DE4143530C2 - Device for neutron activation analysis - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Neutronenaktivierungsanalyse nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The invention relates to a device for neutron activation analysis according to the preamble of claim 1.
Zur Durchführung oberflächenselektiver und oberflächensensitiver Untersuchungen an Festkörperoberflächen benötigt man Sonden von geringer Eindring- oder Ausdringtiefe. Geringe Eindringtiefen besitzen beispielsweise niederenergetische Elektronen und Ionen wegen ihrer intensiven Wechselwirkung mit Materie. Diese intensive Wechselwirkung mit Materie führt dazu, daß diese Sonden auch mit der Atmosphäre wechselwirken, in der sich die Probenoberfläche befindet. Deshalb können diese Sonden und damit auch die Proben nur in Ultra-Hochvakuumkammern analytisch eingesetzt werden. Sonden mit relativ geringer Wechselwirkung mit Materie, wie z. B. Röntgenphotonen und Neutronen, unterliegen diesen Einschränkungen nicht. Röntgenphotonen und Neutronen besitzen nämlich große Eindring- und Ausdringtiefen. Die großen Eindringtiefen derartiger Sonden lassen sich jedoch im Bereich von Oberflächen und Grenzflächen gezielt selektiv auf wenige nm reduzieren, wenn die Sonden so auf die Probenoberfläche fallen, daß sie externe Totalreflexion erfahren. To carry out surface-selective and surface-sensitive Investigations on solid surfaces require probes from shallow penetration or penetration depth. Shallow depths of penetration have, for example, low-energy electrons and ions because of their intense interaction with matter. This intense Interaction with matter also leads to these probes interact with the atmosphere in which the sample surface is located located. Therefore, these probes and therefore the samples can can only be used analytically in ultra-high vacuum chambers. Probes with relatively little interaction with matter, such as. B. X-ray photons and neutrons are subject to these restrictions Not. X-ray photons and neutrons have large ones Penetration and penetration depths. The great depth of penetration of such However, probes can be used in the area of surfaces and Selectively reduce interfaces to a few nm if the Probes fall onto the sample surface in such a way that they cause total external reflection Experienced.
Eine externe Totalreflexion tritt auf, wenn Strahlung hinreichend flach auf glatte Oberflächen fester oder flüssiger, organischer oder anorganischer, amorpher, polykristalliner oder kristalliner Proben fällt und für diese Strahlung der Brechungsindex der betreffenden Materie kleiner ist als der des umgebenden Vakuums bzw. der umgebenden Atmosphäre. Für Röntgenphotonen und für Neutronen besteht im Brechungsindex kein maßgeblicher Unterschied zwischen Luft und Vakuum. Im folgenden kann deshalb ohne Einschränkung Vakuum auch durch Luft oder eine andere Gasatmosphäre ersetzt werden.External total reflection occurs when radiation is sufficient flat on smooth surfaces of solid or liquid, more organic or inorganic, amorphous, polycrystalline or crystalline Samples falls and for this radiation the refractive index of the matter in question is smaller than that of the surrounding one Vacuum or the surrounding atmosphere. For X-ray photons and there is no significant difference in the refractive index for neutrons between air and vacuum. In the following, therefore, without Restriction of vacuum by air or another gas atmosphere be replaced.
Der Brechungsindex n von Röntgenphotonen (ν) und Neutronen (n) beträgt im Vakuum:The refractive index n of X-ray photons (ν) and neutrons (n) in vacuum:
nν = 1 (1)n ν = 1 (1)
nn = 1 (2)n n = 1 (2)
und in Materie:and in matter:
nν = 1-δν-iβν (3)n ν = 1-δ ν -iβ ν (3)
nn = 1-δn-iβn (4)n n = 1-δ n -iβ n (4)
mit:With:
In den vorstehenden Formeln ist δ das dispersive Dekrement des Brechungsindex, β das absorptive Dekrement des Brechungsindex und bν ,n die kohärente Streulänge für Röntgenphotonen (ν) und Neutronen (n). Das absorptive Dekrement β kann bei der Berechnung des Totalreflexionsgrenzwinkels vernachlässigt werden, da sowohl für Röntgenphotonen (ν) als auch für Neutronen (n) δ<β ist.In the above formulas, δ is the dispersive decrement of the refractive index, β is the absorptive decrement of the refractive index and b ν , n is the coherent scattering length for X-ray photons (ν) and neutrons (n). The absorptive decrement β can be neglected in the calculation of the total reflection critical angle, since δ <β for X-ray photons (ν) as well as for neutrons (n).
Für die kohärente Streulänge von Röntgenphotonen gilt:The following applies to the coherent scattering length of X-ray photons:
bν = reZ (7)b ν = r e Z (7)
re bezeichnet den klassischen Elektronenradius, der 2,818×10-15m beträgt. Z ist die Kernladungszahl der Atome der Materie.r e denotes the classic electron radius, which is 2.818 × 10 -15 m. Z is the atomic number of the atoms of matter.
