DE69317240T2

DE69317240T2 - Eingangs-Verstärkerschaltung

Info

Publication number: DE69317240T2
Application number: DE69317240T
Authority: DE
Inventors: Susumu Uriya
Original assignee: NEC Corp; Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1992-12-28
Filing date: 1993-12-24
Publication date: 1998-06-25
Anticipated expiration: 2013-12-25
Also published as: CA2112203A1; DE69317240D1; US5502417A; EP0605233B1; CA2112203C; EP0605233A3; JPH06204818A; JP2581387B2; EP0605233A2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Eingangsverstärkerschaltung, die zum Beispiel für ein tragbares Telefon oder dergleichen verwendet werden könnte, und insbesondere eine Eingangsverstärkerschaltung, die einen CMOSFET verwendet.
In Fig. 1 wird eine herkömmliche Eingangsverstärkerschaltung dieser Art gezeigt. Wie in Fig. 1 gezeigt wird, ist eine Signalquelle 15 über einen Kondensator C1 mit einem Eingangsanschluß IN1 verbunden, und der Eingangsanschluß IN1 ist mit einem Eingangsanschluß einer NAND-Schaltung 12 gekoppelt, die einen Teil der Eingangsverstärkerschaltung 11 bildet. Ein Freigabeanschluß IN2 ist mit einem anderen Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 12 gekoppelt. Ein Ausgangsanschluß der NAND-Schaltung 12 ist mit einem Ausgangsanschluß OUT und einem Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 12 über eine Schalterschaltung 13 verbunden, die durch einen N-Kanal-MOS- Transistor M3 und einen P-Kanal-MOS-Transistor M4 gebildet wird. Auch ist ein P-Kanal-MOS-Transistor M51 zwischen eine Gleichstrom-Leistungsquelle VDD und einen Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 12 geschaltet, und ein N-Kanal-MOS- Transistor M52 ist zwischen einen Eingangsanschluß der NAND- Schaltung 12 und Masse geschaltet.
In dieser wie oben beschriebenen Eingangsverstärkerschaltung, ist ein Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 12, deren Aus gangsgröße von ihrem Ausgangsanschluß an ihren Eingangsanschluß über die Schalterschaltung 13 rückgekoppelt wird, mit dem Eingangsanschluß IN1 verbunden, und ein anderer Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 12 ist mit dem Freigabeanschluß IN2 gekoppelt. In diesem Fall kann die Eingangsverstärker schaltung 11 durch ein Steuersignal, wie ein Freigabesignal EN, das in den Freigabeanschluß 1N2 eingegeben wird, von einem Nichtbetriebszustand in einen Betriebszustand gebracht werden.
Ferner werden sowohl der P-Kanal-MOS-Transistor M51 als auch der N-Kanal-MOS-Transistor M52 im Aus-Zustand benutzt, und indem die Größen des P-Kanal-MOS-Transistors M51 und des N- Kanal-MOS-Transistors M52 groß gestaltet werden, kann die NAND-Schaltung 12 vor statischer Elektrizität geschützt werden.
Um zu bewirken, daß die Eingangsverstärkerschaltung 11 im Betriebszustand ist, wird ein Freigabesignal EN eines hohen Pegels an den Freigabeanschluß IN2 gelegt. Zu dieser Zeit wird in der Eingangsverstärkerschaltung 11 dem Eingangsanschluß IN1 durch den N-Kanal-MOS-Transistor M3 und den P-Kanal-MOS- Transistor M4 eine Selbstvorspannung gegeben, und ein Eingangssignal wird von der Signalquelle 15 an diesen Selbstvorspannungspunkt über den Kondensator Cl gelegt. Folglich wird ein verstärktes Eingangssignal dem Ausgangsanschluß der NAND- Schaltung 12 entnommen, das heißt dem Ausgangsanschluß OUT der Eingangsverstärkerschaltung 11.
Andererseits wird, wenn das Freigabesignal EN ein niedriger Pegel ist, die Ausgangsgröße der NAND-Schaltung 12 dazu gezwungen, ein hoher Pegel zu sein, und folglich wird die Eingangsverstärkerschaltung 11 funktionsunfähig.
In der oben beschriebenen herkömmlichen Eingangsverstärker schaltung ist, wenn sie durch Anlegen des Freigabesignals EN des niedrigen Pegels an den Freigabeanschluß IN2 in dem funktionsunfähigen Zustand ist, der Eingangsanschluß IN1 auf einem hohen Pegel. Wenn die Eingangsverstärkerschaltung 11 vom Nichtbetriebszustand durch Andern des Freigabesignals EN auf den hohen Pegel in dem Betriebszustand geschaltet wird, wird die Selbstvorspannung vom Ausgangsanschluß der NAND-Schaltung 12 über ein Widerstandsteil der Schalterschaltung 13 an den Eingangsanschluß IN1 gegeben, und die Spannung wird endgültig nahe einem Mittelpunkt stabilisiert.
