DE3905303C2 - Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen - Google Patents
Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch MikrowellenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Vorrichtungen zum Erzeugen eines
Plasmas wie für Plasmareaktoren zum Ätzen, Abscheiden und
dergleichen, Plasma-Massenspektrometer zur quantitativen
Analyse von Elementen und ähnlichem, wobei zur Erzeugung des
Plasmas geeignete Mikrowellen verwendet werden.
Vorrichtungen zum Erzeugen eines Plasmas durch Mikrowellen
sind unter anderem in den folgenden Literaturstellen be
schrieben:
- (1) "The Review of Scientific Instruments", Band 36, Nr. 3, März 1965, Seiten 294 bis 298;
- (2) "IEEE Transactions on Plasma Science"; Band PS-3, Nr. 2, Juni 1975, Seiten 55 bis 59;
- (3) "The Review of Scientific Instruments", Band 39, Nr. 3, März 1968, Seiten 295 bis 297;
- (4) "The Review of Scientific Instruments", Band 41, Nr. 10, Oktober 1970, Seiten 1431 bis 1433;
- (5) "Japanese Journal of Applied Physics", Band 16, Nr. 11, November 1977, Seiten 1993 bis 1998.
Bei den aus den Literaturstellen (1) bis (3) bekannten Vor
richtungen wird zum Übertragen der Mikrowellenleistung ein
Koaxialkabel verwendet. Dadurch können jedoch keine großen
Leistungen übertragen werden, und es ist nicht ersichtlich,
wie ein Plasma hoher Dichte und mit großem Durchmesser er
zeugt werden soll, das im Falle großer Leistung stabil ist.
Bei den aus den Literaturstellen (4) und (5) bekannten Vor
richtungen werden die Punkte der wirksamen Ausnutzung der
Mikrowellenleistung, der radialen Verteilung des Plasmas und
dergleichen nicht genügend beachtet, so daß die Produktivi
tät der Vorrichtung und die Gleichförmigkeit des Plasmas
ungenügend ist.
Vorrichtungen zur Erzeugung eines Plasmas, bei denen Mikro
wellenenergie über einen Wellenleiter zugeführt wird, sind
ferner in J. Phys. D: Appl. Phys. 20 (1987) 197-203, von der
der Oberbegriff des Anspruchs 1 ausgeht, und in EP-A-197 843
offenbart. Bei diesen wird die Mikrowellenenergie von einem
rechteckigen Wellenleiter über einen Spalt direkt in das
Plasma eingekoppelt.
Vorrichtungen mit Zuführung von Mikrowellenenergie über ein
Koaxialkabel in einen zylindrischen Resonator und Einkoppe
lung in ein Plasma über Schlitze in dem Resonator sind in J.
Phys. D: Appl. Phys. 12, 1979, 219-237 und DE-C-25 48 220 an
gegeben.
Schließlich stellen Meinke, Gundlach: Taschenbuch der Hoch
frequenztechnik, 2. Auflage, 1962, Seiten 418-423 sowie
Ghandi: Microwave Engineering and Applications, 1981, Seiten
176-177, Grundlagen der Koppelung von rechteckigen Wellenlei
tern mit koaxialen Kabeln dar.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Vorrichtung zur Erzeugung
von Plasma durch Mikrowellen zu schaffen, mit der über einen
großen Durchmesser ein stabiles Plasma hoher Temperatur und
hoher Dichte auch bei hohem Druck wirkungsvoll erzeugt werden kann.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im Patentan
spruch 1 beschriebene Vorrichtung gelöst. Vorteilhafte Aus
gestaltungen dieser Vorrichtung sind in den Ansprüchen 2 und 3
beschrieben.
Ausführungsbeispiele für die Vorrichtung zur Erzeugung eines
Plasmas werden im folgenden anhand der Zeichnung näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1A die Verteilung der elektrischen Feldstärke in einer
Vorrichtung, wie sie in der Fig. 1B dargestellt ist,
Fig. 1B die Anordnung der wesentlichen Teile einer Vorrich
tung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen,
Fig. 2 den Aufbau einer Ausführungsform, die als Plasma
reaktor dienen kann,
Fig. 3 den Aufbau einer Ausführungsform, die als Ionen
quelle dienen kann,
Fig. 4 ein Blockschaltbild für eine Ausführungsform, die
ein Analysegerät darstellt, und
Fig. 5 im Detail die Einrichtung zur Erzeugung des Plasmas
durch Mikrowellen für das Analysegerät der Fig. 4.
