DE68913677T2 - Diagnosevorrichtung für die Verhütung von Überhitzung bei einer stromsteuernden Anlage mit Leistungshalbleiter. - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft eine Diagnoseschaltung für eine Einheit, die eine Stromsteuerung sowie einen Schutz gegen übermäßige Wärmeabgabe für ein Halbleiter-Leistungsbauelement bereitstellt. Eine solche Einheit ist aus der EP-A-0 284 982 bekannt.
• Es sind zahlreiche Anwendungsfälle bekannt, bei denen ein Halbleiter- Leistungsbauelement zum Speisen einer Last, z.B. für die elektronische Zündung eines Kraftfahrzeugs oder zum Ansteuern eines Elektromotors, mit einer Steuereinheit ausgerüstet werden muß, die in der Lage ist, für das periodische Abschalten des Leistungsbauelements in bezug auf den dieses durchfließenden Strom zu sorgen.
• Genauer gesagt, für den Fall, daß ein Leistungsbauelement dazu verwendet wird, eine elektrische Spule für eine elektronische Zündung zu speisen, muß die Steuereinheit in der Lage sein, die Stärke des der Last zugeführten Stroms zu erfassen und für das rasche Abschalten des Leistungsbauelements dann zu sorgen, wenn der festgestellte Strom größer als ein voreingestellter Wert ist. Dann wird an der Spule eine Überspannung erzeugt, mit deren Hilfe eine Sekundärwicklung den Zündfunken auslöst.
• Die derzeit für einen solchen Zweck im Einsatz befindlichen Steuereinheiten enthalten eine Diagnoseschaltung, die den der Last zugeführten Strom erfaßt und dann ein Diagnosesignal erzeugt, wenn der festgestellte Strom größer als ein voreingestellter Wert ist, einen Mikroprozessor mit einer Verzögerungseinrichtung, welche das Diagnosesignal empfängt und es mit einer voreingestellten zeitlichen Verzögerung in ein Sperrsignal umwandelt, und eine von dem Mikroprozessor gesteuerte Treiberschaltung zum Veranlassen des Abschaltens des Leistungsbauelements.
• Für den Fall, daß zum Ansteuern eines Elektromotors ein Leistungsbauelement eingesetzt wird, hat die Steuereinheit hingegen die Aufgabe, den Wechsel von Zünd- und Abschaltvorgängen (d.h., das Tastverhäitnis) des Leistungsbauelments und damit die Drehzahl des angetriebenen Motors festzulegen.
• Zu diesem Zweck enthalt die Steuereinheit noch eine Diagnoseschaltung, die in bezug auf den Vergleich zwischen dem in die Last eingespeisten Strom und einem voreingestellten Wert in geeigneter Weise auf eine Steuerschaltung für das Tastverhäitnis des dem Leistungsbauelement zugeführten Signal einwirkt.
• Wichtig ist, daß die derart eingesetzten Leistungsbauelemente mit einem Schutz gegen übermäßige Wärmeabgabe ausgestattet sind, welche eine gefährliche Zunahme der Übergangs-Temperatur des Leistungsbauelements über einen Sicherheitsgrenzwert hervorrufen könnte.
• Bislang sind keine Halbleiter-Leistungsbauelemente bekannt, bei denen eine einzelne Diagnoseschaltung in der Lage wäre, beide Funktionen, nämlich Erfassen des Stroms und Wärmeschutz, zu übernehmen, ohne dabei zwangsweise den Strom auszuschalten.
• Insbesondere sind nicht solche Diagnoseschaltungen für Steuereinheiten von Halbleiter-Leistungsbauelementen bekannt, welche die zwei oben genannten Funktionen in einer einzelnen integrierten Schaltung kombinieren.
• Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, eine Diagnoseschaltung für eine Steuereinheit eines Halbleiter-Leistungsbauelements anzugeben, welche die Doppelfunktion der Stromerfassung und des Wärmeschutzes kombiniert, ohne daß notwendigerweise der Strom gesperrt wird.
• Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung einer Diagnoseschaltung der oben genannten Art, die in einem einzigen monolithischen Aufbau integriert werden kann.
