DE4310318C2 - Use of a material with a perovskite-like crystal structure and increased magnetoresistive effect, and method for producing the material - Google Patents
Use of a material with a perovskite-like crystal structure and increased magnetoresistive effect, and method for producing the materialInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Verwendung eines Materials, das eine perowskitähnliche Kristallstruktur besitzt und einen erhöhten magnetoresistiven Effekt zeigt. Ein derartiges Material geht z. B. aus "Physica B", Vol. 155, 1989, Seiten 362 bis 365 hervor. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung dieses Materials.The invention relates to the use of a Material that has a perovskite-like crystal structure possesses and shows an increased magnetoresistive effect. Such a material goes e.g. B. from "Physica B", Vol. 155, 1989, pages 362 to 365. The invention also relates to a method for producing this Materials.
Der allgemeine Aufbau und die Funktionsweise von magneto
resistiven Sensoren mit Dünnfilmen aus ferromagnetischen
Übergangsmetallen sind z. B. in der Veröffentlichung
"Sensors", Vol. 5, 1989, Seiten 341 bis 380 näher erläu
tert. Die dort offenbarten, weitgehend magnetostriktions
freien Schichten, die z. B. aus einer speziellen Ni-Fe-
Legierung (Permalloy) oder aus einer speziellen NiCo-
Legierung bestehen, zeigen jedoch nur einen verhältnis
mäßig geringen magnetoresistiven Effekt Mr von etwa 2 bis
3%. Dabei gilt: Mr = (R(O) - R(B))/R(O), wobei R(B) der
elektrische Widerstand im Magnetfeld mit der Induktion B
und R(O) der Widerstand bei fehlendem Magnetfeld sind.
Bisweilen wird der magnetoresistive Effekt auch folgender
maßen definiert:
The general structure and functioning of magnetoresistive sensors with thin films made of ferromagnetic transition metals are e.g. B. tert in the publication "Sensors", Vol. 5, 1989, pages 341 to 380 in more detail. The largely magnetostriction-free layers disclosed there, the z. B. consist of a special Ni-Fe alloy (Permalloy) or a special NiCo alloy, but only show a relatively moderately low magnetoresistive effect M r of about 2 to 3%. The following applies: M r = (R (O) - R (B)) / R (O), where R (B) is the electrical resistance in the magnetic field with induction B and R (O) is the resistance in the absence of a magnetic field. Sometimes the magnetoresistive effect is also defined as follows:
Mr' = (R(O) - R(B))/R(B); d. h.: Mr = Mr'/(l + Mr').M r '= (R (O) - R (B)) / R (B); ie: M r = M r '/ (l + M r ').
Man ist an einer Erhöhung dieses magnetoresistiven Effek tes interessiert, um so Sensoren mit verbessertem Signal- Rausch-Verhältnis realisieren und den Einsatzbereich ent sprechender Sensoren erweitern zu können. Eine Erhöhung des magnetoresistiven Effektes konnte bei einigen Mehr schichtsystemen wie z. B. Co/Cu, Co/Ru, Co/Cr oder Fe/Cr nachgewiesen werden (vgl. z. B. "Appl. Phys. Lett.", Vol. 58, No. 23, 10.6.1991, Seiten 2710 bis 2712 oder "Phys. Rev. Lett.", Vol. 64, No. 19, 7.5.1990, Seiten 2304 bis 2307). Hierbei wird von der Tatsache ausgegangen, daß eine nicht-magnetische Zwischenschicht zwischen Schichten aus ferromagnetischem Material eine Austauschkopplung (Aus tausch-Wechselwirkung) bewirken kann. Diese Kopplung hängt von der Dicke der Zwischenschicht ab und bedingt Dicken im Nanometerbereich. Die Austauschkopplung ist dabei für das magnetische Verhalten ("ferromagnetisch" oder "antiferro magnetisch") des Mehrschichtsystems verantwortlich.One is increasing this magnetoresistive effect tes interested in using sensors with improved signal Realize noise ratio and the application area ent to be able to expand speaking sensors. An increase the magnetoresistive effect could in some more layer systems such as B. Co / Cu, Co / Ru, Co / Cr or Fe / Cr can be detected (see, for example, "Appl. Phys. Lett.", Vol. 58, No. 23, June 10, 1991, pages 2710 to 2712 or "Phys. Rev. Lett. ", Vol. 64, No. 19, 7.5.1990, pages 2304 to 2307). This is based on the fact that a non-magnetic intermediate layer between layers ferromagnetic material an exchange coupling (Aus exchange interaction) can cause. This coupling depends depends on the thickness of the intermediate layer and causes thicknesses in the Nanometer range. The exchange coupling is for that magnetic behavior ("ferromagnetic" or "antiferro magnetic ") of the multilayer system.