Gleichung (7) gilt für λν«λK-Kante und näherungsweise für alle Wellenlängen λ abseits der Absorptionskanten. bν ist monoton von Z abhängig. Es existieren Resonanzen in Abhängigkeit von λν.Equation (7) applies to λν «λ K-edge and approximately for all wavelengths λ apart from the absorption edges . b ν is monotonically dependent on Z. There are resonances depending on λν.
bn bezeichnet die kohärente Streulänge der Neutron-Kern-Wechselwirkung. bn ist stark isotopenabhängig. Darüberhinaus existieren auch noch Resonanzen in Abhängigkeit von λn.b n denotes the coherent scattering length of the neutron-nuclear interaction. b n is highly isotope-dependent. In addition, there are also resonances depending on λ n .
In Ferromagneten ist bn zu ersetzen durch (bn+pn). Die Streulänge pn beschreibt die magnetische Wechselwirkung. Wegen der Einstellung des magnetischen Moments des Neutrons bezüglich des magnetischen Moments der Hüllenelektronen der Materie ergeben sich positive und negative Werte.In ferromagnets, b n has to be replaced by (b n + p n ). The scattering length p n describes the magnetic interaction. Because of the adjustment of the magnetic moment of the neutron with respect to the magnetic moment of the shell electrons of matter, positive and negative values result.
Die Atomdichte der Materie N berechnet sich wie folgt:The atomic density of matter N is calculated as follows:
Hierin bezeichnet NA die Avogadrokonstante (NA = 6,0225×1023 mol-1). ρ ist die Dichte der Materie. Ar ist die relative Atommasse der Atome der Materie. Herein, N A denotes the Avogadro constant (N A = 6.0225 × 10 23 mol -1 ). ρ is the density of matter. A r is the relative atomic mass of the atoms of matter.
Für die Wellenlänge der Röntgenphotonen λν gilt:The following applies to the wavelength of the X-ray photons λ ν :
E bezeichnet die Photonenenergie.E denotes the photon energy.
Die de Brogliewellenlänge der Neutronen λn ergibt sich aus:The de Broglie wavelength of the neutrons λ n results from:
Hierin ist En die Neutronenenergie.Herein, E n is the neutron energy.
In der überwiegenden Zahl der Fälle ist der Brechungsindex für Materie nν<1 und nn<1. Es tritt somit externe Totalreflexion auf, wenn der Einfallswinkel R der Röntgenphotonen bzw. Neutronen kleiner als der kritische Winkel Rc ist:In the majority of cases, the refractive index for matter is n ν <1 and n n <1. External total reflection thus occurs when the angle of incidence R of the X-ray photons or neutrons is smaller than the critical angle R c :
Typische Werte von Rc liegen bei 0,5°.Typical values of R c are 0.5 °.
Für Einfallswinkel O<R<Rc nimmt die Eindringtiefe Lν, n für Röntgen- und Neutronenstrahlen bis auf wenige nm ab. Der minimale Wert Lmin beträgt:For the angle of incidence O <R <R c , the penetration depth L ν , n for X-rays and neutron beams decreases to a few nm. The minimum value L min is:
Die geringe Eindringtiefe bewirkt eine Oberflächenselektivität. Damit lassen sich auch Analysemethoden mit Röntgen- oder Neutronenstrahlen extrem oberflächenselektiv durchführen, obwohl diese Methoden üblicherweise nicht der Analyse der Probenoberfläche, sondern des Probeninneren dienen. Bei der Totalfreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TRFA, engl. TXRF) und der Totalreflexions-Neutronenaktivierungsanalyse (TNAA) wird mit den streifend einfallenden Röntgenphotonen bzw. Neutronen selektiv die Oberfläche angeregt. Die an der Oberfläche angeregten Atome können unter Aussendung von Röntgenstrahlen (Fluoreszenzstrahlung) bzw. von Gammastrahlung in einen stabilen Zustand zurückkehren. Aus der Energie der Strahlung (Röntgen- bzw. Gammastrahlung) lassen sich die Probenatome chemisch identifizieren. Dies ermöglicht eine Multielementanalyse. Die Intensität der Strahlung ist ein Maß für die Anzahl der Probenatome. TRFA und TNAA stellen somit oberflächenselektive Analysenverfahren zur Bestimmung der Elementzusammensetzung von Oberflächen und dünnen Schichten dar.The low penetration depth results in surface selectivity. This also allows analysis methods with X-rays or neutron beams perform extremely surface-selective, although this Methods usually not the analysis of the sample surface, but serve the inside of the sample. In total reflection x-ray fluorescence analysis (TRFA, TXRF) and the total reflection neutron activation analysis (TNAA) is grazing with the incident X-ray photons or neutrons selectively the surface excited. The atoms excited on the surface can emitting x-rays (fluorescent radiation) or return from gamma radiation to a stable state. Out the energy of the radiation (X-ray or gamma radiation) the sample atoms identify themselves chemically. this makes possible a multi-element analysis. The intensity of the radiation is a Measure of the number of sample atoms. TRFA and TNAA thus represent surface-selective analysis methods for determining the element composition of surfaces and thin layers.
