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DE69020009T2 - Verfahren zum Herstellen von Verbindungselektroden. - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Verbindungselektroden.

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DE69020009T2
DE69020009T2 DE69020009T DE69020009T DE69020009T2 DE 69020009 T2 DE69020009 T2 DE 69020009T2 DE 69020009 T DE69020009 T DE 69020009T DE 69020009 T DE69020009 T DE 69020009T DE 69020009 T2 DE69020009 T2 DE 69020009T2
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DE
Germany
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conductive particles
electrodes
resin layer
layer
substrate
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DE69020009T
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Hiroshi Matsubara
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Original Assignee
Sharp Corp
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    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29409—Indium [In] as principal constituent
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    • H01L2224/29401—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29411—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/29416—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29439—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/29399—Coating material
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    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29444—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29447—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29463—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29464—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/29463—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29469—Platinum [Pt] as principal constituent
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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Verbindungen bei integrierten Halbleiterschaltungen, Substraten mit gedruckten Schaltungen, Glassubstraten, flexiblen Substraten, Keramiksubstraten oder dergleichen.
    • 2. Beschreibung des einschlägigen Standes der Technik
  • Es ist bekannt, daß Löten bei einem Verfahren zum elektrischen Verbinden von Verbindungselektroden z.B. eines Halbleiterchips mit den Elektroden eines anderen Schaltungssubstrats verwendet wird. Beim Verfahren, das Löten verwendet, wird auf den Elektroden eines der anzuschließenden Substrate durch Plattieren, Drucken oder andere Techniken eine Lötmittelschicht ausgebildet. Die Lötmittelschicht wird dann auf eine hohe Temperatur in der Größenordnung von 200-250ºC erwärmt und für Verbindungsherstellzwecke mit den Elektroden des anderen Substrats aufgeschmolzen. Bei diesem Verfahren ist es demgemäß erforderlich, ein Metall wie Au, Cu oder Ni mit Affinität zu Lötmittel zu verwenden.
  • Jedoch wurde darauf hingewiesen, daß ein derartiger einen Lötvorgang verwendender Hochtemperaturprozeß Schaltungssubstrate thermisch beschädigt, und darüber hinaus führt die Verwendung eines Metalls mit Affinität zu Lötmittel zu erhöhten Kosten.
  • Der Anmelderin ist ein Verfahren bekannt, das eine anisotrope leitende Folie mit leitenden in einem Kleber verteilten Teilchen dazu verwendet, die Schwierigkeiten der thermischen Beschädigung und der Kostenzunahme zu überwinden.
  • Die anisotrope leitende Folie verfügt über solche Anisotropie, die elektrische Leitfähigkeit in bezug auf diejenige Richtung zeigt, in der Druck auf die Folie ausgeübt wird, und die keine elektrische Leitfähigkeit in bezug auf die anderen Richtungen zeigt. Genauer gesagt, wird bei diesen Verfahren eine derartige anisotrope leitende Folie zwischen Elektroden, Anschlüsse oder andere zu verbindende Teile eingefügt. Dann wird der z.B. zwischen Elektroden eingefügte Teil der Folie in Richtung der Dicke der Folie unter Druck gesetzt und erwärmt, wodurch sich die elektrische Verbindung zwischen den Elektroden ausbildet.
  • Die anisotrope leitende Folie ist insbesondere zur Verwendung beim Anschließen der Anschlußelektroden einer Flüssigkristall-Anzeigetafel vom Typ, der ITO (Indium-Zinn-Oxid) als Leitungsmaterial verwendet, geeignet. Dies, weil auf eine solche Flüssigkristall-Anzeigetafel keine Wärme mit hoher Temperatur einwirken sollte.
  • Die anisotrope leitende Folie weist leitende Teilchen auf, die im gesamten als Kleber dienenden Harz dispergiert sind. Demgemäß ist es wahrscheinlich, wenn der Abstand zwischen benachbarten Elektrodenanschlüssen klein ist, daß es aufgrund der leitenden Teilchen, die in der gesamten Fläche der Folie vorhanden sind, zu einem elektrischen Kurzschluß kommt. Dies erschwert es, Verbindungen mit Mikroabständen auszubilden.
