DE69200250T2 - Verfahren zur verlängerung der gaslebensdauer von excimer-lasern. - Google Patents
Verfahren zur verlängerung der gaslebensdauer von excimer-lasern.Info
- Publication number
- DE69200250T2 DE69200250T2 DE69200250T DE69200250T DE69200250T2 DE 69200250 T2 DE69200250 T2 DE 69200250T2 DE 69200250 T DE69200250 T DE 69200250T DE 69200250 T DE69200250 T DE 69200250T DE 69200250 T2 DE69200250 T2 DE 69200250T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gas
- laser
- excimer
- extending
- cooling device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 122
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 27
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 101100328843 Dictyostelium discoideum cofB gene Proteins 0.000 claims description 4
- IYRWEQXVUNLMAY-UHFFFAOYSA-N carbonyl fluoride Chemical compound FC(F)=O IYRWEQXVUNLMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- -1 metal oxide compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von Excimer-Lasern.
- Excimer-Laser stellen eine Erweiterung der Lasertechnologie in den ultravioletten Teil des Spektrums dar. Excimer-Laser ermöglichen gepulste Systeme bei kurzen ultravioletten Wellenlängen mit sehr hoher Spitzenleistung. Ein Excimer ist eine Verbindung, die keinen stabilen Grundzustand besitzt und als gebundenes Molekül nur in elektronisch angeregten Zuständen existiert. Viele Excimer-Laser verwenden Edelgase, die im allgemeinen keine stabilen chemischen Verbindungen bilden. Der Kryptonfluorid-Laser beispielsweise ist ein erstes Beispiel eines Excimer-Lasers. In einem derartigen Laser wird ein Krypton und Fluor enthaltendes Gasgemisch mit hochenergetischen Elektronen bestrahlt, um den metastabilen angeregten Zustand von KrF*-Excimer herzustellen, der zeitweise gebunden ist. Das Molekül zerfällt gemäß der folgenden Gleichung:
- KrF T Kr + F + hν.
- Da es keinen stabilen Grundzustand gibt, wird leicht eine Besetzungsinversion erreicht. Aufgrund der Natur der Reaktion sind Exciiner-Laser immer gepulste Vorrichtungen mit Impulsdauern in der Größenordnung von Nanosekunden.
- Excimer-Laser sind im Handel erhältlich. Handelsübliche Excimer-Laser erfordern Gasgemische, die aus Edelgasen, wie beispielsweise He, Ne, Ar, Kr oder Xe, und Halogendonatoren, wie beispielsweise F&sub2;, NF&sub3; oder HCl bestehen. Die speziellen Bestandteile des eingesetzten Gasgemisches hängen von dem speziellen in Frage stehenden Laserübergang ab. XeCl, KrF, ArF und XeF sind Beispiele von gegenwärtig verwendeten Laserübergängen. XeCl, KrF und ArF, die bei Wellenlängen von 308, 248 und 193 nm arbeiten, werden jedoch am häufigsten eingesetzt.
- Beim Betrieb mit KrF sind die in der Laserkammer eingesetzten Edelgase mit He oder Ne verdünntes Kr zusammen mit einem Halogendonator, der entweder F&sub2; oder NF&sub3; sein kann. NF&sub3; nimmt besser Energie auf, F&sub2; wird jedoch gegenwärtig in allen handelsüblichen Excimer-Lasern verwendet, da die Rekombinationskinetik nach der Entladung hinsichtlich der Minimierung der Gasverschlechterung bei F&sub2; günstiger ist. Das gleiche gilt für Arc mit der Maßgabe, daß Ar Kr ersetzt, und der Betrieb mit ArF ist anfälliger für die Gasverschlechterung.
- Excimer-Laser unterscheiden sich von allen anderen Lasern dadurch, daß sie mit einem festen Gasvolumen arbeiten, das häufig ersetzt werden muß, so daß der Benutzer entweder die Laserkaminer erneut befüllen oder den Halogendonator reinigen und nachfüllen muß. Das Erfordernis, Gasgemische bei Excimer-Lasern nachzufüllen, ist ein Ergebnis von unerwünschten chemischen Reaktionen, die in der Laserkammer auftreten. Als Folge dieser Reaktion verändert sich das Gasgemisch während des Betriebs des Lasers, und die Laserausgangsleistung sinkt. Das charakteristische Merkmal einer derartigen Gasverschlechterung ist der Verlust von Halogendonatoren und die Bildung von gasförmigen Verunreinigungen. Trotz Verbesserungen im Laseraufbau, um die Gasverschlechterung zu minimieren, besteht weiterhin ein großes Interesse daran, die Gaslebensdauer von Excimer-Lasern zu verlängern. Dafür gibt es zwei wichtige Gründe. Der erste und wichtigste Grund ist die Notwendigkeit, die Ausfallzeit des Laserbetriebs zu minimieren. Der zweite Grund ist die Notwendigkeit, den Gasverbrauch der teuren Edelgase wie Ne, Kr und Xe zu vermindern.
- Im Lauf der Jahre gab es eine Reihe von Versuchen, die ununterbrochene Betriebsdauer von Excimer-Lasern zu verlängern. Bei einem Verfahren wird ein Teil des Gases während des Laserbetriebs ersetzt. In diesem Fall wird das Gasgemisch in dem Laser langsam in diskreten, jedoch kleinen Schritten einfach ersetzt, während der Betrieb aufrechterhalten wird. Dieses Verfahren beseitigt zwar die Ausfallzeit des Lasers, reduziert jedoch nicht den Gasverbrauch, und es birgt Gefahren beim Umgang mit dem Gas, da Flaschen des giftigen Halogendonators geöffnet bleiben müssen.
