DE4136698A1 - Musterdefekt-nachweiseinrichtung und raeumliches frequenzfilter zur verwendung in dieser - Google Patents
Musterdefekt-nachweiseinrichtung und raeumliches frequenzfilter zur verwendung in dieserInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Musterdefekt-Nach
weiseinrichtung zum Nachweisen von defekten und Fremdpartikeln in
Mustern einer regulären Anordnung wie in einer strukturierten in
tegrierten Halbleiterschaltung, und im besonderen auf eine Verbes
serung eines räumlichen Frequenzfilters, das in einer solchen Mu
sterdefekt-Nachweiseinrichtung verwendet wird.
Fig. 11 ist ein Blockschaltbild, das schematisch eine in der japa
nischen Patentoffenlegungsschrift No. 63-205 775 beschriebene Mu
sterdefekt-Nachweiseinrichtung zeigt. Diese Musterdefekt-Nachweis
einrichtung enthält eine Lichtquelle 1 aus einem Laseroszillator
o.Ä. zur Erzeugung kohärenten Lichts, einen Kollimator, zwei zur
Aufweitung und Kollimation des von der Quelle 1 emittierten
Lichts, um es parallel zu machen, einen halbdurchlässigen Spiegel
3, einen Probenhalter bzw. -träger zum Halten eines Objekts bzw.
einer Probe 4 mit einer gemusterten Oberfläche, eine Linse 6 zum
Bündeln des durch das Muster auf der Oberfläche des Objekts 4 ge
streuten Lichts, einen halbdurchlässigen Spiegel 7 und ein räumli
ches Frequenzfilter 8 mit einem Muster aus einer Mehrzahl schwar
zer Punkte, das in einem Halter 8a in der rückseitigen Brennebene
der Linse 6 gehalten wird und nur das dem Defekt des Musters ent
sprechende gestreute Licht überträgt und das von einem ordnungsge
mäßen Muster gestreute Licht zurückhält.
Die Musterdefekt-Nachweiseinrichtung gemäß Fig. 11 enthält auch
eine Defektnachweis-Fernsehkamera 9 (ein Defektsignal-Nachweis
teil) zum Nachweis gestreuten Lichts, das durch den transparenten
Teil des räumlichen Frequenzfilters 8, d. h. durch den Teil außer
halb der schwarzen Punkte, die durchgeht, einen ersten Signalpro
zessor 10 zum Nachweis der defekten Stelle aus dem durch die de
fekte Nachweis-Fernsehkamera 8 nachgewiesenen Streulicht einen
Fernsehmonitor 11 zum Darstellen des Defekts, eine Positionsnach
weis-Fernsehkamera 12 zum Nachweis der Position (Lage) des Streu
musters, aus dem vom halbdurchlässigen Spiegel reflektierten
Licht, einen zweiten Signalprozessor 13 zum Nachweis der Position
(Lage) des Streumusters aus dem durch die Positionsnachweis-Fern
sehkamera 12 nachgewiesenen reflektierten Licht mit einer Steue
rung 14 zur Berechnung des Positions-Offsetabstandes bzw. der La
geverschiebung zwischen der korrekten Lage des Streumusters ent
sprechend der Lage des Defektes und der durch den ersten und zwei
ten Signalprozessor 10 und 13 nachgewiesenen Position des Streumu
sters und zur Ausgabe eines Korrekturbefehls an Neigungs-Azimut-
Winkeleinstellmechanismen 15 und 16 und an einen Drehwinkelein
stellmechanismus 28.
Im folgenden wird der Betrieb der in Fig. 11 gezeigten Einrichtung
erklärt. Das vom Laserschwinger 1 ausgesendete kohärente Licht
wird durch eine Kollimation im Kollimator 2 in ein paralleles
Strahlenbündel überführt und durch den halbdurchlässigen Spiegel 3
so reflektiert, daß es auf das Muster auf dem Objekt 4, wie etwa
einem integrierten Halbleiterschaltungs-Wafer, gerichtet ist. Das
vom Objekt 4 gestreute Licht geht durch den halbdurchlässigen
Spiegel 3 hindurch, wird durch die Linse 6 gebündelt und durch den
halbdurchlässigen Spiegel in zwei Strahlenbündel aufgeteilt. Das
durch den halbdurchlässigen Spiegel 7 hindurchgehende Licht er
reicht das räumliche Frequenzfilter 8, während das durch den halb
durchlässigen Spiegel 7 reflektierte Streulicht in die Positions
nachweis-Fernsehkamera 12 eintritt.
Während des Defektnachweises wird aus dem das räumliche Frequenz
filter 8 durch den halbdurchlässigen Spiegel 7 erreichenden Streu
licht der dem exakten Muster des Objektes 4 entsprechende Anteil
durch das Muster der schwarzen Punkte auf dem räumlichen Frequenz
filter 8 entfernt, so daß als Defektsignal nur der Defektanteil
übertragen wird. Dieses Defektsignal wird durch eine Defektnach
weis-Fernsehkamera 9 empfangen und durch den ersten Signalpro
zessor verarbeitet. Dieser Defekt wird auf dem Monitor 11 ange
zeigt.
Während des Defektnachweises muß die Registrierung des durch
schwarze Punkte auf dem räumlichen Frequenzfilter 8 dargestellten
Streumusters und des Musters des Streulichtes des fehlerlosen Mu
sters auf dem Objekt 4 ausgeführt werden. Genauer gesagt, wird das
Streulicht des halbdurchlässigen Spiegels 7 durch die Positions
nachweis-Fernsehkamera 12 aufgenommen, wodurch die Position des
Streulichmusters durch den zweiten Signalprozessor 13 ermittelt
wird. Die Ausgangssignale der Signalprozessoren 10 und 13 werden
durch die Steuerung 14 aufgenommen, wodurch der Positions-Offset-
Abstand des Streulichtmusters bezüglich der Position des Musters
der schwarzen Punkte auf dem Filter 8 aus diesen Ausgangssignalen
berechnet wird, um einen Befehl an die Neigungs-Azimut-Winkelein
stellmechanismen 15 und 16 und den Drehwinkeleinstellmechanismus
17 auszugeben, die Abweichung des Neigungs-Azimut-Winkels der op
tischen Achse der Oberfläche der Probe 4 und des Rotationswinkels
zu korrigieren. Damit wird eine korrekte Übereinstimmung zwischen
dem Schwarze-Punkte-Muster auf dem räumlichen Frequenzfilter 8 und
dem Streulichtmuster des fehlerfreien (exakten) Musters auf der
Probe 4 herbeigeführt. Das erwähnte räumliche Frequenzfilter 8
wird durch Belichten einer lichtempfindlichen Platte mit dem
Streulichtmuster eines ungestörten (fehlerfreien) Musters in der
rückseitigen Brennebene der Linse 6 hergestellt. Dieses Filter 8
wird dann in der rückseitigen Brennebene der Linse 6 hergestellt.
