DE488685C - Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Staeben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse - Google Patents
Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Staeben aus siliziumkarbidhaltiger WiderstandsmasseInfo
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- DE488685C DE488685C DES84497D DES0084497D DE488685C DE 488685 C DE488685 C DE 488685C DE S84497 D DES84497 D DE S84497D DE S0084497 D DES0084497 D DE S0084497D DE 488685 C DE488685 C DE 488685C
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- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/146—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the resistive element surrounding the terminal
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Description
- Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Stäben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse Um Widerstandsstäbe, die aus siliziumkarbidhaltiger Masse bestehen, an ihren Enden besserleitend zu machen, wird erfindungsgemäß zwischen dem Stabende und einer anderen Elektrode ein Lichtbogen gebildet, und zwar in einer siliziumdampfhaltigen Atmosphäre.
- Die Verbesserung der Leitfähigkeit an den Enden solcher Stäbe hat in erster Linie den Zweck, die Stromzuführung zu den Stäben zu erleichtern und bei Heizstäben gleichzeitig eine Herabsetzung der Temperatur an den Enden des Stabes zu erzielen. Durch das; neue Verfahren wird die Leitfähigkeit in besonders einfacher und sicherer Weise erhöht. Die Wirkung beruht darauf, daß der Stäb sich teils durch den Stromdurchgang, teils durch den Lichtbogen erhitzt und bei Erreichung einer bestimmten Temperatur Siliziumdampf absorbiert, so daß er nach ganz kurzer Zeit höhere Leitfähigkeit an der behandelten Stelle annimmt.
- Ebenso wie man ein Stabende behandelt, kann man natürlich auch irgendeine andere Stelle des Stabes, an der höhere Leitfähigkeit erzielt werden soll, behandeln.
- Am einfachsten erhält man die Siliziumdampfatmosphäre, wenn man den Lichtbogen zwischen dem Widerstandsstab und einem Siliziumkörper bildet. Der Siliziumkörpex wird dabei zweckmäßig in Form einer Schmelze verwendet, . in die man dann den zu behandelnden Stab nur einzutauchen braucht, worauf durch Herausziehen des Stabes aus der Schmelze ein Lichtbogen gebildet wird. Wenn hierbei die Gefahr besteht, daß durch Luftzutritt zu große Mengen des sich bildenden Siliziumdampfes zu Kieselsäure verbrennen, so wird man besondeare Vorkehrungen treffen, um die Luft fernzuhalten. Am besten schließt man den Luftzutritt durch eine geeignete Bettung aus, die die Berührungsstelle umgibt. Man kann dabei aber auch die Bettung so wählen, daß sie selbst unter dem Einüuß7 der Lichtbogenhitze Siliziumdämpfe entwickelt. Solche Bettunzen sind an sich durchaus bekannt; sie können z. B. aus Sand und Kohle bestehen. Verwendet man eine solche Bettung, dann kann man vorteilhaft zwei Widerstandsstäbe zur Bildung des Lichtbogens verwenden, die dann beide gleichzeitig an ihren Enden besserleitend werden. Man geht dabei am besten so vor, daß man die beiden Stäbe zunächst miteinander in Berührung bringt, bis sie durch den hindurchgehenden Strom stark erhitzt sind und dann erst den Lichtbogen bildet, indem man die Stäbe etwas auseinanderzieht. Die Erhitzung geschieht zweckmäßig mit einem so hohen Strom, daß die Stäbe an ihrer Berührungsstelle bis nahe an ihre Zersetzungstemperaturerhitzt werden. Man kann auch derartig vorgehen, daß man die Stabenden tatsächlich sich bis auf diel Zersetzungstemperatur erhitzen läßt, _ wobei. dann der Lichtbogen sich von selbst bildet. Dieses Verfahren schließt jedoch im allgomeinen eine gewisse Unsicherheit ein, so daß es für die Herstellung zumeist vorzuziehen ist, die Stäbe auseinanderzuziehen, sobald die günstigste Temperatur :erreicht ist, was, unter sonst gleichen Uniständeri, nach einer bestimmten, durch die Erfahrung festzustellenden Zeit eintritt. Man kann beispielsweise die miteinander in Berührung stehenden Stäbe zunächst bis auf helle Rotglut erhitzen, alsdann die Stäbe auseinanderziehen, so daß sich ein Lichtbogen bildet und hiernach die Stromstärke nochmals steigern. Nach wenigen Minuten sind dann die Enden der Stäbe in weitgehendem Maße siliziert.