- Bei einem zweiten Verfahren werden kleine Mengen von Halogendonatorgas während des Laserbetriebs zugegeben. Während diese Lösung effektiv die Halogendonatoren ersetzen kann, entfernt es jedoch nicht Verunreinigungen in dem Gas, die die nutzbare Gaslebensdauer begrenzen.
- Es sind mehrere Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen in Excimer-Lasern bekannt. Viele dieser Verfahren verwenden metallische Getter-Systeme und Molekularsiebe, die so arbeiten, daß sie alle gasförmigen Teile außer Edelgas entfernen. Um einen Vorteil aus dem gereinigten Gas durch Einsatz eines derartigen Verfahrens zu ziehen, wird der Halogendonator einfach ersetzt, bevor dieses Gas zurück in die Laserkammer geleitet wird, so daß der Gasverbrauch auf den Halogendonator beschränkt ist. Vorrichtungen, die dieses Prinzip verwenden, sind im Handel erhältlich, sind jedoch extrem teuer und erfordern einen komplizierten Umgang mit Gas. Eine kostengünstigere und damit am weitesten in der Technik verbreitete Lösung umfaßt die Tieftemperaturreinigung des Lasergases. Diese Verfahrensweise zieht Vorteile aus der Tatsache, daß viele der aus der Gasverschlechterung herrührenden Verunreinigungen in einem Tieftemperaturabscheider entfernt werden können. Es ist festzuhalten, daß die Gaslebensdauer von Excimer-Lasern durch On-line-Einsatz dieser Technik während des Betriebs mit KrF und ArF beträchtlich verlängert wurden.
- Unglücklicherweise ist der Einsatz der Tieftemperaturreinigung beim Betrieb beispielsweise mit KrF dadurch beschränkt, daß die niedrigste zulässige Temperatur für den On-line- Betrieb bei ca. -180ºC liegt, denn darunter wird der Kr- Anteil in dem Gasgemisch vermindert, was die Laserausgangsleistung herabsetzt. Dies führt dazu, daß eine wichtige Verunreinigung, CF&sub4; nicht aus der Laserkammer entfernt werden kann, was die Gaslebensdauer bei Betrieb mit KrF begrenzt, wenn eine Tieftemperaturreinigung eingesetzt wird. Bei ArF kann ein Tieftemperaturabscheider bei niedrigeren Temperaturen von ca. -196ºC verwendet werden, was ausreicht, mehr CF&sub4; auszukondensieren. Bei derartig niedrigen Temperaturen wird jedoch eine höhere Kühlleistung für den Tieftemperaturabscheider benötigt.
- Somit besteht ein Bedürfnis für ein effizientes, jedoch kostengünstiges Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von Excimer-Lasern.
- Dementsprechend ist es eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von Excimer-Lasern zu schaffen.
- Es ist des weiteren eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Entfernen von CF&sub4;-Verunreinigungen aus in Excimer- Lasern verwendeten Gasgemischen zu schaffen.
- Es ist des weiteren eine besondere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von XeF-, ArF- und KrF-Excimer-Lasern zu schaffen.
- 5Die Erfindung schafft einerseits ein Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von Excimer-Lasern durch Entfernen von CF&sub4;-Verunreinigungen, das folgende Schritte aufweist:
- a) CF&sub4;, das eine unerwünschte Verunreinigung ist und in den ein oder mehrere Edelgase enthaltenden laseraktiven Gasen enthalten ist, wird mit einer Menge an oxidierendem Gaszusatz zur Reaktion gebracht, der eine oder mehrere Verbindungen bilden kann, die mit einer Kühleinrichtung kondensierbar sind, ohne die Laserausgangsleistung unter einen festgelegten akzeptablen Wert zu erniedrigen; und
- b) die in Schritt a) hergestellten eine oder mehreren Verbindungen werden in einem Tieftemperaturabscheider mit einer Kühleinrichtung kondensiert, im wesentlichen ohne daß dabei eines oder mehrere der Edelgase kondensiert werden, wodurch die CF&sub4;-Verunreinigung aus dem Excimer-Laser entfernt wird und dessen Gaslebensdauer verlängert wird.
- Die Erfindung schafft andererseits des weiteren ein Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von Excimer-Lasern durch Entfernen von O&sub2;-Verunreinigungen, das folgende Schritte aufweist:
- a) O&sub2;, das eine unerwünschte Verunreinigung ist und in den ein oder mehrere Edelgase enthaltenden laseraktiven Gasen enthalten ist, wird mit einer Menge an CF&sub4; zur Reaktion gebracht, das eine oder mehrere Verbindungen bilden kann, die mit einer Kühleinrichtung kondensierbar sind, ohne die Laserausgangsleistung unter einen festgelegten akzeptablen Wert zu erniedrigen; und
- b) die in Schritt a) hergestellten eine oder mehreren Verbindungen werden mit einer Kühleinrichtung kondensiert, im wesentlichen ohne daß dabei eines oder mehrere der Edelgase kondensiert werden, wodurch die Q- Verunreinigung aus dem Excimer-Laser entfernt wird und dessen Gaslebensdauer verlängert wird.