Dementsprechend können Mehrschichtsysteme mit unterschied licher Richtung der Polarisation der übereinanderliegenden ferromagnetischen, durch nicht-magnetische Schichten ge trennten Einzelschichten einen erhöhten magnetoresistiven Effekt Mr zeigen. Dieser Effekt, der für geschichtete Cu- Co-Dünnfilmstrukturen bei Raumtemperatur bis zu 40% be tragen kann (vgl. die genannte Literaturstelle aus "Appl. Phys. Lett." 58), wird deshalb auch als "Giant magneto resistive effect" (GMR) bezeichnet (vgl. "Phys. Rev. Lett.", Vol. 61, No. 21, 21.11.1988, Seiten 2472 bis 2475).Accordingly, multilayer systems with different direction of polarization of the superimposed ferromagnetic individual layers separated by non-magnetic layers can show an increased magnetoresistive effect M r . This effect, which can be up to 40% for layered Cu-Co thin-film structures at room temperature (cf. the cited reference from "Appl. Phys. Lett." 58), is therefore also referred to as a "giant magnetoresistive effect" (GMR ) (see "Phys. Rev. Lett.", Vol. 61, No. 21, November 21, 1988, pages 2472 to 2475).
Die Beschränkung auf Multilagensysteme und die starke Ab hängigkeit des Effektes von der sehr geringen Dicke der magnetischen bzw. nicht-magnetischen Schichten im Nanome ter-Bereich stellt jedoch hohe Anforderungen an die Prä parationstechnik der Schichten und schränkt den Einsatz bereich auf entsprechende Dünnschichtstrukturen ein. The limitation to multilayer systems and the strong Ab dependence of the effect on the very small thickness of the magnetic or non-magnetic layers in the nanome However, the area places high demands on the pre layering technique and limits the use appropriate thin-film structures.
Darüber hinaus sind Untersuchungen bekannt, nach denen ein magnetoresistiver Effekt auch in beispielsweise granularen Stoffsystemen auftreten kann (vgl. "Phys. Rev. Lett.", Vcl. 68, No. 25, 1992, Seiten 3745 bis 3752). Gemäß dieser sich auf das Stoffsystem Cu-Co erstreckenden Untersuchun gen werden CuCo-Legierungsschichten durch simultanes Zer stäuben der Elemente hergestellt und durch eine anschlie ßende Wärmebehandlung nanokristalline (magnetische) Co- Ausscheidungen in einer (nicht-magnetischen) Cu-Matrix er zeugt. Der in diesen Dünnfilmen zu messende magnetoresi stive Effekt Mr beträgt nach der genannten Literaturstel le aus "Phys. Rev. Lett." 68 etwa 7% bei Raumtemperatur.In addition, studies are known according to which a magnetoresistive effect can also occur in, for example, granular material systems (cf. "Phys. Rev. Lett.", Vcl. 68, No. 25, 1992, pages 3745 to 3752). According to these investigations, which extend to the Cu-Co material system, CuCo alloy layers are produced by simultaneous sputtering of the elements and nanocrystalline (magnetic) Co precipitates are produced in a (non-magnetic) Cu matrix by a subsequent heat treatment. The magnetoresistive effect M r to be measured in these thin films is, according to the cited literature reference from "Phys. Rev. Lett." 68 about 7% at room temperature.
Zwar wurden wesentlich größere magnetoresistive Effekte auch bei anderen ferromagnetischen Stoffsystemen beobach tet. Dies trifft für Einkristalle des Stoffsystems Eu1-xGdxSe zu (vgl. "Journ. Appl. Phys.", Vol. 38, No. 3, 1.3.1967, Seiten 959 bis 964). Ein entsprechender Effekt zeigt sich auch in Nd0,5Pb0,5MnO3-Kristallen. Diese Kri stalle haben eine perowskitähnliche Struktur (vgl. die eingangs genannte Literaturstelle aus "Physica B" 155). Die in diesen Stoffsystemen zu beobachtende Änderung des elektrischen Widerstandes in Abhängigkeit von der magne tischen Induktion ist jedoch auf tiefe Temperaturen be schränkt, die deutlich unter Raumtemperatur liegen.Significantly larger magnetoresistive effects were also observed in other ferromagnetic material systems. This applies to single crystals of the material system Eu 1-x Gd x Se (cf. "Journ. Appl. Phys.", Vol. 38, No. 3, 1.3.1967, pages 959 to 964). A corresponding effect can also be seen in Nd 0.5 Pb 0.5 MnO 3 crystals. These crystals have a perovskite-like structure (cf. the above-mentioned literature reference from "Physica B" 155). However, the change in electrical resistance as a function of magnetic induction, which can be observed in these material systems, is limited to low temperatures which are significantly below room temperature.
