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DE4339184A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit ebener Struktur aus III-V-Material - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit ebener Struktur aus III-V-Material

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Publication number
DE4339184A1
DE4339184A1 DE4339184A DE4339184A DE4339184A1 DE 4339184 A1 DE4339184 A1 DE 4339184A1 DE 4339184 A DE4339184 A DE 4339184A DE 4339184 A DE4339184 A DE 4339184A DE 4339184 A1 DE4339184 A1 DE 4339184A1
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DE
Germany
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layer
iii
elements
active
inp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4339184A
Other languages
English (en)
Inventor
Andrei Mircea
Abdallah Ougazzaden
Robert Mellet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Orange SA
Original Assignee
France Telecom SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by France Telecom SA filed Critical France Telecom SA
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Her­ stellung einer Halbleitervorrichtung mit ebener Struktur aus III-V-Material gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1, wobei diese Halbleitervorrichtung elektronische oder optoelektronische Eigenschaften besitzen kann.
Die Erfindung hat somit ihre Anwendung genauer im Gebiet der Laser, der Lichtmodulatoren, der Lichtwellenleiter, der Photodetektoren, der Transistoren und anderer diskre­ ter oder integrierter Halbleitervorrichtungen, die im Gebiet der Telekommunikation mittels Lichtleitfasern, des Fernsehens, der Informatik und der Telemetrie verwendbar sind.
Die Halbleitervorrichtungen, auf die die Erfindung insbe­ sondere angewendet wird, verwenden als Halbleitermateria­ lien Verbindungen auf der Basis von Elementen der Gruppen 111 und V des Periodensystems der chemischen Elemente, die in Heterostrukturen angeordnet sind.
Eine Heterostruktur ist aus einem oder mehreren Halblei­ tern mit schmalem verbotenen Energieband, der sogenannten aktiven Region, gebildet, die auf jeder Seite von Halb­ leiterschichten mit unterschiedlichen Zusammensetzungen umgeben sind, deren verbotenes Energieband größer als dasjenige der aktiven Region ist und die die doppelte Aufgabe sowohl des elektrischen als auch des optischen Einschlusses haben.
Es ist üblich, die aktive Region mit dem Namen "eingegrabene" Region zu bezeichnen, weil sie vollständig von dem Halbleiter mit größerem verbotenen Band umgeben ist.
Die typischen Beispiele von Heterostrukturen aus III-V- Materialien enthalten:
  • - eine aktive Region aus GaAs, die von einer oder mehreren Legierungen aus Ga1-aAlaAs mit O a < 1 umgeben ist, beispielsweise für eine Laseremission mit 0,8 µm;
  • - eine aktive Region aus der Legierung InbGa1-bAScP1-c mit O b 1 und O c 1, umgeben von InP, beispielsweise für eine Laseremission mit 1,3 µm oder 1,5 µm.
Diese Heterostrukturen werden auf Substraten aus GaAs bzw. InP durch eines der folgenden Wachstumsverfahren aufgebracht: Flüssigphasen-Epitaxie, Gasphasen-Epitaxie, Molekularstrahl-Epitaxie.
Es sind mehrere Verfahren vorhanden, mit denen die aktive Region und deren Eingrabung verwirklicht werden können. Gewisse dieser Verfahren basieren auf einem einzigen Epi­ taxievorgang, die meisten dieser Verfahren benutzen je­ doch mehrere, wenigstens zwei Epitaxievorgänge.
Zur Veranschaulichung des Standes der Technik und zur Erläuterung ihrer Nachteile ist in Fig. 3 schematisch und im Querschnitt eine Halbleiter-Laservorrichtung gezeigt, die durch Gasphasen-Epitaxie gemäß dem sogenannten "Buried Ridge Structure"-Verfahren (BRS-Verfahren), J.c. Bouley u. a., 9th IEEE International Semiconductor Laser Conference, Paper D-4, 1984, verwirklicht ist.
Diese Vorrichtung enthält eine aktive Region 2 aus einer InGaAsP-Legierung, die eventuell von einer Schicht 4 be­ deckt ist, die dem Schutz dient oder ein Bragg-Gitter bildet und ebenfalls aus InGaAsP mit einer Zusammenset­ zung gebildet ist, derart, daß die Breite des verbotenen Bandes der Schicht 4 größer als diejenige der aktiven Schicht 2 ist.
