DE69210328T2

DE69210328T2 - Lateraler, bipolarer Halbleitertransistor mit isolierter Steuerelektrode

Info

Publication number: DE69210328T2
Application number: DE69210328T
Authority: DE
Inventors: Johnny Kin On Sin
Original assignee: Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1991-08-07
Filing date: 1992-07-28
Publication date: 1996-11-07
Anticipated expiration: 2012-07-29
Also published as: KR100278526B1; DE69210328D1; EP0526939B1; JP2633145B2; EP0526939A1; KR930005238A; US5227653A; JPH05206159A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen lateralen, bipolaren Halbleitertransistor mit isolierter Steuerelektrode, präziser gesagt, auf eine laterale, bipolare Trench-Gate-Transistoranordnung (LTGBT), welche für integrierte Leistungsschaltungen geeignet ist.
Auf dem Gebiete integrierter Leistungsschaltungen sind Designer bestrebt, Anordnungen mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand, schnellen Schaltzeiten und hoher Durchschlagspannung zu konzipieren. Bei einer, auf diesem Gebiet äußerst vielversprechenden Art Anordnungen handelt es sich um den bipolaren Transistor mit isolierter Steuerelektrode (IGBT), eine Art Anordnungen, welche die Struktur einer isolierten Steuerelektrode einer konventionellen Majoritätsladungsträger-MOS- Anordnung und zudem eine Minoritätsladungsträgerleitung zur Leitahigkeitsmodulation aufweist. Typische, bereits bekannte IGBT-Anordnungen sind in EP 0 111 803, EP 0 372 391, EP 0 371 785 und DE 3820677 dargestellt. Beispiele weiterer Strukturarten mit verschiedenen Grabenkonfigurationen sind in U.S. Patent Nr.4 546 367 sowie EP 0 047 392 dargestellt.
Obgleich Minoritätsladungsträger aufweisenden IGBT-Anordnungen bei Hochleistungseinsatz wegen ihrer vorteilhaften Leistungsmerkmale große Beachtung geschenkt worden ist, haben sich diese bisher als äußerst nachteilig erwiesen. Vor allem tendieren leitfähigkeitsmodulierte Leistungsanordnungen bei hohen Stromdichten dazu, "unerwünscht zu sperren", ein Problem, welches bei ebenfalls vorhandenen, hohen Spannungen noch zunimmt. Da in Leistungsanordnungen stets Hochstrom- und/oder Hochspannungsbedingungen herrschen, geht es darum, einen Weg zu fmden, um leitfähigkeitsmodulierte Leistungsanordnungen mit hohem Widerstand gegen eine unerwünschte Sperrung vorzusehen. Bei Fehlen einer solchen Verbesserung tendieren die Anordnungen dazu, in einer ähnlichen Weise wie der durch Thyristoren dargestellten "unerwünscht zu sperren", so daß ein Ausschalten derselben nicht möglich ist. Dieses kann einen zeitweiligen oder sogar permanenten Schaden der Anordnungen zur Folge haben.
Eine Hauptursache der unerwünschten Sperrung kann in dem Defektelektronenstrom in der Kanalzone unterhalb der Source liegen, was aus der Tatsache resultiert, daß der Source-/Kanalkontakt sich seitlich, von dem Drain/derAnode entfernt, wie z.B. in EP 0 371 785 gezeigt, befindet.
Eine Lösung dieses Problems nach dem Stande der Technik ist es, die Dotierung der Kanalzone in IGBT-Anordnungen zu erhöhen. Dieses verringert den Kanalwiderstand und dadurch den Spannungsabfall über dem Kanal während der Leitung, wodurch die Anordnung mit einem höheren Widerstand gegen unerwünschte Sperrung versehen wird. Ein Hauptnachteil dieser Technik ist jedoch, daß die Schwellenspannung der Anordnung dadurch ansteigt, typischerweise bis zu einer Höhe, auf welcher es schwierig ist, eine ausreichende Einschaltsteuerspannung vorzusehen. Diese Behelfslösung vermindert lediglich das Problem, eliminiert es jedoch nicht.
Folglich besteht bei einer Anordnung eine wesentliche Notwendigkeit darin, daß diese die inhärenten Vorteile der konventionellen IGBT-Anordnungen aufweist, während sie gleichzeitig einen wesentlich verbesserten Widerstand gegen eine unerwünschte Sperrung vorsieht.
