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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer
Halbleiteranordnung mit einer Mesa-Struktur, welches einen Halbleiterkörper durch
Aufwachsen von mindestens einer epitaktischen Schicht aus Halbleiterwerkstoff auf ein, sich
in einer Verarbeitungskammer befindliches Substrat und durch Herstellung einer Mesa-
Struktur auf einer oberen epitaktischen Schicht auf dem Substrat vorsieht, indem auf der
oberen Schicht eine erste Schicht aufgebracht, ein Fenster in der ersten Schicht zur
Belichtung eines Bereiches der oberen Schicht geöffnet, eine weitere Schicht aus
Haibleiterwerkstoff auf der ersten Schicht und in dem Fenster aufgebracht und die erste
Schicht selektiv abgeätzt wird, um diese erste Schicht und den von der ersten Schicht
getragenen Teil der weiteren Schicht zwecks Herstellung der Mesa-Struktur zu
entfernen.
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Die US-A-41 11725 beschreibt ein solches Verfahren, bei welchem die
obere epitaktische Schicht die einzige epitaktische Schicht auf dem Substrat ist und
durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) als eine N-Leitfahigkeitsgailiumarsenidschicht auf
einem halbisolierenden Galliumarsenidsubstrat vorgesehen wird. Das Substrat wird
sodann aus der MBE-Vorrichtung genommen und die erste Schicht als dicke, amorphe
Schicht, zum Beispiel aus Siliziumdioxid, aufgebracht. Nach Strukturieren der ersten
Schicht zur Herstellung des Fensters und Belichten des Bereiches der oberen
epitaktischen Schicht wird die obere epitaktische Schicht zur Herstellung einer Mesa-Struktur
abgeätzt, und nach anschließendem Entfernen der überstehenden Teile der ersten Schicht
gelangt das Substrat erneut in die MBE-Vorrichtung, wo die weitere Schicht als eine
gute N-Leitfahigkeit aufweisende Galliumarsenidschicht, welche auf der amorphen
ersten Schicht polykristallin ist, aufgebracht wird. Die erste Schicht wird sodann
abgeätzt und damit der darüberliegende polykristalline Teil der weiteren Schicht
entfernt, das heißt abgehoben, wodurch die Mesa-Struktur verbleibt.
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Das in der US-A-41 11725 beschriebene Verfahren macht somit für das
Aufbringen der oberen epitaktischen Schicht und der ersten Schicht die Verwendung von
zwei separaten Vorrichtungen erforderlich, und die obere epitaktische Schicht könnte
während des zwischen den beiden Vorrichtungen erfolgenden Transports
Verunreinigungen ausgesetzt sein.
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Es ist eine der Aufgaben der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiteranordnung mit einer Mesa-Struktur vorzusehen, welches eine exakte
Abgrenzung der Mesa-Struktur ermöglicht, jedoch separate Vorrichtungen zum
Aufbringen des Werkstoffes nicht erfordert.
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Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiteranordnung mit einer Mesa-Struktur vorgesehen, welches einen
Halbleiterkörper durch Aufwachsen von mindestens einer epitaktischen Schicht aus
Halbleiterwerkstoff durch Molekularstrahlepitaxie auf ein, sich in einer Verarbeitungskammer
einer Molekularstrahlepitaxie-Vorrichtung befindliches Substrat und durch Herstellung
einer Mesa-Struktur auf einer oberen epitaktischen Schicht auf dem Substrat vorsieht,
indem auf der oberen Schicht eine erste Schicht aufgebracht, ein Fenster in der ersten
Schicht zur Belichtung eines Bereiches der oberen Schicht geöffnet, eine weitere Schicht
aus Halbleiterwerkstoff auf der ersten Schicht und in dem Fenster aufgebracht und die
erste Schicht selektiv abgeätzt wird, um die erste Schicht und den von der ersten
Schicht getragenen Teil der weiteren Schicht zwecks Herstellung der Mesa-Struktur zu
entfernen, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht durch epitaktisches
Aufwachsen mittels Molekularstrahlepitaxie vorgesehen wird, wobei sich der
Halbleiterkörper noch immer in der Verarbeitungskammer einer Molekularstrahlepitaxie-Vorrichtung
befindet, eine Schicht aus einem Halbleiterwerkstoff, welcher ein anderer als der für die
obere Schicht verwendete ist, auf der oberen Schicht aufgebracht wird und der weitere
Halbleiterwerkstoff durch epitaktisches Aufwachsen einer Schicht aus einem
Halbleiterwerkstoff, welcher ein anderer als der für die erste Schicht verwendete ist, auf der
ersten Schicht und dem Bereich der oberen Schicht mittels Molekularstrahlepitaxie
vorgesehen und das Aufwachsen der weiteren Halbleiterschicht auf der epitaktischen
ersten Schicht so gesteuert wird, daß die Ausbildung einer Lücke oder dünnschichtigen
Zone in der weiteren Schicht an der Seitenwand des in der epitaktischen ersten Schicht
ausgebildeten Fensters erfolgt.
