DE69321804T2 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITH AN ADDRESSING SCHEME FOR REACHING HIGH CONTRAST AND HIGH BRIGHTNESS WITH MAINTENANCE OF FAST SWITCHING - Google Patents
LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITH AN ADDRESSING SCHEME FOR REACHING HIGH CONTRAST AND HIGH BRIGHTNESS WITH MAINTENANCE OF FAST SWITCHINGInfo
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Description
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zur Zuführung von Datensignalen zu den Spaltenelektroden von einem ersten Zustand in einen optisch verschiedenen zweiten Zustand umgeschaltet, wobei der Steuerschaltkreis Datenspannungen der Höhe ±Vd an die Spaltenelektroden über die Zeitspanne hinweg, während der eine Zeilenelektrode abgetastet wird, in einer derartigen Weise anlegt, daß der optische Zustand, der in einem Anzeigeelement bewirkt wird, durch den sogenannten mittleren quadratischen (RMS) Spannungswert über das betreffende Element hinweg bestimmt ist.for supplying data signals to the column electrodes from a first state to an optically different second state, the control circuit applying data voltages of magnitude ±Vd to the column electrodes over the period of time during which a row electrode is scanned in such a way that the optical state brought about in a display element is determined by the so-called root mean square (RMS) voltage value across the element in question.
Der RMS-Spannungswert V&sub2; für die nicht ausgewählten Anzeigeelemente, d. h. die Anzeigeelemente im EIN-Zustand, ist gegeben durch:The RMS voltage value V₂ for the non-selected display elements, i.e. the display elements in the ON state, is given by:
V&sub2;² = (Vs + Vd)²/N + (N - 1) · V²d/N. (1)V2² = (Vs + Vd)²/N + (N - 1) · V²d/N. (1)
Der RMS-Spannungswert V&sub1; für die nicht ausgewählten Anzeigeelemente, d. h. die Anzeigeelemente im AUS-Zustand, ist gegeben durch:The RMS voltage value V₁ for the non-selected display elements, i.e. the display elements in the OFF state, is given by:
V&sub1;² = (Vs - Vd)²/N + (N - 1) · V²d /N. (2)V1² = (Vs - Vd)²/N + (N - 1) · V²d /N. (2)
Fig. 2 zeigt in diagrammatischer Form eine Transmissions-Spannungs-Charakteristik einer Bildzelle, die zu jener Anzeigevorrichtung gehört.Fig. 2 shows in diagrammatic form a transmission-voltage characteristic of an image cell belonging to that display device.
Alt & Pleshko haben Beziehungen abgeleitet, die für einen gegebenen Wert des Verhältnisses S = V&sub2;/V&sub1; (manchmal Schwellwertsteigung der Transmissions-Spannungs-Kennlinie genannt) die maximale Anzahl an Zeilen Nmax, die durch dieses Verfahren unter Aufrechterhaltung eines vorgegebenen Kontrastwerts adressiert werden können, und die Weise angeben, in der die Spannung Vs des Zeilenauswahlimpulses und die Datenspannungen ±Vd ausgewählt werden müssen, um dies zu erreichen. Diese Beziehungen sind wie folgt:Alt & Pleshko have derived relationships which, for a given value of the ratio S = V₂/V₁ (sometimes called the threshold slope of the transmission-voltage characteristic), give the maximum number of lines Nmax that can be addressed by this method while maintaining a given contrast value, and the manner in which the line select pulse voltage Vs and the data voltages ±Vd must be selected to achieve this. These relationships are as follows:
Nmax = {(S² + 1)/(S² - 1)} (3)Nmax = {(S² + 1)/(S² - 1)} (3)
(V&sub2;/Vd)² = Nmax (4)(V₂/Vd)² = Nmax (4)
V²d = V&sub1;² *{0,5/1 - Q)},V²d = V1² *{0.5/1 - Q)},
wobei Q² = Nmax&supmin;¹.where Q² = Nmax⊃min;¹.
Indem die Zeilenauswahlspannung Vs und die Datenspannung Vd dann gemäß der Ausdrücke (2) und (3) gewählt werden, ist die resultierende RMS-Spannung, wenn Nmax Zeilen verwendet werden, über ein ausgewähles Pixel hinweg gleich V&sub2;, und die resultierende RMS-Spannung über ein nicht ausgewähltes Pixel hinweg ist gleich Vj, Eine größere Multiplexrate, in anderen Worten ein höherer Wert für Nmax, erfordert eine größere Steigung der Transmissions-Spannungs-Kennlinie, d. h. einen Wert für die Größe S = V&sub2;/V&sub1; näher bei 1,0.By then choosing the row selection voltage Vs and the data voltage Vd according to expressions (2) and (3), the resulting RMS voltage when Nmax rows are used across a selected pixel is equal to V2, and the resulting RMS voltage across a non-selected pixel is equal to Vj. A larger multiplexing rate, in other words a higher value for Nmax, requires a larger slope of the transmission-voltage characteristic, i.e. a value for the quantity S = V2/V1 closer to 1.0.
Mittels der gegenwärtig bekannten (und bereits verwendeten), sogenannten "SUPER- TWISTED" Flüssigkristalleffekte ist es möglich, sehr hohe Werte für Nmax zu erhalten, da die Schwellwertsteigung S der Transmissions-Spannungs-Kennlinie dieser Effekte einen Wert aufweist, der sehr dicht bei dem Grenzwert 1,0 liegt. Fig. 1 zeigt in diagrammatischer Form einen Teil einer matrixorientierten Anzeigevorrichtung 1 mit Nmax Auswahlzeilen (Zeilenelektroden) 2 und beschreibt im Prinzip die Funktionsweise des früher erwähnten RMS-Multiplex-Adressierverfahrens.By means of the currently known (and already used) so-called "SUPER-TWISTED" liquid crystal effects it is possible to obtain very high values for Nmax, since the threshold slope S of the transmission-voltage characteristic of these effects has a value that is very close to the limit value 1.0. Fig. 1 shows in diagrammatic form a part of a matrix-oriented display device 1 with Nmax selection lines (row electrodes) 2 and describes in principle the functioning of the RMS multiplex addressing method mentioned earlier.
Die anzuzeigende Information wird den Datenzeilen (Spaltenelektroden) 3 zugeführt. An der Stelle der Kreuzungspunkte der Auswahlzeilen 2 und der Datenleitungen 3 befinden sich die Anzeigeelemente 4. In Abhängigkeit von der auf den Datenleitungen 3 zugeführten Information befinden sich die Anzeigeelemente 4 in einem EIT-Zustand oder einem AUS-Zustand.The information to be displayed is fed to the data lines (column electrodes) 3. The display elements 4 are located at the intersection points of the selection lines 2 and the data lines 3. Depending on the information fed to the data lines 3, the display elements 4 are in an EIT state or an OFF state.
Synchron mit der Auswahl der Zeilen oder Zeilenelektroden mit Hilfe der Zeilenauswahlspannung Vs (die gemäß den Ausdrücken (4) und (5) ausgewählt wurde) wird die Bildinformation (Datenspannung ±Vd) über die Spaltenelektroden angelegt. Somit ist von dem Zeitpunkt t&sub1; und über eine Zeitspanne t&sub1; hinweg (manchmal als Zeilenzeit bezeichnet) die Zeile 2a ausgewählt, die zusammen mit der dann auf den Datenleitungen 3a, 3b, 3c vorhandenen Information (d. h. +Vd) den optischen Zustand der Pixel 4aa, 4bb, 4cc bestimmt.In synchronism with the selection of the rows or row electrodes by means of the row selection voltage Vs (selected according to expressions (4) and (5)), the image information (data voltage ±Vd) is applied across the column electrodes. Thus, from the time t1 and over a period of time t1 (sometimes referred to as the row time), the row 2a is selected, which together with the information then present on the data lines 3a, 3b, 3c (i.e. +Vd) determines the optical state of the pixels 4aa, 4bb, 4cc.
Während dieser Zeitspanne t&sub1;, wenn die Zeile 2a ausgewählt ist, liegen alle anderen Pixel, die den Zeilenelektroden 2b, 2c etc. entsprechen, auf einer Spannung ±Vd.During this time period t1, when the row 2a is selected, all other pixels corresponding to the row electrodes 2b, 2c, etc. are at a voltage ±Vd.
Von einem Zeitpunkt t&sub2; an (wobei t&sub2; - t&sub1; = t&sub1;) ist die Zeile 2b über eine Zeitspanne t&sub1; hinweg ausgewählt. Die dann auf den Datenleitungen 3 vorhandene Information (d. h. ±Vd) bestimmt den Zustand der Pixel 4ba, 4bb, 4bc.From a time t₂ (where t₂ - t₁ = t₁), row 2b is selected for a time period t₁. The information then present on data lines 3 (i.e., ±Vd) determines the state of pixels 4ba, 4bb, 4bc.
Nach der Zeilenzeit t&sub1; wird dann die nächste Zeile ausgewählt. Somit wird das gesamte Bild zeilenweise geschrieben. Nach Auswahl der letzten Zeile der Matrix wird der gesamte Zyklus wiederholt (sogenannte "wiederholte Abtastprozedur"). Die Dauer eines einzelnen Schreibzyklus wird die Teilbildzeit tf genannt: tf = N · t1, wobei N die Anzahl von Zeilen darstellt, die so nacheinander abgetastet werden.After the line time t₁, the next line is selected. Thus, the entire image is written line by line. After selecting the last line of the matrix, the entire cycle is repeated (so-called "repeated scanning procedure"). The duration of a single write cycle is called the field time tf: tf = N · t1, where N represents the number of lines that are scanned one after the other.
