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DE3780732T2 - Mikrolithographischer lack mit einem poly(1,1-dialkysilazan). - Google Patents

Mikrolithographischer lack mit einem poly(1,1-dialkysilazan).

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Publication number
DE3780732T2
DE3780732T2 DE19873780732 DE3780732T DE3780732T2 DE 3780732 T2 DE3780732 T2 DE 3780732T2 DE 19873780732 DE19873780732 DE 19873780732 DE 3780732 T DE3780732 T DE 3780732T DE 3780732 T2 DE3780732 T2 DE 3780732T2
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DE
Germany
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photoresist
poly
rie
dimethylsilazane
polysilazane
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DE19873780732
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DE3780732D1 (de
Inventor
Hiroyuki Hiraoka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
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Publication date
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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen mikrolithographischen Photolack, der Widerstands fähig gegen mit Sauerstoff reagierendes Ionenätzen (RIE) und auch gegen Wärmefluß ist.
  • Die USP 3,911,169 zeigt die Anwendung von Polysilazan zur Behandlung eines Substrats, bevor dieses Substrat mit einem Photolack beschichtet wird. Das Polysilazan wird als Kleber eingesetzt und nicht mit dem Photolack gemischt.
  • Die USP 4,451,969 offenbart, wie Polysilazan auf ein Substrat aufgebracht und dann in Siliciumnitrid umgewandelt wird. Polysilazan wird nie mit dem Photolack gemischt.
  • Ueno u. a., Preprints of the 4th Technical Conference on Photopolymers, [Vorabdrucke der 4. Technischen Konferenz über Photopolymere] 11-12, Juli 1985, Tokio, Japan, zeigt einen mit wäßrigem Alkali zu entwickelnden positiven Photolack, der silciumhaltige Verbindungen enthält, die sich sehr stark von denen der vorliegenden Erfindung unterscheiden.
  • EP-A-0198215, die aufgrund Art. 54(3) und (4) EPÜ zum Stand der Technik gehört, offenbart Verbindungen, bestehend aus einem Photolackharz und einem Poly(dialkylsilazan).
  • Es wurde festgestellt, daß Poly(dialkylsilazan) phasenkompatibel mit einer großen Menge sowohl positiver als auch negativer Photolacke ist und ausgezeichnete Filme ergibt.
  • Erfindungsgemäß wird eine mikrolithographische Photolackzusammensetzung vorgesehen, die ein damit gemischtes photolackbildendes Harz in einer Menge von etwa 3,6 Gew.% bis etwa 15 Gew.% Trockensubstanz enthält, ein Poly(1,1-Dialkylsilazan) mit der allgemeinen Formel:
  • worin R Methyl oder Ethyl bedeutet und das Verhältnis q zu p zwischen 0 und 1 liegt. Das am meisten bevorzugte Material ist Poly(1,1-Dimethylsilazan). Diese Stoffe sind in der Technik wohlbekannt und im Handel erhältlich. In der praktischen Anwendung der vorliegenden Erfindung sollte das Polysilazan vorzugsweise ein hinreichend hohes Molekulargewicht aufweisen, so daß es ein Feststoff oder nahezu ein Feststoff ist.
  • Es kommt nicht zur Phasentrennung wegen der Zugabe des Poly- (dialkylsilazan) und nur zu geringfügigen Änderungen in der Empfindlichkeit. Auch werden eine hohe Wärmeflußfestigkeit und hohe Auflösung erzielt. Somit läßt sich eine große Vereinfachung bei der Herstellung von Photolack, der widerstandsfähig gegen RIE ist, erreichen.
  • Viele Mikrolithographielacke vermischen sich gut mit Poly- (1,1-Dimethylsilazan) ohne Phasentrennung und ergeben ausgezeichnete Filme; Z.B. als negative Photolacke chloriertes Polystyrol, chlormethyliertes Poly(isopropenylnaphthalen) und Polystyrol, und als positive Photolacke von Novolak-Typ, Poly(hydroxystyrol) und Photolacke auf Poly(t-Bocstyrol)- Grundlage.
