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DE60316624T2 - Anlage zum Behandeln von Substraten - Google Patents

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DE60316624T2
DE60316624T2 DE60316624T DE60316624T DE60316624T2 DE 60316624 T2 DE60316624 T2 DE 60316624T2 DE 60316624 T DE60316624 T DE 60316624T DE 60316624 T DE60316624 T DE 60316624T DE 60316624 T2 DE60316624 T2 DE 60316624T2
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DE
Germany
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carrier
path
vacuum
substrate
arrangement according
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DE60316624T
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Marinus Franciscus Johanus Evers
Peter Brier
Leonardus Peterus Maria Clijsen
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OTB Solar BV
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OTB Group BV
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Description

  • Diese Erfindung betriff eine Anordnung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.
  • Eine derartige Vorrichtung ist bekannt aus WO 01/06030 A1 . Diese Veröffentlichung betrifft ein System zum Dünnfilmauftrag auf Substrate. Durch das bekannte System wird eine Vakuumkammer mit Auftragvorrichtungen offenbart. In der Vakuumkammer ist eine Fördervorrichtung in Form einer sich kontinuierlich bewegenden Bahn offenbart, auf der die Substrate platziert werden. Nahe den Vakuumschleusen, über welche die Substrate in die Vakuumkammer eintreten, sind Lade-/Entlade-Plattformen vorhanden, die eine intermittierende Förderung nahe den Vakuumschleusen des bekannten Systems ermöglichen. Ein intermittierender und kontinuierlicher Transport in einer Vakuumumgebung ist ferner offenbart in US-3,521,765 .
  • Die Internationale Patentanmeldung WO 02/04697 des Anmelders offenbart eine Anordnung mit einer Fördervorrichtung, die durch eine Platte gebildet ist, auf der eine Anzahl von Substraten platziert werden kann. Während der Einführung eines Substrats in die Vakuumkammer oder des Entfernens eines Substrats aus der Vakuumkammer über eine Vakuumschleuse muss die Platte stillstehen. Dies hat zur Folge, dass während des Ladens und Entladens das nahe der Prozesskammer angeordnete Substrat ebenfalls stillsteht. Beim Vakuumauftrag jedoch ist es oft vorzuziehen, das Substrat während des Vakuumauftragvorgangs vorzubewegen. Die Vorbewegung des Substrats durch die Prozesskammer bewirkt die Ausbildung einer Schicht mit besserer Gleichförmigkeit. Die bekannte Vorrichtung ist nicht geeignet zum Bewegen eines Substrats durch eine oder entlang einer Prozesskammer, da bei diesem Fördersystem ein Stillstand des Substrats involviert ist.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung des im Oberbegriff aufgeführten Typs derart zu verbessern, dass dadurch das oben erläuterte Problem gelöst wird, und zu diesem Zweck schafft die Erfindung eine Vorrichtung, die durch die Merkmale von Anspruch 1 gekennzeichnet ist.
  • Eine derartige Vorrichtung bietet den Vorteil, dass die Substrate entlang der Prozesskammer bewegt werden können, in welcher der Vakuumauftrag stattfindet, während andernorts in der Anordnung ein Substrat in den Vakuumraum eingeführt werden kann oder aus diesem entfernt werden kann. Dadurch ergibt sich eine bessere Gleichförmigkeit der Dicke der in dem Vakuumauftragvorgang ausgebildeten Schicht.
  • Es wird ersichtlich sein, dass der Ausdruck "Vakuum" nicht im Sinne eines absoluten Vakuums aufgefasst werden sollte. Tatsächlich findet auch der Vakuumauftrag nicht in einem absoluten Vakuum statt. Bei einem PECVD- oder CVD-Vorgang wird ein Fluid wie z. B. Gas in die Prozesskammer eingeführt. Der Fachmann weiß, was mit Vakuum gemeint ist, nämlich konditionierte Umstände, d. h. Umstände, die während des Verarbeitens und/oder Transports der Substrate gewünscht sind und die dadurch erzeugt werden können, dass der Raum, in dem sich die Fördervorrichtung erstreckt, gegenüber der Umgebung abgeschlossen ist. Zu diesen konditionierten Umständen zählt auch ein Vakuumraum, der mit inertem Gas gefüllt ist.