• Angesichts dieser Ziele wird erfindungsgemäß eine Diagnoseschaltung geschaffen, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie einen Komparator mit einem ersten Eingang aufweist, der an das Leistungsbauelement angeschlossen wird, um eine Spannung zu erhalten, die proportional ist zu einem durch das Leistungsbauelement fließenden Strom, und einen zweiten Eingang aufweist, der an einen Referenzspannungsgenerator angeschlossen ist, einen an einen Ausgang des Komparators angeschlossenen Signalgenerator besitzt, um immer dann ein Diagnosesignal zu generieren, wenn das Ausgangssignal des Komparators eine Zunahme der proportionalen Spannung über eine von dem Referenzspannungsgenerator erzeugte Referenzspannung anzeigt, und eine Einrichtung aufweist, die empfindlich für die Temperatur des Leistungsbauelements ist und auf den Referenzspannungsgenerator einwirkt, um die Referenzspannung in Abhängigkeit einer Temperaturzunahme über einen vorbestimmten Grenzwert hinaus zu verringern.
• In anderen Worten ausgedrückt, der Referenzspannungsgenerator stellt den Auslöseschwellenwert der Diagnoseschaltung ein, und dieser Auslöseschwellenwert wird immer dann automatisch verringert, wenn eine übermäßige Wärmeabgabe die Temperatur am Übergang des Leistungsbauelements über einen voreingestellten Grenzwert hinaus ansteigen läßt.
• Dies bedeutet, daß im Fall eines für elektronische Zündung verwendeten Leistungsbauelements der Augenblick der Sperrung des Bauelements vorverlegt wird, damit ein geringerer Strom mit daraus folgender Abnahme der in dem Bauelement freigesetzten Leistung und mithin der Übergangs-Temperatur des Bauelements fließt. Für den Fall, daß das Leistungsbauelement zum Ansteuern eines Elektromotors eingesetzt wird, wird andererseits der gleiche Effekt dadurch erhalten, daß das Tastverhältnis des an das Bauelement selbst angelegten Signals verringert wird.
• Vorzugsweise wird die gesamte Schaltungseinheit, die durch das Leistungsbauelement und durch die Diagnoseschaltung gebildet wird, in Form einer monolithischen Struktur integriert, damit der Strom einfacher erfaßt werden kann.
• Bevorzugt wird dafür gesorgt, daß die Verringerung der Referenzspannung bei steigender Temperatur kontinuierlich erfolgt, so daß der Auslöseschwellenwert der Diagnoseschaltung sich ebenfalls kontinuierlich ändert, und mit ihm die durch das Bauelement freigesetzte Leistung.
• Schließlich ist der Komparator mit Hysterese behaftet, d.h., er schaltet sein Ausgangssignal bei dem Zustand, der die Abgabe des Diagnosesignals festlegt, für eine Stromstärke um, die größer ist als diejenige, welche die Umschaltung in die andere Richtung veranlaßt. Dies beseitigt unerwünschte Instabilitäten.
• Diese und weitere Merkmale der vorliegenden Erfindung sowie dadurch erzielte Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung einiger Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, die als nicht beschränkendes Beispiel in der beigefügten Zeichnung dargestellt ist. Es zeigen:
• Fig. 1 ein Blockdiagramm eines Halbleiter-Bauelements für elektronische Zündung einschließlich einer erfindungsgemäßen Diagnoseschaltung;
• Fig. 2 ein Schaltungsdiagramm eines Beispiels einer Ausführungsform der obigen Diagnoseschaltung, welche sich zur Realisierung in integrierter Form eignet;
• Fig. 3 eine Reihe von Diagrammen, die repräsentativ sind für die Betriebsweise der in Fig. 2 gezeigten Diagnoseschaltung;
• Fig. 4 ein Blockdiagramm einer Steuereinheit eines Halbleiter- Leistungsbauelements zum Antreiben von Motoren, einschließlich einer Diagnoseschaltung des in Fig. 1 und 2 dargestellten Typs.
• In Fig. 1 ist schematisch eine elektronische Zündschaltung für ein Kraftfahrzeug dargestellt, welche eine elektrische Spule 1 mit einer Primärwicklung 2 und einer Sekundärwicklung 3 aufweist, wobei letztere zum Induzieren eines Funkens zwischen einer Elektrode 4 und Masse dient. Die Primärwicklung 2 ist in Reihe zu einem Halbleiter-Leistungsbauelement 5 (dieses ist beispielhaft als Darlington-Schaltung dargestellt, kann aber ersichtlich irgendein bekannter Bautyp sein) und einem Widerstand 6 zwischen einem positiven Spannungsversorgungsanschluß 7 und Masse geschaltet. Dem Leistungsbauelement 5 ist eine Steuereinheit zugeordnet, die im wesentlichen durch eine Diagnoseschaltung 8, einen Mikroprozessor 9 mit eingebautem Verzögerungselement und eine Treiberschaltung 10 gebildet wird.
