DE69125908T2

DE69125908T2 - Verbesserte Diamantwerkzeuge zum Gesteinsbohren, zum Metallschneiden und für Anwendungen als Verschleissteil

Info

Publication number: DE69125908T2
Application number: DE69125908T
Authority: DE
Inventors: Mahlon D Dennis; Udo Fischer; Lars Hillert; Mats Waldenstroem
Original assignee: Diamant Boart Stratabit SA; Sandvik AB
Current assignee: Diamant Boart Stratabit SA; Sandvik AB
Priority date: 1990-10-11
Filing date: 1991-10-09
Publication date: 1997-08-14
Anticipated expiration: 2011-10-10
Also published as: EP0480895A3; EP0480895A2; EP0480895B1; SE9003251D0; CA2053149A1; US5264283A; DE69125908D1; ZA917970B; ES2101737T3; US5496638A; IE913573A1; US5624068A

Description

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft die Gebiete des Gesteinsbohrens, Metallschneidens und der Anwendungen als Verschleißteil. Spezieller betrifft die Erfindung Meißelknöpfe für Schlagbohren und Drehbohren zum Brechen von Gestein, Meißeleinsätze für das Gesteinsbohren, Einsätze für das Metallschneiden, wie Drehen, Fräsen und Bohren, sowie Körper für verschiedene Anwendungen als Verschleißteile. Die Knöpfe, Einsätze und Körper umfassen Sintercarbid, das mit Diamantschichten versehen ist.