Bereits aus der Veröffentlichung Y.Yoneda und T. Horiuchi, Rev.Sci.Instr. 42(1971)1069; P. Wobranschek und H. Aiginger, Anal.Chem. 47(1975)852 und der DE-OS 26 32 001, der US-PS 4,358,854 sind Vorrichtungen zur Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TRFA) bekannt. Röntgenquellen (Röntgenröhren) liefern polychromatische Röntgenstrahlung. Die Röntgenabsorption in der Probe zeigt starke Abhängigkeit von der Röntgenenergie. Der Absorptionskoeffizient und damit die Anregung einer bestimmten Fluoreszenzstrahlung fällt oberhalb der entsprechenden Absorptionskante zu höheren Energien stark ab. Trotzdem muß, um eine selektive Anregung der Oberflächenatome (Totalreflexion) zu gewährleisten, der Einfallswinkel der Anregungsstrahlung so gewählt werden, daß für das Anregungsspektrum Totalreflexion gewährleistet wird. Wegen der Abhängigkeit von λ in Gleichung 5 bestimmt somit die kürzeste im Anregungsspektrum noch vorkommende Wellenlänge den kritischen Winkel Rc, auch wenn diese kurzwelligen Anteile des Spektrums nur einen kleinen Beitrag zum Meßsignal liefern. Würde man von diesem Prinzip abweichen, so würde sich das Meßsignal des Analyten an der Oberfläche mit dem Meßsignal eines gleichartigen Elements auch dem Probeninneren überlagern. Dies würde das Ergebnis verfälschen, da die absolute Anzahl von Atomen selbst eines Elements mit geringer Konzentration im Probeninnern in der Regel wesentlich höher ist als die eines Analyten an der Oberfläche. Erstbekannte Meßanordnungen hatten den Nachteil, entweder den Einfallswinkel extrem klein wählen zu müssen oder neben der Oberflächenanregung auch noch eine Anregung des Probenvolumens in Kauf nehmen zu müssen. In den weiteren Entwicklungen wurde deshalb versucht, daß Anregungsspektrum unterhalb einer unteren praktisch gewählten Grenzwellenlänge abzuschneiden. Ein solches Abschneiden kurzwelliger Strahlung wurde durch Totalreflexion an polierten Quarzglasplatten erreicht (DE-PS 27 36 960, US-PS 4,426,717 und DE-PS 29 11 596).Already from the publication Y.Yoneda and T. Horiuchi, Rev.Sci.Instr. 42 (1971) 1069; P. Wobranschek and H. Aiginger, Anal.Chem. 47 (1975) 852 and DE-OS 26 32 001, US Pat. No. 4,358,854, devices for total reflection X-ray fluorescence analysis (TRFA) are known. X-ray sources (X-ray tubes) provide polychromatic X-rays. The X-ray absorption in the sample shows a strong dependence on the X-ray energy. The absorption coefficient and thus the excitation of a certain fluorescence radiation drops sharply above the corresponding absorption edge to higher energies. Nevertheless, in order to ensure selective excitation of the surface atoms (total reflection), the angle of incidence of the excitation radiation must be selected so that total reflection is ensured for the excitation spectrum. Because of the dependence on λ in equation 5, the shortest wavelength still occurring in the excitation spectrum determines the critical angle R c , even if these short-wave components of the spectrum only make a small contribution to the measurement signal. If one deviated from this principle, the measurement signal of the analyte on the surface would also be superimposed on the inside of the sample with the measurement signal of a similar element. This would falsify the result, since the absolute number of atoms, even of an element with a low concentration inside the sample, is generally much higher than that of an analyte on the surface. Known measuring arrangements had the disadvantage of either having to choose an extremely small angle of incidence or of having to accept excitation of the sample volume in addition to the surface excitation. In further developments, attempts were therefore made to cut off the excitation spectrum below a lower, practically chosen cut-off wavelength. Such cutting off of short-wave radiation was achieved by total reflection on polished quartz glass plates (DE-PS 27 36 960, US-PS 4,426,717 and DE-PS 29 11 596).