Die Schicht 4 und die Schicht 2 werden geätzt, um ein aktives Band 6 zu bilden, das eine Dicke von 0,1 bis 1 µm und eine Breite von 1 bis 10 µm besitzt.
Dieser aktive Streifen 6 ist an sämtlichen Seiten von einem Halbleitermaterial 8 mit einem verbotenen Band, das größer als dasjenige der aktiven Schicht 2 ist und im allgemeinen aus InP besteht, umgeben. So ist der Streifen 6 mit einem p-dotierten Material 8 aus InP bedeckt und ruht auf einem Material 10 aus InP vom Typ n auf, welches aus einer Pufferschicht 10a besteht, das auf einem Substrat 10b mit derselben Zusammensetzung epitaktisch aufgewachsen ist.
In dieser Struktur ist außerdem an der Unterseite des Substrats 10b eine Leiterelektrode 12 vorhanden. Ebenso ist das Material 8 vom Typ p mit einer Schicht 14 für den elektrischen Kontakt aus InP vom Typ p⁺ bedeckt, die ihrerseits eine metallische Elektrode 16 trägt. Die Elek­ troden 12 und 16 sind im allgemeinen aus Gold.
Die Materialien 8 und 10 gewährleisten den vertikalen Einschluß des Lichts. Der seitliche Einschluß dieses Lichts wird durch die seitlichen Zonen 18 und 20 gewähr­ leistet, die durch Implantierung von Protonen in das Ma­ terial 8 erhalten werden.
Diese Heterostruktur verwendet zwei Epitaxiestufen von Halbleitern. Diese Stufen sind im Querschnitt in den Fig. 4a, 4b und 4c veranschaulicht.
Die erste Epitaxiestufe besteht, wie in Fig. 4a gezeigt ist, darin, die Pufferschicht 10a aus InP vom Typ n auf dem Substrat 10b und dann darauf die aktive Schicht 2 aus InGaAsP und eventuell die Schicht 4, die ebenfalls aus InGaAsP besteht, aufwachsen zu lassen. Die Schichten 2 und 4 sind nicht absichtlich dotiert.
Dann wird mit den herkömmlichen Photolithographieverfah­ ren eine lichtempfindliche Harzmaske 22 gebildet, die die Querabmessungen des zu verwirklichenden aktiven Streifens 6 festlegt. Anschließend wird, wie in Fig. 4b gezeigt ist, eine Ätzung der Schichten 4 und 2 bis in die Puffer­ schicht 10a vorgenommen. Diese Ätzung kann durch ein Trockenverfahren unter Verwendung von Hochfrequenz-Plas­ men oder durch ein Naßverfahren unter Verwendung von che­ misch zerlegenden Lösungen ausgeführt werden.
Dann wird, wie in Fig. 4c gezeigt ist, eine zweite Epita­ xiestufe ausgeführt, die darin besteht, auf dem vorher definierten aktiven Streifen 6 den oberen Halbleiter 8 aufzubringen. Die Schicht 8 wird anschließend mit der Schicht 14 für den elektrischen Kontakt bedeckt, die ebenfalls durch Epitaxie aufgebracht wird.
Die Herstellung ist durch die Aufbringung von Elektroden beiderseits der Struktur abgeschlossen.
Obwohl diese BRS-Struktur große Vorteile sowohl hinsicht­ lich der einfachen Herstellung als auch hinsichtlich der guten optischen und elektrischen Leistungen der auf diese Weise verwirklichten Vorrichtungen besitzt, ist es indes­ sen notwendig, die Epitaxie der verschiedenen Halbleiter­ materialien und insbesondere die zweite Epitaxiestufe vollständig zu beherrschen, um gute Eigenschaften zu er­ halten.
Die beiden wesentlichen Erfolgskriterien sind: einerseits die gute Ebenheit der in Fig. 3 mit 24 bezeichneten obe­ ren Fläche der Struktur und andererseits die gute kri­ stalline und elektrische Qualität der epitaktischen Grenzfläche 26 zwischen den beiden Bereichen 8 und 10 aus InP.
Die Flüssigphasen-Epitaxie führt zu einer guten Ebenheit der Struktur und zu einer guten Grenzflächenqualität, sie weist jedoch andere Nachteile auf, etwa die unvollkommene Steuerung der Dicke der aufgebrachten Schichten und die Schwierigkeit der Verwendung auf großen Oberflächen ( 1 cm2).