Hintergrund der Erfindung

Es gibt drei Hauptgruppen von Gesteinsbohrmethoden: Gesteinsschlagbohren, -drehbrechbohren und -schneidbohren. Beim Gesteinschlag bohren und -drehbrechbohren haben die Einsätze allgemein eine abgerundete Form, oftmals die eines Zylinders mit einer abgerundeten oberen Fläche, und werden allgemein als ein Knopf bezeichnet. Beim Gesteinsdrehschneidbohren werden die Einsätze mit einer als eine Schneideinrichtung wirkenden Kante versehen.
Die Einsätze für Metallschneiden werden mit einer scharfen Kante versehen, die als eine Schneideinrichtung wirkt. Die Körper für verschiedene Typen von Verschleißteilanwendungen haben unterschiedliche nichtschneidende Gestaltungen. Es gibt bereits eine Anzahl solcher hochdruck-hochtemperaturgesinterter Knöpfe, Einsätze und Körper von Sintercarbid, die mit polykristallinen Diamantkörpern oder -schichten versehen sind.
Die Technik bei der Herstellung solcher polykristalliner Diamantwerkzeuge unter Verwendung hohen Druckes und hoher Temperatur (HP/HT), wo Diamant die stabile Phase ist, wurde in einer Reihe von Patenten beschrieben, wie z. B. in der US-Patentschrift Nr.2 941 248: "Hochtemperatur-Hochdruck-Vorrichtung".
Die US-Patentschrift Nr.3 141 746: "Diamantpreßkörperschleifmittel". Unter hohem Druck gebundener Körper mit mehr als 50 Vol.% Diamant und einem Metallbinder: Co, Ni, Ti, Cr, Mn, Ta usw. Diese Patentschriften beschreiben die Verwendung eines Druckes und einer Temperatur, wo Diamant die stabile Phase ist.
In einigen späteren Patentschriften, z. B. den US-Patentschriften Nr.4 764 434 und 4 766 040, sind bei hohem Druck gesinterte polykristalline Diamantwerkzeuge beschrieben. In der ersteren Patentschrift wird die Diamantschicht an einen Trägerkörper mit einer komplizierten, nichtebenen Geometrie mit Hilfe einer dünnen Schicht eines durch PVD- oder CVD- Technik aufgebrachten hitzebeständigen Materials gebunden.
In der zweiten Patentschrift sind temperaturbeständige polykristalline Diamantkörper als Schleifmittel mit unterschiedlichen Bindemetallzusätzen in verschiedenen Abständen von der Arbeitsoberfläche beschrieben.
Eine jüngste Entwicklung auf diesem Gebiet ist die Verwendung einer oder mehrerer zusammenhängender Schichten von polykristallinem Diamant auf der oberen Oberfläche des Sintercarbidknopfes.
Die US-Patentschrift Nr.4 811 801 beschreibt Gesteinsmeißelknöpfe mit einer solchen polykristallinen Diamantoberfläche oben auf den Sintercarbid knöpfen.
Eine andere Entwicklung ist in der US-Patentschrift Nr.4 592 433 beschrieben, die ein Schneidplättchen für die Verwendung auf einem Bohrmeißel mit einem Hartstoffsubstrat mit einer Schneidoberfläche mit Streifen von polykristallinem Diamant einschließt, welche in Nuten verteilt sind, die in verschiedenen Mustern angeordnet sind.
Die US-Patentschrift Nr.4 784 023 beschreibt ein Schneidelement mit einem Zapfen und einem daran gebundenen Verbundwerkstoff. Der Verbundwerkstoff umfaßt ein von Sintercarbid gebildetes Substrat und eine an ein Substrat gebundene Diamantschicht. Die Grenzfläche zwischen der Diamantschicht und dem Substrat ist durch alternierende Rippen von Diamant und Sintercarbid definiert, die untereinander verankert sind. Die obere Oberfläche des Diamantkörpers ist zusammenhängend und bedeckt den gesamten Einsatz. Die Seiten des Diamantkörpers stehen nicht in direkter Berührung mit dem Sintercarbid.
Die US-Patentschrift Nr. 4 819 516 beschreibt ein Schneidelement mit einer V- förmigen Diamantschneidfläche. Das Schneidelement wird von einem einzelnen runden Schneidplättchen durch Schneiden des Plättchens in Segmente, Verbindung zweier identischer Segmente und Abschneiden der verbundenen Segmente gebildet. Auch in diesem Fall ist die Oberfläche des Diamantkörpers zusammenhängend und stehen die Seiten nicht in direkter Berührung mit Sintercarbid.
Die europäische Patentanmeldung Nr.0 312 281 beschreibt einen Werkzeugeinsatz mit einem Sintercarbidkörper mit einer Schicht von polykristallinem Diamant und einer Anzahl von Vertiefungen zwischen der Schicht und dem Sintercarbid, welche mit Preßling-Schleifmaterial gefüllt sind, welches sich in den Sintercarbidstützkörper hinein erstreckt.
Die US-Patentschrift Nr.4 871 377 beschreibt einen Verbundpreßkörper mit einer Platte von Diamantteilchen mit einer festen, chemisch inerten Bindematrix und einer dünnen Metallschicht, die direkt an die Platte in einer HP/HT-Presse gebunden wird. Eine andere Entwicklung auf diesem Gebiet ist die Verwendung von Sintercarbidkörpern mit unterschiedlichen Strukturen in unterschiedlichen Abständen von der Oberfläche, wie in den US-Patentschriften Nr.4 743 51 5 und 4 843 039 beschrieben ist, wo Sintercarbidkörper, die eta-Phase enthalten, von einer Oberflächenzone von Sintercarbid umgeben werden, welches frei von eta- Phase ist und einen niedrigen Kobaltgehalt in der Oberflächenzone und einen höheren Kobaltgehalt näher der eta-Phasenzone hat.
Die US-Patentschrift Nr.4 820 482 beschreibt Gesteinsmeißelknöpfe aus Sintercarbid mit einem Gehalt an Bindephase, der in der Oberfläche geringer und in der Mitte höher als der nominale Gehalt ist. In der Mitte ist eine Zone mit einem gleichmäßigen Bindephasengehalt. Die Wolframcarbidkorngöße ist im gesamten Körper gleichmäßig.
Die US-A-4 931 068 beschreibt ein Verfahren zur Verdichtung feinteiliger Diamantteilchen unter Erzeugung eines vollständig dichten Gegenstandes. Die Teilchen werden auf eine erhöhte Temperatur zum Verdichten unter Bildung des Gegenstandes erhitzt. Der Gegenstand wird dann für eine Umlagerung und Verminderung der Störstellen in dem Gegenstand auf dieser Temperatur gehalten.
Die EP-A-389 800 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Werkzeugrohlingen, bei dem eine Anordnung mit einer Masse von Diamant- oder CBN-Teilchen und einer Sintercarbidmasse einem Verfahren bei hohem Druck und hoher Temperatur unterzogen wird, was zu Diamant- oder CBN-Preßkörpern führt.
Die EP-A-384 011 beschreibt einen mit Diamant beschichteten Sinterkörper, in welchem Diamantschichten durch CVD- oder PVD-Technik auf einem Sintercarbidkörper abgeschieden wurden.