Ein wichtiger Punkt bei diesem RMS-Adressierverfahren besteht darin, daß sowohl die Anstiegszeit als auch die Abfallzeit (in anderen Worten die Schaltzeit für den Übergang in den "EIN"- beziehungsweise "AUS"-Zustand) des optischen Effektes viel größer als die Teilbildzeit sind.An important point in this RMS addressing method is that both the rise time and the fall time (in other words the switching time for the transition to the "ON" or "OFF" state, respectively) of the optical effect are much longer than the field time.
Unter diesen Umständen reagiert das Anzeigeelement auf den kumulativen Effekt einer Anzahl von Adressierimpulsen (oder Auswahlimpulsen). Unter diesen Bedingungen reagiert ein Flüssigkristallanzeigeelement insbesondere in der gleichen Weise, als ob es durch ein sinusförmiges Signal oder ein stufenförmiges Signal oder dergleichen mit dem gleichen RMS-Spannungswert wie jenem der "EIN"- und "AUS"-Spannungen V&sub2; und V&sub1;, die durch die Ausdrücke (1) und (2) gegeben sind, adressiert worden wäre.Under these circumstances, the display element responds to the cumulative effect of a number of addressing pulses (or selection pulses). In particular, under these conditions, a liquid crystal display element responds in the same way as if it had been addressed by a sinusoidal signal or a step-shaped signal or the like having the same RMS voltage value as that of the "ON" and "OFF" voltages V₂ and V₁ given by expressions (1) and (2).
Wie bereits erörtert, steht die maximale Anzahl von Auswahlzeilen Nmax in Beziehung zu dem Wert des Verhältnisses V&sub2;/V&sub1; (Schwellwertsteigung).As already discussed, the maximum number of selection lines Nmax is related to the value of the ratio V₂/V₁ (threshold slope).
Mit zunehmender Multiplexrate sind zunehmend höhere Spannungen notwendig, wenn das oben beschriebene RMS-Multiplex-Adressierverfahren verwendet wird.As the multiplex rate increases, increasingly higher voltages are required when the RMS multiplex addressing method described above is used.
Insbesondere die Zeilenauswahlspannung Vs wird groß (die Daten- oder Spaltenspannung Vd in diesem Adressierschema sollte stets niedriger als die Schwellwertspannung des optischen Effekts gewählt werden).In particular, the row selection voltage Vs becomes large (the data or column voltage Vd in this addressing scheme should always be chosen lower than the threshold voltage of the optical effect).
Die hohen Auswahlspannungen resultieren darin, daß der Flüssigkristalleffekt nicht mehr auf den RMS-Spannungswert (mittlere RMS-Spannung über eine Teilbildzeit) reagiert, sondern stattdessen das Pixel eine optische Antwort zeigt, die durch den "momentanen" Spannungswert bestimmt ist, der während der Zeilenauswahlzeit durch das betreffende Element abgetastet wird. Fig. 3 zeigt in diagrammatischer Form das Transmissionsverhalten über eine Teilbildzeit eines derartigen Anzeigeelements hinweg im "EIN"-Zustand.The high selection voltages result in the liquid crystal effect no longer responding to the RMS voltage value (average RMS voltage over a field time), but instead the pixel shows an optical response determined by the "instantaneous" voltage value sampled by the element in question during the line selection time. Fig. 3 shows in diagrammatic form the transmission behavior over a field time of such a display element in the "ON" state.
Der "EIN"-Zustand wird bereits während der Zeilenzeit t&sub1; erreicht, während der das betreffende Element eine Spannung der Größe Vs + Vd abtastet, da die "EIN"-Schaltzeit bei ausreichend hohen Spannungen kleiner oder gleich der Zeilenzeit wird. Nach der Auswahl, das heißt nach der Zeilenzeit t&sub1;, tastet das betreffende Pixel lediglich eine Spannung ±Vd ab, die kleiner als die Schwellwertspannung ist. Das bedeutet, da das betreffende Pixel während der verbleibenden Teilbildzeit in seinen "AUS"-Zustand zurückkehrt. In Fig. 3 wird der Einfachheit halber angenommen, daß die Abfallzeit (in anderen Worten die "AUS"-Schaltzeit) die gleiche Größe wie die Teilbildzeit aufweist.The "ON" state is already reached during the line time t1, during which the element in question samples a voltage of the magnitude Vs + Vd, since the "ON" switching time becomes less than or equal to the line time at sufficiently high voltages. After selection, i.e. after the line time t1, the pixel in question only samples a voltage ±Vd, which is less than the threshold voltage. This means that the pixel in question returns to its "OFF" state during the remaining field time. In Fig. 3, for the sake of simplicity, it is assumed that the fall time (in other words the "OFF" switching time) is the same as the field time.
Diese Charakteristik, das sogenannte "Nicht-RMS"-Transmissionsverhalten, wurde unter anderem mit Flüssigkristallanzeigevorrichtungen beobachtet, die "Super-twisted"- Konfigurationen aufwiesen, und insbesondere in dem Fall von Anzeigevorrichtungen mit sehr geringen Flüssigkristallschichtdicken. Es ist bekannt, daß die Schaltzeiten eines Flüssigkristalleffekts stark von der Schichtdicke abhängen. Wenn die Schichtdicke geringer wird, nimmt die Schaltzeit ab. Siehe unter anderem Okada et al. in SID Digest of Technical Papers XXII, 1991, Seiten 430 bis 433.This characteristic, the so-called "non-RMS" transmission behavior, has been observed, among other things, with liquid crystal display devices having "super-twisted" configurations, and in particular in the case of displays with very thin liquid crystal layer thicknesses. It is known that the switching times of a liquid crystal effect depend strongly on the layer thickness. As the layer thickness becomes smaller, the switching time decreases. See, among others, Okada et al. in SID Digest of Technical Papers XXII, 1991, pages 430 to 433.
Das angegebene Transmissionsverhalten (häufig als "TEILBILDANTWORT" bezeichnet) in Fig. 3 führt zu einem Verlust an Helligkeit und Kontrast im Vergleich zu einem Flüssigkristalleffekt, der in einer echten RMS-Weise reagiert.The indicated transmission behavior (often referred to as "PARTIAL IMAGE RESPONSE") in Fig. 3 results in a loss of brightness and contrast compared to a liquid crystal effect that responds in a true RMS manner.
Der IEEE-Konferenzbeitrag der 1988 International Display Research Conference, 1988, New York; T.N. Ruckmongathan: 'A generalized addressing technique for RMS responding matrix LDCs', Seiten 80 bis 85 offenbart ein Adressierverfahren, bei dem mehr als eine Adressenzeile gleichzeitig ausgewählt wird. Dies erfordert eine niedrigere Versorgungsspannung und ergibt eine bessere Helligkeitsgleichförmigkeit von Pixeln im Vergleich zu bis dahin bekannten herkömmlichen Techniken.The IEEE conference paper of the 1988 International Display Research Conference, 1988, New York; T.N. Ruckmongathan: 'A generalized addressing technique for RMS responding matrix LDCs', pages 80 to 85 discloses an addressing method in which more than one address line is selected simultaneously. This requires a lower supply voltage and results in better brightness uniformity of pixels in comparison to conventional techniques known up to that point.