Für die Nachweisgrenze des Analyseverfahrens ist letztendlich die Intensität von Untergrund und Meßsignal maßgebend. Da, insbesondere bei der Anregung von Röntgenphotonen, die anregende Strahlung nur zum kleinen Teil absorbiert wird und Fluoreszenzstrahlung liefert, zu größten Teil jedoch gestreut wird und damit zum Untergrund beiträgt, muß zur Verbesserung der Nachweisgrenze das Angrenzungsspektrum so gewählt werden, daß im Fluoreszenzspektrum der gesuchten Analyten keine Streustrahlung vom Anregungsspektrum auftritt. Andererseits soll das Anregungsspektrum möglichst auf die Absorptionskante der Analyten fallen, um ein intensives Meßsignal zu erhalten. In jüngster Zeit wurde versucht, dieses Ziel durch monochromatische Anregung zu erreichen, wobei als Monochromatoren Einkristalle oder Multilayer verwendet wurden (A. Bohg und M. Briska, DE-OS 2727505 und US-PS 4,169,228; M. Brunel, Acta Cryst. A42(1986)304; R. S. Becker, J. A. Glovchenko und J. R. Patel, Phys. Rev. Lett. 50(1983)153; A. Iida und Y. Gohshi, Jpn. J. Appl. Phys. 23(1984)1543; A. Iida, K. Sakurai, A. Yoshinaga und Y. Gohshi, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A246(1986)736; C. T. Yap, R. E. Ayala und P. Wobrauschek, X-Ray Spectrometry, 17(1988)171; P. Wobrauschek und P. Kregsamer, Spectrochimica Acta 44B(1989)453). Gemäß Literaturangaben (K. Taniguchi, S. Sumita, A. Saski, K. Nishihagi und N. Fujino, Abstracts 39th Annual Denver Conference on Applications of X-Ray Analysis, Steamboat Springs CO, 30.07.- 03.08.1990, S. 39; M. Schuster, Abstracts 39th Annual Denver Conference on Applications of X-Ray Analysis, Steamboat Springs CO, 30.07.-03.08.1990, S. 40) lassen sich damit die Nachweisgrenzen gegenüber den Spektrometern mit einem Anregungsspektrum, das nur zur kurzwelligen Seite hin abgeschnitten ist, bis zu einem Faktor 10 verbessern.Ultimately, for the detection limit of the analysis method the intensity of the background and measurement signal is decisive. There, in particular in the excitation of x-ray photons, the stimulating Radiation is only partially absorbed and fluorescent radiation delivers, but is largely scattered and thus contributes to the subsurface must improve the detection limit the adjacent spectrum can be chosen so that in the fluorescence spectrum of the analytes sought no scattered radiation from the excitation spectrum occurs. On the other hand, the excitation spectrum if possible fall on the absorption edge of the analytes in order to to receive an intense measurement signal. Recently, attempts have been made to to achieve this goal through monochromatic excitation, single crystals or multilayers are used as monochromators (A. Bohg and M. Briska, DE-OS 2727505 and US-PS 4,169,228; M. Brunel, Acta Cryst. A42 (1986) 304; R. S. Becker, J.A. Glovchenko and J.R. Patel, Phys. Rev. Lett. 50 (1983) 153; A. Iida and Y. Gohshi, Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) 1543; A. Iida, K. Sakurai, A. Yoshinaga and Y. Gohshi, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A246 (1986) 736; C. T. Yap, R. E. Ayala and P. Wobrauschek, X-Ray Spectrometry, 17 (1988) 171; P. Wobrauschek and P. Kregsamer, Spectrochimica Acta 44B (1989) 453). According to literature (K. Taniguchi, S. Sumita, A. Saski, K. Nishihagi and N. Fujino, Abstracts 39th Annual Denver Conference on Applications of X-Ray Analysis, Steamboat Springs CO, July 30th August 3, 1990, p. 39; M. Schuster, Abstracts 39th Annual Denver Conference on Applications of X-Ray Analysis, Steamboat Springs CO, 30.07.-03.08.1990, p. 40) the detection limits can be determined compared to the spectrometers with an excitation spectrum that only is cut off to the short-wave side, up to a factor 10 improve.
Aus der Veröffentlichung Interference Coatings for Neutrons Applied Optics, Vol. 23, No. 20, 15. Oktober 1984, S. 3525-3527 ist es bereits bekannt, daß Neutronenstrahlen mit Multilayer Monochromatoren polarisiert werden können.From the Interference Coatings for Neutrons publication Applied Optics, Vol. 23, No. 20, October 15, 1984, pp. 3525-3527 it is already known that neutron beams with multilayer Monochromators can be polarized.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es nun, eine Vorrichtung der eingangs angegebenen Art zu schaffen, die sich insbesondere für Serienanalysen bzgl. ausgewählter Elemente, z. B. solcher, die für einen Fertigungsprozeß besonders kritisch sind, unter Zugrundelegung optimaler Analysenbedingungen eignet.The object of the present invention is now a device of the type specified at the outset, which in particular for series analysis of selected elements, e.g. B. such which are particularly critical for a manufacturing process, below Based on optimal analysis conditions.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung zur Neutronenaktivierungsanalyse nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 gelöst, die zusätzlich die Merkmale des kennzeichnenden Teils den Anspruchs 1 aufweist. Demgemäß wird der Neutronenstrahl streifend auf die glatte ebene Oberfläche der Probe oder eine Dünnschicht auf der Probe gerichtet, so daß diese unter Totalreflexionsbedingungen angeregt wird.According to the invention, this object is achieved by a device for Neutron activation analysis according to the preamble of the claim 1 solved, in addition the features of the characterizing part has claim 1. Accordingly, the neutron beam grazing the smooth flat surface of the sample or a Thin layer directed on the sample so that this under total reflection conditions is excited.