Um jedoch die Spannung nahe dem Mittelpunkt am Eingangsanschluß IN1 zu stabilisieren, um als die Eingangsverstärker schaltung zu arbeiten, wirkt sich eine Zeitkonstante aus, die durch einen Kopplungskondensator infolge des Widerstandsteils der Schalterschaltung 13 und den Kondensator C1 bestimmt wird, und folglich braucht es eine bestimmte Zeit, bis die Eingangsverstärkerschaltung 11 funktionsfähig wird, wie in Fig. 2 gezeigt wird. In Fig. 2 stellt T1 eine Anstiegszeit dar, und T2 stellt einen Arbeitszeitraum als Eingangsverstärkerschaltung dar. Auch bezeichnet in Fig. 2, to" einen Zeitpunkt für das Schalten des Freigabesignais EN vom niedrigen Pegel auf den hohen Pegel.
Daher ist es im Fall eines unterbrochenen Gebrauchs oder dergleichen der Eingangsverstärkerschaltung 11 notwendig, das Freigabesignal EN am Freigabeanschluß IN2 von einer etwas früheren Zeit an zu steigern, um einen Verlust des Energieverbrauchs herauszufordern.
Folglich wird, um die Zeit, um die Eingangsverstärkerschaltung 11 in den Betriebszustand zu bringen, zu reduzieren, es in Betracht gezogen, den Widerstandsteil der Schalterschal tung 13 zu verringern. Jedoch sinkt im Gegenteil eine Verstärkung als Eingangsverstärkerschaltung, und es kann kein stabiler Betrieb erreicht werden.
EP-A-0 228 875 zeigt Verstärker mit einer Gatterschaltung, die zwei Eingangsanschlüsse und eine Schalterschaltung aufweisen, die zwischen dem Ausgangs- und einem Eingangsanschluß der Gatterschaltung geschaltet ist. Um die Einschwingzeit zu reduzieren, wenn die Schaltung in einem unterbrochenen oder Batteriesparmodus betrieben wird, wird der Eingangsanschluß erdfrei gehalten.
Folglich ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Eingangsverstärkerschaltung in Hinblick auf die oben erwähnten Fehler des Stands der Technik bereitzustellen, die fähig zum Reduzieren einer Anstiegszeit bis zu einem Betriebszustand ist.
Erfindungsgemäß wird eine Eingangsverstärkerschaltung bereitgestellt, die aufweist: eine Gatterschaltung für Verstärkung, wobei die Gatterschaltung erste und zweite Eingangsanschlüsse und einen Ausgangsanschluß aufweist, in die ein zu verstärkendes Signal in den ersten Eingangsanschluß eingegeben wird und durch ein Freigabesignal, das in den zweite Eingangsanschluß eingegeben wird, entweder ein Betriebszustand oder ein Nichtbetriebszustand ausgewählt wird; eine Schalterschaltung, die ein Widerstandsteil einschließt, das durch das Freigabesignal so gesteuert wird, daß sie im Betriebszustand einge schaltet wird und im Nichtbetriebezustand ausgeschaltet wird, und die zwischen dem ersten Eingangsanschluß und dem Ausgangsanschluß der Gatterschaltung geschaltet ist; einen ersten Transistor, der zwischen eine Gleichstrom-Leistungsquelle und den ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird; und einen zweiten Transistor, der zwischen dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung und Masse geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird, wodurch die Transistoren so gesteuert werden, daß sie im Nichtbetriebszustand eine Vorspannung an den ersten Eingangsanschluß anlegen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Eingangsverstärkerschaltung bereitgestellt, die aufweist: eine NAND-Schaltung für Verstärkung, wobei die NAND-Schaltung erste und zweite Eingangsanschlüsse und einen Ausgangsanschluß aufweist, in die ein zu verstärkendes Signal in den ersten Eingangsanschluß eingegeben wird und durch ein Freigabesignal, das in den zweiten Eingangsanschluß eingegeben wird, entweder ein Betriebszustand oder ein Nichtbetriebszustand ausgewählt wird; eine Schalterschaltung, die ein Wideretandsteil einschließt, die durch das Freigabesignal gesteuert wird und zwischen dem ersten Eingangsanschluß und dem Ausgangsanschluß der NAND-Schaltung geschaltet ist, einen ersten MOS-Transistor, der zwischen eine Gleichstrom- Leistungsquelle und dem ersten Eingangsanschluß der NAND- Schaltung geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird; und einen zweiten MOS-Transistor, der zwischen dem ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung und Masse geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird.