  • Ein weiteres Verfahren zum Ausbilden von Elektrodenverbindungen ist in US-A-4,807,021 beschrieben.
    • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Ausbilden von Elektrodenverbindungen zu schaffen, das das Entstehen elektrischer Kurzschlüsse verhindern kann, um die Zuverlässigkeit der Verbindung zu verbessern, wenn gemäß einem Mikromuster ausgebildete Verbindungselektroden angeschlossen werden.
  • Gemäß der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen von Verbindungen auf Elektroden einer elektrischen Komponente oder Vorrichtung geschaffen, welche Elektroden von einem Substrat getragen werden, wobei das Verfahren folgendes umfaßt: Herstellen einer Harzschicht aus einem Harzmaterial, das nach dem Aushärten erweicht werden kann, auf dem Substrat, auf dem die Elektroden ausgebildet sind; Aushärten nur desjenigen Teils des Harzschichtmaterials auf den Elektroden; Entfernen des nichtausgehärteten Teils der Harzschicht; Erweichen der Schicht und Aufbringen leitender Teilchen auf das Substrat, damit sie nur am erweichten Material anhaften und teilweise in dieses eingebettet werden, wobei die leitenden Teilchen jeweils einen Durchmesser aufweisen, der größer als die Dicke der Schicht ist.
  • Gemäß der Erfindung ist es möglich, leitende Teilchen durch ein einfaches Verfahren auf Verbindungselektroden anzubringen. Daher ist es möglich, wenn Mikroelektrodenmuster gehandhabt werden, die Zuverlässigkeit zu verbessern, mit der die Vorsprünge der jeweiligen Elektroden, die aus den leitenden Teilchen ausgebildet sind, mit den Elektroden eines anderen Schaltungssubstrats durch Druckbonden verbunden werden. Demgemäß steigt die Produktivität an und die Kosten nehmen ab.
  • Der Aushärtungsschritt beinhaltet vorzugsweise das Ausführen einer Beleuchtung mit Ultraviolettstrahlung durch eine Maske mit einem Öffnungsmuster, das dem Muster der Elektroden entspricht.
  • Der Entfernungsschritt beinhaltet vorzugsweise das Auflösen des nichtausgehärteten Teils des Harzschichtmaterials durch ein Lösungsmittel.
  • Der Auftragungsschritt beinhaltet vorzugsweise das Verstreuen der leitenden Teilchen auf dem Substrat und das Entfernen der leitenden Teilchen, die in einem anderen Bereich als dem Elektrodenmuster anhaften.
  • Dieser Entfernungsvorgang kann gleichzeitig mit dem Ausstreuen der leitenden Teilchen oder danach erfolgen.
  • Die leitenden Teilchen können jeweils aus Metall oder einer Metallegierung bestehen.
  • Alternativ können die leitenden Teilchen jeweils aus elastomeren Teilchen bestehen, die mit einer leitenden Schicht beschichtet sind.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist ein schematischer Querschnitt, der einen Teil eines Halbleiterbauelements mit Verbindungselektroden zeigt, die gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellt wurden;
  • Fig. 2 ist ein schematischer Querschnitt, der einen Teil eines Halbleiterbauelements mit Verbindungselektroden zeigt, die gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellt wurden;
  • Fig. 3 ist ein Querschnitt, der die Struktur eines Beispiels eines leitenden Teilchens zeigt;
  • Fig. 4 ist ein Querschnitt, der die Struktur eines anderen Beispiels eines leitenden Teilchens zeigt;
  • Fig. 5a, 5b und 5c zeigen Schritte für die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung;
  • Fig. 6 ist ein schematischer Querschnitt, der eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung zeigt, an der ein Halbleiterbauelement angebracht ist, das gemäß einem beliebigen der obigen Ausführungsbeispiel der Erfindung ausgebildet wurde;
  • Fig. 7 ist ein Querschnitt entlang der Linie A-A;
  • Fig. 8 ist ein vergrößerter Querschnitt, der Einzelheiten des in Fig. 7 veranschaulichten Teils zeigt; und
  • Fig. 9 ist ein Querschnitt, der dazu dient, den Prozeß zu veranschaulichen, gemäß dem ein gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestelltes Halbleiterbauelement durch Druckbonden auf einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung befestigt wird.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Fig. 1 zeigt im Querschnitt einen Teil eines Halbleiterbauelements mit Verbindungselektroden, die gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung hergestellt wurden.