  • Schon mit einer kleinen Menge Polysilazan im Matrix-Photolack (15% Trockensubstanz) wird die Sauerstoff-RIE-Rate dieses Photolacks gleich Null. Die Bilder können unter den gleichen Bedingungen entwickelt werden wie ohne das Polysilazan, unter geeigneten Vorbrennbedingungen. Neben der RIE-Festigkeit wird auch die Wärmeflußfestigkeit erhöht. Da die Gemische unabhängig von der Diffusion oder vom UV-Absorptionsprozeß sind, können Filme beliebiger Dicke verarbeitet werden.
  • Die positive Matrix der erfindungsgemäßen Photolackzusammensetzung sollte vor der Benutzung vorzugsweise im Kühlschrank aufbewahrt werden. Für den Photolack mit negativem Ton ist diese Vorsichtsmaßnahme nicht notwendig.
  • Die nachfolgenden Beispiele werden nur zur Erläuterung gegeben:
  • Formel für Photolacklösungen: Chloriertes Poly(methylstyrol) löst Poly(1,1-Dimethylsilazan) gleichmäßig und ohne Phasentrennung; weil die Sauerstoff-RIE-Rate bei seiner Konzentration von 15% Trockensubstanz gleich null wird, wurden die Versuche mit dieser verdünnten Konzentrationsstufe durchgeführt. Chlorbenzollösung von Poly(4-Chlorstyrol) löst Poly- (1,1-Dimethylsilazan) ganz leicht und ohne Inkompatibilität.
  • Diese Negativtonphotolacklösungen ergaben mit Poly(1,1- Dimethylsilazan) gleichmäßige, glatte Filme nach Rotationsbeschichten auf Siliciumwafers. Poly(chlormethylstyrol) und Filme auf Poly(chlormethylstyrol)-Basis auf Siliciumwafers wurden 30 Minuten bei 90ºC vorgebrannt; Poly(chlorstyrol) und Filme auf Poly(chlorßtyrol)-Basis wurden 30 Minuten bei 120ºC vorgebrannt.
  • Das Gemisch aus Diazochinon-sensibilisiertem Novolac-Photolacken und Poly(1,1-Dimethylsilazan) verfärbte sich beim mehrtägigem Stehen in Zimmertemperatur. Ansonsten ergab das Gemisch gleichmäßige Filme. Nach Lösung des Polysilazan in Novolac-Photolacklösung wurde eine Filterung im feinen Glasfilter vorgenommen wegen Auftretens von Gasbläschen und feinen Partikeln oder Staub. Nach 8-minütigem Vorbrennen bei 70ºC (empfohlen wird Vorbrennen bei 70-75ºC) wurden die Photolackfilme im UV-Licht belichtet und in wäßriger Alkalilösung entwickelt.
  • Messung der RIE-Ätzrate: Benutzt wurde ein Plasma Therm MPC- 500 RIE-Gerät für den Sauerstoff-RIE-Angriff unter den folgenden Bedingungen: 60 mTorr Druck, 40 sccm Flußleistung, 150 W einfallende Leistung mit 0,245 W/cm² Leistungsdichte und -250 V Vorspannpotential. Nach jeweils drei Minuten wurde die Filmdicke der belichteten Photolackschichten mit einem Alpha Step 200 gemessen.
  • Bildherstellung: Negativtonbilder von Poly(chlormethylstyrol) Photolack und zugemischtem Poly(1,1-Dimethylsilazan) wurden mit einer Opto-Line Quarzmaske und einer Mitteldruck-Quecksilberlampe im Direktkontaktbetrieb gemacht. Die Bilder wurden in 2-Ethoxyethylacetat und Hexan-Lösung entwickelt. Zweck der Bildherstellung ist, die relative Empfindlichkeit des gemischten Photolacks gegenüber Poly(chlormethylstyrol) zu finden und die Qualität der entwickelten Filme zu beurteilen.