• Die Diagnoseschaltung 8 enthält einen Hysterese-Komparator 11, der mit seinem ersten Eingang 12 an einen Schaltungsverzweigungspunkt 13 zwischen dem Emitter des Leistungsbauelments 5 und dem Widerstand 6 angeschlossen ist, und dessen zweiter Eingang 14 an einen Referenzspannungsgenerator 15 angeschlossen ist. Eine Wärmeschutzeinheit 16, die empfindlich für die Temperatur des Leistungsbauelements 5 ist, wirkt derart auf den Generator 15 ein, daß die an den zweiten Eingang des Komparators 11 gelegte Referenzspannung reduziert wird, sollte die Temperatuer aufgrund übermäßiger Wärmeabgabe ansteigen. An den Ausgang des Komparators 11 ist ein Signalgenerator 17 geschaltet, der immer dann ein Diagnosesignal D erzeugt, wenn der durch das Leistungsbauelement 5 fließende Strom I und mithin durch die Primärwicklung 2 der Spule 1 fließende Strom derart zunimmt, daß an dem Widerstand 6 eine solche proportionale Spannung, die am ersten Eingang des Komparators 11 anliegt, entsteht, die größer ist als die an den zweiten Eingang desselben Komparators angelegte Referenzspannung.
• Auf diese Weise wird der Mikroprozessor 9 in die Lage versetzt, mit geeigneter Verzögerung die Treiberschaltung 10 derart zu steuern, daß das rasche Abschalten des Leistungsbauelements 5 erreicht wird. An diesem Punkt der Primärseite der Spule 1 gibt es eine starke Überspannung, die bei Übertragung auf die Sekundärseite 3 das Überspringen des Zündfunkens hervorruft.
• Im Fall einer übermaßigen Wärmeabgabe und damit einhergehendem Anstieg der Übergangs-Temperatur des Leistungsbauelements 5 verringert, wie bereits erwähnt, die Steuereinheit 16 die Referenzspannung des Komparators 11 und senkt damit den Auslöseschwellenwert dieses Komparators, um so das Sperren des Leistungsbauelements 5 auf einen niedrigeren Stromwert vorzuverlegen.
• Vorzugsweise ist die Diagnoseschaltung 8 zusammen mit dem Leistungsbauelement 5 und dem Widerstand 6 in einer einzigen integrierten Schaltung zusammengefaßt, um das Erfassen der Temperatur einfacher zu machen.
• Ein diesbezügliches Beispiel ist im einzelnen in Fig. 2 dargestellt, wo ein Komparator 11 als eine Differenzstufe dargestellt ist, die durch zwei NPN-Transistoren 18 und 19 gebildet wird, deren Basen zusammengeschaltet sind. Der Transistor 18 ist mit seinem Emitter an den Schaltungsverzweigungspunkt 13 angeschlossen, um einen ersten Eingang 12 für den Komparator 11 zu bilden, sein Kollektor ist mit dem Kollektor eines PNP-Transistors 20 verbunden, dessen Emitter an einen positiven Anschluß 21 angeschlossen ist. Der Transistor 19 wiederum ist mit seinem Emitter über einen Widerstand 22 auf Masse gelegt, und sein Kollektor ist direkt an die Basis desselben Transistors und darüber hinaus an den Kollektor eines PNP-Transistors 23 angeschlossen, dessen Emitter an dem positiven Anschluß 21 gelegt ist. Die Basen der Transistoren 20 und 23 sind miteinander verbunden und an die Basis eines PNP-Transistors 24 angeschlossen, dessen Emitter an den positiven Anschluß 21 angeschlossen ist, und dessen Kollektor direkt an die Basis von ihm und außerdem über einen Widerstand 25 an Masse angeschlossen ist. Die Transistoren 20, 23 und 24 bilden zusammen mit den Widerständen 22 und 25 den Referenzspannungsgenerator 15.
