit einem Metallfilm, der in dem Loch gebildet wird, durch Anwenden von stromlosem Plattieren für die vollständige elektrische Verbindung erzeugt. Die Elektroden oder der äußere Verbindungsanschluß auf der ersten Hauptoberfläche und die aggregierte Elektrode werden elektrisch mit diesem elektri schen Verbindungsteil verbunden. (2) Ein Durchdringungsloch wird in dem durchsichtigen Substrat unter Verwendung einer Lösung wie eine Säure, ein alkalisches oder organisches Lösungsmittel gebildet und dann wird stromloses Plattieren auf das Loch zum Beschichten der Innenseite des Lochs mit einem Metallfilm zur Vervollständigung des elektrischen Verbindungsteils angewendet. Zwischen der Elektrode oder dem äußeren Verbindungsanschluß und der aggregierten Elektrode werden sie mit diesem Metallfilm verbunden. (3) Anwendung einer mechanischen Kraft wie Komprimieren der Elektrode auf der ersten Hauptoberfläche und der aggregierten Elektrode auf der zweiten Hauptoberfläche sowohl von außen als auch gleichzeitig Anwenden von Wärme zum elektrischen Verbinden beider Elektroden. (4) Wie im Fall (3) vorstehend, Anwenden einer mechanischen Kraft zwischen zwei Elektroden und elektrisches Verbinden derselben. (5) Wie (3) vorstehend, Anwenden einer mechanischen Kraft zwischen beiden Elektroden und gleichzeitig Anwenden einer Spannung zwischen beiden Elektroden zum elektrischen Verbinden derselben durch Anwenden Joule'scher Wärme (Wiederstandsschweißen). Und außerdem (6) Bilden eines durchgehenden Loches in dem transparenten Substrat durch mechanisches Bearbeiten mit einem Bohrer oder einem Laser und Füllen von Leitfähigkeitsharz oder Leitfähigkeitspaste in das Loch zur Bereitstellung einer elektrischen Verbindung. Im Fall von (6) kann die Elektrode oder der äußere Verbindungsanschluß an der ersten Hauptoberfläche und die aggregierte Elektrode auf der zweiten Hauptoberfläche elektrisch durch leitfähiges Harz oder leitfähige Paste verbunden werden. Zu diesem Zeitpunkt wird die Leitfähigkeit einer solchen Leitfähigkeitspaste durch Einbrennen verbessert, zusammen mit der Verbindungsfestigkeit der Paste, die auch erhöht wird.An electrical connection part used for electrically connecting the electrode or the external connection terminal on the second main surface is described below. The manufacturing methods of the electrical connection part are, for example: (1) A penetrating hole is formed in the transparent substrate by machining the substrate using a drill or laser, and then the coating of the hole with a metal film formed in the hole is produced by applying electroless plating for complete electrical connection. The electrodes or the external connection terminal on the first main surface and the aggregated electrode are electrically connected with this electrical electrical connection part. (2) A penetrating hole is formed in the transparent substrate using a solution such as an acid, an alkaline or an organic solvent, and then electroless plating is applied to the hole to coat the inside of the hole with a metal film to complete the electrical connection part. Between the electrode or the external connection terminal and the aggregated electrode, they are connected with this metal film. (3) Applying a mechanical force such as compressing the electrode on the first main surface and the aggregated electrode on the second main surface both from the outside and simultaneously applying heat to electrically connect both electrodes. (4) As in the case of (3) above, applying a mechanical force between two electrodes and electrically connecting them. (5) As in the case of (3) above, applying a mechanical force between both electrodes and simultaneously applying a voltage between both electrodes to electrically connect them by applying Joule heat (resistance welding). And further (6) forming a through hole in the transparent substrate by machining with a drill or a laser and filling conductive resin or conductive paste into the hole to provide electrical connection. In the case of (6), the electrode or the external connection terminal on the first main surface and the aggregated electrode on the second main surface may be electrically connected by conductive resin or conductive paste. At this time, the conductivity of such conductive paste is improved by baking, along with the connection strength of the paste being also increased.

In der vorliegenden Erfindung kann eine gering reflektierende Schicht bereitgestellt werden, wenn die Elektrode oder die aggregierte Elektrode mit einem Metall zusammengesetzt ist, um gegen Mehrfachreflexion des Lichts aufgrund der Reflexion auf der Oberfläche des Metalls zu schützen. Die gering reflektierende Schicht kann parallel als Elektrode dienen oder kann zwischen der Elektrode und dem transparenten Substrat bereitgestellt werden. Wenn die Elektrode von laminierter Struktur ist, die aus einer ersten und einer zweiten Metallschicht besteht, kann eine gering reflektierende Schicht als die erste Metallschicht oder die zweite Metallschicht dienen oder kann zwischen der ersten Metallschicht und dem transparenten Substrat bereitgestellt werden oder kann außerdem auf der zweiten Metallschicht bereitgestellt werden.In the present invention, a low-reflective layer can be provided when the electrode or the aggregated electrode is assembled with a metal to protect against multiple reflection of light due to reflection on the surface of the metal. The low reflection layer may serve as the electrode in parallel or may be provided between the electrode and the transparent substrate. When the electrode is of laminated structure consisting of first and second metal layers, low reflection layer may serve as the first metal layer or the second metal layer, or may be provided between the first metal layer and the transparent substrate, or may be further provided on the second metal layer.

Das Reflexionsvermögen von sichtbarem Licht der geringreflektierenden Schicht wird mit nicht mehr als 50%, aber vorzugsweise nicht mehr als 10% und insbesondere nicht mehr als 5% erwartet. Als Materialien, die zum Aufbau der geringreflektierenden Schicht geeignet sind, gibt es beispielsweise Metalle, wie Ge, Si, Sn, W und Lötmetall; Oxide, von z. B. Cr, Cu, Fe, In, Mn, Ni, Pb, Pd, Pt, Ti, V und W; Carbide, von z. B. B, W; Nitride, von z. B. Cr, Zr; Sulfide, von z. B. Ni, Pb, Pd und Cu und eine Phosphorverbindung, von z. B. Fe und das Gemisch davon. Außerdem ist es möglich, ein Metall oder eine Metallverbindung zu verwenden, deren Oberflächenreflexionsvermögen durch Anwenden einer Schwarzfärbungsbehandlung oder einer Unebenheitsbehandlung vermindert wird und ebenfalls eine Kombination vorstehender Behandlungen. Hierin bedeutet Schwarzfärbungsbehandlung die Behandlung, bei der die Metalloberfläche zur Bildung einer Schicht mit geringem Lichtreflexionsvermögen behandelt wird. Als Verfahren zum Schwarzfärben gibt es beispielsweise ein Verfahren unter Verwendung eines handelsüblichen schwarzen Farbstoffs, wie Ebonol, hergestellt von Mertech Inc. oder ein Verfahren zur Herstellung der Schicht aus Metalloxid oder Metallsulfid auf der Metallschicht gemäß dem Verfahren, offenbart in der Japanischen Offenlegungsschrift 41378/82 (JP-A-57-41378) und 47375/88 (JP-A-63-47375). Außerdem ist es annehmbar, Harz vom Abbindetyp, das Ruß oder ein Farbpigment einschließt, als Resist zu verwenden, der zur Herstellung der Metallelektrode verwendet wird und dieses Harz vom Abbindetyp kann ebenfalls als gering reflektierende Schicht verwendet werden, ohne es zu entfernen, auch nachdem die Ätzbehandlung zur Herstellung eines Musters der Metallelektroden beendet ist.The visible light reflectance of the low-reflection layer is expected to be not more than 50%, but preferably not more than 10%, and particularly not more than 5%. As materials suitable for constituting the low-reflection layer, there are, for example, metals such as Ge, Si, Sn, W and solder; oxides of e.g. Cr, Cu, Fe, In, Mn, Ni, Pb, Pd, Pt, Ti, V and W; carbides of e.g. B, W; nitrides of e.g. Cr, Zr; sulfides of e.g. Ni, Pb, Pd and Cu and a phosphorus compound of e.g. Fe and the mixture thereof. In addition, it is possible to use a metal or a metal compound whose surface reflectance is reduced by applying a blackening treatment or an unevenness treatment and also a combination of the above treatments. Herein, blackening treatment means the treatment in which the metal surface is treated to form a layer having low light reflectance. As the method of blackening, there is, for example, a method using a commercially available black dye such as Ebonol manufactured by Mertech Inc. or a method of forming the layer of metal oxide or metal sulfide on the metal layer according to the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 41378/82 (JP-A-57-41378) and 47375/88 (JP-A-63-47375). In addition, it is acceptable to use setting type resin including carbon black or a color pigment as a resist used for forming the metal electrode. and this setting type resin can also be used as a low-reflective layer without removing it even after the etching treatment for patterning the metal electrodes is completed.

In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, eine Verdunkelungsschicht zur Steuerung des Lichtes bereitzustellen, so daß es nicht das durchsichtige Substrat durch einen anderen Teil als dem Fensterteil durchdringt. Die Verdunkelungsschicht definiert den Fensterteil, der auf dem transparenten Substrat längs dem Fensterteil gebildet wird, und den Teil, der von dem Fensterteil verschieden ist, bedeckt. Wenn die Verdunkelungsschicht zusätzlich auf der Elektrode gebildet wird, die als Muster zum Anschließen von Vorrichtungen, wie lichtempfangende LSI-Chips oder Verdrahtung, gebildet ist, ist die Verdunkelungswirkung weiter gesteigert. Diese Verdunkelungsschicht kann auf einer beliebigen der ersten und zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt werden. Wenn sie jedoch auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt wird, wie später beschrieben, sollte die antistatische Schicht auch die Funktion der Abdunkelungsschicht aufweisen, kombiniert mit ihrer eigenen Funktion und es ist nicht bevorzugt, eine einzelne Abdunkelungsschicht bereitzustellen. Mit Hinweis auf das Licht, das zum Lesen oder zur Bilderzeugung verwendet wird, sollte die zulässige Lichtdurchlässigkeit der Schattierungsschicht nicht mehr als 50%, vorzugsweise nicht mehr als 10% betragen und ist am besten nicht mehr als 5%. Die Schicht mit geringem Reflexionsvermögen kann zwischen der Abdunkelungsschicht und dem transparenten Substrat zum Zweck der Verhinderung von Mehrweg-Reflexion bereitgestellt werden. Diese gering reflektierende Schicht ist von derselben Beschaffenheit wie die vorstehend genannte Schicht mit geringem Reflexionsvermögen, die auf der Elektrode bereitgestellt wird und kann in derselben Weise wie vorstehend erzeugt werden.In the present invention, it is preferable to provide a darkening layer for controlling the light so that it does not penetrate the transparent substrate through a part other than the window part. The darkening layer defines the window part formed on the transparent substrate along the window part and covers the part other than the window part. When the darkening layer is additionally formed on the electrode formed as a pattern for connecting devices such as light-receiving LSI chips or wiring, the darkening effect is further increased. This darkening layer may be provided on any of the first and second main surfaces. However, when it is provided on the second main surface as described later, the antistatic layer should also have the function of the darkening layer combined with its own function, and it is not preferable to provide a single darkening layer. With regard to the light used for reading or image formation, the allowable light transmittance of the shading layer should be not more than 50%, preferably not more than 10%, and is most preferably not more than 5%. The low-reflectivity layer may be provided between the shading layer and the transparent substrate for the purpose of preventing multi-path reflection. This low-reflectivity layer is of the same nature as the above-mentioned low-reflectivity layer provided on the electrode and can be formed in the same manner as above.

Ein Verfahren zur Erzeugung einer Schattierungsschicht ist wie nachstehend: (1) Laminieren einer Schicht mit geringem Reflexionsvermögen, hergestellt aus beispielsweise einer schwarzen Chrom-plattierten Metallschicht oder oxidiertem Kupfer in einer Metallschicht unter Herstellung einer Schattierungsschicht. (2) Dispergieren eines leitfähigen Füllstoffs, umfassend Ruß und/oder Metallteilchen, wie Platinschwarz, in einer Harzmatrix zur Erzeugung einer Schicht, die die Abdunkelungsschicht ausmacht. (3) Herstellen eines Films durch Dispergieren, wie ein Pigment oder ein Farbstoff, in ein Harz zur Herstellung einer Abdunkelungsschicht. (4) Laminatharz, das Lichtabsorptionseigenschaft hat, wie Polythiophen, auf dem transparenten Substrat zur Bildung einer Abdunkelungsschicht.A method for producing a shading layer is as follows: (1) Laminating a low reflectance layer made of, for example, a black chromium-plated metal layer or oxidized copper in a metal layer to prepare a shading layer. (2) dispersing a conductive filler comprising carbon black and/or metal particles such as platinum black in a resin matrix to form a layer constituting the shading layer. (3) preparing a film by dispersing such as a pigment or a dye in a resin to prepare a shading layer. (4) laminating resin having light absorption property such as polythiophene on the transparent substrate to form a shading layer.

Die zulässige Dicke der Abdunkelungsschicht liegt normalerweise im Bereich von 0,05 um bis 50 um, vorzugsweise im Bereich von 1 um bis 10 um und wünschenswert im Bereich von 2 um bis 5 um.The allowable thickness of the darkening layer is normally in the range of 0.05 µm to 50 µm, preferably in the range of 1 µm to 10 µm, and desirably in the range of 2 µm to 5 µm.

Wie nachstehend beschrieben, wird, wenn die antistatische Schicht auf der zweiten Hauptoberflächenseite gebildet wird, eine Schattierungsschicht auf der ersten Hauptoberfläche gegenüber der antistatischen Schicht gebildet. Folglich kooperiert die Abdunkelungsschicht mit der antistatischen Schicht zur Verhinderung, daß ungeeignetes Licht in den Fensterbereich wirksamer eintritt, wobei das ungeeignete Licht nicht das praktische Licht für das Lesen oder Schreiben ist. In diesem Fall muß die Abdunkelungsschicht so gebildet werden, daß sie nicht das elektrische Signal, das zum Zeitpunkt des Lesens eines Manuskripts erzeugt wird oder das Licht, das zu einem lichtempfindlichen Material zum Zeitpunkt der Bilderzeugung geht, beeinträchtigt, und folglich ist es bevorzugt, die Abdunkelungsschicht mit dem Harz, das ein gering leitfähiges Pigment oder einen gering leitfähigen Farbstoff enthält, zu bilden. Die Abdunkelungsschicht auf der ersten Hauptoberfläche und die antistatische Schicht auf der zweiten Hauptoberfläche, definieren zusammen den Fensterbereich zur Verwendung für nur den Durchlaß des Lichts zum Lesen eines Manuskripts oder des Lichts zur Bilderzeugung. Der Fensterbereich, der als lichte Fläche der Abdunkelungsschicht zu defi nieren ist, weist gewöhnlich gerade Schlitzform auf, wobei die Schlitzbreite normalerweise im Bereich von 0,1 mm bis 50 mm, vorzugsweise im Bereich 0,3 mm bis 2 mm, liegt.As described below, when the antistatic layer is formed on the second main surface side, a shading layer is formed on the first main surface opposite to the antistatic layer. Thus, the shading layer cooperates with the antistatic layer to prevent improper light from entering the window region more effectively, the improper light not being the practical light for reading or writing. In this case, the shading layer must be formed so as not to affect the electric signal generated at the time of reading a manuscript or the light going to a photosensitive material at the time of image formation, and thus it is preferable to form the shading layer with the resin containing a low-conductive pigment or dye. The shading layer on the first main surface and the antistatic layer on the second main surface together define the window region for use for only passing the light for reading a manuscript or the light for image formation. The window area that is to be defined as the clear area of the darkening layer kidneys usually has a straight slot shape, the slot width normally being in the range of 0.1 mm to 50 mm, preferably in the range of 0.3 mm to 2 mm.

In der vorliegenden Erfindung kann die antistatische Schicht zur Verhinderung, daß die optische Leiterplatte aufgeladen wird, auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt werden. Insbesondere, wenn die Leiterplatte in einem Bildsensor vom Kontakttyp oder dergleichen verwendet wird, bei dem die Leiterplatte gemeinsam mit einem Manuskript oder einer lichtempfindlichen Sache gerieben wird, ist es erwünscht, eine antistatische Schicht zur Steuerung des durch statische Reibung aufgeladenen Zustands bereitzustellen. Wenn die antistatische Schicht bereitgestellt ist, ist es erwünscht, daß sie mit dem Aufbau bereitgestellt wird, der verhindert, daß die Leiterplatte aufgeladen wird, wobei sie lichtabschirmende Eigenschaften aufweist, wodurch sie mit der Abdunkelungsschicht zur Definition des Fensterteils kooperiert. Die zulässige Lichtdurchlässigkeit dieser Art von antistatischer Schicht für die Wellenlänge des Lichts zum Lesen oder Schreiben ist nicht mehr als 50%, jedoch vorzugsweise nicht mehr als 10% und außerdem wünschenswert nicht mehr als 5%. Es ist annehmbar, eine Schicht mit geringem Reflexionsvermögen derselben, wie vorstehend genannt, zwischen dem transparenten Substrat und der antistatischen Schicht bereitzustellen.In the present invention, the antistatic layer for preventing the optical circuit board from being charged may be provided on the second main surface. Particularly, when the circuit board is used in a contact type image sensor or the like in which the circuit board is rubbed together with a manuscript or a photosensitive matter, it is desirable to provide an antistatic layer for controlling the state charged by static friction. When the antistatic layer is provided, it is desirable that it be provided with the structure for preventing the circuit board from being charged, having light-shielding properties, thereby cooperating with the darkening layer for defining the window part. The allowable light transmittance of this type of antistatic layer for the wavelength of light for reading or writing is not more than 50%, but preferably not more than 10%, and further desirably not more than 5%. It is acceptable to provide a low reflectance layer of the same as mentioned above between the transparent substrate and the antistatic layer.

Um den Fensterteil zu definieren, ist es erwünscht, daß die antistatische Schicht eine Form aufweist, die eine Schlitzformöffnung einschließt, welche dem Fensterteil entspricht. Die Öffnung weist gewöhnlich eine gerade Form auf und die Breite des Schlitzes liegt normalerweise im Bereich von 0,1 mm bis 50 mm, vorzugsweise im Bereich von 0,3 mm bis 2 mm. Die Dicke der antistatischen Schicht liegt im allgemeinen im Bereich von 0,05 um bis 50 um, vorzugsweise im Bereich von 1 um bis 10 um und die beste liegt im Bereich von 2 um bis 5 um.In order to define the window part, it is desirable that the antistatic layer has a shape including a slit-shaped opening corresponding to the window part. The opening usually has a straight shape and the width of the slit is normally in the range of 0.1 mm to 50 mm, preferably in the range of 0.3 mm to 2 mm. The thickness of the antistatic layer is generally in the range of 0.05 µm to 50 µm, preferably in the range of 1 µm to 10 µm, and the best is in the range of 2 µm to 5 µm.

Die in der antistatischen Schicht bereitgestellte Öffnung wird vorzugsweise entsprechend einer Fläche zwischen der Elektrode und der Abdunkelungsschicht, gebildet auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats, angeordnet. Die Breite der antistatischen Schicht selbst ist nicht eingeschränkt, ist jedoch vorzugsweise gleich oder mehr als die Breite des Schlitzes des Fensterteils. Insbesondere ist die Breite der antistatischen Schicht vorzugsweise zweifach der Breite des Fensterteils und ein erwünschterer Wert ist etwa fünffach davon. Die Breite der antistatischen Schicht kann auf beiden Seiten des Fensters gleich bereitgestellt werden, um jedoch den Einfluß der elektrostatischen Ladung auf die LSI-Chips, wie die lichtempfangenden LSI-Chips, zu vermindern, ist es bevorzugt, die Breite auf der Seite entsprechend der Vorrichtung größer zu gestalten. Genauer liegt die Breite der antistatischen Schicht mit Bezug auf das Fenster auf der Seite entsprechend dem LSI-Chip im Bereich von 2 mm bis 100 mm, vorzugsweise im Bereich von 3 mm bis 10 mm.The opening provided in the antistatic layer is preferably sized to correspond to an area between the electrode and the darkening layer formed on the first main surface of the transparent substrate. The width of the antistatic layer itself is not limited, but is preferably equal to or more than the width of the slit of the window part. Specifically, the width of the antistatic layer is preferably twice the width of the window part, and a more desirable value is about five times thereof. The width of the antistatic layer may be provided equally on both sides of the window, but in order to reduce the influence of the electrostatic charge on the LSI chips such as the light-receiving LSI chips, it is preferable to make the width larger on the side corresponding to the device. More specifically, the width of the antistatic layer with respect to the window on the side corresponding to the LSI chip is in the range of 2 mm to 100 mm, preferably in the range of 3 mm to 10 mm.

Als Verfahren zur Herstellung der antistatischen Schicht auf der zweiten Hauptoberfläche des transparenten Substrats gibt es einige Verfahren wie nachstehend: (1) Bilden einer antistatischen Schicht durch Auftragen einer Plattierung, wie einer Schwarz-Chromplattierung, oder einer schwarz chromatierenden Behandlung der zweiten Hauptoberfläche; (2) Herstellen einer antistatischen Schicht durch Dispergieren von leitfähigen Füllstoffen, wie Ruß und/oder Metallteilchen (das heißt Platinschwarz) in einer Harzmatrix und dann Drucken und Härten davon; (3) Herstellen einer antistatischen Schicht durch Bilden einer Metallschicht oder einer Metallschicht mit einer Schicht mit geringer Reflexion und anschließend Ätzen derselben.As a method for forming the antistatic layer on the second main surface of the transparent substrate, there are some methods as follows: (1) forming an antistatic layer by applying plating such as black chrome plating or black chromating treatment to the second main surface; (2) forming an antistatic layer by dispersing conductive fillers such as carbon black and/or metal particles (i.e., platinum black) in a resin matrix and then printing and curing it; (3) forming an antistatic layer by forming a metal layer or a metal layer having a low reflection layer and then etching the same.

Wenn das zu verwendende, durchsichtige Substrat außerdem hohe Wärmebeständigkeit aufweist, kann die antistatische Schicht durch ein allgemeines Verfahren unter Verwendung von Techniken, wie Plattieren, Verdampfen, thermisches Versprühen, Erhitzen nach der Beschichtung oder dergleichen, gebildet werden. Wenn das Harz mit mangelhafter Wärmebeständigkeit, wie PET, Polycarbonat, PES, verwendet wird, ist, um die Verformung des transparenten Substrats, aufgrund der zum Zeitpunkt der Erzeugung der antistatischen Schicht erzeugten Wärme, zu vermeiden, die Temperatur der Erzeugung der antistatischen Schicht vorzugsweise nicht mehr als 150ºC, bevorzugter nicht mehr als 120ºC, sehr erwünscht nicht mehr als 100ºC. Höhere Erzeugungstemperaturen können ebenfalls in einigen Fällen anwendbar sein.In addition, when the transparent substrate to be used has high heat resistance, the antistatic layer can be formed by a general method using techniques such as plating, evaporation, thermal spraying, heating after coating or the like. When the resin with poor heat resistance such as PET, polycarbonate, PES is used, in order to In order to avoid deformation of the transparent substrate due to heat generated at the time of forming the antistatic layer, the temperature of forming the antistatic layer is preferably not more than 150°C, more preferably not more than 120°C, most desirably not more than 100°C. Higher forming temperatures may also be applicable in some cases.

Als Verfahren zur Herstellung der antistatischen Schicht bei der relativ geringen Temperatur gibt es einige Verfahren, beispielsweise: (1) Dispergieren eines leitfähigen Füllstoffs, wie Ruß, vorher in einem härtenden Ein-Komponenten-Epoxidharz zum Drucken dieses Harzes in einer Form mit einer Öffnung und anschließend Erhitzen dieses Harzes zu einer vorbestimmten Temperatur und Härten zur Herstellung eines antistatischen Films. Dieses härtende Epoxidharz vom Ein- Komponenten-Typ schließt Mikrokapseln ein, die, darin dispergiert, sich bei einer festgelegten Temperatur zersetzen, wobei die Mikrokapsel einen Katalysator zum Umsetzen mit dem Grundharz unter Herstellung der Härtungsreaktion umfaßt. (2) Verwendung des Harzes, umfassend ein Härtungsmittel, darin dispergiert, und dieses zersetzt sich bei einer festgelegten Temperatur zur Umsetzung mit dem Grundharz und zum Härten durch die Reaktion. Dispergieren des leitfähigen Füllstoffs, wie Ruß, in dem Harz zum Drucken des Harzes zu einer Form, die eine Öffnung enthält. Anschließend Erhitzen dieses Harzes zu einer vorbestimmten Temperatur und Härtenlassen zur Herstellung des antistatischen Films.As a method for producing the antistatic layer at the relatively low temperature, there are some methods, for example: (1) dispersing a conductive filler such as carbon black in advance in a one-component curing epoxy resin to print this resin in a mold having an opening, and then heating this resin to a predetermined temperature and curing to produce an antistatic film. This one-component type curing epoxy resin includes microcapsules which, dispersed therein, decompose at a predetermined temperature, the microcapsule comprising a catalyst for reacting with the base resin to produce the curing reaction. (2) using the resin comprising a curing agent dispersed therein and decomposing it at a predetermined temperature to react with the base resin and cure by the reaction. Dispersing the conductive filler, such as carbon black, in the resin to print the resin into a mold containing an opening. Then heating this resin to a predetermined temperature and allowing it to cure to produce the antistatic film.

Um die antistatische Wirkung zu erhöhen, ist es möglich, eine Erdungselektrode in der antistatischen Schicht zum Erden dieser Erdungselektrode bereitzustellen.In order to increase the antistatic effect, it is possible to provide a grounding electrode in the antistatic layer for grounding this grounding electrode.

Das Material und das Herstellungsverfahren mit Bezug auf die Elektrode, insbesondere auf die Metallelektrode, werden ohne Änderung des Materials und des Herstellungsverfahrens der aggregierten Elektrode, der antistatischen Schicht, des äußeren Verbindungsanschlusses und der Abdunkelungsschicht, die auf der ersten Hauptoberfläche gegenüber im Ver hältnis zu den Metallelektroden bereitgestellt wird, angewendet.The material and the manufacturing method with respect to the electrode, in particular the metal electrode, are without changing the material and the manufacturing method of the aggregated electrode, the antistatic layer, the external connection terminal and the darkening layer which are arranged on the first main surface opposite to each other in the ratio to the metal electrodes.

In der vorliegenden Erfindung kann ein Lichtleiter auf der zweiten Hauptoberfläche des transparenten Substrats zur Einführung des Lichts aus einem Gegenstand für den Fensterteil oder Licht, emittiert aus dem Fensterbereich des Gegenstands, bereitgestellt werden. Hierin bedeutet Gegenstand ein Manuskript, angeordnet in einer optischen Lesevorrichtung, oder ein lichtempfindlicher Stoff, angeordnet in einer optischen, bilderzeugenden Vorrichtung. Ein beliebiger Stoff mit einer Funktion zur Kondensation oder zum Leiten des Lichts kann als Lichtleiter verwendet werden. Als bevorzugte Lichtleiter gibt es Linsen, wie SelfocTM-Linse oder ein optisches Faserarray, zusammengesetzt aus einer Vielzahl von Glasfasern oder gebündelten optischen Kunststoffasern. Das Stablinsenarray oder optische Faserarray auf der zweiten Hauptoberfläche der optischen Leiterplatte kann vorzugsweise im Fall einer Leiterplatte ohne die antistatische Schicht verwendet werden.In the present invention, a light guide may be provided on the second main surface of the transparent substrate for introducing the light from an object for the window part or light emitted from the window area of the object. Herein, object means a manuscript arranged in an optical reading device or a photosensitive material arranged in an optical image forming device. Any material having a function of condensing or guiding the light may be used as the light guide. As preferred light guides, there are lenses such as Selfoc™ lens or an optical fiber array composed of a plurality of glass fibers or bundled plastic optical fibers. The rod lens array or optical fiber array on the second main surface of the optical circuit board may be preferably used in the case of a circuit board without the antistatic layer.