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Somit wird in einem erfindungsgemäßen Verfahren die erste Schicht als
eine Schicht aus einem anderen Halbleiterwerkstoff vorgesehen, welcher in Bezug auf
die obere epitaktische Schicht und die weitere Schicht selektiv ätzbar ist, um so eine
exakte Abgrenzung der Mesa-Struktur zu ermöglichen, ohne dabei den Halbleiterkörper
aus der Verarbeitungskammer zur Herstellung der ersten Schicht entfernen zu müssen.
Somit ist es nicht erforderlich, zwei Vorrichtungen zum Auftragen der Werkstoffe
einzusetzen.
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Vorzugsweise ist das Fenster geöffnet, so daß der in dem Fenster
verbliebene Teil der weiteren Schicht die Mesa-Struktur bildet. Jedoch könnte die obere
epitaktische Schicht nach Ausbildung des Fensters abgeätzt werden, so daß nach der
selektiven Ätzung zur Entfernung der ersten Schicht die obere epitaktische Schicht aus
dem verbliebenen Teil der weiteren Schicht herausragt und so die Mesa-Struktur bildet.
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Nach einer Ausführungsform wird der Halbleiterkörper so ausgebildet,
daß die obere Schicht eine dotierte Basiszone darstellt und die weitere Schicht als eine
erste Zusatzschicht, welche mit Fremdatomen des Leitfähigkeitstyps dotiert wird, der
das Gegenteil des Leitfähigkeitstyps der Basiszone darstellt, und eine zweite, mit
Fremdatomen des mit der Basiszone identischen Leitfahigkeitstyps dotierten
Zusatzschicht abgeschieden wird, wobei die erste Zusatzschicht ausreichend dünn und
hochdotiert ist, so daß die Mesa-Struktur mit der Basiszone eine "Bulk Unipolardiode" zur
Injektion heißer Ladungsträger in die Basiszone während des Betriebes der
Halbleiteranordnung bildet. Somit kann ein die Erfindung verkörperndes Verfahren zur
Herstellung eines Heißträgertransistors, zum Beispiel eines Heißelektronentransistors,
angewendet werden und ermöglicht in diesem Fall die Belichtung der relativ dünnen
Basiszone zur Herstellung des Basiskontaktes, ohne daß eine Überätzung der Basiszone
erfolgen könnte, was dazu führt, daß das niedergeschlagene Metall den Basiskontakt
herstellt, wobei die Basiszone gegen die darunterliegende Kollektorzone des Transistors
unbeabsichtigt kurzgeschlossen wird.
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Zweckmäßigerweise sind die erste und zweite Zusatzschicht als dotierte
Schichten des gleichen Materials ausgebildet, wobei es sich normalerweise um das
gleiche Material wie bei der oberen Schicht handelt, was die Wahl des selektiven
Ätzmittels zum Abätzen der ersten Schicht somit erleichtert. Zum Beispiel kann die weitere
und obere Schicht aus Galliumarsenid und die erste Schicht aus
Gailiumaiuminiumarsenid ausgebildet sein, so daß zum Beispiel HF-Puffersäure oder Salzsäure ein
geeignetes Ätzmittel zum selektiven Abätzen der erstem Schicht darstellen würde. Steht
jedoch ein geeignetes selektives Ätzmittel zur Verfügung, kann, sofern dies gewünscht
wird, die erste und zweite Zusatzschicht aus unterschiedlichen Werkstoffen gebildet
werden, damit ein Heteroübergang entsteht, welcher dazu genutzt werden kann, die
Höhe der durch die "Bulk Unipolardiode" abgegrenzten Barriere nach oben zu
verändern und/oder Probleme, wie zum Beispiel Minoritätsträgeranlagerung an der
Barriere, zu reduzieren.