Dieses Filter 8 wird dann in der rückseitigen Brennebene der Linse
6 genau positioniert und festgehalten. Wenn eine herkömmliche Mu
sterdefekt-Nachweiseinrichtung wie oben beschrieben ausgeführt
wurde, war es jeweils nötig, das Muster der schwarzen Punkte auf
dem räumlichen Frequenzfilter 8 und das Streulichtmuster exakt in
Übereinstimmung zu bringen, indem während des Defektnachweises
Veränderungen des Reflexionswinkels der Wafer-Oberfläche, d. h. des
Neigungs-Azimut-Winkels registriert wurden, um den Probenhalter 5
mit den Neigungs-Azimut-Winkeleinstellmechanismen 15 und 16 zu
bewegen.
Das zu untersuchende Objekt, beispielsweise ein Halbleiterwafer,
wird oft verschiedenen Wärmebehandlungen unterzogen, von denen
eine Reihe zu einer Wellung der Oberfläche führt. Die gewellte
Oberfläche der Probe 4 führt zu großen Korrekturen des Neigungs-
Azimut-Winkels, wobei die Gefahr besteht, daß diese Korrekturen
nicht innerhalb einer vorbestimmten Zeitspanne auszuführen sind.
Ein großer Korrekturbetrag erfordert eine lange Zeitspanne für die
Korrektur, was zu einer Erhöhung des für die gesamte Untersuchung
benötigten Zeitaufwandes führt. Würde der Defektnachweis durchge
führt, während die Korrektur des Neigungs-Azimut-Winkels nicht
vollständig beendet ist, gäbe es Fälle, in denen das Fourier-
Transformationsmuster des Schwarze-Punkte-Musters des räumlichen
Frequenzfilters 8 und dasjenige des Musters auf der Probe 4 teil
weise (oder in einigen Fällen gänzlich) nicht übereinstimmen. Das
durch den nicht übereinstimmenden Abschnitt hindurchgehende Licht
würde eine Verringerung des Verhältnisses des nachzuweisenden De
fektsignals zum Signal des fehlerfreien (exakten) Musters, das
nicht nachgewiesen werden soll, d. h. ein erhöhtes Rauschen bedeu
ten. Dies würde zu dem Problem führen, daß es eine Grenze in der
minimalen Größe eines nachzuweisenden Defekts gäbe.
Wenn eine Probe 4 ein kompliziertes Muster hat, wie ein Wafer mit
integrierten Halbleiterschaltungen, bei dem es ein Mustergebiet
mit sich in hohem Maße wiederholenden Komponenten, wie etwa
Speicherzellen, sowie ein Mustergebiet mit sich wenig wiederholen
den Komponenten gibt, das die Streulichtintensität um eine Größen
ordnung verringert, könnte eine Aufnahme des Mustergebietes des
niedrigen Wiederholungsgrades nicht für die Erzeugung eines räum
lichen Frquenzfilters 8 durch einmalige Belichtung einer lichtemp
findlichen Platte hinreichend ausgeführt werden. Ein ungenügend
aufgenommenes Filter 8 könnte das Streulichtmuster nicht völlig
zurückhalten, und ein schwaches Streulichtmuster würde hindurchge
hen. Andererseits wird, wenn die lichtempfindliche Platte belich
tet wird, bis ein räumliches Frequenzfilter 8 erhalten wird, das
eine Punktedichte aufweist, mit der das Streulichtmuster vom Mu
stergebiet des niedrigen Wiederholungsgrades vollständig zurückge
halten werden kann, der Abschnitt der lichtempfindlichen Platte,
der das Streulicht vom Mustergebiet des hohen Wiederholungsgrades
aufnimmt, eine überschüssige Belichtungsenergie aufweisen, wie es
dem rechten Endabschnitt der dichte Kurve der Fig. 12 entspricht.
In der graphischen Darstellung der Fig. 12 gibt die Abszisse die
Belichtungs-Lichtenergie (erg/cm2) bei einer Wellenlänge von 633nm
und die Ordinate die optische Dichte D einer mit der jeweiligen
Lichtenergie belichteten lichtempfindlichen Platte an. Die opti
sche Dichte D ist definiert als D = log10 (Iin/Iout), worin Iin die
Intensität des einfallenden Lichts und Iout die Intensität des
übertragenen (hindurchgehenden) Lichts bezeichnet. In dem Ab
schnitt, in dem das vom Mustergebiet mit hohem Wiederholungsgrad
gestreute Licht aufgenommen wird, gibt es eine Überbelichtung, die
zu einer Lichthofbildung führt. Diese Bildung von Lichthöfen wei
tet die aufzunehmenden Punktabschnitte unkontrollierbar aus, wo
durch unnötige Abschirmabschnitte gebildet werden, was die Defekt
signal-Durchlässigkeit des räumlichen Frequenzfilters 8 verrin
gert. Es gibt auch die Möglichkeit, daß Licht durch einen Ab
schnitt hindurchgeht, der eigentlich ein abschirmender Musterab
schnitt sein sollte. Dies bedeutet, daß ein Nachweis dort ausge
führt wird, wo ein Muster verbliebenen Streulichts existiert, was
zu dem Problem führt, daß das korrekt zu untersuchende Gebiet auf
spezielle Abschnitte beschränkt ist, wie etwa auf Speicherzellen.
Wenn das räumliche Frequenzfilter 8 durch eine lichtempfindliche
Platte etwa aus lichtempfindlichem Material einer Silberhaloge
nidemulsion gebildet ist, überschreitet die Dichte der Punkte auf
dem Filter 8 nicht einen konstanten Wert, wie in Fig. 12 gezeigt.
Genauer gesagt, senkt die Lichtabschirmfähigkeit des räumlichen
Frequenzfilters 8 die Lichtintensität nur auf ein 1/1000-1/10 000
ab. Dies bedeutet, daß ein Signal des ungestörten Musters, das am
Filter nicht aufgehalten wird, durch dieses hindurchgeht und als
Hintergrundrauschen wirkt, wodurch die minimale Größe der nach
weisbaren Defektsignalintensität zwangsweise festgelegt ist. Daher
kann ein sehr kleiner Defekt, der eine Signalintensität, die nied
riger als ein 1/1000-1/10 000 der Signalintensität eines unge
störten Muster ist, nicht nachgewiesen werden.