- Fig. 1 zeigt die Wirkung des vorliegenden Gaszusatzes auf die Leistungsfähigkeit eines KrF-Excimer-Lasers.
- Es wurde festgestellt, daß durch die erfindungsgemäße Zugabe einer zusätzlichen oxidierenden Gaskomponente, wie O&sub2;, Luft oder sogar OF&sub2; zu einem typischen Excimer-Laser-Gasgemisch die Gaslebensdauer des Excimer-Lasers verlängert werden kann, wenn eine Tieftemperaturreinigung durchgeführt wird. Es wurde festgestellt, daß ein derartiger oxidierender Gaszusatz in Anwesenheit eines Gasplasmas oder einer Gasentladung mit CF&sub4;-Verunreinigungen reagiert und andere Kohlenstoffverbindungen mit niedrigem Dampfdruck bildet, die mit einem Tieftemperaturabscheider effizient entfernt werden können.
- Abhängig von den zum Bau des Lasers eingesetzten Materialien kann desweiteren O&sub2; eine Verunreinigung darstellen, die die Gaslebensdauer des Excimer-Lasers bei Tieftemperaturreinigung begrenzen kann. In diesem Fall können kleine Mengen CF&sub4; zugesetzt werden, die über ähnliche Reaktionen gasförmige Verunreinigungen bilden, die durch einen Tieftemperaturabscheider leicht entfernt werden können.
- Die Schwierigkeit, CF&sub4;-Verunreinigungen aus Excimer-Gasgemischen, wie XeF-, KrF- oder ArF-Gasgemischen zu entfernen, kommt von dem im Vergleich zu den Edelgasen Kr und Xe und sogar Ar relativ hohen Dampfdruck von CF&sub4; und von der chemischen Trägheit des CF&sub4;. Gemäß der Erfindung wird eine starke Energiequelle, wie eine Plasma- oder eine elektrische Entladung, verwendet, um genügend Energie auf das Gasgemisch zu übertragen, damit eine Reaktion zwischen CF&sub4; und dem oxidierenden Gaszusatz stattfinden kann. Die entstehenden Produkte, typischerweise CO&sub2; oder COF&sub2; können dann leicht tieftemperaturtechnisch entfernt werden, ohne das Edelgas zu entfernen. Die Plasmaquelle kann die elektrische Ladung in dem Laser selbst sein, oder sie kann ein Plasma- oder ein Entladungssystem sein, das außerhalb der Laserkammer angeordnet ist. Im letzteren Fall strömt das Laser-Gasgemisch durch das Plasmasystem und den Tieftemperaturabscheider, bevor es zu der Laserkammer zurückkehrt. Wie vorstehend angegeben ist, kann die Quelle des oxidierenden Gases Luft in gasförmigem Zustand, O&sub2;, NO oder sogar OF&sub2; sein, wobei jedoch O&sub2; oder Luft bevorzugt sind. Des weiteren kann der oxiderende Zusatz dem Laser-Gasgemisch auch mittels einer chemischen oder Plasmazerlegung von Sauerstoff oder Sauerstof fatome enthaltenden Feststoffen, durch Permeation oder Oberflächendesorption von Sauerstoff oder Sauerstoffatome enthaltenden Stoffen zugegeben werden.
- Es kann beispielsweise eine Permeationsquelle des Oxidationsmittels verwendet werden, wobei ein handelsüblich erhältliches Permeationsrohr in die Gaszufuhrleitung des Lasers eingesetzt ist. Derartige Vorrichtungen umfassen hinter einer permeablen Membran einen Behälter für Gas oder Flüssigkeit wie O&sub2; oder ein anderes Oxidationsmittel. Wenn außerhalb des Behälters ein anderes Gas über die Membran strömt, durchdringt der Stoff in dem Behälter die Membran und tritt in den Gasstrom ein. In diesem Fall würde das gasförmige Oxidationsmittel dem Gasstrom zugesetzt werden, der zum Befüllen des Laserbehälters mit seinen nominalen Gasbestandteilen verwendet wird.
- Alternativ können Metalloxidverbindungen wie Al&sub2;O&sub3; als Beispiel einer reaktiven Quelle für Oxidationsmittel genannt werden, das sich durch eine chemische oder Plasmazerlegung zersetzt. Genauer gesagt, wird eine kleine Menge der Metalloxidverbindung in der Gaszufuhrleitung des Lasers angeordnet. Wenn der Laser mit dem Fluorgemisch gefüllt wird, reagiert ein Teil des F&sub2; mit dem Metalloxid und bildet Sauerstoff in dem Gasstrom und ein nicht flüchtiges Metallfluorid. Die notwendige Steuerung der Menge zugesetzten Oxidationsmittels erfolgt durch Einstellung der Durchflußmenge des Gasstroms und durch die Größe der exponierten Fläche. Jedes Metalloxid kann jedoch nur so lange verwendet werden, wie es mit Fluor reagieren kann, um Sauerstoffgas zu erzeugen. Derartige Verbindungen sind dem Fachmann bekannt.