DE-A-27 52 602 offenbart ein elektro-optisches Anzeigesystem mit einer Matrix von Anzeigeelementen und einem Ansteuerschaltkreis, wobei die Elemente gegenüberliegend positionierte Elektroden enthalten, die durch ein elektro-optisch aktiviertes Medium gegenseitig isoliert sind, zeilenweise und spaltenweise elektrisch verbunden sind und periodisch mit Steuersignalen versorgt werden. Ein von dem Anzeigebild unabhängiges Signal wird an jede der n Zeilenelektroden angelegt, und ein weiteres Signal wird in Abhängigkeit von dem Bild an Spaltenelektroden angelegt und von 2n-1 Signalen ausgewählt.DE-A-27 52 602 discloses an electro-optical display system with a matrix of display elements and a drive circuit, the elements comprising oppositely positioned electrodes which are mutually isolated by an electro-optically activated medium, electrically connected row by row and column by column and periodically supplied with control signals. A signal independent of the display image is applied to each of the n row electrodes and a further signal is applied to column electrodes depending on the image and selected from 2n-1 signals.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Anzeigevorrichtung mit einem Flüssigkristallmaterial zwischen zwei Trägerplatten bereitgestellt, die in einem definierten Abstand gehalten werden und deren Oberflächen einander gegenüberliegen, wobei ein Muster von N Zeilenelektroden auf der einen Oberfläche angeordnet ist und ein Muster von Spaltenelektroden auf der anderen Oberfläche angeordnet ist, wobei die Zeilenelektroden die Spaltenelektroden kreuzen und so Anzeigeelemente an den Stellen der Kreuzungen gebildet sind, und wobei die Vorrichtung einen Steuerschaltkreis für die Zuführung von Datensignalen zu den Spaltenelektroden beinhaltet und des weiteren einen Zeilenabtastschaltkreis zum periodischen Abtasten der Zeilenelektroden und Zuführen von Zeilenauswahl-Spannungssignalen beinhaltet, wobei während der Teilbildzeit des periodischen Abtastens der Zeilenelektroden eine Mehrzahl von Zeilen n gleichzeitig während einer Auswahlzeit (ta) ausgewählt wird, wobei die Zeilenauswahl- Spannungssignale, die während der Auswahlzeit (ta) anzulegen sind, für jede der gleichzeitig auszuwählenden Zeilen unterschiedlich sind, wobei die Amplituden der Zeilenauswahl-Spannungssignale für jede der gleichzeitig auszuwählenden Zeilen gleich sind und die Zeilenauswahl-Spannungssignale der gleichzeitig auszuwählenden Zeilen wechselseitig orthogonal sind,According to the present invention, a display device is provided comprising a liquid crystal material between two carrier plates which are held at a defined distance and whose surfaces are opposite each other, a pattern of N row electrodes being arranged on one surface and a pattern of column electrodes being arranged on the other surface, the row electrodes crossing the column electrodes and thus forming display elements at the locations the intersections are formed, and wherein the device includes a control circuit for supplying data signals to the column electrodes and further includes a row scanning circuit for periodically scanning the row electrodes and supplying row selection voltage signals, wherein during the field time of the periodic scanning of the row electrodes a plurality of rows n are selected simultaneously during a selection time (ta), wherein the row selection voltage signals to be applied during the selection time (ta) are different for each of the rows to be selected simultaneously, wherein the amplitudes of the row selection voltage signals are the same for each of the rows to be selected simultaneously and the row selection voltage signals of the rows to be selected simultaneously are mutually orthogonal,
dadurch gekennzeichnet, daß die Auswahlzeit (ta) für eine Gruppe von n Zeilen in eine Anzahl von Auswahlzeitintervallen aufgeteilt ist, die über die Teilbildzeit derart verteilt sind, daß die Summe der Zeitintervalle gleich der Auswahlzeit (ta) ist, und derart, daß während des Abtastens der N Zeilen nicht mehr als n Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden, wobei die Zeilenauswahlspannungen, die während dieser Zeitintervalle an jede der gleichzeitig auszuwählenden Zeilen anzulegen sind, identisch mit den Teilen der ursprünglichen Zeilenauswahl-Spannungssignale der betreffenden Zeilen sind, die den betreffenden Zeitintervallen entsprechen.characterized in that the selection time (ta) for a group of n lines is divided into a number of selection time intervals distributed over the field time in such a way that the sum of the time intervals is equal to the selection time (ta) and in such a way that during the scanning of the N lines no more than n lines are selected simultaneously, the line selection voltages to be applied to each of the lines to be selected simultaneously during these time intervals being identical to the parts of the original line selection voltage signals of the lines concerned which correspond to the time intervals concerned.
Eine gerade Anzahl von Zeilen kann gleichzeitig während einer Auswahlzeit ausgewählt werden, wobei eines der anzulegenden Zeilenauswahl-Spannungssignale eine unipolare Spannung ist, die während einer Zeitspanne existiert, die gleich der Auswahlzeit ist, und wobei die anderen Zeilenauswahlspannungen Signale mit alternierender Polarität sind.An even number of rows can be selected simultaneously during a selection time, wherein one of the row selection voltage signals to be applied is a unipolar voltage existing for a period of time equal to the selection time, and the other row selection voltages are alternating polarity signals.
Die Erfindung basiert auf der Einsicht, daß die Verwendung einer Mehrzahl von kleineren Impulsen während der Teilbildzeit anstelle des einzelnen großen Auswahlimpulses pro Zeile möglich ist, wenn eine Mehrzahl von Zeilen während der Teilbildzeit gleichzeitig ausgewählt wird.The invention is based on the insight that the use of a plurality of smaller pulses during the field time instead of the single large selection pulse per line is possible if a plurality of lines are selected simultaneously during the field time.
Eine gleichzeitige Auswahl einer Mehrzahl von Zeilen während des Abtastens der Matrix (Multiplexen) führt, wenn der Spannungssignalverlauf der Auswahlspannungs- und der Datensignale in einer geeigneten Weise gewählt werden, nicht zu einer Verminderung der maximalen Anzahl von Zeilen, die adressiert werden können. Für eine gegebene Transmissions-Spannungs-Kennlinie mit einer Steigung V&sub2;/V&sub1; ist Nmax wiederum gemäß dem Ausdruck (3) bestimmt, der für den Fall eines RMS-Verhaltens abgeleitet wurde.A simultaneous selection of a plurality of lines during scanning of the matrix (multiplexing) does not lead to a reduction in the maximum number of lines that can be addressed if the voltage waveform of the selection voltage and the data signals are selected in a suitable manner. For a given transmission-voltage characteristic with a slope V₂/V₁, Nmax is again according to expression (3), which was derived for the case of RMS behavior.
Die gleichzeitige Auswahl einer Mehrzahl von Zeilen während der Teilbildzeit führt nicht nur zu einem Auswahlsignal mit einer kleineren Amplitude im Vergleich zu einer üblichen RMS-Adressierung, sondern stellt gleichzeitig die Möglichkeit eines Aufteilens des Auswahlsignals mit seiner zugehörigen Auswahlperiode in eine Mehrzahl von getrennten Auswahlimpulsen mit einer entsprechenden verkürzten Impulsdauer bereit.The simultaneous selection of a plurality of lines during the field time not only results in a selection signal with a smaller amplitude compared to a conventional RMS addressing, but at the same time provides the possibility of dividing the selection signal with its associated selection period into a plurality of separate selection pulses with a corresponding shortened pulse duration.
Fig. 1 zeigt ein Diagramm, das einen Teil einer matrixorientierten Anzeigevorrichtung darstellt;Fig. 1 is a diagram illustrating a portion of a matrix-oriented display device;
Fig. 2 zeigt eine Transmissions-Spannungs-Charakteristik einer Bildzelle der Anzeigevorrichtung;Fig. 2 shows a transmission-voltage characteristic of an image cell of the display device;
Fig. 3 zeigt ein Transmissionsverhalten der Anzeigevorrichtung über eine Teilbildzeit hinweg;Fig. 3 shows a transmission behavior of the display device over a field time;
Fig. 4a und 4b zeigen eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;Figs. 4a and 4b show an embodiment of the present invention;
Fig. 5a bis 5c zeigen Diagramme, die Signalverläufe für die zweite Auswahlzeitspanne ta/2 darstellen, die von einem Zeitpunkt an gewählt ist, der nach der Hälfte der Teilbildzeit folgt;Fig. 5a to 5c show diagrams illustrating signal waveforms for the second selection period ta/2 which is selected from a point in time following half of the field time;
Fig. 6a und 6b zeigen eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;Figs. 6a and 6b show another embodiment of the present invention;
Fig. 7 zeigt die resultierenden Spannungen der Zeilenauswahlsignale und der Datensignale für Elemente 11 bis 22, wie in den Fig. 6a und 6b gezeigt, während der Auswahlzeit tb;Fig. 7 shows the resulting voltages of the row selection signals and the data signals for elements 11 to 22 as shown in Figs. 6a and 6b during the selection time tb;
Fig. 8a und 8b zeigen die Beziehung zwischen der Auswahlzeitspanne tb/4 und der zugehörigen Spannung über die Teilbildzeit hinweg; undFig. 8a and 8b show the relationship between the selection period tb/4 and the corresponding voltage over the field time; and
Fig. 9 zeigt die Zeilenauswahlsignale, die dazu verwendet werden, Auswahlperioden kleiner als die Gesamtauswahlperiode tc zu definieren.Fig. 9 shows the row selection signals used to define selection periods smaller than the total selection period tc.
Die Erfindung wird nunmehr detaillierter unter Bezugnahme auf eine Anzahl illustrativer Ausführungsformen erläutert.The invention will now be explained in more detail with reference to a number of illustrative embodiments.
In der ersten illustrativen Ausführungsform (Fig. 4a und 4b) wird angenommen, da während der Teilbildabtastung eine gleichzeitige Auswahl von zwei Zeilen stattfindet.In the first illustrative embodiment (Fig. 4a and 4b) it is assumed that During field scanning, two lines are selected simultaneously.
Der Einfachheit halber wird angenommen, daß die Anzahl von Zeilen N der Matrix ein Vielfaches von "zwei" ist.For simplicity, it is assumed that the number of rows N of the matrix is a multiple of "two".
Die Auswahlzeit ist dann als die Adressierzeit ta definiert. Fig. 4a zeigt Spannungssignalverläufe für die Zeilensignale und die Datensignale, die dazu verwendet werden können, die Informationen zu schreiben, wie sie in dieser Figur mittels der Bezeichnungen "AN" und "AUS" dargestellt sind.The selection time is then defined as the addressing time ta. Fig. 4a shows voltage waveforms for the row signals and the data signals that can be used to write the information as represented in this figure by the designations "ON" and "OFF".
Nach der Adressierzeit ta, wie in Fig. 4a dargestellt, werden die nächsten zwei Zeilen ausgewählt, und mit Hilfe eines Spaltensteuerschaltkreises werden die geeigneten Datenspannungen an die Spalten gemäß der dann zu schreibenden Information angelegt. Die Teilbildzeit tf ist in diesem Beispiel gegeben durch: tf = (N/2) · ta.After the addressing time ta, as shown in Fig. 4a, the next two rows are selected and, with the help of a column control circuit, the appropriate data voltages are applied to the columns according to the information then to be written. The field time tf in this example is given by: tf = (N/2) · ta.
Die Zeilenauswahlspannungssignale der zwei gleichzeitig ausgewählten Zeilen sind wechselseitig orthogonal.The row selection voltage signals of the two simultaneously selected rows are mutually orthogonal.