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Es werden nun Ausführungsformen der Erfindung anhand von Beispielen
unter Bezugnahme auf die Begleitzeichnung beschrieben:
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Die Figuren 1 bis 5 zeigen schematische Querschnittsansichten, welche
verschiedene Stufen der Herstellung eines Heißträgertransistors durch ein
erfindungsgemäßes Verfahren darstellen; und
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Figur 6 zeigt ein Energiediagramm für den in Figur 5 dargestellten
Transistor sowohl bei Vorspannung als auch bei Vorspannung Null.
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Es ist zu erwähnen, daß es sich bei den Figuren lediglich um schematische
und keine Maßzeichnungen handelt. Insbesondere können bestimmte Dimensionen, wie
zum Beispiel die Stärke der Schichten bzw. Zonen, übertrieben dargestellt sein,
während andere Dimensionen reduziert sein können. Auch ist zu bemerken, daß
identische oder ähnliche Teile in sämtlichen Figuren durch die gleichen Bezugsziffern
gekennzeichnet sind.
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Die Zeichnung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer
Halbleiteranordnung mit einer Mesa-Struktur, welches einen Halbleiterkörper 1 durch
Aufwachsen von mindestens einer epitaktischen Schicht aus Halbleiterwerkstoff auf ein,
sich in einer Verarbeitungskammer einer Molekularstrahlepitaxie-Vorrichtung
befindliches Substrat und durch Herstellung einer Mesa-Struktur 3 auf einer oberen
epitaktischen Schicht 2 auf dem Substrat vorsieht, indem auf der oberen epitaktischen Schicht 2
eine erste Schicht 4 aufgebracht, ein Fenster 5 in der ersten Schicht 4 zur Belichtung
eines Bereiches 2a der oberen Schicht 2 geöffnet, eine weitere Schicht 6 aus
Halbleiterwerkstoff auf der ersten Schicht 4 und in dem Fenster 5 aufgebracht und die erste
Schicht 4 selektiv abgeätzt wird, um die erste Schicht 4 und den von der ersten Schicht
4 getragenen Teil 60a, 60b der weiteren Schicht 6 zwecks Herstellung der Mesa-
Struktur zu entfernen.
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Erfindungsgemäß wird die erste Schicht 4 durch epitaktisches Aufwachsen
vorgesehen, wobei sich der Halbleiterkörper 1 noch immer in der Verarbeitungskammer
befindet, eine Schicht aus einem Halbleiterwerkstoff, welcher ein anderer als der für die
obere Schicht 2 verwendete ist, auf der oberen Schicht 2 aufgebracht und die weitere
Schicht 6 aus Halbleiterwerkstoff durch epitaktisches Aufwachsen einer Schicht aus
einem Halbleiterwerkstoff, welcher ein anderer als der für die erste Schicht 4
verwendete ist, auf der ersten Schicht 4 und dem Bereich 2a der oberen Schicht 2
vorgesehen.
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Die erste Halbleiterschicht 4 wird somit als Opferschicht, welche in Bezug
auf die obere Schicht 2 und die weitere Schicht 5 selektiv ätzbar ist, verwendet, so daß
die erste Schicht 4 und somit der von der ersten Schicht 4 getragene Teil der weiteren
Schicht 6 selektiv entfernt werden kann. Die Mesa- Struktur wird daher, wann immer
erforderlich, präzise ausgebildet, und die Möglichkeit des unerwünschten Abätzens der
oberen Schicht wird ausgeschlossen oder zumindest verringert. Darüberhinaus werden
die erste und weitere Schicht unter Inanspruchnahme der gleichen Verarbeitungskammer
vorgesehen, und vornehmlich die erste Schicht wird ausgebildet, ohne daß ein Entfernen
des Halbleiterkörpers aus der Verarbeitungskammer erforderlich ist.
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Mit der in den Figuren 1 bis 5 dargestellten Ausführungsform wird ein
erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Heißelektronentransistors
beschrieben, bei welchem die obere Schicht 2 eine N-Leitfähigkeitsbasiszone bildet, durch
die der Stromfluß durch Heißelektronen erfolgt. Es sollte zur Kenntnis genommen
werden, daß die Erfindung in der Konstruktion eines "Hot Hole"-Transistors mit
Leitfähigkeitszonen, die das Gegenteil der entsprechenden Zonen eines
Heißelektronentransistors darstellen, angewendet werden kann. Bei heißen Ladungsträgern ist es so,
daß sie sich nicht im thermischen Gleichgewicht mit dem Gitter befinden. Somit liegt
die Durchschnittsenergie heißer Elektronen mehr als einige k.T. über der
Durchschnittsenergie von sich im thermischen Gleichgewicht mit dem Gitter befindlichen Elektronen
(wo k und T die Boltzmann-Konstante respektive die Gittertemperatur darstellen). Bei
Raumtemperatur beträgt die k.T. etwa 25 meV (Megaelektronenvolt).
