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DE403547C - Selenzelle mit zwei auf einen plattenfoermigen Isolierkoerper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden - Google Patents

Selenzelle mit zwei auf einen plattenfoermigen Isolierkoerper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden

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Publication number
DE403547C
DE403547C DEP47297D DEP0047297D DE403547C DE 403547 C DE403547 C DE 403547C DE P47297 D DEP47297 D DE P47297D DE P0047297 D DEP0047297 D DE P0047297D DE 403547 C DE403547 C DE 403547C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrodes
selenium
plate
selenium cell
double screw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEP47297D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to GB33025/22A priority Critical patent/GB216942A/en
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to DEP47297D priority patent/DE403547C/de
Priority to FR575573D priority patent/FR575573A/fr
Application granted granted Critical
Publication of DE403547C publication Critical patent/DE403547C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Description

  • Selenzelle mit zwei auf einen plattenförmigen Isolierkörper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden. Die Erfindung betrifft den Aufbau von Selen= zellen und verfolgt den Zweck, die Wirksamkeit derselben und den Grad ihrer Empfindlichkeit gegenüber veränderlichen Belichtungsgraden zu erhöhen.
  • Die bisher gebräuchlichen Selenzellen hat man so hergestellt, daß über eine Platte von isolierendem Material zwei blanke leitende Drähte (Elektroden) in doppeltem Sch? aubengang nebeneinander aufgewunden werden, wobei man die Windungsschenkel der beiden Leiter so dicht als möglich aneinanderlagerte, j edoch unter Ausschluß gegenseitiger Berührung, und daß über die so aufgewundenen Drähte auf der einen Flächenseite der Platte eine Selenschicht ausgebreitet wurde, die man danach durch Erwärmung in die empfindliche Modifikation überführte. Diese Methode der Herstellung erfordert bedeutende Geschicklichkeit und Erfahrung, weil es schwer ist, zu verhindern, daß die Drahtwindungen stellenweise miteinander in Berührung kommen, sei es beim Aufwinden der Drähte auf die Platte oder beim Aufbringen des geschmolzenen Selens auf die Fläche. So hergestellte Zellen befriedigen Ansprüche auf hohe Wirksamkeit bei weitem nicht, und zwar wegen der Trägheit, die durch die Masse des Selens verursacht wird, welche die Zwischenräume zwischen den Windungen ausfüllt und die nicht in beträchtlichem Ausmaß von der Wirkung des Lichtes betroffen wird, dabei sich aber auch nicht als ein nichtleitendes Material verhält.
  • Gemäß der Erfindung erreicht man die angestrebte Vervollkommnung dadurch, daß man zwischen den beiden in doppelter Schraubenspur aufgewundenen Drähten oder Elektroden ein isolierendes Material anbringt, das der Hitze widersteht und vorzugsweise in äußerst dünner Schicht angewendet wird.
  • In den Abbildungen ist die Ausführungsart der Selenzelle beispielsmäßig veranschaulicht. Abb. i zeigt in Draufsicht eine gemäß der Erfindung ausgeführte Selenzelle, wobei indessen die noch daran anzubringende Selenschicht nicht mit dargestellt ist; Abb. 2 ist ein Schnitt nach der Linie x-x von Abb. i in vergrößerter Darstellung; Abb. 3 stellt zum Vergleich den Schnitt durch eine Windungslage einer nach der bisherigen Methode hergestellten Selenzelle dar; Abb.4, 5 und 6 sind ähnliche Ansichten, die Abänderungen in der Ausführungsweise der Erfindung veranschaulichen.
  • In Abb. i und 2 bezeichnet i die Platte, die den Kern für die Elektrodenbewicklung bildet; diese Platte besteht aus Schiefer, Glimmer oder anderem Isolationsmaterial. In zweigängiger Schraubenspur werden um die Platte i zwei getrennte Leitungsdrähte oder Elektroden 2 und 3 aufgewunden, von denen die eine Leitung (2) blank und die andere (3) isoliert ist. Diese Elektroden werden in dichter Berührung miteinander aufgewickelt. Auf der einen Plattenfläche wird dann das Isoliermaterial der äußersten Schicht der Elektrode 3 beseitigt, so daß die Drähte 3 eine blanke ebene Schicht bilden und doch von den Drähten 2 noch isoliert bleiben. Dann wird eine dünne Selenschicht über diese Fläche ausgebreitet. Nach der Aufbringung stellt sich der Querschnitt so wie in Abb.2 veranschaulicht dar. Bei der bisher üblichen Selenzellenform müssen die Elektroden 2 und 3 notwendigerweise in so großem Abstande voneinander verlegt werden, als der Sicherheit entspricht, daß sie sich nicht berühren. Daher befindet sich eine in der Unterschicht nicht vom Licht beeinflußte Selenmasse 4. zwischen den Leiterwindungen angehäuft, während bei der Selenzelle nach der Erfindung die Elektroden enger liegen können und doch gute Isolation gewährleistet ist.
  • In der Anordnung nach Abb. 4. sind beide Elektroden mit Isoliermaterial bedeckte Drähte und werden dicht nebeneinander aufgewickelt. Die Isolierung der Elektroden geschieht zweckmäßig durch einen Emailleüberzug, welcher fähig ist, höheren Hitzgraden zu widerstehen.
  • Zum Zwecke, die Kapazität oder das Aufnahmevermögen der Zelle zu vergrößern, kann man für die Elektroden verschieden dicke Drähte anwenden. In der Anordnung nach Abb.5 hat die isolierte Elektrode 3 einen größeren Durchmesser als der Leiter 2.
  • Die beiden in Benutzung genommenen Elektroden können unter gewissen Umständen einen verschiedenen Grad der Leitfähigkeit aufweisen.
  • Für Zellen, die der Anwendung hoher Voltspannungen angepaßt sein sollen, empfiehlt es sich, die gegenseitige Isolierung der Elektroden durch eine zwischengelegte Ader 5 eines geeigneten Isoliermaterials, z. B. in der Form eines gut isolierten Drahtes, zu sichern. In Abb. 6 ist diese abgeänderte Anordnung dargestellt.