In Fig. 4a wird der Einfachheit halber angenommen, daß zwei benachbarte Zeile ausgewählt werden. Dies ist jedoch nicht notwendig, da jede beliebigen zwei Zeilen der N-Zeilen-Matrix unter Verwendung dieses Adressierverfahrens gleichzeitig ausgewählt werden können. Offensichtlich wird jede Zeile stets nur während einer Adressierzeit ta für jede Teilbildzeit ausgewählt.In Fig. 4a, it is assumed for simplicity that two adjacent rows are selected. However, this is not necessary since any two rows of the N-row matrix can be selected simultaneously using this addressing method. Obviously, each row is always selected only during one addressing time ta for each field time.
Genau wie bei üblichem Multiplex-Adressieren, wie hierin zuvor beschrieben, findet hier "wiederholtes Abtasten" statt.Just like in conventional multiplex addressing as described earlier herein, "repeated sampling" takes place here.
Die Amplitude der Zeilenauswahlspannungssignale für die zwei gleichzeitig auszuwählenden Zeilen ist gleich ±A.The amplitude of the row selection voltage signals for the two rows to be selected simultaneously is equal to ±A.
Anstelle der für die zwei gleichzeitig auszuwählenden Zeilen dargestellten Spannungssignalverläufe ist es auch möglich, Spannungssignalverläufe mit einer höheren Frequenz zu wählen. In diesem Fall sind die Datenspannungssignale anzupassen, und sie unterscheiden sich von jenen in Fig. 4a dargestellten.Instead of the voltage waveforms shown for the two lines to be selected simultaneously, it is also possible to select voltage waveforms with a higher frequency. In this case, the data voltage signals must be adjusted and they differ from those shown in Fig. 4a.
Die Amplitude der Datenspannungen in Fig. 4a, die den Spalten während der Adressierzeit ta zugeführt werden, um die gewünschte Information zu schreiben, ist während einer Hälfte der Adressierzeit gleich ±D und während der anderen Hälfte der Adressierzeit gleich 0. Die tatsächliche Form eines Datenspannungssignals ist durch die anzuzeigende Information festgelegt (d. h. die Pixel 'EIN' oder 'AUS').The amplitude of the data voltages in Fig. 4a, which are applied to the columns during the addressing time ta to write the desired information, is equal to ±D during one half of the addressing time and equal to 0 during the other half of the addressing time. The actual shape of a data voltage signal is determined by the information to be displayed (i.e. the pixels 'ON' or 'OFF').
Fig. 4a gibt die vier Datenspannungssignale an, durch welche die möglichen Informationsinhalte der betreffenden Pixel, die auf den ausgewählten Zeilen auftreten, unter Verwendung der dargestellten Zeilenauswahlspannungssignalverläufe beeinflußt werden können: d. h. die Kombination 'AUS'/'AUS' (Spalte 1), 'AUS'/'EIN' (Spalte 2), 'EIN'/'AUS' (Spalte 3), 'EIN'/'EIN' (Spalte 4).Fig. 4a indicates the four data voltage signals by which the possible information contents of the respective pixels appearing on the selected lines can be influenced using the line selection voltage waveforms shown: i.e. the combination 'OFF'/'OFF' (column 1), 'OFF'/'ON' (column 2), 'ON'/'OFF' (column 3), 'ON'/'ON' (column 4).
Es wird angenommen, daß sich die Pixel 1, 2, 5, 7 der in Fig. 4a dargestellten Matrix im 'AUS'-Zustand und die Pixel 3, 4, 6, 8 im 'EIN'-Zustand befinden.It is assumed that pixels 1, 2, 5, 7 of the matrix shown in Fig. 4a are in the 'OFF' state and pixels 3, 4, 6, 8 are in the 'ON' state.
Um Gleichstromkomponenten zu verhindern, ist es zum Beispiel möglich, die Polarität der Zeilenauswahlspannungen und der Datenspannungen nach jeder Teilbildzeit zu wechseln (analog zu der üblichen Alt & Pleshko Multiplex-Adressierung).To prevent DC components, it is possible, for example, to switch the polarity of the line selection voltages and the data voltages after each field time (analogous to the usual Alt & Pleshko multiplex addressing).
Der Einfachheit halber ist in Fig. 4a kein derartiger Polaritätswechsel gezeichnet.For simplicity, no such polarity change is shown in Fig. 4a.
Fig. 4b zeigt die resultierenden Spannungen über den Pixeln 1 bis 8, die in Fig. 4a enthalten sind, über die Adressierzeit ta hinweg. Die resultierende Spannung wurde als die Differenzspannung VZeile - VSpalte abgeleitet.Fig. 4b shows the resulting voltages across pixels 1 to 8 contained in Fig. 4a over the addressing time ta. The resulting voltage was derived as the difference voltage Vrow - Vcolumn.
Fig. 4b zeigt, daß die RMS-Spannungswerte während der Adressierzeit ta der Pixel 1, 2, 5, 7, die sich im 'AUS'-Zustand befinden, einander gleich sind.Fig. 4b shows that the RMS voltage values during the addressing time ta of the pixels 1, 2, 5, 7, which are in the 'OFF' state, are equal to each other.
In ähnlicher Weise sind die RMS-Spannungswerte der 'EIN'-Elemente während ta einander gleich.Similarly, the RMS voltage values of the ‘ON’ elements during ta are equal to each other.
Es ist möglich, mit Hilfe von Fig. 4a zu verifizieren, daß jedes beliebige 'EIN'- Element und 'AUS'-Element in der Matrix während des Restes der Teilbildzeit (das heißt während tf - ta) den gleichen RMS-Spannungswert aufweist.It is possible to verify, using Fig. 4a, that any 'ON' element and 'OFF' element in the matrix has the same RMS voltage value during the remainder of the field time (i.e. during tf - ta).
Der folgende Ausdruck kann für den RMS-Spannungswert Von abgeleitet werden:The following expression can be derived for the RMS voltage value Von:
V²on = {ta · (A²/2 + (A + D)²/2) + ta · (N/2 - 1) · D²/2}/{ta · N/2}. (6)V²on = {ta · (A²/2 + (A + D)²/2) + ta · (N/2 - 1) · D²/2}/{ta · N/2}. (6)
Der RMS-Spannungswert Voff eines 'AUS'-Elements ist durch den folgenden Ausdruck gegeben:The RMS voltage value Voff of an ‘OFF’ element is given by the following expression:
V²off = {ta · (A²/2 + (A - D)²/2) + ta · (N/2 - 1) · D²/2}/{ta · N/2). (7)V²off = {ta · (A²/2 + (A - D)²/2) + ta · (N/2 - 1) · D²/2}/{ta · N/2). (7)
Mit Hilfe der "Lagrange-Vervielfacher"-Technik ist es möglich, das Maximum Von in Abhängigkeit von den Spannungen A und D unter der Bedingung zu bestimmen, daß Voff gleich der Schwellwertspannung V&sub1; ist.Using the "Lagrange multiplier" technique, it is possible to determine the maximum Von as a function of the voltages A and D under the condition that Voff is equal to the Threshold voltage V₁.
Dann finden sich die folgenden Ausdrücke:Then you will find the following expressions:
(A/D)² = N/4 (8)(A/D)² = N/4 (8)
D2 = V&sub1;² · 2 · {0,5/(1 - Q)}, (9)D2 = V1² · 2 · {0.5/(1 - Q)}, (9)
wobei Q² = N&supmin;¹.where Q² = N⊃min;¹.
Wenn die Gleichungen (8) und (9) in die Ausdrücke (6) und (7) eingesetzt werden, wird für das Verhältnis Von/Voff folgendes gefunden:If equations (8) and (9) are inserted into expressions (6) and (7), the ratio Von/Voff is found to be:
(Von/Voff)² = {Q&supmin;¹ + 1}/{Q&supmin;¹ - 1} (10)(Von/Voff)² = {Q⊃min;¹ + 1}/{Q⊃min;¹ - 1} (10)
Mit Voff = V&sub1; und der Definition für die Steigung S = V&sub2;/V&sub1; folgt, daß der Ausdruck (10) tatsächlich identisch mit dem Ausdruck (3) ist, der die Beziehung zwischen der Anzahl von zu multiplexenden Zeilen (in dieser illustrativen Ausführungsform: T) und der Steigung der Transmission-Spannungs-Kennlinie zeigt.With Voff = V₁ and the definition for the slope S = V₂/V₁, it follows that the expression (10) is actually identical to the expression (3) which shows the relationship between the number of lines to be multiplexed (in this illustrative embodiment: T) and the slope of the transmission-voltage characteristic.
Wenn die Ausdrücke (8) und (9) mit den Ausdrücken (4) und (5) verglichen werden, folgt, daß die Amplitude D der Datensignale im Fall gleichzeitiger Auswahl von zwei Zeilen um einen Faktor 21/2 größer als die Datenspannung Vd ist, die gemäß der üblichen Alt & Pleshko RMS-Multiplex-Adressierung (für eine identische Anzahl von Zeilen N der Matrix) erforderlich ist.Comparing expressions (8) and (9) with expressions (4) and (5), it follows that the amplitude D of the data signals in case of simultaneous selection of two rows is by a factor of 21/2 larger than the data voltage Vd required according to the usual Alt & Pleshko RMS multiplex addressing (for an identical number of rows N of the matrix).