- Die Erfindung ist insofern sehr vorteilhaft, als die Gaslebensdauer von Excimer-Lasern verlängert werden kann, ohne daß teure Metallgetter-Reinigungsverfahren eingesetzt werden müssen oder ein komplizierter Umgang mit Gas erforderlich ist. Da sich das Konzept der Verwendung eines oxidierenden Gaszusatzes zur Verlängerung des Excimer-Gaslaser-Betriebs als vorteilhaft erwiesen hat, kann eine derartige Verfahrensweise auch bei anderen Verfahren eingesetzt werden, bei denen CF&sub4; aus Edelgasen, wie Xe, Kr oder Ar, entfernt werden muß oder CF&sub4; zum Entfernen von O&sub2; aus Edelgasen oder in noch vorteilhafterer Weise aus F&sub2; selbst zugegeben wird.
- Die Erfindung kann eingesetzt werden, um die Gaslebensdauer von Excimer-Lasern im allgemeinen zu verbessern. Die Erfindung ist jedoch besonders vorteilhaft zur Verlängerung der Gaslebensdauer von XeF-, KrF- und ArF-Excimer-Lasern. Aufgrund der größeren Schwierigkeit der Entfernung von CF&sub4; mit dem Tieftemperaturabscheider ohne Entfernung von KBr ist die Erfindung vorteilhafter für die Verlängerung der Gaslebensdauer von KrF-Excimer-Lasern. Es wurde beispielsweise festgestellt, daß aufgrund der niedrigen Tieftemperaturabscheidertemperaturen bei ArF-Systemen mit einem Tieftemperaturabscheider mehr CF&sub4; entfernt werden kann. Wenn XeF-Excimer- Laser eingesetzt werden, ist es hingegen notwendig, Abscheidertemperaturen von nicht unter -150ºC zu verwenden, um die Entfernung von Xe zu vermeiden. Dies führt zu einer relativ großen Menge an nicht entferntem CF&sub4;, das in den laseraktiven Gasen verbleibt.
- Die Erfindung kann auch in Fällen eingesetzt werden, in denen die die Gaslebensdauer beschränkende Verunreinigung O&sub2; und nicht CF&sub4; ist. In diesem Fall kann CF&sub4; dazu verwendet werden, das O&sub2; zu verbrauchen, um andere Verunreinigungen zu bilden, die tieftemperaturtechnisch abgeschieden werden können. Es hängt von den für den Aufbau des Lasers verwendeten Stoffen ab, ob O&sub2; oder CF&sub4; die beschränkende Verunreinigung ist. Bei den am häufigsten in jenen Lasern eingesetzten Stoffen ist CF&sub4; und nicht O&sub2; die Verunreinigung, die meistens die Gaslebensdauer des Lasers begrenzt.
- Die Erfindung ist auch insofern vorteilhaft als die Reaktion zwischen dem oxidierenden Gaszusatz und CF&sub4; zur Bildung von zusätzlichem F&sub2; führt, das der aktive Halogendonator in Lasern wie XeF-, KrF- oder ArF-Lasern ist. Durch Verwendung dieses inerten, nicht toxischen Zusatzes ist es somit möglich, bei derartigen Excimer-Lasern den Bedarf an zugeführten F&sub2;-Gasgemisch zu senken. Es ist nämlich bekannt, daß die Verwendung von CF&sub4; und O&sub2; nach ausreichender Bestrahlung durch eine Entladung oder ein Plasma beträchtliche Mengen an F&sub2; erzeugen kann. Dies wird gewöhnlich in Halbleiter-Ätzverfahren durchgeführt, bei denen ein CF&sub4;- und O&sub2;-Plasma verwendet wird, wodurch F&sub2; und F-Atome erzeugt werden, um Silicium zu ätzen.
- Gemäß der Erfindung muß der oxidierende Gaszusatz, der verwendet wird, um die CF&sub4;-Anreicherung in dem mit Tieftemperaturreinigung betriebenen Excimer-Laser zu reduzieren, in kleinen Mengen vorhanden sein, da zu viel davon die Laserleistung auf ein Niveau senkt, das für den Betreiber inakzeptabel ist. Um jedoch noch für den Verbrauch von CF&sub4; wirksam zu sein, muß eine entsprechende Menge oxidierenden Gaszusatzes vorhanden sein. Im wesentlichen werden zwei Moleküle O&sub2; mit drei Molekülen CF&sub4; reagieren. Die genaue Stöchiometrie hängt jedoch von den tatsächlichen Betriebsbedingungen ab.
- Gemäß der Erfindung ist es notwendig, daß eine ausreichende Menge entweder an oxidierendem Gaszusatz oder an CF&sub4; verwendet wird, um jeweils entweder CF&sub4; oder O&sub2; zu entfernen. Die verwendete Menge darf jedoch nicht so groß sein, daß dies zu einem nicht akzeptablen Abfall an Laserausgangsleistung führt. Im allgemeinen ist der akzeptable Leistungsabfall durch die spezielle Anwendung und die Leistung des eingesetzten Lasers bestimmt. Bei einem in einem KrF-Laser gemessenen, gegebenen Abfall der Ausgangsleistung durch O&sub2; und CF&sub4; darf O&sub2; für einen maximalen Leistungsverlust von ca. 20% ca. 400 ppm nicht übersteigen, und CF&sub4; muß unter ca. 1000 ppm bleiben. Es wurde festgestellt, daß der bevorzugte Konzentrationsbereich von O&sub2; gemäß der Erfindung bei ca. 50 bis 350 ppm, vorzugsweise bei ca. 100 bis 300 ppm liegt, vorausgesetzt, daß um einer konstanteren Ausgangsleistung willen ein Leistungsverlust von 30% akzeptabel ist.