Bei der in der Fig. 1B gezeigten Ausführungsform einer Vor
richtung zur Erzeugung von Plasma ist der Mikrowellenkreis
derart aufgebaut, daß die Modenumwandlung von einem flachen
(rechteckförmigen) Wellenleiter 40 auf einen kreisförmigen
koaxialen Wellenleiter erfolgt. Der Außenleiter 52 des
kreisförmigen koaxialen Wellenleiters ist länger als der
Innenleiter 51. Eine metallische Endplatte 70 mit einer Öff
nung 72, deren Innendurchmesser nahezu gleich dem Durchmes
ser eines Zylinders 53 im Innenleiter 51 ist, ist am zylin
drischen Außenleiter 52 an einer Stelle angeordnet, die zum
vorderen Ende des zylindrischen Innenleiters 51 einen axialen Spalt
oder Zwischenraum d aufweist. An der Innenseite des
Zylinders 53 erstreckt sich wenigstens im Bereich des Innen
leiters 51 und durch die Öffnung 72 hindurch eine Entla
dungsröhre 80. Durch Erzeugen eines Plasmas in der Entla
dungsröhre 80 mittels eines elektrischen Mikrowellenfeldes
(einer Oberflächenwelle), das bzw. die im Bereich des Zwi
schenraumes d zwischen der Endplatte 70 und dem Innenleiter
51 gebildet wird, kann in einem relativ großen Volumen ein
stabiles Plasma hoher Temperatur und hoher Dichte erzeugt
werden.
Wenn eine Mikrowelle von einem Mikrowellengenerator durch
den flachen (rechteckförmigen) Wellenleiter zu dem kreis
förmigen koaxialen Wellenleiter übertragen wird, kann dem
Plasma ohne Verwendung eines Koaxialkabels eine große Lei
stung mit wenig Verlust stabil zugeführt werden. In dem
Zwischenraum zwischen dem vorderen Ende des Innenleiters 51
und der metallischen Endplatte 70 wird ein elektrisches Feld
mit einer axialen Feldkomponente Ez und einer radialen Kompo
nente Er wie in der Fig. 1A gezeigt erzeugt, das heißt, daß
im Bereich des Zwischenraumes d eine Oberflächenwelle ausge
bildet wird. Es kann daher ein stabiles Plasma hoher Tempe
ratur und hoher Dichte und mit einem Durchmesser, der dem
Durchmesser der Entladungsröhre 80 entspricht, effizient
erzeugt werden, wobei verschiedene Arten von Gasen im Druck
bereich von geringem Druck bis zum Atmosphärendruck verwen
det werden können.
In der Fig. 1B ist somit der wesentliche Teil eines Mikro
wellenkreises einer ersten Ausführungsform der Vorrichtung
zum Erzeugen eines Plasmas dargestellt. Die Fig. 1A zeigt
die Verteilung der elektrischen Feldstärke der Mikrowelle
bei der Vorrichtung der Fig. 1B. Die Mikrowelle wird von dem
flachen (rechteckförmigen) Wellenleiter 40 zu dem zylindri
schen koaxialen Wellenleiter-Transformer mit wenigstens
dem Innenleiter 51 und dem zylindrischen Außenleiter 52
übertragen und als Oberflächenwelle von einem Plasma in der
isolierenden Entladungsröhre 80 absorbiert, die aus Quarz
glas oder dergleichen besteht und innerhalb des zylindri
schen Innenleiters 51 angeordnet ist, der an seinem Ende den
Zwischenraum d aufweist. Die Größe d bezeichnet den Abstand
zwischen dem Rand oder Ende des Innenleiters 51 und der
metallischen Endplatte 70 am zylindrischen Außenleiter 52,
der Abstand d kann mittels einer Schraube, einem Zwischen
stück oder dergleichen verändert werden. Die Öffnung 72 in
der Endplatte 70 hat einen Innendurchmesser, der im wesent
lichen gleich dem Durchmesser des Zylinders 53 für den
Innenleiter 51 ist. Durch Anbringen einer metallischen
Drossel oder eines Ansatzes 71 kann der Mikrowellenverlust
verringert werden. Der Innen- und/oder der Außenleiter kann
mit Luft oder Wasser zwangsgekühlt werden. Die Durchmesser
des Innen- und des Außenleiters 51 bzw. 52 und der Entla
dungsröhre können entsprechend den Erfordernissen beliebig
gewählt werden. Da der Wellenwiderstand des Koaxialkreises
gewöhnlich auf 50 Ohm eingestellt wird, um eine wirksame
Absorption der Mikrowelle im Plasma zu erreichen, wird
vorzugsweise die E-Ebene des rechteckigen Wellenleiterab
schnittes (50) des zylindrischen koaxialen Wellenleiter-Trans
formers kleiner (dünner) als das reguläre Maß gewählt,
wodurch das Verhältnis zur H-Ebene verringert wird, der
Wellenwiderstand des Wellenleiters herabgesetzt ist und ein
1/4-Wellenlängentransformer an der Eingangsseite des Wellen
leiters entsteht, so daß der Wellenwiderstand des Wellenlei
ters mit dem des koaxialen Teiles zusammenfällt. Es ist des
weiteren günstig, die Form des Innenleiters 51 knopfartig (ab"door-knob") zu
wählen, wie es in der Fig. 5 gezeigt ist, wobei das Maß
eines Nebenschlußteiles auf den regulären Wert eingestellt
ist. Darüber hinaus ist ein Kurzschlußkolben 60 (variabler
Art) vorgesehen, durch den eine Anpassung ausgeführt werden
kann.