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine IGBT-Anordnung vorzusehen, welche einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, schnelle Schaltmerkmale sowie eine hohe Durchschlagspannung aufweist, während sie gleichzeitig einen wesentlich verbesserten Widerstand gegen unerwünschtes Sperren bei Hochleistungs- und/oder Hochspannungsschaltungen besitzt.
Es ist ferner Aufgabe der Erfindung, eine IGBT-Anordnung rnit den zuvor erwähnten Vorteilen vorzusehen, welche ebenfalls einen einfachen und kompakten Aufbau aufweist und in SOI-Technik hergestellt werden kann.
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung werden diese Aufgaben durch eine neue Konfiguration einer Halbleiteranordnung, im nachfolgenden als "Lateral Trench-Gate Bipolar Transistor" (LTGBT) bezeichnet, erzielt mit: einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstypes, welches eine Hauptoberfläche aufweist,
einer Halbleiteroberflächenschicht eines zweiten Leitfähigkeitstypes, das Gegenteil der des ersten Leitfähigkeitstypes, welche auf der Hauptoberfläche vorgesehen ist,
einem sich durch die Oberflächenschicht erstreckenden Graben, welcher einen Teil der Oberflächenschicht umschließt und dadurch eine Insel in der Oberflächenschicht definiert, sowie eine Innenseitenwand, eine Außenseitenwand und eine Bodenfläche aufweist, wobei die Innenseitenwand die Insel begrenzt,
einer die Seitenwände und die Bodenfläche des Grabens bedeckenden, dielektrischen Schicht,
einer Gatezone, welche in dem Graben auf der dielektrischen Schicht angeordnet ist und ein leitfähiges Material aufweist, einer an die Oberfläche angrenzenden Kanalzone des ersten Leitfähigkeitstypes, welche in der Insel der Oberflächenschicht und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens vorgesehen ist,
einer an die Oberfläche angrenzenden, ersten Bauelementzone, welche in einem mittleren Teil der Insel der Oberflächenschicht und von der Kanalzone beabstandet angeordnet ist,
einer an die Oberfläche angrenzenden, zweiten Bauelementzone, welche in der Kanalzone angeordnet ist und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens zumindest eine stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone des zweiten Leitfähigkeitstypes aufweist,
einer Elektrode (A), welche eine elektrische Verbindung mit der ersten Bauelementzone vorsieht, sowie
einer Elektrode (K), welche eine elektrische Verbindung mit der zweiten Bauelementzone vorsieht,
wobei sich die Gatezone in im wesentlichen vertikaler Richtung in Angrenzung an die zweite Bauelementzone und die Kanalzone erstreckt, wobei bei Betrieb ein im wesentlichen vertikaler Leitungskanal in der Kanalzone induziert wird. Nach einem zweiten Aspekt der Erfindung sieht der laterale, bipolare Halbleitertransistror mit isolierter Steuerelektrode vor:
ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstypes, welches eine Hauptoberfläche aufweist,
eine Isolierschicht, welche auf der Hauptoberfläche angeordnet ist,
eine Halbleiteroberflächenschicht eines zweiten Leitfähigkeitstypes, das Gegenteil der des ersten Leitfähigkeitstypes, welche auf der Isolierschicht angeordnet ist, wobei es sich bei der Isolierschicht um eine vergrabene Isolierschicht handelt,
einen, sich durch die gesamte Oberflächenschicht erstreckenden Graben, welcher einen Teil der Oberflächenschicht umschließt und dadurch eine Insel in der Oberflächenschicht definiert sowie eine Innenseitenwand, eine Außenseitenwand und eine Bodenfläche aufweist, wobei die Innenseitenwand die Insel begrenzt, sowie eine dielektrische Schicht, welche die Seitenwände und die Bodenfläche des Grabens bedeckt,
eine Gatezone, welche in dem Graben auf der dielektrischen Schicht vorgesehen ist und ein leitfähiges Material aufweist, eine an die Oberfläche angrenzende Kanalzone des ersten Leitfähigkeitstypes, welche in der Insel der Oberflächenschicht und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens vorgesehen ist,