Gemäß einer weiteren vorzuziehenden Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wird eine Eingangsverstärkerschaltung bereitgestellt, die aufweist: eine NOR-Schaltung für Verstärkung, wobei die NOR-Schaltung erste und zweite Eingangsanschlüsse und einen Ausgangsanschluß aufweist, in die ein zu verstärkendes Signal in den ersten Eingangsanschluß eingegeben wird und durch ein Freigabesignal, das in den zweiten Eingangsanschluß eingegeben wird, entweder ein Betriebszustand oder ein Nichtbetriebszustand ausgewählt wird; eine Schalterschaltung, die ein Widerstandsteil einschließt, die durch das Freigabesignal gesteuert wird und zwischen den ersten Eingangsanschluß und dem Ausgangsanschluß der NOR- Schaltung geschaltet ist; einen ersten MOS-Transistor, der zwischen eine Gleichstrom-Leistungsquelle und den ersten Eingangsanschluß der NOR-Schaltung geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird; und einen zweiten MOS-Transistor, der zwischen dem ersten Eingangsanschluß der NOR-Schal tung und Masse geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird.
In einer vorzuziehenden Eingangsverstärkerschaltung gibt es mindestens einen MOS-Transistor, der zwischen dem ersten MOS- Transistor und dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung, der NAND-Schaltung oder der NOR-Schaltung, geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird, und mindestens einen MOS-Transistor, der zwischen dem zweiten MOS- Transistor und dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung, der NAND-Schaltung oder der NOR-Schaltung, geschaltet ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird.
In einer weiteren vorzuziehenden Eingangsverstärkerschaltung weist die Schalterschaltung mehrere MOS-Transistoren auf, die durch das Freigabesignal gesteuert werden.
In den oben beschriebenen Konstruktionen der vorliegenden Erfindung kann, wenn die Gatterschaltung für Verstärkung, die NAND-Schaltung oder die NOR-Schaltung, durch das Freigabesignal im Nichtbetriebszustand ist, durch Anschalten der MOS- Transistoren, die zwischen der Gleichstrom-Leistungsquelle und dem ersten Eingangsanschluß der Gattersschaltung für Verstärkung, der NAND-Schaltung oder der NOR-Schaltung, und zwischen dem ersten Eingangsanschluß derselben und der Masse geschaltet sind, eine durch den ersten und zweiten MOS-Transistor teilweise unter Druck gesetzte Vorspannung im Nichtbetriebszustand vorher an den ersten Eingangsanschluß der Gat terschaltung für Verstärkung, die NAND-Schaltung oder die NOR-Schaltung, angelegt werden.
Folglich kann durch Schalten des Pegels des Freigabesignals die Zeit reduziert werden, die zum Hochfahren der Gatter schaltung für Verstärkung, der NAND-Schaltung oder der NOR- Schaltung, bis zum Betriebszustand benötigt wird.
Die Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden unter Berücksichtigung der folgenden detaillierten Beschreibung, die lediglich um ein Beispiel zu geben bereitgestellt wird, in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen genommen deutlicher werden, in denen:
Fig. 1 ein Schaltplan einer herkömmlichen Eingangsverstärkerschaltung ist;
Fig. 2 eine graphische Darstellung ist, die Eingangs- und Ausgangswellenformen zum Erläutern der Arbeitsweise der in Fig. 1 gezeigten Eingangsverstärkerschaltung zeigt;
Fig. 3 ein Schaltplan einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Eingangsverstärkerschaltung ist;
Fig. 4 eine graphische Darstellung ist, die Eingangs- und Ausgangswellenformen zum Erläutern der Arbeitsweise der in Fig. 3 gezeigten Eingangsverstärkerschaltung zeigt;
Fig. 5 ein Schaltplan einer zweiten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Eingangsverstärkerschaltung ist;
und
Fig. 6 ein Schaltplan einer dritten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Eingangsverstärkerschaltung ist.
Nun bezugnehmend auf die Zeichnungen, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche oder entsprechende Teile über alle Ansichten hinweg bezeichnen und folglich deren wiederholte Beschreibung zur Kürze weggelassen werden kann, wird in Fig. 3 die erste Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Eingangsverstärkerschaltung 1 gezeigt.