Aufgabe der Erfindung

Die Aufgabe der Erfindung ist es, Diamantwerkzeuge für Gesteinsbohren, Metallschneiden und Anwendungen als Verschleißteil mit Knöpfen, Einsätzen oder Körpern von Sintercarbid zu bekommen, welche mit Diamantschichten mit hoher und gleichmäßiger Kompression des Diamanten versehen sind, durch gemeinsames Sintern des Diamanten und des Sintercarbids bei hohem Druck und hoher Temperatur in dem stabilen Diamantbereich. Die Diamantschichten werden durch CVD- oder PVD-Technik vor der HP/HT-Behandlung hergestellt.
Es ist ein weiteres Ziel der Erfindung, es möglich zu machen, die Festigkeit des Diamanten zu maximieren, damit er Rißbildung, Abplatzen und Verschleiß widersteht.

Zusammenfassung der Erfindung

Die Sintercarbid knöpfe, -einsätze und -körper nach der vorliegenden Erfindung werden mit einer oder mehreren Diamantschichten versehen und dann HP/HT-behandelt. Die Diamantschichten werden durch CVD- oder PVD-Technik direkt auf dem Sintercarbid vorgefertigt.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

1 = Sintercarbidknopf oder -einsatz
2 = direkt durch CVD- oder PVD-Technik abgeschiedener Diamantüberzug
3 = durch CVD- oder PVD-Technik hergestellter vorgefertigter Diamantkörper
4 = Sintercarbid: Co-arme Zone
5 = Sintercarbid: Co-reiche Zone
6 = Sintercarbid: eta-Phase enthaltender Kern
7 = Hartlotmetall oder -legierung
Fig. 1 zeigt einen Sintercarbideinsatz mit einer Schicht von direkt abgeschiedenem CVD-Diamanten (Stand der Technik).
Fig. 2 zeigt einen Sintercarbideinsatz mit der gleichen Type von Diamantschicht wie in Fig. 1, bei dem jedoch das Sintercarbid eta-Phase enthält und von einer Oberflächenzone von Sintercarbid umgeben ist, das frei von eta-Phase ist.
Fig. 3 zeigt einen Sintercarbideinsatz ähnlich Fig. 1, jedoch mit einer Schicht von Hartlotlegierung zwischen dem CVD-Diamanten und dem Sintercarbid (Stand der Technik).
Fig. 4 zeigt einen Sintercarbideinsatz ähnlich Fig. 3, bei dem jedoch das Sintercarbid eta-Phase enthält und von einer Zone von Sintercarbid, das frei von eta-Phase ist, umgeben ist.
Fig. 5 zeigt einen Einsatz ähnlich Fig. 1, bei dem jedoch der Einsatz gemäß der Erfindung HP/HT-behandelt wurde.
Fig. 6 zeigt einen Sintercarbideinsatz ähnlich Fig. 2, bei dem jedoch der Einsatz (gemäß der Erfindung) HP/HT-behandelt wurde.
Fig. 7 zeigt einen Einsatz mit einer Anzahl getrennt hergestellter Körper von CVD- Diamant, die in vorgefertigten Löchern in dem Sintercarbid angeordnet und verlötet wurden.
Fig. 8 zeigt einen Sintercarbideinsatz ähnlich Fig. 7, bei dem jedoch das Sintercarbid eta-Phase enthält und von einer Sintercarbidoberflächenzone frei von eta-Phase umgeben ist.
Fig. 9 zeigt einen Einsatz ähnlich Fig. 7, jedoch ohne Löten. Stattdessen wurde der Einsatz HP/HT-behandelt.
Fig. 10 zeigt einen Sintercarbideinsatz ähnlich Fig. 7, bei dem aber das Sintercarbid eta- Phase enthält und von einer Sintercarbidoberflächenzone frei von eta- Phase umgeben ist.
Fig. 11 zeigt einen Sintercarbidknopf, der mit einer Anzahl getrennt hergestellter Körper von CVD-Diamant versehen ist, welcher in vorgefertigten Löchern in dem Sintercarbid angeordnet und verlötet wurde.
Fig. 12 zeigt einen Sintercarbidknopf ähnlich Fig. 11, bei dem aber das Sintercarbid eta- Phase enthält und von einer Sintercarbidoberflächenzone frei von eta-Phase umgeben ist.
Fig. 13 zeigt einen Sintercarbidknopf mit einer Anzahl getrennt hergestellter Körper von CVD-Diamant, die in vorgefertigten Löchern in dem Sintercarbid angeordnet und dann HP/HT-behandelt wurden.
Fig. 14 zeigt einen Sintercarbidknopf ähnlich Fig. 13, bei dem jedoch das Sintercarbid eta-Phase enthält und von einer Sintercarbidoberflächenzone umgeben ist, die frei von eta-Phase ist.
Fig. 15 zeigt einen Sintercarbidknopf mit einer Oberflächenschicht von direkt abgeschiedenem CVD-Diamant (Stand der Technik).
Fig. 16 zeigt einen Sintercarbidknopf ähnlich Fig. 15, bei dem jedoch das Sintercarbid eta- Phase enthält und von einer Sintercarbidoberflächenzone frei von eta-Phase umgeben ist.
Fig. 17 zeigt einen Sintercarbidknopf ähnlich Fig. 15, bei dem der Knopf HP/HT-behandelt wurde (nach der Erfindung).
Fig. 18 zeigt einen Sintercarbidknopf ähnlich Fig. 16, wo jedoch der Knopf (gemäß der Erfindung) HP/HT-behandelt wurde.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung

Gemäß der vorliegenden Erfindung bekommt man Knöpfe, Einsätze und Körper für Gesteinsbohren, Metallschneiden und Anwendungen als Verschleißteil mit einem Sintercarbidkörper mit herkömmlicher gleichmäßiger Struktur oder mit einer Mehrfachstruktur gemäß der US-Patentschrift Nr.4 743 515. Der Sintercarbidkörper wird mit einer oder mehreren Diamantschichten versehen, die durch CVD- oder PVD-Technik hergestellt und dann an dem Sintercarbidkörper durch die HP/HT-Technik befestigt werden. Die HP/HT-Behandlung wird zu einer günstigen Spannungsverteilung, d. h. einer hohen und gleichförmigen Kompression des Diamanten, die durch den Unterschied der Wärmeausdehnung zwischen dem Sintercarbid und dem Diamanten verursacht wird. Außerdem ergibt die HP/HT-Behandlung eine starke Bindung zwischen dem Sintercarbid und dem Diamanten und eine Heilung kleiner Defekte, wie Risse, in dem CVD/PVD-Diamanten, sowie auch eine Umwandlung von Graphitresten in den Diamanten.
Eine Anzahl unterschiedlicher Kombinationen kann auch zwischen verschiedenen Körpern und Schichten von CVD/PVD-hergestelltem Diamant und zwischen diesen und herkömmlichen Typen von HP/HT-gesintertem Diamant verwendet werden z. B.
- unbehandelte CVD/PVD-Schicht oben auf HP/HT-behandelter CVD/PVD-Schicht,
- HP/HT- behandelte CVD/PVD-Schicht auf einem Substrat, das mit einer dünnen Schicht von TiN oder anderem Material versehen wurde, welches die Wanderung von Bindemetall, wie Co, verhindern kann,
- HP/HT-behandelte CVD/PVD-Schicht oben auf einem Körper oder einer Schicht von herkömmlichem HP/HT-gesintertem Diamant,
- HP/HT-behandelte CVD/PVD-Schicht zwischen Körpern oder Schichten von herkömmlichem HP/HT-gesintertem Diamant.
Die obigen Knöpfe, Einsätze und Körper können an unterschiedliche Anwendungen angepaßt werden, indem man die Materialeigenschaften und -geometrien des Sintercarbids und des Diamanten verändert, insbesondere die Härte, Elastizität und Wärmeausdehnung, was zu unterschiedlicher Verschleißbeständigkeit und Festigkeit führt.
Die Dicke der Diamantschichten soll 50 µm bis 2 mm, vorzugsweise 50 µm bis 1 mm betragen.
Die Sintercarbidqualität soll in bezug auf die Anwendung ausgewählt werden, d.h. das Gesteinsbohren, Gesteinschneiden, Metallschneiden oder Anwendungen als Verschleißteil. Es ist wichtig, eine Qualität auszuwählen, die eine geeignete Verschleißbeständigkeit im Vergleich mit jener des Diamantkörpers oder der Diamantschicht hat. Der Bindephasengehalt soll 3 bis 35 Gew.% und die Korngröße des Sintercarbids wenigstens 1 µm, vorzugsweise 2 bis 6 µm sein. Das Sintercarbid soll eine gleichmäßige Struktur oder eine Mehrfachstruktur gemäß der US-Patentschrift Nr.4 743 51 5 mit einem eta-Phase enthaltenden Kern, der von einer Sintercarbidoberflächenzone frei von eta-Phase umgeben ist, haben. Die Größe dieses Kerns soll 10 bis 95 %, vorzugsweise 30 bis 65 % der Gesamtsintercarbidmenge in dem Knopf oder Einsatz sein.
Der Kern sollte wenigstens 2 Vol.%, vorzugsweise wenigstens 10 Vol.% eta-Phase, aber höchstens 60 Vol.%, vorzugsweise höchstens 35 Vol.% enthalten.