eine an die Oberfläche angrenzende, erste Bauelementzone, welche in einem mittleren Teil der Insel der Oberflächenschicht und von der Kanalzone beabstandet angeordnet ist, eine an die Oberfläche angrenzende, zweite Bauelementzone, welche in der Kanalzone angeordnet ist und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens zumindest eine stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone des zweiten Leitfähigkeitstypes aufweist,
eine Elektrode (A), welche eine elektrische Verbindung mit der ersten Bauelementzone vorsieht, sowie
eine Elektrode (K), welche eine elektrische Verbindung mit der zweiten Bauelementzone vorsieht,
wobei sich die Gatezone in im wesentlichen vertialer Richtung in Angrenzung an die zweite Bauelementzone und die Kanalzone erstreckt, wobei bei Betrieb ein im wesentlichen vertikaler Leitungskanal in der Kanalzone induziert wird.
Essentiell resültieren diese Konfigurationen in lateralen Bauelementstrukturen, wobei sowohl die erste als auch die zweite Bauelementzone an die gleiche Oberfläche angrenzen, während sie gleichzeitig einen vertikalen Leitungskanal vorsehen, welcher von einer isolierten Gatezone gesteuert wird, die sich in einem Graben durch die gesamte Oberflächenschicht in im wesentlichen vetikaler Richtung in Angrenzung an die Kanalzone erstreckt.
Diese einzigartige Konfiguration sieht eine laterale, an die Oberfläche grenzende Bahn von der Anode zur Kathode für Defektelektronen sowie eine zweite Bahn vor, welche sich von der Kathode eine kurze Strecke nach unten durch den vertikalen Leitungskanal und sodann quer in lateraler Richtung zu der Anode erstreckt. Da Minoritätsträger (Defektelektronen) in lateraler Richtung direkt zu der Kathode fließen können, ohne zuerst den vertikalen Leitungskanal zu durchffießen, wird die Durchlaßspannung des Kathoden-Kanalüberganges niinimiert. Dadurch wird selbst bei hohen Stromdichten ein Einschalten des parasitären NPN-Transistors in der Struktur und damit ein unerwünschtes Sperren verhindert. Ferner können nun, da der Elektronenfluß sich anfänglich in Abwärtsrichtung bewegt, Elektron-Defektelektron-Rekombinationsströme vielmehr in dem Körper der Anordnung als, wie im Falle der bekannten lateralen, bipolaren Transistoren mit isolierter Steuerelektrode, auf der Oberfläche fließen. Ein weiterer Vorteil der vorgeschlagenen Strukturen ist, daß, da die gategesteuerte, leitende Kanalzone im wesentlichen vertikal verläuft, die Dimensionen dieser Zone optimiert werden können, während gleichzeitig die Dimension der Kanalzone vergrößert werden kann, um eine Felddimensionierung vorzusehen, welche in verbesserten Hochspannungsdurchbruchverhaltensmerkmalen resultiert.
Darüberhinaus kann, da die LTGBT-Anordnung auf einer vergrabenen Isolierschicht gebildet werden kann, die gesamte Anordnung auf einfache Weise und effektiv isoliert werden, damit sich diese dadurch besonders für einen Einsatz, wie z.B. Source-Folger "High side"- Schalter, welche eine Hochspannungsisolation der gesamten Anordnung erfordern, eignet.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 - einen Querriß einer lateralen, bipolaren Trench-Gate- Transistoranordnung (LTGBT) gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung; sowie
Fig. 2 - einen Querriß einer, auf einer Isolierschicht hergestellten LTGBT-Anordnung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Es ist zu beachten, daß die Figuren nicht maßstabsgetreu und im besonderen die Vertikalabmessungen zum Zwecke einer deutlicheren Darstellung übertrieben gezeigt sind. Zudem sind Halbleiterzonen des gleichen Leitfähigkeitstypes im allgemeinen in gleicher Richtung schraffiert dargestellt und entsprechende Zonen in den verschiedenen Figuren im allgemeinen mit den gleichen Bezugsziffern versehen.