Weitere Manganite mit perowskitähnlicher Kristallstruktur sind beispielsweise aus "Phys. Rev.", Vol. 100, No. 2, 1955, Seiten 545 bis 563 oder dem Buch "Magnetic Oxides", ed. D. J. Craik, Verlag J. Wiley & Sons, London 1955, Part 1, Seiten 477 bis 479 bekannt. Diese Manganite sind Ver bindungen vom Typ La1-xMexMnO3 (La = Lanthan, Me = Ca, Sr, Ba, Pb). Lediglich für die Pb-haltigen Manganite wurde ein magnetoresistiver Effekt nahe der Curie-Temperatur er wähnt.Further manganites with a perovskite-like crystal structure can be found, for example, in "Phys. Rev.", Vol. 100, No. 2, 1955, pages 545 to 563 or the book "Magnetic Oxides", ed. DJ Craik, publisher J. Wiley & Sons, London 1955, Part 1, pages 477 to 479. These manganites are compounds of the type La 1-x Me x MnO 3 (La = lanthanum, Me = Ca, Sr, Ba, Pb). A magnetoresistive effect close to the Curie temperature was mentioned only for the Pb-containing manganites.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Material für einen magnetoresistiven Sensor anzugeben, das einen erhöhten magnetoresistiven Effekt bei etwa Raum temperatur zeigt.The object of the present invention is a material specify for a magnetoresistive sensor that an increased magnetoresistive effect in about room temperature shows.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein an sich Material mit einer Zusammensetzung auf Basis von (A1)1-x(A2)xMnOz verwendet wird, wobei die dreiwertige Komponente A1 ein Lanthanid einschließlich Lanthan (La) oder Yttrium (Y) und die zweiwertige Komponente A2 ein Erdalkalimetall oder Blei (Pb) zumindest enthalten und 0,1 ≦ x ≦ 0,9 sowie 2,5 ≦ z ≦ 3,5 sind.This object is achieved according to the invention in that a material with a composition based on (A1) 1-x (A2) x MnO z is used, the trivalent component A1 being a lanthanide including lanthanum (La) or yttrium (Y) and the divalent component A2 at least contain an alkaline earth metal or lead (Pb) and is 0.1 ≦ x ≦ 0.9 and 2.5 ≦ z ≦ 3.5.
Unter einer Basis der hier genannten Zusammensetzung sei die Grundzusammensetzung mit den vier genannten Komponen ten verstanden. Die einzelnen Komponenten stellen dabei Hauptkomponenten dar, die gegebenenfalls durch andere Elemente zu einem geringeren Anteil (unter 50%) durch ein anderes Element aus der zu den jeweiligen Komponen ten genannten Elementengruppe substituiert sein können. Insbesondere lassen sich z. B. bis zu 35 Atom-% der Mn-Komponente durch ein anderes Metall mit 3d-Elektro nenkonfiguration, vorzugsweise auch durch Cu oder durch Al, ersetzen. Für die Zusammensetzung dieser Komponente gilt dann also: Mn1-y(A3)y mit 0 < y ≦ 0,35. Bei den 3d-Elementen handelt es sich dabei um die Elemente des Periodensystems der Elemente mit den Ordnungszahlen zwischen 21 und 30 (einschließlich). Außerdem können selbstverständlich in dem erfindungsgemäß zu verwenden den Material übliche Verunreinigungselemente mit je weils einem Anteil unter 0,5 Atom-% vorhanden sein. Die Erfindung ist darin zu sehen, daß erkannt wurde, daß das erfindungsgemäß zu verwendende Material einen ver hältnismäßig hohen magnetoresistiven Effekt zeigt, so daß es vorteilhaft für magnetoresistive Sensoren vorgesehen wird. Die Curie-Temperatur des Sensormaterials liegt je nach Stöchiometrie der Zusammensetzung etwa bei Raum temperatur (vgl. "Physica", Vol. 16, 1950, Seiten 337 ff). Bei dieser Temperatur zeigt das Material ebenfalls den erwähnten elektronischen Übergang vom lokalisierten (halbleitenden), unmagnetischen zum metallisch leitenden, magnetischen Zustand (vgl. "Solid State Commun.", Vol. 82, No. 9, 1992, Seiten 693 bis 696). Die formale Mn-Valenz, welche die Leitfähigkeit und die Übergangstemperatur beeinflußt, wird durch die Anteile an der dreiwertigen A1-Komponente und der zweiwertigen A2-Komponente bestimmt. So ergibt sich beispielsweise für das Stoffsystem La-Ba-Mn-O unter der Annahme der Valenzen für O = -2, La = +3 und Ba = +2 eine Zusammensetzung La2/3Ba1/3MnO3, d. h. Mn = 3,33. Für die vorgesehene Verwendung in magne toresistiven Sensoren ist vorteilhaft ein Anteil von x zwischen 10 und 90 Atom-% bzgl. des Anteils A1 + A2 ( = 100 Atom-%). Einen ähnlichen Einfluß hat auch die Substitution des Mn durch andere 3d-oder 4s-Elemente, wobei bis zu 35 Atom-% der Mn-Komponente durch das andere Element ersetzt werden können. Ferner ist ein Sauerstoff gehalt mit z 3 als besonders günstig anzusehen.A base of the composition mentioned here is understood to mean the basic composition with the four components mentioned. The individual components represent main components, which may optionally be substituted by other elements to a lesser extent (below 50%) by