Die Gasphasen-Epitaxie führt zu guten Ergebnissen (siehe hierzu das Dokument J. Charil u. a. Electronics Letters, Bd. 25 (1989), S. 1477).
Als Reaktant werden für die Elemente der Gruppe V Hydride wie etwa Phosphin oder Arsin und für die Elemente der Gruppe III Organometallverbindungen wie etwa Trimethyl­ gallium oder Triethylgallium für die Erzeugung von Gal­ lium und Trimethylindium oder Triethylindium für die Er­ zeugung von Indium verwendet. Diese Gasphasen-Epitaxie erlaubt nicht die Gewinnung einer guten Ebenheit der Struktur; der Verlaufsunterschied zwischen der Puffer­ schicht 10a und der Oberfläche des Streifens 6 findet sich vollständig wieder in der Oberfläche der Einschluß­ schicht 8.
Die mangelhafte Ebenheit kann Risse in der Schicht 14 für den elektrischen Kontakt und in der Elektrode 16 nach sich ziehen, was zu Stromunterbrechungen und daher zu einer schlechten Laserfunktion führt.
Um annehmbare Ergebnisse zu erhalten, ist es außerdem notwendig, die Mengen der Reaktanten, die das oder die Elemente der Gruppe V (die in Form von Phosphin PH3 oder Arsin AsH3 eingeleitet werden) enthalten, stark zu erhöhen, was zu einer empfindlichen Erhöhung der Herstel­ lungskosten führt, nicht nur wegen der Kosten der Reak­ tanten, sondern auch wegen der Erhöhung der Kapazität der zugehörigen Anlagen, die bei der hohen Giftigkeit dieser Produkte die Sicherheit der Fertigung gewährleisten, so­ wie wegen der Erhöhung der Wartungskosten der Geräte. Selbst unter diesen Bedingungen ist die erhaltene Eben­ heit nicht vollkommen zufriedenstellend.
Eine andere Art der Verbesserung der Ebenheit der Struk­ tur in dem Verfahren der Gasphasen-Epitaxie besteht darin, die zweite Epitaxiestufe bei einer sehr hohen Wachstumstemperatur (< 700°C) auszuführen, dieses Verfah­ ren ist jedoch aufgrund der Verschlechterung der Lei­ stungseigenschaften, die es nach sich zieht und die ins­ besondere durch die wechselseitige Diffusion der ver­ schiedenen konstituierenden Elemente der Struktur bei hoher Temperatur verursacht wird, industriell nicht wirk­ lich nutzbar.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit ebener Struktur aus III-V-Material zu schaffen, das die Gasphasen-Epitaxie verwendet und nicht die obenerwähnten Nachteile besitzt.
Hierzu schlägt die Erfindung die Verwendung von neuarti­ gen Reaktanten für die Elemente der Gruppe V vor, wobei die gegenwärtig zusammen mit den besonderen Reaktanten für die Elemente der Gruppe III verwendeten Hydride er­ setzt werden. Außerdem sind die Wachstumsparameter abge­ wandelt und an diese neuen Reaktanten angepaßt. Auf diese Weise wird die Wachstumstemperatur der Halbleitermateria­ lien gegenüber den im Stand der Technik gegenwärtig ver­ wendeten optimalen Werten erheblich abgesenkt.
Genauer wird die obenerwähnte Aufgabe der vorliegenden Erfindung gelöst durch ein Verfahren der gattungsgemäßen Art zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das die im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 angegebenen Merkmale besitzt.
Die Erfinder haben nämlich festgestellt, daß die Verwen­ dung von organischen Verbindungen sowohl für das oder die Elemente der Gruppe III als auch für das oder die Elemen­ te der Gruppe V des Materials eine gute Ebenheit der Struktur zu gewinnen erlauben. Der Mechanismus, der die­ ses Ergebnisse bestimmt, besteht in einer Abwandlung der Oberflächenbeweglichkeit der Arten, welche die Elemente III enthalten, die an der Oberfläche im Laufe des Wachs­ tums adsorbiert werden.
Ebenso wird die n- oder p-Dotierung der epitaktisch ge­ wachsenen Einschlußschicht dadurch gewährleistet, daß die organischen Verbindungen oder Hydride als Zwischenstoff verwendet werden. Die geringe Menge des Dotierstoffs be­ einflußt die Ebenheit der Struktur nicht, weshalb die Verwendung von Hydriden möglich ist.