In Anbetracht der genannten Probleme des Standes der Technik ist
es Aufgabe der Erfindung, eine Musterdefekt-Nachweiseinrichtung zu
schaffen, die ein schwaches Defektsignal in kurzer Zeit ohne Not
wendigkeit einer Korrektur des Neigungs-Azimut-Winkels des Proben
halters auch bei Proben mit gewellter Oberfläche und komplexem Mu
ster, wie integrierten Halbleiterschaltungen, nachweisen kann.
Es ist weiter Aufgabe der Erfindung, ein in einer solchen Mu
sterdefekt-Nachweiseinrichtung benötigtes räumliches Frequenzfil
ter bereitzustellen, das einen Defektnachweis mit hoher
Empfindlichkeit sowie bei Mustern, in denen ein Abschnitt viele
sich wiederholende Komponenten und ein anderer Abschnitt wenige
sich wiederholende Komponenten enthält, erlaubt.
Eine Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach einem Aspekt der vor
liegenden Erfindung enthält: Einen Probenhalter bzw. Untersu
chungstisch, der eine auf der Oberfläche ein Muster tragende Probe
hält, einen Spiegel zur Lenkung von kohärentem Licht auf das Mu
ster auf dem Objekt, wobei zum Spiegel eine Spiegel-Modifizie
rungseinrichtung, die den Reflexionswinkel des kohärenten Lichts
verändert, gehört, eine Linse zum Fokussieren von vom Muster auf
dem Objekt gestreutem Licht, einen Plattenhalter zum Halten entwe
der einer lichtempfindlichen Platte zur Bildung eines räumlichen
Frequenzfilters oder eines fertiggestellten räumlichen Frequenz
filters in der rückseitigen Brennebene der Linse und einen Defekt
signal-Detektor zum Nachweis von durch das räumliche Frequenzfil
ter hindurchgehendem Licht als ein einem Defekt im Muster auf der
Probe entsprechendes Nachweissignal.
Eine Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach einem weiteren Aspekt
der Erfindung ähnelt der nach dem ersten Aspekt, außer daß an
stelle des Spiegelwinkel-Einstellmechanismus ein Bewegungsmecha
nismus zur Bewegung der lichtempfindlichen Platte in zwei das hin
durchgehende Licht kreuzende Richtungen vorgesehen ist.
Ein in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach einem weiteren
Aspekt der vorliegenden Erfindung verwendetes räumliches Frequenz
filter enthält ein Muster aus schwarzen Punkten mit einem um einen
gesteuerten Betrag im Vergleich zum Durchmesser der schwarzen
Punkte auf einer lichtempfindlichen Platte, die durch Belichtung
mit Streulicht von einem defektfreien Muster auf einer Modellprobe
erhalten wurde, vergrößerten Durchmesser.
Ein Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters,
das in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung verwendet werden
kann, nach einem weiteren Aspekt der Erfindung weist folgende
Schritte auf: Ausrichten von kohärentem Licht auf ein defektfreies
Muster auf einer Modellprobe, Fokussieren des Streulichts vom de
fektfreien Muster auf eine lichtempfindliche Platte mittels einer
Linse, während der Neigungs-Azimut-Winkel der Probe so verändert
wird, daß die Einfallswinkel des kohärenten Lichts sich innerhalb
eines bestimmten Bereiches ändert, und Entwickeln der belichteten
lichtempfindlichen Platte.
Ein Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters,
das in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung Verwendung finden
kann, nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist
die folgenden Schritte auf: Ausrichten von kohärentem Licht von
einer Lichtquelle auf einen Spiegel, Fokussieren des von einem de
fektfreien Muster gestreuten Lichts auf eine lichtempfindliche
Platte durch eine Linse, während der Spiegel so bewegt wird, daß
der Einfallswinkel des kohärenten Lichts auf das defektfreie Mu
ster auf einer Modellprobe sich innerhalb eines vorbestimmten Be
reiches ändert, und Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen
Platte.
Ein Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters,
das in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung Anwendung finden
kann, nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist
die folgenden Schritte auf: Ausrichten von kohärentem Licht auf
ein defektfreies Muster auf einer Modellprobe, Fokussieren des
Streulichts vom defektfreien Muster auf eine lichtempfindliche
Platte mittels einer Linse, Belichten der lichtempfindlichen
Platte mit Streulicht, während die lichtempfindliche Platte inner
halb eines bestimmten Bereiches in zwei Richtungen, die das Streu
licht kreuzen, bewegt wird, und Entwickeln der belichteten licht
empfindlichen Platte.
Ein Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters,
das in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung Anwendung finden
kann, nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist
die folgenden Schritte auf: Ausrichten von kohärentem Licht auf
ein defektfreies Muster auf einer Modellprobe, Belichten einer
Mehrzahl geschichteter lichtempfindlicher Platten mit Streulicht
vom defektfreien Muster und Entwickeln der belichteten mehrschich
tigen lichtempfindlichen Platten.
Ein Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters,
das in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung Anwendung finden
kann, nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung weist
die folgenden Schritte auf: Ausrichten von kohärentem Licht auf
ein defektfreies Muster auf einer Modellprobe, Belichten einer er
sten lichtempfindlichen Platte mit Streulicht vom defektfreien Mu
ster, Entwickeln der belichteten ersten lichtempfindlichen Platte,
Belichten einer zweiten, hinter der entwickelten ersten
lichtempfindlichen Platte angeordneten lichtempfindlichen Platte
mit Streulicht und Entwickeln der belichteten zweiten licht
empflindlichen Platte zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfil
ters, das die entwickelte erste und zweite lichtempfindliche
Platte enthält.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich
aus der Erläuterung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren.
Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 2A, 2B und 2C Darstellungen zur Erklärung des Betriebs der
Einrichtung nach Fig. 1,
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer zweiten Ausführungsform,
Fig. 4 eine perspektivische Darstellung zur Erklärung des Be
triebes der Einrichtung nach Fig. 4,
Fig. 5 ein Blockschaltbild einer dritten Ausführungsform,
Fig. 6 eine perspektivische Darstellung des Betriebs der in Fig.