Die Amplitude A der Zeilenauswahlspannungen für eine gleichzeitige Auswahl von zwei Zeilen ist um einen Faktor 21/2 kleiner aus die Auswahlspannung Vs, die gemäß der üblichen Alt & Pleshko RMS-Multiplex-Adressierung (für eine identische Anzahl von Zeilen N der Matrix) erforderlich ist. All dies bedeutet, daß die maximale Spannungsamplitude (A + D) eines 'EIN'-Elementes im Fall des oben beschriebenen Adressierschemas mit gleichzeitiger Auswahl von zwei Zeilen signifikant kleiner als die maximale Spannungsamplitude (Vs + Vd) für das gleiche Element im Fall einer Adressierung gemäß dem üblichen Alt & Pleshko Prinzip ist.The amplitude A of the row selection voltages for simultaneous selection of two rows is smaller by a factor of 21/2 than the selection voltage Vs required according to the usual Alt & Pleshko RMS multiplex addressing (for an identical number of rows N of the matrix). All this means that the maximum voltage amplitude (A + D) of an 'ON' element in the case of the above-described addressing scheme with simultaneous selection of two rows is significantly smaller than the maximum voltage amplitude (Vs + Vd) for the same element in the case of addressing according to the usual Alt & Pleshko principle.
Man betrachte noch einmal die Spannungssignalverläufe der Zeilenauswahlsignale und der Datensignale von Fig. 4a.Consider again the voltage waveforms of the row selection signals and the data signals of Fig. 4a.
Die vollständige Adressierzeit ta ist tatsächlich aus zwei gleichen Zeitspannen ta/2 mit zugehörigen charakteristischen Spannungswerten für die Zeilenauswahlsignale und die Datensignale zusammengesetzt.The complete addressing time ta is actually composed of two equal time periods ta/2 with associated characteristic voltage values for the row selection signals and the data signals.
Um die gewünschten RMS-Spannungswerte für Von und Voff (gemäß den Ausdrücken (8) und (9)) zu bewirken, ist es notwendig, daß die Auswahlzeitspannen ta/2 mit den zugehörigen Spannungen direkt nacheinander auftreten, wie in den Spannungssignalverläufen in Fig. 4a angenommen wurde.In order to achieve the desired RMS voltage values for Von and Voff (according to expressions (8) and (9)), it is necessary that the selection periods ta/2 with the corresponding voltages occur directly one after the other, as assumed in the voltage waveforms in Fig. 4a.
Die zweite Auswahlzeitspanne ta/2 kann zum Beispiel von einem Zeitpunkt an gewählt werden, der nach der Hälfte der Teilbildzeit folgt. Dies ist in Fig. 5 mit Hilfe einer Matrix von 10 Zeilen dargestellt. Der Einfachheit halber sind lediglich die Zeilenauswahlspannungssignale der 10 Zeilen während der Abtastung der Matrix über eine Teilbildzeit hinweg gezeigt. Die dargestellte Situation ist jene, in der zwei benachbarte Zeilen ausgewählt sind. Wie bereits früher erwähnt, ist dies nicht notwendig. Fig. 5a zeigt den Abtastzyklus, in dem die Adressierzeit ta nicht aufgeteilt wurde. In Fig. 5b wurde die Zeilenauswahlperiode ta in zwei Zeitspannen ta/2 aufgeteilt, wobei die zweite Hälfte der Gesamtadressierzeit ta von einem Zeitpunkt an läuft, der sich auf der halben Länge der Teilbildzeit befindet. Fig. 5c zeigt zum Vergleich das Adressierschema gemäß dem üblichen RMS-Multiplex-Verfahren mit der Auswahl einer einzigen Zeile.The second selection period ta/2 can, for example, be selected from a point in time following half of the field time. This is illustrated in Fig. 5 using a matrix of 10 lines. For simplicity, only the line selection voltage signals of the 10 lines are shown during the scanning of the matrix over a field time. The situation shown is that in which two adjacent lines are selected. As mentioned earlier, this is not necessary. Fig. 5a shows the scanning cycle in which the addressing time ta has not been divided. In Fig. 5b, the line selection period ta has been divided into two time periods ta/2, with the second half of the total addressing time ta running from a point in time which is half the length of the field time. Fig. 5c shows, for comparison, the addressing scheme according to the usual RMS multiplexing method with the selection of a single line.
Es ist klar, daß es notwendig ist, daß das Abtastschema, wie in Fig. 5b gezeigt, den Steuerschaltkreis für die Datensignale derart anpaßt, daß die geeigneten Datenspannungen an die Spalten angelegt werden.It is clear that it is necessary that the scanning scheme as shown in Fig. 5b adapts the control circuit for the data signals so that the appropriate data voltages are applied to the columns.
Das Prinzip des Abtastschemas gemäß Fig. 5b ist offensichtlich nicht nur auf die gezeigte 10-zeilige Matrix, sondern auf jede Matrix mit einer beliebigen Anzahl von Zeilen N anwendbar. Im Fall, daß N kein Vielfaches von 2 ist, kann eine Matrixadressierung gemäß diesem Prinzip durch Einfügen einer sogenannten 'Dummy'- oder virtuellen Zeile erfolgen.The principle of the scanning scheme according to Fig. 5b is obviously applicable not only to the 10-row matrix shown, but to any matrix with any number of rows N. In the case that N is not a multiple of 2, matrix addressing according to this principle can be carried out by inserting a so-called 'dummy' or virtual row.
Das in Fig. 5b beschriebene Adressierschema resultiert in einem Adressierverfahren, bei dem der einzelne Auswahlimpuls der üblichen Alt & Pleshko Multiplex-Adressierung durch zwei getrennte Auswahlimpulse mit kleineren Amplituden ersetzt wurde, die vorzugsweise an Zeitpunkten auftreten, die gleichmäßig über die Teilbildzeit hinweg verteilt sind. Wie bereits erörtert, ist die maximale Amplitude der Spannung über ein Pixel hinweg (während der Auswahl) für dieses Adressierverfahren kleiner als im Fall der üblichen Alt & Pleshko Adressierung.The addressing scheme described in Fig. 5b results in an addressing scheme in which the single selection pulse of the usual Alt & Pleshko multiplex addressing has been replaced by two separate selection pulses with smaller amplitudes, which preferably occur at times evenly distributed over the field time. As already discussed, the maximum amplitude of the voltage across a pixel (during selection) is smaller for this addressing scheme than in the case of the usual Alt & Pleshko addressing.
Sowohl das Auftreten einer Mehrzahl von Auswahlimpulsen mit einer kleineren Amplitude als jener des einzelnen Auswahlimpulses in der Alt & Pleshko Adressierung als auch die Tatsache, daß die maximale Spannung über ein Pixel hinweg während der Auswahl kleiner als die entsprechende Spannung in dem Alt & Pleshko Adressierschema ist, haben einen positiven Einfluß auf die Reduzierung oder Eliminierung von "TEILBILDANTWORT".Both the occurrence of a plurality of selection pulses with a smaller amplitude than that of the single selection pulse in the Alt & Pleshko addressing as well as the fact that the maximum voltage across a pixel during selection is smaller than the corresponding voltage in the Alt & Pleshko addressing scheme, have a positive influence on the reduction or elimination of "FILE RESPONSE".
In dem Fall, daß das oben beschriebene Adressierschema, das die gleichzeitige Auswahl von zwei Zeilen und das Aufteilen der Gesamtadressierzeit ta in zwei getrennte Auswahlzeitspannen ta/2 beinhaltet, wie in Fig. 5b dargelegt, nicht ausreichend ist, um "TEILBILDANTWORT" zu reduzieren oder zu eliminieren, kann ein Adressierschema gewählt werden, bei dem mehr als zwei Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden, zum Beispiel 4 oder 6 oder 8 etc.In the event that the addressing scheme described above, which involves selecting two lines simultaneously and dividing the total addressing time ta into two separate selection periods ta/2 as shown in Fig. 5b, is not sufficient to reduce or eliminate "FILE RESPONSE", an addressing scheme may be chosen in which more than two lines are selected simultaneously, for example 4 or 6 or 8 etc.
Es ist jedoch nicht notwendig, daß eine gerade Anzahl an Zeilen gleichzeitig ausgewählt wird.However, it is not necessary that an even number of rows be selected at the same time.
In der folgenden illustrativen Ausführungsform der Erfindung (Fig. 6a und 6b) ist beschrieben, wie eine Adressierung einer N-zeiligen Matrix stattfinden kann, wenn 4 Zeilen gleichzeitig während der Teilbildabtastung ausgewählt werden.In the following illustrative embodiment of the invention (Figs. 6a and 6b) it is described how addressing of an N-row matrix can take place when 4 rows are selected simultaneously during field scanning.
Der Einfachheit halber wird angenommen, daß die Zeilenanzahl N der Matrix ein Vielfaches von 'vier' ist. Das ist jedoch nicht notwendig (analog zu der Adressierung, bei der zwei Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden, wie früher erörtert).For simplicity, it is assumed that the number of rows N of the matrix is a multiple of 'four'. However, this is not necessary (analogous to addressing where two rows are selected at a time, as discussed earlier).