Bevorzugte Ausführungsformen dieser Lösung sind in den auf den Anspruch 1 zurückbezogenen Unteransprüche angegeben. Preferred embodiments of this solution are in the on the Claim 1 related subclaims specified.
So kann der Monochromator aus Schichtstrukturen mit normaler und lateraler Periodizität (Supergitter) auf einem Kristallsubstrat aufgebaut sein. Beispiele für die Ausführungsformen von Schichtstrukturen mit normaler und lateraler Periodizität sind in Fig. 3 dargestellt. Aus der Literatur sind AlAs/GaAs- und GaAs/GaAs1-xSbx-Schichtstrukturen bekannt (vgl. D. A. Neumann, H. Zabel und H. Morkoc, J. Appl. Phys. 64(1988)3024; T. Fukui, H. Saito und Y. Tokura, Jpn. J. Appl. Phys. 27(1988) L1320; T. Fukui und H. Saito, Appl. Phys. Lett. 50(1987)824; T. Fukui und H. Saito, J. Vac. Sci. Technol. B6(1988)1373; J. M. Gaines, P.M. Petroff, H. Koemer, R. J. Simes, R. S. Geels und J. H. English, J. Vac. Sci. Technol. 6(1988)1378), die zur Erzielung bestimmter elektronischer Eigenschaften mit MOVPE und MBE hergestellt wurden.For example, the monochromator can be constructed from layer structures with normal and lateral periodicity (superlattice) on a crystal substrate. Examples of the embodiments of layer structures with normal and lateral periodicity are shown in FIG. 3. AlAs / GaAs and GaAs / GaAs 1-x Sb x layer structures are known from the literature (cf. DA Neumann, H. Zabel and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 64 (1988) 3024; T. Fukui, H. Saito and Y. Tokura, Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988) L1320; T. Fukui and H. Saito, Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 824; T. Fukui and H. Saito, J. Vac. Sci. Technol. B6 (1988) 1373; JM Gaines, PM Petroff, H. Koemer, RJ Simes, RS Geels and JH English, J. Vac. Sci. Technol. 6 (1988) 1378), which are used for Achieving certain electronic properties with MOVPE and MBE were made.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung besteht der Monochromator aus einem Interkalat. Hierbei handelt es sich um Schichtstrukturen, die aus einem Graphitgitter bestehen, in das zwischen den Kohlenstoffatomebenen Atome, vorzugsweise Alkalimetalle (z. B. Li, Na, K, Rb, Cs) oder auch ganze Moleküle (z. B. FeCl₃, AsF₆) eingelagert sind (vgl. M. S. Dresselhaus und G. Dresselhaus, Advances in Physics 30(1981)139; H. Zabel, Structure and Dynamics of Graphite Intercalation Compounds in Proc. Int. Conf. on Neutron Scattering, 19.-23. August 1985, Santa Fe; H. Zabel, W. A. Kamitakahara und R. M. Nicklow, Phys. Rev. B26(1982)5919). Dies kann in verschiedenen Stufen erfolgen (vgl. Fig. 4). In Stufe 1 wechselt jeweils eine Graphitschicht mit einer Interkalatschicht ab. Bei Stufe 2 folgt nach 2 Graphitschichten jeweils eine Interkalatschicht, usw. (vgl. Fig. 3).According to a further embodiment, the monochromator consists of an intercalate. These are layer structures consisting of a graphite lattice into which atoms, preferably alkali metals (e.g. Li, Na, K, Rb, Cs) or whole molecules (e.g. FeCl₃, AsF₆) between the carbon atom planes (see MS Dresselhaus and G. Dresselhaus, Advances in Physics 30 (1981) 139; H. Zabel, Structure and Dynamics of Graphite Intercalation Compounds in Proc. Int. Conf. on Neutron Scattering, August 19-23, 1985 , Santa Fe; H. Zabel, WA Kamitakahara and RM Nicklow, Phys. Rev. B26 (1982) 5919). This can be done in different stages (see FIG. 4). In step 1, a graphite layer alternates with an intercalate layer. In step 2, an intercalate layer follows each after 2 graphite layers, etc. (see FIG. 3).