  • Wie in Fig. 1 dargestellt, beinhaltet ein Halbleiterbauelement 10 ein Halbleitersubstrat 11, Verbindungselektroden 12, eine Harzschicht 13 und leitende Teilchen 14. Die Verbindungselektroden 12, die Harzschicht 13 und die leitenden Teilchen 14 werden vorab auf dem Halbleitersubstrat 14 ausgebildet.
  • Die Verbindungselektroden 12 bestehen jeweils im allgemeinen aus AlSi, in dem ungefähr 1% Si zu Al zugegeben ist. Da auf der Oberfläche von AlSi ein extrem dünner Isolieroxidfilm aus Aluminiumoxid oder dergleichen ausgebildet ist, besteht die Tendenz, daß der Widerstand an jeder Verbindung leicht zunimmt.
  • Um einen derartigen Verbindungswiderstand zu verringern, kann, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, jede AlSi-Elektrode 12 mit einer metallischen Schicht 15 oder mehreren beschichtet sein. Die metallische Schicht 15 kann aus einem Metall bestehen, das aus Cr, Ti, W, Cu, Ni, Au, Ag, Pt, Pd und dergleichen oder einer Legierung dieser Metalle ausgewählt ist. Die Beschichtung kann durch Abscheiden eines vorgegebenen Metalls auf dem Halbleiterbauelement 10 durch Sputtern oder Elektronenstrahlaufdampfung, durch das Ausbilden eines Musters durch Photolithographie und durch selektives Beschichten jeder Elektrode 12 mit der Metallschicht 15 erfolgen. Da Ni nicht direkt auf einer aus AlSi bestehenden Elektrode 12 durch stromloses Plattieren abgeschieden werden kann, kann auch ein alternatives Beschichtungsverfahren verwendet werden. Ein beispielhaftes Verfahren wird dadurch ausgeführt, daß Pd selektiv auf die Elektrode 12 plattiert wird und dann Pd durch stromloses Plattieren durch Ni ersetzt wird, um die Elektrode 12 mit einer Metallschicht 15 aus Ni zu beschichten.
  • Im Bereich des Halbleiterbauelements 10, in dem keine Elektrode 12 ausgebildet ist, wird eine Oberflächenschutzschicht 16 ausgebildet. Die Oberflächenschutzschicht 16 besteht aus einer Schicht aus z.B. SiN, SiO&sub2; oder Polyimid.
  • Über jeder der Elektroden 12 des Halbleiterbauelements 10 wird eine Harzschicht 13 ausgebildet. Die Harzschicht 13 wird durch ein später beschriebenes Verfahren in einem Zustand ausgehärtet, in dem jedes leitende Teilchen 14 teilweise in die Harzschicht 13 eingebettet ist. Ein Teil des Bereichs eines leitenden Teilchens 14, der in die Harzschicht 13 eingebettet ist, wird in Kontakt mit der Oberfläche der Elektrode 12 gehalten, während der andere Teil über die Harzschicht 13 übersteht. Die Harzschicht 13 kann aus einem Harzmaterial bestehen, das selbst nach dem Aushärten erweicht werden kann, z.B. aus einem Material, das aus Kunstharzen wie Acrylharzen, Polyesterharzen, Urethanharzen, Epoxidharzen und Siliconharzen ausgewählt ist.