In der von eta-Phase freien Zone soll der Gehalt an Bindephase, d. h. im allgemeinen der Kobaltgehalt, in der Oberfläche 0,1 bis 0,9, vorzugsweise 0,2 bis 0,7 des normalen Gehaltes an Bindephase sein, und der Bindephasengehalt soll in der Richtung zum Kern hin bis zu einem Maximum von wenigtens 1,2, vorzugsweise 1,4 bis 2,5 des nominalen Bindephasengehaltes zunehmen. Für Metallschneidanwendungen soll die von eta-Phase freie Zone unter 1 mm, vorzugsweise unter 300 µm dick sein. Die Breite der an Bindephase armen Zone soll 5 bis 100 µm betragen. Für andere Anwendungen soll die Breite der an Bindephase armen Zone 0,2 bis 0,8, vorzugsweise 0,3 bis 0,7, der an eta-Phase freien Zone aber wenigstens 0,4 und vorzugsweise 0,8 mm betragen.
Die Sintercarbidknöpfe, -einsätze und -körper werden nach pulvermetallurgischen Verfahren gemäß der US-Patentschrift Nr.4 743 51 5 hergestellt. Nach dem Sintern des Sintercarbids werden die Diamantkörper oder -schichten auf die Oberfläche des Sintercarbidkörpers gelegt und normalerweise im diamantstabilen Bereich HP/HT-behandelt, d. h. bei hohem Druck, höher als 3,5 GPa, vorzugsweise bei 6 bis 7 GPa, und bei einer Temperatur von mehr als 1100 ºC, vorzugsweise 1700 ºC, während ein 1 bis 30 min, vorzugsweise etwa 3 min. In einigen Fällen kann die Behandlung bei niedrigeren Drücken und Temperaturen, wie mehr als 0,02 GPa und mehr als 500 ºC, durchgeführt werden.
Nach der HP/HT-Behandlung werden die Knöpfe, Einsätze und Körper strahlgeputzt und zur Endform und -abmessung geschliffen.
Die Erfindung wurde unter Bezugnahme auf herkömmliches Sintercarbid beschrieben. Es liegt jedoch auf der Hand, daß das Sintercarbid insbesondere für Metallschneiden zusätzlich sogenannte gamma-Phase enthalten kann. Die Erfindung ist auch auf sogenannte Cermets, d. h. Legierungen auf Titancarbonitridbasis, und keramische Materialien, wie Weißkeramik, Schwarzkeramik und Sialon anwendbar.
Hammerschlagtests mit Einsätzen des Typs nach Fig. 1 mit einen Sintercarbidsubstrat und einer Deckschicht von direkt abgeschiedenem CVD-hergestelltem Diamant zeigten eine starke Neigung zum Abplatzen nach einer kleinen Anzahl von Schlägen. Das gleiche geschah, wenn einen Hartlotlegierung zwischen dem Substrat und dem CVD-Diamant gemäß Fig. 3 verwendet wurde. Nach Verwendung einer HP/HT-Behandlung gemäß Fig. 5 fand man überraschenderweise, daß der direkt abgeschiedene CVD-Diamant mehr Schlägen widerstand, und wenn das Sintercarbid gleichzeitig eine Mehrfachstruktur gemäß dem US-Patent Nr.4 743 51 5 hatte, schien die CVD-Diamantschicht noch viel stärker zu sein (Fig. 6). Eine ähnliche Verbesserung wurde für Knöpfe nach den Fig. 15, 17 und 18 erreicht.
Die Erklärung dieses Effektes, der Steigerung der Beständigkeit gegen Abplatzen, könnte eine günstige Spannungsverteilung sein, die durch den Unterschied zwischen der Wärmeausdehnung der Diamantschicht und dem Sintercarbidkörper bewirkt wird, was der Schicht eine hohe und gleichmäßige kompressive Vorspannung gibt. Ein anderer anteiliger Effekt könnte die Verbesserung der Bindung zwischen dem Sintercarbid und dem CVD- Diamanten sein, die durch die HP/HT-Behandlung bewirkt wird. Noch ein anderer Effekt ist die Heilung kleiner Defekte, z. B. von Rissen, in dem CVD/PVD-Diamantkörper und die Umwandlung von Graphitresten in Diamant.

