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DE395419C - Verfahren zur Darstellung synthetischer Edelsteine - Google Patents

Verfahren zur Darstellung synthetischer Edelsteine

Info

Publication number
DE395419C
DE395419C DER55370D DER0055370D DE395419C DE 395419 C DE395419 C DE 395419C DE R55370 D DER55370 D DE R55370D DE R0055370 D DER0055370 D DE R0055370D DE 395419 C DE395419 C DE 395419C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
drop
melting
axis
representation
smaller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DER55370D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DR OTTO RUFF
Original Assignee
DR OTTO RUFF
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DR OTTO RUFF filed Critical DR OTTO RUFF
Priority to DER55370D priority Critical patent/DE395419C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE395419C publication Critical patent/DE395419C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/10Solid or liquid components, e.g. Verneuil method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

  • Verfahren zur Darstellung synthetischer Edelsteine. Das Verfahren, Tonerdepulver oder pulver= förmige Mischungen von Tonerde und Metallen oder deren Oxyden in einer senkrecht stehenden Knallgasflamme zu synthetischen Edelsteinen zu schmelzen, ist von Ve r n e u i 1 in Ann. de Chim. et de Phys., Serie 8, Band 3 (190q), S. 20 ff. beschrieben worden. In dieser Arbeit findet sich auf Seite 37 auch die Anregung, den im Schmelzprozeß entstehenden Tropfen während seiner Bildung in drehender Bewegung zu halten, und zwar schreibt Verneuil wörtlich: »Es ist möglich, daß man durch eine drehende Bewegung des Supports (für den Schmelztropfen) die senkrechte Ausrichtung der Flamme weniger notwendig machen kann; aber da es nach einigen Versuchen leicht gelingt, das Gebläse und den Ofen gut aufeinander einzustellen, so habe ich einige Versuche nicht weiter verfolgt, welche ich unternommen hatte, um diese Drehung des Supports zu verwirklichen, welche den Apparat wesentlich komplizierter macht.;; In der Patentschrift 284258 ist ferner das Verfahren angegeben, den als Tropfenträger dienenden Stift in drehende Bewegung in der Weise zu versetzen, daß die Knallgasflamme, die Längsachse des Tropfens und die Drehungsachse des Stiftes in eine Gerade zusammenfallen.
  • Es hat sich nun gezeigt, daß wenn der einige Millimeter große Schmelztropfen langsamer als nach den Angaben der Patentschrift 2S:1=5,9, d. h. mit etwa 6o Touren in der Minute gedreht wird, die sowohl von Verneuil als auch in der Patentschrift 28425S erwähnte Ausrichtung der einzelnen Teile des Veineuilschen Apparates in eine Gerade nicht nur nicht notwendig, sondern auch unvorteilhaft ist. Das aus der Flamme auf den Schmelztropfen auffallende Pulver schmilzt leichter, rascher und gleichmäßiger ein, wenn die Längsachse des Tropfens und die Drehungsachse des Stiftes gegen die Achse der Knallgasflamme, um ein weniges verschoben werden, so daß das Pulver nicht genau auf die Mitte des Tropfens, sondern mehr nach dessen Seite zu auffällt. Diese Verschiebung ist Gegenstand der vorliegenden Erfindung.
  • Es hat sich bei der Durchführung des Verfahrens für den Ausgleich der im Tropfen bestehenden Spannungen aber noch weiter als nützlich erwiesen, die Knallgasflamme nach Fertigstellung des Schmelztropfens nicht wie bei dem Verfahren der Patentschrift 284258 abzustellen, sondern ihre Größe ganz allmählich zu verringern, mit dem Drehen des Tropfens aber dann aufzuhören, wenn auch die Knallgasflamme abgestellt wird.

Claims (1)

  1. PATENT-ANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Darstellung synthetischer Edelsteine durch Schmelzen von Mischungen aus Tonerde und Metallen oder deren Oxyden, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelztrqpfen, sobald er einige Millimeter Durchmesser erreicht hat, in bekannter Weise gedreht, abir die L ängsaclise de. Tropfens und die Drehungsachse des Stiftes gegen dir Achse fler linallgastlamnie um ein weniges verschoben werden. 2. Verfahren nach Aiispriich i, dadurch
    Pkenn"le@chnrt, daG die Abkühlung cles Schmelztropicns in der immer kleiner zu stellenden - Flaiiime geschieht, und das Drehen bis zum Erlöschen der Flamme fortgesetzt wird.
DER55370D 1922-03-16 1922-03-16 Verfahren zur Darstellung synthetischer Edelsteine Expired DE395419C (de)

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DE395419C true DE395419C (de) 1924-05-17

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1175447B (de) * 1954-01-29 1964-08-06 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-kristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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