- Um für den Verbrauch von O&sub2; wirksam zu sein, muß in ähnlicher Weise eine entsprechende Menge an CF&sub4; vorhanden sein. Die bevorzugte Konzentration liegt bei ca. 50 bis 700 ppm CF&sub4;, mit einer bevorzugten Menge von ca. 100 bis 600 ppm für die gleiche Grenze von 30% Leistungsverlust.
- Unabhängig davon, ob CF&sub4; zum Verbrauch von überschüssigem O&sub2; oder das oxidierende Gas zum Verbrauch von überschüssigem CF&sub4; eingesetzt wird, hängt die für den Zusatz benötigte exakte optimale Konzentration sowohl von den für den Aufbau des Lasers verwendeten Stoffen, insbesondere deren spezifische Reaktionswilligkeit mit dem oxidierenden Gas und dem CF&sub4;, als auch der Effizienz des verwendeten Tieftemperaturabscheiders und der Geschwindigkeit der Gaszirkulation durch den Abscheider ab.
- Im allgemeinen bestimmt der Fachmann den akzeptablen Leistungsverlust. Dieser wird dann wiederum dazu verwendet, die Menge an oxidierendem Gaszusatz oder CF&sub4; festzulegen, die verwendet werden sollte, um CF&sub4; bzw. O&sub2; effizient zu entfernen.
- Die obigen Beispiele von bevorzugten Bereichen von O&sub2; als oxidierendem Gas und der CF&sub4;-Konzentration sind in Verbindung mit einem 30%-igen Leistungsverlust angegeben. Dies dient jedoch nur Erläuterungszwecken und soll in keiner Weise einschränkend sein. Der Fachmann kann beispielsweise in Abhängigkeit von dem geplanten Einsatz festlegen, daß nur ein Leistungsverlust von 10% oder 20% für den KrF-Laser akzeptabel ist. In ähnlicher Weise kann ein Leistungsverlust von 40% akzeptabel sein. In jedem Fall liegt die Bestimmung des akzeptablen Leistungsverlusts im Rahmen des fachmännischen Könnens. Je größer im allgemeinen der akzeptable Leistungsverlust ist, desto größer kann beispielsweise die O&sub2;-Konzentration sein, die eingesetzt wird. Wenn beispielsweise ein Leistungsverlust von 30% akzeptabel ist, können bis zu ca. 400 ppm O&sub2; toleriert werden. Wenn jedoch ein Leistungsverlust von 40% akzeptabel ist, kann sogar eine noch höhere O&sub2;-Konzentration, das heißt beispielsweise 600 ppm, toleriert werden.
- Unabhängig davon, ob die Quelle des Gaszusatzes das oxidierende Gas oder CF&sub4; ist, ist die einfachste Quelle eine außerhalb der Laserkammer liegende Gasquelle. Ein Gasquelle kann jedoch auch aus chemischen oder Entladungsreaktionen innerhalb des Lasers oder durch Verwendung von permeablen Stoffen gegeben sein, die beispielsweise O&sub2; oder CF&sub4; freisetzen. Jede dieser Gasquellen kann verwendet werden, solange die Konzentrationsabweichung die vorstehend angegebenen Richtwerte nicht überschreitet.
- Der Excimer-Laser wird typischerweise bei einem Druck des laseraktiven Gases zwischen ca. 1 atm. bis ca. 9 atm. Druck betrieben. Vorzugsweise wird jedoch ein Überdruck von 1 atm. bis zu ca. 4 atm. verwendet, insbesondere für KrF- und ArF- Excimer-Laser. Der oxidierende Gaszusatz kann dem Excimer- Laser oder seinem Zirkulationssystem von einer externen Quelle direkt zugegeben werden.
- Als Kühleinrichtung kann ein handelsüblich erhältlicher Tieftemperaturabscheider verwendet werden. Es können jedoch auch andere Kühleinrichtungen verwendet werden. Es ist beispielsweise bekannt, daß kryogene Temperaturen mit handelsüblichen Kühlsystemen erreicht werden können, die mit der Entspannung und Kompression von Helium arbeiten. Ein derartiges Kühlsystem kann statt eines Tieftemperaturabscheiders verwendet werden.
- Wie vorstehend angegeben ist, wird eine starke Energiequelle, wie beispielsweise eine Plasma- oder elektrische Entladung, verwendet, um genügend Energie auf das Gasgemisch zu übertragen, um die Reaktion zwischen CF&sub4; und dem oxidierenden Gasgemisch zu fördern. Die entstehenden Produkte, wie CO&sub2; und COF&sub2;, werden tieftemperaturtechnisch entfernt, ohne Edelgas zu entfernen. Die Plasmaquelle kann die elektrische Entladung in dem Laser selbst sein, oder sie kann ein Plasmaoder ein Entladungssystem sein, das außerhalb der Laserkammer angeordnet ist.
- Obwohl der oxidierende Gaszusatz dem Lasergasgemisch aus einer externen Quelle direkt zugegeben werden kann, wenn ein handelsüblicher Laser verwendet wird, ist es auch möglich, dies mittels einer chemischen oder Plasmazerlegung von Sauerstoff oder Sauerstoffatome enthaltenden Feststoffen durchzuführen. Der oxidierende Gaszusatz kann auch mittels Permeation oder Oberflächendesorption von Sauerstoff oder Sauerstoffatome enthaltenden Stoffen zugegeben werden.
