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DE4308132A1 - Miniaturised measurement-value pickup - Google Patents

Miniaturised measurement-value pickup

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DE4308132A1
DE4308132A1 DE19934308132 DE4308132A DE4308132A1 DE 4308132 A1 DE4308132 A1 DE 4308132A1 DE 19934308132 DE19934308132 DE 19934308132 DE 4308132 A DE4308132 A DE 4308132A DE 4308132 A1 DE4308132 A1 DE 4308132A1
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DE
Germany
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layer
narrow
electrically conductive
miniaturized
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Michael Koehler
Albrecht Lerm
Wolfgang Morgenroth
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Institut fuer Physikalische Hochtechnologie eV
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    • G—PHYSICS
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    • G01D5/241—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance by relative movement of capacitor electrodes
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Abstract

The invention relates to a miniaturised measurement-value pickup of the type of an electric capacitor. The object of the invention, that of specifying a measurement-value pickup which provides in miniaturised form for a fast detection of changing parameters to be measured, is achieved by the fact that an electrically conductive layer forming one and/or more electrodes is applied to an insulating substrate, which layer is covered by an insulator layer which is covered in one or more areas by a further material which can be selectively etched with respect to this layer and other following layers, on which material a further layer system is deposited of which at least one layer is electrically conductive, and this conductive layer is constructed in such a manner that it consists of groups of narrow webs which are electrically connected by a wider web at least on one side, these wider webs resting over the greater part of their area above the selectively etchable material, on the latter, possibly separated by one or more further layers of the layer system, whereas the selectively etchable material is essentially removed below the narrow webs, and the narrow webs correspond to areas of the lower electrically conductive layer in projection.

Description

Die Erfindung betrifft einen miniaturisierten Meßwertaufnehmer nach Art eines elektrischen Kondensators.The invention relates to a miniaturized transducer like an electrical capacitor.

Meßwertaufnehmer genannter Art sind insbesondere als Feuchtesensoren bekannt. Dabei wird üblicherweise zwischen zwei Elektrodenschichten ein feuchteaufnehmendes dielektrisches Material, wie Keramik oder ähnliches eingebracht. Der Feuchtezutritt geschieht in diesen Fällen seitlich oder durch zumindest eine der Elektrodenflächen, die ggf. als selektiv permeable Schicht ausgebildet sein kann. Die dadurch meßbare Änderung der Dielektrizitätskonstanten der dielektrischen Schicht kann als Maß für die zu bestimmende Feuchte verwendet werden. Auch wenn in den letzten Jahren durch Miniaturisierung genannter Meßwertaufnehmer und spezielle, hochgezüchtete dielektrische Materialien diese Sensoren zunehmend in ihrer Empfindlichkeit gesteigert werden konnten, haftet ihnen jedoch der Nachteil einer relativ großen Zeitkonstante an, so daß schnelle Änderungen bspw. der Feuchte nicht registrierbar bzw. nicht exakt erfaßbar sind. Es bestehen jedoch im Bereich der chemischen Industrie, der Medizintechnik, der Wasserwirtschaft, der Klimatechnik und nicht zuletzt im Umweltschutz vielfältige Meßaufgaben, die Sensoren mit kleinen Zeitkonstanten erfordern und die bei entsprechender Eichung auch als selektive Sensoren Verwendung finden sollen.Transducers of the type mentioned are in particular as Humidity sensors known. It is usually between two electrode layers a moisture absorbing dielectric Material such as ceramics or the like introduced. In these cases, moisture can enter laterally or by at least one of the electrode surfaces that may can be formed as a selectively permeable layer. The thereby measurable change in the dielectric constant of the dielectric layer can be used as a measure of the to be determined Moisture can be used. Even if in recent years through miniaturization of the named measuring transducers and special, highly grown dielectric materials these Sensors increasingly increased in their sensitivity However, they are liable for the disadvantage of one relatively large time constant so that quick changes For example, the humidity cannot be registered or not are precisely detectable. However, there are in the field of chemical industry, medical technology, water management, of air conditioning technology and not least in environmental protection diverse measuring tasks, the sensors with small time constants require and with appropriate calibration should also be used as selective sensors.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Meßwertaufnehmer nach Art eines Kondensators anzugeben, der in miniaturisierter Form eine schnelle Detektion sich ändernder zu messender Parameter, wie Feuchte, Konzentrationsänderungen chemischer Komponenten etc. ermöglicht. The invention is therefore based on the object To specify the sensor in the manner of a capacitor, which, in miniaturized form, enables rapid detection changing parameters to be measured, such as moisture, changes in concentration chemical components etc.  

Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Kennzeichen der Patentansprüche gelöst.The object of the invention is characterized by the characteristics of Claims resolved.

Durch die Erfindung wird ein Meßwertaufnehmer geschaffen, der hohe Meß-Kapazitäten bei gleichzeitig geringen parasitären Kapazitäten aufweist. Das Wesen der Erfindung besteht darin, daß wenigstens eine der eingesetzten Elektroden als im wesentlichen freitragende Struktur ausgeführt ist, die den freien Zutritt des zu vermessenden Mediums zwischen die Kondensatorelektroden ermöglicht. Dadurch werden hohe Stoffaustauschgeschwindigkeiten zwischen gebildeten kapazitiven Hohlräumen und der Umgebung des Meßwertaufnehmers geschaffen. Bevorzugt ist der Meßwertaufnehmer als Array aus einem Ensemble von parallel geschalteten Einzelkondensatoren ausgeführt.The invention provides a sensor, the high measuring capacities with low parasitic Has capacities. The essence of the invention is in that at least one of the electrodes used designed as a substantially self-supporting structure is the free access of the medium to be measured allows between the capacitor electrodes. Thereby high rates of mass transfer between formed capacitive cavities and the environment of the sensor created. The sensor is preferred as an array of an ensemble of connected in parallel Single capacitors executed.

Zur näheren Illustration der Erfindung soll folgendes Ausführungsbeispiel dienen. Es zeigtThe following is intended to illustrate the invention in more detail Serve embodiment. It shows

Fig. 1 eine mögliche Ausführungsform erfindungsgemäßen Meßwertaufnehmers in Draufsicht und Fig. 1 shows a possible embodiment of the transducer according to the invention in plan view and

Fig. 2 eine seitliche Schnittdarstellung einer Brücke gemäß Fig. 1. FIG. 2 shows a sectional side view of a bridge according to FIG. 1.

Auf ein elektrisch isolierendes Substrat 1 wird eine elektrisch leitfähige Metallschicht 2 (Dicke: ca. 0,02 bis 100 µm, vorzugsweise um 0,3 µm) aufgebracht. Diese Metallschicht wird mikrolithografisch strukturiert. Für die Herstellung kapazitiver Meßwertaufnehmer, bspw. für Chemosensoren, erweist sich dabei eine Gitterstruktur (Stegbreite 0,5 bis 200 µm, vorzugsweise 5 bis 8 µm, Steglänge 1 bis 500 µm, vorzugsweise um 50 µm) als vorteilhaft, bei der alle Stege des Gitters an einem Ende durch einen Quersteg 7 verbunden sind. In Abhängigkeit vom gewählten Layout sollte die Gesamtfläche des Gitters im Größenbereich zwischen 0,01 mm² und 100 cm², vorzugsweise zwischen 0,1 mm² und 1 cm² liegen.An electrically conductive metal layer 2 (thickness: approx. 0.02 to 100 μm, preferably around 0.3 μm) is applied to an electrically insulating substrate 1 . This metal layer is structured microlithographically. A grid structure (web width 0.5 to 200 µm, preferably 5 to 8 µm, web length 1 to 500 µm, preferably around 50 µm) proves to be advantageous for the production of capacitive transducers, for example for chemical sensors Grid are connected at one end by a crossbar 7 . Depending on the selected layout, the total area of the grid should be in the size range between 0.01 mm² and 100 cm², preferably between 0.1 mm² and 1 cm².