Außerhalb des Außenleiters 52 ist ein Magnetfeldgenerator 90
(mit einer Spule, einem Permanentmagneten oder dergleichen)
angeordnet. Das Plasma wird dadurch erzeugt, daß ein diver
gentes Magnetfeld, ein Magnetfeld mit mehreren Maxima, ein
Spiegel-Magnetfeld oder ähnlich unter den Bedingungen für
eine Elektronenzyklotronresonanz überlagert wird. Damit kann
dem Plasma hoher Temperatur und hoher Dichte (der Grenzdich
te oder höher) auch bei geringem Druck erhalten werden (es
ist selbstverständlich nicht immer erforderlich, das Magnet
feld anzulegen).
Als Plasmagas wird ein geeignetes Gas, etwa H₂, He, O₂, N₂,
Ar, Xe, CH₄, SiH₄, NH₃, CF₄, SiF₄ usw. gemäß den vorliegen
den Erfordernissen gewählt und unter einem Druck im Bereich
von etwa 1,3 × 10-4 Pa (10-6 Torr) bis 10⁵ Pa (760 Torr)
eingebracht. Es ist günstig, ein Probengas von einem Ende
der Entladungsröhre 80 her einzubringen, wie es beispiels
weise in der Fig. 1B gezeigt ist. Je nach den vorliegenden
Erfordernissen kann jedoch auch etwas anderes vorgesehen
werden.
Die Fig. 1A zeigt die Verteilung der radialen Komponente Er
und der axialen Komponente Ez in der Richtung der z-Achse
(in axialer Richtung) der elektrischen Feldstärke im Bereich
des Zwischenraumes d. Ein Merkmal der beschriebenen Vorrich
tung zur Erzeugung von Plasma liegt darin, daß das elektri
sche Feld zu einer Oberflächenwelle wird, bei der sowohl die
Er- als auch die Ez-Komponente vorhanden sind, beide Kompo
nenten entlang der z-Achse schwach sind und im Gegensatz
dazu das elektrische Feld an der Außenseite groß ist, wobei
dieses elektrische Feld bewirkt, daß ein Plasma erhalten
wird, das für niedrige Drücke aufgrund der doppelten Effekte
dieser Komponenten und einer Diffusion der Gasteilchen in
radialer Richtung gleichförmig ist. Andererseits wird bei
hohem Druck, wie bei den Ausführungsformen der Fig. 4 und 5,
ein ringförmiges (toroidalförmiges) Plasma erhalten. Der
Druck wird jeweils in Übereinstimmung mit den vorliegenden
Erfordernissen gewählt.
Die Fig. 2 zeigt ein Blockdiagramm einer zweiten Ausfüh
rungsform der Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas für
den Fall, daß die in der Fig. 1B gezeigte Vorrichtung für
einen Plasmareaktor zum Ätzen, Abscheiden, Herstellen neuer
Materialien und dergleichen verwendet wird. Das Bezugszei
chen 10 bezeichnet dabei ein Hochspannungsnetzteil (Gleich
strom oder Impuls); 20 einen Mikrowellengenerator (Magnetron
oder Gyrotron, 1 bis 100 GHz, 10 bis 5000 W); 30 ein Trenn
glied (oder Einwegleiter); 40 den Mikrowellenkreis (mit
einem Stabtuner, einem Richtungskoppler, einem Leistungsmeß
gerät, einem E-H-Tuner usw.);
51 den Innenleiter; 52 den zylindrischen Außen
leiter; 60 den Kurzschlußkolben; 70 die metallische End
platte; 80 die Entladungsröhre; 90 den Magnetfeldgenerator
(es ist nicht immer erforderlich, den Generator 90 vorzu
sehen); 100 eine Evakuiervorrichtung wie zum Beispiel eine
Vakuumpumpe; 110 eine Zuführvorrichtung (einen Injektor) für
das Plasmagas (wie Ar, He, O₂ usw.) und 120 eine Zuführvor
richtung (einen Injektor) für ein Reaktionsgas (wie CH₄,
NH₃, CF₄, SiF₄, O₂ usw.); 130 eine Reaktionskammer; 140
einen Probenhalter (beispielsweise für eine Halbleiterschei
be); 150 einen Temperaturregler (mit einem Kühler oder einer
Heizvorrichtung oder dergleichen); 160 eine Zuführvorrich
tung (einen Injektor) für Reaktionsteilchen (zum Beispiel
werden beim Ausbilden eines dünnen, bei hohen Temperaturen
supraleitenden Filmes BaCO₃ + Y₂O₃ + CuO durch einen Elek
tronenstrahl verdampft, und die sich ergebenden kleinen
Teilchen werden zugeführt); 170 einen Massenanalysator; 180
ein Spektrometer und 190 einen Rechner zum automatischen
Steuern und das Optimieren der Vorgänge in der Vorrichtung.