- Verwendet man rohrförmige Stäbe, so ist es vorteilhaft, an dem zu behandelnden Rohrende einen Einsatzkörper aus silhiumkarbidhaltiger Widerstandsmasse anzubringen. Dadurch wird eine gleichmäßigere Behandlung im Lichtbogen gewährleistet und gleichzeitig die Leitfähigkeit des Endes erhöht. Vorteilhaft ist es dabei, den Einsatzkörper aus einer Widerstandsmasse herzustellen, die höhere Leitfähigkeit besitzt als der Stab selbst. Besonders bei Rohren von relativ großer Wandstärke und kleiner Bohrung ist die Verwendung solcher Einsatzkörper von hoher Leitfähigkeit angebracht. Man kann die Erhitzung im Lichtbogen alsdann leicht derart leiten, daß der Einsatzkörper mit dem Rohr verschweißt, so daß ein guter Kontakt gewährleistet wird. Gleichzeitig bilden auch die so behandelten Rohrenden einen wesentlich besseren Schutz gegen mechanische Bieschädigungen des Rohres.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Stäben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem zu behandelnden Stabteil und einer anderen Elektrode ein Lichtbogen in einer siliziumdampfhaltigen Atmosphäre gebildet wird. a. Verfahren nach Anspruch i, dadurch .gekennzeichnet, daß zwischen dem zu behandelnden Teil des Widerstandsstahes und einem Silizlumkörper ein Lichtbogen gebildet wird. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zu behandelnde Stelle des Widerstandsstabes in eine Schmelze von Silizium eingetaucht wird, worauf durch Herausziehen des Stabes aus der Schmelze ein Lichtbogen gebildet wird. q.. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtbogen in einer Bettung gebildet -wird, die durch die Lichtbogenhitze Siliziumdämpfe entwickelt. 5. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Widerstandsstäbe miteinander-in Berührung gebracht und die Berührungsstelle mit einer in der Hitze Siliziumdampf entwickelnden Bettungsmasse umgeben wird, worauf die beiden Stäbe durch Hindurchleiten eines Stromes erhitzt und dann zur Bildung eines Lichtbogens auseinandergezogen werden. 6. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß rohrförmige Stäbe verwendet werden, die an ihren Enden einen Einsatzkörper aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse enthalten. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Einsatzkörper verwendet wird, der höhere Leitfähigkeit besitzt als die Widerstandsmasse des Rohres. B. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß * die Erhitzung im Lichtbogen derart geleitet wird, daß der Einsatzkörper mit dem Rohr verschweißt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84497D DE488685C (de) | 1928-03-03 | 1928-03-03 | Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Staeben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES84497D DE488685C (de) | 1928-03-03 | 1928-03-03 | Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Staeben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE488685C true DE488685C (de) | 1929-12-31 |
Family
ID=7511754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES84497D Expired DE488685C (de) | 1928-03-03 | 1928-03-03 | Verfahren zur Herstellung gutleitender Stellen an Staeben aus siliziumkarbidhaltiger Widerstandsmasse |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE488685C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1052006B (de) * | 1955-02-28 | 1959-03-05 | Siemens Planiawerke Ag | Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbid-Heizstaeben |
-
1928
- 1928-03-03 DE DES84497D patent/DE488685C/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE1052006B (de) * | 1955-02-28 | 1959-03-05 | Siemens Planiawerke Ag | Verfahren zur Herstellung von Siliciumkarbid-Heizstaeben |
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