Fig. 1 der Zeichnung zeigt eine laterale, bipolare Trench-Gate- Transistoranordnung (LTGBT) gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. In Fig. 1 weist die LTGBT-Anordnung 1 ein Halbleitersubstrat 10 eines ersten Leitfähigkeitstypes, in diesem Falle eines P-Types, auf. Das Substrat ist bei einer typischen Dotierungskonzentration von etwa 10¹&sup4; Atomen/cm³ relativ schwach dotiert. Eine epitaktische Halbleiteroberflächenschicht 14 eines zweiten Leitfähigkeitstypes, das Gegenteil der des ersten Leitfähigkeitstypes, in diesem Falle eines N-Types, ist auf einer ersten Hauptoberfläche 12 des Substrats vorgesehen und bildet mit dieser einen PN-Übergang. Die epitaktische Schicht 14 kann typischerweise eine Stärke von etwa 2,5 Mikrometer und eine Ladung von 1 bis 2 x 10¹² Atomen/cm² pro Flächeneinheit aufweisen. In der epitaktischen Oberflächenschicht 14 ist ein Graben 16 vorgesehen, welcher sich durch die gesamte epitaktische Schicht erstreckt. Dieser Graben, welcher durch eine konventionelle Technik, wie zum Beispiel Ätzung, gebildet werden kann, kann typischerweise eine Breite von etwa 2 Mikrometer aufweisen und umschließt den aktiven Teil der Anordnung.
Eine dielektrische Schicht 18, bei welcher es sich typischerweise um einen Siliciumoxidfilm handelt, welcher eine Stärke von etwa 0,05 Mikrometer aufweist, bedeckt die Seitenwände und die Bodenfläche des Grabens. Der mit einer dielektrischen Schicht versehene Graben weist eine Gatezone 20 auf, welche aus einem leitfähigen Material, wie zum Beispiel Polysilicium, besteht und in einem Standardverfahren, wie zum Beispiel Polyauffüllung, hergestellt werden kann. Es ist eine Gateelektrode G vorgesehen, um einen elektrischen Kontakt mit der Gatezone 20 herzustellen.
In der epitaktischen Schicht 14 ist in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens 16 eine an die Oberfläche angrenzende Kanalzone 22 des P-Leitfähigkeitstypes vorgesehen. Die Kanalzone 22 erstreckt sich vertikal durch einen Teil der epitaktischen Oberflächenschicht und verläuft von der Innenseitenwand des Grabens zu einem mittleren Teil der LTGBT-Anordnung lateral nach innen. Obgleich die Konfiguration dieser Kanalzone infolge von Konstruktionsvorschriften in hohem Maße variieren kann, kann diese Zone typischerweise eine Stärke von etwa 1,5 Mikrometer, eine Dotierungskonzentration von etwa 10¹&sup7; Atomen/cm³ sowie eine Länge von etwa 20 bis 25 Mikrometer in lateraler Richtung aufweisen.
Die LTGBT-Anordnung gemäß Fig. 1 weist ferner eine an die Oberfläche angrenzende, zweite Bauelementzone 24, als Kathodenzone bezeichnet, auf, welche in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens 16 eine stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende N-Zone 24a vorsieht und sich nach unten durch einen Teil der Kanalzone 22 erstreckt. Bei diesem Ausführungsbeispiel weist die Kathodenzone außerdem eine zweite, stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone 24b des P- Leitfähigkeitstypes auf, welche an die Zone 24a grenzt und dazu dient, die Verbindung mit der Kanalzone 22 zu verstärken. Die Zonen 24a und 24b der Kathodenzone 24 können beide eine Stärke von typischerweise etwa 0,5 Mikrometer und eine relativ hohe Dotierungskonzentration von etwa 10²&sup0; Atomen/cm³ aufweisen. Die Breite der Zonen 24a und 24b kann typischerweise jeweils etwa 5 Mikrometer betragen, wobei durch die Kathodenelektrode K, welche sowohl die Zone 24a als auch die Zone 24b kontaktiert, eine elektrische Verbindung mit der Kathodenzone vorgesehen wird.
Der Aufbau der LTGBT-Anordnung wird durch eine, an die Oberfläche angrenzende, erste Bauelementzone 26, als Anodenzone bezeichnet, welche mit der epitaktischen Schicht 14 einen P-N-Übergang bildet, vervollständigt. Die Anodenzone 26 ist in dem mittleren Teil der epitaktischen Schicht und von der Kanalzone 22 beabstandet angeordnet. Eine Anodenelektrode A sieht eine elektrische Verbindung mit der Anodenzone 26 vor. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel sieht die an die Oberfläche angrenzende Anodenzone eine stark dotierte, an die Oberfläche grenzende P-Zone 26 vor, welche typischerweise eine Stärke von etwa 0,5 Mikrometer und eine Dotierungskonzentration von etwa 10²&sup0; Atomen/cm³ aufweist, obgleich alternative Konfigurationen definitiv in dem Schutzumfang der Erfindung liegen. Somit kann zum Beispiel die Anodenzone als eine segmentierte P+/N+Anode, eine segmentierte P+/Schottky-Anode oder als eine reine Schottky-Diode vorgesehen werden, um die Schaltgeschwindigkeit zu verbessern. Diese alternativen Anodenstrukturen gelten als bekannt und sind in EP-A-0 361 589, mit dem Titel SEGMENTED-ANODE LATERAL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR DEVICES, von MUKHERJEE et al, Literaturhinweis summarisch eingefügt, beschrieben. Folglich werden diese Merkmale der Kürze wegen hier nicht dargestellt oder näher erläutert.
Die einzigartige Konfiguration der Kanalzone 22, welche einen im wesentlichen vertikalen Leitungskanal 22a zwischen der Kathodenzone und dem darunterliegenden Teil der epitaktischen Schicht vorsieht, wenn auch die Kanalzone als Ganzes lateral orientiert ist, erlaubt die gleichzeitige Optimierung verschiedener Parameter, welche in konventionellen Anordnungen in einer in einem Kompromiß resultierenden Weise auszuwählen sind. Somit kann zum Beispiel der im wesentlichen vertikale Leitungskanal 22a so kurz wie gewünscht gehalten werden, während die Kanalwne selbst nach innen zu der Anodenzone hin ausgedehnt werden kann, um die Hochspannungsdurchbruchverhaltensmerkmale zu verbessern. In einer besonders vorteilhaften Konfiguration erstreckt sich die Kanalzone 22 jenseits der Kathodenzone 24b über eine Distanz, welche etwa halb so groß wie die Entfernung zwischen Kathodenzone 24b und Anodenzone 26 ist, lateral nach innen.
Ein zweites Ausführungsbeispiel einer LTGBT-Anordnung gemaß der Erfindung ist in Fig. 2 dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel gleicht im allgemeinen der in Fig. 1 gezeigten Konfiguration, weist jedoch einen bedeutenden Unterschied auf. Das Substrat 10 und die epitaktische Schicht 14 treffen nicht, wie in Fig. 1 dargestellt, an einem P-N-Übergang auf der Oberfläche 12 zusammen, um eine Sperrschichtisolation vorzusehen, sondern die epitaktische Oberflächenschicht und das Substrat können durch eine, auf dem Substrat 10 vorgesehene, vergrabene Isolierschicht 13 voneinander getrennt angeordnet sein, wobei die epitaktische Oberflächenschicht 14 auf der vergrabenen Isolierschicht vorgesehen ist. Bei der vergrabenen Isolierschicht 13 kann es sich typischerweise um eine Schicht von etwa 0,5 Mikrometer aus, auf konventionelle Weise hergestelltem, thermischem Siliciumoxid handeln. Somit wird eine SOI(Silicium- auf-Isolator)-LTGBT-Anordnung gebildet, wobei die Anordnung von sämtlichen umgebenen Halbleiterzonen komplett oxidisoliert ist. Folglich eignet sich die in Fig. 2 dargestellte Struktur besonders für den Hochspannungseinsatz, wie zum Beispiel Source- Folger "High-side"-Schalter, für welchen die gesamte Anordnung effektiv isoliert sein muß, um hohen Spannungen zu widerstehen, ohne das Risiko eines Spannungsdurchschlages einzugehen.
Zusammenfassend bieten die Anordnungen gemäß der vorliegenden Erfindung sämtliche Vorteile der bekannten LTGBT-Anordnungen, während sie gleichzeitig die signifikantesten Nachteile der bekannten Strukturen überbrückt, nämlich deren Anfälligkeit für potentielles, schädigendes, unerwünschtes Sperren bei Hochstrom- und/oder Hochspannungspegeln. Darüberhinaus eignen sich die hier offenbarten Anordnungen besonders für die SOI-Technik und erlauben somit umfangreiche Einsatzmöglichkeiten bei Hochspannungsstromkreisen.
Während die Erfindung unter Bezugnahme auf verschiedene, bevorzugte Ausführungsformen dargestellt und beschrieben worden ist, ist es für Fachkundige naheliegend, diverse Änderungen in Form und Detail vorzunehmen, ohne dabei von dem Schutzumfang der Erfindung, wie durch die beigefügten Patentansprüche definiert, abzuweichen.