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Wie in Figur 1 gezeigt, weist der Halbleiterkörper 1 ein monokristallines
Halbleitersubstrat hoher N-Leitfähigkeit, in diesem Beispiel ein Galliumarsenidsubstrat,
auf, auf welches unter Anwendung konventioneller Molekularstrahlepitaxie-Techniken in
einer konventionellen Molekularstrahlepitaxie-Vorrichtung Schichten aufgewachst oder
abgeschieden werden. Die Schichten setzen sich aus einer relativ schwach dotierten n-
leitfähigen Galliumarsenid-Kollektorschicht bzw. Zone 1a, einer, die Kollektor-Basis-
Barriere abgrenzenden Zone 10 (in den Figuren nicht schraffiert dargestellt) und der
Basiszone 2, welche in diesem Beispiel aus Galliumarsenid hoher N-Leitfähigkeit
gebildet wird, zusammen.
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Die die Kollektor-Basis-Barriere abgrenzende Zone 10 kann eine "Bulk-
Unipolardiode" der in der US-A-4149174 beschriebenen Art bilden und kann aus dem
gleichen Bandlücken-Halbleiterwerkstoff wie die Zone 2 ausgebildet sein. Somit kann
die die Kollektor-Basis-Barriere abgrenzende Zone 10 aus Galliumarsenid ausgebildet
sein und eine P-Störstellenkonzentration aufweisen, deren Größenordnung die Höhe der
Potentialbarriere zum Elektronenfluß von der Basiszone 2 zur Kollektorzone 1a
bestimmt. Die die Kollektor-Basis-Barriere abgrenzende Zone 10 ist ausreichend dünn,
so daß die mit der Basiszone 2 und der Kollektorzone 1, 1a ausgebildeten
Sperrschichten bei Vorspannung Null verschmelzen, um die die Kollektor-Basis-Barriere
abgrenzende Zone 10 wesentlich zu verarmen. Um eine solche Verarmung bei
Vorspannung Null erreichen zu können, sollten die Stärke und der Dotierungspegel der die
Kollektor-Basis-Barriere abgrenzenden Zone 10 die in der US-A-4149174 dargelegten
Bedingungen erfüllen, wobei die Höhe der Barriere von dem Dotierungspegel der die
Kollektor-Basis-Barriere abgrenzenden Zone 10 bestimmt wird.
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Nach Ausbildung der Basiszone 2 wird der Halbleiterkörper 1 in der
Molekularstrahlepitaxie (MBE) - Vorrichtung gehalten und die erste oder Gpferschicht 4
durch Molekularstrahlepitaxie epitaktisch aufgewachst. In diesem Beispiel wird die
Opferschicht 4 aus Galliumaluminiumarsenid gebildet, das heißt AlxGa1-xAS, wo x
typischerweise 0,3 ist. Das Galliumaluminiumarsenid kann mit P-leitenden
Fremdatomen dotiert sein, da dieses normalerweise in einer Erhöhung der Geschwindigkeit,
bei welcher die selektive Ätzung des Galliumaluminiumarsenids in Bezug auf das
Galliumarsenid erfolgt, resultieren sollte.
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Der Halbleiterkörper 1 wird sodann aus der MBE-Vorrichtung genommen
und das Fenster 5, wie in Figur 2 dargestellt, unter Anwendung konventioneller
photolithographischer und Ätztechniken zur Belichtung des Bereiches 2a der Basiszone
2, wo die Mesa-Struktur 2 vorzusehen ist, geöffnet.
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Befindet sich der Halbleiterkörper 1 wieder in der MBE-Vorrichtung,
wird eine erste Zusatzschicht 6a aus P-Leitfahigkeitsgalliumarsenid, gefolgt von einer
zweiten Zusatzschicht 6b aus N-Leitfahigkeitsgalliumarsenid zwecks Komplettierung der
weiteren Schicht 6, welche, wie unten erwähnt, mit der Basiszone 2 eine "Bulk
Unipolardiode" der in der US-A-4149174 beschriebenen Art zur Injektion heißer
Elektronen in die Basiszone 2 bildet, epitaktisch aufgewachst oder abgeschieden.