Die erfindungsgemäße optische Leiterplatte mit der wie vorstehend beschriebenen Struktur kann ihre Funktion zufriedenstellend ohne Hilfe oder Modifizierung ausüben; um jedoch die Standzeit des Produkts zu verlängern, das diese optische Leiterplatte verwendet, ist es erwünscht, eine Schutzschicht auf der äußersten Oberfläche der zweiten Hauptoberfläche zur Erhöhung der Reibungstoleranz davon bereitzustellen. Die Schutzschicht wird durch Anhaften einer Glasplatte auf die zweite Hauptoberfläche oder durch Beschichten, wie mit einem Acrylharz vom UV-härtenden Typ, Silikonharz-Beschichtungsmittel oder Siliziumdioxid-Solmittel, gebildet. Es ist erwünscht, diese Schutzschicht insbesondere in einer Weise auszubilden, daß die Schutzschicht vollständig die antistatische Schicht bedeckt. Die Dicke der Schutzschicht liegt im Bereich von 1 um bis 200 um, vorzugsweise im Bereich von 2 um bis 100 um, bevorzugter im Bereich von S um bis 20 um.The optical circuit board of the present invention having the structure as described above can perform its function satisfactorily without aid or modification; however, in order to prolong the service life of the product using this optical circuit board, it is desirable to provide a protective layer on the outermost surface of the second main surface for increasing the friction tolerance thereof. The protective layer is formed by adhering a glass plate to the second main surface or by coating such as with a UV-curing type acrylic resin, silicone resin coating agent or silica sol agent. It is desirable to form this protective layer particularly in such a manner that the protective layer completely covers the antistatic layer. The thickness of the protective layer is in the range of 1 µm to 200 µm, preferably in the range of 2 µm to 100 µm, more preferably in the range of 5 µm to 20 µm.

Um außerdem die Haltbarkeit der elektrischen Anschlüsse zwischen der optischen Leiterplatte der vorliegenden Erfindung und den optischen LSI-Chips, die auf der Leiterplatte angeordnet sind, zu erhöhen, ist es praktisch, die gesamten LSI-Chips zu bedecken oder die Fläche zwischen der optischen Leiterplatte und den optischen LSI-Chips durch Verwendung von Harz vom abbindenden oder härtenden Typ zu füllen. Als Harz vom abbindenden Typ gibt es UV-härtende Harze, wiedergegeben durch vorhärtende Harze auf Acrylbasis, das wärmehärtende Harz wird wiedergegeben durch beispielsweise Silikonacrylat, bei Raumtemperatur härtendes Harz auf Epoxidbasis und das Gemisch der vorstehenden.Furthermore, in order to increase the durability of the electrical connections between the optical circuit board of the present invention and the optical LSI chips arranged on the circuit board, it is practical to cover the entire LSI chips or fill the area between the optical circuit board and the optical LSI chips by using setting or curing type resin. As the setting type resin, there are UV-curing resins, represented by pre-curing acrylic-based resins, the thermosetting resin is represented by, for example, silicone acrylate, room temperature curing epoxy-based resin and the mixture of the above.

Die vorstehenden und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachstehenden Beschreibung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die Beispiele bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erläutern, ersichtlich.The above and other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following description with reference to the accompanying drawings which illustrate examples of preferred embodiments of the present invention.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen:Short description of the drawings:

Fig. 1 ist ein typischer Querschnitt, der ein Beispiel der Struktur eines üblichen Bildsensors zeigt.Fig. 1 is a typical cross section showing an example of the structure of a common image sensor.

Fig. 2 ist ein Querschnitt, der im allgemeinen eine optische Leiterplatte gemäß vorliegender Erfindung, die als Bildsensor verwendet wird, zeigt.Fig. 2 is a cross-sectional view generally showing an optical circuit board according to the present invention used as an image sensor.

Fig. 3A ist eine Schrägansicht, die eine optische Leiterplatte gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.Fig. 3A is an oblique view showing an optical circuit board according to the first embodiment of the present invention.

Fig. 3B und 3C sind Draufsichten, die ein Beispiel der Anordnung einer antistatischen Schicht einer ersten Ausführungsform zeigen.Figs. 3B and 3C are plan views showing an example of the arrangement of an antistatic layer of a first embodiment.

Fig. 3D ist ein typischer Querschnitt, genommen längs Linie A-A' von Fig. 3A.Fig. 3D is a typical cross section taken along line A-A' of Fig. 3A.

Fig. 3E ist eine typische Draufsicht einer optischen Leiterplatte, dargestellt in Fig. 3A.Fig. 3E is a typical top view of an optical circuit board shown in Fig. 3A.

Fig. 3F ist eine typische Querschnittsansicht, genommen längs Linie B-B' von Fig. 3E.Fig. 3F is a typical cross-sectional view taken along line BB'of Fig. 3E.

Fig. 3G ist eine Schrägansicht, die ein Beispiel einer anderen Anordnung von äußeren Verbindungszuleitungen einer ersten Ausführungsform zeigt.Fig. 3G is an oblique view showing an example of another arrangement of external connection leads of a first embodiment.

Fig. 4 ist eine Draufsicht, die im allgemeinen eine optische Leiterplatte gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.Fig. 4 is a plan view generally showing an optical circuit board according to a second embodiment of the present invention.

Fig. 5A ist eine Draufsicht, die im allgemeinen eine optische Leiterplatte einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.Fig. 5A is a plan view generally showing an optical circuit board of a third embodiment of the present invention.

Fig. 5B ist ein typischer Querschnitt, genommen längs Linie C-C' von Fig. 5A.Fig. 5B is a typical cross section taken along line C-C' of Fig. 5A.

Fig. 6 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau der optischen Leiterplatte nach Beispiel 1 zeigt.Fig. 6 is a typical cross section showing the structure of the optical circuit board according to Example 1.

Fig. 7 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau der optischen Leiterplatte von Beispielen 2, 4 und 5 zeigt.Fig. 7 is a typical cross section showing the structure of the optical circuit board of Examples 2, 4 and 5.

Fig. 8 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 3 zeigt.Fig. 8 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 3.

Fig. 9 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 6 zeigt.Fig. 9 is a typical cross section showing the structure of an optical circuit board according to Example 6.

Fig. 10 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispielen 7, 8, 10 und 11 zeigt.Fig. 10 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Examples 7, 8, 10 and 11.

Fig. 11 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 9 zeigt.Fig. 11 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 9.

Fig. 12 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte von Beispielen 12 und 13 zeigt.Fig. 12 is a typical cross section showing the structure of an optical circuit board of Examples 12 and 13.

Fig. 13 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 14 zeigt.Fig. 13 is a typical cross section showing the structure of an optical circuit board according to Example 14.

Fig. 14 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispielen 15 und 16 zeigt.Fig. 14 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Examples 15 and 16.

Fig. 15 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 17 zeigt.Fig. 15 is a typical cross section showing the structure of an optical circuit board according to Example 17.

Fig. 16 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 18 zeigt.Fig. 16 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 18.

Fig. 17 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 19 zeigt.Fig. 17 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 19.

Fig. 18 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 20 zeigt.Fig. 18 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 20.

Fig. 19 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 21 zeigt.Fig. 19 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 21.

Fig. 20 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 22 zeigt.Fig. 20 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 22.

Fig. 21 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispielen 23 und 25 zeigt.Fig. 21 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Examples 23 and 25.

Fig. 22 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 26 zeigt.Fig. 22 is a typical cross-sectional view showing the structure of an optical circuit board according to Example 26.

Fig. 23 ist ein typischer Querschnitt, der den Aufbau einer optischen Leiterplatte nach Beispiel 28 zeigt.Fig. 23 is a typical cross section showing the structure of an optical circuit board according to Example 28.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen:Description of the preferred embodiments:

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend genauer mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben.The present invention will be described in more detail below with reference to the drawings.

Die erfindungsgemäße optische Leiterplatte kann, wie vorstehend beschrieben, durch Aufbau eines Bildsensors einer optischen Lesevorrichtung durch Befestigen eines lichtaufnehmenden LSI-Chips oder als Aufzeichnungskopf einer optischen Bilderzeugenden Vorrichtung, wie eine Lichtdruckvorrichtung, durch Befestigen eines lichtemittierenden LSI-Chips verwendet werden. Die erfindungsgemäße optische Leiterplatte, die als Bildsensor der optischen Lesevorrichtung verwendet wird, wird zuerst mit Bezug auf Fig. 2 beschrieben.The optical circuit board of the present invention can be used as described above by constructing an image sensor of an optical reading device by mounting a light receiving LSI chip or as a recording head of an optical image forming device such as a photo-printing device by mounting a light emitting LSI chip. The optical circuit board of the present invention used as an image sensor of the optical reading device will be described first with reference to Fig. 2.

Die erfindungsgemäße optische Leiterplatte ist grundsätzlich aufgebaut unter Verwendung eines Film-ähnlichen, durchsichtigen Substrats 1, das einen Schlitz-förmigen Fensterteil 7 aufweist, so angeordnet, daß das Licht nur durch diesen Fensterteil durchtreten kann. Die Leiterplatte umfaßt außerdem eine Vielzahl von Metallelektroden 2 zum Anschluß mit den lichtempfangenden LSI-Chips 13, die auf der ersten Hauptoberfläche angeordnet sind, längs Fensterteil 7, verwendet werden, eine Vielzahl von aggregierten Elektroden 3, angeordnet auf der zweiten Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche in dem durchsichtigen Substrat 1, das sich in Längsrichtung längs Fensterteil 7 erstreckt, wobei die aggregierte Elektrode 3 und die Metallelektrode 2 elektrisch mit einem Verbindungsteil 26 verbunden sind, der durch das transparente Substrat 1 dringt, und die Metallelektroden 2 in einer Weise angeordnet sind, daß sie die Durchlässigkeit des Lichts durch den Fensterteil nicht verhindern. In Fig. 2 ist die Richtung der Anordnung der Metallelektroden 2, das heißt die Längsrichtung des Fensterteils 7 oder der aggregierten Elektroden 3, senkrecht zur Oberfläche, einschließlich der Figur. Die aggregierten Elektroden 3 sind entsprechend der Abscheidungsfläche der Metallelektroden 2 angeordnet.The optical circuit board according to the invention is basically constructed using a film-like transparent substrate 1 having a slit-shaped window part 7 arranged so that the light can pass only through this window part. The circuit board further comprises a plurality of metal electrodes 2 for connection with the light receiving LSI chips 13 arranged on the first main surface along the window part 7, a plurality of aggregated electrodes 3 arranged on the second main surface opposite to the first main surface in the transparent substrate 1 arranged in Longitudinally extending along window portion 7, the aggregated electrode 3 and the metal electrode 2 are electrically connected to a connecting portion 26 penetrating through the transparent substrate 1, and the metal electrodes 2 are arranged in a manner not to prevent the transmission of light through the window portion. In Fig. 2, the direction of arrangement of the metal electrodes 2, that is, the longitudinal direction of the window portion 7 or the aggregated electrodes 3, is perpendicular to the surface including the figure. The aggregated electrodes 3 are arranged corresponding to the deposition area of the metal electrodes 2.

Außerdem schließt die optische Leiterplatte eine Abdunkelungsschicht 5 ein, die ein Fensterteil 7 festlegt und ist auf der ersten Hauptoberfläche gegenüber den Metallelektroden 2, die zwischen Fensterteil 7 angeordnet sind, angeordnet. Die Abdunkelungsschicht 5 erstreckt sich auch in Längsrichtung von Fensterteil 7 und eine Schlitz-förmige Öffnung zwischen der Abdunkelungsschicht 5 und jeder Metallelektrode 2 macht praktisch eine freiliegende Fläche des Fensterteils 7 auf der ersten Hauptoberfläche aus. Es ist bevorzugt, die Abdunkelungsschicht auch auf dem Raum zwischen jeder Metallelektrode bereitzustellen. Die Abdunkelungsschicht, die auf dem Raum zwischen jeder Metallelektrode bereitgestellt wird, muß aus einem Material mit einer guten Isoliereigenschaft hergestellt sein. Die zweite Hauptoberfläche umfaßt eine antistatische Schicht 6 mit guter Leitfähigkeit und guten Abdunkelungseigenschaften. Die antistatische Schicht 6 weist eine Schlitz-förmige Öffnung auf, die Fensterteil 7 entspricht. Die antistatische Schicht 6 hindert die Leiterplatte am Aufladen, beispielsweise durch Reibungsstatik und dient gleichzeitig zur Festlegung des Fensterteils 7 auf der zweiten Hauptoberfläche. Eine durchsichtige Schutzschicht 8 wird in einer solchen Weise bereitgestellt, daß die zweite Hauptoberfläche, die die antistatische Schicht 6 und die darauf aufgebrachte aggregierte Elektrode 3 einschließt, bedeckt ist. Hier können auch Linsen, einschließlich SelfocTM-Linsen, oder ein Lichtleiter, wie ein Glasfaserarray, der das Licht leitet, anstelle der antistatischen Schicht verwendet werden.Furthermore, the optical circuit board includes a darkening layer 5 defining a window portion 7 and is disposed on the first main surface opposite to the metal electrodes 2 disposed between the window portion 7. The darkening layer 5 also extends in the longitudinal direction of the window portion 7 and a slit-shaped opening between the darkening layer 5 and each metal electrode 2 practically constitutes an exposed area of the window portion 7 on the first main surface. It is preferable to provide the darkening layer also on the space between each metal electrode. The darkening layer provided on the space between each metal electrode must be made of a material having a good insulating property. The second main surface includes an antistatic layer 6 having good conductivity and good darkening properties. The antistatic layer 6 has a slit-shaped opening corresponding to the window portion 7. The antistatic layer 6 prevents the circuit board from charging, for example by frictional static, and at the same time serves to define the window portion 7 on the second main surface. A transparent protective layer 8 is provided in such a way that the second main surface, which includes the antistatic layer 6 and the aggregated electrode 3 applied thereto, is covered. Lenses, including SelfocTM lenses, can also be used here. or a light guide, such as a fiber optic array that guides the light, may be used instead of the antistatic layer.

Wenn die optische Leiterplatte in einer optischen Lesevorrichtung eingesetzt wird, in der durch die relative Bewegung eines Manuskripts und eines Bildsensors Bilddaten eines Bildes eingegeben werden, wird die optische Leiterplatte in der optischen Lesevorrichtung in einer Weise angeordnet, daß die Längsrichtung des Fensterteils 7 sich quer zur Richtung der Bewegung des Manuskripts 14 bewegt, während die zweite Hauptoberfläche zum Manuskript 14 weist. In diesem Fall wird das Licht von der Lichtquelle 12 zum Lesen des Manuskripts in das transparente Substrat 1 von der ersten Hauptoberflächenseite geleitet und durch den Fensterteil 7 zum Bestrahlen von Manuskript 14 durchgeleitet, dann gemäß dem Bildmuster auf dem Manuskript reflektiert und wiederum durch den Fensterteil 7 durchgeleitet, um in den lichtempfangenden LSI-Chip 13, der an Metallelektrode 2 angeschlossen ist, einzutreten. Der lichtempfangende LSI-Chip 13 und die Metallelektrode 2 sind miteinander durch Verbindungszuleitung (bump) 13a von LSI-Chip 13 verbunden. Das Manuskript 14 wird in Rechts-Links-Richtung der Figur mit einer Transportrolle 60 bewegt.When the optical circuit board is used in an optical reading device in which image data of an image is input by the relative movement of a manuscript and an image sensor, the optical circuit board is arranged in the optical reading device in such a manner that the longitudinal direction of the window part 7 moves across the direction of movement of the manuscript 14 while the second main surface faces the manuscript 14. In this case, the light from the light source 12 for reading the manuscript is introduced into the transparent substrate 1 from the first main surface side and passed through the window part 7 to irradiate the manuscript 14, then reflected according to the image pattern on the manuscript and again passed through the window part 7 to enter the light receiving LSI chip 13 connected to the metal electrode 2. The light receiving LSI chip 13 and the metal electrode 2 are connected to each other by bump 13a of LSI chip 13. The manuscript 14 is moved in the right-left direction of the figure by a transport roller 60.

Wenn die erfindungsgemäße optische Leiterplatte in der optischen Vorrichtung zur Erzeugung eines Bildes, wie ein Photodrucker, verwendet wird, kann der lichtemittierende LSI- Chip anstelle des lichtempfangenden LSI-Chips 13 an Elektrode 2, mit seiner lichtemittierenden Oberfläche, zu dem Fensterteil 7 ausgerichtet, befestigt werden und die zweite Hauptoberfläche des transparenten Substrats kann gegenüber der lichtempfindlichen Oberfläche des lichtempfindlichen Gegenstands angeordnet werden. Zusätzlich zu dem vorstehend genannten Manuskript-Bewegungs-Typ ist es möglich, ein beliebiges System zu verwenden, bei dem der lichtempfindliche Gegenstand oder die optische Leiterplatte selbst bewegt wird. Diese Bewegungssysteme zeigen nur die relative Beziehung zwi schen den Gegenständen und sind theoretisch einander äquivalent.When the optical circuit board of the present invention is used in the optical device for forming an image such as a photo printer, the light emitting LSI chip may be attached to the electrode 2 with its light emitting surface facing the window part 7 instead of the light receiving LSI chip 13, and the second main surface of the transparent substrate may be arranged opposite to the photosensitive surface of the photosensitive object. In addition to the above-mentioned manuscript movement type, it is possible to use any system in which the photosensitive object or the optical circuit board itself is moved. These movement systems only show the relative relationship between between the objects and are theoretically equivalent to each other.

Die erfindungsgemäße optische Leiterplatte wird außerdem mit Bezug auf die Ausführungsformen beschrieben. Fig. 3A zeigt eine optische Leiterplatte einer ersten Ausführungsform.The optical circuit board according to the invention is further described with reference to the embodiments. Fig. 3A shows an optical circuit board of a first embodiment.

In Fig. 3A ist auf der ersten Hauptoberfläche (obere Oberfläche der Figur) des Film-ähnlichen, durchsichtigen Substrats 1, eine Abdunkelungsschicht 5, auf einer Seite bereitgestellt und eine Vielzahl von Metallelektroden 2 ist auf der anderen Seite bereitgestellt, die zwischen einer Schicht angeordnet sind, die ein Schlitz-förmiger Fensterteil 7 ist. Diese Abdunkelungsschicht 5 und die Metallelektrode 2 definieren gemeinsam die Fläche des Fensterteils 7. Jede Metallelektrode 2 mit einer Form eines Streifens von Papier wird mit ihrer Längsrichtung senkrecht zu der Längsrichtung des Fensterteils 7 angeordnet. Wenn diese optische Leiterplatte für die optische Lesevorrichtung verwendet wird, wird die optische Leiterplatte auf der optischen Lesevorrichtung befestigt, so daß die Längsrichtung des Fensterteils 7 quer zur Richtung der relativen Bewegung des Manuskripts und der Leiterplatte ist.In Fig. 3A, on the first main surface (upper surface of the figure) of the film-like transparent substrate 1, a darkening layer 5 is provided on one side and a plurality of metal electrodes 2 are provided on the other side, which are arranged between a layer which is a slit-shaped window part 7. This darkening layer 5 and the metal electrode 2 together define the area of the window part 7. Each metal electrode 2 having a shape of a strip of paper is arranged with its longitudinal direction perpendicular to the longitudinal direction of the window part 7. When this optical circuit board is used for the optical reading device, the optical circuit board is mounted on the optical reading device so that the longitudinal direction of the window part 7 is transverse to the direction of relative movement of the manuscript and the circuit board.

Während auf der zweiten Hauptoberfläche (untere Fläche der Figur) des transparenten Substrats, das heißt auf der Hauptoberfläche gegenüber der ersten Hauptoberfläche, eine Vielzahl der aggregierten Elektroden 3 angeordnet sind, so daß sie in paralleler Beziehung mit der Fläche der ersten Hauptoberfläche, auf der die Metallelektroden 2 bereitgestellt sind, angebracht sind. Jede aggregierte Elektrode 3 weist eine lange, Band-ähnliche Form, länger als die Längsseite des Fensterteils 7, auf. Außerdem wird auf der zweiten Hauptoberfläche eine antistatische Schicht 6, zusammengesetzt aus einem Material mit lichtabschirmenden Eigenschaften und elektrischer Leitfähigkeit, bereitgestellt. Wie in Fig. 3B gezeigt, wird die antistatische Schicht 6 in Form eines Rechtecks mit einer Öffnung, hergestellt durch Ausschneiden der Fläche, entsprechend Fensterteil 7, hergestellt; das heißt in einer Form, zusammengesetzt aus den Seiten von Rechtecken. Weiterhin kann, wie in Fig. 3C gezeigt, die antistatische Schicht 6 als zwei Band-ähnliche Schichten, angeordnet auf beiden Seiten des Fensterteils 7, bereitgestellt werden. Eine durchsichtige Schutzschicht 8 wird in einer Weise bereitgestellt, daß sie die gesamte Fläche der zweiten Hauptoberfläche, die aggregierten Elektroden 3 und die antistatische Schicht 6 bedeckt.While on the second main surface (lower surface of the figure) of the transparent substrate, that is, on the main surface opposite to the first main surface, a plurality of the aggregated electrodes 3 are arranged so as to be disposed in parallel relation with the surface of the first main surface on which the metal electrodes 2 are provided. Each aggregated electrode 3 has a long, ribbon-like shape longer than the long side of the window part 7. In addition, on the second main surface, an antistatic layer 6 composed of a material having light-shielding properties and electrical conductivity is provided. As shown in Fig. 3B, the antistatic layer 6 is in the shape of a rectangle with an opening made by cutting the area corresponding to the window part 7; that is, in a shape composed of the sides of rectangles. Furthermore, as shown in Fig. 3C, the antistatic layer 6 may be provided as two tape-like layers arranged on both sides of the window part 7. A transparent protective layer 8 is provided in such a manner as to cover the entire area of the second main surface, the aggregated electrodes 3 and the antistatic layer 6.

Die positionelle Beziehung wird nun mit Hinweis auf die Metallelektrode 2 und die Abdunkelungsschicht 5, beide auf der ersten Hauptoberfläche, und die antistatische Schicht 6 auf der zweiten Hauptoberfläche, beschrieben. Diese Gegenstände definieren im wesentlichen den Bereich des Fensterteils 7. Die Kante der Metallelektrode 2 und die Abdunkelungsschicht 5 können jedoch zusammentreffend mit der Kante der Öffnung der antistatischen Schicht 6 positioniert werden, oder können ein wenig über die Kante in der Öffnung der antistatischen Schicht 6 hinausstehen, soweit sie nicht verhindern, daß das Licht durch Fensterteil 7 tritt. Mit Bezug auf die Größe des Bereichs, der als Fensterteil 7 auf der ersten Hauptoberfläche befestigt wird, das heißt die Größe des Bereichs, der durch die Metallelektrode 2 und die Abdunkelungsschicht 5 eingeschlossen wird, und die Größe der Öffnung der antistatischen Schicht 6, können sie insofern anders sein, wenn die gemeinsame Fläche für das Durchlassen des Lichts gebildet ist.The positional relationship will now be described with reference to the metal electrode 2 and the darkening layer 5, both on the first main surface, and the antistatic layer 6 on the second main surface. These items essentially define the area of the window part 7. However, the edge of the metal electrode 2 and the darkening layer 5 may be positioned coincident with the edge of the opening of the antistatic layer 6, or may protrude a little beyond the edge in the opening of the antistatic layer 6, as long as they do not prevent the light from passing through the window part 7. With respect to the size of the area to be fixed as the window part 7 on the first main surface, that is, the size of the area enclosed by the metal electrode 2 and the darkening layer 5, and the size of the opening of the antistatic layer 6, they may be different insofar as the common area for the light to pass through is formed.

Mit Bezug auf die erste Hauptoberfläche wird angemerkt, daß die äußeren Verbindungszuleitungen 30 derselben Zahl wie die Zahl der aggregierten Elektroden 3 auf der Fläche, entsprechend einem Ende der aggregierten Elektrode 3, darauf angebracht sind; wobei sie zusammen die Peripherie der optischen Leiterplatte darstellen. Jede der äußeren Verbindungszuleitungen 30 hat eine Unterlagenähnliche Form, die zum Anschluß mit dem äußeren Kreis verwendet wird und mit der aggregierten Elektrode 3 durch einen elektrischen Verbin dungsteil 20 elektrisch 1 : 1 verbunden ist, der so bereitgestellt wird, daß durch das transparente Substrat 1 dringt.With respect to the first main surface, it is noted that the external connection leads 30 of the same number as the number of the aggregated electrodes 3 are mounted on the surface corresponding to one end of the aggregated electrode 3; together they constitute the periphery of the optical circuit board. Each of the external connection leads 30 has a pad-like shape used for connection to the external circuit and connected to the aggregated electrode 3 through an electrical connector. ing part 20 is electrically connected 1:1, which is provided so that it penetrates through the transparent substrate 1.

Jede Metallelektrode 2 kann elektrisch mit jeder aggregierten Elektrode 30 durch die elektrischen Verbindungsbereiche 20 verbunden sein. Eine Querschnittsansicht, dargestellt in Fig. 3D, erläutert, wie die beiden Elektroden durch den elektrischen Verbindungsteil 20 verbunden sind. Fig. 3D erläutert auch eine Lichtquelle 12 und einen Lichtempfangs- LSI-Chip 13 als Bildsensor. Der Lichtempfangs-LSI-Chip 13 und die Elektrode 2 sind miteinander durch eine Anschlußzuleitung 13a, bereitgestellt in dem lichtempfangenden LSI-Chip 13, verbunden. Jede Elektrode 2 kann gegebenenfalls die aggregierte Elektrode 3 als Verbindungspartner auswählen; insofern wie die aggregierte Elektrode 3 zum Matrixanschluß, wie für Lichtempfangsvorrichtungen, bereitgestellt wird, kann der Fachmann leicht herausfinden, daß die Art der Kombination mit Bezug auf Kombination der Verbindung der Metallelektrode 2 und der aggregierten Elektrode 3 erwünscht ist. Außerdem ist es möglich, die Elektroden 2 mit den aggregierten Elektroden 3 in einer Weise zu verbinden, daß ein beliebiger der lichtempfangenden LSI-Chips 13 durch Auswahl von zwei aggregierten Elektroden 3 ausgewählt werden kann. Fig. 3E erläutert im allgemeinen die positionelle Beziehung zwischen jeder Metallelektrode 2 und jeder aggregierten Elektrode 3, gesehen von der ersten Hauptoberflächenseite. In dieser Figur gibt jeder Teil, bei dem die Metallelektrode 2 und die Aggregatelektrode 3, überlappend gezeigt und, mit dicken Linien eingeschlossen sind, die Position wieder, an der die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 praktisch verbunden sind. Auch in dieser Figur wird erläutert, daß die Metallelektroden 2 paarweise vorliegen, und auf der Seite des Fensterteils 7 weist das Obere jeder Elektrode des Paars eine symmetrische Form zueinander auf, zum leichten Befestigen des lichtempfangenden LSI-Chips oder des lichtemittierenden LSI-Chips. Fig. 3F ist ein typischer Querschnitt, entsprechend Fig. 3E.Each metal electrode 2 can be electrically connected to each aggregated electrode 30 through the electrical connection portions 20. A cross-sectional view shown in Fig. 3D explains how the two electrodes are connected through the electrical connection portion 20. Fig. 3D also explains a light source 12 and a light receiving LSI chip 13 as an image sensor. The light receiving LSI chip 13 and the electrode 2 are connected to each other through a lead wire 13a provided in the light receiving LSI chip 13. Each electrode 2 can optionally select the aggregated electrode 3 as a connection partner; insofar as the aggregated electrode 3 is provided for matrix connection as for light receiving devices, one skilled in the art can easily find out the type of combination is desired with respect to combination of connection of the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3. In addition, it is possible to connect the electrodes 2 to the aggregated electrodes 3 in a manner that any one of the light-receiving LSI chips 13 can be selected by selecting two aggregated electrodes 3. Fig. 3E generally explains the positional relationship between each metal electrode 2 and each aggregated electrode 3 as viewed from the first main surface side. In this figure, each part where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 are shown overlapping and enclosed with thick lines represents the position where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 are practically connected. Also in this figure, it is explained that the metal electrodes 2 are in pairs, and on the side of the window part 7, the top of each electrode of the pair has a symmetrical shape with each other for easy mounting of the light-receiving LSI chip or the light-emitting LSI chip. Fig. 3F is a typical cross section, corresponding to Fig. 3E.