Auf diese untere Metallschicht 2 wird eine dünne Isolatorschicht 3 (Schichtdicke 0,1 bis 5 µm, vorzugsweise um 1 µm) aufgebracht. Die Isolatorschicht kann durch mikrolithografische Technik zur Herstellung ein oder mehrerer, nicht dargestellter Kontaktfenster zur unteren Metallschicht hin geöffnet werden. Auf diese Isolatorschicht 3 wird eine Opferschicht (0,05 bis 10 µm, vorzugsweise 0,5 bis 2 µm) aufgebracht. Als Material für diese Opferschicht kann ein selektiv ätzbares Material 4, bspw. gesputtertes Kupfer eingesetzt werden. Auf diese Opferschicht werden ein oder mehrere Schichten (Schichtsystem 5) herzustellender freitragender Strukturelemente aufgebracht (Dicke zwischen 0,1 und 10 µm, vorzugsweise zwischen 0,3 und 3 µm). Mindestens eine dieser Schichten muß elektrisch leitfähig sein. Dieses Schichtsystem 5 wird so strukturiert, daß Gruppen schmaler Stege 6, die jeweils durch wenigstens einen breiteren Steg 7 miteinander verbunden sind (vgl. Fig. 1) verbleiben. Vorteilhafterweise werden diese Strukturen so angeordnet, daß genannte schmale Stege 6 die Gitterstege der unteren Metallschicht, die eine kammartige Struktur 8 aufweisen sollte, in Projektion senkrecht überdecken. Die Länge der schmalen Stege ist vorteilhafterweise gleich oder etwas größer als die Breite der Gitterstege der unteren Metallschicht. Das Material und ggf. die Reihenfolge der Auftragung der wie beschrieben zu strukturierenden Schichten ist so zu wählen, daß die darunterliegende Opferschicht selektiv abtragbar ist.A thin insulator layer 3 (layer thickness 0.1 to 5 μm, preferably around 1 μm) is applied to this lower metal layer 2 . The insulator layer can be opened towards the lower metal layer by means of microlithographic technology for producing one or more contact windows (not shown). A sacrificial layer (0.05 to 10 μm, preferably 0.5 to 2 μm) is applied to this insulator layer 3 . A selectively etchable material 4 , for example sputtered copper, can be used as the material for this sacrificial layer. One or more layers (layer system 5 ) of self-supporting structural elements to be produced are applied to this sacrificial layer (thickness between 0.1 and 10 μm, preferably between 0.3 and 3 μm). At least one of these layers must be electrically conductive. This layer system 5 is structured in such a way that groups of narrow webs 6 , which are each connected to one another by at least one wider web 7, remain (see FIG. 1). These structures are advantageously arranged in such a way that the said narrow webs 6 cover the lattice webs of the lower metal layer, which should have a comb-like structure 8 , perpendicularly in projection. The length of the narrow webs is advantageously the same or slightly larger than the width of the lattice webs of the lower metal layer. The material and, if applicable, the sequence in which the layers to be structured are described are to be selected so that the sacrificial layer underneath can be removed selectively.

Nach der eben beschriebenen Strukturierung der späterhin teilweise freitragenden Strukturen, wird die Opferschicht mit einem anisotrop wirkenden Ätzmedium so behandelt, daß unter genannten schmalen Stegen der freiliegenden Schicht das Material vollständig abgetragen ist, wenigstens unter dem größten Teil der breiten, die schmalen Stege verbindenden Stege dagegen das Material der Opferschicht noch erhalten ist. Auf diese Weise werden freitragende Strukturen mit stützenden Elementen aus dem Material der Opferschicht erhalten (vgl. Fig. 2). Es resultiert ein freier Spalt 9 zwischen der Isolatorschicht und den freitragenden Strukturen mit einer Spaltbreite von 0,05 bis 10 µm, vorzugsweise 0,5 bis 2 µm.After the structuring of the structures that will later be partially self-supporting, as just described, the sacrificial layer is treated with an anisotropically acting etching medium in such a way that the material is completely removed under the aforementioned narrow webs of the exposed layer, at least under the majority of the wide webs connecting the narrow webs the material of the sacrificial layer is still preserved. In this way, self-supporting structures with supporting elements are obtained from the material of the sacrificial layer (cf. FIG. 2). A free gap 9 results between the insulator layer and the self-supporting structures with a gap width of 0.05 to 10 μm, preferably 0.5 to 2 μm.