5 gezeigten Ausführungsform,
Fig. 7, 8 und 9 Blockschaltbilder einer vierten, fünften und sech
sten Ausführungsform,
Fig. 10A, 10B, 10C und 10D Darstellungen, die die Beziehung zwi
schen einem sich wiederholenden Muster und einem Fourier-
Transformationsmuster zeigen,
Fig. 11 ein Blockschaltbild einer herkömmlichen Musterdefekt-
Nachweiseinrichtung und
Fig. 12 eine graphische Darstellung, die ein Beispiel der photo
graphischen Eigenschaften einer lichtempfindlichen Platte
zeigt.
In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsform schematisch in einem
Blockschaltbild dargestellt. Die Musterdefekt-Nachweiseinrichtung
nach Fig. 1 weist reflektierende Spiegel 18 und 19, einen Ver
schlußmechanismus 20 zur Steuerung der Durchlässigkeit
(Transmittanz) eines parallelen Strahlenbündels vom Kollimator 2,
einen halbdurchlässigen Spiegel 21, eine Linse 22 zum Fokussieren
des durch den halbdurchlässigen Spiegel 21 reflektierten paral
lelen Strahlenbündels und einen Probenhalter 23, auf dem ein Ob
jekt (eine Probe) 4 angeordnet ist, wobei die Neigung der Probe 4
geändert werden kann, damit diese ein Nachweissignal (Streulicht)
mit einem anderen Streuwinkel auf ein räumliches Frequenzfilter 8
aussenden kann. Der Probenhalter 23 weist einen Neigungs-Azimut-
Winkeleinstellmechanismus 23a und einen Drehmechanismus 23d zur
Drehung um eine vertikale Achse auf. Da die Komponenten nach Fig.
1 dieselben Bezugszeichen haben wie die gleichen Komponenten in
Fig. 11, wird deren Beschreibung nicht wiederholt.
Der Betrieb der Einrichtung nach Fig. 1 wird im folgenden erklärt.
Ein räumliches Frequenzfilter 8 wird vor Beginn des Defektnachwei
ses auf einem Objekt 4, wie etwa einem Wafer mit integrierten
Halbleiterschaltungen, hergestellt. Bei der Herstellung des räum
lichen Frequenzfilters 8 wird die Intensität von Streulicht von
einem defektfreien Muster auf einer Modellprobe 4 in der rücksei
tigen Brennebene einer Linse 6 nachgewiesen, wo die lichtempfind
liche Platte 8 angeordnet ist, um die Belichtungszeit zur Herstel
lung des Filters zu bestimmen. Angenommen, daß die Standard-Be
lichtungsenergie für das Material des lichtempfindlichen Filters
100 mJ/cm2 und die mittlere ankommende Strahlenergie in der rück
seitigen Brennebene der Linse 6 10 mW sei, ist die optimale Belich
tungszeit:
100 (mJ/cm2)/10 (mW) = 10 (s).
Die lichtempfindliche Platte 8 kann kontinuierlich während 10 Se
kunden belichtet werden, oder es können mehrere Belichtungen mit
einer Dauer von insgesamt 10 Sekunden ausgeführt werden. Während
dieser Belichtung wird der Probenhalter 23 nach Befehlen der
Steuerung 14 betätigt, wodurch der Neigungs-Azimut-Winkel so ver
ändert wird, das die Reflexionswinkel auf der Oberfläche der Mo
dellprobe 4 sich innerhalb eines vorbestimmten Bereiches ändert.
In Fig. 2 ist die Variation des Neigungs-Azimut-Winkels der Probe
4 dargestellt. Die X-Achse und die Y-Achse spannen eine horizon
tale Ebene auf, und die Z-Achse stellt die vertikale Achse dar.
Der Neigungswinkel Φ der Normalen auf der Oberfläche der Probe 4
mit der Z-Achse wird auf einen vorbestimmten Wert gesetzt, und der
Azimut-Winkel wird von 0°-360° variiert. Fig. 2A zeigt einen Ab
schnitt des Schwarze-Punkte-Musters auf dem räumlichen Frequenz
filter 8, das mit einem Neigungswinkel von Φ = 0° gebildet ist.
Fig. 2C zeigt einen Abschnitt des Schwarze-Punkte-Musters auf dem
räumlichen Frequenzfilter 8, das unter Veränderung des Azimut-Win
kels gebildet ist, wenn der Neigungswinkel Φ = Φ1 ist. Im Falle,
daß der Neigungs-Azimut-Winkel nicht verändert wird, und der Nei
gungswinkel Φ = 0° ist, wird der Durchmesser der schwarzen Punkte
auf dem Filter 8 im Verhältnis zu dem eines gestreuten Punktes hö
herer Ordnung kleiner. Im Falle, daß der Neigungs-Azimut-Winkel
innerhalb eines vorbestimmten Bereiches variiert wird, wächst der
Durchmesser des schwarzen Punktes auf dem erzeugten Filter 8 im
Verhältnis zu dem eines gestreuten Punktes höherer Ordnung tenden
ziell an.
Der Wert des Neigungswinkels Φ, bei dem der Durchmesser des
schwarzen Punktes anwächst, wird oft als empirischer Wert gehand
habt. Der Neigungswinkel Φ wird auf einen Wert gesetzt, der etwa
10% höher als der Wert einer Welle auf der Oberfläche eines ther
misch behandelten Halbleiterschaltungs-Wafers, der als Probe 4
dient, gesetzt. Der Wert dieser gewellten Oberfläche wird durch
einen Neigungswinkel repräsentiert, der durch Umkehrberechnung er
halten wird. Eine befriedigende Aufnahme von Streulicht höherer
Ordnung kann bei einer Belichtungszeit erreicht werden, die 2-
3mal länger als die optimale Belichtungszeit ist, d. h. durch Er
höhung der Standard-Belichtungsenergie um das 2-3fache. Da dies
von dem in der rückseitigen Brennebene erscheinenden Fourier-
Transformationsmuster abhängt, wird die Belichtungszeit für jedes
Muster empirisch bestimmt.
Es gibt zwei Verfahren für diese Belichtung. Gemäß dem ersten Ver
fahren wird der Azimut-Winkel der Neigungsrichtung bei konstantem
Neigungswinkel der Probe 4 langsam von 0° auf 360° um die optische
Achse verändert, während die Lichtenergie für eine bestimmte Be
lichtungszeit (z. B. bei der ersten Ausführungsform 10 sec.) auf
die lichtempfindliche Platte 8 gerichtet wird. Die
Streulichtinformation für jede zum Neigungswinkel gehörende Azi
mut-Richtung wird auf der lichtempfindlichen Platte 8 aufgezeich
net. Entsprechend dem zweiten Verfahren wird eine n-malige Mehr
fachbelichtung ausgeführt. Der Neigungswinkel Φ wird auf einen
konstanten Wert gesetzt, während der Drehwinkel in der X-Y-Ebene
in n-gleiche Teile geteilt wird, wodurch die Belichtungszeitdauer
ebenfalls durch n geteilt wird. Diese Mehrfachbelichtung hat den
Vorteil, daß der durchgelassene Anteil (die Durchlaßeffizienz) ei
nes Nachweissignals beim Passieren des räumlichen Frequenzfilters
8 für Proben mit wenig Streulicht höherer Ordnung nicht zu stark
verringert wird.