Die Auswahlzeit wird nunmehr als die Adressierzeit tb definiert. Fig. 6a zeigt Spannungssignalverläufe für die Zeilensignale, die dazu verwendet werden können, die Informationen zu schreiben, wie in dieser Figur dargestellt. Der Einfachheit halber zeigt Fig. 6a lediglich drei Spalten i, j, k, welche die zugehörigen Informationsinhalte der Pixel 11 bis 22 beinhalten, die den Kreuzungspunkten der Spalten i, j, k entsprechen, und die dargestellte erste Gruppe von vier gleichzeitig auszuwählenden Zeilen. Um die erforderlichen Datensignale darzustellen, werden die Pixel 11, 12, 13, 14, die zu Spalte i gehören, als 'AUS', 'AUS', 'EIN' beziehungsweise 'AUS' angenommen. Die Elemente 15, 16, 17, 18, die zu Spalte j gehören, sind 'EIN', 'AUS', 'AUS' beziehungsweise 'EIN'. Die Pixel 19, 20, 21, 22, die zu Spalte k gehören, sind 'EIN', 'EIN', 'AUS' beziehungsweise 'EIN'.The selection time is now defined as the addressing time tb. Fig. 6a shows voltage waveforms for the row signals that can be used to write the information as shown in this figure. For simplicity, Fig. 6a shows only three columns i, j, k, which contain the associated information contents of pixels 11 to 22 corresponding to the crossing points of columns i, j, k, and the illustrated first group of four rows to be selected simultaneously. To represent the required data signals, the pixels 11, 12, 13, 14 belonging to column i are assumed to be 'OFF', 'OFF', 'ON' and 'OFF' respectively. The elements 15, 16, 17, 18 belonging to column j are 'ON', 'OFF', 'OFF' and 'ON' respectively. Pixels 19, 20, 21, 22 belonging to column k are ‘ON’, ‘ON’, ‘OFF’ and ‘ON’ respectively.
Nach der Adressierzeit tb werden die nächsten 4 Zeilen ausgewählt. Die Teilbildzeit tf ist in diesem Beispiel gegeben durch: tf = (N/4) · tb.After the addressing time tb, the next 4 lines are selected. The field time tf in this example is given by: tf = (N/4) · tb.
Die Zeilenauswahlspannungssignale der vier gleichzeitig ausgewählten Zeilen sind wechselseitig orthogonal derart, daß das Auswahlsignal von einer der vier gleichzeitig aus zuwählenden Zeilen eine Halbperiode aufweist, die der Adressierzeit tb entspricht. In Fig. 6a ist dies die erste (oberste) Zeile der Gruppe von Zeilen, die gleichzeitig auszuwählen sind. Es ist jedoch nicht notwendig, daß diese spezielle Zeile diesen Zeilenauswahlspannungssignalverlauf aufweist.The row selection voltage signals of the four simultaneously selected rows are mutually orthogonal such that the selection signal from one of the four simultaneously selected rows rows to be selected has a half period corresponding to the addressing time tb. In Fig. 6a, this is the first (top) row of the group of rows to be selected simultaneously. However, it is not necessary that this particular row has this row selection voltage waveform.
In Fig. 6a ist der Einfachheit halber angenommen, daß eine Auswahl von vier benachbarten Zeilen stattfindet. Dies ist jedoch nicht notwendig, da jeder beliebige Satz von vier Zeilen der N-zeiligen Matrix unter Verwendung dieses Adressierverfahrens gleichzeitig ausgewählt werden kann. Offensichtlich wird jede Zeile stets lediglich während einer Adressierzeit tb für jede Teilbildzeit ausgewählt. Es findet "wiederholtes Abtasten" statt.In Fig. 6a, for simplicity, it is assumed that a selection of four adjacent rows takes place. However, this is not necessary since any set of four rows of the N-row matrix can be selected simultaneously using this addressing method. Obviously, each row is always selected only during one addressing time tb for each field time. "Repeated scanning" takes place.
Die Amplitude der Zeilenauswahlspannungssignale für die vier gleichzeitig auszuwählenden Zeilen ist gleich ±B. Um Gleichspannungskomponenten zu verhindern, ist es zum Beispiel möglich, das Vorzeichen der Polarität sowohl der Zeilenauswahlspannungen als auch der Datensignale nach jeder Teilbildzeit zu ändern. Der Einfachheit halber ist dieser Polaritätswechsel in Fig. 6a nicht dargestellt.The amplitude of the line selection voltage signals for the four lines to be selected simultaneously is equal to ±B. To prevent DC components, it is possible, for example, to change the sign of the polarity of both the line selection voltages and the data signals after each field time. For simplicity, this polarity change is not shown in Fig. 6a.
Anstelle der für die vier gleichzeitig auszuwählenden Zeilen dargestellten Spannungssignalverläufe können alternativ Spannungssignalverläufe mit einer höheren Frequenz gewählt werden. In jenem Fall müssen die Datensignale angepaßt werden, und sie unterscheiden sich von jenen in Fig. 6b gezeigten.Instead of the voltage waveforms shown for the four lines to be selected simultaneously, voltage waveforms with a higher frequency can alternatively be selected. In that case, the data signals must be adapted and they differ from those shown in Fig. 6b.
Fig. 6b stellt dar, auf welche Weise die Datensignale bestimmt werden können, um die Informationen zu schreiben, wie in Fig. 6a dargelegt.Fig. 6b illustrates how the data signals can be determined to write the information as set out in Fig. 6a.
Als erstes betrachte man in diesem Zusammenhang die Pixel 11. 12, 13, 14, die zu Spalte i gehören. Das Pixel 11 sollte sich im 'AUS'-Zustand befinden. Um dies zu bewirken, sollte das während der Auswahl an das Pixel 11 angelegte Datensignal ein Datenspannungssignal sein, das in Phase mit dem Zeilenauswahlsignal der entsprechenden ausgewählten Zeile ist. Dieses Signal ist in Fig. 6b in der Spalte gezeichnet, deren Überschrift SPALTE i lautet. Die Amplitude X dieses Signals (und die Amplitude der Zeilenauswahlsignale) ist durch die Anforderung festgelegt, daß der RMS- Spannungswert der 'AUS'-Elemente einen vorgegebenen Wert besitzen muß während der RMS-Spannungswert der 'EIN'-Elemente so groß wie möglich sein sollte. Das Pixel 12 sollte sich im 'AUS'-Zustand befinden, und in Analogie zu der oben beschriebenen Situation sollte das während der Auswahl an das Pixel 12 angelegte Datenspannungssignal in Phase mit dem Zeilenauswahlsignal der entsprechenden Zeile sein. Dieses Signal ist in Fig. 6b in der Spalte mit der Überschrift SPALTE i gezeichnet. Die Amplitude dieses Signals ist gleich der Amplitude des obigen Datensignals für das Pixel 11.In this context, consider first pixels 11, 12, 13, 14 belonging to column i. Pixel 11 should be in the 'OFF' state. To effect this, the data signal applied to pixel 11 during selection should be a data voltage signal in phase with the row select signal of the corresponding selected row. This signal is drawn in Fig. 6b in the column headed COLUMN i. The amplitude X of this signal (and the amplitude of the row select signals) is determined by the requirement that the RMS voltage value of the 'OFF' elements must have a predetermined value while the RMS voltage value of the 'ON' elements should be as large as possible. Pixel 12 should be in the 'OFF' state and, analogous to the situation described above, the data voltage signal applied to pixel 12 during selection should be in phase with the row selection signal of the corresponding row. This signal is plotted in Fig. 6b in the column headed COLUMN i. The amplitude of this signal is equal to the amplitude of the above data signal for pixel 11.
Das Pixel 13 sollte sich im 'EIN'-Zustand befinden. Daher sollte während der Auswahl an das Pixel 13 ein Datensignal angelegt werden, das zu dem Zeilenauswahlsignal der entsprechenden Zeile gegenphasig ist. Dieses Datensignal für das Pixel 13 besitzt wiederum die gleiche Amplitude wie die zwei früher erwähnten Datensignale der Pixel 11 und 12 und ist in der Spalte gezeigt, deren Überschrift SPALTE i lautet. Das Datensignal für das Pixel 14 während der Auswahl folgt auf der Grundlage der Argumentation analog zu jener, die für die anderen Pixel in der betreffenden Spalte i angegeben ist. Zusammengefaßt erzeugen die vier Datensignale das Datensignal, wie es in Fig. 6b in der Spalte gezeichnet ist, deren Überschrift SPALTE i lautet. Während der Auswahl der vier Zeilen, zu denen die Elemente 11, 12, 13, 14 gehören, wird dieses Signal an die Spalte i angelegt. In einer völlig analogen Weise kann das Datensignal bestimmt werden, das an die Spalte j anzulegen ist, um die erforderlichen Informationsinhalte der Pixel 15, 16, 17, 18 zu erzeugen. Fig. 6b stellt alle diese Aspekte mittels der Spannungssignalverläufe während der Auswahl für die betreffenden Elemente und der Gesamtspannung (Signal j) dar, die während der Auswahl an die Spalte j angelegt wird (siehe Spalte mit der Überschrift SPALTE j). Die Spalte mit der Überschrift SPALTE k zeigt für illustrative Zwecke die Datenspannungssignale und die Gesamtspannung des Signals k für die betreffende Spalte k (siehe Signale, die in der Spalte mit der Überschrift SPALTE k gezeichnet sind).Pixel 13 should be in the 'ON' state. Therefore, during selection, pixel 13 should be applied with a data signal that is in antiphase with the row selection signal of the corresponding row. This data signal for pixel 13 again has the same amplitude as the two previously mentioned data signals of pixels 11 and 12 and is shown in the column whose heading is COLUMN i. The data signal for pixel 14 during selection follows, based on reasoning, analogous to that given for the other pixels in the relevant column i. In summary, the four data signals produce the data signal as drawn in Fig. 6b in the column whose heading is COLUMN i. During selection of the four rows to which elements 11, 12, 13, 14 belong, this signal is applied to column i. In a completely analogous manner, the data signal to be applied to column j can be determined in order to generate the required information contents of pixels 15, 16, 17, 18. Fig. 6b illustrates all these aspects by means of the voltage waveforms during selection for the respective elements and the total voltage (signal j) applied to column j during selection (see column headed COLUMN j). The column headed COLUMN k shows, for illustrative purposes, the data voltage signals and the total voltage of signal k for the respective column k (see signals drawn in the column headed COLUMN k).