  • Jedes der leitenden Teilchen 14 wird durch ein elastisches Teilchen 14a aus einem Polymermaterial und einer Überzugsschicht 14b aus einem leitenden Material gebildet, wobei die Schicht 14b die Oberfläche des jeweiligen elastischen Teilchens 14a bedeckt. Das Material der elastischen Teilchen 14a kann aus Kunstharzen wie Polyimidharzen, Epoxidharzen und Acrylharzen oder synthetischen Gummis wie Silicongummi, Urethangummi und dergleichen ausgewählt werden. Das leitende Material für die Überzugsschicht 14b kann aus Metallen wie Au, Ag, Pt, Cu, Ni, C, In, Sn, Pb und Pd oder einer Legierung dieser Metalle ausgewählt werden. Jede Überzugsschicht 14b kann als eine Schicht oder eine Kombination aus zwei oder mehr Schichten hergestellt werden.
  • Wenn die Überzugsschicht 14b als Kombination aus zwei oder mehr Schichten herzustellen ist, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, ist es bevorzugt, eine metallische Schicht 14b&sub1; aus einem Metall auszubilden, das ausgezeichnete Anhaftungskraft zu den elastischen Teilchen 14a zeigt, z.B. Ni, und dann die metallische Schicht 14b&sub1; mit einer Metallschicht 14b&sub2; aus Au zu überziehen, um Oxidation des oben genannten Metalls zu verhindern. Das Aufbringen dieser Schicht kann unter Verwendung eines Abscheideverfahrens wie Sputtern oder Elektronenstrahlabscheidung oder stromloser Abscheidung erfolgen.
  • Alternativ kann, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, das ganze leitende Teilchen 14 aus einem Metall hergestellt werden, das aus Au, Ag, Pt, Cu, Ni, C, In, Sn, Pb und Pd oder einer Legierung von zweien oder mehrerer dieser Metalle ausgewählt ist.
  • Fig. 5a, 5b und 5c sind Querschnitte, die dazu dienen, den Prozeß zum Herstellen von Verbindungselektroden des in Fig. 1 dargestellten Halbleiterbauelements 10 zu veranschaulichen.
  • Wie in Fig. 5a gezeigt, werden die Elektroden 12 und die Oberflächenschutzschicht 16 vorab auf dem Halbleitersubstrat 11 ausgebildet. Auf die Oberflächen der Elektroden 12 und der Schutzschicht 16 wird durch z.B. Schleuderbeschichtung oder Walzbeschichtung ein Überzug aus photohärtendem Harz aufgebracht, um dadurch eine Harzschicht 13 auf den Elektroden 12 und der Schicht 16 auszubilden.
  • Die Harzschicht 13 kann z.B. aus einem Material bestehen, bei dem ein Photohärtungsmittel mit einem Grundmaterial wie einem thermoplastischen Harz vom Acryl- oder Polyestertyp vermischt ist, einem Material, bei dem ein photoreagierendes Radikal zu einem Grundmaterial zugesetzt ist, oder einem Material, bei dem ein thermoplastisches Material mit einem Grundmaterial wie einem photohärtenden Harz vermischt ist.
  • Wie es in Fig. 5b dargestellt ist, wird die auf dem Substrat 11 ausgebildete Harzschicht 13 durch Ultraviolettstrahlung 18 durch eine Maske 17 hindurch belichtet. Die Maske 17 ist mit Ausblendbereichen 17a zum Ausblenden der Ultraviolettstrahlen 18 und mit Öffnungen 17b versehen, durch die die Ultraviolettstrahlen 18 durchtreten können. Das Muster der Elektroden 12 auf dem Substrat 11 und dasjenige der Öffnungen 17b in der Maske 17 sind so ausgebildet, daß sie miteinander übereinstimmen. Nachdem die Maske 17 und die Harzschicht 13 in übereinanderliegendem Zustand zueinander ausgerichtet wurden, wird die Beleuchtung mit den Ultraviolettstrahlen 18 ausgeführt. Auf diese Weise wird nur derjenige Bereich der Harzschicht 13b, der dem Muster der Elektroden 12 entspricht, ausgehärtet, während der Bereich 13a, der nicht durch die Ultraviolettstrahlen 18 belichtet wird, nicht ausgehärtet wird.