Obgleich ein einem Streulicht niedriger Ordnung mit hoher Lichtin
tensität entsprechender Punkt eine größere Zunahme des Durchmes
sers zeigt, wenn das Filter 8 mit einer langen Belichtungszeit
ohne Änderung des Neigungs-Azimut-Winkels gebildet wird, hat ein
einem Streulicht höherer Ordnung entsprechender Punkt bei der er
sten Ausführungsform, wo das Streulicht aufgenommen wird, während
der Neigungs-Azimut-Winkel geändert wird, einen größeren Übertra
gungsabstand auf der lichtempfindlichen Platte 8 infolge der Azi
mut-Rotation. Das heißt, der Punktdurchmesser weist im Verhältnis
zu einem Punkt, der Streulicht höherer Ordnung entspricht, einen
größeren Anstieg auf, wie in Verbindung mit den Fig. 2B und 2C
oben erwähnt wurde.
Ein räumliches Frequenzfilter 8 wird letztlich durch Entwickeln
der wie oben beschrieben belichteten lichtempfindlichen Platte 8
erhalten. Dieses Filter 8 wird wieder in der rückseitigen
Brennebene der Linse 6 positioniert und befestigt.
Eine Probe 4, die einige Defekte aufweisen kann, wird mittels der
Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Fig. 1 unter Nutzung des
oben beschriebenen räumlichen Frequenzfilters 8 untersucht. Vom
Laser-oszillator 1 emittiertes Licht wird durch den halbdurchläs
sigen Spiegel 3 reflektiert und auf die Probe 4, etwa einen Wafer
mit integrierten Halbleiterschaltungen, gerichtet. Der den
halbdurchlässigen Spiegel 3 passierende Anteil des Streulichtes
von der Probe 4 wird durch die Linse 6 gebündelt. Das räumliche
Frequenzfilter 8 ist in der rückseitigen Brennebene der Linse 6
angeordnet und entfernt das Streulicht eines fehlerfreien
(exakten) Musters. Da das Streumuster auf dem räumlichen Frequenz
filter 8 durch Variation des Streuwinkels der Oberfläche der Mo
dellprobe 4 mit einem keine Defekte enthaltenden Muster aufge
zeichnet wird, kann Streulicht eines fehlerfreien Musters auch
dann zuverlässig entfernt werden, wenn es auf der Oberfläche der
Probe 4 eine durch eine thermische Behandlung erzeugte Welle gibt.
Damit wird nur das Defektsignallicht der Defektsignallicht-Nach
weiskamera 9, die in der Brennebene der Linse 6 angeordnet ist,
zugeführt, und nach entsprechender Signalverarbeitung durch den
ersten Signalprozessor 10 der Defekt auf dem Monitor 11 darge
stellt.
Auch wenn die Oberfläche der Probe 4 gewellt ist, kann ohne Not
wendigkeit einer genauen Registrierung des Streumusters des räum
lichen Frequenzfilters 8 und des gestreuten Lichtes von der Probe
4 ein schneller Defektnachweis ausgeführt werden.
In Fig. 3 ist eine zweite Ausführungsform gezeigt. Die Einrichtung
nach Fig. 3 ist der nach Fig. 1 ähnlich, wobei zusätzlich ein
Spiegelwinkelbewegungsmechanismus 24 vorgesehen ist, der den Re
flexionswinkel des halbdurchlässigen Spiegels 3 innerhalb eines
vorbestimmten Bereiches verändern kann. Bei der zweiten Ausfüh
rungsform wird der Spiegelwinkelbewegungsmechanismus 24 durch
einen Befehl der Steuerung 14 so gesteuert, daß der halbdurchläs
sige Spiegel während der Zeitperiode, während der das Streulicht
auf die lichtempfindliche Platte 8 gerichtet wird, betätigt wird.
Aus der vergrößerten Perspektivdarstellung der Fig. 4 ist zu er
kennen, daß der Neigungswinkel der Probe 4 konstant gehalten wird
und der Azimut-Winkel der Neigungsrichtung langsam von 0°-360°
um die optische Achse geändert wird. Alternativ dazu wird der Azi
mut-Winkel während der gesamten Zeitperiode der Belichtung in kur
zen Zyklen geändert. Die im Streulicht unter verschiedenen Ein
fallswinkeln enthaltene Information wird damit auf die licht
empfindliche Platte 8 ohne Veränderung des Neigungs-Azimut-Winkels
des Probenhalters 23 aufgezeichnet.
Da der Umgang mit der Nachweisprobe 4, die Defekte aufweisen kann,
durch die Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Fig. 3 unter Nut
zung eines räumlichen Frequenzfilters 8, das gemäß der zweiten
Ausführungsform erhalten wurde, ähnlich dem Umgang bei der ersten
Ausführungsform ist, wird die Beschreibung dessen hier nicht wie
derholt.
In Fig. 5 ist eine dritte Ausführungsform dargestellt. Die Ein
richtung nach Fig. 5 ist ähnlich der nach Fig. 3, mit dem Unter
schied, daß ein Spiegel 3a kohärentes Licht auf die Oberfläche der
Probe aus einer schrägen Richtung richtet. Als Spiegel 3a ist da
her nicht ein halbdurchlässiger Spiegel, sondern ein vollständig
reflektierender Spiegel verwendet. Die Art und Weise der Belich
tung der lichtempfindlichen Platte ist bei der dritten Ausfüh
rungsform ähnlich zur zweiten Ausführungsform, wie in der ver
größerten perspektivischen Darstellung der Fig. 6 dargestellt.