Obwohl die erste Ausführungsform vorstehend beschrieben wurde, gibt es verschiedene Arten der Modifizierungen. In der in Fig. 3E dargestellten optischen Leiterplatte sind die äußeren Verbindungszuleitungen 30 als eine Gruppe an der gegenüberliegenden Seite des Fensterbereichs 7, gegenüber der Metallelektrode 2, die dazwischen angeordnet ist, angeordnet. In diesem Fall kann durch Änderung der Form der aggregierten Elektrode 3 auf der zweiten Hauptoberfläche zu einer Form mit einem Buchstaben L die aggregierte Elektrode 3 und der äußere Verbindungsanschluß 30 mit einem elektrischen Verbindungsteil 20, der durch die transparente Substratschicht 1 geht, verbunden werden.Although the first embodiment has been described above, there are various kinds of modifications. In the optical circuit board shown in Fig. 3E, the external connection leads 30 are arranged as a group on the opposite side of the window portion 7, opposite to the metal electrode 2 interposed therebetween. In this case, by changing the shape of the aggregated electrode 3 on the second main surface to a shape of a letter L, the aggregated electrode 3 and the external connection terminal 30 can be connected to an electrical connection part 20 passing through the transparent substrate layer 1.

Wenn die antistatische Schicht 6 eine ausreichende Lichtabdunkelungswirkung bereitstellen kann, ist es möglich, die Leiterplatte ohne Bereitstellung der Abdunkelungsschicht auf der ersten Hauptoberfläche zu konstruieren.If the antistatic layer 6 can provide a sufficient light-darkening effect, it is possible to construct the circuit board without providing the darkening layer on the first main surface.

Hinsichtlich des lichtempfangenden LSI-Chips oder des lichtemittierenden LSI-Chips ist es gestattet, einen LSI-Chip mit einer Vielzahl von Anschlußteilen zu verwenden oder einen LST-Chip von einem langformatigen Arraytyp mit einer Vielzahl von darauf angebrachten elektronischen Vorrichtungen zu verwenden. Für den Fall, bei dem ein LSI-Chip vom Arraytyp verwendet wird, werden dagegen Metallelektroden für LSI-Chips in der Zahl der Anschlußzuleitungen zugewiesen, die in den LSI- Chips bereitgestellt werden und für elektrischen und mechanischen Transport verwendet werden. Da die Zahl der Metallelektroden längs des Fensters angeordnet werden kann, kann sie bei der erfindungsgemäßen optischen Leiterplatte zweckmäßigerweise die mechanischen Trägerpunkte, mit Bezug auf den LSI-Chip vom Arraytyp, erhöhen.With respect to the light-receiving LSI chip or the light-emitting LSI chip, it is permissible to use an LSI chip having a plurality of terminals or to use an LSI chip of a long-format array type having a plurality of electronic devices mounted thereon. On the other hand, in the case where an array type LSI chip is used, metal electrodes for LSI chips are allocated in the number of terminal leads provided in the LSI chips and used for electrical and mechanical transport. In the optical circuit board of the present invention, since the number of metal electrodes can be arranged along the window, it can suitably increase the mechanical support points with respect to the array type LSI chip.

Fig. 4 ist eine Draufsicht, die im allgemeinen die Beziehung zwischen der Metallelektrode und aggregierten Elektrode in der optischen Leiterplatte der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Diese Leiterplatte ist fast ähnlich jener der ersten Ausführungsform, jedoch sind einige der Metallelektroden auf der ersten Hauptoberfläche, wiedergegeben durch Bezugsziffer 2a, nicht mit der aggregierten Elektrode 3 verbunden, sondern statt dessen sind die Metallelektroden 2a elektrisch mit einer gemeinsamen Elektrode 36 durch ein Leitungskreismuster 35 verbunden. Die gemeinsame Elektrode 36 dient als Ersatz für eine aggregierte Elektrode. Die gemeinsame Elektrode 36 wird auf der ersten Hauptoberfläche auf der Gegenseite des Fensterteils 7 mit jeder Metallelektrode 2, 2a, dazwischen angeordnet, bereitgestellt, mit einer Bandähnlichen Form, die sich in Längsrichtung des Fensterteils 7 erstreckt. Auf dem Endteil der gemeinsamen Elektrode 36 ist ein äußerer Verbindungsanschluß 30a als Unterlagenfläche bereitgestellt zur Verwendung zur Verbindung mit einem äußeren Kreis. Dieser äußere Verbindungsanschluß 30a weist eine Struktur, ähnlich jener des äußeren Verbindungsanschlusses 30, auf, der an die aggregierte Elektrode 3 angeschlossen ist. Da das Schaltkreismuster 35 und die gemeinsame Elektrode 36 gleichzeitig mit der Metallelektrode 2, 2a gebildet werden können, gibt es in der vorliegenden Erfindung praktisch keine Erhöhung in Arbeitsstunden für die Bereitstellung derselben. Außerdem kann, verglichen mit dem Fall, bei dem alle Metallelektroden mit den aggregierten Elektroden verbunden sind, diese Ausführungsform die Zahl der elektrischen Anschlußteile 20, die durch das durchsichtige Substrat 1 dringen, vermindern.Fig. 4 is a plan view generally showing the relationship between the metal electrode and aggregate electrode in the optical circuit board of the second embodiment of the present invention. This circuit board is almost similar to that of the first embodiment, but some of the metal electrodes on the first main surface, represented by reference numeral 2a, is not connected to the aggregated electrode 3, but instead the metal electrodes 2a are electrically connected to a common electrode 36 through a circuit pattern 35. The common electrode 36 serves as a substitute for an aggregated electrode. The common electrode 36 is provided on the first main surface on the opposite side of the window part 7 with each metal electrode 2, 2a interposed therebetween, having a band-like shape extending in the longitudinal direction of the window part 7. On the end part of the common electrode 36, an external connection terminal 30a is provided as a base surface for use in connection with an external circuit. This external connection terminal 30a has a structure similar to that of the external connection terminal 30 connected to the aggregated electrode 3. In the present invention, since the circuit pattern 35 and the common electrode 36 can be formed simultaneously with the metal electrode 2, 2a, there is practically no increase in man-hours for the preparation thereof. In addition, compared with the case where all the metal electrodes are connected to the aggregated electrodes, this embodiment can reduce the number of the electrical connection parts 20 penetrating through the transparent substrate 1.

Eine optische Leiterplatte einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in Fig. 5A und 5B gezeigt. In Fig. 5B wird ein Zustand der optischen Leiterplatte gezeigt mit einem darauf befestigten lichtemittierenden LSI- Chip 16. In dieser Ausführungsform werden die Metallelektroden 2 auf den beiden Seiten des Fensterteils 7 befestigt und folglich wird in der ersten Hauptoberfläche Fensterteil 7 durch Metallelektroden 2, angeordnet an beiden Seiten davon, definiert. Daher wird die Abdunkelungsschicht in diesem Fall nicht bereitgestellt. Entsprechend der Fläche auf jeder Seite des Fensterteils, wo Metallelektroden 2 gebildet werden, werden natürlich aggregierte Elektroden 3 auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt. In anderen Worten, diese Leiterplatte weist eine fast symmetrische Struktur auf, mit Bezug auf die Fläche, die längs eine Mittellinie des Fensterteils 7 einschließt, der senkrecht zu der Oberfläche des transparenten Substrats 1 ist.An optical circuit board of a third embodiment of the present invention is shown in Figs. 5A and 5B. In Fig. 5B, a state of the optical circuit board with a light emitting LSI chip 16 mounted thereon is shown. In this embodiment, the metal electrodes 2 are mounted on the both sides of the window part 7 and thus, in the first main surface, the window part 7 is defined by metal electrodes 2 arranged on both sides thereof. Therefore, the darkening layer is not provided in this case. According to the area on each side of the window part where metal electrodes 2 are formed, aggregated electrodes 3 are naturally formed on the second main surface. In other words, this circuit board has an almost symmetrical structure with respect to the area longitudinally enclosing a center line of the window part 7 which is perpendicular to the surface of the transparent substrate 1.

Diese optische Leiterplatte kann den lichtemittierenden LSI-Chip 16 rücklings paarweise von Metallelektroden 2 befestigen, die, gegenüber angeordnet, zwischen dem Fensterteil 7 liegen. In diesem Fall wird eine lichtemittierende Oberfläche 16a des lichtemittierenden LSI-Chips 16 genau oberhalb des Fensterbereichs 7, gegenüber Fensterteil 7, angeordnet, und der lichtemittierende LSI-Chip 16 mit seinem Verbindungsanschluß 16b wird dadurch mit den betreffenden zwei Metallelektroden, gegenüber angeordnet zwischen dem Fensterteil 7 angeschlossen. Wenn die erfindungsgemäße optische Leiterplatte auf die optische Bild-erzeugende Vorrichtung angewendet wird, kann, da das durch das Fenster der Leiterplatte tretende Licht nur das emittierte Licht ist, das von dem auf der Leiterplatte befestigten LSI-Chip emittiert wird, der lichtemittierende LSI-Chip so angeordnet werden, daß er den Fensterteil der vorliegenden Ausführungsform bedeckt. Wenn die lichtemittierenden LSI-Chips in dieser Weise angeordnet sind und da sie an beiden Enden davon getragen werden, ist die mechanische Festigkeit der Anordnung der Leiterplatte und der lichtemittierenden LSI-Chips erhöht. Auch wenn die Leiterplatte auf die optische Leseeinrichtung durch Verwenden eines Arraytyp-LSI-Chips angewendet wird, bei dem der lichtemittierende LSI-Chip und die lichtempfangenden LSI-Chips in derselben Packung angepaßt sind, wird es möglich, eine Leiterplatte zu verwenden, bei der der LSI-Chip den Fensterteil bedeckend befestigt ist.This optical circuit board can mount the light emitting LSI chip 16 on the back of pairs of metal electrodes 2 disposed oppositely between the window portion 7. In this case, a light emitting surface 16a of the light emitting LSI chip 16 is disposed just above the window portion 7 opposite to the window portion 7, and the light emitting LSI chip 16 with its connection terminal 16b is thereby connected to the respective two metal electrodes disposed oppositely between the window portion 7. When the optical circuit board according to the present invention is applied to the optical image forming device, since the light passing through the window of the circuit board is only the emitted light emitted from the LSI chip mounted on the circuit board, the light emitting LSI chip can be disposed so as to cover the window portion of the present embodiment. When the light-emitting LSI chips are arranged in this manner and since they are supported at both ends thereof, the mechanical strength of the arrangement of the circuit board and the light-emitting LSI chips is increased. Even when the circuit board is applied to the optical reader by using an array type LSI chip in which the light-emitting LSI chip and the light-receiving LSI chips are fitted in the same package, it becomes possible to use a circuit board in which the LSI chip is fixed covering the window part.

Die vorliegende Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf praktische Beispiele beschrieben.The present invention will be described below with reference to practical examples.

Beispiel 1:Example 1:

Eine optische Leiterplatte wurde, wie in Fig. 6 dargestellt, hergestellt. Die Leiterplatte ist ähnlich jener, die in der ersten Ausführungsform gezeigt wird, unterscheidet sich jedoch davon, daß eine Abdunkelungsschicht, eine antistatische Schicht und eine Schutzschicht nicht bereitgestellt sind. Die Metallelektrode 2 weist einen daran gebundenen lichtempfangenden LSI-Chip 13 auf.An optical circuit board was manufactured as shown in Fig. 6. The circuit board is similar to that shown in the first embodiment, but differs in that a darkening layer, an antistatic layer and a protective layer are not provided. The metal electrode 2 has a light-receiving LSI chip 13 bonded thereto.

Ein PES-Film mit einer Dicke von 50 um wurde als transparentes Substrat 1 verwendet und auf einer ersten und zweiten Hauptoberfläche davon wurden Cr (0,01 um dick) und Cu (0,3 um dick) nacheinander mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren zur Herstellung eines Metalldünnfilms beschichtet. Dann wurde ein Durchdringungsloch, das als elektrischer Verbindungsteil diente, in dem transparenten Substrat 1 durch eine Bohrung an der Stelle, wo die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 elektrisch zu verbinden waren, gebildet. Die Resistdruckfarbe wurde auf den Metalldünnfilm aufgetragen, welche die Fläche bedeckt, wo die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 nicht gebildet waren, so daß auf der Basis der Position dieses Durchdringungsloches die Metallelektrode 2 auf der ersten Hauptoberfläche gebildet wurde und die aggregierte Elektrode 3 auf der zweiten Hauptoberfläche gebildet wurde. Die Kupferschicht von etwa 0,3 um Dicke wurde auf der Innenwand des Durchdringungsloches durch stromloses Plattieren abgeschieden und außerdem wurde die Kupferschicht von etwa 5 um Dicke auf der Innenwand des Durchdringungsloches bereitgestellt und eine Fläche aus freiliegendem Metalldünnfilm wurde Elektro-plattiert. Diese Kupferschicht wurde eine erste Metallschicht der Metallelektrode.A PES film having a thickness of 50 µm was used as the transparent substrate 1, and on first and second main surfaces thereof, Cr (0.01 µm thick) and Cu (0.3 µm thick) were coated sequentially by a DC magnetron sputtering method to prepare a metal thin film. Then, a penetrating hole serving as an electrical connection part was formed in the transparent substrate 1 through a hole at the position where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were to be electrically connected. The resist ink was applied to the metal thin film covering the area where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were not formed, so that based on the position of this penetrating hole, the metal electrode 2 was formed on the first main surface and the aggregated electrode 3 was formed on the second main surface. The copper layer of about 0.3 µm thickness was deposited on the inner wall of the penetration hole by electroless plating and further the copper layer of about 5 µm thickness was provided on the inner wall of the penetration hole and an area of exposed metal thin film was electroplated. This copper layer became a first metal layer of the metal electrode.

Dann wurde durch Plattieren in einem Alkanolsulfonatbad eine Lötmetallschicht auf der ersten Metallschicht als eine zweite Metallschicht, zusammengesetzt aus Sn-Pb- Legierung von etwa 5 um Dicke gebildet. Danach wurde die Resistdruckfarbe entfernt, gefolgt von Entfernung von nicht er forderlichem Metall. Durch das vorstehende Verfahren wurden die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3, auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt, durch den elektrischen Verbindungsteil 20 elektrisch miteinander verbunden.Then, by plating in an alkanolsulfonate bath, a solder layer was formed on the first metal layer as a second metal layer composed of Sn-Pb alloy of about 5 µm thickness. Thereafter, the resist ink was removed, followed by removal of non- required metal. By the above process, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 provided on the transparent substrate 1 were electrically connected to each other through the electrical connection part 20.

Wärmehärtendes Harz, umfassend Silikonacrylat, wurde auf die erste Hauptoberfläche und um Fensterteil 7 und um die Metallelektrode 2 aufgetragen. Eine Vielzahl von lichtempfangenden LSI-Chips 13 mit Verbindungszuleitungen 13a wurden auf den vorbestimmten Metallelektroden 2 angeordnet, dann gehalten bei einer Temperatur von 150ºC für 5 Minuten unter dem Druck von 1 kgf/cm² zum Bonden der lichtempfangenden LSI- Chips 13 und der Metallelektroden 2, wobei gleichzeitig das Harz gehärtet wird. Im Ergebnis wurden keine Risse und Trennung in dem bindenden Teil nachgewiesen. Das Licht aus der Lichtquelle 12 wurde durch den Fensterteil 7 geleitet und bestrahlte ein Manuskript, das, zu der zweiten Hauptoberfläche weisend, bewegt wurde. Dann wurde das von dem Manuskript reflektierte Licht durch die lichtempfangenden LSI-Chips 13 detektiert und durch eine optische Lesevorrichtung gelesen. Im Ergebnis wurde das Lesen korrekt ausgeführt.Thermosetting resin comprising silicone acrylate was applied to the first main surface and around the window part 7 and the metal electrode 2. A plurality of light-receiving LSI chips 13 having connecting leads 13a were arranged on the predetermined metal electrodes 2, then held at a temperature of 150°C for 5 minutes under the pressure of 1 kgf/cm2 to bond the light-receiving LSI chips 13 and the metal electrodes 2 while curing the resin. As a result, no cracks and separation were detected in the bonding part. The light from the light source 12 was passed through the window part 7 and irradiated a manuscript which was moved facing the second main surface. Then, the light reflected from the manuscript was detected by the light-receiving LSI chips 13 and read by an optical reader. As a result, the reading was carried out correctly.

Beispiel 2:Example 2:

Eine optische Leiterplatte wurde, wie in Fig. 7 dargestellt, hergestellt. Diese Leiterplatte ist ähnlich jener, die in der ersten Ausführungsform gezeigt wurde, jedoch hat die Metallelektrode 2 einen Aufbau, bei dem eine erste Metallschicht 2a und eine zweite Metallschicht 2b auf dem transparenten Substrat 1 nacheinander gelegt sind. Außerdem wird auf der zweiten Metallschicht 2b eine Abdunkelungsschicht 5 bereitgestellt, mit der Ausnahme der Fläche, auf der die lichtempfangenden LSI-Chips 13 befestigt sind. Die Abdunkelungsschicht 5 wird auch auf dem Raum zwischen den benachbarten Metallelektroden 2 als eine Einheit mit der Abdunkelungsschicht 5 auf der Metallelektrode 2 bereitgestellt.An optical circuit board was manufactured as shown in Fig. 7. This circuit board is similar to that shown in the first embodiment, but the metal electrode 2 has a structure in which a first metal layer 2a and a second metal layer 2b are laid on the transparent substrate 1 in sequence. In addition, a darkening layer 5 is provided on the second metal layer 2b except for the area on which the light-receiving LSI chips 13 are mounted. The darkening layer 5 is also provided on the space between the adjacent metal electrodes 2 as a unit with the darkening layer 5 on the metal electrode 2.

Ein PEEK-Film von 50 um Dicke wurde als transparentes Substrat 1 verwendet und auf einer ersten und zweiten Haupt oberfläche davon wurden Cr (0,01 um Dicke) und Cu (0,3 um Dicke) nacheinander mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren zur Herstellung eines Metalldünnfilms beschichtet. Dann wurde Resistdruckfarbe auf den Metalldünnfilm aufgetragen, der die Fläche bedeckt, wo die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 nicht gebildet waren, so daß die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 auf der ersten bzw. zweiten Hauptoberfläche gebildet wurden. Ein Durchdringungsloch, das als ein elektrischer Verbindungsteil 20 diente, wurde in dem transparenten Substrat 1 mit einem Bohrer an der Position, wo die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 elektrisch miteinander zu verbinden waren, bereitgestellt. Die Kupferschicht von etwa 0,3 um Dicke wurde an der Innenwand des Durchdringungsloches durch stromloses Plattieren abgeschieden, und außerdem wurde die Kupferschicht von etwa 5 um Dicke auf der Innenwand des Loches und eine Fläche aus freiliegendem Metalldünnfilm durch Elektroplattieren bereitgestellt. Diese Kupferschicht bestand aus einer ersten Metallschicht von aggregierter Elektrode 3 und auch einer ersten Metallschicht 2a von Metallelektrode 2.A PEEK film of 50 µm thickness was used as transparent substrate 1 and deposited on a first and second main surface thereof, Cr (0.01 µm thick) and Cu (0.3 µm thick) were coated successively by a DC magnetron sputtering method to prepare a metal thin film. Then, resist ink was applied to the metal thin film covering the area where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were not formed, so that the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were formed on the first and second main surfaces, respectively. A penetrating hole serving as an electrical connection part 20 was provided in the transparent substrate 1 with a drill at the position where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were to be electrically connected to each other. The copper layer of about 0.3 µm thick was deposited on the inner wall of the penetrating hole by electroless plating, and further, the copper layer of about 5 µm thick was provided on the inner wall of the hole and an area of exposed metal thin film by electroplating. This copper layer consisted of a first metal layer of aggregated electrode 3 and also a first metal layer 2a of metal electrode 2.

Dann wurde durch Plattieren in einem Alkanolsulfonatbad auf der Kupferschicht eine Lötmetallschicht, bestehend aus Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke gebildet. Die zweite Metallschicht 2b der Metallelektrode 2 war aus dieser Lötmetallschicht zusammengesetzt. Danach wurde die Resistdruckfarbe entfernt, gefolgt von Entfernen von nicht erforderlichem Metall. Durch diesen vorstehenden Vorgang wurden die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt, elektrisch verbunden miteinander mit Hilfe des elektrischen Verbindungsteils 20.Then, a solder layer consisting of Sn-Pb alloy of about 5 µm thickness was formed on the copper layer by plating in an alkanol sulfonate bath. The second metal layer 2b of the metal electrode 2 was composed of this solder layer. Thereafter, the resist ink was removed, followed by removal of unnecessary metal. By the above operation, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were provided on the transparent substrate 1, electrically connected to each other by means of the electrical connecting part 20.

Anschließend wurde Abdunkelungsschicht 5 auf der ersten Hauptoberfläche durch Bedrucken, Erhitzen und Härten eines wärmehärtbaren Harzes, das ein schwarzes Pigment einschließt, in einer Weise gebildet, wenn der Fensterteil 7 dazwischen angeordnet wurde. Zu diesem Zeitpunkt wurde Abdunkelungsschicht 5 auf der Metallelektrode 2 gebildet und auf dem Raum zwischen jeder Metallelektrode 2. Außerdem wurde eine antistatische Schicht 6 mit Abdunkelungseigenschaft auf der zweiten Hauptoberfläche, so daß der Fensterteil eingeschlossen ist, durch Auftragen und Härten eines Gemisches aus wärmehärtbarem Harz mit Rußteilchen bereitgestellt. Der Oberflächenwiderstand dieser antistatischen Schicht 6 betrug 300 Ω/ und die Lichtdurchlässigkeit der Verdunkelungsschicht 5 betrug 1% oder weniger. Dann wurde UV-härtendes Urethanacrylharz aufgetragen und auf der zweiten Hauptoberfläche, die die aggregierte Elektrode 3 bedeckt, die antistatische Schicht 6 und der Fensterteil 7 zur Herstellung einer Schutzschicht 8 mit 10 um Dicke aufgetragen.Subsequently, darkening layer 5 was formed on the first main surface by printing, heating and curing a thermosetting resin including a black pigment in a manner when the window part 7 was interposed. At this time, darkening layer 5 was formed on the metal electrode 2 and deposited on the space between each metal electrode 2. In addition, an antistatic layer 6 having a darkening property was provided on the second main surface so as to enclose the window portion by applying and curing a mixture of thermosetting resin with carbon black particles. The surface resistance of this antistatic layer 6 was 300 Ω/ and the light transmittance of the darkening layer 5 was 1% or less. Then, UV-curing urethane acrylic resin was applied and coated on the second main surface covering the aggregated electrode 3, the antistatic layer 6 and the window portion 7 to prepare a protective layer 8 of 10 µm thickness.

Eine Vielzahl von lichtempfangenden LSI-Chips 13 mit Verbindungszuleitungen wurde auf der vorbestimmten Metallelektrode 2 angeordnet, dann gehalten bei einer Temperatur von 150ºC für 5 Minuten unter einem Druck von 5 kgf/cm² zum Bonden der lichtempfangenden LSI-Chips 13 und der Metallelektroden 2. Im Ergebnis wurden keine Risse und Abtrennungen in dem Bindungsteil nachgewiesen. Das Licht aus der Lichtquelle 12 wurde durch den Fensterteil 7 geleitet und bestrahlte ein Manuskript 14, das, zu der zweiten Hauptoberfläche weisend, bewegt wurde. Dann wurde das von dem Manuskript 14 reflektierte Licht durch die lichtempfangenden LSI-Chips 13 nachgewiesen und von einem optischen Leser gelesen. Im Ergebnis wurde bestätigt, daß das Lesen korrekt ausgeführt wurde.A plurality of light-receiving LSI chips 13 with connection leads were placed on the predetermined metal electrode 2, then held at a temperature of 150°C for 5 minutes under a pressure of 5 kgf/cm2 to bond the light-receiving LSI chips 13 and the metal electrodes 2. As a result, no cracks and separations were detected in the bonding part. The light from the light source 12 was passed through the window part 7 and irradiated a manuscript 14 which was moved facing the second main surface. Then, the light reflected from the manuscript 14 was detected by the light-receiving LSI chips 13 and read by an optical reader. As a result, it was confirmed that the reading was carried out correctly.

Beispiel 3:Example 3:

Eine optische Leiterplatte wurde, wie in Fig. 8 dargestellt, hergestellt. Diese Leiterplatte ist ähnlich jener, die in Fig. 7 von Beispiel 2 dargestellt wurde, hat allerdings einen Aufbau, bei dem eine Abdunkelungsschicht 5a in der zweiten Hauptoberfläche in einer Weise bereitgestellt wird, so daß ein Fensterteil 7 eingeschlossen ist und eine transparente, antistatische Schicht 6a außerdem so bereitgestellt ist, daß sie die Abdunkelungsschicht 5a und den Fen sterteil 7 bedeckt. Eine Schutzschicht 8 wird nur oberhalb antistatischer Schicht 6a, ohne die Fläche einzuschließen, wo die aggregierte Elektrode 3 bereitgestellt ist, bereitgestellt.An optical circuit board was manufactured as shown in Fig. 8. This circuit board is similar to that shown in Fig. 7 of Example 2, but has a structure in which a darkening layer 5a is provided in the second main surface in a manner to enclose a window portion 7 and a transparent antistatic layer 6a is further provided so as to cover the darkening layer 5a and the window portion 7. ster part 7. A protective layer 8 is provided only above antistatic layer 6a, without including the area where aggregated electrode 3 is provided.

Ein PES-Film von 25 um Dicke wurde als transparentes Substrat 1 verwendet und auf einer ersten und zweiten Hauptoberfläche davon wurde ein Cu-Film mit 0,3 um Dicke mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren gebildet. Dann wurde in derselben Weise wie in den vorstehenden Beispielen die Resistdruckfarbe auf einen Metalldünnfilm aufgetragen, der die Fläche bedeckt, wo eine Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 nicht gebildet wurde. Ein Durchdringungsloch, das als elektrischer Anschlußteil 20 diente, wurde in dem transparenten Substrat 1 mit einem Perforator an der Position, wo die Metallelektrode 2 und eine aggregierte Elektrode 3 elektrisch zu verbinden sind, gebildet. Die Kupferschicht von etwa 0,3 um Dicke wurde auf der Innenwand des Durchdringungsloches durch stromloses Plattieren zum elektrischen Verbinden der dünnen Kupferfilme auf der ersten und zweiten Hauptoberfläche miteinander abgeschieden. Außerdem wurde die Kupferschicht von etwa 5 um Dicke durch Elektroplattieren auf der Innenwand des Loches und einer Fläche mit freiliegendem, dünnem Kupferfilm bereitgestellt. Diese Kupferschicht machte eine erste Metallschicht von der aggregierten Elektrode 3 und auch eine erste Metallschicht 2a der Metallelektrode 2 aus.A PES film of 25 µm thick was used as the transparent substrate 1, and on a first and second main surface thereof, a Cu film of 0.3 µm thick was formed by a DC magnetron sputtering method. Then, in the same manner as in the above examples, the resist ink was applied to a metal thin film covering the area where a metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were not formed. A penetrating hole serving as an electrical connecting part 20 was formed in the transparent substrate 1 with a perforator at the position where the metal electrode 2 and an aggregated electrode 3 are to be electrically connected. The copper layer of about 0.3 µm thick was deposited on the inner wall of the penetrating hole by electroless plating to electrically connect the copper thin films on the first and second main surfaces to each other. In addition, the copper layer of about 5 µm thickness was provided by electroplating on the inner wall of the hole and an area with exposed thin copper film. This copper layer constituted a first metal layer of the aggregated electrode 3 and also a first metal layer 2a of the metal electrode 2.

Anschließend, nachdem der Resist entfernt wurde und nacheinander der nicht erforderliche, dünne Kupferfilm entfernt wurde, wurde eine Lötmetallschicht, bestehend aus Sn- Pb-Legierung von etwa 2 um Dicke, auf der Kupferschicht durch ein Substitutionsplattierverfahren gebildet. Eine zweite Metallschicht 2b der Metallelektrode 2 wurde aus diesem Lötmetall zusammengesetzt. Somit wurden die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellt.Subsequently, after the resist was removed and the unnecessary thin copper film was removed one after another, a solder layer consisting of Sn-Pb alloy of about 2 µm in thickness was formed on the copper layer by a substitution plating method. A second metal layer 2b of the metal electrode 2 was composed of this solder. Thus, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were provided on the transparent substrate 1.