  • Dann wird die Harzschicht 13, die selektiv mit den Ultraviolettstrahlen 18 beleuchtet wurde, mit einem Lösungsmittel entwickelt. Das Lösungsmittel kann aus Ketonen wie Aceton und Methylethylketon oder Alkoholen ausgewählt sein. Im allgemeinen ist der Entwicklungsvorgang einfach, da das gehärtete Harz sich nicht leicht im Lösungsmittel löst.
  • Genauer gesagt, werden in demjenigen Bereich der Harzschicht 13b, der durch Beleuchtung mit den Ultraviolettstrahlen 18 ausgehärtet wird, Vernetzungsreaktionen durch die Ultraviolettstrahlen 18 hervorgerufen. Die ausgehärtete Harzschicht 13b zeigt kleine oder keine Löslichkeit im Lösungsmittel. Demgegenüber kann der nichtausgehärtete Bereich mit Lösungsmittel leicht aufgelöst und entfernt werden, da im Bereich der Harzschicht 13a, der nicht ausgehärtet wird, da er nicht mit den Ultraviolettstrahlen 18 belichtet wurde, keine solche Reaktion auftritt. Daher ist es möglich, die Harzschicht 13b nur auf dem Muster der Elektroden 12 auszubilden.
  • Dann wird das Substrat 11 auf ungefähr 50-200ºC erwärmt und die ausgehärtete Harzschicht 13b wird erneut aufgeweicht. in diesem Zustand werden, wie es in Fig. 5c dargestellt ist, die leitenden Teilchen 14 verstreut und sie haften auf der Harzschicht 13b an, die auf dem Muster der Elektroden 12 verblieb. Da die wieder erweichte Harzschicht 13b viskos ist, können die leitenden Teilchen 14 an ihr anhaften. Demgegenüber werden die leitenden Teilchen vom Bereich, aus dem die Harzschicht 13b entfernt ist, z.B. von der Oberflächenschutzschicht 16 lediglich angezogen. Demgemäß können unerwünschte leitende Teilchen 14, die von einem anderen Bereich als dem Muster der Elektroden 12 aufgrund elektrostatischer Kräfte oder dergleichen angezogen werden, leicht durch einen Luftstrahl, eine Bürste oder dergleichen entfernt werden.
  • Beim bevorzugten Ausführungsbeispiel erfolgt dieser Entfernungsvorgang nach dem Ausstreuprozeß. Jedoch kann bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Entfernungsvorgang durch einen Luftstrahl während des Verstreuens der leitenden Teilchen 14 erfolgen.
  • Jedes leitende Teilchen 14, das auf der Harzschicht 13b der Elektroden 12 auf die vorstehend genannte Weise angeordnet wurde, wird teilweise auf solche Weise in die Harzschicht 13b eingebettet, daß ein Teil des Bereichs des leitenden Teilchens 14, das in die Harzschicht 13b eingebettet ist, in Kontakt mit der Oberfläche der Elektrode 12 gehalten wird, während der andere Teil aus der Harzschicht 13b übersteht. Alternativ kann das Halbleiterbauteil 10 mit den Elektroden 12, auf denen die leitenden Teilchen 14 angeordnet sind, durch Druckbonden auf solche Weise mit einem anderen Schaltungssubstrat verbunden werden, daß die leitenden Teilchen 14 in der Harzschicht 13b durch den Druck, der auf das Halbleiterbauelement 10 und das Schaltungssubstrat ausgeübt wird, teilweise in Kontakt mit der Elektrode 12 kommen.