In Fig. 7 ist eine vierte Ausführungsform dargestellt. Die Ein
richtung nach Fig. 7 ist ähnlich zu der in Fig. 1, außer daß ein
Plattenbewegungsmechanismus 25 hinzugefügt ist, der die lichtemp
findliche Platte 8 innerhalb eines vorbestimmten Bereiches in zwei
das Streulicht schneidenden Richtungen bewegen kann. Bei der vier
ten Ausführungsform wird die lichtempfindliche Platte 8 durch den
Plattenbewegungsmechanismus 25 in zwei, die Richtung des Streu
lichtes schneidenden Richtungen genau bewegt, so daß ein vorbe
stimmter kleiner Kreis beschrieben wird, während die lichtempfind
liche Platte 8 dem Streulicht ausgesetzt wird. Im Ergebnis dessen
wird die Größe des auf der lichtempfindlichen Platte 8 aufgezeich
neten Streulichtpunktes um einen gesteuerten Betrag vergrößert,
wie im Falle der ersten Ausführungsform.
In Fig. 8 ist eine fünfte Ausführungsform dargestellt. Die Ein
richtung nach Fig. 8 ist ähnlich der nach Fig. 1, außer daß das
räumliche Frequenzfilter 26 durch eine Mehrzahl von Schichten
lichtempfindlicher Platten gebildet ist. Bei der Ausführungsform
nach Fig. 8 weist das räumliche Frequenzfilter 26 eine erste und
eine zweite lichtempfindliche Platte 26a und 26b auf, die aufein
andergeschichtet sind. Beide lichtempfindliche Platten 26a und 26b
enthalten eine Emulsionsschicht, die in der Zeichnung schraffiert
dargestellt ist.
Die beiden lichtempfindlichen Platten 26a und 26b werden gleich
zeitig durch Streulicht von einer Modellprobe 4 mit einem keine
Defekte enthaltenden (defektfreien) Muster belichtet. Dies bedeu
tet, daß die lichtempfindlichen Platten 26a und 26b das gleiche
Streumuster aufzeichnen. Beim Durchgang des Streulichts durch das
oben beschriebene räumliche Frequenzfilter 26 kann ein Effekt er
halten werden, der im wesentlichen gleich dem ist, wenn Streulicht
zweimal durch eine lichtempfindliche Platte gebildetes Filter 8
hindurch geht. Das räumliche Frequenzfilter 26 kann Streulicht von
einem exakten bzw. fehlerfreien Muster auf einer Probe 4 auf eine
zuverlässigere Weise blockieren, wodurch das Hintergrundrauschen
genügend abgesenkt wird. Damit ist der Nachweis von schwachem De
fektsignallicht möglich. Mit anderen Worten erlaubt das räumliche
Frequenzfilter 26 durch die Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach
Fig. 8 einen Nachweis mit höherer Empfindlichkeit.
Obgleich in der Ausführungsform nach Fig. 2 zwei lichtempfindliche
Platten 26a und 26b gezeigt sind, können diese durch eine
lichtempfindliche Platte ersetzt werden, bei der auf beiden Seiten
einer Grundplatte eine Emulsionsschicht aufgebracht ist.
In Fig. 9 ist eine sechste Ausführungsform der Erfindung darge
stellt. Die sechste Ausführungsform ist der fünften Ausführungs
form ähnlich, außer daß das räumliche Frequenzfilter 27, wie unten
beschrieben, unter Nutzung einer ersten und zweiten
lichtempfindlichen Platte 27a und 27b gebildet ist. Zuerst wird
nur die lichtempfindliche Platte 27a in der rückseitigen
Brennebene der Linse 6 angeordnet. Diese Platte wird durch Streu
licht von einer Modellprobe 4 mit einem Muster belichtet und dann
entwickelt. Wenn die Modellprobe 4 ein erstes Muster mit einer ho
hen Wiederholungsrate und ein zweites Muster mit einer niedrigeren
Wiederholungsrate aufweist, wird die erste lichtempfindliche
Platte 27a unter der Bedingung belichtet, daß das Fourier-Trans
formationsmuster (Streumuster) hoher Lichtintensität vom ersten
Muster auf optimale Weise aufgezeichnet wird.
Dann wird die entwickelte erste lichtempfindliche Platte 27a wie
der in der rückseitigen Brennebene der Linse 6 plaziert, wobei
eine zweite lichtempfindliche Platte 27b hinter der ersten licht
empfindlichen Platte 27a angeordnet wird. Da das Streulicht vom
ersten Muster mit der hohen Wiederholungsrate auf der Modellprobe
4 durch die entwickelte erste lichtempfindliche Platte 27a am
Durchgang gehindert wird, wird die zweite lichtempfindliche Platte
27b unter der Bedingung belichtet, daß das Fourier-Transforma
tionsmuster niedriger Lichtintensität vom zweiten Muster mit der
geringen Wiederholungsrate unter optimalen Bedingungen aufgezeich
net wird. Dies bedeutet, daß das schwache Streulicht vom zweiten
Muster, das auf der ersten lichtempfindlichen Platte 27a während
deren Belichtung infolge seiner geringen Lichtintensität nicht
hinreichend aufgezeichnet worden war, während der Belichtung der
zweiten lichtempfindlichen Platte 27b auf dieser aufgezeichnet
wird.
Damit wird Streulicht von einem fehlerfreien Muster zuverlässig am
Durchgang gehindert (blockiert), so daß nur Defektsignallicht mit
hoher Empfindlichkeit herausgefiltert und der Defektnachweiskamera
9 zugeführt wird, auch dann, wenn auf einer Probe ein Muster mit
vielen sich wiederholenden Teilen und ein Muster mit wenig sich
wiederholenden Teilen vorkommt. Dies wird durch das oben beschrie
bene räumliche Frequenzfilter 27 erreicht.
In den Fig. 10A-10D ist die Beziehung zwischen dem sich wieder
holenden Muster und dem Fourier-Transformationsmuster gezeigt.
Fig. 10A zeigt ein eindimensionales Muster mit einer Wiederho
lungs-"Steigung" n und einer Anzahl N von Wiederholungen. Fig. 10B
zeigt schematisch das eindimensionale Fourier-Transformations-In
tensitätsprofil der Fig. 10A, bei dem die horizontale Richtung die
Lage und die vertikale Richtung die Intensität des Streulichtes
angibt. Fig. 10C zeigt eine Mischung von Mustern unter Einschluß
eines ersten Musters mit einer Wiederholungs-"Steigung" n und ei
ner Anzahl von Wiederholungen N und eines zweiten Musters mit ei
ner Wiederholungs-"Steigung" m und einer Anzahl M von Wiederholun
gen. Fig. 10D zeigt schematisch das eindimensionale Fourier-
Transformations-Intensitätsprofil des aus dem ersten und zweiten
Muster zusammengesetzten Musters nach Fig. 10C. Aus Fig. 10D ist
zu erkennen, daß die Intensität des Streulichts, das von dem Mu
ster mit der niedrigen Wiederholungsrate herrührt, klein ist und
eine breite Intensitätsverteilung aufweist.
