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DE60332344D1 - Verfahren zur herstellung eines sige heteroübergang-bipolartransistors - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines sige heteroübergang-bipolartransistors

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DE60332344D1
DE60332344D1 DE60332344T DE60332344T DE60332344D1 DE 60332344 D1 DE60332344 D1 DE 60332344D1 DE 60332344 T DE60332344 T DE 60332344T DE 60332344 T DE60332344 T DE 60332344T DE 60332344 D1 DE60332344 D1 DE 60332344D1
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DE
Germany
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layer
area opening
transistor area
bipolar transistor
heterover
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Application number
DE60332344T
Other languages
English (en)
Inventor
Petrus H Magnee
Johannes J Donkers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NXP BV
Original Assignee
NXP BV
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/80—Heterojunction BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
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