  • Wenn entsprechende Elektroden über die leitenden Teilchen 14 miteinander zu verbinden sind, kann ein Kleber zwischen die entsprechenden Elektroden eingegeben und dort ausgehärtet werden. Demgemäß werden die elektrischen Verbindungen durch Harz abgedichtet und die Zuverlässigkeit der Verbindung ist verbessert.
  • Fig. 6 zeigt eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung im Querschnitt, an der ein Halbleiterbauelement 10 angebracht ist, das auf die vorstehend beschriebene Weise hergestellt wurde. Fig. 7 ist ein Querschnitt entlang der Linie A-A in Fig. 6 und Fig. 8 ist ein vergrößertes Diagramm, das Einzelheiten des in Fig. 7 dargestellten Bereichs zeigt.
  • Wie in Fig. 6 dargestellt, sind eine Elektrode 21 und mehrere Gegenelektroden 22 auf den Substraten 23 bzw. 24 ausgebildet und die Elektrode 21 und die Gegenelektroden 22 stehen einander über ein dazwischenliegendes, abdichtendes Harz 25 gegenüber. Zwischen das Paar Substrate 23 und 24 ist ein Flüssigkristall 26 eingefüllt.
  • Die Elektrode 21 auf dem Substrat 23 erstreckt sich aus dem vom Flüssigkristall 26 eingenommenen Bereich auf die rechte Seite (wie in Fig. 6 gesehen) und sie ist über die leitenden Teilchen 14 mit dem Halbleiterbauelement 10 verbunden, das angebracht ist, um die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung 20 zu betreiben. Die Verbindung zwischen dem Substrat 23 und dem Halbleiterbauelement 10 ist durch einen Kleber 27 abgedichtet, wie in den Fig. 7 und 8 dargestellt.
  • Im Halbleiterbauelement 10 ist auf dem Halbleitersubstrat 11 (Fig. 1) eine Diffusionsschicht aus Silicium, Galliumarsenid oder dergleichen ausgebildet, um eine Vielzahl von Transistoren und Dioden zu bilden. Demgemäß hat das Halbleiterbauelement 10 die Funktion des Betreibens der Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung 20.
  • Das Substrat 23 besteht z.B. aus einer Natronglasplatte. Die Elektrode 21 aus ITO (Indium-Zinn-Oxid), mit Ni-plattiertem ITO, um den Kontaktwiderstand zu verringern, oder dergleichen, ist auf der Oberfläche der Natronglasplatte ausgebildet. Die Dicke der Elektrode 21 beträgt im allgemeinen ungefähr 50-200 nm.
  • Wie in Fig. 9 dargestellt, wird die Oberfläche des Halbleiterbauelements 10, auf dem die vorspringenden Elektroden aus den leitenden Teilchen 14 ausgebildet sind, so positioniert, daß sie der Oberfläche des Substrats 23 gegenübersteht, auf der die Elektrode 21 ausgebildet ist. Dann werden die leitenden Teilchen 14 und die Elektroden 21 zueinander ausgerichtet. Der Kleber 27 wird zwischen die ausgerichteten Substrate 11 und 23 und die leitenden Teilchen 14 gegeben. Das Halbleiterbauelement 10 wird über die leitenden Teilchen 14 und den Kleber 27 in der durch Pfeile 28 angegebenen Richtung gegen das Substrat 23 gedrückt, bis der Abstand zwischen den Elektroden 12 und 21 eine vorgegebene Spaltbreite 11 erreicht, wie in Fig. 8 dargestellt. In diesem zusammengedrückten Zustand wird der Kleber 27 ausgehärtet, um das Halbleiterbauelement 10 am Substrat 23 zu befestigen.
  • Der Kleber 27 kann unter verschiedenen Klebern wie reaktionshärtenden Klebern, anaerobhärtenden Klebern, thermohärtenden Klebern und photohärtenden Klebern ausgewählt sein. Beim vorstehenden Ausführungsbeispiel ist es, da das Substrat 25 aus Glas besteht, das ein transparentes Material ist, besonders wirkungsvoll, einen photohärtenden Kleber für schnelles Ankleben, wie den Kleber 27 zu verwenden.