Die zuvor beschriebenen Arten von Monochromatoren lassen sich für Neutronen verwenden, wenn bei der Materialwahl die Neutronenstreulängen berücksichtigt werden und die Periodizitätslängen der de Brogliewellenlänge der Neutronenstrahlung angepaßt werden. Speziell für Neutronen ergibt sich noch eine bevorzugte Ausgestaltung darin, daß der Monochromator aus Schichtstrukturen mit ferromagnetischen Schichten besteht. Bei dieser Lösung für die Neutronenaktivierungsanalyse (TNAA) bietet die magnetische Wechselwirkung der Neutronen in ferromagnetischen Materialien darüber hinaus die Möglichkeit, den Brechungsindex durch ein externes Magnetfeld senkrecht zum Streuvektor zu beeinflussen (beachte Gl 4 und 6 sowie bn→bn+pn. Bei geschickter Wahl der Atomdichten N₁ und N₂ sowie der Streulängen b₁, b₂, p₁ und p₂ läßt sich die Reflektivität R=0 für Spin-up und R=0 für Spin-down Neutronen erzielen. Dies ist die Basis für einen polarisierenden Neutronenmonochromator. Ein Beispiel hierfür stellt eine Fe/Ge-Schichtstruktur dar (vgl. Ch.F. Majkrzak, Appl. Opt. 23(1984)3524).The types of monochromators described above can be used for neutrons if the neutron scattering lengths are taken into account in the choice of material and the periodicity lengths are adapted to the de Broglie wavelength of the neutron radiation. Especially for neutrons, a preferred embodiment results in the monochromator consisting of layer structures with ferromagnetic layers. With this solution for neutron activation analysis (TNAA), the magnetic interaction of neutrons in ferromagnetic materials also offers the possibility of influencing the refractive index by an external magnetic field perpendicular to the scattering vector (note Eq. 4 and 6 and b n → b n + p n . With a clever choice of atomic densities N₁ and N₂ as well as the scattering lengths b₁, b₂, p₁ and p₂ the reflectivity R = 0 for spin-up and R = 0 for spin-down neutrons can be achieved An example of this is an Fe / Ge layer structure (cf. Ch.F. Majkrzak, Appl. Opt. 23 (1984) 3524).
Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:Other advantages of the present invention will be based on the embodiments shown in the figures explained in more detail. Show it:
Fig. 1 eine Prinzipskizze einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung, Fig. 1 is a schematic diagram of a first embodiment of the device according to the invention,
Fig. 2a): den schematischen Gesamtaufbau des Monochromators nach einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfinndung, Figure 2a). The schematic overall structure of the monochromator according to a preferred embodiment of the present Erfinndung,
Fig. 2b): den schematischen Aufbau der Schichtstruktur des Monochromators gem. der in Fig. 2a) dargestellten Ausführungsform, Fig. 2b): the schematic structure of the layer structure of the monochromator gem. the embodiment shown in Fig. 2a),
Fig. 3: einen schematischen Gesamtaufbau des Monochromators nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, Fig. 3 shows a schematic overall construction of the monochromator according to another embodiment of the present invention,
Fig. 4: einen schematischen Aufbau des Monochromators nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, FIG. 4 shows a schematic construction of the monochromator according to a third embodiment of the present invention,
Fig. 5 einen schematischen Aufbau der Schichtstruktur des Monochromators nach einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, Fig. 5 shows a schematic structure of the layer structure of the monochromator according to a fourth embodiment of the present invention,
In Fig. 1 ist in schematischer Darstellung die Vorrichtung zur Bestrahlung von Proben unter streifendem Einfall mit monochromatischer Neutronenstrahlung für die Neutronenaktivierungsanalyse dargestellt. Die mit 1 bezeichnete Strahlungsquelle ist eine Neutronenquelle, die beispielsweise ein Reaktor oder auch eine Isotropenquelle sein kann. Mit 4 ist die zu untersuchende Probe, beispielsweise eine zu untersuchende Silizium-Scheibe, bezeichnet, Oberhalb der Probe ist der Meßaufnehmer 6, beispielsweise ein Halbleiterdetektor für Gammaspektrometrie, angeordnet, dem eine Streustrahlenblende 5 vorgeschaltet ist. Im Strahlengang des Neutronen-Strahls 10 sind nach der Strahlungsquelle 1 eine Blende 9, ein Monochromator 8 und eine Blende 7 nachgeschaltet. Der WinkelΦ ist der Beugungswinkel an der Monochromatoreneinheit, während der in Fig. 1 angezeichnete Winkel R den Einfallswinkel der Strahlung auf die Probe bezeichnet.In Fig. 1 a schematic representation of the apparatus is shown for the irradiation of samples at grazing incidence with monochromatic neutron radiation for neutron activation analysis. The radiation source denoted by 1 is a neutron source, which can be, for example, a reactor or an isotropic source. 4 is to be examined sample, for example a to be examined silicon wafer referred to, above which the sample is the measuring sensor 6, for example, a semiconductor detector for gamma spectrometry arranged, to which a stray radiation diaphragm 5 is connected upstream. An aperture 9 , a monochromator 8 and an aperture 7 are connected downstream of the radiation source 1 in the beam path of the neutron beam 10 . The angle Φ is the diffraction angle at the monochromator unit, while the angle R marked in FIG. 1 denotes the angle of incidence of the radiation on the sample.