another element from the group of elements mentioned for the respective components. In particular, z. B. up to 35 atomic% of the Mn component by another metal with 3d-electronic nenkonfiguration, preferably also by Cu or by Al, replace. The following then applies to the composition of this component: Mn 1-y (A3) y with 0 <y ≦ 0.35. The 3d elements are the elements of the periodic table of elements with atomic numbers between 21 and 30 (inclusive). In addition, of course, in the material to be used according to the invention, customary impurity elements, each with a proportion of less than 0.5 atomic%, may be present. The invention is to be seen in the fact that it has been recognized that the material to be used according to the invention shows a relatively high magnetoresistive effect, so that it is advantageously provided for magnetoresistive sensors. Depending on the stoichiometry of the composition, the Curie temperature of the sensor material is approximately at room temperature (cf. "Physica", Vol. 16, 1950, pages 337 ff). At this temperature, the material also shows the aforementioned electronic transition from the localized (semiconducting), non-magnetic to the metallically conductive, magnetic state (cf. "Solid State Commun.", Vol. 82, No. 9, 1992, pages 693 to 696). The formal Mn valence, which influences the conductivity and the transition temperature, is determined by the proportions of the trivalent A1 component and the divalent A2 component. For example, for the material system La-Ba-Mn-O, assuming the valences for O = -2, La = +3 and Ba = +2, there is a composition La 2/3 Ba 1/3 MnO 3 , ie Mn = 3.33. For the intended use in magnetoresistive sensors, a fraction of x between 10 and 90 atom% with respect to the fraction A1 + A2 (= 100 atom%) is advantageous. The substitution of the Mn by other 3d or 4s elements has a similar influence, with up to 35 atomic% of the Mn component being able to be replaced by the other element. Furthermore, an oxygen content with z 3 is particularly favorable.
Besonders vorteilhaft läßt sich das Sensormaterial als Schicht auf einem Substrat durch Laserablation eines ent sprechenden Targetmaterials abscheiden. Diese Abscheidung kann verzugsweise "off-axis" erfolgen.The sensor material can be particularly advantageous as Layer on a substrate by laser ablation of an ent deposit speaking target material. This separation can be done "off-axis".
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäß zu verwendenden Materials bzw. des Herstellungsverfahrens gehen aus den jeweils abhängenden Ansprüchen hervor.Further advantageous refinements of the invention material to be used or the manufacturing process emerge from the respective dependent claims.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungs beispieles noch weiter erläutert, wobei auch auf die Zeichnung Bezug genommen wird. Dabei zeigen deren Fig. 1 und 2 jeweils in einem Diagramm den relativen elektri schen Widerstand eines erfindungsgemäß zu verwendenden Materials als Funktion der Stärke eines angelegten Magnet feldes bzw. den elektrischen Widerstand in Abhängigkeit von der Temperatur bei verschiedenen Magnetfeldverhält nissen.The invention is explained in more detail below using an exemplary embodiment, reference also being made to the drawing. In this case, 1 and 2 show the Fig. Respectively a diagram showing the relative electrical resistivity of a rule according to the invention material to be used as a function of the strength of an applied magnetic field and the electrical resistance as a function of temperature at various magnetic field and fair.
Das erfindungsgemäß zu verwendende Sensormaterial soll
allgemein eine Zusammensetzung aufweisen, die auf der
Zusammensetzung (A1)1-x(A2)xNinOz basiert. Hierbei handelt
es sich bei der Komponente A1 um Y oder ein Lanthanid wie
z. B. La, Fr, Nd, Sm, Eu oder Dy. Die Komponente A2 soll
aus der Gruppe der Erdalkalimetalle, insbesondere Mg, Ca,
Sr, Ba oder aus Pb, ausgewählt sein. Die einzelnen Anteile
der Komponenten sind dabei so zu wählen, daß gilt:
The sensor material to be used according to the invention should generally have a composition based on the composition (A1) 1-x (A2) x NinO z . Component A1 is Y or a lanthanide such as e.g. B. La, Fr, Nd, Sm, Eu or Dy. Component A2 should be selected from the group of alkaline earth metals, in particular Mg, Ca, Sr, Ba or from Pb. The individual proportions of the components are to be selected so that the following applies:
0,1 ≦ x ≦ 0,9, vorzugsweise 0,25 ≦ x ≦ 0,75,
und
2,5 ≦ z ≦ 3,5, vorzugsweise z 3.0.1 ≦ x ≦ 0.9, preferably 0.25 ≦ x ≦ 0.75,
and
2.5 ≦ z ≦ 3.5, preferably z 3.