  • Da die Träger unabhängig voneinander antreibbar sind, können einige Träger in der Anordnung kontinuierlich vorbewegt werden, während andere Träger in der Anordnung intermittierend vorbewegt werden. In dem Pfad, auf dem die Träger kontinuierlich vorbewegt werden, können sie miteinander gekoppelt werden, so dass eine geschlossene Serie von Trägern unter einer Prozesskammer oder einer Anzahl hintereinander angeordneter Prozesskammern vorbewegt werden kann. Die verhindert, dass die unter den Prozesskammern angeordneten Schienen aufgrund des Vakuumauftragvorgangs beschädigt werden. Ferner führt dies zu einer besseren Effizienz des Vakuumauftrags, da praktisch sämtliche Partikel, die während des Auftrags freigegeben werden, auf der Substratoberfläche enden und somit zu der Bildung der gewünschten Schicht auf der Substratoberfläche beitragen.
  • Ein Vorteil der Ausführungsform, welche die unabhängig antreibbaren Träger aufweist, besteht darin, dass die Träger individuell auf eine für das betreffende Substrat gewünschte Temperatur vorgeheizt werden können. Das Variieren des Vorheizens pro Substrat bildet somit eine der Möglichkeiten. Ferner kann bei der Träger-Ausführungsform die Art, in der das Substrat abgekühlt wird, individuell variiert werden. Dies ist der Fall, weil die Bewegungsgeschwindigkeit der Träger und somit die Zeit, während derer ein jeweiliger Träger in einen Erwärmungsweg und einem Kühlweg verbleibt, variiert werden kann. Ferner kann bzw. können die Schicht oder die Schichten, die während des Vakuumauftragvorgang aufgetragen werden soll bzw. sollen, in ihrer Dicke variiert werden, indem die Bewegungsgeschwindigkeit des betreffenden Trägers in diesem Weg variiert wird.
  • Anzumerken ist, dass US-5,881,649 ein magnetisches Transfersystem beschreibt, das in der Lage ist, einen Träger sanft zwischen Kammern zuzuführen, indem für jede Kammer eine unabhängig drehende Trägerzuführ-Antriebswelle vorgesehen ist, ohne dass ein Synchronsteuermechanismus verwendet wird, wobei dieses System auch für eine Halbleiterherstellungsapparatur oder dgl. verwendet wird, die mit mehreren Kammern versehen ist.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben und werden im Folgenden anhand zweier Ausführungsbeispiele im Zusammenhang mit der Zeichnung eingehender erläutert.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines ersten Ausführungsbeispiels der Anordnung gemäß der Erfindung;
  • 2 zeigt eine 1 ähnliche Ansicht unter Weglassung des Plattierens des Vakuumraums und der Verfahrenskammern sowie der Vakuumschleusen, so dass die Fördervorrichtung sichtbar ist;
  • 3 zeigt eine Draufsicht von oben auf die in 1 gezeigte Anordnung;
  • 4 zeigt eine entlang der Linie IV-IV in 3 angesetzte Schnittansicht;
  • 5 zeigt eine entlang der Linie V-V in 3 angesetzte Schnittansicht;
  • 6 zeigt eine entlang der Linie VI-VI in 3 angesetzte Schnittansicht;
  • 7 zeigt eine entlang der Linie VII-VII in 3 angesetzte Schnittansicht;
  • 8 zeigt eine Querschnittsansicht eines Trägers nahe einer Vakuumschleuse;
  • 9 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Trägers nahe einer Vakuumschleuse;
  • 10 zeigt eine perspektivische Unteransicht eines Trägers;
  • 11 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Trägers nahe dem Übergang zwischen dem vierten Pfad und dem ersten Pfad.
  • Das in 1 gezeigte Ausführungsbeispiel der Anordnung ist mit einem Vakuumraum 1 versehen, der sich entlang einer Fördervorrichtung 2 erstreckt. Das Födersystem 2, das in 2 detaillierter gezeigt ist, weist einen ersten Pfad 3 auf, auf dem sich die Träger 4 intermittierend vorbewegen. Das Fördersystem 2 ist ferner mit einem zweiten Pfad 5 versehen, auf dem sich die Träger 4 kontinuierlich vorbewegen. Ein Auslassende 3.1 ist über einen dritten Pfad 6 mit einem Zuführende 5.1. des zweiten Pfads 5 verbunden. Ein Auslassende 5.2 des zweiten Pfads 5 ist über einen vierten Pfad 7 mit einem Zuführende 3.2 des ersten Pfads 3 verbunden. Auf den zweiten, dritten und vierten Pfaden 5, 6 bzw. 7 bewegen sich die Träger 4 kontinuierlich vor. Auf dem ersten Pfad 3 bewegen sich die Träger 4 intermittierend vor. Auf dem ersten Pfad 3 und dem zweiten Pfad 5 verlaufen Schienen 8 bzw. 9. Die Träger 4 sind, wie in 8 deutlich gezeigt ist, mit einem Lager 10, 11 versehen, mittels dessen der Träger 4 über die Schienen 8, 9 bewegbar ist.
