DE4228349A1 - Koplanarer Wellenleiter mit geringem Wellenwiderstand - Google Patents
Koplanarer Wellenleiter mit geringem WellenwiderstandInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/003—Coplanar lines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen koplanaren Wellenleiter nach
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Derartige Wellenleiter finden z. B. Verwendung in monoli
thisch integrierten Mikrowellenschaltkreisen (MMIC), die
in koplanarer Wellenleitertechnik, sogenannter CPW-Tech
nik, hergestellt werden.
Verglichen mit der Mikrostreifenleiter-Technik (siehe u. a.
T. Hiraoka et al., IEEE Trans. Microwave Theory Tech.,
Vol. MTT-37 (1989), S. 1569 bis 1575) hat die CPW-Technik
den Vorteil, daß die Leitungsstruktur auf der Vorderseite
aufgebracht wird.
Deshalb entfällt das Dünnen des Substrates, die via-hole-
Technik und die Rückseitenmetallisierung des Substrates.
In Verbindung mit der Realisierung von MMIC′S in CPW-Tech
nik erweist es sich mitunter als notwendig, Koplanarlei
tungen mit sehr geringen Wellenwiderständen auszulegen.
Beispielsweise werden Transmissionsleitungen für MMIC′S
mit charakteristischen Impedanzen von kleiner als ZL = 30Ω
benötigt. Aus feldtheoretischen Betrachtungen ist
bekannt, daß die Impedanzen von koplanaren Wellenleitern
(CPW) hauptsächlich durch das Verhältnis von Steifenbreite
w zu Schlitzbreite s bestimmt wird.
Um z. B. für MMIC′S auf GaAs, deren Leitungsstrukturen ty
pischerweise eine Metallisierungsdicke von 3 µ aufweisen,
charakteristische Impedanzen von ZL = 30Ω zu realisieren,
müssen diese CPW′s ein Verhältnis w/s ≈ 10 aufweisen (bei
spielsweise Streifenbreite w = 50 µ und Schlitzbreite s = 5 µ).
Außer dem physikalisch ungünstigen Verhältnis von w/s = 10
hat eine derartige Leitungsstruktur den Nachteil, daß ein
großer Chip benötigt wird, wenn Leitungen mit einer Länge
von 1 = 1 mm hergestellt werden sollen unter Berücksichti
gung von minimalen Krümmungsradien rmin = w + 2s. Diese
Grenze für den minimalen inneren Radius der Koplanarlei
tung ist notwendig, um Kopplungseffekte zu vermeiden. Die
Schwierigkeit koplanare Leitungen mit charakteristischen
Impedanzen unterhalb von ZL = 30Ω herzustellen, liegt
darin, daß für immer kleiner werdende Impedanzen das Ver
hältnis w/s drastisch ansteigt.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde einen ko
planaren Wellenleiter mit geringem Wellenwiderstand an
zugeben, der technisch einfach und zuverlässig herstellbar
ist und der einen geringen Platzbedarf erfordert.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale. Vorteil
hafte Ausgestaltungen und/oder Weiterbildungen sind den
Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels be
schrieben unter Verwendung von Zeichnungen.
In Fig. 1 ist eine Teststruktur auf einem GaAs-Substrat
mit zwei parallel geschalteten 60Ω-Leitungen 1 und 2 und
einer 30Ω-Leitung 4 dargestellt.
Fig. 2 zeigt einen vierstufigen monolithisch integrierten
30GHz-Verstärker auf GaAs in Koplanartechnik, bei dem vier
parallel geschaltete Koplanarleitungen P verwendet werden.