• Der Komparator 11 enthält außerdem einen Doppelkollektor-Transistor 26, dessen Emitter an den positiven Anschluß 21 angeschlossen ist, dessen erster Kollektor an den Kollektor des Transistors 20 angeschlossen ist, und dessen zweiter Kollektor direkt an die Basis von ihm selbst und außerdem über einen Widerstand 27 an den Kollektor eines NPN- Transistors 28 angeschlossen ist, dessen Basis an den Kollektor des Transistors 18 angeschlossen ist, und dessen Emitter über einen Widerstand 29 auf Masse gelegt ist.
• Der Diagnosesignalgenerator 17 ist in dem Beispiel nach Fig. 1 gebildet durch einen NPN-Transistor 30 mit offenem Kollektor, dessen Emitter direkt auf Masse gelegt ist, dessen Basis an den Emitter des Transistors 28 angeschlossen ist, und desen Kollektor über einen Anschluß 31 mit dem Eingang des Mikroprzessors 9 verbunden ist.
• Die Wärmeschutzschaltung 16 schließlich enthält einen Spannungsteiler, gebildet durch zwei Widerstände 32 und 33, die in Reihe zwischen dem positiven Anschluß 21 und Masse liegen. Ein Abzweigungspunkt 34 zwischen den Widerständen ist an die Basis eines NPN-Transistors 35 angeschlossen, dessen Kollektor über einen Widerstand 36 an dem positiven Anschluß 21 angeschlossen ist, und dessen Emitter über einen Widerstand 37 auf Masse gelegt ist. Der Emitter des Transistors 35 ist außerdem direkt mit der Basis eines NPN-Transistors 38 verbunden, dessen Emitter auf Masse gelegt ist, und dessen Kollektor über einen Widerstand 39 mit der Basis eines PNP-Transistors 40 verbunden ist, dessen Emitter an den positiven Anschluß 21 gelegt ist, von dem ein erster Kollektor an die gemeinsame Basis der Transistoren 20, 23 und 24 gelegt ist, und von dem ein zweiter Kollektor direkt an seine Basis des Transistors 40 gelegt ist.
• Im Betrieb werden die beiden Transistoren 18 und 19 der Differenzstufe des Komparators 11 über den Kollektor der Transistor 20 und 23 gespeist, die ihrerseits Dank ihrer Stromspiegelverschaltung bezüglich des Transistoren 24, durch den ein von dem Wert des Widerstands 25 abhängiger, konstanter Strom fließt, einen konstanten Strom führen.
• Wird das Leistungsbauelement 5 gesperrt, fließt kein Strom durch den Widerstand 6, so daß der Emitter des Transistors 18 auf Masse liegt, während derjenige des Transistors 19, der als Diode geschaltet ist, auf einer Spannung liegt, welche dem Spannungsabfall am Widertsand 22 entspricht. Unter der Annahme, daß die Emitterflächen der Transistoren 18 und 19 gleich sind (was tatsächlich der Fall ist), ist das Leitvermögen des Transistors 18 folglich viel größer als dasjenige des Transistors 19, so daß der Transistor 18 in Sättigung ist und den Transistor 28 gesperrt hält, und mit ihm den Transistor 30 des Diagnosesignalgenerators 17.
• Wenn das Leistungsbauelement 5 zum Leiten gebracht wird, steigt der es durchfließende Strom I entsprechend einer linearen Rampe an, wie sie in der graphischen Darstellung a) in Fig. 3 gezeigt ist. Mit ihm steigt die Spannung am Widerstand 6 und damit die es Emitters des Transistors 18. Die durch die Transistoren 18 und 19 gebildete Differenzstufe erreicht ihren Ausgleich, wenn beide Transistoren die gleiche Emitterspannung besitzen. Dies geschieht bei einer voreingestellten Stromstarke 11, die von der am Widerstand 22 anstehenden Referenzspannung abhängt.
• Ist der Strom I stärker als I1 (Fig. 3a), gelangt die Differenzstufe 18, 19 aus dem Gleichgewicht, und der Transistor 18 sperrt sich selbst. Damit wird der Transistor 28 aktiviert und geht unter Aktivierung des Transistors 30 in Sättigung, dessen Kollektor an den Mikroprozessor 9 das Diagnosesignal D liefert, gebildet durch eine Spannung, die zu jenem Augenblick eine negative Flanke aufweist (Fig. 3b).
• Mit einer voreingestellten zeitlichen Verzögerung instruiert der Mikroprozessor 9 dann über eine Treiberschaltung 10 das Ausschalten des Leistungsbauelements 5 mit dem oben erläuterten Effekt daß an der Spule 1 eine Überspannung induziert und ein Überspringen des Funkens zwischen der Elektrode 4 und Masse hervorgerufen wird.