Unter Träger ist entweder ein einzelnes monokristallines Substrat oder ein Stapel von monokristallinen Schichten auf einem monokristallinen Substrat zu verstehen.
Die Wachstumstemperatur spielt bei der Gewinnung dieser Ebenheit ebenfalls eine wichtige Rolle. Insbesondere wer­ den Wachstumstemperaturen von 550°C bis 660°C verwendet, was Temperaturen entspricht, die typischerweise um 50°C bis 75°C unter denjenigen liegen, die herkömmlicherweise verwendet werden.
Die Gasphasen-Epitaxie kann in einem Druckbereich von 10² bis 105 Pa stattfinden. Vorzugsweise wird Atmosphären­ druck verwendet.
Für die Epitaxie einer InP-Schicht wird ein Gemisch aus Trimethylindium (TMI) und aus Biphosphinethan (oder Ethylen-Diphosphin - BPE -) oder aus Tertiär-Buthylphos­ phin (TBP) verwendet.
Für die Epitaxie einer InGaAs-Schicht wird ein Gemisch aus Trimethylindium, aus Trimethylgallium (TMG) und aus Tertiär-Buthylarsin (TBA) verwendet.
Für das Wachstum einer InGaAsP-Schicht wird ein Gemisch aus TMI, TMG, BPE (oder TBP) und TBA verwendet.
Diese Halbleiterschichten sollen auf einem InP-Träger epitaktisch aufwachsen.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben, die sich auf bevorzugte Aus­ führungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Aus­ führungsformen mit Bezug auf die Zeichnungen näher erläu­ tert; es zeigen:
Fig. 1 schematisch im Querschnitt eine Halbleiter­ vorrichtung, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten wird;
Fig. 2 die Laser-Emissionsleistung P, ausgedrückt in mW, in Abhängigkeit vom Strom I, ausgedrückt in mA, der in die Halbleitervorrichtung von Fig. 1 eingegeben wird;
Fig. 3 den bereits beschriebenen schematischen Quer­ schnitt einer Halbleiter-Laservorrichtung des Standes der Technik; und
Fig. 4a, b, c die bereits beschriebenen verschiedenen Her­ stellungsstufen der herkömmlichen Halbleiter­ vorrichtung von Fig. 3.
Die in Fig. 1 gezeigte Halbleitervorrichtung verwendet ebenfalls eine InP-Halbleiterstruktur, weil diese am häu­ figsten verwendet wird, es versteht sich jedoch von selbst, daß die Erfindung nicht auf diesen Fall be­ schränkt ist und auch mit einer GaAs-Struktur ausgeführt werden kann. Außerdem ist diese Laserstruktur wie in Fig. 3 vom BRS-Typ, es versteht sich jedoch von selbst, daß die Erfindung auf jede andere Halbleiterstruktur angewen­ det werden kann.
Die in Fig. 1 gezeigte Vorrichtung ist mit derjenigen des Standes der Technik, die in Fig. 3 gezeigt ist, iden­ tisch, mit Ausnahme der quasivollkommenen Ebenheit ihrer oberen Fläche 24. Außerdem sind die Bezugszeichen in die­ ser Figur, die dieselben Halbleitermaterialien wie die mit Bezug auf Fig. 3 beschriebenen Materialien bezeich­ nen, identisch.
Das Substrat 10b ist InP, das mit Silicium mit einer Kon­ zentration von 1018 Ionen/cm3 n-dotiert ist. Es ist in einem MOCVD-Gehäuse angeordnet.
Auf diesem Substrat wird die Epitaxie der Pufferschicht 10a ausgeführt, die mit derselben Konzentration wie das Substrat n-dotiert ist. Diese Epitaxie wird in der Gas­ phase bis zu einer Dicke von 0,5 bis 2 um ausgeführt, indem TMI oder BPE für die Elemente der Gruppe III bzw. der Gruppe V verwendet wird. Die n-Dotierung wird ausge­ hend von Disilan Si2 H6 erhalten. Es kann auch eine Or­ ganometallverbindung aus Silicium verwendet werden.
Die Gasphasen-Epitaxie wird durch die Aufbringung der nicht absichtlich dotierten aktiven Schicht 2 aus InbGa1-bAScP1-c bis zu einer Dicke von 0,1 bis 0,2 µm fortgesetzt, indem ein Gemisch aus TMI, TMG, TBA und aus BPE verwendet wird.