  • Wie 8 deutlich zeigt, ist der Träger 4 mit einem Basisteil 12 versehen, das über eine planparallele Feder 13 mit einem Zwischenteil 14 verbunden ist. Normalerweise ruht das Zwischenteil 14 auf Halteteilen 15, die mit dem Basisteil 12 verbunden sind. Die planparallele Feder 13 erlaubt jedoch eine vertikale Verlagerung des Zwischenteils 14 relativ zu dem Basisteil 12. Auf dem Zwischenteil 14 ist über eine wärmeisolierende Verbindung 16 ein Substratträgerteil 17 angeordnet, das mit einem Heizelement versehen ist. Das Heizelement kann ein auf dem Substratträgerteil 17 angeordnetes Substrat auf eine Temperatur von ungefähr 450°C heizen. Aufgrund der wärmeisolierenden Verbindung 16, die z. B. als Drei-Punkt-Haltestruktur mit sehr kleiner Kontaktfläche ausgebildet sein kann, nimmt das Zwischenteil 14 eine Temperatur von höchstens ungefähr 120°C an. Da die Verbindung zwischen dem Zwischenteil 14 und dem Basisteil 12 über die planparallele Feder 13 gebildet worden ist, kann auch hier eine beträchtliche Wärmeisolierung erzielt werden, so dass das Basisteil eine Temperatur von höchstens ungefähr 60°C erreicht. Nahe den Vakuumschleusen 18, 19 – und, in diesem Zusammenhang, auch nahe einer Station 20, in der Restmaterial von dem Substratträgerteil 17 her aufgesaugt werden kann, und nahe Stationen 21, 22, in denen das Substratträgerteil 17 im Vakuumraum optional einer Reinigungs-Ätzoperation unterzogen werden kann – sind Hochdrückelemente 23 vorhanden, mittels derer das Zwischenteil 14 des Trägerteils 4 nach oben gedrückt werden kann. Somit kann das Zwischenteil 14 gegen einen unteren Rand einer Begrenzung 24 einer Vakuumschleusenöffnung gedrückt werden, so dass das Substratträgerteil 17 in der Öffnung der Vakuumschleuse 18, 19 angeordnet ist und gegenüber dem Vakuumraum 1 isoliert ist. Anschließend kann die Abdeckung 46, 47 (siehe 4) von der Begrenzung 24 der Vakuumschleuse 18, 19 abgenommen werden, so dass die Substrate von dem Substratträgerteil 17 entfernt werden können. Es versteht sich, dass eine beträchtliche Kraft erforderlich ist, um das Zwischenteil 14 gegen den unteren Rand der Begrenzung 24 gedrückt zu halten, wenn die Abdeckung 46, 47 von der Begrenzung 24 der Vakuumschleuse 18, 19 abgenommen worden ist, da unter diesen Umständen der Atmosphäredruck dazu tendiert, das Zwischenteil 14 kraftvoll nach unten zu drücken. Um dieser Kraft zu widerstehen, werden bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die Hochdruckelemente 23 mittels eines Kippgelenk-Hebelsystems 26 auf- und abbewegt. Das Kippgelenk-Hebelsystem 26 ist in 9 deutlich gezeigt und wird durch eine Kolben-/Zylinder-Vorrichtung 27 aktiviert.
  • 8 zeigt ferner eine Bodenwand 28 und eine Oberwand 29, die den Vakuumraum 1 begrenzen. In dem Basisteil 12 des Trägers 4 ist eine Folge von Magneten 30 angeordnet. Diese Folge von Magneten 30 ist auch in 10 deutlich erkennbar. Die Magnete 30 sind Teil des Antriebs des Trägers 4. Außerhalb des Vakuumraums 1 ist unter der Bodenwand 28 eine Folge von Spulen 31 angeordnet. Die Spulen 31 können derart angeregt werden, dass die Träger 4 mit jeder gewünschten Geschwindigkeit über die Schienen b8 bzw. 9 vorbewegt werden können. Um die Förderbewegung der Träger 4 auf dem dritten und dem vierten Weg 6 bzw. 7 zu ermöglichen, sind diese Wege mit Querschienen 33 bzw. 34 versehen. Über diese Querschienen 33, 34 ist ein Querförderträger 35 bzw. 36 bewegbar.
