DE3735568A1 - Verstaerker - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3084—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in receivers or transmitters for electromagnetic waves other than radiowaves, e.g. lightwaves
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Description
Die Erfindung betrifft einen Verstärker zur Verwendung in
einem Empfänger eines optisch-elektrischen Kreises. Sie
betrifft insbesondere einen Verstärker gemäß den Oberbe
griffen der Patentansprüche 1 und 7.
Eine Eigenschaft von Verstärkern oder Vorverstärkern für
mit Hilfe eines Umformers, namentlich einer Fotodiode, auf
genommene Signale ist das Rauschen, das die Wiedergabe des
Signals beeinträchtigt. Umformer, wie Germanium-, Silizium-
und InGaAs-Fotodioden, haben eine elektrische Kapazität
als wesentliches Impedanz-Glied. Es ist bekannt, daß die
Bandbreite des Verstärkers umgekehrt proportional zur Ein
gangskapazität und zum Lastwiderstand des Umformers ist.
Es ist daher wünschenswert, sowohl die effektive Eingangs
kapazität als auch den Lastwiderstand zu vermindern, um
die Betriebsbandbreite des Verstärkers zu verbessern. Diese
Verminderungen beeinträchtigen jedoch sowohl das Rausch
verhalten als auch die Empfindlichkeit des Systems.
Es wurde eine Reihe von Schaltungen entwickelt, um die von
den Eingangskapazitäten herrührenden Effekte, insbesondere
bei Eingangsniveaus mit niedriger Signalspannung, zu neu
tralisieren. Eine solche Vorrichtung wird in der US-PS
39 27 383 beschrieben. In der bekannten Anordnung wird die
Fotodiode parallel zu Gate und Source eines Feldeffekt
transistors (FET) geschaltet. Die Source-Elektrode des FET
wird mit dem Eingang eines Gegenkopplungsverstärkers ver
bunden, welcher über einen mit dem Gate des FET verbundenen
Lastwiderstand Spannung rückkoppelt. Durch Schalten des
Fotodetektors parallel zu den Gate- und Source-Elektroden
des FET wird eine Mitkopplung erreicht, welche die dem Foto
detektor innewohnende Eingangskapazität neutralisiert, in
dem die von auf den Fotodetektor fallenden Eingangswellen
energien herrührenden Spannungen bzw. Potentialvariationen
am Fotodetektor minimiert werden. Weiterhin vermindert die
Gegenkopplung die effektive Impedanz des Lastwiderstandes.
Eine ähnliche Schaltung wird in der US-PS 35 45 233 ange
geben; es wird jedoch ein zusätzlicher Pufferverstärker
nach dem Rückkopplungsverstärker vorgesehen. Diese bekann
ten Transimpedanz-Verstärker besitzen zwar einen sehr emp
findlichen und ausgedehnten Breitbandbetrieb, sie haben
jedoch einen beschränkten Dynamik- bzw. Aussteuerungsbe
reich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen für die
Anwendung in einem faseroptischen Empfänger geeigneten Ver
stärker zu schaffen, dessen Dynamikbereich durch Schalten
des Verstärkers aus einer Niederleistungs-Transimpedanz-
Betriebsweise in eine Hochleistungs-Folger-Betriebsweise
zu verbessern ist. Insbesondere soll ein für die Anwendung
in einem faseroptischen Empfänger geeigneter Verstärker
geschaffen werden, der zwischen einer Transimpedanz-Be
triebsart und einer Folger-Verstärker-Betriebsart hin- und
herzuschalten ist. Die erfindungsgemäße Lösung wird im Kenn
zeichen des Anspruchs 1 und/oder 7 beschrieben. Verbesserun
gen und weitere Ausgestaltungen der Erfindung werden in
den Unteransprüchen angegeben.