- Wenn die zwei letztgenannten Wege verwendet werden, um den oxidierenden Gaszusatz (durch chemische oder Plasmazerlegung oder durch Permeation oder Oberflächendesorption von Sauerstoff oder Sauerstoffatome enthaltenden Stoffen) einzuführen, kann ein handelsüblicher Excimer-Laser modifiziert werden, um dieses Ergebnis zu erhalten. Geeignete Stoffe, von denen bekannt ist, daß sie der chemischen oder der Plasmazerlegung, der Permeation oder der Oberflächendesorption unterliegen, können in die Laserkammer, in das Zirkulationssystem oder sogar in das Gaszuleitungssystem eingebracht werden.
- Für den Fall, daß CF&sub4; zugesetzt wird, um O&sub2;-Verunreinigungen aus dem Gasgemisch zu entfernen, kann das CF&sub4; aus einer externen Quelle zugesetzt werden.
- Die Erfindung wird nachstehend an einem Beispiel näher erläutert, das jedoch nur aus Gründen der Erläuterung angegeben ist und nicht beschränkend wirken soll.
- Ein handelsüblicher, durch Entladung gepumpter KrF-Excimer- Laser wurde unter drei Betriebsbedingungen betrieben:
- 1) ein typisches KrF-Gasgemisch (F&sub2;, Kr und Ne) ohne jeglichen Gaszusatz,
- 2) das gleiche Gasgemisch wie in 1), aber mit Tieftemperaturreinigung des Gasgemisches, die durch Umwälzen des Gasgemisches durch einen kalten, bei -178ºC gehaltenen Abscheider durchgeführt wurde, und
- 3) das gleiche Gasgemisch wie in 2) aber mit dem Gasgemisch bei Betriebsbeginn zugesetztem 150 ppm O&sub2;.
- Aus Fig. 1 ist ersichtlich, daß die Leistung des Lasers am langsamsten abnimmt, wenn der Gaszusatz vorhanden ist. Die Geschwindigkeit des Leistungsabfalls ist im Vergleich zu einer Reinigung ohne O&sub2; (2) um den Faktor 2 kleiner, wenn O&sub2; vorhanden ist und eine Tieftemperaturreinigung durchgeführt wird (3).
- Der O&sub2;-Zusatz in dem obigen Beispiel wurde der Laserkammer vor dem Betrieb zugeführt. Er kann jedoch auch in kleinen Mengen entweder kontinuierlich oder in diskreten Schritten während des Betriebs des Lasers zugeführt werden. Solange das O&sub2; in einer derartigen Weise zugeführt wird, daß die O&sub2;- Konzentration in dem Laser nicht über den Punkt ansteigt, bei dem das O&sub2; selbst die Laserausgangsleistung unter den für den Benutzer akzeptablen Wert senkt, kann der Zusatz in beliebiger Weise zugeführt werden. Wenn beispielsweise der akzeptable Leistungsverlust 40% betragen würde, würde die maximal zulässige O&sub2;-Konzentration einige 100 ppm betragen. Der tatsächliche Grenzwert würde von den Einzelheiten des Laseraufbaus und den Anforderungen der Laseranwendung abhängen.
- Aus Fig. 1 ist ersichtlich, daß die Laserleistung im Standardlaserbetrieb (1) nach nur ca. 3 Stunden Betrieb um ca. 33% abfällt. Bei einem Laserbetrieb mit Gasbehandlung durch flüssiges N&sub2; (Tieftemperaturreinigung) (2) fällt die Laserleistung nach nur ca. 4 Stunden Betrieb bei 200 Hz immer noch um ca. 25% ab.
- Im Gegensatz dazu fällt die Laserleistung selbst nach fast 5 Stunden Betrieb bei 200 Hz bei einem Laserbetrieb mit zugeführtem Gaszusatz (O&sub2;) und mit Gasbehandlung durch flüssiges N&sub2; (Tieftemperaturreinigung) (3) nur um ca. 5% ab.
- Somit kann mit Hilfe der Erfindung die Gaslebensdauer von Excimer-Lasern um eine überraschend große Spanne verlängert werden, ohne daß teure Metallgetter-Systeme und Molekularsiebe verwendet werden müssen.
- Es ist außerdem festzuhalten, daß, wenn andere oxidierende Gaszusätze als O&sub2; verwendet werden, beispielsweise Luft oder OF&sub2; oder ein Gemisch daraus, eine derartige Menge an Gaszusatz verwendet wird, daß in etwa die gleiche Menge an Sauerstoff vorhanden ist, wie es hier offenbart ist. Somit sollte beispielsweise zweimal soviel OF&sub2; oder ca. fünfmal soviel Luft verwendet werden, als dies bei O&sub2; der Fall wäre. Es liegt jedoch im Bereich des fachmännischen Könnens, die genaue benötigte Menge zu bestimmen.
- Schließlich ist festzustellen, daß die gemäß der Erfindung verwendeten oxidierenden Gaszusätze oder CF&sub4; einfach aus einer Reihe von handelsüblichen Quellen geliefert werden können.