Beispielsweise bestimmt der Rechner 190 die erforderlichen
Daten. Bei dieser Ausführungsform kann der Zwischenraum d
durch Verschieben der beweglichen Endplatte 70 mittels einer
Schraube, eines Zwischenstückes oder dergleichen verändert
werden. Der Durchmesser des Innenleiters 51 ist im Bereich
des knopfartigen koaxialen Transformers sehr groß.
Mit diesem Aufbau kann, wenn beispielsweise ein bei hohen
Temperaturen supraleitender dünner Oxidfilm auszubilden ist,
Sauerstoff (O₂) als Plasmagas bei einem niedrigen Druck (1,3
× 10-2 Pa gleich etwa 10-4 Torr oder weniger) ionisiert wer
den. Das Radikal oder die Sauerstoffionen geringer Energie,
die dabei erzeugt werden, und die Metallatome von z. B. Ba, Y
oder Cu, die als Reaktionsteilchen 160 zugeführt werden,
reagieren physikalisch und chemisch. Auf dem Substrat auf
dem Probenhalter 140 kann damit bei niedriger Temperatur und
in kurzer Zeit ein Film guter Qualität abgeschieden werden,
wobei eine Optimierung mittels des Rechners 190 erfolgt.
Die Fig. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform der Vorrichtung
zur Erzeugung eines Plasmas. Die dritte Ausführungsform
stellt eine Vorrichtung zum Extrahieren von Ionen oder neu
tralen Teilchen aus dem Plasma und zur Oberflächenbearbei
tung und Behandlung eines Materiales dar. In der Zeichnung
bezeichnet 50 wieder den zum zylindrischen koaxialen Wellenleiter-Transformer
gehörendem rechteckigen Wellenleiterabschnitt;
51 den Innenleiter; 52 den zylindrischen Außenleiter;
60 den Kurzschlußkolben; 70 die metallische Endplatte (die
verändert werden kann); 71 die metallische Drossel bzw. den
Ansatz; 80 die Entladungsröhre; 90 den Magnetfeldgenerator
(der nicht immer vorgesehen werden muß); 100 die Vakuumpum
pe; 110 die Zuführvorrichtung für ein Probengas, ein Träger
gas oder dergleichen; 120 die Zuführvorrichtung für ein
Probengas, ein Reaktionsgas oder dergleichen; 130 die Reak
tionskammer; 140 den Probenhalter; 150 den Temperaturregler;
180 das Spektrometer und 200 eine Vorrichtung (Extraktor)
zum Herausführen eines Strahles (eines Ionenstrahles etc.).
Die Vorrichtung 200 kann auch zum Herausführen eines Elek
tronenstrahles oder eines neutralen Strahles (aus Atomen
oder Radikalen) vorgesehen sein.
Mit diesem Aufbau kann ein gleichmäßiges Plasma aus einem
Probengas oder einem Trägergas mit hoher Dichte über einen
großen Durchmesser erzeugt werden. Es läßt sich somit ein
gleichmäßiger Ionenstrahl mit großem Durchmesser und hoher
Dichte durch die Vorrichtung 200 aus dem Plasma herausfüh
ren. Es kann damit eine Oberflächenbehandlung oder Verän
derung der Oberfläche des Substrates auf dem Probenhalter
140 in kurzer Zeit und bei niedriger Temperatur ausgeführt
werden. Es kann auch durch den Ionenstrahl ein Target zer
stäubt werden und das Targetmaterial auf dem Substrat ab
geschieden werden. Auch kann eine Oberflächenbehandlung oder
dergleichen unter Verwendung von neutralen Teilchen erfol
gen.
