DE69223534T2

DE69223534T2 - Trockenätzverfahren und Anwendung davon

Info

Publication number: DE69223534T2
Application number: DE69223534T
Authority: DE
Inventors: Masaru Koeda; Tetsuya Nagano
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 1991-03-22
Filing date: 1992-03-20
Publication date: 1998-07-09
Anticipated expiration: 2012-03-21
Also published as: CN1036868C; DE69223534D1; CN1066512A; EP0504912B1; SG49673A1; US5234537A; EP0504912A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Trockenätzverfahren und seine Anwendungen für die Herstellung eines Beugungsgitters oder anderer Mikrostrukturen.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Da ein aus Siliciumcarbid (SiC) hergestelltes Beugungsgitter bei relativ hohen Temperaturen stabil ist und eine gute Wärmeleitfähigkeit aufweist, ist es besonders geeignet für Synchrotron-Orbital-Strahlung (im folgenden als SOR bezeichnet) und hochenergetisches Laserlicht mit kurzer Wellenlänge, dessen Energie das Beugungsgitter erwärmt.
Direktes Ätzen eines Beugungsgittermusters auf ein SiC-Substrat durch Trockenätzung wie etwa Ionenstrahlätzen ist jedoch nicht leicht, da die Schutzschicht zum Maskieren der Substratoberfläche schneller geätzt wird als das SiC-Substrat. Zwar wird im allgemeinen die Geschwindigkeit der Ätzung eines Substrats verbessert, wenn solche Ionen verwendet werden, welche mit dem Substrat reagieren können (reaktives Ionenätzen), doch ist SiC immer noch zu hart. Selbst wenn ein mit SiC reaktives Gas (beispielsweise CHF&sub3;) verwendet wird, ist die Geschwindigkeit des Ätzens des SiC-Substrats sehr langsam und die Schutzschicht wird schneller abgetragen als das SiC, wodurch es schwierig ist, ein korrektes Gitterprofil zu erhalten.
Daher wird bei einem herkömmlichen SiC-Beugungsgitter eine Oberflächenbeschichtung aus einem weichen Metall (wie etwa Gold) verwendet, in welche das Gitter mittels einer Vorrichtung zur Herstellung von Beugungsgittern oder dergleichen mechanisch graviert wird, wie in Fig. 5 gezeigt. In diesem Fall jedoch, wenn das Beugungsgitter mit einem sehr starken Licht (wie etwa SOR oder hochenergetisches Laserlicht) über einen langen Zeitraum bestrahlt wird, kann das Beugungsgitter verzerrt werden oder die Oberflächenbeschichtung kann sich aufgrund des Unterschieds der Wärmeausdehnungskoeffizienten von dem Substrat lösen.
Ein neuartiges Verfahren zum direkten Ätzen eines SiC-Substrats ist vorgeschlagen worden, bei welchem das SiC-Substrat mittels Hochleistungs-SOR in einer Gasatmosphäre geätzt wird (Proceedings of 1990 Spring Conference, Seite 500: Society of Applied Physics). Dieses Verfahren kann jedoch nur in Synchrotron-Anlagen, welche noch rar sind, für die industrielle Anwendung verwendet werden.
US-A-4,865,685 offenbart ein Ätzverfahren für Siliciumcarbid- Targets unter Verwendung eines reaktiven Ionenplasmas. Von CF&sub4;- Gas wird berichtet, daß es zu einer Polymerisation von erzeugten Fluorkohlenstoff-Radikalen führt, was bewirkt, daß Fluorkohlenstoffverbindungen auf die zu ätzende Oberfläche abgeschieden werden.
M. Lewis, D.G. Jones und D.F. Pual erörtern in Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A., Accel. Spectrom. Detect. Assoc. Equip. (Niederlande), 15. Mai 1986, Band 246; Nr. 1 - 3, Seiten 246 - 247 (Inspec Abstract) Laminarbeugungsgitter und sinusförmige Beugungsgitter, welche in durch chemisches Aufdampfen abgeschiedenes Siliciumcarbid ionengeätzt werden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung stellt ein neuartiges Trockenätzverfahren zur Verfügung, mit welchem solche harten SiC-Substrate geätzt werden können und welches mit üblichen Geräten für das Trockenätzen durchgeführt werden kann.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Plasmaätzverfahren zum Ätzen einer Oberfläche eines Siliciumcarbidsubstrats mit einem Plasma eines Quellgases dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung von