  • Zweischichtanwendung: Polyimid wurde im Rotationsverfahren bei 3000 U/Min auf einen Siliciumwafer aufgebracht und ergab eine 5 um dicke Polyimidschicht; dann wurde 60 Minuten bei 120ºC vorgebrannt. Styrol- und Maleinsäureanhydrid-Copolymer- und Poly(methylglutarimid)-Filme wurden auf ähnliche Weise im Rotationsverfahren beschichtet und auf einer heißen Platte vorgebrannt und als Grundschicht benutzt.
  • Sauerstoff-RIE-Raten: Sauerstoff-RIE-Raten der Matrix-Photolacke wurden gemessen in Abhängigkeit von der Trockensubstanzkonzentration des Poly(1,1-Dimethylsilazan). Die Ergebnisse zeigen eindeutig, daß die Höchstkonzentration, die für eine signifikante Verringerung der Ätzrate erforderlich ist, etwa 15% der Polysilazan-Trockensubstanzkonzentration und nur 5% Silicium-Gew.% Trockensubstanz beträgt.
  • Bildherstellung und Hochtemperaturflußfestigkeit: Durch eine Opto-Line Quarzmaske wurden die Photolackfilme 30 s belichtet und dann in einem 4 : 1 Gemisch aus 2-Ethoxyethylacetat und Hexan entwickelt. Die besten Ergebnisse wurden erzielt mit 14 bis 20% durchsichtigen Bereichen. Der Empfindlichkeits- Vergleich des Matrix-Photolacks enthaltend 10% Trockensubstanz Poly(dimethylsilazan) mit Poly(chlormethylstyrol)- Photolack zeigte keine Veränderung bei tiefer UV-Belichtung.
  • Der Matrixphotolack aus Diazo-Naphthochinon-sensibilisiertem Novolac Photolack und Poly(1,1-Diemethylsilazan) entwickelte sich vollständig, wenn die Photolackfilme weniger als 20 Minuten bei 70-75ºC vorgebrannt wurden. Hochtemperaturerwärmung bringt die Bilder nur leicht zum fließen, nicht so schlimm wie im Photolack. Die Photolackbilder scheinen bei ziemlich niedriger Temperatur leicht zu fließen. Sobald das Erwärmen diese Temperatur durchlaufen hat, bleiben die Bilder stabil, das weist auf die kinetische Konkurrenz zwischen dem Wärmefluß und der Vernetzung des Polysilazan und des Novolac- Harzes hin.
  • Bildübertragung auf darunterliegende organische Schichten: Mit dem Negativton-Matrixphotolack auf Poly(chlormethylstyrol)-Basis wurden Poly(methylmethacrylat), Poly(methacryl- Säure), Polyimid, Maleinsäureanhydrid- und Styrol-Copolymer und Poly(dimethyl-glutarimid) als darunterliegende Polymerschichten benutzt. Oben auf jedem dieser Polymerfilme wurde der Matrixphotolack aus Poly(chlormethylstyrol) und Poly- (dimethylsilazan) im Rotationsverfahren aufgebracht und 30 Minuten bei 110ºC vorgebrannt. Tiefe UV-Belichtung mit der Opto-Line Maske und Bildübertragung auf darunterliegende Schichten mit einem Plasma Therm RIE Ätzgerät wurden wie oben beschrieben vorgenommen. Für Polyimid und ein Copolymer aus Styrol und Maleinsäureanhydrid war eine höhere Konzentration des Polysilazan erforderlich, um das Filmbild während des RIE-Prozesses zu bewahren. Mit einem Matrixphotolack aus sensibilisiertem Novolac und dem Polysilazan wurde eine herkömmliche Photomaske mit WICKERT-Bildern zusammen mit einer Mitteldruck-Quecksilberlampe benutzt. Als darunterliegende Schicht wurde ein 7 um dickes Polyimid mit einer 1,5 um dicken Bildschicht aus Novolac enthaltend 10% Trockensubstanz Poly(1,1-Dimethylsilazan) benutzt. Die Bildübertragung durch Sauerstoff-RIE unter unseren Bedingungen dauerte 60 Minuten bis zur vollständigen Bildentwicklung in der Polyimidschicht. Die Erosion der Bildschichtdicke wurde nach längerem RIE sichtbar, und zeigte so, daß für eine solche dicke Bildübertragung ein höheren Polysilazangehalt ratsam ist.
