DE3889446T2

DE3889446T2 - Vorrichtung zur Herstellung von dünnen Filmen.

Info

Publication number: DE3889446T2
Application number: DE19883889446
Authority: DE
Inventors: Kenji Patent Licence Qua Araki; Hiroshi Patent Licence Q Kamio; Masanori Patent Licence Ohmura; Hiroshi Patent Licence Sakama; Yoshinobu Patent Licence Shima
Original assignee: Nippon Kokan Ltd
Current assignee: JFE Engineering Corp
Priority date: 1988-02-29
Filing date: 1988-02-29
Publication date: 1994-11-17
Anticipated expiration: 2008-03-01
Also published as: EP0330708B1; EP0330708A1; DE3889446D1

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten wie etwa eine epitaxiale Aufwachsvorrichtung vom Trommeltyp, die zur Herstellung von Ultra-LSIs verwendet wird.
Bei dem heutigen Trend zur Steigerung der Integrationsdichte und Herabsetzung der Größe von integrierten Halbleiterschaltkreisen ist es häufige Praxis, eine epitaxiale Schicht durch epitaxiales Kristallwachstum auf einem Halbleiterwafer beispielsweise für Metalloxid-Halbleiter bzw. MOS zu bilden. Es besteht auch der Trend, daß die Dicke der expitaxialen Schicht mit zunehmender Größe des Halbleitersubstrats verringert wird. Reaktionsapparate für das epitaxiale Wachstum können grob in drei Typen unterteilt werden, und zwar den horizontalen Reaktionsrohrtyp, den vertikalen Vakuumglockentyp und den Trommeltyp. Außerdem gibt es einen erst vor kurzem entwickelten Heißwandtyp, der eine Abwandlung des CVD- Typs bzw. des Typs zum chemischen Bedampfen im Vakuum ist. Bei diesen Reaktionsvorrichtungen ist ein Sekundärzylinder zur Halterung einer Vielzahl von Wafern in einem Reaktionsofen angeordnet, der in einem Hochtemperaturzustand gehalten wird, und in diesem Zustand wird ein Reaktionsfluid, das ein Gas wie Siliziumtetrachlorid (SiCl&sub4;) oder Silan ist, in den Reaktionsofen eingeleitet, so daß auf jeder Waferoberfläche eine epitaxiale Schicht gebildet wird.
Die EP-Patentanmeldung EP-A-0 253 663 zeigt eine Schichtbildungsvorrichtung, die einen Reaktionsofen mit einer Reaktionskammer darin aufweist, wobei der Ofen ein Paar von Sekundärzylindern aufweist, die in der Reaktionskammer im wesentlichen vertikal positioniert sind und deren gegenüberstehende Seiten um einen bestimmten Abstand voneinander getrennt sind. Die Vorrichtung weist außerdem eine Halteeinrichtung für eine Vielzahl von Gegenständen, die einer Schichtbildung zu unterziehen sind, und eine Einrichtung zum relativen Drehen der Sekundärzylinder auf.
Bei einer Modifikation der Trommelvorrichtung zum epitaxialen Aufwachsen wird jeder Wafer von zwei Seiten erwärmt, um eine gleichmäßige Erwärmung zu erreichen. In diesem Fall wird der Wafer an der Rückseite von einer HF-Induktionsspule durch einen Sekundärzylinder erwärmt, während die Glockenoberfläche mit einer metallischen Überzugsschicht versehen ist, um Wärme auf die Waferoberfläche abzustrahlen.