Durch die Erfindung wird ein Verstärker geschaffen, der
zwischen einer Transimpedanz-Betriebsweise mit großer Band
breite und einer verbesserten Dynamik-Bereich-Folger-Be
triebsweise zu schalten ist und dazu dient, Signale, die
in Wellenform von einem Umformer empfangen und in elektri
sche Signale umgewandelt sind, zu verstärken.
Der erfindungsgemäße Verstärker umfaßt erste Verstärker
mittel mit einem Eingang, der auf eine Verbindungsstelle
zwischen dem Umformer und einer ersten Umformer-Lastimpe
danz geschaltet wird. Zum Verstärker gehören ferner zweite
Verstärkermittel, die mit dem Ausgang der ersten Verstär
kermittel verbunden werden und deren eigener Ausgang mit
der ersten Umformer-Lastimpedanz gekoppelt wird. Die zwei
ten Verstärkermittel besitzen eine erste Betriebsweise zum
Liefern einer Spannungsrückkopplung über die erste Umfor
mer-Lastimpedanz zum Eingang der ersten Verstärkermittel.
Zu dem gesamten Verstärker gehört ferner ein Ausgangsglied,
das auf den Ausgang der ersten Verstärkermittel zu schalten
ist, um ein Ausgangssignal als Antwort auf den Empfang des
durch den Umformer aufgenommenen Wellenenergiesignals bzw.
Wellensignals zu liefern.
Eine durch die Erfindung zu erzielende Verbesserung besteht
darin, daß der Verstärker eine zweite Umformer-Lastimpedanz
besitzt, die auf die Verbindungsstelle zwischen Umformer,
erster Umformer-Lastimpedanz und dem Eingang der ersten
Verstärkermittel geschaltet wird. Die Größe der zweiten
Umformer-Lastimpedanz soll kleiner sein als diejenige der
ersten Umformer-Lastimpedanz. Ein weiteres Merkmal des er
findungsgemäßen Verstärkers besteht darin, daß die zweiten
Verstärkermittel nicht nur auf die oben beschriebene erste
Betriebsweise sondern alternativ auch in einer zweiten Be
triebsweise arbeiten können, in der sie die Spannungsrück
kopplung auf den Eingang der ersten Verstärkermittel wirk
sam vermindern. Schließlich besteht ein Merkmal des erfin
dungsgemäßen Gesamtverstärkers darin, daß mit der zweiten
Umformer-Lastimpedanz verbundene Schaltmittel vorgesehen
werden, die dazu dienen, die zweite Lastimpedanz in den
Kreis oder aus dem Kreis des Umformers zu schalten, um die
gesamte Lastimpedanz des Umformers wirksam zu verändern und
entsprechend die zweiten Verstärkermittel in der ersten
oder der zweiten Betriebsweise arbeiten zu lassen, wodurch
der Gesamtverstärker in seine Transimpedanz-Betriebsweise
oder in seine Folger-Betriebsweise zu schalten ist.
Nach einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird
ein zwischen einem Breitband-Transimpedanz-Betrieb und ei
nem verbesserten Dynamikbereich-Folger-Betrieb schaltbarer
Verstärker zum Verstärken von Wellenenergiesignalen ge
schaffen. Der Verstärker enthält eine Feldeffekt-Halblei
ter-Vorrichtung mit einer Gate-, einer Drain- und einer
Source-Elektrode. Die Vorrichtung arbeitet in einem stabi
len Betriebszustand bei einer Verstärkung nahe Eins. Der
Verstärker enthält einen Umformer zum Erzeugen eines elek
trischen Stroms als Antwort auf den Empfang einer Wellen
energie. Eine Seite des Umformers wird mit der Gate-Elektro
de und die andere Seite mit einem Umformer-Vorspannungs
potential verbunden. Der Gesamtverstärker enthält ferner
einen mit der Source-Elektrode der Halbleiter-Vorrichtung
verbundenen Gegenkopplungsverstärker. Dieser kann in einer
ersten Betriebsweise zum Erzeugen einer durch den elektri
schen Strom des Umformers ausgelösten Gegenkopplungsspan
nung betrieben werden. Eine erste Umformer-Lastimpedanz
wird zwischen die Gate-Elektrode der Halbleitervorrichtung
und den Gegenkopplungsverstärker geschaltet. Ferner wird
ein Ausgangs-Pufferglied auf die Source-Elektrode der Halb
leitervorrichtung geschaltet, um ein Ausgangssignal zu er
halten, das der im Umformer empfangenen Wellenenergie ent
spricht.