Claims

1. Lateraler, bipolarer Halbleitertransistor (1) mit isolierter Steuerelektrode mit:

einem Halbleitersubstrat (10) eines ersten Leitfähigkeitstypes, welches eine Hauptoberfläche (12) aufweist,

einer Halbleiteroberflächenschicht (14) eines zweiten Leitfähigkeitstypes, das Gegenteil der des ersten Leitfähigkeitstypes, welche auf der Hauptoberfläche (12) vorgesehen ist,

einem sich durch die Oberflächenschicht (14) erstreckenden Graben (16), welcher einen Teil der Oberflächenschicht (14) umschließt und dadurch eine Insel in der Oberflächenschicht (14) definiert, sowie eine Innenseitenwand, eine Außenseitenwand und eine Bodenfläche aufweist, wobei die Innenseitenwand die Insel begrenzt,

einer die Seitenwände und die Bodenfläche des Grabens (16) bedeckenden, dielektrischen Schicht (18),

einer Gatezone (20), welche in dem Graben auf der dielektrischen Schicht (18) angeordnet ist und ein leitfähiges Material aufweist, einer an die Oberfläche angrenzenden Kanalzone (22) des ersten Leitfähigkeitstypes, welche in der Insel der Oberflächenschicht (14) und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens (16) vorgesehen ist,

einer an die Oberfläche angrenzenden, ersten Bauelementzone (26), welche in einem mittleren Teil der Insel der Oberflächenschicht (14) und von der Kanalzone (22) beabstandet angeordnet ist,