Anschließend wurde die Abdunkelungsschicht 5, 5a auf sowohl der ersten als auch der zweiten Hauptoberfläche durch Bedrucken, Erhitzen und Härten des wärmehärtenden Harzes, welches ein schwarzes Pigment einschließt, gebildet in einer Weise, wie der Fensterteil 7 dazwischen angeordnet wurde. Die Abdunkelungsschicht 5 wurde auf der Metallelektrode 2 und auf dem Raum zwischen jeder Metallelektrode 2 gebildet. Die Lichtdurchlässigkeit dieser Abdunkelungsschichten betrug 1% oder weniger. Außerdem wurde eine durchsichtige und leitfähige antistatische Schicht 6 auf der zweiten Hauptoberflächenseite so bereitgestellt, daß sie sowohl Fensterteil 7 als auch Abdunkelungsschicht 5a bedeckt, durch Auftragen und Härten der Harz-einschließenden Teilchen von Zinnoxid. Der Oberflächenwiderstand dieser antistatischen Schicht 6 betrug 500 Ω/ . Dann wurde UV-härtendes Urethanacrylharz aufgetragen und in einer Weise gehärtet, daß die antistatische Schicht 6 bedeckt ist zur Bildung einer Schutzschicht 8 von 10 um Dicke.Subsequently, the darkening layer 5, 5a was applied to both the first and the second main surface by Printing, heating and curing the thermosetting resin enclosing a black pigment formed in such a manner as to interpose the window portion 7. The darkening layer 5 was formed on the metal electrode 2 and on the space between each metal electrode 2. The light transmittance of these darkening layers was 1% or less. In addition, a transparent and conductive antistatic layer 6 was provided on the second main surface side so as to cover both the window portion 7 and the darkening layer 5a by applying and curing the resin-enclosing particles of tin oxide. The surface resistance of this antistatic layer 6 was 500 Ω/ . Then, UV-curing urethane acrylic resin was applied and cured in such a manner as to cover the antistatic layer 6 to form a protective layer 8 of 10 µm in thickness.

Dann wurden durch Halten der vorstehenden Leiterplatte bei einer Temperatur von 150ºC für 30 Sekunden unter dem Druck von 5 kgf/cm² der lichtempfangende LSI-Chip 13 und die Metallelektrode 2 miteinander verbunden. Im Ergebnis wurden keine Risse und Abtrennungen in dem Verbindungsbereich nachgewiesen und es wurde bestätigt, daß das Lesen als ein optischer Lesesensor korrekt ausgeführt wurde.Then, by holding the above circuit board at a temperature of 150°C for 30 seconds under the pressure of 5 kgf/cm², the light receiving LSI chip 13 and the metal electrode 2 were bonded together. As a result, no cracks and separations were detected in the bonding portion, and it was confirmed that the reading was correctly carried out as an optical reading sensor.

Beispiel 4:Example 4:

Eine Leiterplatte wurde hergestellt, die denselben Aufbau wie jener, gezeigt in Fig. 7 von Beispiel 2, hatte. Auf einer ersten und zweiten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1, hergestellt aus einem Capton V-Film mit 25 um Dicke, wurde ein dünner Kupferfilm mit 1 um Dicke durch ein Ionenverdampfung-Dünnfilmherstellungsverfahren gebildet und ein Durchdringungsloch, das als ein elektrischer Verbindungsteil dient, wurde auf dem transparenten Substrat 1 gebildet. Dann wurde die Resistdruckfarbe auf den dünnen Kupferfilm aufgetragen, der die Fläche bedeckte, wo eine Metallelektrode 2 und eine aggregierte Elektrode 3 nicht gebildet waren. Die Kupferschicht von etwa 0,3 um Dicke wurde auf der Innenwand des Durchdringungsloches durch stromloses Plattieren abgeschieden und die Kupferschicht von etwa 10 um Dicke wurde durch Elektroplattieren auf der Innenwand des Loches und eine Fläche mit einem freiliegenden, dünnen Kupferfilm bereitgestellt. Diese Kupferschicht machte die aggregierte Elektrode 3 und auch eine erste Metallschicht 2a der Metallelektrode 2 aus. Nachdem eine Nickelschicht von 1 um Dicke auf der Kupferschicht (erste Metallschicht 2a) auf der ersten Hauptoberflächenseite gebildet war, wurde eine Goldschicht von 1 um Dicke durch Goldplattieren zur Herstellung einer zweiten Metallschicht 2b auf der Metallelektrode 2 bereitgestellt. Somit wurden die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3, durch einen auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellten elektrischen Verbindungsteil 20 verbunden.A printed circuit board was manufactured having the same structure as that shown in Fig. 7 of Example 2. On a first and second main surface of the transparent substrate 1 made of a Capton V film of 25 µm thickness, a thin copper film of 1 µm thickness was formed by an ion evaporation thin film forming method, and a penetrating hole serving as an electrical connection part was formed on the transparent substrate 1. Then, the resist ink was applied to the thin copper film covering the area where a metal electrode 2 and an aggregated electrode 3 were not formed. The copper layer of about 0.3 µm thick was deposited on the inner wall of the penetration hole by electroless plating, and the copper layer of about 10 µm thick was provided by electroplating on the inner wall of the hole and an area with an exposed thin copper film. This copper layer constituted the aggregated electrode 3 and also a first metal layer 2a of the metal electrode 2. After a nickel layer of 1 µm thick was formed on the copper layer (first metal layer 2a) on the first main surface side, a gold layer of 1 µm thick was provided by gold plating to form a second metal layer 2b on the metal electrode 2. Thus, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were connected by an electrical connection part 20 provided on the transparent substrate 1.

Anschließend wurde die Verdunkelungsschicht 5 auf der ersten Hauptoberfläche durch Bedrucken und Härten des UV- härtenden, gefärbten Harzes Raycure 4200 (Jujo Kako Inc.) gebildet, so daß Fensterteil 7 definiert ist. Außerdem wurde auf der zweiten Hauptoberflächenseite das wärmehärtende Harz (Misui Toatsu Chemicals Inc.; Structbond 920), einschließlich Rußteilchen, aufgetragen, so daß Fensterteil 7 definiert ist und wärmegehärtet und somit eine antistatische Schicht 6 mit Lichtabdunkelungseigenschaft gebildet. Der Oberflächenwiderstand dieser antistatischen Schicht 6 betrug 300 Ω/ und ihre Lichtdurchlässigkeit betrug 1% oder weniger. Dann wurde UV-härtendes Urethanacrylharz aufgetragen und auf der zweiten Hauptoberfläche in einer Weise gehärtet, daß es die aggregierte Elektrode 3, die antistatische Schicht 6 und den Fensterteil 7 unter Herstellung einer Schutzschicht 8 von 10 um Dicke bedeckte.Then, the darkening layer 5 was formed on the first main surface by printing and curing the UV-curing colored resin Raycure 4200 (Jujo Kako Inc.) so that the window part 7 is defined. Furthermore, on the second main surface side, the thermosetting resin (Misui Toatsu Chemicals Inc.; Structbond 920) including carbon black particles was applied so that the window part 7 is defined and heat-cured, thus forming an antistatic layer 6 having a light darkening property. The surface resistance of this antistatic layer 6 was 300 Ω/ and its light transmittance was 1% or less. Then, UV-curing urethane acrylic resin was applied and cured on the second main surface in a manner that it covered the aggregated electrode 3, the antistatic layer 6 and the window part 7 to prepare a protective layer 8 of 10 µm thickness.

Durch Preßbonding von lichtempfangenden LSI-Chips 13 mit Al-Zuleitungen auf Metallelektrode 2 bei Temperaturen von 200ºC für 30 Sekunden wurden die lichtempfangenden LSI-Chips 13 auf der Leiterplatte befestigt. Im Ergebnis gab es keine Risse und keine Abtrennung auf dem verbundenen Teil. Durch Befestigen der Leiterplatte, befestigt mit den lichtempfangenden LSI-Chips für die optische Lesevorrichtung, wurde sie getestet. Im Ergebnis wurde zufriedenstellend bestätigt, daß die optische Lesevorrichtung die Daten korrekt lesen kann.By press-bonding light-receiving LSI chips 13 with Al leads to metal electrode 2 at temperatures of 200ºC for 30 seconds, the light-receiving LSI chips 13 were fixed on the circuit board. As a result, there were no cracks and no separation on the bonded part. By After mounting the circuit board mounted with the light receiving LSI chips for the optical reader, it was tested. As a result, it was satisfactorily confirmed that the optical reader can read the data correctly.

Beispiel 5:Example 5:

Eine Leiterplatte wurde hergestellt mit demselben Aufbau wie in Fig. 7 der Ausführungsform 2 gezeigt, jedoch wurde keine Verdunkelungsschicht auf einer zweiten Metallschicht einer Metallelektrode 2 bereitgestellt. Eine Kupferfolie von 18 um Dicke wurde zunächst mit einer schwarz färbenden Behandlung, aufgetragen auf beide Oberflächen davon, behandelt und dann ein PES-Film von 10 um Dicke auf einer Seite davon durch ein Gießverfahren gebildet. Dieser PES-Film machte ein transparentes Substrat 1 aus und die Kupferfolienoberfläche machte eine zweite Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 aus. Anschließend wurde eine dünne Kupferschicht von 0,3 um Dicke auf einer ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 gebildet, das heißt, auf der Oberfläche, auf der die Kupferfolie nicht bereitgestellt wurde, mit Hilfe eines DC-Magnetron-Sputterverfahrens.A circuit board was manufactured having the same construction as shown in Fig. 7 of Embodiment 2, but no darkening layer was provided on a second metal layer of a metal electrode 2. A copper foil of 18 µm thick was first treated with a black coloring treatment applied to both surfaces thereof, and then a PES film of 10 µm thick was formed on one side thereof by a casting method. This PES film constituted a transparent substrate 1 and the copper foil surface constituted a second main surface of the transparent substrate 1. Subsequently, a thin copper layer of 0.3 µm thick was formed on a first main surface of the transparent substrate 1, that is, on the surface on which the copper foil was not provided, by means of a DC magnetron sputtering method.

Dann wurde sowohl auf der ersten als auch auf der zweiten Hauptoberfläche die Resistdruckfarbe auf die Kupferfolie und die dünne Kupferfolie, die die Fläche, welche nicht die Fläche ist, auf der die Metallelektrode 2, eine aggregierte Elektrode 3 und eine Abdunkelungsschicht 5 gebildet wurden, ist, aufgetragen. Außerdem wurde auf den dünnen Kupferfilm auf der ersten Hauptoberfläche eine Lötmetallschicht, bestehend aus Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke, durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad bereitgestellt. Diese Lötmetallschicht machte eine zweite Metallschicht 2b der Metallelektrode 2 und auch eine zweite Schicht der Abdunkelungsschicht 5 aus. Durch Ätzen der Kupferfolie auf der zweiten Hauptoberflächenseite wurde die aggregierte Elektrode 3 und eine antistatische Schicht 6 gebildet. In diesem Bei spiel 5 war die antistatische Schicht 6 durch eine Kupferfolie aufgebaut. Die Resistdruckfarbe wurde dann entfernt.Then, on both the first and second main surfaces, the resist ink was applied to the copper foil and the thin copper foil which is the surface other than the surface on which the metal electrode 2, an aggregated electrode 3 and a darkening layer 5 were formed. In addition, on the thin copper film on the first main surface, a solder layer consisting of Sn-Pb alloy of about 5 µm in thickness was provided by electroplating in an alkanolsulfonate bath. This solder layer constituted a second metal layer 2b of the metal electrode 2 and also a second layer of the darkening layer 5. By etching the copper foil on the second main surface side, the aggregated electrode 3 and an antistatic layer 6 were formed. In this case In example 5, the antistatic layer 6 was built up using a copper foil. The resist printing ink was then removed.

Anschließend wurden eine Heizelektrode und eine Schweißelektrode an der Position kontaktiert, wo die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 elektrisch verbunden wurden, wodurch sich ein elektrischer Verbindungsteil 20 bildete, der zwischen den Hauptoberflächen verband. Außerdem wurde ein UV-härtbares Urethanacrylharz aufgetragen und auf der zweiten Hauptoberflächenseite in einer Weise gehärtet, daß es die aggregierte Elektrode 3, die antistatische Schicht 6 und einen Fensterteil 7 bedeckte und somit eine Schutzschicht 8 von 15 um Dicke bildete.Subsequently, a heating electrode and a welding electrode were contacted at the position where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were electrically connected, thereby forming an electrical connection part 20 connecting between the main surfaces. Furthermore, a UV-curable urethane acrylic resin was applied and cured on the second main surface side in a manner that it covered the aggregated electrode 3, the antistatic layer 6 and a window part 7, thus forming a protective layer 8 of 15 µm in thickness.

Die lichtempfangende LSI-Chips 13 mit Zuleitungen und die Metallelektroden 2 wurden durch Preßbonding unter der Bedingung von 5 kgf/cm², 200ºC und 30 Sekunden verbunden. Keine Risse und Trennung wurden in dem Verbindungsteil nachgewiesen. Es wurde außerdem bestätigt, daß die optische Lesevorrichtung mit der befestigten Leiterplatte mit der vorstehenden Vorrichtung normal zum Lesen arbeitete.The light receiving LSI chips 13 with leads and the metal electrodes 2 were connected by press bonding under the condition of 5 kgf/cm², 200ºC and 30 seconds. No cracks and separation were detected in the connection part. It was also confirmed that the optical reading device with the circuit board attached with the above device operated normally for reading.

Beispiel 6:Example 6:

Eine Leiterplatte, dargestellt in Fig. 9, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hatte einen Aufbau, umfassend eine Linse, bereitgestellt durch Ankleben einer SelfocTM Linse (ein Stablinsenarray) 17 auf die zweite Hauptoberflächenseite des transparenten Substrats 1 durch eine Klebstoffschicht 9 der Leiterplatte, veranschaulicht in Fig. 6 von Beispiel 1. Zusätzlich zu dem wurde eine Verdunkelungsschicht 5 aus wärmehärtbarem Harz, das ein schwarzes Pigment einschloß, auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 bereitgestellt, so daß der Fensterteil 7 definiert wurde, einschließlich der Abdunkelungsschicht 5, bereitgestellt auf der zweiten Metallschicht 2b. Für die Klebstoffschicht 9 wurde UV-härtbares Acrylatharz verwendet. Die Linse 17 wurde entsprechend dem Fensterteil 7 positioniert. Nach Befestigen einer Vielzahl von lichtempfangenden LSI-Chips in der Weise wie in Fig. 1 wurde ein Lesetest ausgeführt und bestätigt, daß das Ergebnis zufriedenstellend war.A circuit board shown in Fig. 9 was manufactured. This circuit board had a structure including a lens provided by adhering a Selfoc™ lens (a rod lens array) 17 to the second main surface side of the transparent substrate 1 through an adhesive layer 9 of the circuit board illustrated in Fig. 6 of Example 1. In addition to that, a darkening layer 5 made of thermosetting resin including a black pigment was provided on the first main surface of the transparent substrate 1 so that the window part 7 was defined including the darkening layer 5 provided on the second metal layer 2b. For the adhesive layer 9, UV-curable acrylate resin was used. The lens 17 was positioned corresponding to the window part 7. After mounting a plurality of light-receiving LSI chips in A reading test was carried out in the manner shown in Fig. 1 and it was confirmed that the result was satisfactory.

Beispiel 7:Example 7:

Eine optische Leiterplatte wurde wie in Fig. 10 dargestellt gefertigt. Diese Leiterplatte war ähnlich jener, die in der ersten Ausführungsform gezeigt wurde, jedoch ohne Schutzschicht darauf bereitgestellt. Eine Metallelektrode 2, eine aggregierte Elektrode 3, eine Verdunkelungsschicht 5 und eine antistatische Schicht 6 hatten jeweils eine laminierte Struktur von zwei Metallschichten und eine gering reflektierende Schicht 4 mit geringem Lichtreflexionsvermögen wurde zwischen der unteren Metallschicht und dem transparenten Substrat 1 angeordnet.An optical circuit board was manufactured as shown in Fig. 10. This circuit board was similar to that shown in the first embodiment, but provided without a protective layer thereon. A metal electrode 2, an aggregated electrode 3, a darkening layer 5 and an antistatic layer 6 each had a laminated structure of two metal layers, and a low-reflective layer 4 having low light reflectance was disposed between the lower metal layer and the transparent substrate 1.

Ein PES-Film von 50 um Dicke wurde als transparentes Substrat 1 verwendet und auf einer ersten und zweiten Hauptoberfläche davon wurde eine schwarze Nickeloxidschicht von 0,1 um Dicke als geringe Reflexionsschicht 4 mit einem DC- Magnetron-Sputterverfahren gebildet, gefolgt von einem dünnen Kupferfilm von 0,5 um Dicke, gebildet auf der vorstehend genannten unteren Reflexionsschicht 4 durch dasselbe Verfahren.A PES film of 50 µm thick was used as a transparent substrate 1, and on first and second main surfaces thereof, a black nickel oxide layer of 0.1 µm thick was formed as a low reflection layer 4 by a DC magnetron sputtering method, followed by a thin copper film of 0.5 µm thick formed on the above-mentioned lower reflection layer 4 by the same method.

Dann wurde eine Maske zum Schutz über die gesamte zweite Hauptoberfläche gelegt. Ein Resistharz wurde auf die erste Hauptoberfläche mit einem Muster, entsprechend der Metallelektrode 2 und der Verdunkelungsschicht 5, gedruckt und dann eine Kupferschicht von 5 um Dicke durch Elektroplattieren gebildet. Der dünne Kupferfilm und diese Kupferschicht bauten eine erste Metallschicht 2a auf. Dann wurde durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad eine zweite Metallschicht 2b, umfassend eine Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke, auf der ersten Metallschicht gebildet. Danach wurde Resistdruckfarbe entfernt und anschließend davon das nicht erforderliche Nickeloxid und der dünne Kupferfilm durch Blitzätzen entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden die Metallelektrode 2 und die Verdunkelungsschicht 5 in einer Weise zur Definition des Fensterteils 7 bereitge stellt. Außerdem wurden äußere Verbindungszuleitungen zusammen mit der Bildung von der Metallelektrode 2 gebildet.Then, a mask was placed over the entire second main surface for protection. A resist resin was printed on the first main surface with a pattern corresponding to the metal electrode 2 and the darkening layer 5, and then a copper layer of 5 µm thick was formed by electroplating. The thin copper film and this copper layer constituted a first metal layer 2a. Then, a second metal layer 2b comprising a Sn-Pb alloy of about 5 µm thick was formed on the first metal layer by electroplating in an alkanolsulfonate bath. Thereafter, resist ink was removed, and then unnecessary nickel oxide and the thin copper film were removed therefrom by flash etching. By the above-mentioned operation, the metal electrode 2 and the darkening layer 5 were prepared in a manner for defining the window part 7. In addition, external connecting leads were formed along with the formation of the metal electrode 2.

Anschließend wurde eine Maske zum Schutz auf die erste Hauptoberfläche gelegt, die Maske auf der zweiten Hauptoberfläche wurde entfernt und das Resistharz wurde auf die zweite Hauptoberfläche auf die Fläche, auf der die aggregierte Elektrode 3 und die antistatische Schicht 6 nicht gebildet wurden, gedruckt. Danach wurde die Lötmetallschicht durch Elektroplattieren gebildet und der Resist wurde entfernt und dann nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm entfernt zur Herstellung der aggregierten Elektrode 3 und die antistatische Schicht 6, welche eine Abdunkelungseigenschaft hatte, zur Definition des Fensterteils 7 bereitgestellt. Die aggregierte Elektrode 3 hatte eine erste Metallschicht 3a auf dem transparenten Substrat 1 Seite davon, umfassend einen dünnen Kupferfilm, und eine Lötmetallschicht wurden auf der ersten Metallschicht 3a als zweite Metallschicht 3b gestapelt. Das Reflexionsvermögen der unteren Reflexionsschicht 4, bestehend aus dem Nickeloxid, betrug 29%.Subsequently, a mask for protection was placed on the first main surface, the mask on the second main surface was removed, and the resist resin was printed on the second main surface on the area where the aggregated electrode 3 and the antistatic layer 6 were not formed. After that, the solder layer was formed by electroplating and the resist was removed, and then unnecessary nickel oxide and thin copper film were removed to prepare the aggregated electrode 3 and the antistatic layer 6 having a darkening property was provided for defining the window part 7. The aggregated electrode 3 had a first metal layer 3a on the transparent substrate 1 side thereof comprising a thin copper film, and a solder layer were stacked on the first metal layer 3a as a second metal layer 3b. The reflectance of the lower reflection layer 4 composed of the nickel oxide was 29%.

Ein elektrischer Anschlußteil 20 wurde durch Widerstandsschweißen gebildet und somit wurden die Metallelektrode 2 und der äußere Verbindungsanschluß elektrisch mit der aggregierten Elektrode 3 verbunden, wodurch die optische Leiterplatte vollständig war.An electrical connection part 20 was formed by resistance welding, and thus the metal electrode 2 and the external connection terminal were electrically connected to the aggregated electrode 3, whereby the optical circuit board was completed.

Lichtempfangende LSI-Chips 13 zum Lesen, welche Verbindungszuleitungen hatten, wurden mit der Leiterplatte unter der Bedingung von 170ºC, gehalten für 3 Minuten, verbunden und in derselben Weise wurden der äußere Verbindungsanschluß und eine äußere Treiberleiterplatte verbunden. In diesem Fall wurden keine Risse und Abtrennung in den Verbindungsteilen nachgewiesen. Das Licht aus der Lichtquelle 12 wurde durch den Fensterteil 7 geleitet und bestrahlte ein Manuskript 14, das zur zweiten Hauptoberfläche weisend bewegt wurde. Nachweis der Lichtreflexion aus dem Manuskript mit den lichtempfangenden LSI-Chips 13; das Licht wurde mit einer optischen Lesevorrichtung gelesen. Im Ergebnis wurde bestätigt, daß die Leseaktivität angemessen ausgeführt wurde.Light receiving LSI chips 13 for reading, which had connection leads, were connected to the circuit board under the condition of 170°C held for 3 minutes, and in the same manner, the external connection terminal and an external driver circuit board were connected. In this case, no cracks and separation were detected in the connection parts. The light from the light source 12 was passed through the window part 7 and irradiated a manuscript 14 moved facing the second main surface. Detection of light reflection from the manuscript with the light receiving LSI chips 13; the light was detected with an optical reading device. The result confirmed that the reading activity was carried out appropriately.

Beispiel 8:Example 8:

Eine in Fig. 10 dargestellte Leiterplatte wurde in derselben Weise wie in Beispiel 7 hergestellt. Mit Bezug auf das Herstellungsverfahren einer Metallelektrode 2 und einer Abdunkelungsschicht 5, gebildet auf einer ersten Hauptoberfläche, wurde der Vorgang zur Herstellung einer Kupferschicht durch Elektroplattieren allerdings fortgelassen. Insbesondere wurde eine erste Metallschicht 2a der Metallelektrode 2, zusammengesetzt aus nur einem dünnen Kupferfilm, durch ein DC- Magnetron-Sputterverfahren gebildet.A circuit board shown in Fig. 10 was manufactured in the same manner as in Example 7. However, with respect to the manufacturing process of a metal electrode 2 and a darkening layer 5 formed on a first main surface, the process of forming a copper layer by electroplating was omitted. Specifically, a first metal layer 2a of the metal electrode 2 composed of only a thin copper film was formed by a DC magnetron sputtering method.

Lichtempfangende LSI-Chips 13 zum Lesen mit Verbindungszuleitungen wurden an die so hergestellte Leiterplatte unter der Bedingung von 170ºC, gehalten für 3 Minuten, verbunden und in derselben Weise wurden der äußere Verbindungsanschluß und die äußere Treiberleiterplatte verbunden. In diesem Fall wurden keine Risse und Abtrennungen in den Verbindungsteilen nachgewiesen. Das Licht aus einer Lichtquelle 12 wurde durch einen Fensterteil 7 geleitet und bestrahlte ein Manuskript 14, das zur zweiten Hauptoberfläche weisend bewegt wurde. Beim Nachweis des Lichts, reflektiert aus dem Manuskript mit den lichtempfangenden LSI-Chips 13; wurde das Licht von einer optischen Lesevorrichtung gelesen. Im Ergebnis wurde korrektes optisches Lesen bestätigt.Light receiving LSI chips 13 for reading with connection leads were connected to the thus prepared circuit board under the condition of 170°C held for 3 minutes, and in the same way, the external connection terminal and the external driver circuit board were connected. In this case, no cracks and separations were detected in the connection parts. The light from a light source 12 was passed through a window part 7 and irradiated a manuscript 14 which was moved facing the second main surface. Upon detecting the light reflected from the manuscript with the light receiving LSI chips 13; the light was read by an optical reading device. As a result, correct optical reading was confirmed.

Beispiel 9:Example 9:

Eine optische Leiterplatte wurde wie in Fig. 11 dargestellt gefertigt. Diese Leiterplatte ist ähnlich jener, die in Fig. 10 dargestellt ist, weicht jedoch von der in Fig. 10 dargestellten Leiterplatte dadurch ab, daß eine aggregierte Elektrode 3 und eine antistatische Schicht 6 aus nur einer Kupferfolie, deren beide Oberflächen schwarzfärbend behandelt sind, zusammengesetzt sind und außerdem wurde eine transparente Schutzschicht 8 auf einer zweiten Hauptoberfläche be reitgestellt, so daß sie ein Fensterteil 7 und die antistatische Schicht 6 bedeckt.An optical circuit board was manufactured as shown in Fig. 11. This circuit board is similar to that shown in Fig. 10, but differs from the circuit board shown in Fig. 10 in that an aggregated electrode 3 and an antistatic layer 6 are composed of only one copper foil, both surfaces of which are treated to be blackened, and furthermore a transparent protective layer 8 is formed on a second main surface. so that it covers a window part 7 and the antistatic layer 6.

Eine Kupferfolie mit einer Dicke von 18 um wurde, zuerst mit einer schwarz färbenden Behandlung, aufgetragen auf die beiden Seiten davon, behandelt und dann wurde ein PES- Film mit einer Dicke von 10 um auf einer Seite davon durch ein Gießverfahren gebildet. Dieser PES-Film machte ein transparentes Substrat 1 aus und die mit Kupferfolie versehene Oberfläche machte die zweite Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 aus. Anschließend wurden eine schwarze Nickeloxidschicht (gering reflektierende Schicht 4) von 0,1 um Dicke und eine dünne Kupferschicht von 0,3 um Dicke nacheinander auf einer ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren aufgetragen. Dieser dünne Kupferfilm war eine erste Metallschicht 2a der Metallelektrode 2.A copper foil having a thickness of 18 µm was first treated with a black coloring treatment applied to both sides thereof, and then a PES film having a thickness of 10 µm was formed on one side thereof by a casting method. This PES film constituted a transparent substrate 1, and the copper foil-coated surface constituted the second main surface of the transparent substrate 1. Then, a black nickel oxide layer (low-reflective layer 4) of 0.1 µm thick and a thin copper layer of 0.3 µm thick were sequentially deposited on a first main surface of the transparent substrate 1 by a DC magnetron sputtering method. This thin copper film was a first metal layer 2a of the metal electrode 2.

Dann wurde eine Maske zum Schutz über die gesamte Kupferfläche der zweiten Hauptoberfläche gelegt. Ein Resistharz wurde auf die erste Hauptoberfläche mit einem Muster, entsprechend der Metallelektrode 2 und der Verdunkelungsschicht 5, aufgedruckt. Dann wurde durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad eine Lötmetallschicht, umfassend Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke, auf der dünnen Kupferschicht gebildet. Diese Lötmetallschicht war eine zweite Metallschicht 2b der Metallelektrode 2. Dann wurde die Resistdruckfarbe entfernt und danach das nicht erforderliche Nickeloxid und die dünne Kupferfolie entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden die Metallelektrode 2 und die Abdunkelungsschicht 5 bereitgestellt.Then, a mask for protection was placed over the entire copper area of the second main surface. A resist resin was printed on the first main surface with a pattern corresponding to the metal electrode 2 and the darkening layer 5. Then, a solder layer comprising Sn-Pb alloy of about 5 µm in thickness was formed on the thin copper layer by electroplating in an alkanolsulfonate bath. This solder layer was a second metal layer 2b of the metal electrode 2. Then, the resist ink was removed, and thereafter, the unnecessary nickel oxide and the thin copper foil were removed. By the above-mentioned operation, the metal electrode 2 and the darkening layer 5 were provided.