Mit den erfindungsgemäßen Koplanarleitungen werden Wellen
leiter mit geringen Wellenwiderständen realisiert, die
gleichzeitig ein geringes Verhältnis von w/s besitzen. Es
werden zwei identische Transmissionsleitungen verwendet,
jede mit der gewünschten Länge, aber mit doppelt so hoher
Impedanz als wie benötigt. Luftbrücken-T-Übergänge, die
aus der Veröffentlichung Koster et al., Proc. EMC 1989,
London, S. 666 bis 671 bekannt sind, werden an den Ver
zweigungspunkten der beiden koplanaren Wellenleiter ange
bracht, um höhere Moden zu unterdrücken. Die beiden kopla
naren Leitungen besitzen z. B. eine Schlitzbreite von s =
12 µm und eine Streifenbreite von w = 10 µm mit einer Impe
danz von ZL = 60Ω. Die Länge der Transmissionsleitungen
beträgt z. B. 1 = 2 mm. Durch die Parallelschaltung zweier
60Ω-Leitungen in CPW-Technik kann das elektrische Verhal
ten einer 30Ω-Leitung (s = 5 µm, w = 50 µm, 1 = 2 mm) reali
siert werden. Eine Teststruktur, die eine 30Ω-Koplanarlei
tung 4 und eine Parallelschaltung P zweier 60Ω-Leitungen 1
und 2 und einen Luftbrücken-T-Übergang 3 enthält, ist in
Fig. 1 dargestellt.
In Filternetzwerken ist die Parallelschaltung von Kopla
narleitungen auf Luftbrücken-Kreuz-Verzweigungen oder all
gemeine Mehrfachverzweigungen erweiterbar. Fig. 2 zeigt
ein Beispiel für eine Ka-Band GaAs-Verstärkerschaltung,
die vier parallel geschaltete Koplanarleitungen P enthält.
Dieser vierstufige monolithisch integrierte Verstärker ist
für Frequenzen von 30 GHz geeignet, wobei lediglich sehr
geringe Wellenwiderstände auftreten.
Die Erfindung ist jedoch nicht auf die im Ausführungsbei
spiel angegebene Koplanarleitungen beschränkt, sondern es
kann z. B. durch Parallelschaltung von zwei identischen
40Ω-Leitungen (auf GaAs beispielsweise Schlitzweite s = 10 µm,
Streifenbreite w = 35 µm, Metallisierungshöhe t = 3 µm)
das Verhalten einer 20Ω-Leitung realisiert werden. Eine
derartige 20Ω-Leitung ist in konventioneller CPW-Technik
auf GaAs nicht mehr realisierbar.
Desweiteren ist auch die Verwendung anderer Substratmate
rialien wie z. B. Si oder InP zur Herstellung von MMIC′s in
CPW-Technik möglich.
Claims (5)
1. Koplanare Wellenleiter, insbesondere für Mikrowellen
schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß der koplanare
Wellenleiter zwei identische Koplanarleitungen (1, 2) ent
hält, die parallel geschaltet sind, und daß durch Paral
lelschaltung von zwei identischen Koplanarleitungen mit
dem Wellenwiderstand ZL ein koplanarer Wellenleiter mit
einer charakteristischen-Impedanz von ZL/2 herstellbar
ist.
2. Koplanarer Wellenleiter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Bereich der Aufspaltung des Wellen
leiters Luftbrücken-T-Übergänge (3) angebracht sind.
3. Koplanarer Wellenleiter nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß in Filternetzwerken Luftbrücken-Kreuz-
Verzweigungen an den Verzweigungspunkten des Wellenleiters
angebracht sind.
4. Koplanarer Wellenleiter nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch eine Paral
lelschaltung von zwei identischen 60Ω-Koplanarleitungen
ein koplanarer Wellenleiter mit einer charakteristischen
Impedanz von 30Ω herstellbar ist.
5. Koplanarer Wellenleiter nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die parallelgeschalteten 60Ω-Koplanar
leitungen eine Länge von 1 = 2 mm, eine Schlitzweite s = 12 µm
und eine Streifenbreite w = 10 µm besitzen.
Priority Applications (3)
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Publications (1)
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Family Applications (2)
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US4463323A (en) * | 1982-08-23 | 1984-07-31 | Woven Electronics Corporation | Woven low impedance electrical transmission cable and method |
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1993
- 1993-08-11 EP EP93112861A patent/EP0584650B1/de not_active Expired - Lifetime
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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NICHTS ERMITTELT * |
Also Published As
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DE59308661D1 (de) | 1998-07-16 |
EP0584650A1 (de) | 1994-03-02 |
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