• Der Vergleicher 11 gelangt in seinem Ausgangszustand bei der nachfolgenden positiven Flanke FT des Diagnosesignals T (Fig. 3b) zurück, wenn der Strom I aufgrund des Abschaltens des Leistungsbauelements 5 unter die Stromstärke I1 zurückkehrt.
• Um unerwünschte Instabilitäten zu vermeiden, ist es zu bevorzugen, daß der Komparator 11 eine Hysterese aufweist, welche von der Stromstarke (I1), die sein Umschalten in den Zustand, bei dem das Diagnosesignal D erzeugt wird, erfolgt, und dem (niedrigeren) Stromwert reicht, bei dem eine Umschaltung in die entgegengesetzte Richtung stattfindet.
• Die Hystereseeigenschaft erhält der Komparator 11 durch den Transistor 26, wobei zwei Drittel des Kollektors als Diode an seine Basis geschaltet sind, und ein Drittel des Kollektors an den Kollektor des Transistors 18 angeschlossen sind. Dies bedeutet, daß, nachdem der Transistor 26 durch Sperren des Transistors 18 erst einmal leitend geworden ist, der neue Zustand des Transistors 18 bei einem Kollektorstrom stattfindet, welcher der Summe der von den Transistoren 20 und 26 gelieferten Ströme entspricht, also einer niedrigeren Emitterspannung des Transistors 18, d.h., für einen Strom I1', der kleiner ist als I1. Dies wird durch die Kurven A) B) in Fig. 3 verdeutlicht.
• Es kann vorkommen, daß eine übermäßige Wärmeabgabe während der leitenden Phasen des Leistungsbauelements eine unerwünschte Zunahme der Übergangstemperatur des Bauelements selbst verursacht und damit auch eine Zunahme der Temperatur des Chips, welches das Leistungsbauelement 5, den Widerstand und die Diagnoseschaltung 8 enthält.
• Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, daß, wenn eine gegebene Spannung an der Basis des Transistors 35 festliegt, der Transistor 38 zündet, wenn die Temperatur einen gewissen voreingestellten Wert, z.B. T1 = 150ºC, erreicht. Bei dieser Temperatur veranlaßt der Transistor 38 ein Leitend-Werden des Transistors 40, bei dem zwei Drittel des Kollektors mit seiner eigenen Basis und ein Drittel mit der gemeinsamen Basis der Transistoren 20, 23, 24 verbunden sind. Ein Teil des durch den Transistor 38 fließenden Stroms gelangt also durch den Widerstand 25, mit dem Ergebnis, daß die Ströme der Transistoren 20 und 23 und mithin der Transistoren 18 und 19 verringert werden. Die Spannung am Emitter des Transistors 19 wird damit verringert, und mit ihr auch die Emitterspannung des Transistors 18, gleichbedeutend mit dem Strom des Widerstands 6, welcher die Umschaltung des Komparators 11 und die Ausgabe des Diagnosesignals D festlegt. Als Folge davon wird das Diagnosesignal vorverlagert, und mit ihm das Abschalten des Leistungsbauelements. Dies wird gut wiedergegeben durch die Kurven c) und d) in Fig. 3, in der ersichtlich ist, daß die Hysterese des Komparators auch modifiziert wird, weil die Differenz zwischen den zwei Umschaltgrenzen heraufgesetzt ist.
• Das Abfallen des Schwellenwertstroms erfolgt in linearer Weise in Beziehung zu der Temperatur, bis er einen Minimumwert I2 bei einer Temperatur T2 von beispielsweise 170ºC erreicht. Das Variieren des Schwellenwertstroms in Relation zu der Temperatur ist in der Kurve e) in Fig. 3 dargestellt.
• In Fig. 4 ist die gleiche Diagnoseschaltung für die Verwendung beim Anlegen eines Diagnosesignals an eines der zwei Eingänge (der andere Eingang erhält als Eingangssignal einen üblichen konstanten Wert) einer Steuerschaltung 51 für das Tastverhältnis eines Halbleiter-Bauelements 5 (dies ist jetzt als MOS-Transistor dargestellt) gezeigt, welches zum Ansteuern eines Elektromotors 52 mit einer dazu parallel geschalteten Diode 53 dient.
• In diesem Fall arbeitet die Diagnoseschaltung so, daß sie das Tastverhältnis des Leistungsbauelements verringert, wenn die Temperatur des Bauelements selbst ansteigt. Das Verhalten der Diagnoseschaltung entspricht dem, das in Verbindung mit den Fig. 1, 2 und 3 erläutert wurde.

Claims (9)

1. Diagnoseschaltung für eine Einheit, die eine Stromsteuerung und einen Schutz gegen übermäßige Wärmeabgabe für ein Halbleiter- Leistungsbauelement bereitstellt, dadurch gekennzeichnet, daß sie umfaßt:

einen Komparator (11), der einen ersten Eingang (12) aufweist, der mit dem Leistungsbauelement (5) so verbunden ist, daß er mit einer Spannung proportional zu einem Strom versorgt ist, der durch das Leistungsbauelement fließt, und einen zweiten Eingang (14) hat, der mit einem Referenzspannungsgenerator (15) verbunden ist,

einen Signalgenerator (17), der mit einem Ausgang des Komparators (11) so verbunden ist, daß er ein Diagnosesignal erzeugt, immer wenn der Ausgang des Komparators (11) das Anwachsen der proportionalen Spannung über eine Referenzspannung hinaus, die durch den Referenzspannungsgenerator (15) erzeugt wird, anzeigt, und

Mittel (16), die empfindlich für die Temperatur des Leistungsbauelements (5) sind und auf den Referenzspannungsgenerator (15) so einwirken, daß die Referenzspannung als Reaktion auf einen Temperaturanstieg über eine vorher gesetzte Grenze hinaus vermindert wird.

2. Diagnoseschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Strom proportionale Spannung über einem Widerstand (6), der in Reihe mit dem Leistungsbauelement geschaltet ist, abgenommen wird.

3. Diagnoseschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (11), der Referenzspannungsgenerator (15), der Signalgenerator (17), die temperaturempfindlichen Mittel (16), das Leistungsbauelement (5) und der Widerstand (6) in einer einzigen integrierten Schaltung enthalten sind.

4. Diagnoseschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (11) hystereseartig ist.

5. Diagnoseschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die temperaturempfindlichen Mittel (16) auf den Referenzspannungsgenerator (15) so einwirken, daß die Referenzspannung in einer kontinuierlichen Weise innerhalb eines vorher gesetzten Bereichs der Temperatur vermindert wird.

6. Diagnoseschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (11)

eine Differenzstufe aufweist, die von zwei Transistoren (18, 19) gebildet wird, die eine gemeinsame Basis haben und mit Konstantstrom von einer Stromspiegelschaltung (20, 23, 24) versorgt werden,

wobei einer (18) der Transistoren (18, 19) durch einen Widerstand (6), der in Reihe mit dem Leistungsbauelement (5) liegt, polarisiert wird und

der andere (19) der Transistoren (18, 19) durch einen weiteren Widerstand (22), der die Referenzspannung bestimmt, polarisiert wird.

7. Diagnoseschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Komparator (11) auch Schaltungsmittel (26) umfaßt, die in Reaktion auf die Umschaltung der Differenzstufe (18, 19) in den Zustand, der dem Anstieg der stromproportionalen Spannung über die Referenzspannung hinaus entspricht, derart den Anstieg des Versorgungsstroms des Transistors (18) der Differenzstufe bestimmen, daß die inverse Umschaltung des Komparators (11) bei einer Spannung auftritt, die niedriger als die obige proportionale Spannung ist.

8. Diagnoseschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die temperaturempfindlichen Mittel (16) einen Spannungsteiler (32, 33) umfassen, der zur Polarisation eines Transistors (38) verwendet wird, der eingesetzt wird, um in den leitenden Zustand zu schalten, wenn die Temperatur über eine vorher gesetzte Grenze, die durch den Spannungsteiler (32, 33) bestimmt wird, hinaus geht, wobei der Transistor (38) auf die Spiegelstromschaltung (20, 23, 24) so einwirkt, daß der Konstantstrom, der den Transistoren der Differenzstufe (18, 19) des Komparators (11) zugeführt wird, vermindert wird und sich folglich die Referenzspannung verändert.

9. Diagnoseschaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der diagnostische Signalgenerator (17) durch einen Transitor mit offenem Kollektor (30) gebildet wird.