  • Oberflächenveränderungen während des Sauerstoff-RIE: ESCA- Untersuchungen der Oberflächenveränderungen des Matrixphotolacks aus Poly(chlormethylstyrol) und Poly(1,1-Dimethylsilazan) durch Sauerstoff-RIE wurden ausgeführt in Abhängigkeit vom Polysilazangehalt. Der Photolackfilm mit 3,6% Silazangehalt ätzt immer noch schnell aus, aber die Ätzrate eines Photolacks mit 11,5% Silazangehalt ist für die ersten 12 Minuten fast null.
  • Nach 9 Minuten Sauerstoff-RIE wurde die Oberflächen-Silazankonzentration des Films mit niedrigem Silazangehalt fast gleich mit der des Films mit hohem Silazangehalt. Und doch ätzte dieser Film mit niedrigem Silazangehalt in Sauerstoff- RIE weiter aus, während Filme mit hohem Silazangehalt unter diesen Bedingungen keinen Dickenverlust aufweisen. Das Ergebnis zeigt eindeutig die Bedeutung des anfänglichen Silazangehalts, oder wie dicht gepackt das Silicium an der Oberfläche ist. Nach langem Sauerstoff-RIE beginnt sogar der anfänglich widerstandsfähige Film zu erodieren. Beim Auftreten von Zerstäubungseffekten könnte die Erosion sogar bereits zu Beginn des RIE auftreten.
  • Die Siliciumbindeenergie wechselte nach dem Sauerstoff-RIE auf ein höheres Energieniveau. Es wird angenommen, daß zusammen mit der Steigerung des Sauerstoffgehalts eine SiO&sub2;- Schicht die Oberfläche des Photolacks überdeckt, um die Sauerstoffätzung zu stoppen. Jedoch, wie man im 11,5%- Silazanfilm sehen kann, war nach 9 Minuten Sauerstoff-RIE immer noch eine beträchtliche Menge Kohlenstoff vorhanden, was darauf hindeutet, daß der Kohlenstoff eine integrale Rolle in der Ätzsperrschicht spielt. Ein kleine Menge SiO&sub2; scheint nicht ausreichend zu sein, die ganze Oberfläche des Photolacks abzudecken. Das Stickstoffsignal wurde nach dem Sauerstoff-RIE gleich null, was darauf hindeutet, daß Stickstoff ganz aus der Silazan-Struktur verschwunden ist.

Claims (5)

1. Mikrolithographische Photolackzusammensetzung, die ein lackbildendes Harz und, mit diesem vermischt, in einer Menge von etwa 3,6 bis 15 Gew.% der festen Stoffe ein Polydialkylsilazan enthält,
mit der Formel
wobei R Methyl oder Ethyl bedeutet und das Verhältnis von q zu p zwischen 0 und 1 liegt.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, bei welcher das Polydialkylsilazan Poly-1,1-dimethylsilazan ist.
3. Zusammensetzung nach einem der vorgehenden Ansprüche, bei welcher der Photolack ein positiver Photolack ist.
4. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, bei welcher der Photolack ein negativer Photolack ist.
5. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welcher das Photolackharz ein sensibilisiertes Novolakharz ist.
DE19873780732 1986-09-18 1987-08-25 Mikrolithographischer lack mit einem poly(1,1-dialkysilazan). Expired - Fee Related DE3780732T2 (de)

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