Die beiden Komponenten A1 und A2 sollen dabei jeweils min destens ein Element aus der jeweiligen Elementengruppe aufweisen. Darüber hinaus kann die angegebene Zusammen setzung noch minimale Verunreinigungen mit jeweils unter 0,5 Atom-% pro Verunreinigungselement enthalten. Ausfüh rungsbeispiele für entsprechende Materialien sind demnach La0,67Ba0,33MnO3 oder Pr0,5Sr0,5MnO3 oder Nd0,33Ca0,67MnO3. Diese Materialien haben eine perowskit ähnliche Kristallstruktur und zeichnen sich durch einen erhöhten magnetoresistiven Effekt Mr von insbesondere über 10%, vorzugsweise über 50% aus. Der Effekt liegt damit deutlich höher als bei bekannten Cu/Co-Multilagensystemen.The two components A1 and A2 should each have at least one element from the respective element group. In addition, the specified composition can still contain minimal impurities, each with less than 0.5 atom% per impurity element. Execution examples for corresponding materials are accordingly La 0.67 Ba 0.33 MnO 3 or Pr 0.5 Sr 0.5 MnO 3 or Nd 0.33 Ca 0.67 MnO 3 . These materials have a perovskite-like crystal structure and are characterized by an increased magnetoresistive effect M r of in particular over 10%, preferably over 50%. The effect is significantly higher than with known Cu / Co multilayer systems.
Schichten aus dem erfindungsgemäß zu verwendenden Material können beispielsweise durch Sputter- oder spezielle Auf dampfprozesse hergestellt werden. Besonders geeignet ist auch die Herstellung einer Schicht mittels Laserver dampfens, wie es zur Herstellung von metalloxidischen Supraleitermaterialien mit Sprungtemperturen Tc von ins besondere über 77 K her bekannt ist (vgl. z. B. "Appl. Phys. Lett.", Vol. 53, No. 16, 17.10.1988, Seiten 1557 bis 1559). Entsprechende Schichten aus dem erfindungsgemäßen Sensormaterial werden vorteilhaft auf Substraten abge schieden, deren jeweilige kristalline Einheitszelle an die Einheitszelle des Sensormaterials angepaßte Maße hat. Be sonders geeignet sind deshalb Substratmaterialien, die ebenfalls perowskitähnliche Kristallstruktur haben. Ent sprechende Ausführungsbeispiele sind SrTiO3, MgO, LaAlO3, NdGaO3, MgAl2O4 oder Y-stabilisiertes ZrO2 (Abkürzung: YSZ). Daneben sind aber auch Si-Substrate geeignet, die mit einer speziellen Zwischenschicht, einer sogenannten "buffer layer", überzogen sind. Derartige Zwischenschich ten sind ebenfalls bei der Abscheidung von Noch-Tc-Supra leitermaterialien bekannt. Ein Beispiel ist das YSZ.Layers of the material to be used according to the invention can be produced, for example, by sputtering or special vapor processes. The production of a layer by means of laser evaporation is also particularly suitable, as is known for the production of metal oxide superconductor materials with crack temperatures T c of in particular over 77 K (cf., for example, "Appl. Phys. Lett.", Vol. 53, No. 16, October 17, 1988, pages 1557 to 1559). Corresponding layers of the sensor material according to the invention are advantageously deposited on substrates whose respective crystalline unit cell has dimensions adapted to the unit cell of the sensor material. Therefore, substrate materials that also have a perovskite-like crystal structure are particularly suitable. Corresponding exemplary embodiments are SrTiO 3 , MgO, LaAlO 3 , NdGaO 3 , MgAl 2 O 4 or Y-stabilized ZrO 2 (abbreviation: YSZ). In addition, however, Si substrates are also suitable, which are coated with a special intermediate layer, a so-called "buffer layer". Intermediate layers of this type are also known for the deposition of still-T c super conductor materials. One example is the YSZ.