Für eine Emission mit 1,5 µm liegt b in der Größenordnung von 0,6 und c in der Größenordnung von 0,1, während für eine Emission mit 1,3 µm b in der Größenordnung von 0,75 liegt und c in der Größenordnung von 0,5 liegt.
Die Dampfphasen-Epitaxie wird durch die Aufbringung der Schicht 4 fortgesetzt, die ebenfalls aus IndGa1-dASeP1-e besteht, wobei die Zusammensetzung von Indium und von Phosphor derart ist, daß das verbotene Energieband größer als dasjenige der aktiven Schicht 2 ist. Insbesondere kann die Schicht 4 aus InP oder aus InGaAsP sein, wobei d und e den Wert 0,90 bzw. 0,3 besitzen. Diese Schicht 4, die nicht absichtlich dotiert ist, wird unter Verwendung eines Gemisches aus TMI, TMG, TBA und/oder BPE entspre­ chend ihrer Zusammensetzung aufgebracht. Die Schicht 4 besitzt eine Dicke von 0,1 µm.
Gemäß der Erfindung werden die Schichten 10a, 2 und 4 bei Temperaturen aufgebracht, die im Bereich von 550°C bis 660°C und typischerweise bei 580°C liegen, indem ein Mol­ verhältnis der Elemente der Gruppe V zu den Elementen der Gruppe III verwendet wird, das im Bereich von 10 bis 25 und typischerweise bei 15 liegt.
Anschließend wird wie im Stand der Technik durch chemi­ sche Zerlegung oder durch Trockenätzen eine Ätzung der Schichten 4 und 2 über die gesamte Dicke und auf eine Weise ausgeführt, daß die Oberfläche der Pufferschicht 10a geätzt wird, wodurch der aktive Streifen 6 gebildet wird. Dessen Breite beträgt ungefähr 2 bis 3 µm.
Dann wird die Dampfphasen-Epitaxie der oberen Einschluß­ schicht 8 aus InP ausgeführt, die mit Zink mit einer Kon­ zentration von ungefähr 7 1017 Ionen/cm3 dotiert ist. Diese Schicht besitzt eine Dicke von ungefähr 1,5 µm.
Erfindungsgemäß wird die Epitaxie dieser Schicht 8 mit einem Gemisch aus TMI und BPE in Molverhältnissen der Elemente der Gruppe V zu den Elementen der Gruppe III in einem Bereich von 10 bis 25 bei einer Temperatur von 550°C bis 660°C und typischerweise bei 600°C ausgeführt. Die p-Dotierung wird unter Verwendung von Diethylzink (DEZ) erhalten.
Die besondere Wahl der Wachstumstemperatur und der Reak­ tanten gestattet die Gewinnung einer Schicht 8 mit quasi­ ebener Struktur, während im Stand der Technik die Ober­ fläche der Schicht 8 dem Profil des aktiven Streifens folgt.
Die Erfinder haben somit überraschend festgestellt, daß die Verwendung von organischen Verbindungen der Elemente der Gruppe V für das epitaktische Wachstum der III-V- Schichten eine Einebnung der Struktur gewährleistet.
Die zweite Epitaxiestufe wird durch die Aufbringung der Schicht 14 für den elektrischen Kontakt aus InP vom p⁺- Typ bis zu einer Dicke von ungefähr 150 nm fortgesetzt, wobei die Dotierung mit Zink mit einer Konzentration von 1019 Ionen/cm3 erzielt wird. Diese Epitaxie wird mit einem Gemisch aus TMI und BPE unter denselben Bedingungen wie für die Schicht 8 ausgeführt.
Für eine Laserstruktur werden anschließend beiderseits der Struktur metallische Elektroden 12 bzw. 16 aus Gold mit einer Dicke von ungefähr 200 nm gebildet. Schließlich wird die Struktur geteilt, um das Bauelement zu erhalten; seine Länge beträgt 100 µm bis 2000 µm.
Die Fig. 2 zeigt verschiedene elektrooptische Resultate, die mit der mit Bezug auf Fig. 1 beschriebenen Vorrich­ tung erhalten wurden. Die Länge des aktiven Streifens betrug 300 µm, seine Breite betrug 2 µm.