Aus Fig. 2a) ist der schematische Gesamtaufbau des Monochromators nach einer ersten Lösung der vorliegenden Erfindung dargestellt, der aus einer Schichtstruktur auf einem Kristallsubstrat besteht. In dieser Figur ist mit 1′ die eine Schicht und mit 2′ die andere Schicht des Schichtpaares bezeichnet. Die gesamte Schichtstruktur ist mit 3′ und das Kristallsubstrat mit 4′ bezeichnet. dM zeigt die Periodizitätslänge der Schichtstruktur und dS bezeichnet die Periodizitätslänge des Kristallsubstrats. Mit dM1,2 ist die Dicke der Schicht 1′ bzw. 2′ bezeichnet. N gibt die Anzahl der Schichtpaare wider. Mit z ist die Tiefenkoordinate bezeichnet.From Fig. 2a) of the overall schematic structure of the monochromator is shown according to a first solution of the present invention, which consists of a layer structure on a crystal substrate. In this figure, 1 ' denotes one layer and 2' the other layer of the pair of layers. The entire layer structure is denoted by 3 ' and the crystal substrate by 4' . d M shows the periodicity length of the layer structure and d S denotes the periodicity length of the crystal substrate. With d M1.2 the thickness of the layer 1 ' or 2' is designated. N shows the number of pairs of layers. The depth coordinate is designated with z.
In Fig. 2b) ist der schematische Aufbau der Schichtstruktur 3′ des Monochromators gem. der Fig. 2a) näher dargestellt. Dabei ist mit 5′ ein inkohärenter Multilayer angedeutet. In 6′ ist eine Legierung mit modulierter Zusammensetzung (composition modulated alloy) dargestellt. Schließlich betrifft 7′ ein Supergitter (epitaktische Schichtfolgen). Diese drei nebeneinander dargestellten Schichtstrukturen geben also alternative Ausführungsformen für die erfindungsgemäße Schichtstruktur des Monochromators wieder.In Fig. 2b) is the schematic structure of the layer structure 3 'of the monochromator acc. shown in FIG. 2a) is closer. An incoherent multilayer is indicated with 5 ' . 6 ′ shows an alloy with a modulated composition. Finally, 7 ' relates to a superlattice (epitaxial layer sequences). These three layer structures shown next to one another thus represent alternative embodiments for the layer structure of the monochromator according to the invention.
Fig. 3 zeigt den schematischen Gesamtaufbau eine Monochromators nach einer zweiten Lösung der vorliegenden Erfindung. Hier ist die Schichtstruktur mit lateraler Periodizität auf einem Kristallsubstrat dargestellt. Die Schichtstruktur besteht in dem hier dargestellten Ausführungsbeispiel aus sequentiell aufgewachsenem AlAs und GaAs. dM ||'⟂ bezeichnet die laterale bzw. normale Periodizitätslänge der Schichtstruktur. Mit dS ist wiederum die Periodizitätslänge des Kristallsubstrats angegeben. Die Richtung [100] bezeichnet die Orientierung des Kristallsubstrats. Für das Wachstum lateral periodischer Strukturen ist eine Fehlorientierung der Oberfläche des Kristallsubstrats erforderlich. Fig. 3 shows the schematic overall structure of a monochromator according to a second solution of the present invention. Here the layer structure with lateral periodicity is shown on a crystal substrate. In the exemplary embodiment shown here, the layer structure consists of sequentially grown AlAs and GaAs. d M || '⟂ denotes the lateral or normal periodicity length of the layer structure. The periodicity length of the crystal substrate is again indicated by d S. The direction [100] denotes the orientation of the crystal substrate. A misorientation of the surface of the crystal substrate is necessary for the growth of lateral periodic structures.
Fig. 4 zeigt den schematischen Aufbau des Monochromators nach einer weiteren Lösung der vorliegenden Erfindung. Hier sind nebeneinander Interkalate auf Graphitbasis der Stufe 1, 2 und 3 dargestellt. Hierbei ist mit d die Periodizitätslänge des Interkalats bezeichnet. Diese Größe entspricht der Periodizitätslänge dM in der Beschreibung des Monochromatortyps gemäß der ersten Lösung der vorliegenden Erfindung. dc gibt die Periodizitätslänge der ungestörten Graphitlagen an. Diese Größe entspricht bei Interkalaten höherer Stufe der Periodizitätslänge dS in der Beschreibung des Monochromatortyps gemäß der ersten Lösung der Erfindung. Fig. 4 shows the schematic structure of the monochromator according to a further solution of the present invention. Intercalates based on graphite of levels 1, 2 and 3 are shown here side by side. The periodicity length of the intercalate is denoted by d. This quantity corresponds to the periodicity length d M in the description of the monochromator type according to the first solution of the present invention. d c indicates the periodicity length of the undisturbed graphite layers. In the case of higher-level intercalates, this size corresponds to the periodicity length d S in the description of the monochromator type according to the first solution of the invention.