Wie in Fig. 3 gezeigt, ist eine Signalquelle 5 mit einem Eingangsanschluß IN1 der Verstärkerschaltung 1 über einen Kondensator C1 verbunden, und der Eingangsanschluß IN1 ist mit einem ersten Eingangsanschluß einer NAND-Schaltung 2 gekop pelt. Ein Freigabeanschluß IN2 ist mit einem zweiten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 gekoppelt. In diesem Fall kann durch ein Steuersignal, wie einem Freigabesignal EN, ein Betriebszustand oder ein Nichtbetriebszustand der NAND-Schaltung 2 ausgewählt werden. Die NAND-Schaltung 2, die eine Gatterschaltung für Verstärkung bildet, besteht aus einem MOS- Transistor.
Ein Ausgangsanschluß der NAND-Schaltung 2 ist mit einem Ausgangsanschluß OUT der Verstärkerschaltung 1 und dem ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 über eine Schalterschaltung 3 verbunden, die durch einen N-Kanal-MOS-Transistor M1 und einen P-Kanal-MOS-Transistor M2 gebildet wird, so daß eine Rückkopplung der Ausgangsgröße der NAND-Schaltung 2 an deren ersten Eingangsanschluß ausgeführt wird. Das Freigabesignal EN wird an einen Gate-Anschluß des N-Kanal-MOS-Transistors M1 angelegt. Auch wird das Freigabesignal EN durch einen Inverter 4 invertiert, und ein invertiertes Freigabesignal EN wird an einen Gate-Anschluß des P-Kanal-MOS-Transistors M2 angelegt.
Auch ist ein P-Kanal-MOS-Transistor M11 zwischen eine Gleichstrom-Leistungsquelle VDD und den ersten Ausgangsanschluß der NAND-Schaltung 2 geschaltet, und ein N-Kanal-MOS-Transistor M12 ist zwischen den ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 und Masse geschaltet. Das Freigabesignal EN wird an einen Gate-Anschluß des P-Kanal-MOS-Transistors M11 angelegt, und das invertierte Freigabesignal EN wird an einen Gate- Anschluß des N-Kanal-MOS-Transistors M12 angelegt.
In der oben beschriebenen Verstärkerschaltung wird, da der N- Kanal-MOS-Transistor M1 durch das Freigabesignal EN gesteuert wird und der P-Kanal-MOS-Transistor M2 durch das invertierte Freigabesignal EN gesteuert wird, wenn das Freigabesignal EN aus ist, das heißt auf einen niedrigen Pegel, die aus dem N- Kanal-MOS-Transistor M1 und dem P-Kanal-MOS-Transistor M2 zusammengesetzte Schalterschaltung 3 ausgeschaltet und so der erste Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 vom Ausgangsanschluß desselben getrennt.
Auch der zweite Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 wird durch das Freigabesignal EN gesteuert, und, wenn das Freigabesignal EN aus ist, wird der Ausgangsanschluß OUT auf den hohen Pegel festgelegt. Folglich kann im Fall, daß eine CMOS- Gatterschaltung der folgenden Stufe mit dem Ausgangsanschluß OUT verbunden ist, eine Bereitschaft ohne jeden unstabilen Zustand ausgeführt werden, und so kann die Leistungsaufnahme in und nach der folgenden Stufe reduziert werden.
Andererseits werden, da das Freigabesignal EN an den Gate- Anschluß des P-Kanal-MOS-Transistors M11 angelegt wird, der die Gleichstrom-Leistungsquelle VDD und den ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 verbindet, und das invertierte Freigabesignal EN an den Gate-Anschluß des N-Kanal-MOS-Transistors M12 angelegt wird, der den ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 und die Masse verbindet, wenn das Freigabesignal EN aus ist, das heißt die Verstärkerschaltung 1 im Nichtbetriebszustand ist, beide Transistoren M11 und M12 eingeschaltet, und eine durch Teilen der Gleichstrom-Leistungsquelle VDD durch die MOS-Widerstandsteile der Transistoren M11 und M12 erhaltene Vorspannung wird an den Eingangsanschluß IN1 angelegt.
Wenn das Freigabesignal EN von diesem Zustand eingeschaltet wird, werden beiden Transistoren M11 und M12 ausgeschaltet, und folglich wird der Eingangsanschluß IN1 von der Gleichstrom-Leistungsquelle VDD und der Masse getrennt. Als Ergebnis wird die Eingangsverstärkerschaltung 1 durch die Selbstvorspannung der NAND-Schaltung 2 in den Betriebszustand geschaltet.
Wie oben beschrieben kann in dieser Ausführungsform, wenn das Freigabesignal EN vom niedrigen Pegel in den hohen Pegel geschaltet wird, da die Vorspannung im voraus an den Eingangsanschluß IN1 angelegt wird, die Eingangsverstärkerschaltung 1 schnell in den Betriebszustand hochgefahren werden, ohne durch die Zeitkonstante beeinflußt zu werden, die durch die Schalterschaltung 3 und den Kondensator C1, wie in Fig. 4 gezeigt, bestimmt wird.