Claims (4)

  1. PATE:`'r-ANSPRÜCHE: i. Selenzelle mit zwei auf einem plattenförmigen Isolierkörper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Elektroden eine Ausfüllung mit isolierendem Material angebracht ist, welches in dem für das Erhitzen des Selens erforderlichen Maße hitzebeständig ist.
  2. 2. Selenzelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden aus Drähten bestehen, von denen der eine oder beide mit einem hitzebeständigen Isoliermaterial überzogen sind, welches auf der Außenseite der Windungen auf der einen Seite der Trägerplatte entfernt wird, bevor die Selenschicht aufgebracht wird.
  3. 3. Selenzelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Elektroden ein größeres Leitvermögen hat als die andere.
  4. 4. Selenzelle nach Anspruch i, gekennzeichnet durch die Anwendung zweier isolierter Drähte und einer isolierenden, nicht leitenden Ader als Zwischenlage.
DEP47297D 1922-12-04 1924-01-04 Selenzelle mit zwei auf einen plattenfoermigen Isolierkoerper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden Expired DE403547C (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB33025/22A GB216942A (en) 1922-12-04 1922-12-04 Improvements in selenium cells
DEP47297D DE403547C (de) 1922-12-04 1924-01-04 Selenzelle mit zwei auf einen plattenfoermigen Isolierkoerper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden
FR575573D FR575573A (fr) 1922-12-04 1924-01-08 Perfectionnements aux piles au selenium

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GB33025/22A GB216942A (en) 1922-12-04 1922-12-04 Improvements in selenium cells
DEP47297D DE403547C (de) 1922-12-04 1924-01-04 Selenzelle mit zwei auf einen plattenfoermigen Isolierkoerper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden
FR575573T 1924-01-08

Publications (1)

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DE403547C true DE403547C (de) 1924-10-01

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Family Applications (1)

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DEP47297D Expired DE403547C (de) 1922-12-04 1924-01-04 Selenzelle mit zwei auf einen plattenfoermigen Isolierkoerper in doppelter Schraubenspur aufgewickelten Elektroden

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE918217C (de) * 1949-02-11 1954-09-20 Siemens Ag Elektrisch steuerbare Halbleitergleichrichter oder Halbleiterverstaerker, insbesondere Germaniumhalbleiter
DE1121746B (de) * 1957-02-28 1962-01-11 S E A Soc D Electronique Et D Photoleitungs-Elektrolumineszenz-Festkoerperbildverstaerker und Verfahren zu seiner Herstellung

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US4945501A (en) * 1987-01-20 1990-07-31 The Warner & Swasey Company Method for determining position within the measuring volume of a coordinate measuring machine and the like and system therefor

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FR575573A (fr) 1924-08-01
GB216942A (en) 1924-06-04

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