Die Fig. 4 zeigt den fundamentalen Aufbau einer vierten
Ausführungsform, die etwa in der Biologie zur Analyse von
Spurenelementen oder dergleichen verwendet werden kann. In
der Zeichnung bezeichnet das Bezugszeichen 300 eine Vorrich
tung zur Erzeugung von Mikrowellen mit einem Mikrowellenge
nerator wie einem Magnetron, einem Hochspannungsnetzteil,
einem Mikrowellen-Leistungsmeßgerät, einem E-H-Tuner (oder
Stabtuner) usw. Das Bezugszeichen 400 bezeichnet eine Vor
richtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen, das
im wesentlichen auf dem in der Fig. 1B gezeigten Aufbau be
ruht und den zylindrischen koaxialen Wellenleiter, den
Innenleiter, die Endplatte, die Entladeröhre usw. enthält,
wie es in der Fig. 5 gezeigt ist. Das Bezugszeichen 500 be
zeichnet eine Vorrichtung zum Zuführen von Gasen wie einem
Probengas und einem Trägergas, mit einem Zerstäuber und der
gleichen. Das Bezugszeichen 600 bezeichnet eine Vorrichtung
zum Messen und Analysieren mit einem Spektrometer, einem
Massenanalysator usw. Das Bezugszeichen 700 bezeichnet eine
Steuerung mit einem Rechner usw. Die Steuerung 700 führt
eine Bestimmung der Daten und eine optimale Steuerung der
gesamten Vorrichtung aus. Bei dieser Ausführungsform kann
bei einem Betriebsdruck, der im wesentlichen dem Atmosphä
rendruck entspricht, eine große Leistung stabil zugeführt
werden, wobei es ausreicht, wenn die Durchmesser der Ent
ladungsröhre usw. kleiner sind wie bei der zweiten und
dritten Ausführungsform.
Die Fig. 5 zeigt die Vorrichtung 400 zur Erzeugung eines
Plasmas der Ausführungsform der Fig. 4 im Detail. In der
Zeichnung bezeichnet das Bezugszeichen 50 wieder den zum koaxia
len Wellenleiter-Transformer gehörenden rechteckigen Wellenleiterabschnitt,
der aus Kupfer, Aluminium oder
dergleichen besteht und als flacher Wellenleiter ausgebildet
ist (die Innenabmessungen sind 8,6 mm × 109,2 mm × 84 mm).
Das Bezugszeichen 51 bezeichnet den Innenleiter, der aus
Kupfer oder dergleichen besteht (der koaxiale Transformerab
schnitt hat beispielsweise die Form eines Kegelstumpfes mit
einem Basisdurchmesser von 40 mm, einem kleineren Durchmes
ser von 15 mm und einer Höhe von 30 mm). Ein zylindrischer
Hohlraum 53 (mit einem Durchmesser von z. B. 4 bis 12 mm), in
den die Entladungsröhre 80 hineinragt, ist axial im oberen
Teil des Innenleiters 51 ausgebildet. Das Bezugszeichen 52
bezeichnet wieder den zylindrischen Außenleiter, der aus
Kupfer oder dergleichen besteht. Die scheibenförmige End
platte 70 aus Kupfer oder dergleichen ist am Außenleiter 52
angebracht. Die Öffnung 72 mit einem Innendurchmesser, der
im wesentlichen gleich dem Innendurchmesser des zylindri
schen Hohlraumes 53 im Innenleiter 51 ist, ist in der End
platte 70 vorgesehen. Die Dicke der Endplatte 70 nimmt
gegenüber dem äußeren Teil entlang des Umfanges der Öffnung
72 konzentrisch ab (die Dicke ist größer gleich 0,1 mm), das
heißt der Rand der Öffnung 72 ist abgeschrägt. Der Zwischen
raum d zwischen dem Ende des Innenleiters 51 und der End
platte 70 kann verstellt werden (beispielsweise auf Werte
zwischen 0,5 bis 20 mm durch Verschieben der Endplatte).