Ferner kann in diesem Fall durch Verlängern der Gate-Länge der CMOS-Transistoren M11 und M12, um die Source-Größe zu vermindern, ein Vorstrom, der im Nichtbetriebszustand fließt, sehr klein sein.
In Fig. 5 wird die zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Eingangsverstärkerschaltung 6 gezeigt.
In dieser Ausführungsform sind, wie in Fig. 5 gezeigt, obwohl die Drain-Seiten der Transistoren M11 und M12 direkt mit dem ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 in der in Fig. 3 gezeigten Eingangsverstärkerschaltung 1 verbunden sind, ferner ein P-Kanal-MOS-Transistor M21 und ein N-Kanal-MOS-Transistor M22 zwischen dem ersten Eingangsanschluß der NAND Schaltung 2 und den jeweiligen Transistoren M11 und M12 geschaltet. Das heißt, die Drain-Seiten der Transistoren M21 und M22 sind gemeinsam mit dem ersten Eingangsanschluß der NAND-Schaltung 2 verbunden, und die Sources der Transistoren M21 und M22 sind jeweils mit der Gleichstrom-Leistungsquelle VDD und der Masse über die jeweiligen Transistoren M11 und M12 gekoppelt.
Ferner wird das Freigabesignal EN an einen Gate-Anschluß des P-Kanal-MOS-Transistors M21 angelegt, und das invertierte Freigabesignal EN wird an den Gate-Anschluß des N-Kanal-MOS- Transistors M22 angelegt.
In dieser wie oben beschrieben konstruierten Ausführungsform sind die Größen der Transistoren M21 und M22 vergrößert und das Gate-Teil des ersten Eingangsanschlusses der NAND-Schaltung 2 kann vor statischer Elektrizität geschützt werden.
Auch werden, da die Größen der Transistoren M21 und M22 vergrößert sind, wenn das Freigabesignal EN aus ist, die Widerstandswerte der Transistoren M21 und M22 klein. Wenn jedoch die Gate-Länge der Transistoren M11 und M12 erhöht wird und die Source- und Drain-Breiten reduziert werden, werden diese Transistoren M11 und M12 im Nichtbetriebszustand hochohmig, und der Vorstrom, der von der Gleichstrom-Leistungsquelle VDD nach Masse fließt, kann sehr klein werden.
In Fig. 6 wird die dritte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Eingangsverstärkerschaltung 7 gezeigt.
In dieser Ausführungsform weist die Eingangsverstärkerschaltung 7 dieselbe Konstruktion wie die in Fig. 5 gezeigte Ausführungsform auf, außer daß eine NOR-Schaltung 8, die erste und zweite Eingangsanschlüsse aufweist, an Stelle der NAND- Schaltung 2 vorgesehen ist und das invertierte Freigabesignal EN an den zweiten Eingangsanschluß der NOR-Schaltung 8 angelegt wird.
In dieser Ausführungsform wird die Eingangsverstärkerschaltung 7 auf dieselbe Art wie die in Fig. 5 gezeigte zweite Ausführungsform betrieben, außer daß, wenn das Freigabesignal EN der niedrige Pegel ist, die Ausgangsgröße der NOR-Schaltung 8 auf den niedrigen Pegel festgelegt wird.
Wie oben beschrieben kann gemäß der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, da die Vorspannung vorher an den Eingangsanschluß im Nichtbetriebszustand der Eingangsverstärkerschaltung angelegt wird, die Zeit, die zum Hochfah ren in den Betriebszustand durch Schalten des Pegeis des Freigabesignais EN benötigt wird, beträchtlich reduziert werden.
In diesen bevorzugten Ausführungsformen kann der Signalanstieg in den Betriebszustand schnell ausgeführt werden, und folglich kann im unterbrochenen Betrieb der Eingangsverstärkerschaltung die Zeit zum vorhergehenden Eingeben des Freigabesignals beträchtlich reduziert werden. Auch kann ein Unterbrechungsverhältnis als ein Verhältnis der Freigabezeit zum gesamten Zeitraum ausgezeichnet sein, und der Energieverbrauch kann reduziert werden. Daher kann, indem die oben beschriebene Eingangsverstärkerschaltung für ein tragbares Telefon oder dergleichen verwendet wird, wobei großer Wert auf die Lebensdauer einer Zelle oder Batterie gelegt wird, die Batterielebensdauer der Geräte wesentlich verlängert werden.
Man wird verstehen, daß die vorliegende Erfindung oben rein beispielhaft beschrieben worden ist und Modifikationen von Details innerhalb des Rahmens der Erfindung vorgenommen werden können, wie sie in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.