Beispiel 1

Ein Hammerschlagtest wurde unter Verwendung eines modifizierten Charpy-Pendels und von Sintercarbideinsätzen gemäß den Fig. 1, 3, 5 und 6 mit direkt abgeschiedenen CVD- Diamantschichten durchgeführt. Die Diamantschicht hatte eine Dicke von 0,7 mm. Die Gesamthöhe der Einsätze war 3,5 mm und der Durchmesser 13,3 mm. Der Hammer wurde aus einer bestimmten Höhe ausgelöst, und das Abplatzen wurde nach jedem Schlag beobachtet. Die Anzahl von Schlägen vor dem Abplatzen wurde als das Maß der Schlagbeständigkeit angenommen. Ergebnisse

Beispiel 2

Beispiel 1 wurde wiederholt, jedoch mit Sintercarbidknöpfen gemäß Fig. 15, 17 und 18 mit direkt abgeschiedenen CVD-Diamantschichten und wobei der Hammer aus einer anderen Höhe ausgelöst wurde. Ergebnisse

Beispiel 3

Sintercarbidschneidwerkzeugeinsätze wurden mit einer 700 µm dicken Diamantschicht unter Verwendung einer CVD-Methode mit hoher Geschwindigkeit, z. B. mit einem Gleichstromlichtbogenstrahl, beschichtet. Die Geometrie der Einsätze wurde so ausgewählt, daß man nach der Abscheidung eine Werkzeuggeometrie TPUN 160 308 (etwas Übergröße) erhielt. Die Einsätze wurden dann gemäß der Erfindung einer HP/HT-Behandlung unterzogen. Die Endstufe war eine Schleif/Läpp-Behandlung, um eine glatte Oberflächennachbehandlung der Diamantschicht zu gewährleisten, so daß der Einsatz innerhalb von Toleranzen für die TPUN 160 308-Geometrie war. Maschinelle Bearbeitungstests erfolgten in Legierung 390 (Al- 18 % Si), um die Leistung der Einsätze gemäß der Erfindung mit
1. Einsätzen, die wie oben, doch unter Ausschluß der HP/HT-Behandlung (Stand der Technik) hergestellt waren und
2. Einsätzen, die aus einem freistehenden Diamantfum von 700 µm, der auf den Sintercarbideinsatz aufgelötet und zur Endgeometrie geschliffen wurde (Stand der Technik), zu vergleichen. Die Schneidbedingungen waren folgende: Längsdrehen mit Kühlmittel, Schneidgeschwindig keit 700 m/min, Vorschubgeschwindigkeit 0,2 mm/U und Schneidtiefe 1,0 mm. In allen Fällen wurde die Werkzeugstandzeit durch einen maximalen Flankenverschleiß von 0,3 mm bestimmt. Die Werkzeugstandzeitergebnisse waren folgende:
Werkzeug nach der Erfindung 750 min
Stand der Technik gemäß 1 1 min
Stand der Technik gemäß 2 400 min
Die kurze Werkzeugstandzeit im Falle des Standes der Technik gemäß 1 ist auf das unmittelbare Abplatzen der Beschichtung zurückzuführen.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung von Sintercarbid körpern mit einer Korngröße von wenigstens 1 µm und einem Gehalt von 3 bis 35 Gew.% Bindephase für Gesteinsbohren, Steinschneiden, Metallschneiden und Anwendungen als Verschleißteil, wobei diese Körper mit Diamantschichten versehen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantschichten direkt auf den Körpern durch CVD- oder PVD-Technik bis zu einer Dicke von 50 µm bis 2 mm abgeschieden werden und dann in dem diamantstabilen Bereich HP/HT-(Hochdruck/Hochtemperatur)-behandelt werden, um die Haftung zu verbessern.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Körper Sintercarbid mit einer Mehrfachstruktur umfassen, die einen eta-Phase enthaltenden Kern hat, welcher von einer von eta-Phase freien Sintercarbidoberflächenzone umgeben ist.