Als konkretes Ausführungsbeispiel sei die Abscheidung von La0,67Ba0,33MnO3 auf einem SrTiO3-Substrat ausgewählt. Als Abscheidungsverfahren ist vorzugsweise ein Laser-Verdamp fen (Laser-Ablation) vorgesehen (vgl. die genannte Litera turstelle aus Appl. Phys. Lett." 53 oder die DE-PS 38 16 192). Eine hierfür geeignete Abscheidungseinrichtung umfaßt einen Laser zum Erzeugen eines gepulsten Laser strahls. Mit diesem Laserstrahl muß eine vorbestimmte Energiedichte an einem Target aus dem zu ablatierenden Material zu erzeugen sein. XeCl-Excimer-Laser oder Nd-YAG- Laser können diese Forderung erfüllen. Das Material des Targets enthält dabei mindestens die drei metallischen Komponenten des herzustellenden Sensormaterials in ent sprechender Stöchiometrie. Insbesondere kann von einem sauerstoffhaltigen Targetmaterial ausgegangen werden.The deposition of La 0.67 Ba 0.33 MnO 3 on a SrTiO 3 substrate was selected as a concrete exemplary embodiment. A laser evaporation (laser ablation) is preferably provided as the deposition method (cf. the literature cited from Appl. Phys. Lett. "53 or DE-PS 38 16 192). A deposition device suitable for this comprises a laser for generating A pulsed laser beam. With this laser beam, a predetermined energy density must be generated on a target from the material to be ablated. XeCl excimer lasers or Nd-YAG lasers can meet this requirement. The material of the target contains at least the three metallic ones Components of the sensor material to be produced in a corresponding stoichiometry, in particular an oxygen-containing target material.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn in einer Beschichtungs kammer der Abscheidungseinrichtung das SrTiO3-Substrat be züglich des Teilchenstromes aus dem laserablatierten Tar getmaterial so angeordnet wird, daß die Normale auf der zu beschichtenden Fläche bzw. Flachseite mindestens annähernd senkrecht bezüglich der Ausbreitungsrichtung des Teilchen stromes ausgerichtet ist (sogenannte "Off-axis-Abschei dung"; vgl. z. B. "Appl. Phys. Lett.", Vol. 61, No. 26, 28.12.1992, Seiten 3177 bis 3180). Dabei werden in der Be schichtungskammer vorteilhaft besondere Verfahrensbedin gungen eingestellt, die eine dropletfreie Ausbildung einer Schicht des gewünschten Sensormaterials mit der perowskit ähnlichen Kristallstruktur auf der Substratfläche ermög lichen. Hierzu muß in der Beschichtungskammer ein Par tialdruck mindestens eines an sich beliebigen Gases zwi schen 10-3 mbar und 100 mbar eingestellt werden. Vorteil haft wird für die Abscheidung des Sensormaterials Sauer stoff mit einem verhältnismäßig hohen Partialdruck zwi schen etwa 0,2 mbar und 0,6 mbar vorgesehen. Dies ist insbesondere dann erforderlich, wenn von einem sauerstoff freien Targetmaterial ausgegangen wird. Ansonsten ist aber die Wahl eines O2-Partialdruckes unkritisch. Außerdem ist es von vorteilhaft, wenn am Substrat eine Temperatur zwi schen 400°C und 1400°C eingehalten wird. Diese Tempera turverhältnisse können beispielsweise mittels einer Heiz vorrichtung gewährleistet werden, die den Substratkörper allein durch thermische Strahlung erwärmt. Gegebenenfalls kann aber auch auf eine derartige Aufheizung des Substrats verzichtet werden, oder es ist sogar eine Kühlung während des Beschichtungsvorganges bis auf Temperaturen von unter 20 K möglich.It is particularly advantageous if in a coating chamber of the deposition device the SrTiO 3 substrate with respect to the particle stream from the laser-ablated target material is arranged in such a way that the normal on the surface or flat side to be coated is at least approximately perpendicular to the direction of propagation of the particle stream is aligned (so-called "off-axis deposition"; see, for example, "Appl. Phys. Lett.", Vol. 61, No. 26, December 28, 1992, pages 3177 to 3180). Special process conditions are advantageously set in the coating chamber, which enable droplet-free formation of a layer of the desired sensor material with the perovskite-like crystal structure on the substrate surface. For this purpose, a partial pressure of at least one gas per se between 10 -3 mbar and 100 mbar must be set in the coating chamber. Advantageously, for the deposition of the sensor material, oxygen is provided with a relatively high partial pressure between approximately 0.2 mbar and 0.6 mbar. This is particularly necessary if an oxygen-free target material is assumed. Otherwise, the choice of an O 2 partial pressure is not critical. It is also advantageous if a temperature between 400 ° C and 1400 ° C is maintained on the substrate. These temperature conditions can be ensured, for example, by means of a heating device which heats the substrate body solely by thermal radiation. Such heating of the substrate may, however, also be dispensed with, or cooling to temperatures below 20 K is even possible during the coating process.
Für eine entsprechend mit einer Wärmebehandlung hergestell te Schicht aus La0,67Ba0,3MnO3 auf einem SrTiO3-Substrat zeigt die in dem Diagramm der Fig. 1 wiedergegebene Kurve die Magnetfeldabhängigkeit des relativen elektrischen Wi derstandes Rr. In dem Diagramm sind in Abszissenrichtung das angelegte (äußere) Magnetfeld der Stärke H (in kOe) und in Ordinatenrichtung der davon abhängige relative elektrische Widerstand Rr (in %) aufgetragen. Der rela tive elektrische Widerstand Rr ist dabei definiert als der Quotient aus dem bei einer Feldstärke H gemessenen elek trischen Widerstand R (H) und dem sich bei fehlendem Feld ergebenden elektrischen Widerstand R (O). Aus dem Kurvenverlauf ist eine maximale Widerstandsdifferenz dR/R des relativen elektrischen Widerstandes von etwa 55% ab zulesen. Diese Differenz entspricht der Größe des magneto resistiven Effektes Mr des erfindungsgemäß hergestellten Sensormaterials.For a layer of La 0.67 Ba 0.3 MnO 3 on a SrTiO 3 substrate produced accordingly with a heat treatment, the curve shown in the diagram in FIG. 1 shows the magnetic field dependence of the relative electrical resistance R r . The diagram shows the applied (external) magnetic field of strength H (in kOe) in the abscissa direction and the relative electrical resistance R r (in%) dependent on it in the ordinate direction. The rela tive electrical resistance R r is defined as the quotient of the electrical resistance R (H) measured at a field strength H and the resulting electrical resistance R (O) in the absence of a field. A maximum resistance difference dR / R of the relative electrical resistance of approximately 55% can be read from the curve. This difference corresponds to the size of the magnetoresistive effect M r of the sensor material produced according to the invention.