Das Defektsignal von der Defektnachweiskamera 9 wird in einem er
sten Signalprozessor (Signalverarbeitungseinheit) 10 verarbeitet,
wodurch ein Defektbild gewonnen wird, was auf dem Fernsehmonitor
11 dargestellt wird. Zu dieser Zeit wird der Betrag der Änderung
des Reflexionswinkels der Probe 4, der durch die Positonsnachweis
kamera 12 nachgewiesen wird, in einen Offset-Abstand des Fourier-
Transformationsmusters mittels des zweiten Signalprozessors 13 um
gewandelt. Die Steuerung 14 liefert entsprechend diesem umgewan
delten Wert einen Korrekturbefehl bezüglich des Neigungs-Azimut-
Winkels des Probenhalters 23.
Obgleich in der Ausführungsform nach Fig. 9 ein Fourier-Transfor
mationsmuster des Musters mit hoher Wiederholungsrate auf einer
lichtempfindlichen Platte 27a aufgezeichnet wird, ist anzumerken,
daß ein Fourier-Transformationsmuster eines Musters mit hoher Wie
derholungsrate simultan auf zwei lichtempfindliche Platten aufge
zeichnet werden kann, worauf die Aufzeichnung des Fourier-Trans
formationsmusters des Musters niedriger Wiederholungsrate auf ei
ner dritten lichtempfindlichen Platte folgt.
Es ist jedoch festzustellen, daß das räumliche Frequenzfilter
nicht zu viele Teilplatten enthalten sollte, da die Intensität des
Defektsignallichts jedes Mal, wenn es eine Teilplatte des räumli
chen Frequenzfilters passiert, etwas abgeschwächt wird. Desweite
ren führt ein räumliches Frequenzfilter mit zu vielen Teilplatten
zu einem Anwachsen der Dicke. Dies ist nicht wünschenswert, da der
Offset-Abstand zwischen den Teilplatten und der rückseitigen
Brennebene der Linse 6 damit größer wird.
Obgleich die beschriebenen Ausführungsformen in bezug darauf er
läutert wurden, daß der Defektnachweis auf einen Wafer mit inte
grierter Halbleiterschaltungen stattfindet, ist die Erfindung auch
auf den Defektnachweis in anderen Proben mit sich wiederholenden
Mustern, wie etwa einem Dünnschicht-Flüssigkristalldisplay,
anwendbar.
Claims (8)
1. Musterdefekt-Nachweiseinrichtung mit
einem Probenhalter (23) zum Halten einer Probe (4) mit einem sich wiederholenden Muster auf ihrer Oberfläche,
einer Lichtquelle (1) zur Aussendung kohärenten Lichts,
einer Spiegeleinrichtung (3) zum Ausrichten des Lichts auf das Mu ster auf der Probe (4), die eine Spiegelwinkel-Veränderungsein richtung (24) zum Verändern des Reflexionswinkels des Lichtes auf weist,
einer Linse (6) zum Fokussieren des durch das Muster auf der Probe (4) gestreuten Lichts,
einer Plattenhalteeinrichtung (8a) zum Halten entweder einer lichtempfindlichen Platte (8, 26, 27) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfilters (8) oder eines fertiggestellten räumlichen Fre quenzfilters (8, 26, 27) in der rückseitigen Brennebene der Linse (6) und
einer Defektsignal-Nachweiseinrichtung (9) zum Nachweis von durch das räumliche Frequenzfilter (8) hindurchgehendem Licht als Nach weissignal für einen Defekt im Muster auf der Probe (4).
einem Probenhalter (23) zum Halten einer Probe (4) mit einem sich wiederholenden Muster auf ihrer Oberfläche,
einer Lichtquelle (1) zur Aussendung kohärenten Lichts,
einer Spiegeleinrichtung (3) zum Ausrichten des Lichts auf das Mu ster auf der Probe (4), die eine Spiegelwinkel-Veränderungsein richtung (24) zum Verändern des Reflexionswinkels des Lichtes auf weist,
einer Linse (6) zum Fokussieren des durch das Muster auf der Probe (4) gestreuten Lichts,
einer Plattenhalteeinrichtung (8a) zum Halten entweder einer lichtempfindlichen Platte (8, 26, 27) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfilters (8) oder eines fertiggestellten räumlichen Fre quenzfilters (8, 26, 27) in der rückseitigen Brennebene der Linse (6) und
einer Defektsignal-Nachweiseinrichtung (9) zum Nachweis von durch das räumliche Frequenzfilter (8) hindurchgehendem Licht als Nach weissignal für einen Defekt im Muster auf der Probe (4).
2. Musterdefekten-Nachweiseinrichtung mit
einem Probenhalter (23) zum Halten einer Probe (4) mit einem sich wiederholenden Muster auf ihrer Oberfläche,
einer Lichtquelle (1) zum Aussenden kohärenten Lichts,
einer Spiegeleinrichtung (3) zum Ausrichten des Lichts auf das Mu ster auf der Probe (4),
einer Linse (6) zum Fokussieren des durch das Muster auf der Probe (4) gestreuten Lichts,
einer Plattenhalteeinrichtung (25) zum Halten entweder der licht empfindlichen Platte (8) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenz filters (8) oder eines erzeugten räumlichen Frequenzfilters (8) in der rückseitigen Brennebene der Linse (6), wobei die Plattenhalte einrichtung eine Bewegungseinrichtung zum Bewegen der lichtemp findlichen Platte in zwei die Richtung des Streulichts schneiden den Richtungen aufweist, und
einer Defektsignal-Nachweiseinrichtung (9) zum Nachweis von durch das räumliche Frequenzfilter (8) hindurchgehendem Licht als Nach weissignal, das einem Defekt im Muster auf der Probe (4) ent spricht.
einem Probenhalter (23) zum Halten einer Probe (4) mit einem sich wiederholenden Muster auf ihrer Oberfläche,
einer Lichtquelle (1) zum Aussenden kohärenten Lichts,
einer Spiegeleinrichtung (3) zum Ausrichten des Lichts auf das Mu ster auf der Probe (4),
einer Linse (6) zum Fokussieren des durch das Muster auf der Probe (4) gestreuten Lichts,
einer Plattenhalteeinrichtung (25) zum Halten entweder der licht empfindlichen Platte (8) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenz filters (8) oder eines erzeugten räumlichen Frequenzfilters (8) in der rückseitigen Brennebene der Linse (6), wobei die Plattenhalte einrichtung eine Bewegungseinrichtung zum Bewegen der lichtemp findlichen Platte in zwei die Richtung des Streulichts schneiden den Richtungen aufweist, und
einer Defektsignal-Nachweiseinrichtung (9) zum Nachweis von durch das räumliche Frequenzfilter (8) hindurchgehendem Licht als Nach weissignal, das einem Defekt im Muster auf der Probe (4) ent spricht.