  • Der Querförderträger 36 des vierten Pfads 7 ist in 11 detaillierter gezeigt. Es ist deutlich erkennbar, dass der Querförderträger 36 mit Schienenteilen 37 versehen ist, die rechtwinklig zu den Querschienen 34 verlaufen und die mit den Schienen 8 bzw. 9 der ersten und zweiten Wege 3 bzw. 5 ausgerichtet werden können. Der Querförderträger 36 ist ferner mit Magneten 38 versehen, die mit Spulen 39 zusammenwirken. Die Spulen 39 sind außerhalb des Gehäuses des Vakuumraums 1 angeordnet.
  • Aus 1 ist ferner ersichtlich, dass hinter der Vakuumschleuse 19 zum Einführen eines Substrats in den Vakuumraum ein Träger 4 auf den dritten Pfad 6 bewegt wird. Auf dem dritten Pfad wird der Träger 4 mit Hilfe des Querför derträgers 35 in der Richtung des zweiten Pfads 5 bewegt. Auf dem dritten Pfad 6 sind Vorwärmlampen angeordnet, mittels derer das Substrat auf eine Temperatur von ungefähr 300°C vorgewärmt werden kann. Als nächstes bewegt sich der Träger 4 auf den zweiten Pfad 5, und dort erfolgt ein weiteres Heizen des Substrats auf ungefähr 400°C. Dieses weitere Heizen wird mit Hilfe des in dem Substratträgerteil 17 enthaltenen Heizelements durchgeführt. Das Substrat passiert während seiner weiteren Bewegung eine Anzahl von Vorgangskammern 40, 41, 42, in denen eine Anzahl von Vakuumauftragvorgängen stattfindet. Dabei kann z. B. ein Sputter- oder ein PECVD-Vorgang vorgesehen sein. Wie in 2 und 7 deutlich gezeigt ist, sind die Träger miteinander verbunden, so dass die Substratträgerteile 17 der aufeinanderfolgenden Träger eine durchgehende Oberfläche bilden. Dies verhindert, dass aufgrund des Vakuumauftrags die Fördervorrichtung, wie z. B. die Schienen 9, verschmutzt wird. Zur weiteren Reduzierung einer derartigen Verschmutzung ist jedes Zwischenteil 14 an einem stromaufwärtigen Ende mit einer Nase 43 und an einem stromabwärtigen Ende mit einer Ausnehmung 44 versehen, in der die Nase 43 aufnehmbar ist. Somit wird eine Art von Labyrinth gebildet, welches verhindert, dass von dem Vakuumauftragvorgang stammende Partikel die Transportschienen 8, 9 oder die Basisteile 12 mit den darin enthaltenen Lagern 10, 11 verschmutzen. Stromabwärts von den Vorgangskammern 40, 41, 42 erfolgt in dem zweiten bzw. vierten Weg 5 bzw. 7 eine Kühlung des Substrats auf ungefähr 150°C. Nahe einem Zuführende des ersten Pfads 3 sind weitere Kühlvorrichtungen vorgesehen, um die Substrate weiter auf 60° zu kühlen. Die weiteren Kühlvorrichtungen können Spülvorrichtungen 44 aufweisen, um ein Umspülen des Substrats mit einem Gas wie z. B. Stickstoff zu bewirken. Stromabwärts dieser weiteren Kühlvorrichtungen 44 ist eine Vakuumschleuse 18 angeordnet, um die Entnahme des Substrats aus der Anordnung zu ermöglichen. Stromabwärts der zur Entnahme der Substrate vorgesehenen Vakuumschleuse 18 ist eine Reinigungsstation 20 angeordnet. Eine derartige Reinigungsstation kann z. B. einen Staubsauger aufweisen, um das Substratträgerteil 17 durch Absaugen zu reinigen.
  • Ferner sind bei dem hier erläuterten Ausführungsbeispiel stromabwärts von der Reinigungsstation 20 zwei Ätzstationen 20, 21 vorgesehen, um den Träger 4, zumindest dessen Substratträgerteil 17, durch Ätzen zu reinigen.