Der Einfluß der Meßtemperatur auf den elektrischen Wi derstand des La0,67Ba0,33MnO3-Sensormaterials läßt sich aus dem Diagramm der Fig. 2 ablesen. In diesem Diagramm sind in Abszissenrichtung die Meßtemperatur Tm (in K) und in Ordinatenrichtung der elektrische Widerstand R (in) aufgetragen. Die mit I bezeichnete, durchgezogene Kurve ergibt sich bei fehlendem äußeren Magnetfeld H bzw. feh lender magnetischer Induktion B = 0 am Sensormaterial, während die punktiert eingezeichnete Kurve II bei einer magnetischen Induktion B = 5 T erhalten wird. Die größte Widerstandsdifferenz zwischen beiden Kurven, d. h. der größte relative Effekt, tritt demnach im Bereich der Meß temperatur Tm ≈ 290 K auf.The influence of the measuring temperature on the electrical resistance of the La 0.67 Ba 0.33 MnO 3 sensor material can be read from the diagram in FIG. 2. In this diagram, the measuring temperature T m (in K) and the electrical resistance R (in) are plotted in the abscissa direction. The solid curve designated I results in the absence of an external magnetic field H or missing magnetic induction B = 0 on the sensor material, while the curve II shown in dotted lines is obtained with a magnetic induction B = 5 T. The greatest difference in resistance between the two curves, ie the greatest relative effect, therefore occurs in the area of the measuring temperature T m ≈ 290 K.
Dem dargestellten Ausführungsbeispiel aus dem erfindungs gemäß zu verwendenden Stoffsystem (A1)1-x(A2)xMnOz wurde das Material La0,67Ba0,33MnO3 zugrundegelegt. Ähnliche magnetoresistive Effekte werden auch beobachtet, wenn man andere Materialien für die Komponenten A1 und A2 aus den hierzu genannten Gruppen auswählt oder die für diese Kom ponenten gewählten Elemente partiell durch andere Elemente aus der jeweiligen Gruppe substituiert. Entsprechende Aus führungsbeispiele sind das (La,Ce)0,67Ba0,33MnO3 oder das Y0,67(Ea,Sr)0,33MnO3.The exemplary embodiment shown from the material system (A1) 1-x (A2) x MnO z to be used according to the invention was based on the material La 0.67 Ba 0.33 MnO 3 . Similar magnetoresistive effects are also observed if other materials for components A1 and A2 are selected from the groups mentioned for this purpose or the elements selected for these components are partially substituted by other elements from the respective group. Corresponding exemplary embodiments are (La, Ce) 0.67 Ba 0.33 MnO 3 or Y 0.67 (Ea, Sr) 0.33 MnO 3 .
Ferner kann vorteilhaft auch die Mn-Komponente partiell durch ein anderes Element aus der Gruppe der 3d-Elemente (Elemente mit einer Ordnungszahl zwischen 21 und 28 des Periodensystems) oder durch Cu substituiert werden. Hier bei sollte diese Substitution höchstens zu 35 Atom-% er folgen. Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel ist das Sensormaterial (Sm0,33Ca0,67)(Mn0,8Cu0,2)O3. Selbstver ständlich sind auch in diesem Falle die erwähnten Substi tutionen für die Komponenten A1 und A2 möglich. Ein ent sprechendes Material zeigt ebenfalls einen erhöhten magne toresistiven Effekt.Furthermore, the Mn component can advantageously also be partially substituted by another element from the group of the 3d elements (elements with an atomic number between 21 and 28 of the periodic table) or by Cu. Here, this substitution should follow no more than 35 atomic percent. A corresponding exemplary embodiment is the sensor material (Sm 0.33 Ca 0.67 ) (Mn 0.8 Cu 0.2 ) O 3 . Of course, the substitutions mentioned for components A1 and A2 are also possible in this case. A corresponding material also shows an increased magnetoresistive effect.