Anschließend wurde eine Maske zum Schutz auf die erste Hauptoberfläche gelegt und die Maske auf der zweiten Hauptoberfläche wurde entfernt, dann wurde das Resistharz auf die zweite Hauptoberfläche und die Fläche, wo die aggregierte Elektrode 3 und die antistatische Schicht 6 nicht gebildet wurden, gedruckt. Danach wurde die Kupferfolie durch Ätzen verarbeitet und der Resist wurde zur Bildung der aggregierten Elektrode 3 und der antistatischen Schicht 6 mit Verdunkelungseigenschaft entfernt. Da die aggregierte Elektrode 3 und die antistatische Schicht 6 jeweils aus einer Kupferfolie, die schwarz gefärbt behandelt war, auf beiden Seiten davon bestand, wurde die gering reflektierende Schicht 4 an der Verbindung zwischen der aggregierten Elektrode 3 oder der antistatischen Schicht 6 und dem transparenten Substrat 1, und auf der Oberfläche des Substrats, welche auf der Seite des Manuskripts 14 war, bereitgestellt.Subsequently, a mask for protection was placed on the first main surface and the mask on the second main surface was removed, then the resist resin was printed on the second main surface and the area where the aggregated electrode 3 and the antistatic layer 6 were not formed. After that, the copper foil was processed by etching and the resist was applied to form the aggregated Electrode 3 and the antistatic layer 6 having darkening property were removed. Since the aggregated electrode 3 and the antistatic layer 6 each consisted of a copper foil treated to be black colored on both sides thereof, the low reflection layer 4 was provided at the junction between the aggregated electrode 3 or the antistatic layer 6 and the transparent substrate 1, and on the surface of the substrate which was on the side of the manuscript 14.

Danach wurden eine Heizelektrode und ein Schweißelektrodenkopf mit der Position kontaktiert, wo die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 verbunden waren, zur Ausführung von Widerstandsheizen, wodurch ein elektrischer Verbindungsteil 20 gebildet wurde, der zwischen diesen Elektroden verband. Außerdem wurde ein UV-härtbares Urethanacrylharz aufgetragen und auf der zweiten Hauptoberflächenseite in einer Weise gehärtet, daß es den Fensterteil 7 und die antistatische Schicht 6 bedeckte und somit eine Schutzschicht 8 von 25 um Dicke bildete.Thereafter, a heating electrode and a welding electrode head were contacted to the position where the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were connected to carry out resistance heating, thereby forming an electrical connection part 20 connecting between these electrodes. In addition, a UV-curable urethane acrylic resin was applied and cured on the second main surface side in a manner that it covered the window part 7 and the antistatic layer 6, thus forming a protective layer 8 of 25 µm in thickness.

Halbleiter-lichtempfangende LSI-Chips 13 mit Anschlüssen und die Metallelektroden 2 wurden durch Pressen verbunden und unter der Bedingung von 5 kgf/cm², 150ºC, gehalten für 5 Minuten, erhitzt. Keine Risse und Abtrennung wurde in dem Verbindungsteil nachgewiesen. Durch Ausführen des Lesetests wurde bestätigt, daß Lesen normal ausgeführt wurde.Semiconductor light receiving LSI chips 13 with terminals and the metal electrodes 2 were connected by press and heated under the condition of 5 kgf/cm², 150ºC, held for 5 minutes. No cracks and separation were detected in the connection part. By performing the reading test, it was confirmed that reading was normally performed.

Beispiel 10:Example 10:

Eine optische Leiterplatte wurde mit demselben Aufbau, wie in Fig. 10 von Beispiel 7 gezeigt, hergestellt. Auf einer ersten und einer zweiten Hauptoberfläche eines transparenten Substrats 1, das uniaxial gezogene PEEK-Folie mit einer Dicke von 25 um war, wurde eine gering reflektierende Schicht 4 mit einem schwarzen Nickeloxid mit einer Dicke von 0,1 um durch DC-Magnetron-Sputteringverfahren gebildet und anschließend ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 um gebildet.An optical circuit board was manufactured with the same structure as shown in Fig. 10 of Example 7. On a first and a second main surface of a transparent substrate 1 which was a uniaxially drawn PEEK film having a thickness of 25 µm, a low reflection layer 4 comprising a black nickel oxide having a thickness of 0.1 µm was formed by DC magnetron sputtering method and A thin copper film with a thickness of 0.5 μm is then formed.

Auf der ersten und zweiten Hauptoberfläche wurde ein vorbestimmtes Muster aus Resistharz aufgetragen und eine Kupferschicht mit einer Dicke von 5 um durch Elektroplattieren aufgetragen. Anschließend wurde das Resistharz entfernt und nicht erforderliche, dünne Kupferfilme wurden durch Flash- Ätzen entfernt und eine Lötmetallschicht von etwa 1 um Dicke wurde durch ein Substitutions-Lötmetall-Plattierungsverfahren gebildet. Durch das vorstehend genannte Verfahren wurden eine Metallelektrode 2, eine aggregierte Elektrode 3, eine Abdunkelungsschicht 5 und eine antistatische Schicht 6 gebildet. Die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 bestanden aus ersten Metallschichten 2a, 3a, hergestellt aus Kupfer, bzw. zweiten Metallschichten 2a, 2b, hergestellt aus Lötmetall. Ein äußerer Verbindungsanschluß wurde gleichzeitig gebildet.On the first and second main surfaces, a predetermined pattern of resist resin was applied and a copper layer of 5 µm thick was deposited by electroplating. Then, the resist resin was removed and unnecessary thin copper films were removed by flash etching and a solder layer of about 1 µm thick was formed by a substitution solder plating method. By the above method, a metal electrode 2, an aggregated electrode 3, a darkening layer 5 and an antistatic layer 6 were formed. The metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were composed of first metal layers 2a, 3a made of copper and second metal layers 2a, 2b made of solder, respectively. An external connection terminal was simultaneously formed.

Elektrische Anschlußteile 20 wurden durch Widerstandsschweißen für elektrische Anschlüsse zwischen Metallelektrode 2, dem äußeren Verbindungsanschluß bzw. der aggregierten Elektrode 3 gebildet, um die optische Leiterplatte zu vervollständigen. In diesem Beispiel 10 war es möglich, eine Zahl von 80 der Metallelektroden 2 in der Zahl von 8 der aggregierten Elektroden 3 anzuordnen. In derselben Weise wie in Beispiel 1 wurde eine lichtempfangende Vorrichtung 13 durch Bonden befestigt. Es gab keine Risse und keine Abtrennung wurde nachgewiesen. Gemäß dem Ergebnis des Lesetests wurde bestätigt, daß die Leseaktivität korrekt ausgeführt wurde.Electrical connection parts 20 were formed by resistance welding for electrical connections between the metal electrode 2, the external connection terminal and the aggregated electrode 3, respectively, to complete the optical circuit board. In this example 10, it was possible to arrange 80 number of the metal electrodes 2 in 8 number of the aggregated electrodes 3. In the same manner as in example 1, a light receiving device 13 was attached by bonding. There were no cracks and no separation was detected. According to the result of the reading test, it was confirmed that the reading activity was correctly carried out.

Beispiel 11:Example 11:

Eine optische Leiterplatte wurde unter denselben Bedingungen wie Beispiel 10 hergestellt, mit der Abweichung der Bedingung für das Verbinden der lichtempfangenden LSI-Chips 13 und der Leiterplatte, wobei die angewendeten Bindungsbedingungen 5 kgf/cm², 150ºC, Preßbonding für 5 Minuten pro Zuleitung der lichtempfangenden LSI-Chips, waren. Keine Risse und Abtrennungen wurden in dem so hergestellten Bindungsbereich nachgewiesen. Der Lesetest, der später ausgeführt wurde, zeigte, daß die Lesefunktion normal war.An optical circuit board was manufactured under the same conditions as Example 10, except for the condition for bonding the light receiving LSI chips 13 and the circuit board, the bonding conditions used were 5 kgf/cm², 150°C, press bonding for 5 minutes per lead of the light receiving LSI chips. No cracks and separations were detected in the binding region thus prepared. The reading test carried out later showed that the reading function was normal.

Beispiel 12:Example 12:

Eine optische Leiterplatte, dargestellt in Fig. 12, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hatte eine Struktur, die dieselbe war wie in Fig. 10 von Beispiel 10, jedoch zusätzlich eine Schutzschicht 8, so aufgetragen, daß sie einen Fensterteil 7 und eine antistatische Schicht 6 bedeckte. Die Schutzschicht 8 wurde durch Auftragen und Härten von UV- härtbarem Urethanacrylharz mit einer Dicke von 10 um gebildet, nachdem die aggregierte Elektrode 3 und die antistatische Schicht 6 gebildet waren.An optical circuit board shown in Fig. 12 was manufactured. This circuit board had a structure that was the same as in Fig. 10 of Example 10, but additionally had a protective layer 8 applied so as to cover a window portion 7 and an antistatic layer 6. The protective layer 8 was formed by applying and curing UV-curable urethane acrylic resin to a thickness of 10 µm after the aggregated electrode 3 and the antistatic layer 6 were formed.

Unter dem Druck von 10 kgf/cm² pro Anschluß, darauf angewendet, eine Zuleitung einer lichtaufnehmenden Vorrichtung 13, wurde an die Metallelektrode 2 gepreßt. Durch anschließendes Aufnehmen von erhitzter Luft durch Umluftheizen (140ºC, 20 Minuten) wurde die lichtaufnehmende Vorrichtung 13 an die Leiterplatte gebunden. Es gab keine Risse und keine Abtrennung wurde nachgewiesen. Gemäß dem Ergebnis des Lesetests wurde bestätigt, daß das Lesen korrekt ausgeführt wurde.Under the pressure of 10 kgf/cm² per terminal applied thereto, a lead of a light receiving device 13 was pressed to the metal electrode 2. By then taking in heated air by circulating heating (140ºC, 20 minutes), the light receiving device 13 was bonded to the circuit board. There were no cracks and no separation was detected. According to the result of the reading test, it was confirmed that the reading was carried out correctly.

Beispiel 13:Example 13:

Eine optische Leiterplatte wurde mit derselben Struktur, wie in Fig. 12 von Beispiel 12 gezeigt, hergestellt. Auf einer ersten und zweiten Hauptoberfläche einer Capton V-Folie mit einer Dicke von 25 um wurde schwarzes Chromoxid mit einer Dicke von 0,1 um und eine dünne Kupferschicht von etwa 1 um Dicke nacheinander durch DC-Magnetron-Sputtern aufgetragen. Die schwarze Chromoxidschicht bestand aus einer gering reflektierenden Schicht 4.An optical circuit board was manufactured with the same structure as shown in Fig. 12 of Example 12. On a first and second main surface of a Capton V film with a thickness of 25 µm, black chromium oxide with a thickness of 0.1 µm and a thin copper layer of about 1 µm thick were deposited sequentially by DC magnetron sputtering. The black chromium oxide layer consisted of a low-reflective layer 4.

Auf der dünnen Kupferschicht, die auf der ersten und der zweiten Hauptoberfläche gebildet war, wurde ein vorbestimmtes Muster des Resistharzes aufgetragen. Dann wurde ein Perforationsloch in dem transparenten Substrat 1 mit einem Perforator hergestellt, eine Kupferschicht wurde auf der Innenseite des Durchdringungsloches durch stromloses Plattieren zur Herstellung eines elektrischen Anschlußteils 20 gebildet. Durch den vorstehenden Vorgang wurde eine elektrische Verbindung zwischen einer Metallelektrode 2 auf der ersten Hauptoberfläche und einer aggregierten Elektrode 3 auf der zweiten Hauptoberfläche vervollständigt. Außerdem wurde durch Elektroplattieren eine Kupferschicht von etwa 5 um auf der vorstehend genannten Kupferschicht gebildet. Anschließend wurde, nachdem das Resistharz entfernt war und nicht notwendige, dünne Kupferfilme durch Ätzen entfernt wurden, eine Lötmetallschicht, umfassend Sn-Pb-Legierung von etwa 2 um Dicke, durch Substitutionsplattierungsverfahren gebildet. Außerdem wurde UV-härtendes Urethanacrylharz aufgetragen und auf der zweiten Hauptoberfläche in einer Weise gehärtet, daß es eine antistatische Schicht 6 und einen Fensterteil 7 bedeckte und somit eine Schutzschicht 8 mit einer Dicke von 10 um bildete. In der Metallelektrode 2 wurde die erste Metallschicht 2a aus Kupfer zusammengesetzt und die zweite Metallschicht 2b bestand aus Lötmetall.On the thin copper layer formed on the first and second main surfaces, a predetermined pattern of the resist resin was applied. Then, a A perforation hole was made in the transparent substrate 1 with a perforator, a copper layer was formed on the inside of the penetrating hole by electroless plating to prepare an electrical connection part 20. By the above process, an electrical connection between a metal electrode 2 on the first main surface and an aggregated electrode 3 on the second main surface was completed. In addition, a copper layer of about 5 µm was formed on the above copper layer by electroplating. Then, after the resist resin was removed and unnecessary thin copper films were removed by etching, a solder layer comprising Sn-Pb alloy of about 2 µm thick was formed by substitution plating method. In addition, UV-curing urethane acrylic resin was applied and cured on the second main surface in a manner that it covered an antistatic layer 6 and a window part 7, thus forming a protective layer 8 having a thickness of 10 µm. In the metal electrode 2, the first metal layer 2a was composed of copper and the second metal layer 2b consisted of solder.

Somit wurden die vollständige Leiterplatte und eine lichtempfangende Vorrichtung 13 mit einem Anschluß durch Pressen und Erhitzen unter den Bedingungen von 5 kgf/cm², 150ºC, gehalten für 3 Minuten, verbunden. Keine Risse und Abtrennungen wurden in dem Verbindungsteil nachgewiesen und es wurde bestätigt, daß die Lesevorrichtung normal zum Lesen arbeitete.Thus, the complete circuit board and a light receiving device 13 were connected to a terminal by pressing and heating under the conditions of 5 kgf/cm², 150°C, held for 3 minutes. No cracks and separations were detected in the connecting part and it was confirmed that the reading device operated normally for reading.

Beispiel 14:Example 14:

Eine optische Leiterplatte, dargestellt in Fig. 13, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hatte eine ähnliche Struktur wie in Fig. 12 von Beispiel 12 gezeigt, wich jedoch von dieser Leiterplatte von Fig. 12 ab, indem eine gering reflektierende Schicht in der ersten primären Schicht nicht bereitgestellt wurde.An optical circuit board shown in Fig. 13 was prepared. This circuit board had a similar structure to that shown in Fig. 12 of Example 12, but differed from this circuit board of Fig. 12 in that a low-reflective layer was not provided in the first primary layer.

Ein PES-Film mit einer Dicke von 30 um mit einem dünnen Kupferfilm von 1 um Dicke, der vorher auf einer ersten Hauptoberfläche mit einem Sputterverfahren darauf gebildet wurde, wurde als transparentes Substrat 1 verwendet. Eine Kupferfolie mit einer Dicke von 18 um, wobei eine Seite schwarz färbend behandelt war, wurde auf eine zweite Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 durch einen transparenten Epoxid-Grundklebstoff mit schwarz gefärbter Seite davon, zu dem transparenten Substrat 1 weisend, beschichtet. Die Kupferfolie auf der zweiten Hauptoberfläche wurde mit einer Maske bedeckt und ein vorbestimmtes Muster eines Resistharzes wurde auf die dünne Kupferfolie auf der ersten Hauptoberfläche aufgetragen. Durch Elektroplattieren wurde eine Lötmetallschicht von etwa 3 um Dicke, umfassend Sn-Pb- Legierung, auf der dünnen Kupferschicht gebildet. Anschließend wurde nach Entfernen des Resistharzes die nicht erforderliche, dünne Kupferfolie entfernt, wodurch eine Metallelektrode 2 und eine Verdunkelungsschicht 5 gebildet wurde. Es wurde arrangiert, daß ein äußerer Verbindungsanschluß ebenfalls gleichzeitig auf der ersten Hauptoberfläche gebildet wurde. In der Metallelektrode 2 entsprechen ein dünner Kupferfilm und ein Lötmetallfilm der ersten bzw. zweiten Metallschicht 2a, 2b.A PES film having a thickness of 30 µm with a thin copper film of 1 µm thick previously formed thereon on a first main surface by a sputtering method was used as the transparent substrate 1. A copper foil having a thickness of 18 µm with one side being treated to be black colored was coated on a second main surface of the transparent substrate 1 by a transparent epoxy base adhesive with the black colored side thereof facing the transparent substrate 1. The copper foil on the second main surface was covered with a mask and a predetermined pattern of a resist resin was applied to the thin copper foil on the first main surface. By electroplating, a solder layer of about 3 µm thick comprising Sn-Pb alloy was formed on the thin copper layer. Then, after removing the resist resin, the unnecessary thin copper foil was removed, thereby forming a metal electrode 2 and a darkening layer 5. It was arranged that an external connection terminal was also formed simultaneously on the first main surface. In the metal electrode 2, a thin copper film and a solder film correspond to the first and second metal layers 2a, 2b, respectively.

Eine Schutzmaske auf der zweiten Hauptoberfläche wurde abgestreift und die Maske wurde auf der ersten Hauptoberfläche aufgetragen. Ein vorbestimmtes Muster an Resistdruckfarbe wurde auf die Kupferfolie der zweiten Hauptoberfläche aufgetragen und nicht erforderliche Kupferfolie wurde durch Ätzen entfernt. Durch diese Verfahren wurde eine Vielzahl von aggregierten Elektroden einer vorbestimmten Form und eine antistatische Schicht 6 bereitgestellt, so daß ein Fensterteil 7 definiert wurde. Dann wurde die Maske auf der ersten Hauptoberfläche entfernt und die Metallelektrode 2 und der äußere Verbindungsanschluß wurden mit der aggregierten Elektrode 3 durch Widerstandsschweißen geschweißt. Schließlich wurde eine Schutzschicht 8, ähnlich jener, gezeigt in Bei spiel 5, auf der zweiten Hauptoberfläche so bereitgestellt, daß sie den Fensterteil 7 und die antistatische Schicht 6 bedeckt.A protective mask on the second main surface was stripped off and the mask was applied to the first main surface. A predetermined pattern of resist ink was applied to the copper foil of the second main surface and unnecessary copper foil was removed by etching. By these processes, a plurality of aggregated electrodes of a predetermined shape and an antistatic layer 6 were provided so that a window part 7 was defined. Then, the mask on the first main surface was removed and the metal electrode 2 and the external connection terminal were welded to the aggregated electrode 3 by resistance welding. Finally, a protective layer 8 similar to that shown in FIG. game 5, provided on the second main surface so as to cover the window part 7 and the antistatic layer 6.

Die Verbindung dieser Leiterplatte und eines lichtempfangenden LSI-Chips 13 wurde durch thermisches Erhitzen durch Umluftheizen mit einer Gastemperatur von 120ºC ausgeführt. Das Bonden zwischen einer äußeren Treiberplatte und der äußeren Anschlußplatte wurde unter den Bedingungen von 5 kgf/cm², 185ºC, gehalten für 3 Sekunden, ausgeführt. Es gab keine Abtrennung in der gebondeten Fläche und es wurde bestätigt, daß die Lesevorrichtung normal arbeitete.The connection of this circuit board and a light receiving LSI chip 13 was carried out by thermal heating by circulating air heating at a gas temperature of 120ºC. The bonding between an external driver board and the external terminal board was carried out under the conditions of 5 kgf/cm², 185ºC, held for 3 seconds. There was no separation in the bonded area and it was confirmed that the reader operated normally.

Beispiel 15:Example 15:

Eine Leiterplatte, dargestellt in Fig. 14, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hatte eine ähnliche Struktur zu jener, die in Fig. 10 dargestellt ist, wich jedoch davon ab, daß die gesamten lichtempfangenden LSI-Chips mit einem durchsichtigen Abdichtungsharz bedeckt waren.A circuit board shown in Fig. 14 was manufactured. This circuit board had a similar structure to that shown in Fig. 10, but differed in that the entire light-receiving LSI chips were covered with a transparent sealing resin.

Auf jeder der ersten und zweiten primären Schichten eines transparenten Substrats 1, das ein PES-Film von 50 um Dicke war, wurde eine schwarze Chromoxidschicht mit einer Dicke von 0,1 um als gering reflektierende Schicht 4 mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren gebildet und anschließend wurde ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 um gebildet. Nachdem Resistharz auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche mit demselben Muster wie in Beispiel 7 aufgedruckt wurde, wurde eine Kupferschicht von etwa 5 um Dicke auf dem dünnen Kupferfilm durch Elektroplattieren aufgetragen und anschließend eine dünne Schicht von etwa 5 um Dicke darauf in derselben Weise wie vorstehend gebildet. Dann wurde das Resistharz entfernt und nicht erforderliches Chromoxid und die dünne Kupferfolie wurden durch Flash-Ätzen entfernt. Durch diese Verfahren wurden eine Metallelektrode 2, eine aggregierte Elektrode 3, eine Abdunkelungsschicht 5 und eine antistatische Schicht 6 gebildet. Hier wurden die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 aus einer ersten Me tallschicht von Kupfer 2a und 3a bzw. einer zweiten Metallschicht von Zinn, 2b, 3b, zusammengesetzt. Zu diesem Zeitpunkt wurde der äußere Verbindungsanschluß ebenfalls gebildet. Die Metallelektrode 2, der äußere Verbindungsanschluß und die aggregierte Elektrode 3 wurden elektrisch angeschlossen bzw. in derselben Weise wie in Beispiel 5 und eine Schutzschicht 8 in derselben Weise wie in Beispiel 9 bereitgestellt.On each of the first and second primary layers of a transparent substrate 1 which was a PES film of 50 µm thick, a black chromium oxide layer of 0.1 µm thick was formed as a low reflection layer 4 by a DC magnetron sputtering method, and then a thin copper film of 0.5 µm thick was formed. After resist resin was printed on each of the first and second main surfaces in the same pattern as in Example 7, a copper layer of about 5 µm thick was deposited on the thin copper film by electroplating, and then a thin layer of about 5 µm thick was formed thereon in the same manner as above. Then, the resist resin was removed, and unnecessary chromium oxide and the thin copper foil were removed by flash etching. By these processes, a metal electrode 2, an aggregated electrode 3, a darkening layer 5, and an antistatic layer 6 were formed. Here, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were made of a first metal metal layer of copper 2a and 3a and a second metal layer of tin 2b, 3b, respectively. At this time, the external connection terminal was also formed. The metal electrode 2, the external connection terminal and the aggregated electrode 3 were electrically connected in the same manner as in Example 5 and a protective layer 8 was provided in the same manner as in Example 9.

Lichtempfangende LSI-Chips 13 mit Anschlüssen, hergestellt aus Gold, wurden auf die Metallelektroden 2 mit einem Druck von 10 kgf/cm² pro Unterlage gedrückt und bei einer Temperatur von 185ºC für 30 Sekunden gehalten und somit wurden lichtempfangende LSI-Chips 13 auf die Leiterplatte gebondet. Anschließend wurde das wärmehärtende Polyestergrundharz zur Bedeckung der gesamten lichtempfangenden LSI-Chips 13 aufgetragen und auf 140ºC für 20 Minuten zur Härtung des Harzes und zur Bildung der gehärteten Harzschicht 10 erhitzt. Außerdem wurde in derselben Weise wie vorstehend eine äußere Treiberleiterplatte an den äußeren Verbindungsanschluß gebondet. Im Ergebnis wurden keine Risse und Trennungen in den Bondungsteilen nachgewiesen. Mit einer optischen Lesevorrichtung, angebracht mit dieser Leiterplatte, wurde das Licht aus der Lichtquelle 12, durchgelassen durch Fensterteil 7, bestrahlt auf Manuskript 14, das auf der zweiten Hauptoberfläche angeordnet wurde, reflektiert von dem Manuskript 14 und durchgelassen durch Fensterteil 7, geprüft; das Licht wurde durch lichtaufnehmende LSI-Chips 13 nachgewiesen und von der optischen Lesevorrichtung gelesen. Im Ergebnis wurde bestätigt, daß die Lesefunktion normal war.Light receiving LSI chips 13 with terminals made of gold were pressed onto the metal electrodes 2 with a pressure of 10 kgf/cm2 per pad and held at a temperature of 185°C for 30 seconds, and thus light receiving LSI chips 13 were bonded to the circuit board. Then, the thermosetting polyester base resin was applied to cover the entire light receiving LSI chips 13 and heated at 140°C for 20 minutes to harden the resin and form the hardened resin layer 10. In addition, an external driver circuit board was bonded to the external connection terminal in the same manner as above. As a result, no cracks and separations were detected in the bonding parts. With an optical reader attached to this circuit board, the light from the light source 12 transmitted through window part 7, irradiated on manuscript 14 placed on the second main surface, reflected from the manuscript 14 and transmitted through window part 7 was checked; the light was detected by light-receiving LSI chips 13 and read by the optical reader. As a result, it was confirmed that the reading function was normal.

Beispiel 16:Example 16:

Eine Leiterplatte wurde hergestellt, die einen ähnlichen Aufbau zu jener, dargestellt in Fig. 14 von Beispiel 15, hatte.A circuit board was prepared having a similar structure to that shown in Fig. 14 of Example 15.

Auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche eines durchsichtigen Substrats 1, welches ein PES-Film von 50 um Dicke war, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht von 0,1 um Dicke als wenig reflektierende Schicht 4 mit einem DC- Magnetron-Sputterverfahren gebildet und anschließend wurde ein dünner Kupferfilm von 0,5 um Dicke D darauf gebildet. Ein Resistharz wurde auf den dünnen Kupferfilm auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche mit den vorbestimmten Mustern gedruckt. Anschließend wurde ein Perforationsloch mit einem Perforator an der Position, wo eine Metallelektrode 2 und eine aggregierte Elektrode 3 zu verbinden waren, gebildet. Durch Herstellen einer Kupferschicht auf der Innenseite des Durchdringungsloches durch stromloses Plattieren wurde die elektrische Verbindung zwischen einer Metallelektrode 2 und einer aggregierten Elektrode 3 vervollständigt. Anschließend wurde eine Kupferschicht von etwa 5 um Dicke darauf durch Elektroplattieren gebildet und anschließend eine Nickelschicht von etwa 2 um Dicke darauf gebildet, gefolgt von letztlicher Goldschicht von 0,2 um Dicke in derselben Weise wie vorstehend. Dann wurde das Resistharz entfernt und nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm wurden ebenfalls entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden die Metallelektrode 2, die aggregierte Elektrode 3, eine Verdunkelungsschicht 5 und eine antistatische Schicht 6 gebildet. Hier bestand die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 aus ersten Metallschichten von Kupfer 2a, 3a bzw. zweiten Metallschicht von Nickel und Gold, 2b, 3b. Der äußere Verbindungsanschluß wurde ebenfalls zum selben Zeitpunkt gebildet, wenn die Metallelektrode 2 gebildet wurde. Eine Schutzschicht 8 wurde in derselben Weise wie in Beispiel 9 gebildet.On each of the first and second main surfaces of a transparent substrate 1, which is a PES film of 50 µm thick, a black nickel oxide layer of 0.1 µm thick was formed as a low reflection layer 4 by a DC magnetron sputtering method, and then a thin copper film of 0.5 µm thick was formed thereon. A resist resin was printed on the thin copper film on each of the first and second main surfaces with the predetermined patterns. Then, a perforation hole was formed with a perforator at the position where a metal electrode 2 and an aggregated electrode 3 were to be connected. By forming a copper layer on the inside of the penetration hole by electroless plating, the electrical connection between a metal electrode 2 and an aggregated electrode 3 was completed. Then, a copper layer of about 5 µm thick was formed thereon by electroplating, and then a nickel layer of about 2 µm thick was formed thereon, followed by a final gold layer of 0.2 µm thick in the same manner as above. Then, the resist resin was removed, and unnecessary nickel oxide and thin copper film were also removed. Through the above-mentioned process, the metal electrode 2, the aggregated electrode 3, a darkening layer 5 and an antistatic layer 6 were formed. Here, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were composed of first metal layers of copper 2a, 3a and second metal layers of nickel and gold 2b, 3b, respectively. The external connection terminal was also formed at the same time when the metal electrode 2 was formed. A protective layer 8 was formed in the same manner as in Example 9.