Das Bezugszeichen 80 bezeichnet wieder die Entladungsröhre
(Innendurchmesser z. B. 4 bis 10 mm) aus Quarzglas oder der
gleichen. Ein Ende der Entladungsröhre 80 ist offen und das
andere Ende weist eine abzweigende Röhre 81 auf, so daß ein
Plasmagas 501 (He, N₂, Ar usw.) in radialer Richtung zuge
führt werden kann. Andererseits ist koaxial zum äußeren End
abschnitt der Entladungsröhre 80 eine innere Röhre 82 aus
Quarzglas oder dergleichen vorgesehen. Ein Trägergas (von
der gleichen Art wie das Plasmagas 501) wird mittels der
Vorrichtung 500 zusammen mit einer Probe über einen (nicht
gezeigten) Zerstäuber oder dergleichen über ein Ende der
inneren Röhre 82 zugeführt. Das Bezugszeichen 510 bezeichnet
einen Kühler zum Kühlen der Entladungsröhre 80 und des
Innenleiters 51 usw. Der Kühler 510 wird über eine Kühlmit
telzuführung 511 mit einem Kühlmittel 502 (zum Beispiel
Luft) versorgt. Bei diesem Aufbau wird nicht nur die Ent
ladungsröhre 80, sondern auch der Innenleiter 51 und die
Endplatte 70 wirksam gekühlt. Das Bezugszeichen 800 bezeich
net ein diffuses Plasma und das Bezugszeichen 701 ein ring
förmiges heißes Plasma. Form und Größe der Entladungsröhre
80, des Innenleiters 51 usw. sind nicht begrenzt.
Bei dem beschriebenen Aufbau wird die dem koaxialen Wellen
leiter-Transformer zugeführte Mikrowellenleistung (zum
Beispiel 2,45 GHz, etwa 2 kW) auf den Zwischenraum d zwi
schen dem Innenleiter 51 und der Endplatte 70 konzentriert,
und es wird eine Feldverteilung erhalten, wie sie in der
Fig. 1A gezeigt ist.
Das durch die abzweigende Röhre 81 zugeführte Plasmagas 501
wird beim Betrieb der Vorrichtung ionisiert, und es wird in
der Entladungsröhre 80 das ringförmige heiße Plasma 701 er
zeugt. Wenn zum Beispiel eine Probe analysiert werden soll,
wird diese mittels der Vorrichtung 500 über die innere Röhre
82 in den mittleren Teil des Plasmas 701 eingeführt, so daß
die Probe nicht in der Umgebung zerstreut wird, sondern die
Dissoziation → Anregung → Ionisation wirksam erfolgt. Wenn
das dabei entstehende Licht zu dem Spektrometer 180 geführt
und die Ionen über ein zwischengeschaltetes Ionensammel
system (nicht gezeigt) zu dem Massenanalysator 600 oder 170
geführt werden, kann die Probe mit sehr hoher Empfindlich
keit quantitativ analysiert werden, im Vergleich zu dem
Fall, bei dem ein Plasma verwendet wird, an das eine Hoch
frequenz (z. B. 27 MHz) induktiv angekoppelt wird. Somit kann
bei der vorliegenden Ausführungsform sogar eine Probe eines
Lösungsmittels direkt analysiert werden, und es können des
weiteren organische und ähnliche Proben analysiert werden.
Die Art der Probe ist somit nicht besonders eingeschränkt.
Als Plasmagas kann He, N₂, Ar usw. verwendet werden, so daß
dieses ebenfalls nicht besonders eingeschränkt ist.
Die beschriebene Vorrichtung zu Erzeugung eines Plasmas
durch Mikrowellen kann bei allen Geräten, die ein Plasma
verwenden, Anwendung finden. Das Plasma kann auch impuls
artig erzeugt werden.
Da das Plasma und die Oberflächenwellen in dem Zwischenraum
d angekoppelt werden, der in dem zylindrischen koaxialen
Wellenleiter vorgesehen ist, kann eine große Mikrowellen
leistung ohne Verwendung eines Koaxialkabels stabil zuge
führt werden. Die Mikrowellenleistung wird dabei von dem
Plasma wirkungsvoll absorbiert. Es kann daher ein Plasma mit
hoher Temperatur, einer hohen Dichte und einem großen Durch
messer in einem weiten Druckbereich von niedrigen Drücken
(etwa 1,3 × 10-4 Pa) bis zu hohen Drücken (Atmosphärendruck)
und verschiedenen Arten von Gasen erzeugt werden.
Durch Überlagern eines äußeren Magnetfeldes kann ein Plasma
aus verschiedenen Gasen mit einer Dichte erzeugt werden, die
gleich der Grenzdichte oder größer ist.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma
durch Mikrowellen kann bei der Herstellung neuer Materialen,
bei der Oberflächenbearbeitung, bei der Veränderung von
Oberflächen sowie beim Ätzen und Abscheiden usw. angewendet
werden. Das Plasma kann als Ionenquelle oder zum Anregen von
Licht bei der Analyse von Elementen usw. Verwendung finden.