i) CF&sub4;- oder CHF&sub3;-Gas, welches mit dem Siliciumcarbidmaterial des Substrats reagiert,
und
ii) Argon als Inertgas
als Quellgas verwendet wird,
und daß das Verhältnis der Mischung CF&sub4;/CHF&sub3;:Ar = 50:50 bis 10:90 beträgt.
Eine Anwendung des oben genannten Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist die Herstellung eines Beugungsgitters. Zur Herstellung eines Beugungsgitters gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt das Verfahren die Schritte:
a) Bedecken einer Siliciumcarbid(SiC)-Substratplatte mit einer Schutzschicht, welche ein Gitterspaltmuster aufweist; und
b) Ätzen des SiC-Substrats mit einem Plasma unter Verwendung eines Quellgases aus einer Mischung von
i) CF&sub4;- oder CHF&sub3;-Gas, welches mit dem SiC-Material der Substratplatte reagiert, und
ii) Argon als Inertgas,
worin das Verhältnis der Mischung CF4/CHF&sub3;:Ar = 50:50 bis 10:90 beträgt.
SiC ist eines der geeignetsten Objekte für das Plasmaätzen der vorliegenden Erfindung, da es, wie oben erläutert, durch herkömmliche Verfahren schwer zu gravieren ist und SiC-Beugungsgitter gegen das starke Licht von SOR oder hochenergetisches Laserlicht beständig sind.
Bei dem Plasmaätzverfahren wird das reaktive Gas ionisiert, durch ein elektrisches Feld beschleunigt und auf die Substratoberfläche gestrahlt. Die Substratoberfläche wird bei einer verhältnismäßig hohen Geschwindigkeit durch die kombinierte Wirkung von physikalischem Ätzen durch die kollidierenden Ionen und der chemischen Reaktion des reaktiven Gases mit dem Substrat geätzt.
Bei herkömmlichen Plasmaätzverfahren, bei welchen nur das reaktive Gas verwendet wird, werden die Reaktionsprodukte des Substrats und der reaktiven Gasionen auf der Oberfläche des Substrats angesammelt, was das weitere Fortschreiten des Ätzens verhindert. Diese Ansammlung von Reaktionsprodukten bewirkt, daß die Geschwindigkeit des Ätzens einer Schutzschicht größer ist als diejenige des Ätzens des Substrats.
Bei dem Plasmaätzen der vorliegenden Erfindung, bei welchem eine Mischung aus dem reaktiven Gas und dem Inertgas verwendet wird, wird die Ansammlung des Reaktionsprodukts durch die Ionen des Inertgasplasmas effektiv eliminiert. Demgemäß wird die Geschwindigkeit der Ätzung des Substrats nicht verringert, sondern auf einem Niveau beibehalten, welches gleich oder größer ist als dasjenige der Geschwindigkeit der Ätzung der Schutzschicht. Somit ist ein direktes Muster-Ätzen unter Verwendung einer Schutzschicht-Maske für ein solches hartes Substrat möglich, für welches herkömmliche Plasmaätzverfahren wirkungslos waren.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die Figuren 1A bis 1E zeigen schematisch das Verfahren zum Ätzen eines Substrats mit einem beliebigen Muster gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung.
Die Figuren 2A bis 2E zeigen schematisch das Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters vom Laminartyp gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung.
Die Figuren 3A bis 3C zeigen schematisch die zweite Hälfte des Verfahrens zum Herstellen eines Beugungsgitters vom Blaze-Typ gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung.
Fig. 4A ist ein Profil eines durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellten Beugungsgitters vom Blaze-Typ, und Fig. 4B ist ein Profil eines durch ein herkömmliches Verfahren hergestellten Beugungsgitters.
Fig. 5 ist ein Querschnitt eines herkömmlichen SiC-Beugungsgitters unter Verwendung einer Oberflächenbeschichtung aus Gold.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG EINER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM

Siliciumcarbid(SiC)-Substrate wurden gemäß dem Verfahren der Erfindung und herkömmlichen Verfahren trockengeätzt. Der Unterschied in der Geschwindigkeit der Ätzung des SiC-Substrats und der Geschwindigkeit der Ätzung einer Schutzschicht wurde sodann bei jedem Verfahren gemessen. Bei allen Verfahren ist das Substrat aus einer gesinterten SiC-Grundplatte, welche mit durch chemisches Aufdampfen (im folgenden als CVD bezeichnet) abgeschiedenem SiC bedeckt ist, hergestellt und die Hälfte der Oberfläche des Substrats wird mit einer positiven Schutzschicht OFPR-5000 (Warenzeichen von Tokyo Ohka Corp.) beschichtet. Dann wurden die Substrate durch Ionenstrahlätzen bearbeitet.
Erstens wurde das SiC-Substrat mit der Schutzschicht nur mit Ionenstrahlen des reaktiven Gases CF&sub4; (ohne Inertgas) geätzt. Die Ätzgeschwindigkeit für SiC betrug 72,1 (Angström/Minute)/(mA/cm²), während diejenige für die Schutzschicht 261,3 (Angström/Minute)/(mA/cm²) betrug. Das Verhältnis der Ätzgeschwindigkeit für SiC zu derjenigen für die Schutzschicht (im folgenden als "das Selektivitätsverhältnis von SiC" bezeichnet) betrug nur 0,276.
Zweitens wurde das SiC-Substrat mit der Schutzschicht nur mit Ionenstrahlen eines anderen reaktiven Gases CHF&sub3; (ohne Inertgas) geätzt. Die Ätzgeschwindigkeit für SiC betrug 27,6 (Angström/Minute)/(mA/cm²), während diejenige für die Schutzschicht 99,0 (Angström/Minute)/(mA/cm²) betrug. Die Ätzgeschwindigkeiten sowohl für SiC als auch für die Schutzschicht waren geringer als diejenigen mit CF&sub4;. Das Selektivitätsverhältnis von SiC betrug auch nur 0,279.
Drittens wurde das SiC-Substrat mit der Schutzschicht mit inertem Argongas (ohne das reaktive Gas) geätzt. Die Ätzgeschwindigkeit für SiC betrug 94,6 (Angström/Minute)/(mA/cm²), während diejenige für die Schutzschicht 325,0 (Angström/Minute)/(mA/cm²) betrug. Das Selektivitätsverhältnis von SiC betrug auch nur 0,291. Wie aus den zuvor genannten Ergebnissen klar ersichtlich ist, wurde die Schutzschicht bei jedem der drei Verfahren weit schneller geätzt als das SiC-Substrat.
Das SiC-Substrat mit der Schutzschicht wurde dann mit Ionenstrahlen einer Gasmischung bearbeitet, welche aus Fluoroform (CHF&sub3;) und Argon in einem Verhältnis von CHF&sub3;:Ar = 33:67 bestand. In diesem Fall betrug die Ätzgeschwindigkeit für SiC 164,2 (Angström/Minute)/(mA/cm²), während diejenige für die Schutzschicht 126,9 (Angström/Minute)/(mA/cm²) betrug. Das Selektivitätsverhältnis von SiC war groß und betrug 1,29. Das heißt, in der Kombination aus reaktivem Gas und Inertgas wurde das SiC-Substrat bei einer höheren Geschwindigkeit geätzt als die Schutzschicht. Wie das Ergebnis zeigt, erlaubt das Verfahren der Erfindung das direkte Ätzen eines Musters in Siliciumcarbid.
Ein Prozeß zum Ätzen eines Musters auf die Oberfläche eines SiC-Substrats gemäß dem Verfahren der Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Figuren 1A bis 1E beschrieben. Ein SiC-Substrat 10 (CVD-SiC) wird hergestellt, indem ein SiC-Überzug auf die Oberfläche der gesinterten SiC-Grundplatte mittels eines CVD-Verfahrens abgeschieden wird. Eine Schutzschicht 11 (beispielsweise OFPR-5000) wird mit einer Dicke von ungefähr 3000 Angström auf die Oberfläche des SiC-Substrats 10 aufgebracht, wie in Fig. 1A gezeigt. Das Substrat 10 mit der Schutzschicht 11 wird bei 90 ºC in einem Frischluftofen 30 Minuten lang gebacken, um die Schutzschicht 11 auf dem SiC-Substrat 10 zu fixieren. Das Substrat 10 wird dann mit einer harten Maske 13 bedeckt, welche eine Maskenmusterschicht 12 aus Chrom aufweist, und mit Ultraviolettstrahlen 14 bestrahlt, wie in Fig. 1B gezeigt. Freiliegende Bereiche der Schutzschicht 11 werden mit einer speziellen Entwicklungsflüssigkeit entfernt, so daß ein Schutzschichtmuster 11b auf dem SiC-Substrat 10 gebildet wird (Fig. 1C). Das SiC-Substrat 10 wird dann mit Ionenstrahlen 15 einer Gasmischung aus Fluoroform und Argon (CHF&sub3;:Ar = 33:67) bestrahlt (Fig. 1D). Bei dem letzten Schritt wird das Schutzschicht-Muster mit O&sub2;-Plasma verascht und das auf erwünschte Weise geätzte SiC-Substrat 10 wird somit erhalten, wie in Fig. 1E gezeigt. Die Tiefe der Ätzung in dem SiC-Substrat 10 beträgt ungefähr 1000 Angström unter den Bedingungen der Ausführungs form.