Claims (13)
1. Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von
Excimer-Lasern durch Entfernen von CF&sub4;-Verunreinigungen, das
folgende Schritte aufweist:
a) CF&sub4;, das eine unerwünschte Verunreinigung ist und
in den ein oder mehrere Edelgase enthaltenden
laseraktiven Gasen enthalten ist, wird mit einer
Menge an oxidierendem Gaszusatz zur Reaktion
gebracht, der eine oder mehrere Verbindungen bilden
kann, die mit einer Kühleinrichtung kondensierbar
sind, ohne die Laserausgangsleistung unter einen
festgelegten akzeptablen Wert zu erniedrigen; und
b) die in Schritt a) hergestellten eine oder mehreren
Verbindungen werden in einem
Tieftemperaturabscheider mit einer Kühleinrichtung kondensiert, im
wesentlichen ohne daß dabei eines oder mehrere der
Edelgase kondensiert werden, wodurch die
CF&sub4;-Verunreinigung aus dem Excimer-Laser entfernt wird
und dessen Gaslebensdauer verlängert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Excimer-Laser
ein XeF-, KrF- oder ArF-Excimer-Laser ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der oxidierende
Gaszusatz aus der aus O&sub2;, Luft und OF&sub2; bestehenden
Gruppe ausgewählt ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem bis zu einigen
hundert ppm O&sub2; eingesetzt werden, um mit dem CF&sub4; zu
reagieren.
5. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem ca. 50 bis 350 ppm O&sub2;
Verwendet werden, um mit dem CF&sub4; zu reagieren.
6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine oder mehrere
der durch die Reaktion von CF&sub4; mit O&sub2; hergestellten
Verbindungen aus der aus CO&sub2; und COF&sub2; bestehenden Gruppe
ausgewählt sind.
7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Kühleinrichtung
ein Tieftemperaturabscheider ist, der flüssigen
Stickstoff als Kühlmittel verwendet.
8. Verfahren zur Verlängerung der Gaslebensdauer von
Excimer-Lasern durch Entfernen von O&sub2;-Verunreinigungen, das
folgende Schritte aufweist:
a) O&sub2;, das eine unerwünschte Verunreinigung ist und in
den ein oder mehrere Edelgase enthaltenden
laseraktiven Gasen enthalten ist, wird mit einer Menge
an CF&sub4; zur Reaktion gebracht, das eine oder mehrere
Verbindungen bilden kann, die mit einer
Kühleinrichtung kondensierbar sind, ohne die
Laserausgangsleistung unter einen festgelegten
akzeptablen Wert zu erniedrigen; und
b) die in Schritt a) hergestellten eine oder mehreren
Verbindungen werden mit einer Kühleinrichtung
kondensiert, im wesentlichen ohne daß dabei eines
oder mehrere der Edelgase kondensiert werden,
wodurch die O&sub2;-Verunreinigung aus dem Excimer-Laser
entfernt wird und dessen Gaslebensdauer verlängert
wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der Excimer-Laser
ein KrF- oder ArF-Excimer-Laser ist.
10. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem bis zu etwa 1000 ppm
CF&sub4; eingesetzt werden, um mit dem O&sub2; zu reagieren.
11. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem ca. 100 bis 600 ppm
CF&sub4; eingesetzt werden, um mit dem O&sub2; zu reagieren.
12. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem eine oder mehrere
der durch die Reaktion von O&sub2; und CF&sub4; hergestellten
Verbindungen aus der aus CO&sub2; und COF&sub2; bestehenden Gruppe
ausgewählt sind.
13. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Kühleinrichtung
ein Tieftemperaturabscheider ist, der flüssigen
Stickstoff als Kühlmittel verwendet.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US66524091A | 1991-03-06 | 1991-03-06 | |
PCT/EP1992/000402 WO1992016036A1 (en) | 1991-03-06 | 1992-02-25 | A method for extending the gas lifetime of excimer lasers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69200250D1 DE69200250D1 (de) | 1994-08-25 |
DE69200250T2 true DE69200250T2 (de) | 1994-10-27 |
Family
ID=24669303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69200250T Expired - Fee Related DE69200250T2 (de) | 1991-03-06 | 1992-02-25 | Verfahren zur verlängerung der gaslebensdauer von excimer-lasern. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5897847A (de) |
EP (1) | EP0527986B1 (de) |
JP (1) | JP3242918B2 (de) |
CA (1) | CA2082405C (de) |
DE (1) | DE69200250T2 (de) |
ES (1) | ES2059216T3 (de) |
WO (1) | WO1992016036A1 (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5307364A (en) * | 1993-05-24 | 1994-04-26 | Spectra Gases, Inc. | Addition of oxygen to a gas mix for use in an excimer laser |
US6195372B1 (en) * | 1997-08-19 | 2001-02-27 | David C. Brown | Cryogenically-cooled solid-state lasers |
US6456643B1 (en) | 1999-03-31 | 2002-09-24 | Lambda Physik Ag | Surface preionization for gas lasers |
US6650679B1 (en) | 1999-02-10 | 2003-11-18 | Lambda Physik Ag | Preionization arrangement for gas laser |
US6757315B1 (en) | 1999-02-10 | 2004-06-29 | Lambda Physik Ag | Corona preionization assembly for a gas laser |
US6644324B1 (en) | 2000-03-06 | 2003-11-11 | Cymer, Inc. | Laser discharge chamber passivation by plasma |
US6690706B2 (en) * | 2000-06-09 | 2004-02-10 | Cymer, Inc. | High rep-rate laser with improved electrodes |
US6671302B2 (en) | 2000-08-11 | 2003-12-30 | Lambda Physik Ag | Device for self-initiated UV pre-ionization of a repetitively pulsed gas laser |
EP1436866A4 (de) * | 2001-09-13 | 2009-10-28 | Cymer Inc | Laser mit hoher wiederholungsrate mit verbesserten elektroden |