Lichtempfangende LSI-Chips 13 mit Anschlüssen, hergestellt aus Aluminium, wurden auf die Metallelektroden 2 mit dem Druck von 10 kgf/cm² pro Unterlage gepreßt und bei einer Temperatur von 185ºC 30 Sekunden gehalten, wodurch die lichtempfangenden LSI-Chips 13 an die Leiterplatte gebondet wurden. Anschließend wurde ein wärmehärtendes Polyestergrundharz aufgetragen zur Bedeckung der gesamten lichtempfangenden LSI Chips 13 und zum Füllen des Abstands zwischen der Leiterplatte und den lichtempfangenden LSI-Chips 13, dann auf 140ºC 20 Minuten zur Härtung des Harzes und zur Bildung der gehärteten Harzschicht 10 erhitzt. Außerdem wurde eine äußere Treiberleiterplatte mit einem Verbindungsanschluß, hergestellt aus einer Lötmetallschicht, an den äußeren Verbindungsanschluß durch Pressen darauf mit einem Druck von 2 kgf/cm² und Halten bei einer Temperatur von 180ºC für 30 Sekunden gebondet. Im Ergebnis wurden keine Risse und Abtrennungen bei den Verbindungen nachgewiesen. Es wurde bestätigt, daß die Lesefunktion normal war.Light receiving LSI chips 13 with leads made of aluminum were pressed onto the metal electrodes 2 with the pressure of 10 kgf/cm² per pad and kept at a temperature of 185ºC for 30 seconds, thereby bonding the light receiving LSI chips 13 to the circuit board. Then, a thermosetting polyester base resin was applied to cover the entire light receiving LSI. chips 13 and to fill the gap between the circuit board and the light receiving LSI chips 13, then heated at 140ºC for 20 minutes to harden the resin and form the hardened resin layer 10. In addition, an external driver circuit board having a connection terminal made of a solder layer was bonded to the external connection terminal by pressing thereon with a pressure of 2 kgf/cm² and holding at a temperature of 180ºC for 30 seconds. As a result, no cracks and separations were detected in the connections. It was confirmed that the reading function was normal.

Beispiel 17:Example 17:

Eine optische Leiterplatte wurde wie in Fig. 15 dargestellt hergestellt. Diese Leiterplatte hatte eine Struktur ähnlich jener, gezeigt in Fig. 11.An optical circuit board was prepared as shown in Fig. 15. This circuit board had a structure similar to that shown in Fig. 11.

Eine Kupferfolie mit einer Dicke von 18 um wurde in eine wässerige Mischlösung von Natriumhydroxid und Kaliumpersulfat, gehalten bei 90ºC für 20 Minuten, getaucht und dann eine Schwarzfärbebehandlung auf beiden Seiten der Kupferfolie ausgeführt. Geschmolzenes PES mit einer Dicke von 20 um wurde auf die Kupferfolie durch eine T-Düse eines Extruders extrudiert, wodurch ein Laminat, bestehend aus der PES-Folie und der Kupferfolie, gebildet wurde. Somit bestand die PES-Folie aus einem transparenten Substrat 1 und die Kupferfolie wird auf einer zweiten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 angeordnet.A copper foil having a thickness of 18 µm was immersed in an aqueous mixed solution of sodium hydroxide and potassium persulfate kept at 90°C for 20 minutes, and then a black coloring treatment was carried out on both sides of the copper foil. Molten PES having a thickness of 20 µm was extruded onto the copper foil through a T-die of an extruder, thereby forming a laminate consisting of the PES foil and the copper foil. Thus, the PES foil was made of a transparent substrate 1, and the copper foil was disposed on a second main surface of the transparent substrate 1.

Auf dem PES-Film des Laminats, das heißt, auf der ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1, wurden anschließend durch ein DC-Magnetron-Sputterverfahren eine Nickelschicht von 3 pn. Dicke (gering reflektierende Schicht 4) und eine dünne Kupferschicht von 0,5 um Dicke gebildet. Diese dünne Kupferfolie bestand aus einer ersten Metallschicht 2a einer Metallelektrode 2.On the PES film of the laminate, that is, on the first main surface of the transparent substrate 1, a nickel layer of 3 pn thickness (low-reflective layer 4) and a thin copper layer of 0.5 μm thickness were then formed by a DC magnetron sputtering process. This thin copper foil consisted of a first metal layer 2a of a metal electrode 2.

Dann wurde eine Maske zum Schutz über die gesamte dünne Kupferfolie auf der zweiten Hauptoberfläche gelegt und das Resistharz wurde auf die dünne Kupferfolie auf der ersten Hauptoberfläche mit einem vorbestimmten Muster aufgetragen. Dann wurde durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad eine Lötmetallschicht, umfassend eine Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke, auf der dünnen Kupferschicht gebildet. Diese Lötmetallschicht war eine zweite Metallschicht 2b der Metallelektrode 2. Dann wurde die Resistdruckfarbe entfernt und danach nicht erforderliches Nickel und die dünne Kupferfolie durch Ätzen entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden die Metallelektrode 2, eine Verdunkelungsschicht 5 und ein äußerer Verbindungsanschluß auf der ersten Hauptoberfläche bereitgestellt.Then a mask was placed over the entire thin copper foil on the second main surface for protection and the resist resin was applied to the thin copper foil on the first main surface in a predetermined pattern. Then, a solder layer comprising a Sn-Pb alloy of about 5 µm in thickness was formed on the thin copper layer by electroplating in an alkanolsulfonate bath. This solder layer was a second metal layer 2b of the metal electrode 2. Then, the resist ink was removed, and thereafter, unnecessary nickel and the thin copper foil were removed by etching. By the above-mentioned operation, the metal electrode 2, a darkening layer 5 and an external connection terminal were provided on the first main surface.

Anschließend wurde eine Maske zum Schutz auf die erste Hauptoberfläche gelegt, die Maske auf der zweiten Hauptoberfläche wurde entfernt. Dann wurde Resistdruckfarbe auf die Kupferfolie auf der zweiten Hauptoberfläche mit einem vorbestimmten Muster aufgetragen. Danach wurde die Kupferfolie durch Ätzen bearbeitet und anschließend wurde der Resist entfernt zur Herstellung einer aggregierten Elektrode 3 und einer antistatischen Schicht 6 mit der Verdunkelungseigenschaft. Die aggregierte Elektrode 3, die antistatische Schicht 6 hatten jeweils eine gering reflektierende Schicht 4, bestehend aus einer schwarz gefärbten Schicht auf beiden Seiten davon. Anschließend wurde, nachdem die Maske auf der ersten Hauptoberfläche entfernt war, Widerstandsschweißen in derselben Weise wie in Beispiel 1 zum elektrischen Verbinden der Metallelektrode 2 bzw. des äußeren Verbindungsanschlusses mit der aggregierten Elektrode 3 angewendet. Außerdem wurde auf der zweiten Hauptoberfläche eine Schutzschicht 8 in derselben Weise gebildet, zum Abdecken eines Fensterteils 7 und der antistatischen Schicht 6, in derselben Weise wie in Beispiel 3.Then, a mask for protection was placed on the first main surface, the mask on the second main surface was removed. Then, resist ink was applied to the copper foil on the second main surface in a predetermined pattern. After that, the copper foil was processed by etching and then the resist was removed to prepare an aggregated electrode 3 and an antistatic layer 6 having the darkening property. The aggregated electrode 3, the antistatic layer 6 each had a low reflection layer 4 consisting of a black colored layer on both sides thereof. Then, after the mask on the first main surface was removed, resistance welding was applied in the same manner as in Example 1 to electrically connect the metal electrode 2 and the external connection terminal, respectively, to the aggregated electrode 3. In addition, on the second main surface, a protective layer 8 was formed in the same manner to cover a window part 7 and the antistatic layer 6 in the same manner as in Example 3.

Eine Lichtempfangsvorrichtung 13 wurde auf einer Leiterplatte wie in Beispiel 9 befestigt und der Lesetest wurde in bezug auf ein Manuskript 14 angewendet. Im Ergebnis des Tests wurden keine Risse und Abtrennungen in dem Verbindungs teil nachgewiesen und es wurde bestätigt, daß das Lesen angemessen gemäß dem vorstehenden Verfahren ausgeführt werden konnte.A light receiving device 13 was mounted on a circuit board as in Example 9 and the reading test was applied to a manuscript 14. As a result of the test, no cracks and separations were found in the connection part and it was confirmed that the reading could be adequately carried out according to the above procedure.

Beispiel 18:Example 18:

Eine Leiterplatte wurde wie in Fig. 16 dargestellt hergestellt. Diese Leiterplatte ist ähnlich jener, die in Fig. 15 dargestellt ist, weicht jedoch dadurch ab, daß eine schwarze Isolationsharzschicht auf der Oberfläche einer aggregierten Elektrode 3 und eine antistatische Schicht 6 als gering reflektierende Schicht bereitgestellt wird.A circuit board was prepared as shown in Fig. 16. This circuit board is similar to that shown in Fig. 15, but differs in that a black insulating resin layer is provided on the surface of an aggregated electrode 3 and an antistatic layer 6 is provided as a low-reflective layer.

Zuerst wurde eine Kupferfolie mit einer Dicke von 12 um nur auf einer Seite davon, welche schwarz gefärbt war, zubereitet. Dann wurde ein PES-Film mit einer Dicke von 15 um auf der schwarz gefärbten Oberfläche der Kupferfolie durch ein Gießverfahren gebildet. Dieser PES-Film entsprach einem transparenten Substrat 1 und die Kupferfolie wurde auf einer zweiten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 angeordnet. Danach wurde eine Nickelschicht mit einer Dicke von 0,05 um (gering reflektierende Schicht 4) und einer dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 um nacheinander auf einer ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats 1 mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren gebildet.First, a copper foil having a thickness of 12 µm was prepared only on one side thereof, which was colored black. Then, a PES film having a thickness of 15 µm was formed on the black colored surface of the copper foil by a casting method. This PES film corresponded to a transparent substrate 1, and the copper foil was arranged on a second main surface of the transparent substrate 1. Thereafter, a nickel layer having a thickness of 0.05 µm (low-reflective layer 4) and a thin copper film having a thickness of 0.5 µm were successively formed on a first main surface of the transparent substrate 1 by a DC magnetron sputtering method.

Anschließend wurde eine Maske zum Schutz über die gesamte Kupferfolie auf der zweiten Hauptoberfläche beschichtet. Ein Resistfilm wurde auf die dünne Kupferfolie auf der ersten Hauptoberfläche geklebt, ein vorbestimmtes Muster wurde gedruckt und nicht erforderlicher Resist wurde entfernt. Dann wurde durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad eine Lötmetallschicht, umfassend Sn-Pb-Legierung von etwa 3 um Dicke, auf der dünnen Kupferschicht gebildet. Danach wurde der Resist entfernt und danach nicht erforderliches Nickel und die dünne Kupferfolie durch Ätzen entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden die Metallelektrode 2, eine Verdunkelungsschicht 5 und ein äußerer Verbindungsanschluß auf der ersten Hauptoberfläche bereitgestellt. Ein Fensterteil 7 wurde durch die Metallelektrode 2 und die Abdunkelungsschicht 5 definiert.Then, a mask for protection was coated over the entire copper foil on the second main surface. A resist film was stuck on the thin copper foil on the first main surface, a predetermined pattern was printed, and unnecessary resist was removed. Then, a solder layer comprising Sn-Pb alloy of about 3 µm in thickness was formed on the thin copper layer by electroplating in an alkanolsulfonate bath. Thereafter, the resist was removed, and thereafter unnecessary nickel and the thin copper foil were removed by etching. By the above-mentioned operation, the metal electrode 2, a darkening layer 5, and an external connection terminal were provided on the first main surface. A Window part 7 was defined by the metal electrode 2 and the darkening layer 5.

Anschließend wurde eine Maske zum Schutz auf die erste Hauptoberfläche beschichtet, die Maske auf der zweiten Hauptoberfläche wurde entfernt. Ein schwarz gefärbtes wärmehärtbares Harz, das Ruß einschloß, wurde als Resist auf der Kupferfolie auf der zweiten Hauptoberfläche, die auf die Kupferfolie mit einem vorbestimmten Muster gedruckt wurde, angewendet. Nachdem das Harz gehärtet war, wurde die Kupferfolie, einschließlich der schwarz gefärbten Schicht, geätzt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden eine aggregierte Elektrode 3 und eine antistatische Schicht 6 mit einer Abdunkelungseigenschaft, die den Fensterteil 7 definierte, gebildet. Die aggregierte Elektrode 3 und die antistatische Schicht 6 hatten jeweils eine gering reflektierende Schicht 4, umfassend eine schwarz gefärbte Schicht, gebildet auf der Kontaktoberfläche mit dem transparenten Substrat 1 und hatten eine gering reflektierende Schicht, umfassend eine schwarze, isolierende Harzschicht 11 auf der freiliegenden Seite. Nach Entfernen der Maske auf der ersten Hauptoberfläche wurde Widerstandsschweißen angewendet, um elektrisch sowohl die Metallelektrode 2 als auch den äußeren Verbindungsanschluß mit der aggregierten Elektrode 3 zu verbinden. Im Ergebnis davon wurde eine Zahl von 120 Metallelektroden 2 zu einer Anzahl von 8 äußeren Verbindungszuleitungen angeordnet. Außerdem wurde ein UV-härtbares Urethanacrylharz auf die zweite Hauptoberfläche aufgetragen und zu einer Schutzschicht 8 mit einer Dicke von 20 um geformt.Then, a mask for protection was coated on the first main surface, the mask on the second main surface was removed. A black-colored thermosetting resin including carbon black was applied as a resist on the copper foil on the second main surface, which was printed on the copper foil with a predetermined pattern. After the resin was cured, the copper foil including the black-colored layer was etched. Through the above-mentioned process, an aggregated electrode 3 and an antistatic layer 6 having a darkening property defining the window part 7 were formed. The aggregated electrode 3 and the antistatic layer 6 each had a low-reflective layer 4 comprising a black-colored layer formed on the contact surface with the transparent substrate 1 and had a low-reflective layer comprising a black insulating resin layer 11 on the exposed side. After removing the mask on the first main surface, resistance welding was applied to electrically connect both the metal electrode 2 and the external connection terminal to the aggregated electrode 3. As a result of this, a number of 120 metal electrodes 2 were arranged into a number of 8 external connection leads. In addition, a UV-curable urethane acrylic resin was applied to the second main surface and formed into a protective layer 8 with a thickness of 20 µm.

Lichtempfangende LSI-Chips 13 und eine aktivierende Leiterplatte wurden an diese Leiterplatte in derselben Weise wie in Beispiel 1 verbunden. In diesem Fall wurden keine Risse und Abtrennung an dem verbundenen Teil nachgewiesen. Durch Ausführen des Lesetests in bezug auf ein Manuskript 14 wurde bestätigt, daß das Lesen angemessen ausgeführt wurde.Light receiving LSI chips 13 and an activating circuit board were connected to this circuit board in the same manner as in Example 1. In this case, no cracks and separation were detected at the connected part. By carrying out the reading test with respect to a manuscript 14, it was confirmed that the reading was carried out appropriately.

Beispiel 19:Example 19:

Eine Leiterplatte, dargestellt in Fig. 17, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hatte einen ähnlichen Aufbau zu jenem, der in Fig. 14 gezeigt wurde, unterschied sich jedoch dadurch, daß eine Schutzschicht 8 fast über die gesamte zweite Hauptoberfläche bereitgestellt wurde.A printed circuit board shown in Fig. 17 was manufactured. This printed circuit board had a similar structure to that shown in Fig. 14, but differed in that a protective layer 8 was provided almost over the entire second major surface.

Auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche eines durchsichtigen Substrats 1, nämlich eines PES-Films mit einer Dicke von 50 um, wurde eine schwarze Chromoxidschicht mit einer Dicke von 0,1 um als gering reflektierende Schicht 4 mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren gebildet und anschließend ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 um D darauf gebildet. Eine Maske zum Schutz wurde auf die zweite Hauptoberfläche gelegt und ein Resistharz wurde auf den dünnen Kupferfilm auf der ersten Hauptoberfläche mit einem vorbestimmten Muster aufgetragen, so daß eine Metallelektrode 2, eine Verdunkelungsschicht 5 und ein äußerer Verbindungsanschluß gebildet werden konnten. Dann wurde eine Lötmetallschicht mit einer Dicke von 5 um, umfassend eine Sn-Pb- Legierung, auf der ersten Hauptoberfläche durch Elektroplattieren in dem Alkanolsulfonatbad gebildet. Danach, nachdem das Resistharz entfernt wurde, wurde die nicht erforderliche, dünne Kupferfolie ebenfalls entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden die Metallelektrode 2, die Verdunkelungsschicht 5 und ein äußerer Verbindungsanschluß gebildet. Durch Entfernen der Maske von der zweiten Hauptoberfläche, Auflegen einer Maske zum Schutz auf der ersten Hauptoberfläche und Ausführen derselben Behandlung, wie ausgeführt in der ersten Hauptoberfläche, wurden eine aggregierte Elektrode 3 und eine antistatische Schicht 6 gebildet. Hier bestanden die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 aus ersten Metallschichten von Kupfer 2a, 3a bzw. zweiten Metallschichten aus Lötmetall 2b, 3b.On each of the first and second main surfaces of a transparent substrate 1, namely a PES film having a thickness of 50 µm, a black chromium oxide layer having a thickness of 0.1 µm was formed as a low reflection layer 4 by a DC magnetron sputtering method, and then a thin copper film having a thickness of 0.5 µm D was formed thereon. A mask for protection was placed on the second main surface, and a resist resin was applied to the thin copper film on the first main surface in a predetermined pattern so that a metal electrode 2, a darkening layer 5 and an external connection terminal could be formed. Then, a solder layer having a thickness of 5 µm comprising a Sn-Pb alloy was formed on the first main surface by electroplating in the alkanolsulfonate bath. Thereafter, after the resist resin was removed, the unnecessary thin copper foil was also removed. Through the above-mentioned operation, the metal electrode 2, the darkening layer 5 and an external connection terminal were formed. By removing the mask from the second main surface, placing a mask for protection on the first main surface and performing the same treatment as performed in the first main surface, an aggregated electrode 3 and an antistatic layer 6 were formed. Here, the metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were composed of first metal layers of copper 2a, 3a and second metal layers of solder 2b, 3b, respectively.

Danach wurden ein Heizelektrodenkopf und ein Schweißelektrodenkopf an die Position kontaktiert, wo ein elektrischer Anschlußteil 20 zu bilden war, wodurch ein elektrischer Anschluß zwischen Metallelektrode 2 und aggregierter Elektrode 3 durch Widerstandsschweißen hergestellt wurde. Anschließend wurde ein UV-härtbares Urethanacrylharz mit einer Dicke von 15 um auf die zweite Hauptoberfläche in einer Weise aufgetragen, daß es die gesamte Oberfläche der aggregierten Elektrode 3, antistatischen Schicht 6 und Fensterteil 7 bedeckte, wodurch eine Schutzschicht 8 gebildet wurde.Thereafter, a heating electrode head and a welding electrode head were contacted to the position where an electrical connection part 20 was to be formed, thereby forming an electrical Connection between metal electrode 2 and aggregated electrode 3 was made by resistance welding. Then, a UV-curable urethane acrylic resin was applied to the second main surface in a thickness of 15 µm in such a manner as to cover the entire surface of aggregated electrode 3, antistatic layer 6 and window part 7, thereby forming a protective layer 8.

Auf der ersten Hauptoberfläche wurde ein wärmehärtbares Harz, umfassend Silikonacrylat, um den Fensterteil 7 herum und die Metallelektrode 2 aufgetragen. Eine Vielzahl von lichtempfangenden Vorrichtungen 13, jeweils umfassend ein Halbleiterbauteil mit einem Verbindungsanschluß, wurden auf die vorbestimmten Metallelektroden 2 aufgetragen, dann bei einer Temperatur von 150ºC für 5 Minuten unter Druck von 0,5 kgf/cm² pro Vorrichtung zum Verbinden der lichtempfangenden Vorrichtungen 13 und der Metallelektroden 2 gehalten, wobei gleichzeitig das Harz gehärtet wurde. Anschließend wurden ein äußerer Verbindungsanschluß und eine äußere Treiberleiterplatte gegeneinander gepreßt, mit den entsprechenden Anschlüssen bei einer Temperatur von 190ºC für 30 Sekunden zum Preßbonden preßkontaktiert. Im Ergebnis wurden keine Risse und keine Trennungen in den Bondungsbereichen nachgewiesen. Das Licht aus einer Lichtquelle 12 wurde durch den Fensterteil 7 durchgelassen und strahlte auf ein Manuskript 14, das zu der zweiten Hauptoberfläche weisend bewegt wurde. Dann wurde das von dem Manuskript reflektierte Licht durch eine Lichtempfangsvorrichtung 13 nachgewiesen und durch eine optische Lesevorrichtung gelesen. Es erwies sich, daß die Lesefunktion der optischen Lesevorrichtung normal war.On the first main surface, a thermosetting resin comprising silicone acrylate was applied around the window part 7 and the metal electrode 2. A plurality of light receiving devices 13 each comprising a semiconductor device having a connection terminal were applied to the predetermined metal electrodes 2, then held at a temperature of 150°C for 5 minutes under a pressure of 0.5 kgf/cm2 per device to connect the light receiving devices 13 and the metal electrodes 2 while curing the resin. Then, an external connection terminal and an external driver circuit board were pressed against each other, press-contacted to the corresponding terminals at a temperature of 190°C for 30 seconds for press bonding. As a result, no cracks and no separation were detected in the bonding areas. The light from a light source 12 was transmitted through the window part 7 and irradiated on a manuscript 14 which was moved facing the second main surface. Then, the light reflected from the manuscript was detected by a light receiving device 13 and read by an optical reading device. The reading function of the optical reading device was found to be normal.

Beispiel 20:Example 20:

Eine in Fig. 18 dargestellte Leiterplatte wurde hergestellt. Diese Leiterplatte wird für eine optische bilderzeugende Vorrichtung verwendet und hat eine ähnliche Struktur zu jener, die in der ersten Ausführungsform gezeigt wird, weicht jedoch insofern ab, daß eine Metallelektrode 2 einen Aufbau hat, bei dem eine erste Metallschicht 2a und eine zweite Metallschicht 2b nacheinander auf die Seite eines transparenten Substrats 1 geschichtet werden und eine Schutzschicht 8 auf der Fläche, wo eine aggregierte Elektrode 3 gebildet ist, nicht bereitgestellt wird und außerdem eine Abdunkelungsschicht 5 ebenfalls in der Nähe der Fläche der zweiten Metallschicht 2b bereitgestellt wird, wo die lichtemittierenden LSI-Chips 16 befestigt werden.A circuit board shown in Fig. 18 was manufactured. This circuit board is used for an optical imaging device and has a similar structure to that shown in the first embodiment, but differs in that a metal electrode 2 has a structure in which a first metal layer 2a and a second metal layer 2b are successively laminated on the side of a transparent substrate 1 and a protective layer 8 is not provided on the surface where an aggregated electrode 3 is formed and further a darkening layer 5 is also provided in the vicinity of the surface of the second metal layer 2b where the light emitting LSI chips 16 are mounted.

Auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche eines durchsichtigen Substrats 1, das aus einem Polyarylatfilm mit einer Dicke von 50 um bestand, wurde ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 um mit einem DC-Magnetron- Sputterverfahren gebildet. Ein Resistharz wurde auf die erste und zweite Hauptoberfläche jeweils mit einem vorbestimmten Muster so gedruckt, daß nur eine Metallelektrode 2 und eine aggregierte Elektrode 3 gebildet werden könnten. Dann wurde eine Kupferschicht mit einer Dicke von 5 um durch Elektroplattieren auf beiden Seiten gebildet und außerdem eine Lötmetallschicht, umfassend eine Sn-Pb-Legierung von 5 um Dicke, durch Elektroplattieren in dem Alkanolsulfonatbad gebildet. Danach, nachdem das Resistharz entfernt war, wurde auch nicht erforderliche, dünne Kupferfolie entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurden eine Metallelektrode 2 und eine aggregierte Elektrode 3 gebildet. Diese Elektroden haben eine laminierte Struktur, bestehend aus ersten Metallschichten von Kupfer 2a, 3a bzw. zweiten Metallschichten von Lötmetall 2b, 3b. Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 wurden gegeneinander durch äußere Kraft gepreßt, wodurch ihre elektrische Verbindung hergestellt wurde.On each of the first and second main surfaces of a transparent substrate 1 made of a polyarylate film having a thickness of 50 µm, a thin copper film having a thickness of 0.5 µm was formed by a DC magnetron sputtering method. A resist resin was printed on the first and second main surfaces, respectively, in a predetermined pattern so that only a metal electrode 2 and an aggregated electrode 3 could be formed. Then, a copper layer having a thickness of 5 µm was formed by electroplating on both sides, and further, a solder layer comprising a Sn-Pb alloy of 5 µm thick was formed by electroplating in the alkanolsulfonate bath. Thereafter, after the resist resin was removed, unnecessary thin copper foil was also removed. By the above-mentioned operation, a metal electrode 2 and an aggregated electrode 3 were formed. These electrodes have a laminated structure consisting of first metal layers of copper 2a, 3a and second metal layers of solder 2b, 3b, respectively. Metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 were pressed against each other by external force, thereby establishing their electrical connection.

Anschließend wurde schwarze Anstrichfarbe einschließendes Harz auf die erste Hauptoberfläche gedruckt, so daß ein Fensterteil 7 definiert wurde, wodurch eine Verdunkelungsschicht 5, die einen guten elektrischen Isolationswiderstand hatte, gebildet wurde. Sie wurde so angeordnet, daß die Abdunkelungsschicht 5 ebenfalls auf der zweiten Metallschicht 2b gleichzeitig gebildet wurde. Das Rußteilchen einschließen de Harz wurde auf die zweite Hauptoberfläche in einer solchen Weise aufgetragen, daß der Fensterbereich in derselben Weise wie in Beispiel 4 definiert wurde und wurde thermisch gehärtet zur Bildung einer antistatischen Schicht 6 mit einer Abdunkelungseigenschaft. Außerdem wurde die Schutzschicht 8 auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt, so daß die antistatische Schicht 6 und der Fensterteil 7 bedeckt sind.Then, black paint enclosing resin was printed on the first main surface so as to define a window part 7, thereby forming a darkening layer 5 having good electrical insulation resistance. It was arranged so that the darkening layer 5 was also formed on the second metal layer 2b at the same time. Enclosing the soot particle The resin was applied to the second main surface in such a manner that the window portion was defined in the same manner as in Example 4, and was thermally cured to form an antistatic layer 6 having a darkening property. In addition, the protective layer 8 was provided on the second main surface so that the antistatic layer 6 and the window portion 7 are covered.

Als lichtemittierende LSI-Chips 16 wurden LED- (lichtemittierende Dioden)-Arrays verwendet. Anschlüsse dieser LED-Arrays und die Metallelektrode 2 wurden gegeneinander mit einer Preßkraft von etwa 6 kgf/cm² gepreßt und bei 140ºC für 4 Minuten zur Verbindung gehalten. Es gab keine Abtrennung und keine Risse in den Verbindungsbereichen und es wurde bestätigt, daß diese Leiterplatte problemlos als Kopf für einen optischen Drucker funktionierte.LED (light-emitting diode) arrays were used as the light-emitting LSI chips 16. Terminals of these LED arrays and the metal electrode 2 were pressed against each other with a pressing force of about 6 kgf/cm² and held at 140ºC for 4 minutes for bonding. There was no separation and no cracks in the bonding areas, and it was confirmed that this circuit board functioned smoothly as a head for an optical printer.

Beispiel 21:Example 21:

Eine Leiterplatte, dargestellt in Fig. 19, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hat eine Struktur ähnlich jener, die in Fig. 6 von Beispiel 1 gezeigt wird, jedoch mit dem Unterschied, daß lichtemittierende LSI-Chips 16 zum Schreiben anstelle von lichtempfangenden LSI-Chips befestigt sind und jede Metallelektrode aus einer ersten und zweiten Metallschicht 2a, 2b zusammengesetzt ist.A circuit board shown in Fig. 19 was manufactured. This circuit board has a structure similar to that shown in Fig. 6 of Example 1, but with the difference that light-emitting LSI chips 16 for writing are mounted instead of light-receiving LSI chips and each metal electrode is composed of first and second metal layers 2a, 2b.

Die Leiterplatte wurde in denselben Schritten wie in Beispiel 1 hergestellt. Ein wärmehärtbares Harz, umfassend Silikonacrylat, wurde auf die erste Hauptoberfläche um einen Fensterbereich 7 und eine Metallelektrode 2 aufgetragen. Eine Vielzahl von lichtaufnehmenden LSI-Chips 16, jeweils mit einem Verbindungsanschluß und als Bild-erzeugende LED dienend, wurden auf einer vorbestimmten Metallelektrode 2 angeordnet und bei einer Temperatur von 150ºC für 5 Minuten unter einem Druck von 1 kgf/cm² zum Verbinden der lichtemittierenden LSI- Chips 16 und der Metallelektrode 2 und zum Auftragen eines Silikonacrylats zur Bedeckung der gesamten lichtemittierenden Chips 16 und zum Füllen des Abstands zwischen der Leiterplat te und den lichtemittierenden LSI-Chips 16 gehalten. Keine Risse und keine Abtrennung wurden in dem verbundenen Teil nachgewiesen. Anschließend wurde ein äußerer Verbindungsanschluß an der ersten Hauptoberfläche und ein Verbindungsanschluß einer äußeren aktivierenden Leiterplatte durch einen wie vorstehend beschriebenen Verbindungsvorgang verbunden. Der normale Vorgang eines Lichtdruckers wurde durch Verwendung des Lichtes, emittiert aus den lichtemittierenden LSI- Chips 16 auf eine lichtempfindliche Oberfläche 15, bestätigt.The circuit board was manufactured in the same steps as in Example 1. A thermosetting resin comprising silicone acrylate was applied to the first main surface around a window portion 7 and a metal electrode 2. A plurality of light-receiving LSI chips 16 each having a connection terminal and serving as an image-forming LED were placed on a predetermined metal electrode 2 and heated at a temperature of 150°C for 5 minutes under a pressure of 1 kgf/cm² to connect the light-emitting LSI chips 16 and the metal electrode 2 and to apply a silicone acrylate to cover the entire light-emitting chips 16 and to fill the gap between the circuit board 2 and the metal electrode 2. te and the light emitting LSI chips 16. No cracks and no separation were detected in the bonded part. Then, an external connection terminal on the first main surface and a connection terminal of an external activating circuit board were connected by a bonding process as described above. The normal operation of a photo printer was confirmed by using the light emitted from the light emitting LSI chips 16 onto a photosensitive surface 15.

Beispiel 22:Example 22:

Eine Leiterplatte wurde, wie in Fig. 20 gezeigt, hergestellt durch Modifizieren einer Leiterplatte, dargestellt in Fig. 19, so daß eine isolierende Abdunkelungsschicht 5 durch Drucken des Harzes mit Ruß zur Definition eines Fensterteils 7 und zusammen damit ein Glasfaserarray 18, gebunden an eine zweite Hauptoberfläche durch eine Haftschicht 9, zur Vervollständigung einer optischen Leiterplatte mit einem Lichtleiter gebildet wurde. Ein UV-härtbares Acrylatharz wurde als Haftschicht 9 verwendet und das Glasfaserarray 18 wurde an der Position, entsprechend dem Fensterteil 7, angeordnet. Die Abdunkelungsschicht 5 wurde ebenfalls auf der zweiten Metallschicht 2b bereitgestellt. Eine Vielzahl von Bilderzeugenden LEDs wurden als lichtemittierende Vorrichtung 16 verwendet, welche Licht auf eine lichtempfindliche Oberfläche 15 strahlten und geprüft. Das Testergebnis erwies, daß eine solche Vorrichtung normal als optische Bild-erzeugende Vorrichtung arbeitete.A circuit board was manufactured as shown in Fig. 20 by modifying a circuit board shown in Fig. 19 so that an insulating shading layer 5 was formed by printing the resin with carbon black to define a window part 7 and together with it a glass fiber array 18 bonded to a second main surface through an adhesive layer 9 to complete an optical circuit board with a light guide. A UV-curable acrylate resin was used as the adhesive layer 9 and the glass fiber array 18 was arranged at the position corresponding to the window part 7. The shading layer 5 was also provided on the second metal layer 2b. A plurality of image-forming LEDs were used as a light-emitting device 16 which irradiated light onto a photosensitive surface 15 and tested. The test result proved that such a device normally operated as an optical image-forming device.

Beispiel 23:Example 23:

Eine in Fig. 21 gezeigte Leiterplatte wurde hergestellt. Diese Leiterplatte war von derselben Struktur, wie jene, in Fig. 10 dargestellt, wich jedoch dadurch ab, daß lichtemittierende LSI-Chips anstelle von lichtempfangenden LSI-Chips befestigt sind und eine Schutzschicht 8 auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt wird, so daß eine antistatische Schicht 6 und ein Fensterteil 7 bedeckt sind.A circuit board shown in Fig. 21 was manufactured. This circuit board was of the same structure as that shown in Fig. 10, but differed in that light-emitting LSI chips were mounted instead of light-receiving LSI chips and a protective layer 8 was formed on the second main surface so as to cover an antistatic layer 6 and a window part 7.

Auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche eines durchsichtigen Substrats 1, welches aus einem Polyarylatfilm mit einer Dicke von 50 um bestand, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht (gering reflektierende Schicht 4) mit einer Dicke von 0,1 um und eine dünne Kupferfolie mit einer Dicke von 0,5 um mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren gebildet. Ein Resistharz wurde auf die erste und zweite Hauptoberfläche mit einem vorbestimmten Muster gedruckt, um eine Kupferschicht von etwa 5 um Dicke auf beiden Oberflächen durch Elektroplattieren zu bilden. Dann wurde eine Lötmetallschicht, umfassend Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke, durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad gebildet. Nachdem das Resistharz entfernt war, wurden auch nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm entfernt. Durch das vorstehend genannte Verfahren wurden eine Metallelektrode 2, eine aggregierte Elektrode 3, eine Verdunkelungsschicht 5 und eine antistatische Schicht 6 und ein äußerer Verbindungsanschluß gebildet. Die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 hatten eine Schichtstruktur, umfassend erste Metallschichten von Kupfer 2a, 3a bzw. zweite Metallschichten von Lötmetall 2b, 3b. Die Metallelektrode 2 und der äußere Verbindungsanschluß wurden elektrisch mit der aggregierten Elektrode 3 durch Widerstandsschweißen verbunden. Außerdem wurde eine Schutzschicht 8 mit einer Dicke von 10 um, umfassend ein UV-härtbares Urethanacrylharz auf der zweiten Hauptoberfläche, in einer Weise bereitgestellt, daß die Schutzschicht die antistatische Schicht 6 und den Fensterteil 7 bedeckte.On each of the first and second main surfaces of a transparent substrate 1 made of a polyarylate film having a thickness of 50 µm, a black nickel oxide layer (low-reflectance layer 4) having a thickness of 0.1 µm and a thin copper foil having a thickness of 0.5 µm were formed by a DC magnetron sputtering method. A resist resin was printed on the first and second main surfaces in a predetermined pattern to form a copper layer of about 5 µm thick on both surfaces by electroplating. Then, a solder layer comprising Sn-Pb alloy of about 5 µm thick was formed by electroplating in an alkanolsulfonate bath. After the resist resin was removed, unnecessary nickel oxide and thin copper film were also removed. By the above-mentioned method, a metal electrode 2, an aggregated electrode 3, a darkening layer 5, and an antistatic layer 6 and an external connection terminal were formed. The metal electrode 2 and the aggregated electrode 3 had a layered structure comprising first metal layers of copper 2a, 3a and second metal layers of solder 2b, 3b, respectively. The metal electrode 2 and the external connection terminal were electrically connected to the aggregated electrode 3 by resistance welding. In addition, a protective layer 8 having a thickness of 10 µm comprising a UV-curable urethane acrylic resin was provided on the second main surface in a manner that the protective layer covered the antistatic layer 6 and the window part 7.

Als lichtemittierende LSI-Chips 16 wurden LED-Arrays verwendet. Anschlüsse dieser LED-Arrays und der Metallelektroden 2 wurden gegeneinander in derselben Weise wie in Beispiel 21 durch eine Preßkraft von etwa 2 kgf/cm² verpreßt und bei 160ºC für 3 Minuten zur Verbindung gehalten. Keine Abtrennung oder Risse wurden in den verbundenen Teilen beobach tet. Anschließend wurde der äußere Verbindungsanschluß und ein Verbindungsanschluß einer äußeren aktivierenden Leiterplatte miteinander verbunden. Verglichen mit der üblichen Leiterplatte, war die Zahl der Verbindung mit der aktivierenden Leiterplatte vermindert und es wurde bestätigt, daß die physikalische und elektrische Verbindungsverläßlichkeit entsprechend der verminderten Zahl der Verbindungen erhöht war. Es wurde außerdem bestätigt, daß diese Leiterplatte normal funktionierte, wenn sie mit einem Kopf eines optischen Druckers verwendet wurde.LED arrays were used as the light emitting LSI chips 16. Terminals of these LED arrays and the metal electrodes 2 were pressed against each other in the same manner as in Example 21 by a pressing force of about 2 kgf/cm² and held at 160°C for 3 minutes for bonding. No separation or cracks were observed in the bonded parts. Then, the external connection terminal and a connection terminal of an external activating circuit board were connected to each other. Compared with the usual circuit board, the number of connections to the activating circuit board was reduced, and it was confirmed that the physical and electrical connection reliability was increased in accordance with the reduced number of connections. It was also confirmed that this circuit board operated normally when used with a head of an optical printer.

Beispiel 24:Example 24:

Eine optische Leiterplatte der zweiten Ausführungsform wurde, wie in Fig. 5A bzw. 5B gezeigt, hergestellt. Aus jeder der ersten und zweiten Hauptoberflächen eines transparenten Substrats 1, welches aus einem Polyarylatfilm mit einer Dicke von 50 um bestand, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht (gering reflektierende Schicht) mit einer Dicke von 0,1 um und ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 um mit einem DC-Magnetron-Sputterverfahren gebildet. Durchdringungslöcher wurden durch Bohren an den Positionen gebildet, wo eine Metallelektrode 2 bzw. ein äußerer Verbindungsanschluß 30 mit einer aggregierten Elektrode 3 elektrisch verbunden wurden.An optical circuit board of the second embodiment was manufactured as shown in Figs. 5A and 5B, respectively. On each of the first and second main surfaces of a transparent substrate 1 made of a polyarylate film having a thickness of 50 µm, a black nickel oxide layer (low reflection layer) having a thickness of 0.1 µm and a thin copper film having a thickness of 0.5 µm were formed by a DC magnetron sputtering method. Penetration holes were formed by drilling at the positions where a metal electrode 2 and an external connection terminal 30 were electrically connected to an aggregated electrode 3, respectively.

Anschließend wurde Resistdruckfarbe auf die Fläche aufgetragen, wo eine Metallelektrode 2, eine aggregierte Elektrode 3, eine antistatische Schicht 6 und ein äußerer Verbindungsanschluß 30 nicht gebildet wurden, so daß die vorstehend genannten Gegenstände auf beiden Seiten des Fensterteils 7 gebildet werden konnten. Außerdem wurde eine Kupferschicht mit einer Dicke von etwa 0,3 um auf der Innenseite der Oberfläche des Durchdringungsloches durch stromloses Abscheiden gebildet. Anschließend wurde eine Kupferschicht mit einer Dicke von 5 um auf der Fläche, ausschließlich der Resistbildungsfläche, durch stromloses Abscheiden gebildet und außerdem eine Lötmetallschicht, umfassend Sn-Pb-Legierung von etwa 5 um Dicke, durch Elektroplattieren in dem Alkanolsulfonatbad gebildet. Nachdem das Resistharz entfernt war, wurden auch nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm durch Ätzen entfernt. In dieser Weise wurden die Metallelektrode 2, die aggregierte Elektrode 3, die antistatische Schicht 6 und der äußere Verbindungsanschluß 30 gebildet. Auf der ersten Hauptoberfläche wurde der Fensterteil 7 durch die Metallelektroden 2, angeordnet auf beiden Seiten davon, definiert. Auf der zweiten Hauptoberfläche wurde der Fensterteil 7 durch die antistatische Schicht 6 definiert. Eine Schutzschicht 8 mit einer Dicke von etwa 10 um, umfassend ein UV- härtbares Urethanacrylatharz, wurde so bereitgestellt, daß es fast die gesamte Fläche der zweiten Hauptoberfläche bedeckte.Subsequently, resist ink was applied to the area where a metal electrode 2, an aggregated electrode 3, an antistatic layer 6 and an external connection terminal 30 were not formed so that the above-mentioned items could be formed on both sides of the window part 7. In addition, a copper layer having a thickness of about 0.3 µm was formed on the inside of the surface of the penetration hole by electroless plating. Subsequently, a copper layer having a thickness of 5 µm was formed on the area excluding the resist forming area by electroless plating and further a solder layer comprising Sn-Pb alloy of about 5 µm thick, by electroplating in the alkanolsulfonate bath. After the resist resin was removed, unnecessary nickel oxide and thin copper film were also removed by etching. In this way, the metal electrode 2, the aggregated electrode 3, the antistatic layer 6 and the external connection terminal 30 were formed. On the first main surface, the window portion 7 was defined by the metal electrodes 2 arranged on both sides thereof. On the second main surface, the window portion 7 was defined by the antistatic layer 6. A protective layer 8 having a thickness of about 10 µm comprising a UV-curable urethane acrylate resin was provided so as to cover almost the entire area of the second main surface.

Als lichtemittierende LED-Chips 16, wurden LSI-Chips unter Verwendung von LEDs für eine Bilderzeugung verwendet. Zusammen mit einem wärmehärtbaren Harz, umfassend Silikonacrylat, wurde eine Vielzahl von lichtemittierenden LSI-Chips 16 auf den entsprechenden Metallelektroden 2 angeordnet und unter einem Druck von etwa 2 kgf/cm² bei einer Temperatur von 150ºC für 5 Minuten gehalten zum Bonden der Beiden, verpreßt. Als Ergebnis werden keine Trennung und Risse in dem Bondungsteil nachgewiesen. Außerdem wurden ein äußerer Verbindungsanschluß 30 und ein Verbindungsanschluß an einer äußeren aktivierenden Leiterplatte verbunden. Nach Bestätigung, daß sie einwandfrei elektrisch miteinander verbunden waren, wurde bestätigt, daß sie sehr gut als Aufzeichnungskopf für einen optischen Drucker arbeiteten.As the LED light-emitting chips 16, LSI chips using LEDs for image formation were used. Together with a thermosetting resin comprising silicone acrylate, a plurality of LSI light-emitting chips 16 were placed on the respective metal electrodes 2 and pressed under a pressure of about 2 kgf/cm² held at a temperature of 150°C for 5 minutes to bond the two. As a result, no separation and cracks were detected in the bonding part. In addition, an external connection terminal 30 and a connection terminal on an external activation circuit board were connected. After confirming that they were electrically connected to each other properly, it was confirmed that they worked very well as a recording head for an optical printer.

Beispiel 25:Example 25:

Eine Leiterplatte wurde hergestellt mit einer Struktur, ähnlich wie in Fig. 20 von Beispiel 22 gezeigt. Auf jeder der ersten und zweiten Hauptoberfläche eines transparenten Substrats 1, nämlich eines PES-Films mit einer Dicke von 50 um, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht mit einer Dicke von 0,1 um als gering reflektierende Schicht 4 mit einem Gleichstrom-Magnetron-Sputterverfahren gebildet und anschlie ßend ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 umD darauf gebildet.A printed circuit board was manufactured having a structure similar to that shown in Fig. 20 of Example 22. On each of the first and second main surfaces of a transparent substrate 1, namely, a PES film having a thickness of 50 µm, a black nickel oxide layer having a thickness of 0.1 µm was formed as a low-reflection layer 4 by a DC magnetron sputtering method and then nected, a thin copper film with a thickness of 0.5 umD is formed on it.

Nachdem eine Maske zum Schutz auf einen dünnen Kupferfilm auf der zweiten Hauptoberfläche gelegt wurde und ein vorbestimmtes Muster aus einem Resistharz auf die erste Hauptoberfläche gedruckt wurde, wurde eine Kupferschicht mit etwa 5 um Dicke auf der ersten Hauptoberfläche durch Elektroplattieren gebildet. Dann würde eine Lötmetallschicht mit einer Dicke von 5 um, umfassend eine Sn-Pb-Legierung, auf der ersten Hauptoberfläche durch Elektroplattieren in einem Alkanolsulfonatbad gebildet. Dann, nachdem das Resistharz entfernt war, wurde die nicht erforderliche Nickeloxidschicht und dünner Kupferfilm ebenfalls entfernt. Durch das vorstehend genannte Verfahren wurden eine Metallelektrode 2, eine Abdunkelungsschicht 5 und ein äußerer Verbindungsanschluß gebildet.After a mask for protection was placed on a thin copper film on the second main surface and a predetermined pattern was printed from a resist resin on the first main surface, a copper layer of about 5 µm in thickness was formed on the first main surface by electroplating. Then, a solder layer of 5 µm in thickness comprising a Sn-Pb alloy was formed on the first main surface by electroplating in an alkanolsulfonate bath. Then, after the resist resin was removed, the unnecessary nickel oxide layer and thin copper film were also removed. By the above-mentioned process, a metal electrode 2, a darkening layer 5 and an external connection terminal were formed.

Nach Entfernen der Maske auf der zweiten Hauptoberfläche und Auflegen einer Maske zum Schutz auf der ersten Hauptoberfläche wurde ein vorbestimmtes Muster eines Resistharzes auf der zweiten Hauptoberfläche gedruckt und dann eine Lötmetallschicht durch Elektroplattieren gebildet. Anschließend wurde das Resistharz entfernt und nacheinander nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm entfernt, wodurch eine Aggregatelektrode 3 und eine antistatische Schicht 6 gebildet wurden. Hier hatte die Metallelektrode 2 und die aggregierte Elektrode 3 die Schichtstruktur, zusammengesetzt aus einer ersten Metallschicht aus Kupfer 2a, 3a bzw. einer zweiten Metallschicht aus Lötmetall 2b, 3b. Gleichzeitig war das Lichtreflexionsvermögen der wenig reflektierenden Schicht 4 20%.After removing the mask on the second main surface and placing a mask for protection on the first main surface, a predetermined pattern of a resist resin was printed on the second main surface and then a solder layer was formed by electroplating. Then, the resist resin was removed and unnecessary nickel oxide and thin copper film were removed one after another, thereby forming an aggregate electrode 3 and an antistatic layer 6. Here, the metal electrode 2 and the aggregate electrode 3 had the layered structure composed of a first metal layer of copper 2a, 3a and a second metal layer of solder 2b, 3b, respectively. At the same time, the light reflectance of the low-reflection layer 4 was 20%.

Danach wurde eine Metallelektrode 2 bzw. ein äußerer Verbindungsanschluß elektrisch mit der aggregierten Elektrode 3 durch Widerstandsschweißen verbunden. Danach wurde ein UV- härtbares Urethanacrylharz mit einer Dicke von 15 um auf die zweite Hauptoberfläche in einer Weise aufgetragen, daß es die antistatische Schicht 6 und ein Fensterteil 7 bedeckte, wodurch eine Schutzschicht 8 gebildet wurde.Thereafter, a metal electrode 2 or an external connection terminal was electrically connected to the aggregated electrode 3 by resistance welding. Thereafter, a UV-curable urethane acrylic resin was applied to the second main surface in a thickness of 15 µm in such a manner as to cover the antistatic layer 6 and a window part 7, thereby forming a protective layer 8.

LSI-Chips wurden unter Verwendung von LED's mit Anschlüssen als lichtemittierende LSI-Chips 16 zur Bilderzeugung verwendet. Zusammen mit einem wärmehärtbaren Harz, bestehend aus Silikonacrylat, wurden diese lichtemittierenden LSI-Chips 16 gegen die Metallelektroden 2 bei einer Temperatur von 150ºC für 5 Minuten zum Verbinden der lichtemittierenden LSI-Chips 16 mit den Metallelektroden 2 gepreßt und gleichzeitig das Harz gehärtet. Danach wurde der äußere Verbindungsanschluß und ein Anschluß auf eine äußere aktivierende Leiterplatte verbunden. Keine Risse und Abtrennung wurden in dem Verbindungsbereich nachgewiesen. Durch Durchlassen des Lichts aus den lichtemittierenden LSI-Chips 16 durch Fensterbereich 7 und Bestrahlen auf ein lichtempfindliches Material 15, das zur zweiten Hauptoberfläche weisend bewegt wurde, wurde bestätigt, daß die Bild-erzeugende Aktivität normal ausgeführt wurde.LSI chips using LEDs with leads were used as light-emitting LSI chips 16 for image formation. Together with a thermosetting resin consisting of silicon acrylate, these light-emitting LSI chips 16 were pressed against the metal electrodes 2 at a temperature of 150°C for 5 minutes to connect the light-emitting LSI chips 16 to the metal electrodes 2 and at the same time, the resin was cured. After that, the external connection terminal and a terminal on an external activating circuit board were connected. No cracks and separation were detected in the connection area. By transmitting the light from the light-emitting LSI chips 16 through the window area 7 and irradiating it onto a photosensitive material 15 moved to face the second main surface, it was confirmed that the image-forming activity was normally carried out.

Beispiel 26:Example 26:

Eine Leiterplatte, dargestellt in Fig. 22, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte war in derselben Weise aufgebaut wie jene in Fig. 12 gezeigt, jedoch wurde eine Isolationsschicht, hergestellt aus einem elektrisch isolierenden Material, auf der zweiten Hauptoberfläche anstelle einer antistatischen Schicht bereitgestellt.A circuit board shown in Fig. 22 was manufactured. This circuit board was constructed in the same manner as that shown in Fig. 12, but an insulating layer made of an electrically insulating material was provided on the second major surface instead of an antistatic layer.

Auf jeder einer ersten und zweiten Hauptoberfläche eines transparenten Substrats 1, nämlich eines PES-Films mit einer Dicke von 50 um, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht mit einer Dicke von 0,1 um als gering reflektierende Schicht 4 mit einem Gleichstrom-Magnetron-Sputterverfahren gebildet und anschließend ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 umD darauf gebildet. Nachdem eine Maske zum Schutz auf einen dünnen Kupferfilm auf der zweiten Hauptoberfläche gelegt wurde und ein vorbestimmtes Muster aus einem Resistharz auf die erste Hauptoberfläche gedruckt wurde, wurde eine Kup ferschicht von etwa 5 um Dicke auf der ersten Hauptoberfläche durch Elektroplattieren gebildet. Dann wurde eine Lötmetallschicht von einer Dicke von 5 um, umfassend eine Sn-Pb- Legierung, auf der ersten Hauptoberfläche durch Elektroplattieren in dem Alkanolsulfonatbad gebildet. Dann, nachdem das Resistharz entfernt war, wurde nicht erforderliche Nickeloxidschicht und dünne Kupferfolie ebenfalls durch Ätzen entfernt. Durch das vorstehende Verfahren wurden eine Metallelektrode 2, eine Abdunkelungsschicht 5 und ein äußerer Verbindungsanschluß gebildet.On each of a first and second main surface of a transparent substrate 1, namely a PES film having a thickness of 50 µm, a black nickel oxide layer having a thickness of 0.1 µm was formed as a low reflection layer 4 by a DC magnetron sputtering method, and then a thin copper film having a thickness of 0.5 µmD was formed thereon. After a mask for protection was placed on a thin copper film on the second main surface and a predetermined pattern was printed by a resist resin on the first main surface, a copper Then, a solder layer of about 5 µm thick comprising a Sn-Pb alloy was formed on the first main surface by electroplating. Then, after the resist resin was removed, unnecessary nickel oxide layer and thin copper foil were also removed by etching. By the above process, a metal electrode 2, a darkening layer 5 and an external connection terminal were formed.

Nach Entfernen der Maske auf der zweiten Hauptoberfläche und Legen einer Maske zum Schutz auf die erste Hauptoberfläche wurde ein vorbestimmtes Muster aus Resistharz auf die zweite Hauptoberfläche gedruckt und dann eine Kupferschicht mit einer Dicke von 5 um und eine Lötmetallschicht mit einer Dicke von 5 um, umfassend eine Sn-Pb-Legierung, durch Elektroplattieren gebildet. Danach wurde Resistharz entfernt und anschließend nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm entfernt, wodurch die Aggregatelektrode 3 gebildet wurde. Hier waren die Metallelektrode 2 und eine aggregierte Elektrode 3 aus den ersten Metallschichten von Kupfer 2a, 3a bzw. zweiten Metallschichten von Lötmetall 2b, 3b zusammengesetzt.After removing the mask on the second main surface and placing a mask for protection on the first main surface, a predetermined pattern of resist resin was printed on the second main surface, and then a copper layer having a thickness of 5 µm and a solder layer having a thickness of 5 µm comprising a Sn-Pb alloy were formed by electroplating. After that, resist resin was removed, and then unnecessary nickel oxide and copper thin film were removed, thereby forming the aggregate electrode 3. Here, the metal electrode 2 and an aggregate electrode 3 were composed of the first metal layers of copper 2a, 3a and second metal layers of solder 2b, 3b, respectively.

Danach wurden die Metallelektrode 2 und der äußere Verbindungsanschluß elektrisch mit der aggregierten Elektrode 3 durch Widerstandsschweißen verbunden. Ein wärmehärtbares Harz, enthaltend ein schwarzes Pigment, wurde auf die zweite Hauptoberfläche in einer Weise aufgetragen, daß das Harz einen Fensterbereich 7 definierte und dann wurde das Harz gehärtet, wodurch eine Abdunkelungsschicht 11 gebildet wurde, die ein schwarzes, isolierendes Harz umfaßte. Danach wurde ein UV-härtbares Urethanacrylharz mit einer Dicke von 15 um auf die zweite Hauptoberfläche in einer Weise aufgetragen, daß sie die Abdunkelungsschicht 11 und den Fensterbereich 7 bedeckte, wodurch eine Schutzschicht 8 gebildet wurde.Thereafter, the metal electrode 2 and the external connection terminal were electrically connected to the aggregated electrode 3 by resistance welding. A thermosetting resin containing a black pigment was applied to the second main surface in a manner that the resin defined a window region 7, and then the resin was cured, thereby forming a darkening layer 11 comprising a black insulating resin. Thereafter, a UV-curable urethane acrylic resin having a thickness of 15 µm was applied to the second main surface in a manner that it covered the darkening layer 11 and the window region 7, thereby forming a protective layer 8.

Diese Leiterplatte und die lichtempfangenden LSI- Chips 13 mit den Anschlüssen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 verbunden und außerdem wurden der äußere Verbindungsanschluß und eine aktivierende Leiterplatte verbunden. Es gibt keine Risse und keine Trennung wurde in der Verbindung nachgewiesen, wenn jedoch der Lesetest in bezug auf das Manuskript 14 ausgeführt wurde, wurde Rauschen beim Lesen des Manuskripts 14 erzeugt, was zu einem mangelhaften und nicht richtigen Lesen führte. Als Grund dafür wurde festgestellt, daß ein elektrisches Rauschen aufgrund statischer Aufladung, hervorgerufen durch Reiben zwischen Manuskript 14 und der Leiterplatte, erzeugt wurde. Hierdurch wird verständlich, daß es wirksam ist, die antistatische Schicht auf der zweiten Hauptoberfläche bereitzustellen, um Rauschen zu verhindern, insbesondere für Gegenstände mit einem Aufbau, bei dem eine transparente Harzschutzschicht bereitgestellt ist.This circuit board and the light receiving LSI chips 13 with the terminals were connected in the same manner as in Example 1, and further, the external connection terminal and an activating circuit board were connected. There are no cracks and no separation was detected in the connection, however, when the reading test was carried out with respect to the manuscript 14, noise was generated when reading the manuscript 14, resulting in poor and improper reading. The reason for this was found to be that electric noise was generated due to static electricity caused by rubbing between the manuscript 14 and the circuit board. From this, it is understood that it is effective to provide the antistatic layer on the second main surface to prevent noise, particularly for articles having a structure in which a transparent resin protective layer is provided.

Beispiel 27:Example 27:

Auf jede der ersten und zweiten Hauptoberflächen, zusammengesetzt aus einem PES-Film mit einer Dicke von 50 um, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht (gering reflektierende Schicht) mit einer Dicke von 0,1 um und ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 umD nacheinander mit einem Gleichstrom-Magnetron-Sputterverfahren gebildet. Nachdem ein vorbestimmtes Muster eines Resistharzes auf sowohl die erste als auch die zweite Hauptoberfläche gedruckt wurde, wurde eine Kupferschicht mit einer Dicke von etwa 5 um auf dem dünnen Kupferfilm gebildet. Danach wurde das vorstehend genannte Produkt in ein Lötmetallbad bei 240ºC getaucht und versucht, eine Lötmetallschicht auf der Kupferschicht zu bilden. Die PES-Folie, die das transparente Substrat ausmachte, zog sich allerdings zusammen und praktisch konnte keine brauchbare Leiterplatte hergestellt werden. Daher wird deutlich, daß eine Lötmetallschicht auf die Metallelektrode aufzubringen ist, um das Preßbonding der Vorrichtungen, die durch ein solches Plattierungsverfahren hergestellt werden sollen, das bei Raumtemperatur ausgeführt wird, zu erleichtern.On each of the first and second main surfaces composed of a PES film having a thickness of 50 µm, a black nickel oxide layer (low reflection layer) having a thickness of 0.1 µm and a thin copper film having a thickness of 0.5 µmD were formed successively by a DC magnetron sputtering method. After a predetermined pattern of a resist resin was printed on both the first and second main surfaces, a copper layer having a thickness of about 5 µm was formed on the thin copper film. Thereafter, the above product was immersed in a solder bath at 240°C and an attempt was made to form a solder layer on the copper layer. However, the PES film constituting the transparent substrate contracted and practically no usable circuit board could be produced. Therefore, it is clear that a solder layer is to be applied to the metal electrode in order to facilitate the press bonding of the devices formed by such a to facilitate the plating process carried out at room temperature.

Beispiel 28:Example 28:

Eine Leiterplatte, dargestellt in Fig. 23, wurde hergestellt. Diese Leiterplatte hatte einen Aufbau ohne aggregierte Elektrode. Wenn diese Leiterplatte mit einer äußeren aktivierenden Leiterplatte verbunden wird, wird jede Metallelektrode der Leiterplatte und jeder Verbindungsanschluß der äußeren aktivierenden Leiterplatte mit eins-zu-eins-Entsprechung zueinander verbunden.A printed circuit board shown in Fig. 23 was manufactured. This printed circuit board had a structure without an aggregated electrode. When this printed circuit board is connected to an external activating printed circuit board, each metal electrode of the printed circuit board and each connection terminal of the external activating printed circuit board are connected with one-to-one correspondence.

Auf einer ersten Hauptoberfläche eines durchsichtigen Substrats 1, nämlich ein PES-Film mit einer Dicke von 50 um, wurde eine schwarze Nickeloxidschicht (gering reflektierende Schicht 4) mit einer Dicke von 0,1 um und ein dünner Kupferfilm mit einer Dicke von 0,5 umD nacheinander mit einem Gleichstrom-Magnetron-Sputteringverfahren gebildet. Nachdem ein vorbestimmtes Muster von einem Resistharz auf die erste Hauptoberfläche gedruckt wurde, wurde eine Kupferschicht mit etwa 5 um Dicke auf der ersten Hauptoberfläche durch Elektroplattieren gebildet. Dann wurde eine Lötmetallschicht mit einer Dicke von 5 um, umfassend eine Sn-Pb-Legierung, auf der ersten Hauptoberfläche gebildet. Nachdem das Resistharz entfernt war, wurden nicht erforderliches Nickeloxid und dünner Kupferfilm ebenfalls durch Ätzen entfernt. Durch den vorstehend genannten Vorgang wurde eine Metallelektrode 2 mit einer laminierten Struktur aus einer ersten Metallschicht 2a, bestehend aus Kupfer, und einer zweiten Metallschicht 2b, bestehend aus Lötmetall, gebildet. Hier wurde eine Zahl von 150 der Metallelektroden 2 von jeweils 0,9 mm Breite auf einer Seite eines Fensterteils 7 gebildet.On a first main surface of a transparent substrate 1, namely, a PES film having a thickness of 50 µm, a black nickel oxide layer (low-reflective layer 4) having a thickness of 0.1 µm and a thin copper film having a thickness of 0.5 µmD were formed sequentially by a DC magnetron sputtering method. After a predetermined pattern of a resist resin was printed on the first main surface, a copper layer having a thickness of about 5 µm was formed on the first main surface by electroplating. Then, a solder layer having a thickness of 5 µm comprising a Sn-Pb alloy was formed on the first main surface. After the resist resin was removed, unnecessary nickel oxide and thin copper film were also removed by etching. Through the above-mentioned process, a metal electrode 2 having a laminated structure of a first metal layer 2a made of copper and a second metal layer 2b made of solder was formed. Here, 150 of the metal electrodes 2 each having a width of 0.9 mm were formed on one side of a window part 7.

Anschließend wurde durch Drucken eines Gemisches eines wärmehärtbaren Harzes, das Rußteilchen enthielt, durch Siebdruck auf eine erste und zweite Hauptoberfläche und dann Wärmehärtung des Harzes eine Abdunkelungsschicht 5 und eine antistatische Schicht 6 gebildet. Die Abdunkelungsschicht 5 wurde auf der ersten Hauptoberfläche auf einer Seite des Fensterteils 7 gebildet. Die antistatische Schicht 6 mit einer Verdunkelungseigenschaft wurde auf der zweiten Hauptoberfläche gebildet, so daß sie den Fensterteil 7 definiert. Außerdem wurde eine Schutzschicht 8 auf der zweiten Hauptoberfläche mit einem UV-härtbaren Urethanacrylharz in einer Dicke von 15 um in einer Weise bereitgestellt, daß sie die Schutzschicht die antistatische Schicht 6 und den Fensterteil 7 bedeckte.Subsequently, a darkening layer 5 and an antistatic layer 6 were formed by printing a mixture of a thermosetting resin containing carbon black particles by screen printing on a first and second main surface and then heat-curing the resin. The darkening layer 5 was formed on the first main surface on one side of the window part 7. The antistatic layer 6 having a darkening property was formed on the second main surface so as to define the window part 7. In addition, a protective layer 8 was provided on the second main surface with a UV-curable urethane acrylic resin in a thickness of 15 µm in such a manner that the protective layer covered the antistatic layer 6 and the window part 7.

Nach dem Bonden wurde die so vervollständigte Leiterplatte und eine lichtempfangende Vorrichtung 13 mit einer Zuleitung, jede Metallelektrode 2 und jeder Verbindungsanschluß einer aktivierenden Leiterplatte als Gruppe bei einer Temperatur von 195ºC, gehalten für 30 Sekunden, gebondet. Der PES- Film, der das transparente Substrat 1 ausmachte, zog sich während des vorstehenden Verfahrens allerdings zusammen. Folglich konnten einige der 150 Elektroden nicht mit der äußeren aktivierenden Leiterplatte verbunden werden. Daher ist diese Leiterplatte nicht in der Lage, normal als Lesesensor für eine optische Lesevorrichtung zu dienen.After bonding, the thus completed circuit board and a light receiving device 13 having a lead, each metal electrode 2 and each connection terminal of an activating circuit board were bonded as a group at a temperature of 195°C held for 30 seconds. However, the PES film constituting the transparent substrate 1 contracted during the above process. Consequently, some of the 150 electrodes could not be connected to the outer activating circuit board. Therefore, this circuit board is unable to normally serve as a reading sensor for an optical reading device.

Claims (38)

1. Optische Leiterplatte zur Befestigung einer Vielzahl von LSI-Chips (13) zum Emittieren und/oder Empfangen von Licht, umfassend:1. An optical circuit board for mounting a plurality of LSI chips (13) for emitting and/or receiving light, comprising: ein transparentes Substrat (1), wobei das transparente Substrat einen schlitzförmigen Fensterteil (7) zum Durchlassen von Licht, das in das Substrat (1) eintritt, und/oder das von einem genannten LSI-Chip (13) durch das Substrat (1) austritt, einschließt;a transparent substrate (1), the transparent substrate including a slit-shaped window part (7) for transmitting light entering the substrate (1) and/or exiting from a said LSI chip (13) through the substrate (1); eine Vielzahl von Chip-Verbindungselektroden (2), bereitgestellt auf einer ersten Hauptoberfläche des transparenten Substrats (1), an der die LSI-Chips (13) bei der Verwendung befestigt werden, wobei die Chip-Verbindungselektroden (2) länglich sind, sich jeweils von dem Fensterteil (7) hinweg in einer Richtung senkrecht zur Längsseite des schlitzförmigen Fensterteils erstrecken, die Vielzahl der Chip-Verbindungselektroden auf mindestens einer der Längsseiten des Fensterteils (7) eine Vielzahl von zueinander parallelen Reihen bilden;a plurality of chip connection electrodes (2) provided on a first main surface of the transparent substrate (1) to which the LSI chips (13) are attached in use, the chip connection electrodes (2) being elongated, each extending from the window part (7) in a direction perpendicular to the long side of the slit-shaped window part, the plurality of chip connection electrodes forming a plurality of rows parallel to each other on at least one of the long sides of the window part (7); eine Vielzahl von Eingangs-/Ausgangs-Verbindungselektroden (3), I/OCC-Elektroden, bereitgestellt auf einer zweiten Hauptoberfläche des Substrats (1), wobei die I/OCC-Elektroden (3) länglich sind, sich jeweils in einer Richtung parallel zur Längsseite des schlitzförmigen Fensterteils (7) erstrecken, die Vielzahl von I/OCC-Elektroden eine Vielzahl von zueinander parallelen Spalten bilden, wobei die zweite Hauptoberfläche sich in bezug auf das transparente Substrat (1) gegenüber der ersten Hauptoberfläche befindet und die I/OCC-Elektroden (3) auf einem Bereich des Substrats (1) bereitgestellt sind, der dem Bereich der ersten Hauptoberfläche, der die Chip-Verbindungselektroden (2) trägt, entspricht, so daß, in der Draufsicht gesehen, die Chip-Verbindung und die I/OCC-Elektroden ein Gittermuster mit Schnittpunkten definieren;a plurality of input/output connection electrodes (3), I/OCC electrodes, provided on a second main surface of the substrate (1), the I/OCC electrodes (3) being elongated, each extending in a direction parallel to the long side of the slit-shaped window part (7), the plurality of I/OCC electrodes forming a plurality of columns parallel to each other, the second main surface being opposite to the first main surface with respect to the transparent substrate (1), and the I/OCC electrodes (3) being provided on a region of the substrate (1) corresponding to the region of the first main surface carrying the chip connection electrodes (2), so that, viewed in plan view, the chip connection and the I/OCC electrodes define a grid pattern with intersections; elektrische Anschlußteile (26), die in den Bereichen der Schnittpunkte durch das transparente Substrat dringen, wodurch jede der I/OCC-Elektroden (3) elektrisch mit einer betreffenden einen oder einer Vielzahl von Chip-Verbindungselektroden (2) durch eines oder eine Vielzahl der elektrischen Anschlußteile (26) verbunden ist; undelectrical connection parts (26) penetrating through the transparent substrate in the areas of the intersection points, whereby each of the I/OCC electrodes (3) is electrically connected to a respective one or a plurality of chip connection electrodes (2) through one or a plurality of the electrical connection parts (26); and eine Vielzahl von äußeren Verbindungsanschlüssen (30), die elektrisch mit den betreffenden der Vielzahl von I/OCC-Elektroden (3) verbunden ist und auf der ersten Hauptoberfläche und/oder der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt ist.a plurality of external connection terminals (30) electrically connected to the respective ones of the plurality of I/OCC electrodes (3) and provided on the first main surface and/or the second main surface. 2. Optische Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die Chip-Verbindungselektroden (2) aus mindestens einem Metall, ausgewählt aus Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Chrom, Wolfram, Zinn, Blei und Lötmetall oder einer Legierung davon, aufgebaut sind.2. Optical circuit board according to claim 1, wherein the chip connection electrodes (2) are made of at least one metal, selected from gold, silver, copper, nickel, chromium, tungsten, tin, lead and solder or an alloy thereof. 3. Optische Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die Chip-Verbindungselektroden (2) aus einem Laminat mit einer ersten Metallschicht (2a) und einer zweiten auf der ersten Metallschicht gebildeten Metallschicht (2b) aufgebaut sind.3. Optical circuit board according to claim 1, wherein the chip connection electrodes (2) are constructed from a laminate having a first metal layer (2a) and a second metal layer (2b) formed on the first metal layer. 4. Optische Leiterplatte nach Anspruch 3, wobei jede der ersten und zweiten Metallschichten (2a, 2b) aus mindestens einem Metall, ausgewählt aus Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Chrom, Wolfram, Zinn, Blei und Lötmetall oder einer Legierung davon, aufgebaut ist; und4. Optical circuit board according to claim 3, wherein each of the first and second metal layers (2a, 2b) is made of at least one metal selected from gold, silver, copper, nickel, chromium, tungsten, tin, lead and solder or an alloy thereof; and die zweite Metallschicht (2b) in einer solchen Weise ausgebildet ist, daß einer oder mehrere LSI-Chips durch Preß- Bonden oder durch Heiß-Bonden darauf befestigt werden können.the second metal layer (2b) is formed in such a manner that one or more LSI chips can be attached thereto by press bonding or by hot bonding. 5. Optische Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die zweite Metallschicht (2b) durch Goldplattieren oder Lötmetallplattieren gebildet ist.5. An optical circuit board according to claim 4, wherein the second metal layer (2b) is formed by gold plating or solder plating. 6. Optische Leiterplatte nach Anspruch 4, wobei die zweite Metallschicht (2b) durch Aufdrucken einer Gold- oder Silber- oder Lötmetallschicht gebildet ist.6. Optical circuit board according to claim 4, wherein the second metal layer (2b) is formed by printing a gold or silver or solder metal layer. 7. Optische Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die I/OCC-Elektrode (3) aus mindestens einem Metall, ausgewählt aus Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Chrom, Wolfram, Zinn, Blei und Lötmetall oder einer Legierung davon, aufgebaut ist.7. Optical circuit board according to claim 1, wherein the I/OCC electrode (3) is constructed from at least one metal selected from gold, silver, copper, nickel, chromium, tungsten, tin, lead and solder or an alloy thereof. 8. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei die äußeren Verbindungsanschlüsse (30) aus mindestens einem Metall, ausgewählt aus Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Chrom, Wolfram, Zinn, Blei und Lötmetall oder einer Legierung davon, aufgebaut sind.8. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein the external connection terminals (30) are constructed of at least one metal selected from gold, silver, copper, nickel, chromium, tungsten, tin, lead and solder or an alloy thereof. 9. Optische Leiterplatte nach Anspruch 8, wobei die äußeren Verbindungsanschlüsse (30) auf der ersten Hauptoberfläche bereitgestellt sind und jeder äußere Verbindungsanschluß (30) elektrisch an die I/OCC-Elektrode (3) angeschlossen ist und jede I/OCC-Elektrode (3) an einen elektrischen Verbindungsanschluß (30) durch einen entsprechenden elektrischen Verbindungsteil, der durch das transparente Substrat (1) dringt, angeschlossen ist.9. The optical circuit board according to claim 8, wherein the external connection terminals (30) are provided on the first main surface, and each external connection terminal (30) is electrically connected to the I/OCC electrode (3) and each I/OCC electrode (3) is connected to an electrical connection terminal (30) through a corresponding electrical connection part penetrating through the transparent substrate (1). 10. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei eine gemeinsame Elektrode (36) und ein äußerer Verbindungsanschluß (30a), der elektrisch an die gemeinsame Elektrode angeschlossen ist, beide auf der ersten Hauptoberfläche bereitgestellt sind und einige der Chip-Verbindungselektroden (2a) an die gemeinsame Elektrode (36), anstatt an die I/OCC-Elektroden (3), angeschlossen sind.10. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein a common electrode (36) and an external connection terminal (30a) electrically connected to the common electrode are both provided on the first main surface, and some of the chip connection electrodes (2a) are connected to the common electrode (36) instead of to the I/OCC electrodes (3). 11. Optische Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei eine gemeinsame Elektrode (36) und eine Vielzahl von äußeren Verbindungsanschlüssen auf der ersten Hauptoberfläche und/oder der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt sind und einige der Chip-Verbindungselektroden an die gemeinsame Elektrode angeschlossen sind, und jeder der äußeren Verbindungsan schlüsse elektrisch mit jeder oder einer betreffenden oder einer Vielzahl der I/OCC-Elektroden (3) und der gemeinsamen Elektrode verbunden ist.11. An optical circuit board according to claim 1, wherein a common electrode (36) and a plurality of external connection terminals are provided on the first main surface and/or the second main surface, and some of the chip connection electrodes are connected to the common electrode, and each of the external connection terminals circuits are electrically connected to each or a respective one or a plurality of the I/OCC electrodes (3) and the common electrode. 12. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei eine Abdunkelungsschicht (5) zur Festlegung des Fensterteils (7) und zur Verhinderung, daß Licht durch eine Fläche, außer durch den Fensterteil, in das transparente Substrat (1) tritt, auf der ersten Hauptoberfläche und/oder der zweiten Hauptoberfläche angrenzend an den Fensterteil (7) bereitgestellt ist.12. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein a darkening layer (5) for defining the window part (7) and preventing light from entering the transparent substrate (1) through an area other than the window part is provided on the first main surface and/or the second main surface adjacent to the window part (7). 13. Optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1- 11, wobei eine Abdunkelungsschicht (5) zur Festlegung des Fensterteils (7) und zur Verhinderung, daß Licht durch eine Fläche, außer durch den Fensterteil, in das transparente Substrat (1) tritt, auf der ersten Hauptoberfläche auf einer Seite des Fensterteils (7) bereitgestellt ist und die Chip- Verbindungselektroden (2) auf der Gegenseite des Fensterteils (7) und angrenzend daran, bereitgestellt sind.13. An optical circuit board according to any one of claims 1-11, wherein a darkening layer (5) for defining the window part (7) and preventing light from entering the transparent substrate (1) through a surface other than the window part is provided on the first main surface on one side of the window part (7), and the chip connection electrodes (2) are provided on the opposite side of the window part (7) and adjacent thereto. 14. Optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1- 11, wobei eine Abdunkelungsschicht (5) zur Festlegung des Fensterteils (7) und zur Verhinderung, daß Licht durch den Bereich, außer durch den Fensterteil, in das transparente Substrat tritt, auf der ersten Hauptoberfläche so bereitgestellt wird, daß sie auf den Chip-Verbindungselektroden (2) und auf jedem Abstand zwischen den benachbarten Chip-Verbindungselektroden (2) angeordnet ist.14. An optical circuit board according to any one of claims 1-11, wherein a darkening layer (5) for defining the window part (7) and preventing light from entering the transparent substrate through the area other than the window part is provided on the first main surface so as to be disposed on the chip connection electrodes (2) and on each space between the adjacent chip connection electrodes (2). 15. Optische Leiterplatte nach Anspruch 12, 13 oder 14, wobei die Abdunkelungsschicht (5) aus Metall aufgebaut ist.15. Optical circuit board according to claim 12, 13 or 14, wherein the darkening layer (5) is made of metal. 16. Optische Leiterplatte nach Anspruch 12, 13 oder 14, wobei die Abdunkelungsschicht (5) aus Rußteilchen oder Farbpigmentkomponenten enthaltendem Kunststoff aufgebaut ist.16. Optical circuit board according to claim 12, 13 or 14, wherein the darkening layer (5) is constructed from plastic containing soot particles or color pigment components. 17. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei eine leitfähige antistatische Schicht (6) auf der zweiten Hauptoberfläche bereitgestellt ist.17. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein a conductive antistatic layer (6) is provided on the second major surface. 18. Optische Leiterplatte nach Anspruch 17, wobei die antistatische Schicht (6) aus einem Element mit einer Abdunkelungseigenschaft aufgebaut ist und so bereitgestellt ist, daß der Fensterteil (7) definiert ist, während verhindert wird, daß das Licht durch eine andere Fläche als den Fensterteil in das transparente Substrat tritt.18. An optical circuit board according to claim 17, wherein the antistatic layer (6) is composed of a member having a darkening property and is provided so that the window part (7) is defined while preventing the light from entering the transparent substrate through a surface other than the window part. 19. Optische Leiterplatte nach Anspruch 18, wobei die antistatische Schicht (6) aus Metall aufgebaut ist.19. Optical circuit board according to claim 18, wherein the antistatic layer (6) is made of metal. 20. Optische Leiterplatte nach Anspruch 18, wobei die antistatische Schicht (6) aus Harz mit Ruß- oder Metallteilchen darin dispergiert aufgebaut ist.20. Optical circuit board according to claim 18, wherein the antistatic layer (6) is made of resin with carbon black or metal particles dispersed therein. 21. Optische Leiterplatte nach Anspruch 18, 19 oder 20, wobei die antistatische Schicht (6) so ausgebildet ist, daß sie den Umfang des Fensterteils (7) einschließt.21. An optical circuit board according to claim 18, 19 or 20, wherein the antistatic layer (6) is formed so as to enclose the periphery of the window part (7). 22. Optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 18-21, wobei die antistatische Schicht (5) sich in Längsrichtung des Fensterteils (7) an beiden Seiten davon erstreckt.22. Optical circuit board according to one of claims 18-21, wherein the antistatic layer (5) extends in the longitudinal direction of the window part (7) on both sides thereof. 23. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, die außerdem einen Lichtleiter (18), bereitstellt auf der zweiten Hauptoberfläche zum Leiten von Licht aus dem Fensterteil (7) und/oder zu dem Fensterteil (7), umfaßt.23. An optical circuit board according to any preceding claim, further comprising a light guide (18) provided on the second major surface for guiding light from the window part (7) and/or to the window part (7). 24. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei eine Schicht (4) mit geringer Reflexion in der Haftgrenzfläche zwischen den Chip-Verbindungselektroden (2) und dem transparenten Substrat (1) bereitgestellt ist.24. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein a low reflection layer (4) is provided in the bonding interface between the chip connection electrodes (2) and the transparent substrate (1). 25. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei eine Schicht (4) mit geringer Reflexion in der Haftgrenzfläche zwischen den I/OCC-Elektroden (3) und dem transparenten Substrat (1) bereitgestellt ist.25. Optical circuit board according to any preceding claim, wherein a layer (4) with low reflection in the adhesive interface between the I/OCC electrodes (3) and the transparent substrate (1). 26. Optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 12-16 oder einem der Ansprüche 17-25, wenn davon abhängig, worin eine Schicht (4) mit geringer Reflexion in der Haftgrenzfläche zwischen der Abdunkelungsschicht (5) und dem transparenten Substrat (1) bereitgestellt ist.26. An optical circuit board according to any one of claims 12-16 or any one of claims 17-25 when dependent thereon, wherein a low reflection layer (4) is provided in the adhesion interface between the darkening layer (5) and the transparent substrate (1). 27. Optische Leiterplatte nach Anspruch 18 oder einem der Ansprüche 19-26, wenn davon abhängig, wobei eine Schicht (4) mit geringer Reflexion in der Haftgrenzfläche zwischen der antistatischen Schicht (6) und dem transparenten Substrat (1) bereitgestellt ist.27. An optical circuit board according to claim 18 or any of claims 19-26 when dependent thereon, wherein a low reflection layer (4) is provided in the adhesion interface between the antistatic layer (6) and the transparent substrate (1). 28. Optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 24, 25, 26 und 27, wobei das Lichtreflexionsvermögen der Schicht (4) mit geringer Reflexion 50% oder weniger ist.28. An optical circuit board according to any one of claims 24, 25, 26 and 27, wherein the light reflectance of the low reflection layer (4) is 50% or less. 29. Optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 24, 25, 26, 27 und 28, wobei die Schicht (4) mit geringer Reflexion aus Metall, einer Metallverbindung, einem Kunststoff oder einer organischen Verbindung aufgebaut ist.29. Optical circuit board according to one of claims 24, 25, 26, 27 and 28, wherein the layer (4) with low reflection is made of metal, a metal compound, a plastic or an organic compound. 30. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei eine transparente Schutzschicht (8) auf der zweiten Hauptoberfläche in einer solchen Weise aufgebracht ist, daß die Schutzschicht den Fensterteil (7) bedeckt.30. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein a transparent protective layer (8) is applied to the second main surface in such a way that the protective layer covers the window part (7). 31. Optische Leiterplatte nach Anspruch 18, wobei eine transparente Schutzschicht (8) auf der zweiten Hauptoberfläche in einer solchen Weise aufgebracht ist, daß die Schutzschicht (8) den Fensterteil (7) und/oder die antistatische Schicht (6) bedeckt.31. Optical circuit board according to claim 18, wherein a transparent protective layer (8) is applied to the second main surface in such a way that the protective layer (8) covers the window part (7) and/or the antistatic layer (6). 32. Optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch, wobei das transparente Substrat (1) aus einem biegsamen, filmähnlichen Material aufgebaut ist.32. An optical circuit board according to any preceding claim, wherein the transparent substrate (1) is constructed from a flexible, film-like material. 33. Optische Leiterplatte nach Anspruch 32, wobei das transparente Substrat (1) aus mindestens einem Stoff, ausgewählt aus Polyethylenterephthalat, Polyethylennaphthalat, Polyamid, Polyether, Polysulfon, Polyethersulfon, Polycarbonat, Polyarylat, Polyetherimid, Polyetheretherketon, Polyimid und Polyparabansäure oder Copolymer davon, aufgebaut ist.33. Optical circuit board according to claim 32, wherein the transparent substrate (1) is composed of at least one material selected from polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, polyether, polysulfone, polyethersulfone, polycarbonate, polyarylate, polyetherimide, polyetheretherketone, polyimide and polyparabanic acid or copolymer thereof. 34. Optische Leiterplatte nach Anspruch 32 oder 33, wobei die Dicke des transparenten Substrats (1) im Bereich 5 bis 500 um liegt.34. Optical circuit board according to claim 32 or 33, wherein the thickness of the transparent substrate (1) is in the range 5 to 500 µm. 35. Optische Leiterplatte nach Anspruch 32 oder 33, wobei die Dicke des transparenten Substrats (1) im Bereich 10 bis 200 um liegt.35. Optical circuit board according to claim 32 or 33, wherein the thickness of the transparent substrate (1) is in the range 10 to 200 µm. 36. Optische Leiterplatte nach Anspruch 32 oder 33, wobei die Dicke des transparenten Substrats (1) im Bereich 20 bis 50 um liegt.36. Optical circuit board according to claim 32 or 33, wherein the thickness of the transparent substrate (1) is in the range 20 to 50 µm. 37. Optische Lesevorrichtung zum optischen Lesen eines Manuskripts, die eine optische Leiterplatte nach einem vorangehenden Anspruch einschließt, mit einem oder mehreren optischen Lese-LSI-Chips mit Anschlußzuleitungen darauf befestigt; wobei die Leiterplatte so angeordnet ist, daß sie mit der Längsrichtung des Fensterteils (7) die Richtung der vorgesehenen, relativen Bewegung des Manuskripts hinsichtlich der optischen Lesevorrichtung überquert.37. An optical reading device for optically reading a manuscript, including an optical circuit board according to any preceding claim, having one or more optical reading LSI chips with lead wires mounted thereon; the circuit board being arranged so that it traverses, with the longitudinal direction of the window part (7), the direction of intended relative movement of the manuscript with respect to the optical reading device. 38. Optische Bilderzeugungsvorrichtung zur optischen Bilderzeugung auf lichtempfindlichem Material, das eine optische Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1-36 einschließt, mit einem oder mehreren optischen, bilderzeugenden LSI-Chips mit den Anschlußzuleitungen darauf befestigt; wobei die Leiterplatte so angeordnet ist, daß sie mit der Längsrichtung des Fensterteils (7) die vorgesehene Richtung, in der die relative Bewegung zwischen dem lichtempfindlichen Material und der optischen Bilderzeugungsvorrichtung auftritt, überquert.38. An optical imaging device for optically forming an image on a photosensitive material, including an optical circuit board according to any one of claims 1-36, having one or more optical imaging LSI chips with the connection leads mounted thereon; the circuit board being arranged so that it traverses with the longitudinal direction of the window part (7) the intended direction in which the relative movement between the photosensitive material and the optical imaging device occurs.
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