Die Herstellung eines SiC-Beugungsgitters vom Laminartyp wird nun gemäß demin den Figuren 2A bis 2E dargestellten Prozeß beschrieben. Ein SiC-Substrat 20 wird hergestellt, indem ein SiC- Überzug auf die Oberfläche des gesinterten SiC mittels eines CVD-Verfahrens abgeschieden wird. Das SiC-Substrat 20 wird optisch poliert und mit einer positiven Schutzschicht 21 (beispielsweise OFPR-5000) durch Schleuderbeschichten bedeckt. Hier beträgt die Dicke der Schutzschicht 21 ungefähr 3000 Angström. Das Substrat 20 mit der Schutzschicht 21 wird bei 90 ºC in einem Frischluftofen 30 Minuten lang gebacken, um die Schutzschicht 21 auf dem SiC-Substrat 20 zu fixieren (Fig. 2A). Das Substrat 20 mit der Schutzschicht 21 wird zwei ebenen Wellen 22 mit verschiedenen Einfallswinkeln für eine holographische Belichtung ausgesetzt, wodurch ein latentes Bild aus parallelen Interferenzlinien in der Schutzschicht 21 ausgebildet wird, wie in Fig. 2B gezeigt. Die ebenen Wellen können beispielsweise durch einen He-Cd-Laser (Wellenlänge λ = 4416 Angström) erzeugt werden. Die Schutzschicht 21 wird dann mit einer spezifischen Entwicklungslösung (beispielsweise NMD-3) behandelt, um ein laminares Schutzschichtmuster 21b auszubilden, bei welchem parallele, lineare Schutzschichten mit einem sinusförmigen Profil in gleichen Abständen verbleiben (Fig. 2C). Hier werden die Zeiträume der Belichtung und der Lösungs-Prozeß (Entwicklung) so eingestellt, daß das Substrat 20 in den exponierten Bereichen der Schutzschicht 21 freigelegt wird, und das Verhältnis der Breite der Schutzschicht 21, welche das SiC-Substrat noch bedeckt, zu der Breite des freigelegten SiC-Substrats 20 (L & S-Verhältnis) nimmt einen vorbestimmten Wert an.
Das laminare Schutzschichtmuster kann durch jedes andere Verfahren hergestellt werden, etwa durch übliche Photolithographie oder Elektronenstrahllithographie.
Das mit der gemusterten Schutzschicht 21b maskierte SiC-Substrat 20 wird mit Ionenstrahlen 23 einer Gasmischung aus Fluoroform und Argon (CHF&sub3;:Ar = 33:67) senkrecht zu der Oberfläche des Substrats 20 bestrahlt. Die freigelegten Bereiche des SiC- Substrats 20 werden bei einer hohen Geschwindigkeit selektiv geätzt, während die Schutzschicht 21b bei einer niedrigen Geschwindigkeit geätzt wird, wie in Fig. 2D gezeigt. Die Bestrahlung mit Ionenstrahlen wird gestoppt, wenn eine vorher festgelegte Ätztiefe in dem SiC-Substrat 20 erreicht worden ist, und die verbleibende Schutzschicht 21b wird mittels O&sub2;-Plasma verascht. Somit wird das Beugungsgitter vom Laminartyp direkt auf dem SiC-Substrat 20 gebildet (das heißt, ohne eine Oberflächenbeschichtung aus Metall), wie in Fig. 2E gezeigt, welches eine ausgezeichnete Wärmebeständigkeit und eine vorteilhafte Wärmeleitfähigkeit (Abkühlvermögen) aufweist. Bei dem Schritt des Eliminierens der verbleibenden Schutzschicht 21b wird das SiC- Substrat 20 nicht im geringsten durch das O&sub2;-Plasma beeinträchtigt und das durch das Ionenstrahlätzen ausgebildete Profil wird günstigerweise beibehalten.
Die Figuren 3A bis 3C zeigen einen Prozeß zum Herstellen eines SiC-Beugungsgitters des Blaze-Typs. Ein mit einer auf dieselbe Weise wie in Fig. 2C gebildeten gemusterten Schutzschicht 31b maskiertes SiC-Substrat 30 wird mit Ionenstrahlen 34 der Gasmischung schrägwinklig zu der Substratoberfläche und senkrecht zu den Schutzschichtlinien bestrahlt (Fig. 3A). Das SiC-Substrat 30 wird schrägwinklig geätzt, um das gezackte Profil eines Beugungsgitters vom Blaze-Typ zu erhalten (Fig. 3B). Der Einfallswinkel der Ionenstrahlen wird gemäß dem Blaze-Winkel des Beugungsgitters bestimmt. Die Dicke der Schutzschicht 31b ist so festgelegt, daß die Schutzschicht 31b durch die Einstrahlung der Ionenstrahlen vollständig eliminiert wird, wenn die Tiefe der Ätzung des SiC-Substrats 30 den vorher festgelegten Wert erreicht. Wenn die Bestrahlung mit Ionenstrahlen vollendet ist, wird ein Beugungsgitter des Blaze-Typs auf dem SiC-Substrat 30 erhalten, wie in Fig. 3C gezeigt.
Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen werden Fluoroform und Argon jeweils als reaktives Gas bzw. als Inertgas in der Gasmischung verwendet, doch können auch verschiedene andere Kombinationen von reaktivem Gas (CF&sub4; für SiC) und Inertgas (etwa Ne oder Kr) für das Verfahren verwendet werden. Das Verhältnis des reaktiven Gases zu dem Inertgas von 33 zu 67 (annähernd eins zu zwei) bei den oben beschriebenen Ausführungsformen ist der optimale Wert für die Mischung aus CHF&sub3; und Argon. Doch ist auch ein anderes Verhältnis effektiv für das selektive Ätzen des SiC-Substrat anstelle der Schutzschicht. Gemäß anderen Versuchen stellt im Fall der Mischung aus CHF&sub3; und Argon ein Argongehalt von mehr als 50 % in der Gasmischung ein Selektivitätsverhältnis von SiC sicher, das größer ist als das beim Ätzen mit reinem Argongas oder mit reinem CHF&sub3;-Gas erhaltene Selektivitätsverhältnis. Doch ein Argonanteil von mehr als 90 % in der Mischung liefert ein Selektivitätsverhältnis, welches den mit reinem Argongas oder reinem CHF&sub3;-Gas erhaltenen Werten vergleichbar ist. Das optimale Mischverhältnis und der effektive Bereich des Verhältnisses hängen von der Kombination aus Inertgas und reaktivem Gas und dem verwendeten SiC-Substrat ab (beispielsweise, ob es ein gesintertes SiC-Substrat per se, ein gesintertes SiC-Substrat + CVD-SiC, oder ein gesintertes C-Substrat + CVD-SiC ist).
Das oben erläuterte Verfahren für die Herstellung eines Beugungsgitters des Blaze-Typs (Figuren 2A - 2C und 3A - 3C) ist auch für die Herstellung eines Beugungsgitters aus einem normalen Glassubstrat effektiv, welches im folgenden anhand eines Referenzbeispiels erläutert ist). Bei einem herkömmlichen Verfahren wird ein Glassubstrat durch Ionenstrahlen mit einem Gas (etwa CF&sub4; oder CHF&sub3;) geätzt, welches mit dem Hauptbestandteil SiO&sub2; von Glas reagiert. Doch ähnlich wie bei dem obengenannten Fall von SiC sammeln sich Reaktionsprodukte wie etwa C (Kohlenstoff), metallische Verunreinigungen von der Ionenstrahlelektrode oder der Ätzkammer, oder von dem Glassubstrat entfernte Metallverbindungen auf dem Substrat an. Dies beeinträchtigt das geätzte Profil des Beugungsgitters des Blaze-Typs, wie in Fig. 4B gezeigt, bei welchem der schräge Bereich S2 ziemlich eng und keine perfekte Ebene ist.
Dasselbe Verfahren, wie oben (und in den Figuren 2A - 2C und 3A - 3C) dargestellt, wird zum Herstellen eines Beugungsgitters des Blaze-Typs aus einem Glassubstrat verwendet. Das hier verwendete Substrat 30 ist aus normalem Glas (beispielsweise BK-7 von HOYA Co. etc.) und die Schutzschicht 31 ist ein positiver Schutzschicht-Typ, welche bei der normalen Photolitographie verwendet wird (beispielsweise Microposit 1400 von Siplay Far East Co.). Das Plasmagas ist die Mischung aus CF&sub4; und Argon. Im Fall des Glassubstrats und der Gasmischung aus CF&sub4; und Argon ist ein in einem geringfügig breiteren Bereich liegendes Mischungsverhältnis ist möglich, etwa von CF&sub4;:Ar = 55:45 bis 10:90. Fig. 4A ist das gemäß dem Verfahren der vorliegenden
Erfindung unter Verwendung des Mischungsverhältnisses CF&sub4;:Ar = 30:70 hergestellte Profil eines Beugungsgitters des Blaze-Typs aus einem Glassubstrat. Wie aus den Profilkurven der Figuren 4A und 4B ersichlich ist, weist das durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Beugungsgitter eine breitere und perfektere schräge Ebene S1 auf, wodurch ein verbessertes monochromatisierendes Leistungsverhalten erhalten wird.
Die vorliegende Erfindung kann auf Plasmaätzvorgänge im allgemeinen angewendet werden. Das Plasmaätzverfahren der vorliegenden Erfindung hat eine weitere Wirkung. Neben der Eliminierung von Ansammlungen auf dem Substrat reinigen die Inertgas-Ionen auch die Oberfläche der Innenwand der Ätzkammer.