Das Material für die einzelnen eingesetzten Schichten ist so zu wählen, daß entsprechend der vorgeschlagenen Herstellungsweise der oder des Meßwertaufnehmer(s) eine selektive Ätzung durchgeführt werden kann, womit keine ausschließliche Beschränkung auf die vorgeschlagenen Materialien erfolgt. Diese sind lediglich bevorzugt im Hinblick auf ihre selektive Ätzbarkeit und ihre relative Korrosionsbeständigkeit ausgewählt.The material for the individual layers used is to choose so that according to the proposed method of manufacture the transducer (s) has a selective etching can be performed, with which none exclusive limitation to the proposed materials he follows. These are only preferred in view on their selective etchability and their relative Corrosion resistance selected.

Eine nach der Erfindung gefertigte Struktur kann in ihrer Gesamtheit als Meßwertaufnehmer, oder auch vereinzelt, bspw. durch Trennung des Gesamtchips parallel zu den unteren schmalen Stegen, Anwendung finden. Bestimmend hierfür ist die gewünschte Gesamtkapazität des Bauelementes.A structure made according to the invention can be in its Whole as a measuring sensor, or also isolated, For example, by separating the entire chip parallel to the lower ones narrow bars, find application. Determining this is the desired total capacity of the component.

Bei nach der Erfindung gefertigten Chips sind bei Gesamtkapazitäten an Luft zwischen 0,5 und 1 nF (bei einer Gesamtelektrodenfläche von 80 mm² und einem Spaltabstand von 2 µm) Kapazitätsänderungen von 2 pF bis 300 pF (0,2% bis 30%) bei Gasmessungen detektierbar. Diesen Kapazitätsänderungen entsprechen im Falle der Vermessung von Kapazitätsänderungen von Wasserdampf in Luft nachweisbaren Konzentrationsänderungen von 1,5%. Bei der Vermessung von Flüssigkeiten steigt die Kapazität erwartungsgemäß erheblich an, was zu einer Empfindlichkeitssteigerung von bis zu einem Faktor 10 führt. In chips manufactured according to the invention have total capacities in air between 0.5 and 1 nF (at a Total electrode area of 80 mm² and a gap distance of 2 µm) changes in capacitance from 2 pF to 300 pF (0.2% up to 30%) detectable with gas measurements. These changes in capacity correspond in the case of measuring changes in capacity detectable by water vapor in air Changes in concentration of 1.5%. When measuring As expected, liquids increase their capacity considerably at, leading to a sensitivity increase of up to leads to a factor of 10.  

Die Erfindung ist nicht auf die lineare Ausbildung genannter Stege der Elektroden beschränkt. Ebenso sind je nach Anwendungsfall bzw. durch den Gesamtdetektor bestimmte Gestaltungsvorgaben andere geometrische Ausführungen der Elektroden und ihrer Stege denkbar.The invention is not based on linear training Ridges of the electrodes limited. Likewise, each determined by the application or by the overall detector Design specifications other geometric designs the electrodes and their webs conceivable.

BezugszeichenlisteReference list

1 isolierendes Subtrat
2 elektrisch leitende Schicht
3 Isolatorschicht
4 selektiv ätzbares Material (Opferschicht)
5 Schichtsystem
6 schmale Stege
7 breitere Stege
8 kammartige Struktur
9 Spalt 1 insulating substrate
2 electrically conductive layer
3 insulator layer
4 selectively etchable material (sacrificial layer)
5 layer system
6 narrow bars
7 wider bars
8 comb-like structure
9 gap

Claims (15)

1. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach Art eines elektrischen Kondensators, beinhaltend zwei Elektrodenkonfigurationen, die elektrisch isoliert voneinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet,, daß auf einem isolierenden Substrat (1) eine und/oder mehrere Elektroden bildende elektrisch leitende Schicht (2) aufgebracht ist, welche von einer Isolatorschicht (3) überdeckt ist, die Isolatorschicht (3) in einem oder mehreren Bereichen von einem weiteren, selektiv gegen diese und weitere nachfolgende Schichten ätzbaren Material (4) überdeckt ist, worauf ein weiteres Schichtsystem (5) abgeschieden ist, von dem wenigstens eine Schicht elektrisch leitfähig ist und diese leitfähige Schicht derart ausgebildet ist, daß sie aus Gruppen schmaler Stege (6) besteht, die zumindest einseitig durch einen breiteren Steg (7) elektrisch verbunden sind, diese breiteren Stege (7) zum überwiegenden Teil ihrer Fläche oberhalb des selektiv ätzbaren Materials (4) auf diesem, ggf. getrennt durch ein oder mehrere weitere Schichten des Schichtsytems aufliegen, wohingegen das selektive ätzbare Material (4) unterhalb der schmalen Stege im wesentlichen entfernt ist und die schmalen Stege mit Bereichen der unteren elektrisch leitfähigen Schicht in Projektion korrespondieren.1. Miniaturized transducer in the manner of an electrical capacitor, comprising two electrode configurations which are arranged electrically insulated from one another, characterized in that one and / or more electrodes-forming electrically conductive layer ( 2 ) is applied to an insulating substrate ( 1 ), which is covered by an insulator layer ( 3 ), the insulator layer ( 3 ) is covered in one or more areas by a further material ( 4 ) which can be selectively etched against these and further subsequent layers, whereupon a further layer system ( 5 ) is deposited, from which at least one layer is electrically conductive and this conductive layer is formed in such a way that it consists of groups of narrow webs ( 6 ) which are electrically connected at least on one side by a wider web ( 7 ), these wider webs ( 7 ) for the most part of their area above the selectively etchable material ( 4 ) on it, if necessary, lie separately by one or more further layers of the layer system, whereas the selective etchable material ( 4 ) below the narrow webs is essentially removed and the narrow webs correspond to areas of the lower electrically conductive layer in projection. 2. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere elektrisch leitfähige Schicht in Form einer kammartigen Struktur (8) ausgeführt ist, die aus mehreren schmalen langen Stegen besteht, die zumindest einseitig miteinander in elektrisch leitender Verbindung stehen. 2. Miniaturized transducer according to claim 1, characterized in that the lower electrically conductive layer is in the form of a comb-like structure ( 8 ) which consists of several narrow long webs which are at least on one side in an electrically conductive connection. 3. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere leitfähige Schicht als einzelner schmaler langer Steg ausgebildet ist.3. Miniaturized transducer according to claim 1, characterized in that the lower conductive Layer formed as a single narrow long web is. 4. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach Anspruch 1 und (2 oder 3), dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der oder des unteren schmalen Stege(s) größenordnungsgemäßig gleich der Breite der schmalen Stege der oberen Elektrode ist.4. Miniaturized transducer according to claim 1 and (2 or 3), characterized in that the width of the lower narrow web (s) in accordance with the order of magnitude equal to the width of the narrow webs of the upper ones Electrode. 5. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich der bzw. die schmale(n) Steg(e) mit den schmalen Stegen der oberen Elektrode in Projektion kreuzförmig überdecken.5. Miniaturized sensor according to one of the preceding Claims, characterized in that the narrow web (s) with the narrow webs cover the upper electrode in a cross shape in the projection. 6. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der in Projektionsrichtung zwischen den genannten leitfähigen Schichten gebildete, durch die Zwischenräume der oberen Elektrode frei zugängliche Spalt (9) eine Spaltdicke in der Größenordnung von mindestens der Breite der schmalen Stege der oberen Elektrode aufweist.6. Miniaturized transducer according to any one of the preceding claims, characterized in that the gap ( 9 ) formed between the said conductive layers in the projection direction and freely accessible through the interstices of the upper electrode has a gap thickness of the order of magnitude of at least the width of the narrow webs of the upper Has electrode. 7. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der schmalen Stege der oberen Elektrode zueinander im wesentlichen der Breite eines Einzelstegs entspricht. 7. Miniaturized sensor according to one of the above Claims, characterized in that the Distance between the narrow ridges of the upper electrode essentially the width of a single web corresponds.   8. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die elektrisch leitfähigen Elektroden Titan eingesetzt ist.8. Miniaturized sensor according to one of the preceding Claims, characterized in that for the electrically conductive electrodes used titanium is. 9. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die die Spaltdicke zwischen den elektrisch leitfähigen Elektroden bestimmende selektiv ätzbare Schicht Kupfer, insbesondere gesputtertes Kupfer, eingesetzt ist.9. Miniaturized sensor according to one of the preceding Claims, characterized in that for which is the gap thickness between the electrically conductive Electrode-defining, selectively etchable layer of copper, sputtered copper in particular is used. 10. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der unteren Elektrodenschicht eine Dicke von 0,02 bis 100 µm, vorzugsweise von 0,2 µm, gegeben ist.10. Miniaturized sensor according to one of the above Claims, characterized in that the bottom electrode layer a thickness of 0.02 to 100 microns, preferably 0.2 microns, is given. 11. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die untere elektrisch wirksame Elektrodenfläche in der Größenordnung von 0,01 mm² bis 100 cm², vorzugsweise von 0,1 mm² bis 1 cm² festgelegt ist.11. Miniaturized sensor according to one of the above Claims, characterized in that the lower electrically effective electrode surface in the Of the order of 0.01 mm² to 100 cm², preferably from 0.1 mm² to 1 cm² is specified. 12. Miniaturisierter Meßwertaufnehmer nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der oberen Elektrodenschicht zwischen 0,1 bis 10 µm, vorzugsweise zwischen 0,3 bis 3 µm, festgelegt ist. 12. Miniaturized sensor according to one of the preceding Claims, characterized in that the Upper electrode layer thickness between 0.1 to 10 microns, preferably between 0.3 to 3 microns, set is.   13. Verfahren zur Herstellung eines miniaturisierten Meßwertaufnehmers nach der Art eines elektrischen Kondensators, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem elektrisch isolierenden Substrat eine Metallschicht aufgebracht wird, diese mit einer Isolatorschicht überzogen und darauf eine weitere Metallschicht aufgebracht wird, auf der ein weiteres Schichtsystem abgeschieden wird, das zumindest aus einer elektrisch leitfähigen Schicht besteht, letztgenanntes Schichtsystem einer Strukturierung derart unterworfen wird, daß aus dieser Schicht schmale Stege verbleiben, die elektrisch durch wenigstens einen breiteren Steg miteinander verbunden sind, danach die unter diesem Schichtsystem verbliebene Metallschicht einer selektiven Strukturierung derart unterworfen wird, daß die schmalen Stege der oberen Elektrodenschicht im wesentlichen unterätzt werden.13. Process for producing a miniaturized transducer like an electrical capacitor, characterized in that on an electric insulating substrate applied a metal layer is covered with an insulator layer and another metal layer is applied to it, on which another layer system is deposited, at least from an electrically conductive layer exists, the latter layer system of structuring is subjected so that from this layer narrow webs remain, which are electrically by at least a wider web are connected to each other, then the one remaining under this layer system Metal layer of a selective structuring in this way is subjected to the narrow webs of the upper Electrode layer are essentially under-etched. 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Elektrodenschicht, vor Aufbringung der weiteren Schichten des Meßwertaufnehmers einer Strukturierung unterworfen wird, die die Metallschicht in ein oder mehrere schmale lange Stege unterteilt, die bei Herstellung mehrerer Stege selbige untereinander in elektrisch leitender Verbindung beläßt.14. The method according to claim 13, characterized in that the lower electrode layer, before application of the further layers of the measuring sensor of a structuring is subjected to the the metal layer in a or several narrow long bars divided at Manufacture of several bridges the same in each other leaves electrically conductive connection. 15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß in die auf die untere Metallschicht aufgebrachte Isolatorschicht wenigstens ein Kontaktfenster geätzt wird.15. The method according to claim 13, characterized in that in the applied to the bottom metal layer Insulator layer etched at least one contact window becomes.
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