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Wie aus Figur 3 hervorgeht, bewirkt der durch die Kante bzw. die
Seitenwand 5a des Fensters 5 in der ersten bzw. Opferschicht 4 abgegrenzte Absatz die
Ausbildung der ersten und zweiten Zusatzschichten 6a und 6b, so daß an der
Seitenwand 5a des Fensters 5 eine Lücke entsteht. Dieser Effekt kann besonders dann noch
erhöht werden, wenn die die Molekularstrahlen abgebenden Knudsen Sources so
angeordnet sind, daß sie die Strahlen in einem Winkel auf die Oberfläche der
Opferschicht 4 richten, so daß die Seitenwand 5a des Fensters 5 einen Schatteneffekt
aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann die Opferschicht 4 abgeätzt werden, was zu
einer Unterätzung und somit einer Unterstützung der Bildung einer Lücke an der
Seitenwand 5a des Fensters 5 führt.
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Die Ätzung des Fensters 5 kann vorgesehen werden, um eine geringfügige
Unterätzung entstehen zu lassen, so daß die Seitenwand 5a mit der Oberfläche der
Opferschicht 4 einen Winkel von weniger als 90 Grad bildet. Die Anwendung der MBE
zwecks Ausbildung der weiteren Schicht 6 gestattet eine exakte Steuerung der
Ausbildung der Schicht 6 und ermöglicht die Sicherstellung der Ausbildung einer
Unterbrechung oder dünnschichtigen Zone in der weiteren Schicht 6 an der Seitenwand bzw.
Kante 5a.
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Es kann eine kurze isotropische Ätzung vorgenommen werden, um eine
geringfügige Zunahme der weiteren Galliumarsenidschicht 6 an der Seitenwand 5a des
Fensters zu entfernen, um sicherzustellen, daß der Bereich bzw. Teil 50 der Seitenwand
5a der Galliumaluminiumarsenid-Opferschicht 4 dem sodann eingesetzten Ätzmittel,
welches Galliumaluminiumarsenid im Vergleich zu Galliumarsenid mit einer höheren
Selektivität angreift, ausgesetzt wird. Es stehen mehrere selektive Ätzmittel für
Galliumaluminiumarsenid zur Verfügung, und es kann zum Beispiel HF-Puffersäure
oder Salzsäure verwendet werden. Das selektive Ätzmittel greift das
Galliumaluminiumarsenid der Opferschicht 4 über den belichteten Teil 50 an und ätzt schließlich das
Galliumaluminiumarsenid komplett weg, so daß der Teil der durch die Opferschicht 4
getragenen weiteren Schicht 6 abgehoben wird, wodurch die Mesa-Struktur 3 verbleibt,
die, wie in Figur 4 gezeigt, somit durch die verbliebenen Teile 60a und 60b der ersten
und zweiten Zusatzschicht 6a und 6b abgegrenzt ist. Die Verwendung eines
Galliumaluminiumarsenid gegenüber selektiven Ätzmittels stellt sicher, daß die relativ
dünnschichtige Basiszone 2 nicht von dem Ätzmittel angegriffen, jedoch eine exakte
Abgrenzung der Mesa-Struktur 3 ermöglicht wird.
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Nach Abgrenzung der Mesa-Struktur 3 und Belichtung der Oberfläche der
umgebenden Basiszone 2 wird dieser Bereich maskiert und ein Mesaberg oder Graben
durch die Basiszone 2 in die Kollektorzone 1a zwecks Isolation der Anordnung von
anderen auf dem gleichen Substrat geätzt. Das Ende dieses Ätzprozesses ist, anders als
die Ausbildung der Mesa-Struktur 3, wegen der Stärke der Kollektorzone 1a nicht
entscheidend. Als Alternative zur Ätzung des Mesaberges 11 könnte eine
Protonbeschießungstechnik zur Herstellung der Isolation angewendet werden.
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Es werden konventionelle Metallkontakte 12, 13 und 14 zur Kontaktierung
des Mesa-Struktur-Emitters 3, der Basiszone 2 bzw. des Substrats 1 vorgesehen.