Claims

1. Eingangsverstärkerschaltung (1), die aufweist:

eine Gatterschaltung (2, 8) für Verstärkung, welche Gatterschaltung erste und zweite Eingangsanschlüsse und einen Ausgangsanschluß aufweist, in die ein zu verstärkendes Signal in den ersten Eingangsanschluß eingegeben wird und durch ein Freigabesignal (EN), das in den zweiten Eingangsanschluß eingegeben wird; entweder ein Betriebszustand oder ein Nichtbetriebszustand ausgewählt wird;

eine Schalterschaltung (3), die einen Widerstandsteil einschließt, die durch das Freigabesignal gesteuert wird, so daß sie im Betriebszustand eingeschaltet und im Nichtbetriebszustand ausgeschaltet wird, und die zwischen dem ersten Eingangsanschluß und dem Ausgangsanschluß der Gatterschaltung verbunden ist, und die gekennzeichnet ist durch

einen ersten Transistor (M11), der zwischen einer Gleichstrom-Leistungsquelle (VDD) und dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung verbunden ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird; und

einen zweiten Transistor (M12), der zwischen dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung und Masse verbunden ist und durch das Eingabesignal gesteuert wird, wobei die ersten und zweiten Transistoren so gesteuert werden, daß sie eine Vorspannung an den ersten Eingangsanschluß im Nichtbetriebs zustand anlegen.

2. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Gatterschaltung eine NAND-Schaltung (2) ist.

3. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Gatterschaltung eine NOR-Schaltung (8) ist.

4. Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, die weiter wenigstens einen Transistor (M21), der zwischen dem ersten Transistor und dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung verbunden ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird, und wenigstens einen Transistor (M22) aufweist, der zwischen dem zweiten Transistor und dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung verbunden ist und durch das Freigabesignal gesteuert wird.

5. Schaltung nach Anspruch 4, bei der die Transistoren (M21, M22), die einerseits zwischen den ersten und zweiten Transistoren und andererseits mit dem ersten Eingangsanschluß der Gatterschaltung verbunden sind, MOS-Transistoren sind.

6. Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die ersten und zweiten Transistoren (M11, M12) MOS-Transistoren sind.

7. Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Schalterschaltung eine Vielzahl von MOS-Transistoren (M1, M2) aufweist, die durch das Freigabesignal gesteuert werden.