  • Jede der Ausführungsformen wurde unter Bezugnahme auf ein Beispiel erläutert, bei dem die leitenden Teilchen 14 auf den Verbindungselektroden 12 auf dem Halbleiterbauelement 10 angeordnet sind. Jedoch ist die Erfindung nicht auf das vorstehend beschriebene Halbleiterbauelement beschränkt und z.B. können leitende Teilchen auf den Verbindungselektroden anderer Schaltungssubstrate für verschiedene Arten von Druckbonden angeordnet sein.
  • Es ist zu beachten, daß die Erfindung nicht auf die in der Beschreibung beschriebenen speziellen Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern daß sie in den beigefügten Ansprüchen definiert ist.

Claims (9)

1. Verfahren zum Herstellen von Verbindungen an Elektroden (12; 21) einer elektrischen Komponente oder Vorrichtung (10), welche Elektroden von einem Substrat (11; 23) getragen werden, wobei das Verfahren folgendes umfaßt: Herstellen einer Harzschicht (13) aus einem Harzmaterial, das nach dem Aushärten erweicht werden kann, auf dem Substrat (11; 23), auf dem die Elektroden (12; 21) ausgebildet sind; Aushärten nur desjenigen Teils (13b) des Harzschichtmaterials auf den Elektroden; Entfernen des nichtausgehärteten Teils (13a) der Harzschicht; Erweichen der Schicht und Aufbringen leitender Teilchen (14) auf das Substrat, damit sie nur am erweichten Material anhaften und teilweise in dieses eingebettet werden, wobei die leitenden Teilchen jeweils einen Durchmesser aufweisen, der größer als die Dicke der Schicht ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Aushärtungsschritt das Ausführen einer Beleuchtung mit Ultraviolettstrahlen (18) durch eine Maske (17) mit einem Öffnungsmuster, das dem Muster der Elektroden (12) entspricht, beinhaltet.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Entfernungsschritt das Auflösen des nichtausgehärteten Teils (13a) des Harzschichtmaterials durch ein Lösungsmittel beinhaltet.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem der Schritt des Auftragens der leitenden Teilchen (14) das Verstreuen der leitenden Teilchen auf dem Substrat (11; 23) und das Entfernen der leitenden Teilchen, die in einem anderen Bereich als dem Muster der Elektroden (12; 21) anhaften, beinhaltet.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt des Entfernens der leitenden Teilchen (14) nach dem Verstreuen der leitenden Teilchen ausgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt des Entfernens der leitenden Teilchen (14) gleichzeitig mit dem Streuen der leitenden Teilchen ausgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem jedes der leitenden Teilchen (14) aus Metall besteht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem jedes der leitenden Teilchen (14) aus einer Metallegierung besteht.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem jedes der leitenden Teilchen (14) aus einem elastomeren Teilchen (14a) besteht, das mit einer leitenden Schicht (14b; 14b&sub1;, 14b&sub2;) beschichtet ist.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69026992T2 (de) * 1989-08-17 1996-10-24 Canon Kk Prozess zur gegenseitigen Konnektion von Elektrodenanschlüssen
JPH0540274A (ja) * 1990-09-13 1993-02-19 Canon Inc 液晶装置
US5153023A (en) * 1990-12-03 1992-10-06 Xerox Corporation Process for catalysis of electroless metal plating on plastic
JPH04290489A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Shin Etsu Polymer Co Ltd ヒートシールコネクターの製造方法
JPH0521519A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Sharp Corp 半導体装置
US5330790A (en) * 1992-02-07 1994-07-19 Calkins Noel C Impact implantation of particulate material into polymer surfaces
EP0588609B1 (de) * 1992-09-15 1997-07-23 Texas Instruments Incorporated Ballkontaktierung für Flip-Chip-Anordnungen