einer an die Oberfläche angrenzenden, zweiten Bauelementzone (24a, 24b), welche in der Kanalzone (22) angeordnet ist und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens (16) zumindest eine stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone (24a) des zweiten Leitfähigkeitstypes aufweist,

einer Elektrode (A), welche eine elektrische Verbindung mit der ersten Bauelementzone (26) vorsieht, sowie

einer Elektrode (K), welche eine elektrische Verbindung mit der zweiten Bauelementzone (24a, 24b) vorsieht,

wobei sich die Gatezone (20) in im wesentlichen vertikaler Richtung in Angrenzung an die zweite Bauelementzone (24a, 24b) und die Kanalzone (22) erstreckt, wobei bei Betrieb ein im wesentlichen vertikaler Leitungskanal in der Kanalzone (22) induziert wird.

2. Lateraler, bipolarer Halbleitertransistor mit isolierter Steuerelektrode mit:

einer Isolierschicht (13), welche auf der Hauptoberfläche (12) angeordnet ist,

einer Halbleiteroberflächenschicht (14) eines zweiten Leitfähigkeitstypes, das Gegenteil der des ersten Leitfähigkeitstypes, welche auf der Isolierschicht (13) angeordnet ist, wobei es sich bei der Isolierschicht (13) um eine vergrabene Isolierschicht handelt,

einem, sich durch die gesamte Oberflächenschicht (14) erstreckenden Graben (16), welcher einen Teil der Oberflächenschicht (14) umschließt und dadurch eine Insel in der Oberflächenschicht (14) definiert sowie eine Innenseitenwand, eine Außenseitenwand und eine Bodenfläche aufweist, wobei die Innenseitenwand die Insel begrenzt, sowie einer dielektrischen Schicht (18), welche die Seitenwände und die Bodenfläche des Grabens (16) bedeckt,

einer Gatezone (20), welche in dem Graben auf der dielektrischen Schicht (18) vorgesehen ist und ein leitfähiges Material aufweist, einer an die Oberfläche angrenzenden Kanalzone (22) des ersten Leitfähigkeitstypes, welche in der Insel der Oberflächenschicht (14) und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens (16) vorgesehen ist,

einer an die Oberfläche angrenzenden, ersten Bauelementzone (26), welche in einem mittleren Teil der Insel der Oberflächenschicht (14) und von der Kanalzone (22) beabstandet angeordnet ist, einer an die Oberfläche angrenzenden, zweiten Bauelementzone (24a, 24b), welche in der Kanalzone (22) angeordnet ist und in Angrenzung an die Innenseitenwand des Grabens (16) zumindest eine stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone (24a) des zweiten Leitfähigkeitstypes aufweist,

einer Elektrode (A), welche eine elektrische Verbindung rnit der ersten Bauelementzone (26) vorsieht, sowie

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Oberfläche angrenzende, zweite Bauelementzone (24a, 24b) ferner eine stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone (24b) des ersten Leitfähigkeitstypes in Angrenzung an die stark dotierte, an die Oberfläche angrenzende Zone (24a) des zweiten Leitfähigkeitstypes aufweist, welche durch die an die Oberfläche angrenzende Zone (24a) des zweiten Leitfähigkeitstypes von der Innenseitenwand des Grabens (16) beabstandet ist und sich nach unten durch einen Teil der Kanalzone (22) erstreckt.

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die an die Oberfläche angrenzende Zone (22) jenseits der zweiten Bauelementzone (24a, 24b) über eine Distanz, welche etwa halb so groß wie die Entfernung zwischen der zweiten Bauelementzone (24a, 24b) und der ersten Bauelementzone (26) ist, lateral nach innen erstreckt.

5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Oberfläche angrenzende, erste Bauelementzone (26) eine stark dotierte Zone des ersten Leitfähigkeitstypes aufweist.

6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die an die Oberfläche angrenzende, erste Bauelementzone (26) eine Schottky-Diode aufweist.