Um epitaxiale Schichten hoher Güte zu erhalten, ist es wichtig, die Dicke und den Widerstandswert der Schicht gleichförmig zu halten. Bei der oben genannten Vorrichtung vom Trommeltyp ist es aber unmöglich, die Temperatur jedes Wafers oder die Temperatur jedes Bereichs eines Wafers, der jeden Chip bildet, gleichmäßig zu steuern, und somit resultiert eine ungleichmäßige Temperaturverteilung. Der Grund dafür ist der folgende: Wenn das Reaktionsfluid zugeführt wird und aus dem Reaktionsofen in einem Hochtemperaturzustand austritt, sind die Temperatur des Fluids, d. h. von Silan, und die molare Konzentration eines Silizium enthaltenden Gases und eines Dotierstoffgases in der Nachbarschaft des Einlasses und Auslasses des Ofens nicht gleich, d. h. die Temperatur und die molare Konzentration ändern sich in Abhängigkeit von der Position des Wafers. Außerdem strömt Silan nicht gleichmäßig durch den Reaktionsofen, sondern bildet manchmal eine Wirbelströmung. In einem solchen Fall treten Änderungen der Temperatur und der molaren Konzentration nicht bei verschiedenen Wafern, sondern an verschiedenen Bereichen desselben Wafers auf. Ferner wird die Wärmemenge, die von der an der Glockenoberfläche gebildeten metallischen Überzugsschicht abgestrahlt wird, mit dem Fortschreiten des epitaxialen Wachstums verringert, was in einer ungleichmäßigen Temperaturverteilung resultiert. Mit der Wiederholung des epitaxialen Aufwachsvorgangs wird außerdem die metallische Überzugsschicht aufgrund von Wärmeermüdung verschlechtert. Eine ungleichmäßige Temperaturverteilung kann ferner in Abhängigkeit von der Menge des zugeführten Reaktionsfluids auftreten.
Was ferner die Menge der bearbeiteten Wafer betrifft, so wird durch eine Zunahme der Wafergröße die pro Zyklus behandelte Wafermenge verringert, was eine Kostenerhöhung der Wafer zur Folge hat.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung einer Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten, die die Bildung von Dünnschichten hoher Güte mit gleichmäßiger Dicke und gleichmäßigem Widerstand auf einer Vielzahl von Halbleiterwafern oder dergleichen Werkstücken in einem einzigen Vorgang erlaubt.
Gemäß der Erfindung wird eine Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten angegeben, wie sie in den Patentansprüchen definiert ist. Die Vorrichtung weist auf: einen Reaktionsofen und einen ersten und einen zweiten Sekundärzylinder, wobei der erste Sekundärzylinder in dem zweiten, hohlen, becherförmigen Sekundärzylinder koaxial angeordnet ist. Der zweite Sekundärzylinder ist angeordnet, um den ersten Sekundärzylinder mit einem vorbestimmten radialen Raum dazwischen zu umgeben, und hat einen Innenumfang, der fähig ist, eine Vielzahl von zu behandelnden Werkstücken (bevorzugt Halbleiterwafern) derart zu tragen, daß diese den zu behandelnden Werkstücken (bevorzugt Halbleiterwafern) zugewandt sind, die von der Außenfläche des ersten Sekundärzylinders getragen sind. Die Vorrichtung weist außerdem eine Dreheinrichtung auf, um eine relative Drehung des ersten und des zweiten Sekundärzylinders zueinander zu bewirken, sowie eine Einrichtung zur Zufuhr eines Reaktionsfluids zu der Reaktion und eine Einrichtung zum Absaugen des Reaktionsfluids.
Ebenfalls gemäß der Erfindung wird eine Vorrichtung der oben beschriebenen Art angegeben, die außerdem ein Paar von wärmereflektierenden Elementen und eine Heizeinrichtung zum Erwärmen des Reaktionsfluids gemäß der Definition in den Patentansprüchen hat. Die wärmereflektierenden Elemente sind in dem Reaktionsofen zwischen dem Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und dem Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders angeordnet, so daß die Elemente das obere und das untere Ende des zwischen den Sekundärzylindern gebildeten Raums definieren.
Die Erfindung ergibt sich aus der nachstehenden genauen Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen; die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 eine schematische Schnittdarstellung, die eine Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung zur Herstellung von Dünnschichten zeigt;
Fig. 2 einen Schnitt, der eine Modifikation einer Gaszufuhrleitung in derselben Vorrichtung zeigt; und
Fig. 3 eine Perspektivansicht, die eine weitere Modifikation der Gaszufuhrleitung in derselben Vorrichtung zeigt.
Nachstehend wird eine Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung zur Herstellung von Dünnschichten unter Bezugnahme auf eine epitaxiale Aufwachsvorrichtung vom Trommeltyp zur Bildung einer epitaxialen Schicht auf Siliziumwafern beschrieben.
Fig. 1 zeigt die Ausführungsform. 1 ist ein Reaktionsofen oder eine Vakuumglocke, die ein hohles zylindrisches oder ovales Teil aus einem warmfesten Werkstoff, z. B. Quarz, ist. In der Vakuumglocke 1 sind ein erster und ein zweiter Sekundärzylinder 2 und 5 koaxial aufgenommen. Der erste Sekundärzylinder 2 hat ein im wesentlichen hexagonales Querschnittsprofil. Eine Welle 3 springt vom Oberende der Mitte dieses Sekundärzylinders vor. Die Welle 3 verläuft koaxial mit dem Sekundärzylinder 2 und tritt durch die Mitte der Oberseite der Vakuumglocke 1 nach außen. Sie ist drehbar in einem Lager abgestützt, das in der oberen Wand der Vakuumglocke vorgesehen ist. Der Sekundärzylinder 2 hat ein exakt hexagonales kegelstumpfförmiges Profil. Seine sechs Seitenflächen sind geringfügig geneigt, so daß sie sich in Abwärtsrichtung nach außen erweitern. Jede ebene Seitenfläche ist mit kreisrunden Waferaufnahmevertiefungen ausgebildet. Anzahl und Positionen der Waferaufnahmevertiefungen können geeignet gewählt werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist jede Seitenfläche mit drei in Vertikalrichtung gleichmäßig beabstandeten Waferaufnahmevertiefungen ausgebildet, d. h. der Sekundärzylinder 2 hat insgesamt 18 Waferaufnahmevertiefungen. Die Waferaufnahmevertiefung hat bevorzugt einen Durchmesser, der geringfügig größer als der Außendurchmesser des Wafers ist.
Der zweite Sekundärzylinder 5 hat eine am Unterende geschlossene hohlzylindrische Gestalt. Der erste Sekundärzylinder 2 ist in dem zweiten Sekundärzylinder 5 koaxial angeordnet. Die Innenfläche des zweiten Sekundärzylinders 5 besteht aus sechs ebenen Flächen, die in Umfangsrichtung eng nebeneinander angeordnet sind. Diese ebenen Flächen sind geringfügig geneigt, so daß sie sich von unten nach oben verlaufend nach innen erweitern. Jede der sechs Innenflächen ist mit drei kreisrunden Waferaufnahmevertiefungen ausgebildet. Es versteht sich, daß die Neigungsrichtung der Seitenflächen des ersten Sekundärzylinders 2 zu der Neigungsrichtung der inneren Seitenflächen des zweiten Sekundärzylinders 5 entgegengesetzt ist. Die Neigung der Umfangsflächen in bezug auf eine Vertikalachse ist nicht wesentlich, ist aber erwünscht, um den Sekundärzylindern mit einer einfachen Konstruktion zufriedenstellend zu erlauben, Wafer 4 als die zu behandelnden Werkstücke abzustützen. Eine Hohlwelle 6 verläuft koaxial mit dem Sekundärzylinder 5 und tritt durch die Mitte des Bodens der Vakuumglocke 1. Sie ist in der Vakuumglocke über ein Lager, das in der Bodenwand der Vakuumglocke vorgesehen ist, drehbar abgestützt.
Die Welle 6 ist mit einer außerhalb der Vakuumglocke 1 angeordneten Dreheinrichtung 8 verbunden und wird davon gedreht. Die Dreheinrichtung 8 hat wohlbekannten Aufbau, sie besteht beispielsweise aus einem Motor und einem Getriebezug. Sie kann die Wellen 3 und 6 in Gegenrichtungen drehen, oder sie kann diese Wellen in der gleichen Richtung, aber mit verschiedenen Geschwindigkeiten drehen. Als weitere Alternative kann sie auch nur eine der Wellen 3 und 6 drehen.
Eine Gaszufuhrleitung oder Düseneinheit 9 ist in einem oberen Bereich des Inneren der Vakuumglocke 1 vorgesehen, um ein Reaktionsgas, d. h. Siliziumtetrachloridgas, zuzuführen. Die Gaszufuhrleitung hat eine Reihe von Gasdüsenöffnungen, die über dem Raum zwischen den Sekundärzylindern 2 und 5 angeordnet sind. Die Gaszufuhrleitung 9 ist mit einer Gasquelle 10 verbunden, die außerhalb der Vakuumglocke 1 angeordnet ist und von der das Reaktionsgas mit einer gesteuerten Rate zugeführt wird.
Die obere Welle 3 ist mit einem daran befestigten koaxialen Reflektor 11 versehen. Der Reflektor 11 ist scheibenförmig und besteht aus einem Werkstoff, der Strahlungswärme reflektieren kann, z. B. aus rostfreiem Stahl. Ein zweiter Reflektor 12 ist an der Bodenwand des zweiten Sekundärzylinders 5 so befestigt, daß er von der Oberseite der Bodenwand um einen vorbestimmten Betrag beabstandet ist. Er hat eine zentrale Durchgangsöffnung 12a, durch die das Reaktionsgas geleitet wird. Zwischen dem ersten und dem zweiten Sekundärzylinder 2 und 5 ist ein epitaxialer Aufwachsraum gebildet, dessen Oberende und Unterende von den Reflektoren 11 und 12 und dessen Umfang von dem ersten und dem zweiten Sekundärzylinder 2 und 5 und daran getragenen Wafern definiert ist, d. h. der durch Strahlungswärme- Reflexionsflächen definiert ist.
Eine Absaugleitung 7 verläuft durch die untere Welle 6. Die Absaugleitung hat ein offenes Ende in der Mitte der Oberseite der Bodenwand des zweiten Sekundärzylinders 5, und das andere Ende ist mit einer Vakuumeinrichtung 15 verbunden. Nicht benötigtes Gas wird aus dem epitaxialen Aufwachsraum durch den den zweiten Reflektor 12 umgebenden Raum und die darin gebildeten Durchgangsöffnung 12a und dann durch die Absaugleitung 7 abgesaugt.
Eine HF-Induktionsheizspule 13 ist so angeordnet, daß sie die Vakuumglocke 1 umgibt. Sie ist mit einer Stromquelle 14 verbunden und wird davon mit vorbestimmter Energie gespeist, um den epitaxialen Aufwachsraum aufzuheizen.
Nachstehend wird der Betrieb der Vorrichtung, die wie oben beschrieben aufgebaut ist, in Verbindung mit einem Fall beschrieben, bei dem auf Siliziumwafern 4 eine epitaxiale Schicht gebildet wird.
Zuerst werden Wafer 4 in die Vertiefungen des ersten und des zweiten Sekundärzylinders 2 und 5 eingesetzt, und dann werden diese Sekundärzylinder entgegengesetzt zueinander gedreht. Gleichzeitig wird die Spule 13 aktiviert, um das Innere der Vakuumglocke 1 auf eine vorbestimmte Temperatur aufzuheizen. Dann wird Silan als Reaktionsgas von der Gasquelle 10 durch die Gaszufuhrleitung 9 in den epitaxialen Aufwachsraum in der Vakuumglocke 1 zugeführt. Dadurch wird das Reaktionsgas in dem Raum zersetzt, und eine epitaxiale Siliziumschicht wird auf den Siliziumwafern 4 gebildet. Das überschüssige zersetzte Gas wird durch die Absaugleitung 7 zur Außenseite der Vakuumglocke 1 abgesaugt. Da die Oberfläche der Wafer 4 eine Spiegelfläche ist, wirken während des epitaxialen Aufwachsens die gegenüberstehenden Wafer als Strahlungswärmequelle ebenso wie die gegenüberstehenden Sekundärzylinder 2 und 5. Daher kann eine gleichmäßige Temperaturverteilung unter den Wafern 4, die von den Sekundärzylindern 2 und 5 abgestützt sind, erreicht werden. Da außerdem die Sekundärzylinder 2 und 5 einander zugewandt drehen, wird das zwischen diesen Sekundärzylindern durchströmende Reaktionsgas bewegt und gleichmäßig auf die einzelnen Wafer 4 gerichtet. Durch diese Vergleichmäßigung der Temperatur und des Reaktionsgasdurchflusses kann eine epitaxiale Schicht erhalten werden, die gleichförmige Dicke und ebensolchen Widerstand hat. Da außerdem zwei Sekundärzylinder 2 und 5 verwendet werden, ist es möglich, eine epitaxiale Schicht gleichzeitig auf einer Reihe von Wafern zu erzeugen.
Bei der obigen Ausführungsform ist die Gaszufuhrleitung 9 ortsfest. Es ist jedoch möglich, eine Gaszufuhrleitung zu verwenden, die gemeinsam mit dem Sekundärzylinder 2 drehbar ist, wie Fig. 2 zeigt. Bei dieser Modifikation ist die Welle 3 hohl und mit der Gaszufuhrleitung 9 integral, so daß erstere und letztere miteinander kommunizieren. Die Welle 3 ist über eine drehbare Fluidkupplung mit einer Zuleitung 10a von der Gasquelle verbunden. Somit wird das Reaktionsgas aus der drehenden Zufuhrgasleitung zu dem expitaxialen Aufwachsraum zugeführt.
Fig. 3 zeigt eine andere Modifikation der Gaszufuhrleitung. Dabei ist die Gaszufuhrleitung im Reflektor 11 gebildet. Insbesondere ist der Reflektor 11 hohl, und seine Unterseite ist mit einer Vielzahl von Gasdüsenöffnungen 9a ausgebildet. Eine mit der Gasquelle verbundene Leitung springt von der Oberseite des Reflektors 11 vor.
Bei der obigen Ausführungsform waren die Sekundärzylinderflächen zur Abstützung von Wafern geringfügig geneigt, so daß sie Wafer während der Rotation haltern können. Diese Waferabstützeinrichtung ist jedoch keineswegs als einschränkend anzusehen. Beispielsweise können die Sekundärzylinderflächen mit Rippen anstelle der Vertiefungen ausgebildet sein, um den Waferumfang mit der Rippe abzustützen. Außerdem ist der erste Sekundärzylinder nicht auf die hexagonal-zylindrische oder hexagonal-konische Gestalt beschränkt, sondern kann jede andere geeignete Gestalt haben, solange er Wafer an seinem Umfang haltern kann. Beispielsweise kann ein von einem Sechseck verschiedener polygonaler Sekundärzylinder verwendet werden. Außerdem brauchen die Sekundärzylinderflächen nicht flach zu sein, wenn Mittel zur Abstützung von Wafern vorgesehen sind. Der zweite Sekundärzylinder kann ebenso wie der erste Sekundärzylinder verschiedene Modifikationen erfahren. Wenn beispielsweise die obere Oberfläche der Bodenwand des zweiten Sekundärzylinders als eine reflektierende Oberfläche ausgebildet ist, kann der zweite Reflektor entfallen. Anstelle einer HF-Induktionsheizspule können elektrische Widerstandseinrichtungen und eine Lampe zum Aufheizen der Sekundärzylinder verwendet werden.

Claims

1. Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten, die aufweist:

einen Reaktionsofen (1); gekennzeichnet durch einen ersten Sekundärzylinder (2), der in dem Reaktionsofen angeordnet ist und einen Außenumfang hat, der fähig ist, eine Vielzahl von zu behandelnden Werkstücken (4) zu tragen, und koaxial angeordnet ist in einem zweiten hohlen becherförmigen Sekundärzylinder (5), der in dem Reaktionsofen angeordnet ist, um den ersten Sekundärzylinder (2) mit einem vorbestimmten radialen Raum dazwischen zu umgeben, und einen Innenumfang hat, der fähig ist, eine Vielzahl von zu behandelnden Werkstücken (4) derart zu tragen, daß diese zu behandelnden Werkstücke zu behandelnden Werkstücken zugewandt sind, die von dem ersten Sekundärzylinder (2) getragen sind;

eine Dreheinrichtung (8), um eine relative Drehung des ersten und des zweiten Sekundärzylinders (2, 5) zueinander zu bewirken;

eine Einrichtung (9, 10), um dem Raum in dem Reaktionsofen zwischen dem Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und dem Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders ein Reaktionsfluid zuzuführen; und

eine Einrichtung (7, 15), um das Reaktionsfluid aus dem Raum in dem Reaktionsofen zwischen dem Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und der Innenfläche des zweiten Sekundärzylinders abzusaugen.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Außenumfang des ersten Sekundärzylinders (2) eine Vielzahl von flachen Oberflächen hat, die nebeneinander in der Umfangsrichtung angeordnet sind, wobei jede der flachen Oberflächen fähig ist, mindestens ein zu behandelndes Werkstück zu tragen.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders (5) eine Vielzahl von flachen Oberflächen hat, die nebeneinander in der Umfangsrichtung angeordnet sind, wobei jede der flachen Oberflächen fähig ist, mindestens ein zu behandelndes Werkstück zu tragen.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die flachen Oberflächen des ersten und des zweiten Sekundärzylinders (2, 5) Ausnehmungen haben, um zu behandelnde Werkstücke darin aufzunehmen.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Sekundärzylinder (2, 5) koaxiale Vertikalachsen haben und im Gebrauch in zueinander entgegengesetzten Richtungen um ihre Achsen gedreht werden.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und der Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders in bezug auf die genannten Achsen geneigt sind.

7. Vorrichtung zum Herstellen von Dünnschichten, die aufweist:

einen Reaktionsofen (1);

einen ersten Sekundärzylinder (2), der in dem Reaktionsofen angeordnet ist und einen Außenumfang hat, der aus einem wärmereflektierenden Material gebildet und fähig ist, eine Vielzahl von Halbleiterscheiben (4) zu tragen, und koaxial angeordnet ist in einem zweiten hohlen becherförmigen Sekundärzylinder (5), der in dem Reaktionsofen angeordnet ist, um den ersten Sekundärzylinder (2) mit einem vorbestimmten radialen Raum dazwischen zu umgeben, und einen Innenumfang hat, der aus einem wärmereflektierenden Material gebildet und fähig ist, eine Vielzahl von Halbleiterscheiben (4) derart zu tragen, daß diese Halbleiterscheiben den Halbleiterscheiben zugewandt sind, die von dem ersten Sekundärzylinder (2) getragen sind;

ein Paar von wärmereflektierenden Elementen (11, 12), die in dem Reaktionsofen zwischen dem Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und dem Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders angeordnet sind, so daß die genannten Elemente (11, 12) das obere und das untere Ende des genannten Raums definieren, der zwischen dem ersten und dem zweiten Sekundärzylinder (2, 5) gebildet ist;

eine Dreheinrichtung (8), um eine relative Drehung des ersten und des zweiten Sekundärzylinders zueinander zu bewirken;

eine Fluidzufuhreinrichtung (9, 10), um dem Raum in dem Reaktionsofen zwischen dem Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und dem Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders ein Reaktionsfluid zuzuführen;

eine Fluidabsaugeinrichtung (7, 15), um das Reaktionsfluid aus dem Raum in dem Reaktionsofen zwischen dem Außenumfang des ersten Sekundärzylinders und dem Innenumfang des zweiten Sekundärzylinders abzusaugen; und

eine Heizeinrichtung (13), um das Reaktionsfluid in dem Reaktionsofen aufzuheizen.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die wärmereflektierenden Elemente (11, 12) auf dem jeweiligen ersten und zweiten Sekundärzylinder vorgesehen und damit drehbar sind.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsfluidzufuhreinrichtung an dem ersten Sekundärzylinder (2) befestigt ist, um synchron mit dem ersten Sekundärzylinder zu drehen.