Claims (3)
1. Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikro
wellen, umfassend
einen koaxialen Wellenleiter-Abschnitt mit einem zylindrischen Außenleiter (52) und einem zylindrischen Innenleiter (51),
einen Rechteck-Hohlleiter (40, 50) zur Zuführung der Mikrowellenenergie an den koaxialen Wellenleiter-Abschnitt,
eine am Außenleiter (52) angeordnete metallische Endplatte (70), die von einem Ende des Innenleiters (51) durch einen axialen Spalt (d) getrennt ist, in dem von der zugeführten Mikrowellenenergie ein elektrisches Mikrowellenfeld einer Oberflächenwelle erzeugt wird, und
eine Entladungsröhre (80) im Innern des Innenleiters (51), die sich durch eine Öffnung (72) der Endplatte hindurch erstreckt und in der das Plasma durch das in dem Zwischenraum (d) gebildete elektrische Mikrowellenfeld erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Rechteck-Hohlleiter (40, 50) zur Einkoppelung der Mikrowellenenergie unter Modenumwandlung in den koaxialen Wellenleiter-Abschnitt (51, 52) mit dessen einem Ende verbunden ist, während die metallische Endplatte (70) an dem anderen Ende des koaxialen Wellenleiter-Abschnitts vorgesehen ist, so daß die Mikrowellenenergie an diesem anderen Ende durch den axialen Spalt (d) auf das Plasma übertragen wird.
einen koaxialen Wellenleiter-Abschnitt mit einem zylindrischen Außenleiter (52) und einem zylindrischen Innenleiter (51),
einen Rechteck-Hohlleiter (40, 50) zur Zuführung der Mikrowellenenergie an den koaxialen Wellenleiter-Abschnitt,
eine am Außenleiter (52) angeordnete metallische Endplatte (70), die von einem Ende des Innenleiters (51) durch einen axialen Spalt (d) getrennt ist, in dem von der zugeführten Mikrowellenenergie ein elektrisches Mikrowellenfeld einer Oberflächenwelle erzeugt wird, und
eine Entladungsröhre (80) im Innern des Innenleiters (51), die sich durch eine Öffnung (72) der Endplatte hindurch erstreckt und in der das Plasma durch das in dem Zwischenraum (d) gebildete elektrische Mikrowellenfeld erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Rechteck-Hohlleiter (40, 50) zur Einkoppelung der Mikrowellenenergie unter Modenumwandlung in den koaxialen Wellenleiter-Abschnitt (51, 52) mit dessen einem Ende verbunden ist, während die metallische Endplatte (70) an dem anderen Ende des koaxialen Wellenleiter-Abschnitts vorgesehen ist, so daß die Mikrowellenenergie an diesem anderen Ende durch den axialen Spalt (d) auf das Plasma übertragen wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Größe des axialen Spalts (d) ver
änderbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekenn
zeichnet durch einen Magnetfeldgenerator (90), der um den
Bereich des axialen Spalts (d) angeordnet ist, so daß dem
elektrischen Mikrowellenfeld ein äußeres Magnetfeld über
lagert werden kann.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3938488 | 1988-02-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3905303A1 DE3905303A1 (de) | 1989-08-31 |
DE3905303C2 true DE3905303C2 (de) | 1996-07-04 |
Family
ID=12551514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3905303A Expired - Lifetime DE3905303C2 (de) | 1988-02-24 | 1989-02-21 | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas durch Mikrowellen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4933650A (de) |
DE (1) | DE3905303C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19814812A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | Mut Mikrowellen Umwelt Technol | Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender |
DE19925790A1 (de) * | 1999-06-05 | 2000-12-07 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von optischen und anderen Oberflächen mittels Hochrate-Plasmaprozessen |
DE102018100683A1 (de) | 2018-01-12 | 2019-07-18 | EMIL OTTO Flux- und Oberflächentechnik GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Lotmittels |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02215038A (ja) * | 1989-02-15 | 1990-08-28 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ極微量元素分析装置 |
US5051557A (en) * | 1989-06-07 | 1991-09-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services | Microwave induced plasma torch with tantalum injector probe |
JP2922223B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1999-07-19 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ発生装置 |
US5229605A (en) * | 1990-01-05 | 1993-07-20 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for the elementary analysis of a specimen by high frequency inductively coupled plasma mass spectrometry and apparatus for carrying out this process |
FR2656926B1 (fr) * | 1990-01-05 | 1993-06-11 | Air Liquide | Perfectionnement au procede d'analyse elementaire d'un echantillon par spectrometrie de masse couplee a un plasma induit par haute frequence et a l'installation pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
US5055741A (en) * | 1990-07-13 | 1991-10-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Liquid coolant for high power microwave excited plasma tubes |
US5008593A (en) * | 1990-07-13 | 1991-04-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Coaxial liquid cooling of high power microwave excited plasma UV lamps |
JPH04110653A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Hitachi Ltd | プラズマを用いた気体試料の分析方法 |
DE4122802C1 (de) * | 1991-07-10 | 1992-12-17 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
FR2689717B1 (fr) * | 1992-04-03 | 1994-05-13 | Commissariat A Energie Atomique | Dispositif d'application de micro-ondes et reacteur a plasma utilisant ce dispositif. |
US5313067A (en) * | 1992-05-27 | 1994-05-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation |
US5389153A (en) * | 1993-02-19 | 1995-02-14 | Texas Instruments Incorporated | Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method |
US5671045A (en) * | 1993-10-22 | 1997-09-23 | Masachusetts Institute Of Technology | Microwave plasma monitoring system for the elemental composition analysis of high temperature process streams |
US5479254A (en) * | 1993-10-22 | 1995-12-26 | Woskov; Paul P. | Continuous, real time microwave plasma element sensor |
US5550432A (en) * | 1994-11-01 | 1996-08-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Smart adaptive vacuum electronics |
JPH0997586A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Hitachi Ltd | プラズマを用いた分析装置と方法、これに用いるインターフェース、及び、これに用いる試料導入部品 |
US5825485A (en) * | 1995-11-03 | 1998-10-20 | Cohn; Daniel R. | Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual |
DE19812558B4 (de) * | 1998-03-21 | 2010-09-23 | Roth & Rau Ag | Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen |
DE19847848C1 (de) * | 1998-10-16 | 2000-05-11 | R3 T Gmbh Rapid Reactive Radic | Vorrichtung und Erzeugung angeregter/ionisierter Teilchen in einem Plasma |
JP2000133494A (ja) | 1998-10-23 | 2000-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置及び方法 |
JP4258789B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2009-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理方法 |
RU2171554C2 (ru) * | 1999-04-07 | 2001-07-27 | Корчагин Юрий Владимирович | Способ генерации плазмы и устройство для его осуществления |
JP2001244249A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Speedfam Co Ltd | 局部エッチング装置の放電管及びテーパ型放電管を用いた局部エッチング装置 |
US6873113B2 (en) * | 2000-04-13 | 2005-03-29 | Tokyo Electron Limited | Stand alone plasma vacuum pump |
AUPQ861500A0 (en) * | 2000-07-06 | 2000-08-03 | Varian Australia Pty Ltd | Plasma source for spectrometry |
US6836060B2 (en) * | 2001-03-26 | 2004-12-28 | Agilent Technologies, Inc. | Air cooled gas discharge detector |
WO2003026365A1 (de) * | 2001-08-28 | 2003-03-27 | Jeng-Ming Wu | Plasmabrenner mit mikrowellenanregung |
AUPS044202A0 (en) * | 2002-02-11 | 2002-03-07 | Varian Australia Pty Ltd | Microwave plasma source |
AU2002331413B2 (en) * | 2002-02-11 | 2007-04-05 | Agilent Technologies Australia (M) Pty Ltd | Microwave plasma source |
US7005635B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-02-28 | Metara, Inc. | Nebulizer with plasma source |
JP2005235464A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Toshio Goto | プラズマ発生装置 |
FR2933532B1 (fr) * | 2008-07-02 | 2010-09-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif generateur d'ions a resonance cyclotronique electronique |
US9247629B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Agilent Technologies, Inc. | Waveguide-based apparatus for exciting and sustaining a plasma |
CN104009275B (zh) * | 2014-05-26 | 2016-09-07 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种高功率输入耦合器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2290126A1 (fr) * | 1974-10-31 | 1976-05-28 | Anvar | Perfectionnements apportes aux dispositifs d'excitation, par des ondes hf, d'une colonne de gaz enfermee dans une enveloppe |
JPS5779621A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing device |
FR2580051B1 (de) * | 1985-04-05 | 1990-02-16 | Alsthom Cgee |
-
1989
- 1989-02-21 DE DE3905303A patent/DE3905303C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-22 US US07/313,446 patent/US4933650A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19814812A1 (de) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | Mut Mikrowellen Umwelt Technol | Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender |
DE19814812C2 (de) * | 1998-04-02 | 2000-05-11 | Mut Mikrowellen Umwelt Technol | Plasmabrenner mit einem Mikrowellensender |
DE19925790A1 (de) * | 1999-06-05 | 2000-12-07 | Inst Oberflaechenmodifizierung | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von optischen und anderen Oberflächen mittels Hochrate-Plasmaprozessen |
DE102018100683A1 (de) | 2018-01-12 | 2019-07-18 | EMIL OTTO Flux- und Oberflächentechnik GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Lotmittels |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4933650A (en) | 1990-06-12 |
DE3905303A1 (de) | 1989-08-31 |
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