Claims (8)
(A1)1-x(A2)xMnOz
mit der dreiwertigen Komponente A1, ausgewählt aus der Gruppe der Lanthaniden einschließlich Lanthan (La) oder aus Yttrium (Y),
mit der zweiwertigen Komponente A2, ausgewählt aus der Gruppe der Erdalkalimetalle oder aus Blei (Pb), und mit 0,1 ≦ x ≦ 0,9 sowie 2,5 ≦ z ≦ 3,5, in einem magnetoresistiven Sensor.1. Use of a material which has a perovskite-like crystal structure and shows an increased magnetoresistive effect, with a composition based on
(A1) 1-x (A2) x MnO z
with the trivalent component A1, selected from the group of lanthanides including lanthanum (La) or from yttrium (Y),
with the divalent component A2, selected from the group of alkaline earth metals or from lead (Pb), and with 0.1 ≦ x ≦ 0.9 and 2.5 ≦ z ≦ 3.5, in a magnetoresistive sensor.
Mn1-y(A3)y
hat
mit 0 < y ≦ 0,35.3. Use of a material according to claim 1 or 2, characterized in that the Mn of the Mn component by at least one additional element A3 from the group of subgroup elements with 3d electron configuration or with copper (Cu) or aluminum (Al ) is partially replaced so that this component has the composition
Mn 1-y (A3) y
Has
with 0 <y ≦ 0.35.
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Publications (2)
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| DE4310318A Expired - Fee Related DE4310318C2 (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Use of a material with a perovskite-like crystal structure and increased magnetoresistive effect, and method for producing the material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE4310318C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19932444C1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-02-01 | Siemens Ag | Production of a texture layer made of an oxide material on a substrate comprises partially fading out sputter ions that are scattered back from the sputtering target so that the larger part |
| US7336064B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-02-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for current measurement |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4425356C2 (en) * | 1993-09-29 | 1998-07-02 | Siemens Ag | Magnetoresistive sensor using a sensor material with a perovskite-like crystal structure |
| US5886523A (en) * | 1994-06-18 | 1999-03-23 | University Of Sheffield, The Western Bank | Magnetic field responsive device having giant magnetoresistive material and method for forming the same |
| US5538800A (en) * | 1994-09-29 | 1996-07-23 | At&T Corp. | Magnetoresistive oxide material and articles comprising the material |
| DE69737283T2 (en) * | 1996-09-27 | 2007-11-15 | Rohm Co. Ltd., Kyoto | FERROELECTRIC MATERIAL, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, SEMICONDUCTOR MEMORY ARRANGEMENT AND PROCESS FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US6258470B1 (en) | 1998-01-16 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film |
| DE19815399A1 (en) * | 1998-04-06 | 1999-12-23 | Max Planck Gesellschaft | Resistive component, especially for a pressure sensor or a current modulator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3816192A1 (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-23 | Siemens Ag | METHOD FOR PRODUCING A LAYER FROM A METAL-OXIDIC SUPRAL-CONDUCTOR MATERIAL BY LASER EVAPORATION |
-
1993
- 1993-03-30 DE DE4310318A patent/DE4310318C2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3816192A1 (en) * | 1988-05-11 | 1989-11-23 | Siemens Ag | METHOD FOR PRODUCING A LAYER FROM A METAL-OXIDIC SUPRAL-CONDUCTOR MATERIAL BY LASER EVAPORATION |
Non-Patent Citations (14)
| Title |
|---|
| GB-Buch: A.F. Wells, Structural inorganic chemistry, 5. Aufl., Oxford 1984, S. 584-589 und S. 597-600 * |
| GB-Buch: Magnetic Oxides, ed. D.J. Craik, Vol. 1, 477-479, London 1975 * |
| NL-Z: Physica 16, 1950, 337-349 * |
| NL-Z: Physica B 155, 362-365 (1989) * |
| US-Z: Appl.,Phys.Lett. 53 (1988) 1557-1559 * |
| US-Z: Appl.Phys.Lett. 58 (1991) 2710-2712 * |
| US-Z: Appl.Phys.Lett. 61 (1992) 3177-3180 * |
| US-Z: J.Appl.Phys. 38 (1967) 959-964 * |
| US-Z: Journal of metals, März 1977, S. 61-63 (Verfasser S. Jin) * |
| US-Z: Phys.Rev. 100, 545-563 (1955) * |
| US-Z: Phys.Rev.Lett. 61 (1988) 2472-2475 * |
| US-Z: Phys.Rev.Lett. 64 (1990) 2304-2307 * |
| US-Z: Phys.Rev.Lett. 68 (1992) 3745-3752 * |
| US-Z: Solid state Comm. 82 (1992) 693-696 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19932444C1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-02-01 | Siemens Ag | Production of a texture layer made of an oxide material on a substrate comprises partially fading out sputter ions that are scattered back from the sputtering target so that the larger part |
| US7336064B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-02-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Apparatus for current measurement |
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| DE4310318A1 (en) | 1994-10-06 |
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