In Fig. 5 ist der schematische Aufbau der Schichtstruktur des Monochromators nach einer vierten Lösung der vorliegenden Erfindung angegeben. Hierbei handelt es sich um einen elektrisch umschaltbaren Monochromator für die Monochromatisierung von Spin-polarisierten Neutronen. Mit 1′′ ist die unmagnetische Schicht 1 gekennzeichnet. 2′′ bezeichnet die ferromagnetische Schicht 2. Die Schicht 3, welche mit 3′′ gekennzeichnet ist, ist unmagnetisch und zu der Schicht 1 identisch. Mit 4′′ ist wiederum eine unmagnetische Schicht 4 bezeichnet. D1,2,3,4 geben die Dicken der Schichten 1 bis 4 an. Neben dem Schichtenaufbau ist diagrammartig der Brechungsindex für Spin-polarisierte Neutronen für ein ausgeschaltetes Magnetfeld H und ein eingeschaltetes Magnetfeld H gegenübergestellt. Dabei ist mit nn,H=0 der Brechungsindex für das ausgeschaltete Magnetfeld H und mit nn,H ≠₀ der Brechungsindex für das eingeschaltete Magnetfeld h bezeichnet. dH=0 gibt die Periodizitätslänge bei ausgeschaltetem Magnetfeld H und dH ≠ gibt die Periodizitätslänge bei eingeschaltetem Magnetfeld H wieder. z ist die Tiefenkoordinate der Schichtstruktur. Hier ist also schematisch die Ausführungsform eines Neutronenmonochromators gezeigt, der eine Steuermöglichkeit durch ein externes magnetisches Feld besitzt. Bei diesem Monochromator ist jede Periode aus vier Einzelschichten aufgebaut. Schicht 1 und 3 sind aus identischem unmagnetischem Material mit dem Brechungsindex nn1=nn3 aufgebaut. Schicht 4 ist ebenfalls unmagnetisch mit dem Brechungsindex nn4≠nn1, nn3. Zwischen Schicht 1 und 3 befindet sich die ferromagnetische Schicht 2, deren Brechungsindex ohne Magnetfeld nn2,H=0=nn1, nn3 ist und mit sättigendem Magnetfeld für Spin-polarisierte Neutronen nn2,H≠₀=nn4. Durch Einschalten des äußeren Magnetfeldes H≠0 und Ausschalten H=0 läßt sich die Periodizitätslänge der Schichtstruktur für Spinpolarisierte Neutronen zwischen dH ≠₀ und dH=0 umschalten. Im gezeigten Beispiel beträgt dH=0=2×dH ≠₀. Ist der Beugungswinkel durch Blenden festgelegt, so kann auf diese Weise das anregende Neutronenspektrum durch elektrisches Umschalten geändert werden.In Fig. 5, the schematic structure of the layer structure of the monochromator according to a fourth solution of the present invention is given. This is an electrically switchable monochromator for the monochromatization of spin-polarized neutrons. With 1 '' , the non-magnetic layer 1 is marked. 2 '' denotes the ferromagnetic layer 2. Layer 3, which is labeled 3 '' , is non-magnetic and is identical to layer 1. With 4 '' is again a non-magnetic layer 4. D 1,2,3,4 indicate the thicknesses of layers 1 to 4. In addition to the layer structure, the refractive index for spin-polarized neutrons for a switched-off magnetic field H and a switched-on magnetic field H is compared. The refractive index for the switched-off magnetic field H is designated with n n, H = 0 and the refractive index for the switched-on magnetic field h with n n, H ≠ ₀. d H = 0 gives the periodicity length when the magnetic field H is switched off and d H ≠ shows the periodicity length when the magnetic field H is switched on. z is the depth coordinate of the layer structure. Here, the embodiment of a neutron monochromator is shown schematically, which can be controlled by an external magnetic field. With this monochromator, each period is made up of four individual layers. Layers 1 and 3 are made of identical non-magnetic material with the refractive index n n1 = n n3 . Layer 4 is also non-magnetic with the refractive index n n4 ≠ n n1 , n n3 . Between layers 1 and 3 there is the ferromagnetic layer 2, whose refractive index is n n2, H = 0 = n n1 , n n3 without a magnetic field and with a saturating magnetic field for spin-polarized neutrons n n2, H ≠ ₀ = n n4 . By switching on the external magnetic field H ≠ 0 and switching off H = 0, the periodicity length of the layer structure for spin-polarized neutrons can be switched between d H ≠ ₀ and d H = 0 . In the example shown, d H = 0 = 2 × d H ≠ ₀. If the diffraction angle is determined by diaphragms, the exciting neutron spectrum can be changed in this way by electrical switching.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4143530A DE4143530C2 (en) | 1991-04-30 | 1991-08-22 | Device for neutron activation analysis |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4114205 | 1991-04-30 | ||
DE4127778A DE4127778C2 (en) | 1991-04-30 | 1991-08-22 | Device for total reflection X-ray fluorescence analysis |
DE4143530A DE4143530C2 (en) | 1991-04-30 | 1991-08-22 | Device for neutron activation analysis |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4143530C2 true DE4143530C2 (en) | 1995-02-09 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE4143530C2 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE19936898C1 (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-15 | Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh | Neutron polarizer, comprises neutron conducting, reflecting, spin selective and absorbing layers, and a neutron reflecting layer connected to the base |
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- 1991-08-22 DE DE4143530A patent/DE4143530C2/en not_active Expired - Fee Related
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