Wenn vier Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden, sollten Datensignale angelegt werden, in denen 5 Pegel unterschieden werden können, nämlich ±E/2,0. Die Kombination dieser Pegel in einem an eine Spalte 1 während der Auswahl angelegten Datensignal ist durch die Bildinhalte der Elemente in der betreffenden Spalte 1 festgelegt.When four lines are selected simultaneously, data signals should be applied in which 5 levels can be distinguished, namely ±E/2.0. The combination of these levels in a data signal applied to a column 1 during selection is determined by the image contents of the elements in the column 1 concerned.
Fig. 7 zeigt die resultierenden Spannungen (definiert als Vline - Vcolumn) für Elemente 11 bis 22, die in Fig. 6a enthalten sind, während der Auswahlzeit tb, wobei die Zeilenauswahlsignale, die in Fig. 6a gezeichnet sind, und die in Fig. 6b gezeichneten Datensignale (Signal i, Signal j, Signal k) verwendet werden. Die RMS-Spannungswerte während der Auswahlzeit tb der 'AUS'-Elemente 11, 12, 16, 17, 21, 14 sind einander gleich. Die RMS-Spannungswerte während der Auswahlzeit tb der 'EIN'-Elemente 15, 19, 20, 13, 18, 22 sind einander gleich. Nach der Auswahl und während des Restes der Teilbildzeit tf, d. h. über eine Periode tf - tb hinweg, ist der RMS-Spannungswert jedes 'AUS'-Elements gleich dem RMS-Spannungswert jedes 'EIN'-Elements.Fig. 7 shows the resulting voltages (defined as Vline - Vcolumn) for elements 11 to 22 included in Fig. 6a during the selection time tb using the row selection signals drawn in Fig. 6a and the data signals (signal i, signal j, signal k) drawn in Fig. 6b. The RMS voltage values during the selection time tb of the 'OFF' elements 11, 12, 16, 17, 21, 14 are equal to each other. The RMS voltage values during the selection time tb of the 'ON' elements 15, 19, 20, 13, 18, 22 are equal to each other. After the selection and during the rest of the field time tf, i.e. over a period tf - tb, the RMS voltage value of each ‘OFF’ element is equal to the RMS voltage value of each ‘ON’ element.
Der folgende Ausdruck kann für den RMS-Spannungswert Von eines 'EIN'-Elements abgeleitet werden:The following expression can be derived for the RMS voltage value of an ‘ON’ element:
Von² = [tb · (B² + B · E/2 + E²/4) + (N/4 - 1) · tb · E² * tb/4). (11)From² = [tb · (B² + B · E/2 + E²/4) + (N/4 - 1) · tb · E² * tb/4). (11)
Der RMS-Spannungswert Voff eines 'AUS'-Elements ist durch den folgenden Ausdruck gegeben:The RMS voltage value Voff of an ‘OFF’ element is given by the following expression:
Voff² = [tb · (B² - B · E/2 + E²/4) + (N/4 - 1) · tb · E²/4]/(N · tb/4]. (12)Voff² = [tb · (B² - B · E/2 + E²/4) + (N/4 - 1) · tb · E²/4]/(N · tb/4). (12)
Unter der Bedingung, daß Voff = V&sub1; ist, kann Von für ein gegebenes N als Funktion von B und E maximiert werden.Under the condition that Voff = V₁, Von can be maximized for a given N as a function of B and E.
Für das Maximum wird gefunden:The maximum is found:
(B/E)² = N/16 (13)(B/E)² = N/16 (13)
E² = 4 · V&sub1;² · {0,5/(1 - Q)}, (14)E² = 4 · V₁² · {0.5/(1 - Q)}, (14)
wobei Q² = N&supmin;¹.where Q² = N⊃min;¹.
Dann wird für das Verhältnis Von/Voff folgendes gefunden:Then the following is found for the ratio Von/Voff:
(Von/Voff)² = {Q&supmin;¹ + 1}/{Q&supmin;¹ - 1}. (15)(Von/Voff)² = {Q⊃min;¹ + 1}/{Q⊃min;¹ - 1}. (15)
Mit Voff = V&sub1; und der Definition für die Steigung S = V&sub2;/V&sub1; folgt, daß der Ausdruck (15) tatsächlich identisch mit dem Ausdruck (3) ist, der die Beziehung zwischen der Anzahl an zu multiplexenden Zeilen (in dieser illustrativen Ausführungsform: N) und der Steigung der Transmissions-Spannungs-Kennlinie zeigt.With Voff = V₁ and the definition for the slope S = V₂/V₁, it follows that the expression (15) is actually identical to the expression (3) which shows the relationship between the number of lines to be multiplexed (in this illustrative embodiment: N) and the slope of the transmission-voltage characteristic.
Wenn die Ausdrücke (13) und (14) mit den Ausdrücken (4) und (5) verglichen werden, folgt daraus, daß die Amplitude E im Fall einer gleichzeitigen Auswahl von vier Zeilen um einen Faktor 2 größer als die Datenspannung Vd ist, die gemäß der üblichen Alt & Pleshko Multiplexadressierung (für eine identische Anzahl von Zeilen N der Matrix) erforderlich ist. Die Amplitude B der Zeilenauswahlspannungen für eine gleichzeitige Auswahl von vier Zeilen ist um einen Faktor 2 kleiner als jene der Auswahlspannung Vs, die gemäß der üblichen Alt & Pleshko RMS-Multiplexadressierung (für eine identische Anzahl von Zeilen N der Matrix) erforderlich ist.Comparing expressions (13) and (14) with expressions (4) and (5), it follows that the amplitude E in the case of a simultaneous selection of four rows is larger by a factor of 2 than the data voltage Vd which, according to the usual Alt & Pleshko multiplex addressing (for an identical number of rows N of the matrix), is required. The amplitude B of the row selection voltages for a simultaneous selection of four rows is smaller by a factor of 2 than that of the selection voltage Vs required according to the usual Alt & Pleshko RMS multiplex addressing (for an identical number of rows N of the matrix).
Man betrachte noch einmal die Spannungssignalverläufe der Zeilenauswahlsignale von Fig. 6a und der Spannungssignalverläufe der Datensignale von Fig. 6b.Consider again the voltage waveforms of the row selection signals of Fig. 6a and the voltage waveforms of the data signals of Fig. 6b.
Die vollständige Adressierzeit tb ist aus vier gleichen Zeitspannen tb/4 mit zugehörigen charakteristischen Spannungswerten für die Zeilenauswahlsignale und die Datensignale zusammengesetzt. Um die gewünschten RMS-Spannungswerte für Von und Voff (gemäß den Ausdrücken (11) bis einschließlich (14)) zu erzeugen, ist es nicht notwendig, daß die Auswahlzeitspannen tb/4 mit den zugehörigen Spannungen in direkter Folge auftreten, wie in den Spannungssignalverläufen in Fig. 6a und Fig. 6b angenommen wurde. Die Auswahlzeitspannen tb/4 und zugehörige Spannungen können über die Teilbildzeit hinweg verteilt sein.The complete addressing time tb is composed of four equal time periods tb/4 with associated characteristic voltage values for the row selection signals and the data signals. In order to generate the desired RMS voltage values for Von and Voff (according to expressions (11) to (14) inclusive), it is not necessary that the selection time periods tb/4 with the associated voltages occur in direct succession, as was assumed in the voltage waveforms in Fig. 6a and Fig. 6b. The selection time periods tb/4 and associated voltages can be distributed over the field time.
Dies ist in Fig. 8 mit Hilfe einer Matrix von 12 Zeilen dargestellt. Der Einfachheit halber sind lediglich die Zeilenauswahlspannungssignale der 12 Zeilen während des Abtastens der Matrix über eine Teilbildzeit hinweg gezeigt. Die dargestellte Situation ist diejenige, in der vier benachbarte Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden. Wie bereits früher gezeigt, ist dies nicht notwendig. Fig. 8a zeigt den Abtastzyklus, in dem die Zeilenauswahlperiode tb nicht aufgeteilt wurde. In Fig. 8b wurde die Zeilenauswahlzeitspanne tb in vier Zeitspannen tb/4 aufgeteilt, die gleichförmig über die Teilbildzeit hinweg verteilt sind. Andere Verteilungen sind offensichtlich ebenfalls möglich, zum Beispiel eine gleichmäßige Verteilung über die Teilbildzeit von zwei Auswahlzeitspannen hinweg, die beide gleich tb/2 sind.This is illustrated in Fig. 8 using a matrix of 12 rows. For simplicity, only the row selection voltage signals of the 12 rows are shown during the scanning of the matrix over one field time. The situation illustrated is that in which four adjacent rows are selected simultaneously. As shown earlier, this is not necessary. Fig. 8a shows the scanning cycle in which the row selection period tb has not been divided. In Fig. 8b, the row selection period tb has been divided into four periods tb/4 which are evenly distributed over the field time. Other distributions are obviously also possible, for example an even distribution over the field time of two selection periods both equal to tb/2.