Claims

1. Plasmaätzverfahren zum Ätzen einer Oberfläche eines Siliciumcarbid(SiC)-Substrats mit einem Plasma eines Quellgases, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Mischung von

i) CF&sub4; oder CHF&sub3; Gas, welches mit dem Siliciumcarbidmaterial des Substrats reagiert,

und

ii) Argon als Inertgas

als Quellgas verwendet wird,

und daß das Verhältnis der Mischung CF4/CHF&sub3;:Ar = 50:50 bis 10:90 beträgt.

2. Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters umfassend die Schritte:

a) Bedecken einer Siliciumcarbid(SiC)-Substratplatte mit einer Schutzschicht, welche ein Gitterspaltmuster aufweist; und

b) Ätzen des Siliciumcarbid(SiC)-Substrats mit einem Plasma unter Verwendung eines Quellgases aus einer Mischung von

i) CF&sub4; oder CHF&sub3; Gas, welches mit dem Material der Siliciumcarbid(SiC)-Substratplatte reagiert, und

ii) Argon als Inertgas,

worin das Verhältnis der Mischung CF4/CHF&sub3;:Ar = 50:50 bis 10:90 beträgt.

3. Verfahren zur Herstellung eines Beugungsgitters gemäß Anspruch 2, worin das Plasma schrägwinklig auf die Oberfläche der Substratplatte und senkrecht zu den Gitterlinien eingestrahlt wird.

4. Beugungsgitter aus Siliciumcarbid (SiC), hergestellt durch das Verfahren der Ansprüche 2 oder 3.

5. Beugungsgitter aus Siliciumcarbid (SiC) nach Anspruch 4, worin das Ätzen des Substrats unter Verwendung eines Ionenstrahls ausgeführt wird.