US7095774B2 (en) * | 2001-09-13 | 2006-08-22 | Cymer, Inc. | Cathodes for fluorine gas discharge lasers |
US7301980B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-11-27 | Cymer, Inc. | Halogen gas discharge laser electrodes |
BRPI0302019B1 (pt) * | 2002-06-03 | 2017-02-21 | Praxair Technology Inc | método para produzir um gás de ressonador de laser de dióxido de carbono, e, método para cortar, modificar superfície, ou soldar um artigo |
EP1563824B1 (de) * | 2004-02-13 | 2008-06-18 | L'oreal | Beschichtungszusammensetzung für Keratinfasern enthaltend ein klebriges mikrokristallines Wachs and Fasern |
US7633989B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-12-15 | Cymer, Inc. | High pulse repetition rate gas discharge laser |
US20070071047A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Cymer, Inc. | 6K pulse repetition rate and above gas discharge laser system solid state pulse power system improvements |
US7706424B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-04-27 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser system electrodes and power supply for delivering electrical energy to same |
US20070268944A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Frank Voss | Gas purification in an excimer laser using a stirling cycle cooler |
JP6457013B2 (ja) * | 2017-05-17 | 2019-01-23 | 日本エア・リキード株式会社 | ガスリサイクル機能を有するエキシマレーザ発振装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU424809A1 (ru) * | 1972-11-16 | 1974-04-25 | Е. А. Мануйлова, Л. Ф. Соколов , С. В. Соколов | Способ получения карбонилфторида |
US4392888A (en) * | 1982-01-07 | 1983-07-12 | Aluminum Company Of America | Metal treatment system |
CA1298959C (en) * | 1985-09-28 | 1992-04-21 | Kohzo Hakuta | Method of refining rare gas halide excimer laser gas |
US4796271A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-03 | Potomac Photonics, Inc. | High duty factor rare gas halide laser |
JPH0760914B2 (ja) * | 1989-01-30 | 1995-06-28 | セントラル硝子株式会社 | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
GB8927209D0 (en) * | 1989-12-01 | 1990-01-31 | British Aerospace | Apparatus for controlling the composition of a laser gas or gas mixture |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP50493392A patent/JP3242918B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-25 CA CA002082405A patent/CA2082405C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-25 WO PCT/EP1992/000402 patent/WO1992016036A1/en active IP Right Grant
- 1992-02-25 DE DE69200250T patent/DE69200250T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-25 EP EP92905408A patent/EP0527986B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-25 ES ES92905408T patent/ES2059216T3/es not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-01 US US08/114,285 patent/US5897847A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2059216T3 (es) | 1994-11-01 |
JP3242918B2 (ja) | 2001-12-25 |
EP0527986B1 (de) | 1994-07-20 |
JPH06500433A (ja) | 1994-01-13 |
CA2082405A1 (en) | 1992-09-07 |
EP0527986A1 (de) | 1993-02-24 |
WO1992016036A1 (en) | 1992-09-17 |
CA2082405C (en) | 2004-09-28 |
DE69200250D1 (de) | 1994-08-25 |
US5897847A (en) | 1999-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69200250T2 (de) | Verfahren zur verlängerung der gaslebensdauer von excimer-lasern. | |
DE3632995C2 (de) | ||
DE2458563A1 (de) | Verfahren zur isotopentrennung mittels laser | |
EP0009558B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Modifizierung einer Oberfläche mittels Plasma | |
DE69522213T2 (de) | Verfahren zur absorption von gas durch eine membran | |
DE69317632T2 (de) | Verfahren zur Behandlung von Ozonschicht dezimierenden Substanzen | |
DE69009077T2 (de) | Behandlung von Stickoxyden. | |
DE4002642C2 (de) | ||
DE3434169C2 (de) | Verfahren zur Gewinnung von Ozon | |
EP0344764B1 (de) | Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung von Halbleiterscheiben | |
DE69812298T2 (de) | Reinigungslösung für elektronische Bauteile sowie Verfahren für ihre Verwendung | |
DE2450605B2 (de) | Verfahren und Reaktionsmasse zum Abtrennen von Sauerstoff aus Gasgemischen | |
DE3925070C2 (de) | Verfahren zum Erhalt einer sauberen Siliziumoberfläche | |
DE69006462T2 (de) | Verfahren zur Abwasserbehandlung mit hochkonzentriertem Ozonwasser. | |
DE69508904T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Ozon enthaltender Gasmischung | |
EP0442254A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von ozonhältigen Gasen und Lösungen | |
EP3104418B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum texturieren einer siliziumoberfläche | |
WO1999062649A1 (de) | Verfahren und anlage zum reinigen von halbleiterelementen | |
DE69601242T2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Ozon | |
DE3230922A1 (de) | Verfahren zur behandlung von stoffen mit ozon | |
DE10248481A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium | |
DE2517828A1 (de) | Verfahren zur trennung bzw. anreicherung von isotopen | |
DE2243989A1 (de) | Beseitigung von stickstoffoxiden aus abgasen von verbrennungsprozessen | |
DE69624903T2 (de) | Metalldampflaservorrichtung | |
DE2759748C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von kohlenstoff- und stickstoffarmen Stahl |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |