DE68924919T2

DE68924919T2 - Herstellungsverfahren von magnetischen Aufzeichnungspolen.

Info

Publication number: DE68924919T2
Application number: DE68924919T
Authority: DE
Inventors: Michael L Mallary; Richard A Stander
Original assignee: Quantum Corp
Current assignee: Quantum Corp
Priority date: 1988-03-09
Filing date: 1989-02-23
Publication date: 1996-04-25
Anticipated expiration: 2009-02-24
Also published as: EP0332320A3; US4912584A; EP0332320B1; DE68924919D1; JPH0210508A; EP0332320A2

Description

Hintergrund der Erfindung

Diese Erfindung bezieht sich auf Magnetköpfe, die zum Befestigen auf der Seite eines Gleitstückes geeignet sind.
In einem typischen Dünnfilmkopf, der auf der Rückseite des Gleitstückes gelegen ist, ist das Polstück senkrecht zu der Richtung eines Medienlaufes orientiert (vergleiche Figur 1) . Wie in der Figur gezeigt ist, bilden wohldefinierte magnetischen Domänen 10 die Polspitze 12. Diese "guten" Domänen sind fähig, einen Fluß durch Drehung der Polarisation der Domänen zu leiten, ohne die Lage von deren Wandgrenzen zu verändern. Wenn, wie in der Figur 2 gezeigt ist, die Breite W der Polspitze 12 abnimmt, um an schmalere Spurbreiten angepaßt zu sein, gibt es Domänen 14, deren Form "schlecht" ist, da sie einen Fluß nur durch Wandbewegung leiten können. Das heißt, für die Domänen werden für eine Anderung der Polarisation die Grenzwände 16 bewegt, wie dies in Figur 3 gezeigt ist.
Das Problem mit der Leitung des Flusses durch Wandbewegung liegt darin, daß die Bewegung der Grenzen durch Mängel in dem Material behindert sein kann. Wenn die Grenzen deformieren, werden sie zeitweise verfangen, und nur nach einer ausreichend großen Deformation erfolgt eine "Freigabe" der Grenze von dem Mangel. Diese plötzliche Änderung in der Grenzlage ist der Mechanismus, der das Barkhausen-Rauschen erzeugt.
Um eine ausreichende Verminderung der Polbreite mit dem Ergebnis einer Flußleitung durch Wandbewegung zu vermeiden, wurde bereits angeregt, den Kopf eher auf dem Rand des Gleitstückes als auf der Rückseite des Gleitstückes anzuordnen, wie dies gewöhnlich der Fall ist. Indem der Pol zu der Seite des Gleitstückes verfahren wird, wird die Breite der Spur durch die Dicke des Poles (T) und nicht durch die Breite des Poles (W) bestimmt. Da die Polbreite nicht eingeschränkt ist, kann sie groß genug für die Bildung der "guten" Domänen gemacht werden, die keine Wandbewegung für die Leitung erfordern. Figur 4 zeigt einen Pol 20, der auf der Seite eines Gleitstückes 22 befestigt ist. Obwohl ein Seitenbefestigen des Wandlers in der Literatur erwähnt wurde, beschränkten die Techniken, die für die Schaffung eines solchen Poles verwendet werden, den Polspalt auf 3 um (Micron) oder mehr. Es wird verwiesen auf "A Yoke Type MR Head For High Track Density Recording", T. Maruyama u. a., IEEE Conference on Magnetics, Tokio, April 1987, und K. Kanai u. a., IEEE Trans. on Magn., MAG-11, Nr. 5, Seite 1212, 1975. Der Grund, warum der Polspalt auf 3 um oder mehr eingeschränkt ist, liegt darin, daß der Spalt durch Ionenschleifen eines Schlitzes und anschließendes Ablagern von Aluminiumoxyd in dem Schlitz geschaffen wird. Es ist unwahrscheinlich, daß diese Technik nützlich ist zum Schaffen von Spalten in der Größenordnung von 0,5 um, wie diese gegenwärtig in Verwendung sind. Weiterhin ist die neulich berichtete Technik ungeeignet, einen Dreipolkopf herzustellen.
IEEE Transaction on Magnetic, Band Mag-11&sub1; Nr. 5, September 1975, Seiten 1212 bis 1214: K. Kanal u. a. "Super-narrow track MR head" zeigt einen Kopf, der eine schmale Spurbreite erzielt, indem die Dicke eines magnetischen Dünnfilmes als die Spurbreite verwendet wird (das heißt "horizontal-beabstandete" Pole), wobei der Kopf einen Luftspalt hat und durch Ätzen eines ferromagnetischen Dünnfilmes, der auf ein Substrat aufgedampft ist, hergestellt wird.
Journal of Applied Physics, Band 61, Nr. 8, 15. April 1987, Seiten 4157 bis 4162: M. Hanawono u. a. "Design and fabrication of thin-film heads based on a dry process" zeigt einen Kopf, der mittels eines Sputter- oder Zerstäubungsablagerungsprozesses hergestellt ist, um einen oberen Pol aus NiFe über beiden planaren und geneigten Oberflächen eines PIQ-Harzes zu bilden. Der erzeugte Kopf hat anstelle der horizontalbeabstandeten Pole der vorliegenden Erfindung vertikalbeabstandete Pole.
US-A-4 639 289 zeigt einen Kopf, der durch Ablagerung eines magnetischen Filmes auf jeder Seite von und über der Spitze einer vertikalen Wand eines nichtmagnetischen Materials, das gegen den Rand einer Verlustharzschicht gebildet ist, hergestellt ist.

Zusammenfassung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung beschäftigt sich mit Verfahren zum Herstellen einer Seite des Gleiters, an dem Pole mit schmalen Polspalten befestigt sind, einschließlich eines Dreipolwandlers. Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist eine Basisschicht aus einem nichtmagnetischen Material, wie beispielsweise Al&sub2;O&sub3; auf ein Gleitstücksubstrat aufgetragen. Eine Keimschicht eines magnetischen Materials, wie beispielsweise NiFe, ist dann auf die Oberseite der Basisschicht aufgetragen. Sodann wird eine Schicht aus einem magnetischen Material, wie beispielsweise NiFe auf die Oberseite der Keimschicht bis zu einer vorbestimmten Dicke plattiert. Eine Photoresistschicht wird aufgetragen und gemustert, um einen ersten Magnetpol zu definieren. Ein Ionenstrahlschleifen wird dann verwendet, um den verbleibenden, ungeschützten NiFe-Film und eine vorbestimmte Menge der Basisschicht wegzuätzen, wobei die Seitenwände so senkrecht als möglich zurückbleiben. Die verbleibende Photoresistschicht wird entfernt, was den ersten Pol hervorbringt. Eine nichtmagnetische Spaltschicht (Al&sub2;O&sub3;) wird sodann mittels Ionenstrahlablagerung mit einem hohen Einfallsgrad (ungefähr 700 von der Senkrechten) angebracht. Da die Basisschicht bis zu einer vorbestimmten Menge (abhängig von der gewünschten Spaltschichtdicke) geätzt wurde, wird die Spaltschichtablagerung nicht den zuvor geätzten Bereich füllen, um so den ersten Pol mit der Basisschicht nahezu planar zu gestalten. Eine Variation des oben beschriebenen Prozesses liegt darin, den ersten Pol durch Maskenplattieren zu schaffen. Danach wird eine Spaltschicht aufgetragen. Nachdem Isolations- und Spulenschichten auf dem ersten Pol durch herkömmliche Techniken aufgetragen sind, wird ein zweiter Pol mittels Maskenplattieren aufgetragen. Jegliches überschüssige Material, das auf dem zweiten Pol zurückbleibt, wird durch Ionenstrahlätzen mit einem hohen Einfallsgrad, ungefähr 70º von der Senkrechten, weggeätzt.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung dient eine nichtmagnetische Keimschicht, wie beispielsweise TaAu, als ein Substrat. Eine Photoresistmaske wird auf das Substrat angewandt, und eine Ablagerung unter steilem Winkel wird verwendet, um ein inneres Spaltmaterial gegen die vertikalen Seitenwände des zeitweisen Blockes des Photoresists aufzutragen. Die horizontalen Oberflächen werden dann mit einem normalen Einfall ionengeschliffen, um unerwünschtes Material zu entfernen, das während des vorhergehenden Abscheidungs- bzw. Auftragungsschrittes aufgetragen wurde. Der Photoresistblock wird dann chemisch abgestreift, und ein neues Photoresistmuster wird erzeugt, um die gewünschte Geometrie der Pole zu definieren. Die Keramikkomponente des Spaltes bildet eine Wand, die ein Teil der Plattiermaske an diesem Punkt ist. Die Pole werden dann durch diese kombinierte Maske plattiert.
Noch ein anderer Aspekt dieser Erfindung führt zu einem Dreipolkopf durch einen Prozeß, der ähnlich zu dem direkt oben beschriebenen Prozeß ist. Eine Photoresistmaske wird auf eine nichtmagnetisches Keimschichtsubstrat, wie beispielsweise TaAu angewandt. Eine Ablagerung unter steilem Winkel wird verwendet, um ein inneres Spaltmaterial gegen die vertikale Seitenwand des zeitweisen Blockes des Photoresists aufzutragen. Ein magnetisches Material, wie beispielsweise NiFe (mittlerer Pol) wird durch Steilwinkelablagerung abgelagert, und eine Steilwinkelablagerung wird wiederum verwendet, um eine zweite Schicht eines inneren Spaltmaterials gegen die vertikalen Seitenwände des NiFe abzulagern. Die horizontalen Oberflächen werden mit normalem Einfall ionengeschliffen, um unerwünschtes Material (keramisch und magnetisch) zu entfernen, das darauf während der vorhergehenden Ablagerungsschritte abgelagert wurde. Aluminiumoxyd wird wiederum bei dem gleichen steilen Winkel abgelagert, und die Struktur wird wieder einmal ionengeschliffen. Dieser letzte Schritt isoliert elektrisch den dünnen NiFe-Pol von der Keimschicht. Der Photoresistblock wird chemisch abgestreift, und ein neues Photoresistmuster wird erzeugt, um die gewünschte Geometrie der Pole zu definieren. Die keramischen und magnetischen Komponenten des Spaltes bilden eine Wand, die Teil der Plattiermaske ist. Das magnetische Material, wie beispielsweise NiFe, wird wieder in die geeignete Geometrie plattiert, was zu dem Dreipolkopf führt. Eine Veränderung des obigen Dreipolprozesses würde den zentralen Pol laminieren durch Ablagern einer sehr dünnen Schicht aus Keramik durch Steilwinkelablagerung, nachdem die Hälfte des mittleren Poles abgelagert ist. Die zweite Hälfte des Poles folgt, und der Prozeß schreitet fort, wie dies oben erläutert ist.
Die Erfindung gemäß diesen drei Aspekten ist in den Patentansprüchen 1, 6 und 11 definiert.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

Figur 1 ist eine schematische Darstellung eines Magnetaufzeichnungspoles;
Figur 2 ist eine schematische Darstellung eines Poles, der schmaler als der Pol von Figur 1 ist;
Figur 3 ist eine schematische Darstellung eines Poles, der eine Flußleitung durch Wandbewegung zeigt;
Figur 4 ist eine perspektivische Darstellung eines Poles, der auf der Seite eines Gleitstückes befestigt ist;
Figuren 5, 6 und 7 sind Querschnittdarstellungen von einem der hier offenbarten Prozesse;
Figur 8 ist eine Querschnittdarstellung von einem anderen der hier offenbarten Prozesse;
Figuren 9 und 10 sind Querschnittdarstellung von noch anderen hier offenbarten Prozessen;
Figur 11 ist eine Querschnittdarstellung eines Zweipolkopfes;
Figur 12 ist eine Vordersicht eines Zweipolkopfes, der gestaltete Polspitzen hat;
Figuren 13, 14 und 15 sind Querschnittdarstellungen von noch einem anderen hier offenbarten Prozeß; und
Figuren 16, 17, 18 und 19 sind Querschnittdarstellungen, die den Prozeß zum Herstellen eines Dreipolkopfes illustrieren.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele

In der Figur 5 beginnt ein Magnetaufzeichnungspol gemäß einem Aspekt der Erfindung mit einer Basisschicht 30 aus zerstäubtem Al&sub2;O&sub3;, das auf ein Gleitersubstrat 32 aufgetragen bzw. abgeschieden ist. Eine Keimschicht 34 aus NiFe wird auf die Oberseite der Basisschicht 30 aufgetragen. Sodann wird eine Schicht eines magnetischen Materials 36, wie beispielsweise NiFe, auf die Oberseite der Keimschicht 34 bis zu einer vorbestimmten Dicke plattiert. Eine Photoresistschicht 38 wird dann auf der Schicht 36 angebracht und gemustert, um einen ersten Magnetpol zu definieren, der aus der Schicht 36 zu schaffen ist. Ein Ionenstrahlschleifen wird nunmehr verwendet, um den verbleibenden, ungeschützten NiFe- Film 36 und eine vorbestimmte Menge an Al&sub2;O&sub3; von der Basisschicht 30 wegzuätzen, wobei die Seitenwände so nahezu vertikal wie möglich zurückbleiben. Das Photoresist 38 wird sodann entfernt, wobei ein erster Pol P1 zurückbleibt (Figur 6). Gemäß Figur 7 wird nunmehr eine Al&sub2;O&sub3;-Spaltschicht 40 mittels einer Ionenstrahlablagerung mit einem hohen Einfallsgrad (ungefähr 70º von der Senkrechten) angewandt, wie dies durch einen Pfeil 42 gezeigt ist. Da die Basisschicht 30 zu einer vorbestimmten Menge (abhängig von der gewünschten Spaltschichtdicke) geätzt ist, füllt nunmehr die Ablagerung der Spaltschicht 40 in der zuvor geätzten Stufe, wobei P1 nahezu planar mit der Basisschicht 30 gemacht ist. Die verbleibende Versetzung ist gleich zu einem radialen Abstand "R" des Al&sub2;O&sub3;, das an dem Übergang der Basisschicht 30 und dem Pol P1 aufgetragen bzw. abgeschieden ist.
Eine andere Technik zum Herstellen des ersten Poles P1 ist in der Figur 8 gezeigt. Bei diesem Vorgehen wird die NiFe-Schicht 36, die den ersten Pol P1 bildet, durch Maskenplattieren auf der Keimschicht 34 abgeschieden bzw. aufgetragen. Danach wird die Spaltschicht 40 über P1 aufgetragen. In diesem Fall ist die planare Versetzung gleich zu der Dicke der Spaltschicht 40, und ein Auskehlungsradius wird toleriert.
Wenn diese planare Versetzung unerwünscht ist, dann kann eine dickere Schicht 36 mittels Maskenplattieren aufgetragen werden, wie dies in Figur 9 gezeigt ist. Die Photoresistteile 38 liefern das Maskieren. Die Struktur in Figur 9 wird dann nach Entfernung des Photoresists ionenstrahlgeätzt, um die korrekte Dicke der Basisschicht 30 und des Poles P1 zu ergeben, wie dies in Figur 10 gezeigt ist.
Nachdem der Pol P1 durch eines der vorstehenden Verfahren hergestellt ist, werden Isolations- und Spulenschichten (nicht gezeigt) mittels herkömmlicher bekannter Techniken aufgetragen. In der Figur 11 wird sodann ein zweiter Pol P2 durch Maskenplattieren aufgetragen. Die Polspitze des Poles P2 wird sorgfältig mit dem Rand der Polspitze des Poles P1 ausgerichtet, so daß beide Polspitzen auf der gleichen horizontalen Ebene erscheinen. Da die Polspitze des Poles P2 in einem engen Kontakt mit der Spaltschicht 40 zu sein hat, muß P2 entweder vollständig mit dem Rand von P1 ausgerichtet sein oder leicht überlappen, wie dies in Figur 11 gezeigt ist. Nachdem der Pol P2 plattiert ist, wird das Photoresist entfernt, und jegliches überschüssige Material von P2 kann nunmehr mittels Ionenstrahlätzen mit einem hohen Einfallsgrad, ungefähr 700 von der Senkrechten, wie dies durch einen Pfeil 44 in Figur 11 gezeigt ist, weggeätzt werden.
Da beide Pol spitzen von P1 und P2 auf der gleichen horizontalen Ebene erscheinen, ist es möglich, eine zusätzliche Verarbeitung durchzuführen, die es erlaubt, daß die Polspitzen mittels Ionenstrahlätzen gestaltet werden, um das magnetische Verhalten zu verbessern. Ein solches Gestalten bzw. Skulpturieren ist in Figur 12 gezeigt.
Zusätzlich zu den zuvor erwähnten Vorteilen im magnetischen Verhalten haben die oben beschriebenen Prozesse verschiedene weitere Vorteile. Bei einem herkömmlichen Aufzeichnungskopf ist eine Spurbreite durch die Grenzen der bei dem Herstellen verwendeten Mikrolithographie festgelegt. Bei dem Seitenbefestigen des Wandlerkopfes der vorliegenden Erfindung ist nunmehr die Spurbreite durch Ablagerungsdicke und die Fähigkeit, den Pol P1 mit dem Pol P2 auszurichten, bestimmt, was beides eng gesteuert werden kann. Auch sind die zuvor aufgezeigten Probleme der Polspaltdicke ausgeschlossen, da die Spaltschichtdicke durch die Ablagerungsdicke und nicht durch Mikrolithographie gesteuert ist. Durch Wiederholen der Schritte zum Definieren des Poles P2 ist es möglich, eine zusätzliche Polspitze zur Verwendung in einem Dreipolkopf einzuschließen.
Ein anderer Prozeß wird nunmehr im Zusammenhang mit den Figuren 13 bis 15 beschrieben. Bei diesem Prozeß dient eine nichtmagnetische Keimschicht, wie beispielsweise TaAu als ein Substrat 50. Eine Photoresistmaske 52 mit im wesentlichen vertikalen Wänden wird auf das Substrat 50 angewandt. Eine Steilwinkelablagerung wird verwendet, um ein inneres Spaltmaterial, wie beispielsweise Al&sub2;O&sub3; gegen die vertikale Seitenwand des eine Schicht 54 bildenden Photoresists 52 abzulagern. Das Al&sub2;O&sub3; wird dann von der Seite längs einer durch einen Pfeil 56 gezeigten Richtung aufgetragen. Die horizontalen Oberflächen werden sodann mit normalem Einfall ionengeschliffen, um unerwünschtes Material zu entfernen. Ein bevorzugtes Ionenschleifmaterial ist CF&sub4;, das vorzugsweise Al&sub2;O&sub3; entfernt. Sodann wird der Photoresistblock 52 chemisch abgestreift, was den in Figur 14 gezeigten Al&sub2;O&sub3;-Teil 54 zurückläßt. Ein neues Photoresistmuster wird erzeugt, um die Geometrie der Pole zu definieren, und die keramischen und magnetischen Komponenten des Spaltes bilden eine Wand, die Teil der Plattiermaske an dieser Stufe in dem Prozeß ist. Die Pole 58 und 60 (Figur 15a) werden sodann durch diese kombinierte Maske plattiert. Eine Seitendarstellung des vervollständigten Poles ist in Figur 15b gezeigt.
Ein Prozeß zum Herstellen eines Dreipolkopfes wird nunmehr im Zusammenhang mit den Figuren 16 bis 19 beschrieben. Eine nichtmagnetische Keimschicht 70, wie beispielsweise TaAu, dient als ein Substrat. Eine Photoresistmaske 72 wird auf das Substrat 70 angewandt. Ein Steilwinkelabscheidung wird verwendet, um ein inneres Spaltmaterial, wie beispielsweise Al&sub2;O&sub3; gegen die vertikale Seitenwand des Blockes des Photoresists 72 aufzutragen, um eine Schicht 74 zu bilden. Das Al&sub2;O&sub3; wird in der Richtung eines Pfeiles 76 abgeschieden. Ein magnetisches Material, wie beispielsweise NiFe, wird abgeschieden bzw. aufgetragen, um eine Schicht 78 zu bilden. Es ist wichtig, darauf hinzuweisen, daß die NiFe-Schicht 78 tatsächlich eine laminierte Struktur aufweisen könnte, indem die Prozeßschritte eingeschlossen sind, die für Herstellung eines Laminats erforderlich sind. Eine Steilwinkelabscheidung wird wieder einmal verwendet, um inneres Spaltmaterial gegen die vertikalen Seitenwände der NiFe-Schicht 78 aufzutragen, um eine Schicht 80 zu bilden. Die horizontalen Oberflächen werden sodann mit einem normalen Einfall ionengeschliffen, um unerwünschtes Material (keramisch oder magnetisch) zu entfernen, das während vorhergehender Ablagerungsprozesse aufgetragen wurde. Der Pol nach dem Ionenschleifschritt ist in Figur 17 gezeigt. Aluminiumoxyd wird erneut aufgetragen, und die Struktur wird wiederum ionengeschliffen, was zu der in Figur 18 gezeigten Struktur führt. Der Photoresistblock 72 wird chemisch abgestreift, und ein neues Photoresistmuster wird erzeugt, um die Geometrie der zu schaffenden Pole zu definieren. Die keramischen und magnetischen Komponenten des Spaltes bilden eine Wand, die Teil der Plattiermaske an diesem Punkt in dem Prozeß ist. NiFe wird wieder in die geeignete Geometrie plattiert, um die Schichten 82, 84 und 86 zu schaffen. Eine Seitendarstellung des vervollständigten Poles ist in Figur 19b gezeigt. Die Schicht 86 ist eingeschlossen, um dem zentralen Pol eine höhere Kopfwirksamkeit zu verleihen.
Dieses Design verwendet am natürlichsten eine Solenoid- Spule. In diesem Fall muß die Hälfte der Spule vor der oben beschriebenen Sequenz und die andere Hälfte danach aufgetragen werden. Ein Vorteil der hier beschriebenen Techniken liegt darin, daß die Dicke des Poles sehr genau gesteuert werden kann, da er plattiert ist, während die Breite der Pole in früheren Ausführungen durch die Maskieroperation bestimmt und daher weniger steuerbar war. Die gemaß der vorliegenden Erfindung gemachten Struckturen vermeiden eine schwache Domänenstruktur, die sich entwickelt, wenn die Polbreite abhängig von einer verminderten Spurbreite reduziert ist. Die hier offenbarten Techniken reduzieren auch die Fehlergröße in der Definition der Polränder, die durch Unbestimmtheiten in dem Prozeß des Materialentfernens von dem Polrand verursacht sind.
Es ist darauf hinzuweisen, daß Modifikationen und Änderungen der Erfindung für den Fachmann möglich sind, welche in den Bereich der beigefügten Patentansprüche fallen.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen eines Magnetkopfes mit den folgenden Schritten:

(a) Schaffen eines ersten Magnetpoles (P1) aus einem magnetischen Material (36) durch Bilden des ersten Poles über einem Substrat (30), derart, daß der Pol wenigstens angenähert vertikale Seitenwände hat,

(b) Ablagern einer nichtmagnetischen Materialschicht (40) schräg (42) von einer Seite auf dem Substrat und einer vertikalen Seitenwand des ersten Poles, gebildet in Schritt (a) und dadurch Definieren eines nichtmagnetischen Spaltbereiches auf der vertikalen Seitenwand des ersten Poles,

(c) Auftragen einer vorgewählten Maskenschicht eines Photoresists auf der nichtmagnetischen Schicht nach der Abscheidung einer Keimschicht,

(d) Plattieren eines magnetischen Materials zum Bilden eines zweiten Poles (P2) über der nichtmagnetischen Schicht (40) durch die Photoresistmaske, wobei der zweite Pol horizontal bezüglich des ersten Poles versetzt ist, um so den nichtmagnetischen Spaltbereich als eine Spaltschicht zwischen den ersten und zweiten Polen (P1, P2) zu definieren,

(e) Entfernen des Photoresists, und

(f) Entfernen von überschüssigem magnetischem Material durch Ionenschleifen von der entgegengesetzten Seite (44) von der Abscheidung des nichtmagnetischen Materials (40)

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das magnetische Material (36) NiFe ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Substrat (30) und das nichtmagnetische Material (40) Al&sub2;O&sub3; sind, wobei das Substrat auf einem Gleitstücksubstrat gebildet ist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der erste magnetische Pol (P1) durch die folgenden Schritte geschaffen ist:

(a) Sputtern einer Al&sub2;O&sub3;-Basisschicht (30) auf ein Gleitstücksubstrat (32),

(b) Abscheiden einer Keimschicht (34) eines magnetischen Materials auf die Oberseite der Basisschicht,

(c) Plattieren einer Schicht eines magnetischen Materials (36) auf die Oberseite der Keimschicht bis zu einer vorbestimmten Dicke,

(d) Auftragen einer Photoresistschicht (38) auf die Schicht des magnetischen Materials und Mustern des Photoresists, um einen ersten Magnetpol zu definieren,

(e) Ätzen des ungeschützten magnetischen Materials (36) und einer vorbestimmten Menge an Al&sub2;O&sub3; in der Basisschicht (30) durch Ionenstrahlschleifen, und

(f) Entfernen des Photoresists.

5, Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der erste Magnetpol (P1) durch die folgenden Schritte geschaffen ist:

Sputtern einer Basisschicht (30) von Al&sub2;O&sub3; auf ein Gleitstücksubstrat (32),

Abscheiden einer Keimschicht (34) eines magnetischen Materials auf die Oberseite der Basisschicht (30), und

durch eine Maske Plattieren eines magnetischen Materials (36) auf der Keimschicht.

6. Verfahren zum Herstellen eines Magnetkopfes mit den folgenden Schritten:

(a) Auftragen einer Photoresistmaske (52) mit im wesentlichen vertikalen Seitenwänden auf ein nichtmagnetisches Keimschichtsubstrat (50) auf einem Trägersubstrat,

(b) unter einem steilen Winkel (56) Abscheiden eines nichtmagnetischen Materials (54) gegen die vertikalen Seitenwände der Photoresistmaske,

(c) Ionenschleifen der horizontalen Oberflächen mit vertikalem Einfall und Zurücklassen eines Teiles des in Schritt (b) abgeschiedenen Materials (54), um als eine Spaltschicht zwischen den Polen (58, 60), die in Schritt (e) plattiert sind, zu wirken, wobei dieser Teil des Materials eine Wand bildet,

(d) chemisches Abstreifen der Photoresistmaske und Auftragen eines neuen Photoresistmusters, um die Geometrie der in Schritt (e) plattierten Pole (58, 60) zu definieren, wobei dieses neue Muster und die Spaltmaterialwand eine Polmaske bilden,

(e) Plattieren eines magnetischen Materials durch die Polmaske, um die Pole (58, 60) des Kopfes zu bilden, wobei die vertikale Dicke der Pole eine Spurbreite definiert.

7. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das magnetische Material (58, 60) NiFe ist.

8. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem das nichtmagnetische Material (54) Al&sub2;O&sub3; ist.

9. Verfahren nach Anspruch 6, bei das Trägersubstrat TaAu ist.

10. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt (c) die Verwendung von CF&sub4; als ein Ionenschleifmaterial umfaßt.

11. Verfahren zum Herstellen eines Dreipolmagnetkopfes mit den folgenden Schritten:

(a) Auftragen einer Photoresistmaske (52) auf ein nichtmagnetisches Keimschichtsubstrat (70),

(b) Auftragen durch Abscheidung unter steilem Winkel (76) eines inneren Spaltes eines nichtmagnetischen Materials (74) gegen eine vertikale Seitenwand des Photoresists (72),

(c) Auftragen eines magnetischen Materials (78) durch Steilwinkelabscheidung auf den inneren Spalt des nichtmagnetischen Materials (74), um einen zentralen Pol zu bilden,

(d) Abscheiden unter steilem Winkel (76) eines nichtmagnetischen Materials (80), um eine nichtmagnetische Struktur gegen eine vertikale Seite des magnetischen Materials (78) zu bilden,

(e) Ionenschleifen von horizontalen Oberflächen des Werkstückes nach Schritt (d) mit normalem Einfall,

(f) Abscheiden einer nichtmagnetischen Schicht auf die nichtmagnetische Struktur, die in Schritt (d) gebildet ist, bei einem steilen Winkel, gefolgt durch Ionenschleifen bei normalem Einfall,

(g) chemisches Abstreifen der Photoresistmaske und Auftragen eines neuen Photoresistmusters, um die Geometrie von zwei äußeren Polen (82, 84) zu definieren,

(h) Abscheiden eines magnetischen Materials mit einer gewünschten Geometrie mittels Durchmaskenplattieren, um wenigstens die beiden äußeren Pole (82, 84) zu bilden, wobei die vertikale Dicke der beiden äußeren Pole eine Spurbreite definiert.

12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das magnetische Material (78) NiFe ist.

13. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das nichtmagnetische Material (74, 80) Al&sub2;O&sub3; ist.

14. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Substrat (70) TaAu ist.

15. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem der Schritt (e) die Verwendung von CF&sub4; als ein Ionenschleifmaterial umfaßt.

16. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem der Schritt (c) ein Laminieren des zentralen Poles umfaßt.