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Wie oben erwähnt, bildet die Mesa-Struktur 3 mit der Basiszone 2 eine
"Bulk-Unipolardiode" der in der US-A-4 149 174 beschriebenen Art zur Injektion heißer
Elektronen in die Basiszone 2, wobei der verbliebene Teil 60a der ersten Zusatzschicht
6a die die Emitter-Basis-Barriere abgrenzende Zone darstellt und ausreichend dünn ist,
so daß die mit der Basiszone 2 und der Emitterzone ausgebildeten Sperrschichten bei
Vorspannung Null verschmelzen, um die die Emitter-Basis-Barriere abgrenzende Zone
60a wesentlich zu verarmen. Um eine solche Verarmung bei Vorspannung Null
erreichen zu können, sollten die Stärke und der Dotierungspegel der die Emitter-Basis-
Barriere abgrenzenden Zone 60a die in der US-A-4149174 dargelegten Bedingungen
erfüllen, wobei die Höhe der Barriere von dem Dotierungspegel der die Emitter-Basis-
Barriere abgrenzenden Zone 60a bestimmt wird.
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In einem typischen spezifischen Beispiel kann die Kollektorzone 1a eine
Stärke von etwa 1um (Mikrometer) und eine Dotierstoffkonzentration von etwa 10¹&sup6;
Silizium- (oder Zinn)-Atomen cm&supmin;³ aufweisen, während die die Kollektor-Basis-Barriere
abgrenzende Zone 10 eine Stärke von etwa 15nm (Nanometer) und eine
Dotierstoffkonzentration von etwa 3x10¹&sup8; Atomen cm&supmin;³, die Basiszone 2 eine Stärke von etwa 25nm
und eine Dotierstoffkonzentration von etwa 5x10¹&sup8; Siliziumatomen cm&supmin;³, die die
Emitter-Basis-Barriere abgrenzende Zone 60a eine Stärke von etwa 20nm und eine
Dotierstoffkonzentration von etwa 3x10¹&sup8; Berylliumatomen cm&supmin;³ und die Emitterzone
60b eine Stärke von etwa 400nm und eine Dotierstoffkonzentration von etwa 1016
Silizium- (oder Zinn)-Atomen cm&supmin;³ aufweisen kann.
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Figur 6 ist ein Energiediagramm für den in Figur 5 dargestellten
Transistor unter verschiedenen Vorspannungsbedingungen, wobei Linie a die Situation bei
Vorspannung Null und Linie b die Situation zeigt, wenn die Basiszone 2 und die
Kollektorzone 1, 1a in Bezug auf die Emitterzone 60b durch Spannungen VBE respektive VCE
vorgespannt sind.
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Es könnten ebenso andere Materialien als Galliumarsenid und
Galliumaluminiumarsenid sowie andere Halbleiter als III-V-Verbindungen verwendet werden.
Darüber hinaus könnte die die Emitter-Basis-Barriere abgrenzende Zone 60a aus einem
anderen Material als der Basiszone 2 gebildet sein, um einen Heteroübergang mit der
Basiszone 2 herzustellen und so zum Beispiel die Höhe der durch die Zone 60a
abgegrenzten Barriere nach oben zu verändern und um dort, wo das Valenzband des die
Zone 60a bildenden Materials bei einer höheren Löcherenergie als der der Basiszone 2
liegt, Minoritätsträgeranlagerung zu reduzieren, vorausgesetzt, daß ein geeignetes
Ätzmittel, welches eine selektive Ätzung der Opferschicht 4 und nicht der die Emitter-
Basis-Barriere abgrenzenden Zone 60a oder der Basiszone 2 bewirkt, zur Verfügung
steht. Geeignete Materialpaare sind zum Beispiel Galliumaluminiumarsenid und
Galliumindiumarsenid, Galliumarsenid und Galliumindiumarsenid sowie Galliumarsenid und
Galliumarsenidphosphid mit, in jedem Falle, einem geeigneten selektiven Ätzmittel.
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Ebenso kann ein die Erfindung verkörperndes Verfahren zur Herstellung
von Halbleiteranordnungen, außer Heißträgeranordnungen, angewendet werden, was,
wie oben angegeben, besonders dort von Vorteil ist, wo die obere Schicht, auf welcher
die Mesa-Struktur abzugrenzen ist, relativ dünn ist, zum Beispiel im Falle von PB-
Transistoren oder Tunnel-Heißelektronentransistoren. Ein die Erfindung verkörperndes
Verfahren kann zur Herstellung eines bipolaren Heteroübergangstransistors angewendet
werden, wenn geeignete Ätzmittel, welche eine selektive Ätzung der Opferschicht in
Bezug auf die Basis- und die Emitterzone ermöglichen, zur Verfügung stehen. Ein
erfindungsgemäßes Verfahren kann auch zum Beispiel zur Herstellung eines gefurchten
Halbleiterlasers oder eines solchen mit Hohlleiterstruktur angewendet werden.