In Fig. 2 sind die Veränderungen der Laserleistung P in Abhängigkeit vom Strom I gezeigt, der in die Laserstruk­ tur bei verschiedenen Betriebstemperaturen der Vorrich­ tung eingegeben worden ist. Die Kurven a, b, c und d sind für Temperaturen von 20°C, 40°C, 60°C bzw. 80°C erstellt worden.
Anhand dieser Kurven wird festgestellt, daß die erfin­ dungsgemäß gefertigte Halbleitervorrichtung im Gegensatz zu den Vorrichtungen des Standes der Technik bis zu Tem­ peraturen von 80°C auf völlig korrekte Weise arbeitet, wodurch eine Vergrößerung ihres Anwendungsgebietes mög­ lich ist. Die für die Laseremission erforderlichen Schwellenspannungen betragen 8,4 mA, 12,7 mA, 20,5 mA und 39,2 mA bei 20, 40, 60 bzw. 80°C.
Die ausschließliche Verwendung von organischen Verbindun­ gen für die Ausführung der Epitaxie der III-V-Materialien gestattet überraschenderweise die Gewinnung einer Halb­ leiterstruktur mit ebener Struktur, die somit die opti­ schen und/oder elektrischen Leistungen einer diese Struk­ tur verwendenden Halbleitervorrichtung verbessert.
Die oben gegebene Beschreibung hat lediglich erläuternden Charakter, wobei Abwandlungen im Verfahren zur Herstel­ lung einer Halbleitervorrichtung in Betracht gezogen wer­ den können. Insbesondere kann die Epitaxie der Halblei­ terschichten, die geätzt werden müssen, gemäß dem Stand der Technik ausgeführt werden, indem Hydride der Elemente der Gruppe V verwendet werden.
Außerdem können die Art und die Dicke der epitaktisch aufgewachsenen Schichten entsprechend der besonderen ge­ suchten Anwendung abgewandelt werden.

Claims (8)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervor­ richtung mit ebener Struktur aus III-V-Material, das die folgenden Schritte umfaßt:
  • a) Aufbringen wenigstens einer aktiven Halblei­ terschicht (2, 4) aus III-V-Material durch Dampfphasen- Epitaxie auf einen monokristallinen Träger (10) aus III- V-Material;
  • b) Ätzen der aktiven Halbleiterschicht, um die aktive Zone (6) der Halbleitervorrichtung zu bilden; und
  • c) Aufbringen einer Einschluß-Halbleiterschicht (8) aus III-V-Material durch Dampfphasen-Epitaxie auf der gesamten im Schritt b) erhaltenen Struktur, wobei der Träger (10) und die Einschlußschicht (8) ein verbotenes Energieband besitzen, das größer als dasjenige der akti­ ven Schicht (2) ist, dadurch gekennzeichnet, daß die chemischen Arten, die in dem Schritt c) für die Zuführung von Elementen der Gruppe III und von Ele­ menten der Gruppe V der Einschlußschicht verwendet wer­ den, ausschließlich aus Dämpfen von organischen Verbin­ dungen bestehen, die der Einschlußschicht eine quasiebene obere Oberfläche (24) verleihen.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß für die Epitaxie einer Einschlußschicht (8) aus InP ein Gemisch aus Trimethylindium und aus Ethylen-Di­ phosphin oder ein Gemisch aus Trimethylindium und aus Tertiär-Buthylphosphin verwendet wird.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Träger (10) aus InP besteht.
4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Einschlußschicht (8) bei einer Temperatur von 550°C bis 660°C aufgebracht wird.
5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß die Einschlußschicht (8) bei einem Druck von 102 bis 105 Pa aufgebracht wird.
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß das Molverhältnis der Elemente der Gruppe V zu den Elementen der Gruppe III in einem Bereich von 10 bis 25 gewählt wird.
7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß die Einschlußschicht n- oder p- dotiert wird, indem ebenfalls Dämpfe von organischen Ver­ bindungen verwendet werden.
8. Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeich­ net, daß eine p-Dotierung der Einschlußschicht anhand von Diethylzink erhalten wird.
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FR2673330B1 (fr) * 1991-02-26 1997-06-20 France Telecom Procede de realisation d'un laser a semiconducteur a ruban enterre, utilisant une gravure seche pour former ce ruban, et laser obtenu par ce procede.

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