  • 1 zeigt zusätzlich eine Trägerzuführ- und/oder -ausgabestation 45 zum Zuführen bzw. Ausgeben von Trägern in den bzw. aus dem Vakuumraum 1 der Anordnung. Diese Trägerzuführ- und/oder -ausgabestation 45 ist selbstverständlich auch mit einer Luftschleuse versehen, um zu verhindern, dass das Vakuum in dem Vakuumraum 1 während der Einführung eines Trägers 4 in den Vakuumraum 1 gestört wird.
  • Es versteht sich, dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass innerhalb des durch die Ansprüche definierten Umfangs der Erfindung verschiedenen Modifikationen möglich sind. Obwohl die Träger bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel dahingehend gezeigt sind, dass sie eine im Wesentlichen horizontale Haltefläche aufweisen, wird ersichtlich sein, dass auch Ausführungsformen, bei denen die Substrate von den Trägern in einer nichthorizontalen Position wie z. B. einer vertikalen oder winkligen Position getragen werden oder unter einem Träger aufgehängt sind, in den durch die Ansprüche definierten Umfang der Erfindung fallen. Derartige alternative Positionen der Substrate können dazu beitragen, eine Verschmutzung der Substrate zu verhindern oder zu reduzieren.
  • Anzumerken ist, dass unter einer kontinuierlichen Förderung nicht ausschließlich eine mit konstanter Geschwindigkeit erfolgende Förderung, sondern eine ununterbrochene Förderung zu verstehen ist. Eine kontinuierlichen Förderung kann durchaus auch ein Variieren der Geschwindigkeit des Trägers umfassen. Natürlich besteht auch die Möglichkeit einer kontinuierlichen Förderung mit konstanter Geschwindigkeit.

Claims (16)

  1. Anordnung zur Bearbeitung von Substraten, wobei die Bearbeitung ein Verfahren zur Abscheidung im Vakuum wie beispielsweise Sputtern, CVD oder PECVD umfasst, wobei das Verfahren zur Abscheidung im Vakuum in wenigstens einer Verfahrenskammer durchgeführt wird, die Anordnung mit einer Fördervorrichtung zum Bewegen der Substrate von einer Vakuumschleuse zu einer Verfahrenskammer ausgestattet ist, wobei die Fördervorrichtung, die sich in einen Vakuumraum erstreckt und ein kontinuierliches Fördern eines Substrats in die Nähe der wenigstens einen Verfahrenskammer ermöglicht und ein intermittierendes Fördern in die Nähe der wenigstens einen Vakuumschleuse ermöglicht, dadurch gekennzeichnet ist, dass die Fördervorrichtung eine Anzahl von Trägern umfasst, die im Vakuumraum bewegbar sind, wobei der Antrieb eines jeden Trägers unabhängig vom Antrieb der anderen Träger steuerbar ist, wobei jeder Träger mit mehreren Magneten versehen ist, wobei außerhalb des Vakuumraums in der Nähe der Positionen, entlang derer die Magneten der Träger sich bewegen, Spulen angeordnet sind, die so angeregt werden können, dass sie ein Vorrücken der Träger bewirken.
  2. Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Fördervorrichtung ein Schienensystem umfasst, das Schienen umfasst, die sich in den Vakuumraum erstrecken, wobei das Schienensystem weiterhin die Anzahl der Träger umfasst, wobei die Träger auf den Schienen bewegbar sind.
  3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Träger ein Sockelteil umfasst, in das ein Lager eingefügt ist, mittels dessen der Träger auf den Schienen bewegbar ist, wobei der Träger einen Zwischenteil umfasst, der mit dem Sockelteil so verbunden ist, dass er in vertikaler Richtung bewegbar ist, wobei ein Substratträgerteil an dem Zwischenteil angebracht ist, wobei diese Anbringung eine thermische Isolierung zwischen dem Zwischenteil und dem Substratträgerteil bildet.
  4. Anordnung nach Anspruch 3, wobei das Substratträgerteil mit einem Heizelement versehen ist.
  5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein stromaufwärtiges Teil eines Zwischenteils mit einer Nase versehen ist, während ein stromabwärtiges Teil des Zwischenteils mit einer Ausnehmung versehen ist, in der die Nase eines stromabwärtigen Trägers aufnehmbar ist, oder umgekehrt, so dass die unter den Zwischenteilen befindlichen Komponenten abgeschirmt werden.
  6. Anordnung wenigstens nach Anspruch 3, wobei in der Nähe der diskreten Positionen, die die Träger beispielsweise unter einer Vakuumschleuse einnahmen können, im Vakuumraum Hochdruckelemente vorhanden sind, die am Zwischenteil eines jeweiligen Trägers angreifen und die mittels eines Energetisierungsmechanismus auf und ab bewegt werden können.
  7. Anordnung nach Anspruch 6, wobei der Energetisierungsmechanismus ein Kniehebelsystem umfasst, dass außerhalb des Vakuumraums angeordnet ist, wobei die Hochdruckelemente über einen Faltenbalg mit einer unteren Wandung des Vakuumraums verbunden sind.
  8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei ein erster Pfad der Fördervorrichtung mehrere diskrete Positionen umfasst, das Fördern der Träger im ersten Pfad intermittierend erfolgt, während ein zweiter Pfad der Fördervorrichtung zur kontinuierlichen Förderung der Träger ausgebildet ist.
  9. Anordnung nach Anspruch 8, wobei ein Austragsende des ersten Pfades über einen dritten Pfad mit einem Zuführungsende des zweiten Pfades verbunden ist.
  10. Anordnung nach Anspruch 8 oder 9, wobei ein Austragsende des zweiten Pfades über einen vierten Pfad mit einem Zuführungsende des ersten Pfades verbunden ist.
  11. Anordnung nach Anspruch 9 und/oder 10, wobei der dritte und/oder der vierte Pfad sich senkrecht zum ersten und zum zweiten Pfad erstrecken, wobei der dritte und/oder der vierte Pfad mit Querschienen und einem Querförderträger versehen ist, wobei der Querförderträger so angeordnet ist, dass ein Träger darauf angeordnet wird, wobei der Querförderträger mit Schienenteilen ausgestattet ist, die sich senkrecht zu den Querschienen erstrecken und die auf die Schienen des ersten und des zweiten Pfades ausgerichtet werden können.
  12. Anordnung nach Anspruch 9, 10 und 11, wobei der erste Pfad eine Vakuumschleuse zur Zuführung von Substraten einschließt, wobei der dritte Pfad Heizvorrichtungen zum Bewirken eines Vorheizens des Substrats von Umgebungstemperatur auf eine Temperatur von etwa 300°C einschließt, wobei der zweite Pfad Heizvorrichtungen zum Bewirken eines Vorheizens des Substrats auf etwa 400°C einschließt, wonach der zweite Pfad mehrere Kammern zur Abscheidung im Vakuum einschließt, entlang derer ein jeweiliges Substrat kontinuierlich bewegbar ist, wonach der zweite und der vierte Pfad Kühlvorrichtungen zum Bewirken eines Abkühlens auf etwa 150°C einschließen, und in der Nähe eines Zuführungsendes des ersten Pfades weitere Kühlvorrichtungen zum weiteren Abkühlen der Substrate auf 60°C ausgebildet sind, wobei stromabwärts von diesen weiteren Kühlvorrichtungen eine Vakuumschleuse zum Entnehmen des Substrats aus dem Vakuumraum vorgesehen ist.
  13. Anordnung nach Anspruch 12, wobei die weiteren Kühlvorrichtungen Spülvorrichtungen umfassen, wodurch bewirkt wird, dass das Substrat von einem Gas wie beispielsweise Stickstoff umströmt wird.
  14. Anordnung nach Anspruch 12, wobei stromabwärts von der Vakuumschleuse zum Entnehmen eines Substrats eine Reinigungsstation angeordnet ist.
  15. Anordnung nach Anspruch 14, wobei stromabwärts von der Reinigungsstation wenigstens eine Ätzstation ausgebildet ist, um den Träger, wenigstens den Substratträgerteil davon, sauber zu ätzen.
  16. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der Vakuumraum mit einer Trägerzuführungs- und/oder -austragsstation zum Zuführen bzw. Austragen von Trägern in bzw. aus dem Vakuumraum der Anordnung versehen ist.
DE60316624T 2002-05-21 2003-05-20 Anlage zum Behandeln von Substraten Expired - Lifetime DE60316624T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1020633 2002-05-21
NL1020633A NL1020633C2 (nl) 2002-05-21 2002-05-21 Samenstel voor het behandelen van substraten.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60316624D1 DE60316624D1 (de) 2007-11-15
DE60316624T2 true DE60316624T2 (de) 2008-07-24

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60316624T Expired - Lifetime DE60316624T2 (de) 2002-05-21 2003-05-20 Anlage zum Behandeln von Substraten

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US (1) US7351292B2 (de)
EP (1) EP1365040B1 (de)
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