3. Räumliches Frequenzfilter zur Verwendung in einer Musterde
fekt-Nachweiseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2 mit einem Muster,
das einen schwarzen Punkt mit einem um einen gesteuerten Betrag
gegenüber dem Durchmesser eines schwarzen Punktes auf einer
lichtempfindlichen Platte, die durch Belichtung mit Streulicht von
einem Muster (4) erhalten wurde, vergrößerten Durchmesser auf
weist.
4. Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters zur
Verwendung in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Anspruch
1 oder 2 mit den Schritten:
Ausrichten von kohärentem Licht auf ein Muster auf einer Modell probe (4)
Fokussieren des Streulichts vom Muster durch eine Linse (6) auf eine lichtempfindliche Platte (8) unter Veränderung des Neigungs- Azimut-Winkels der Probe derart, daß der Einfallswinkel des Lichts sich innerhalb eines vorbestimmten Bereiches ändert, und
Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Platte (8).
Ausrichten von kohärentem Licht auf ein Muster auf einer Modell probe (4)
Fokussieren des Streulichts vom Muster durch eine Linse (6) auf eine lichtempfindliche Platte (8) unter Veränderung des Neigungs- Azimut-Winkels der Probe derart, daß der Einfallswinkel des Lichts sich innerhalb eines vorbestimmten Bereiches ändert, und
Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Platte (8).
5. Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters zur
Verwendung in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Anspruch
1 oder 2 mit den Schritten:
Ausrichten von kohärentem Licht von einer Lichtquelle (1) auf einen Spiegel (3) und von dort auf ein Muster auf einer Modell probe (4),
Fokussieren des Streulichts vom Muster auf eine lichtempfindliche Platte (8) mittels einer Linse (6), wobei der Spiegel (3) so be wegt wird, daß der Einfallswinkel des Lichts auf das Muster auf der Modellprobe (4) innerhalb eines vorbestimmten Bereiches vari iert, und
Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Platte (8).
Ausrichten von kohärentem Licht von einer Lichtquelle (1) auf einen Spiegel (3) und von dort auf ein Muster auf einer Modell probe (4),
Fokussieren des Streulichts vom Muster auf eine lichtempfindliche Platte (8) mittels einer Linse (6), wobei der Spiegel (3) so be wegt wird, daß der Einfallswinkel des Lichts auf das Muster auf der Modellprobe (4) innerhalb eines vorbestimmten Bereiches vari iert, und
Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Platte (8).
6. Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters zur
Verwendung in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Anspruch
1 oder 2 mit den Schritten:
Ausrichten von kohärentem Licht auf ein Muster auf einer Modell probe (4),
Fokussieren des Streulichts vom Muster auf eine lichtempfindliche Platte (8) mittels einer Linse (6),
Belichten der lichtempfindlichen Platte (8) mit dem Streulicht un ter Bewegung der lichtempfindlichen Platte (8) innerhalb eines vorbestimmten Bereiches in einer Ebene bzw. zwei Richtungen, die durch das Streulich geschnitten werden, und
Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Platte (8).
Ausrichten von kohärentem Licht auf ein Muster auf einer Modell probe (4),
Fokussieren des Streulichts vom Muster auf eine lichtempfindliche Platte (8) mittels einer Linse (6),
Belichten der lichtempfindlichen Platte (8) mit dem Streulicht un ter Bewegung der lichtempfindlichen Platte (8) innerhalb eines vorbestimmten Bereiches in einer Ebene bzw. zwei Richtungen, die durch das Streulich geschnitten werden, und
Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Platte (8).
7. Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters zur
Verwendung in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Anspruch
1 oder 2 mit den Schritten:
Ausrichten kohärenten Lichts auf ein Muster auf einer Modellprobe (4),
Belichten einer Mehrzahl einander überlagerter lichtempfindlicher Platten (26a, 26b) durch das Streulicht vom Muster,
Entwickeln der belichteten Mehrzahl einander überlagerter licht empfindlicher Platten (26a, 26b) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfilters (26), das eine Mehrzahl von entwickelten lichtemp findlichen Platten (26a, 26b) aufweist.
Ausrichten kohärenten Lichts auf ein Muster auf einer Modellprobe (4),
Belichten einer Mehrzahl einander überlagerter lichtempfindlicher Platten (26a, 26b) durch das Streulicht vom Muster,
Entwickeln der belichteten Mehrzahl einander überlagerter licht empfindlicher Platten (26a, 26b) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfilters (26), das eine Mehrzahl von entwickelten lichtemp findlichen Platten (26a, 26b) aufweist.
8. Verfahren zur Herstellung eines räumlichen Frequenzfilters zur
Verwendung in einer Musterdefekt-Nachweiseinrichtung nach Anspruch
1 oder 2 mit den Schritten:
Ausrichtung kohärenten Lichts auf das Muster (4),
Belichten einer ersten lichtempfindlichen Platte (27a) mit Streu licht vom Muster,
Entwickeln der belichteten ersten lichtempfindlichen Platte (27a),
Belichten einer zweiten lichtempfindlichen Platte (27b), die hin ter der entwickelten ersten lichtempfindlichen Platte (27a) ange ordnet ist, mittels des Streulichts,
Entwickeln der belichteten zweiten lichtempfindlichen Platte (27b) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfilters (27), das die erste und zweite entwickelte lichtempfindliche Platte (27a, 27b) auf weist.
Ausrichtung kohärenten Lichts auf das Muster (4),
Belichten einer ersten lichtempfindlichen Platte (27a) mit Streu licht vom Muster,
Entwickeln der belichteten ersten lichtempfindlichen Platte (27a),
Belichten einer zweiten lichtempfindlichen Platte (27b), die hin ter der entwickelten ersten lichtempfindlichen Platte (27a) ange ordnet ist, mittels des Streulichts,
Entwickeln der belichteten zweiten lichtempfindlichen Platte (27b) zur Erzeugung eines räumlichen Frequenzfilters (27), das die erste und zweite entwickelte lichtempfindliche Platte (27a, 27b) auf weist.
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