Es ist für das Abtastschema, wie es in Fig. 8b gezeichnet ist (jedoch auch für andere Verteilungen der gesamten Zeilenabtastperiode tb über die Teilbildzeit hinweg, wie im vorstehenden gezeigt) notwendig, den Steuerschaltkreis für die Datensignale anzupassen, um so die geeigneten Datenspannungen an die Spalten anzulegen. Das Prinzip des Abtastschemas gemäß Fig. 8b im Fall einer gleichzeitigen Auswahl von vier Zeilen und einer Verteilung der gesamten Auswahlperiode in kleinere Auswahlzeitspannen (mit zugehörigen Spannungen), die über die Teilbildzeit hinweg verteilt sind, ist offensichtlich nicht nur auf die gezeigte 12-zeilige Matrix anwendbar, sondern auf jede Matrix mit einer beliebigen Anzahl von Zeilen N. In dem Fall, daß N kein Vielfa ches von 4 ist, kann eine Matrixadressierung mit gleichzeitiger Auswahl von vier Zeilen durch Einfügen von sogenannten 'Dummy'- oder virtuellen Zeilen stattfinden. Das in Fig. 8b dargestellte Adressierschema resultiert in einem Adressierverfahren, bei dem der einzige Auswahlimpuls der üblichen Alt & Pleshko Multiplex-Adressierung durch vier separate Auswahlimpulse ersetzt wurde, die kleinere Amplituden aufweisen und vorzugsweise an Zeitpunkten auftreten, die gleichmäßig über die Teilbildzeit verteilt sind. Die maximale Amplitude der Spannung über die Teilbildzeit hinweg. Die maximale Amplitude der Spannung über ein Pixel hinweg (während der Auswahl) ist für dieses Adressierverfahren kleiner als im Fall der üblichen Alt & Pleshko Adressierung. Im Fall einer gleichzeitigen Adressierung von vier Zeilen ist es auch möglich, wie bereits erörtert, zum Beispiel zwei getrennte Auswahlzeitspannen mit einer gleichen Zeitdauer tb/2 zu verwenden, die gleichmäßig über die Teilbildzeit hinweg verteilt sein können oder auch nicht.It is necessary for the scanning scheme as shown in Fig. 8b (but also for other distributions of the total line scanning period tb over the field time as shown above) to adapt the control circuit for the data signals so as to apply the appropriate data voltages to the columns. The principle of the scanning scheme according to Fig. 8b in the case of simultaneous selection of four lines and a distribution of the total selection period into smaller selection periods (with associated voltages) distributed over the field time is obviously applicable not only to the 12-line matrix shown, but to any matrix with any number of lines N. In the case that N is not a multiple of ches of 4, matrix addressing with simultaneous selection of four lines can take place by inserting so-called 'dummy' or virtual lines. The addressing scheme shown in Fig. 8b results in an addressing method in which the single selection pulse of the usual Alt & Pleshko multiplex addressing has been replaced by four separate selection pulses which have smaller amplitudes and preferably occur at times evenly distributed over the field time. The maximum amplitude of the voltage across the field time. The maximum amplitude of the voltage across a pixel (during selection) is smaller for this addressing method than in the case of usual Alt & Pleshko addressing. In the case of simultaneous addressing of four lines it is also possible, as already discussed, to use, for example, two separate selection periods of equal time duration tb/2, which may or may not be evenly distributed over the field time.
Falls das oben beschriebene Adressierschema, das eine gleichzeitige Auswahl von vier Zeilen und ein Aufteilen der Gesamtauswahlperiode tb in vier getrennte, gleiche Auswahlperiodenzeitspannen beinhaltet, wie in Fig. 8b angegeben, nicht ausreicht, um "TEILBILDANTWORT" zu reduzieren oder zu eliminieren, kann ein Adressierschema gewählt werden, bei dem mehr als vier Zeilen ausgewählt werden und die Gesamtauswahlperiode wird wiederum in eine Anzahl von Auswahlzeitspannen aufgeteilt, die gleich sein können oder auch nicht und die gleichmäßig über die Teilbildzeit hinweg verteilt sein können oder auch nicht, analog zu der mit Hilfe der Adressierschemata dargestellten Weise, bei denen zwei oder vier Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden. Auf der Grundlage der für die Vorgehensweise, der zum Aufbau des richtigen Adressierschemas im Fall einer gleichzeitigen Auswahl von vier und zwei Zeilen zu folgen ist, gegebenen Beschreibungen und Erläuterungen ist jeder, der ein angemessenes Fachwissen besitzt, in der Lage, die Zeilenauswahlsignale und die Datensignale abzuleiten, die für eine gleichzeitige Adressierung von anderen Zeilenanzahlen (andere als zwei und vier) verwendet werden können.If the addressing scheme described above, which involves selecting four lines simultaneously and dividing the total selection period tb into four separate, equal selection period periods as indicated in Fig. 8b, is not sufficient to reduce or eliminate "FIELD RESPONSE", an addressing scheme may be chosen in which more than four lines are selected and the total selection period is again divided into a number of selection periods which may or may not be equal and which may or may not be evenly distributed over the field time, analogous to the manner illustrated by the addressing schemes in which two or four lines are selected simultaneously. Based on the descriptions and explanations given of the procedure to be followed to construct the correct addressing scheme in the case of simultaneous selection of four and two rows, anyone with reasonable technical knowledge will be able to derive the row selection signals and the data signals that can be used for simultaneous addressing of other numbers of rows (other than two and four).
Wenngleich nicht wirklich notwendig, sind in der nunmehr zu beschreibenden illustrativen Ausführungsform der Erfindung Zeilenauswahlspannungssignale, die im Fall einer gleichzeitigen Auswahl von acht Zeilen verwendet werden können in Fig. 9 angegeben. Die Auswahlsignale in Fig. 9 sind wiederum orthogonal, und eines der verwendeten Spannungssignale weist eine Halbperiode auf, die der Adressierzeit (Auswahlzeit) entspricht. Die Datensignale, die in Kombination mit den Zeilenauswahlsignalen verwendet werden, können gemäß dem Prinzip bestimmt werden, das für den Fall der Adressierung einer Matrix mit gleichzeitiger Auswahl von vier Zeilen beschrieben wurde (siehe unter anderem Fig. 6b und den relevanten Text).Although not really necessary, in the illustrative embodiment of the invention now to be described, row selection voltage signals that can be used in the case of simultaneous selection of eight rows are indicated in Fig. 9. The selection signals in Fig. 9 are again orthogonal, and one of the voltage signals used has a half period corresponding to the addressing time (selection time). The data signals that in combination with the row selection signals can be determined according to the principle described for the case of addressing a matrix with simultaneous selection of four rows (see, inter alia, Fig. 6b and the relevant text).
Die Zeilenauswahlsignale von Fig. 9 können wiederum dazu verwendet werden, kleinere Auswahlperioden als die Gesamtauswahlperiode tc, die in dieser Figur gezeigt ist, zu definieren, zum Beispiel acht Auswahlzeitspannen der Größe tc/8. Die acht Auswahlperioden können zum Beispiel gleichmäßig über die Teilbildzeit verteilt sein, analog zu den Beschreibungen der Verteilungen in Fig. 8b und Fig. 5b.The row selection signals of Fig. 9 can in turn be used to define smaller selection periods than the total selection period tc shown in this figure, for example eight selection periods of size tc/8. The eight selection periods can for example be evenly distributed over the field time, analogous to the descriptions of the distributions in Fig. 8b and Fig. 5b.
Offensichtlich sind die Amplituden der Zeilenauswahlspannungen und die maximalen Amplituden der Datensignale in einer solchen Weise zu wählen, daß das Verhältnis der resultierenden RMS-Spannungswerte eines 'EIN'-Elementes und eines 'AUS'- Elementes: Von/Voff maximal ist, wenn Voff = V&sub1; ist.Obviously, the amplitudes of the row selection voltages and the maximum amplitudes of the data signals are to be chosen in such a way that the ratio of the resulting RMS voltage values of an 'ON' element and an 'OFF' element: Von/Voff is maximum when Voff = V₁.
Wenn n Zeilen gleichzeitig ausgewählt werden, sind die Amplitude Yn der Zeilenauswahlsignale und die maximale Amplitude Xn der Datensignale zu wählen gemäß:If n lines are selected simultaneously, the amplitude Yn of the line selection signals and the maximum amplitude Xn of the data signals are to be selected according to:
Yn = N1/2 · Xn/n (16)Yn = N1/2 · Xn/n (16)
Yn = n1/2 · V&sub1; · {0,5/(1 - Q)1/2, (17)Yn = n1/2 · V1 · {0.5/(1 - Q)1/2, (17)
wobei Q² = N&supmin;¹.where Q² = N⊃min;¹.
Die Tabelle unten stellt für eine Anzahl von Werten von n dar, wie viele und welche Spannungspegel in den Datensignalen auftreten können, die in Kombination mit Zeilenauswahlsignalen, deren Signalverlauf in den früher angegebenen illustrativen Ausführungsformen gezeigt ist, zu einem gewünschten Bildinhalt führt.The table below shows, for a number of values of n, how many and which voltage levels can occur in the data signals, which in combination with line selection signals, the waveform of which is shown in the illustrative embodiments given earlier, leads to a desired image content.
n = 2: ±X&sub2;,0n = 2: ±X₂,0
n = 3: ±X&sub3;, ±X&sub3;/3n = 3: ±X₃, ±X₃/3
n = 4: ±X&sub4;, ±X&sub4;/2,0n = 4: ±X 4 , ±X 4 /2.0
n = 5: ±X&sub5;, ±3 · X&sub5;/5, ±X&sub5;/5n = 5: ±X5 , ±3 x X5 /5, ±X5 /5
n = 6: ±X&sub6;, ±4 · X&sub6;/6, ±2 · X&sub6;/6,0n = 6: ±X 6 , ±4 x X 6 /6, ±2 x X 6 /6.0
etc.Etc.
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