US5401913A (en) * 1993-06-08 1995-03-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrical interconnections between adjacent circuit board layers of a multi-layer circuit board
US5393697A (en) * 1994-05-06 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Composite bump structure and methods of fabrication
US6365500B1 (en) * 1994-05-06 2002-04-02 Industrial Technology Research Institute Composite bump bonding
TW277152B (de) * 1994-05-10 1996-06-01 Hitachi Chemical Co Ltd
EP0827190A3 (de) * 1994-06-24 1998-09-02 Industrial Technology Research Institute Höckerstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
US5578527A (en) * 1995-06-23 1996-11-26 Industrial Technology Research Institute Connection construction and method of manufacturing the same
EP1271640A3 (de) * 1996-07-12 2003-07-16 Fujitsu Limited Gussform zum Verkapseln einer Halbleiteranordnung
US6881611B1 (en) 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
JP3711873B2 (ja) * 2001-02-19 2005-11-02 ソニーケミカル株式会社 バンプレスｉｃチップの製造方法
JP3882624B2 (ja) * 2002-01-29 2007-02-21 三菱電機株式会社 固定子コアとその製造方法とその製造装置
US20060286721A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Daoqiang Lu Breakable interconnects and structures formed thereby
KR100801073B1 (ko) * 2005-10-06 2008-02-11 삼성전자주식회사 도전성 입자를 포함하는 범프를 구비하는 반도체 칩 및 이의 제조 방법
KR101309319B1 (ko) * 2006-11-22 2013-09-13 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 구동회로 및 그의 제조방법과 액정표시장치구동회로가 실장 된 액정표시장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1095117A (en) * 1963-12-26 1967-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of making printed circuit board
US3951063A (en) * 1973-11-30 1976-04-20 Xerox Corporation Process for preparing reversible cure waterless lithographic masters
US4049844A (en) * 1974-09-27 1977-09-20 General Electric Company Method for making a circuit board and article made thereby
US4075049A (en) * 1976-09-01 1978-02-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of preparing retroreflective sheeting
US4327124A (en) * 1978-07-28 1982-04-27 Desmarais Jr Raymond C Method for manufacturing printed circuits comprising printing conductive ink on dielectric surface
US4401686A (en) * 1982-02-08 1983-08-30 Raymond Iannetta Printed circuit and method of forming same
US4469777A (en) * 1983-12-01 1984-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Single exposure process for preparing printed circuits
US4654752A (en) * 1984-12-04 1987-03-31 Kyle James C Terminal assembly and method of making terminal assembly
US4572764A (en) * 1984-12-13 1986-02-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Preparation of photoformed plastic multistrate by via formation first
JPS61161536A (ja) * 1985-01-11 1986-07-22 Seiko Epson Corp 入力装置
JPS6258812U (de) * 1985-06-05 1987-04-11
JPS6222383A (ja) * 1985-07-22 1987-01-30 古河電気工業株式会社 電子回路部材の接続方法
JPS62176139A (ja) * 1986-01-29 1987-08-01 Fuji Xerox Co Ltd 異方導電材料およびこれを用いた半導体装置の実装方法
US4807021A (en) * 1986-03-10 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having stacking structure
JPS6355527A (ja) * 1986-08-25 1988-03-10 Nec Corp 液晶表示装置の製造方法
DE3629712A1 (de) * 1986-09-01 1988-03-03 Kunz Gerhard K Verfahren und schaltungsanordnung zur messung des beladungsgrades eines ionenaustauschfilters
US4863757A (en) * 1987-02-06 1989-09-05 Key-Tech, Inc. Printed circuit board

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Publication number Publication date
EP0385787A2 (de) 1990-09-05
EP0385787B1 (de) 1995-06-14
JPH02230672A (ja) 1990-09-13
US5034245A (en) 1991-07-23
JPH0740496B2 (ja) 1995-05-01
EP0385787A3 (en) 1990-10-31
DE69020009D1 (de) 1995-07-20

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