Ein wesentliches Merkmal dieser Abwandlung des Verstärkers
besteht darin, daß eine zweite Umformer-Lastimpedanz mit
einer Seite auf die Gate-Elektrode der Feldeffekt-Halblei
tervorrichtung geschaltet wird, während das andere Ende der
zweiten Lastimpedanz mit einem Vorspannungspotential verbun
den wird. Die zweite Umformer-Lastimpedanz soll kleiner
sein als die erste Umformer-Lastimpedanz. Ferner soll der
Gegenkopplungsverstärker wiederum in einer zweiten Betriebs
weise arbeiten können, um dann die Gegenkopplungsspannung
an der ersten Umformer-Lastimpedanz wirksam vermindern zu
können. Ein weiteres Merkmal dieses Gesamtverstärkers be
steht darin, daß mit der zweiten Umformer-Lastimpedanz kom
binierte bzw. vereinigte Schaltmittel vorgesehen werden,
die dazu dienen, die zweite Umformer-Lastimpedanz wirksam
in den Kreis und aus dem Kreis mit der Gate-Elektrode der
Halbleitervorrichtung zum Ändern der gesamten Lastimpedanz
am Umformer zu schalten, und die ferner dazu dienen, die
Vorspannung des Gegenkopplungsverstärkers zu ändern, um den
letzteren wahlweise in seiner ersten oder zweiten Betriebs
weise zu betreiben und damit den Gesamtverstärker in seine
Transimpedanz-Betriebsweise oder seine Folger-Betriebsweise
zu bringen.
Wenn im folgenden von einer Verbindung, Kopplung oder (Zu
sammen-)Schaltung von zwei Komponenten gesprochen wird, ist
darunter zu verstehen, daß die Komponenten entweder direkt
oder indirekt über ein oder mehrere Zwischenkomponenten
verbunden werden.
Ferner wird im vorliegenden Zusammenhang unter dem Begriff
"Folger-Betriebsweise" ein Folger-Verstärker verstanden,
der das jeweilige Signal invertiert bzw. umkehrt oder
nichtinvertiert.
Im Rahmen der Erfindung ergibt sich ein Vorteil durch Schal
ten der zweiten Umformer-Lastimpedanz in den Kreis und aus
dem Kreis. Wenn die zweite Umformer-Lastimpedanz in den
Kreis eingeschaltet wird, verursacht sie eine Verminderung
des effektiven Lastwiderstandes des Umformers, wodurch der
Verstärker in die Lage versetzt wird, energiereichere Sig
nale nachzuweisen, weil sein Dynamikbereich vergrößert
wird. Das Schalten der kleineren, zweiten Lastimpedanz par
allel zur höheren, ersten Lastimpedanz verändert auch die
Gleich-Vorspannung, die über die ersten Verstärkermittel
an den zweiten Verstärkermitteln anliegen. Als Ergebnis
der Änderung der an den zweiten Verstärkermitteln anliegen
den Vorspannung wird deren Verstärkung wesentlich vermin
dert oder die zweiten Verstärkermittel können in der zwei
ten Betriebsart ausgeschaltet werden. Im Ergebnis wechselt
der erfindungsgemäße Gesamtverstärker zwischen einem Trans
impedanz-Verstärker mit guter Empfindlichkeit auf einem
Breitbandbereich zu einem Folger-Verstärker mit verbesser
tem Dynamikbereich.
Während also der erfindungsgemäße Verstärker in seiner
Transimpedanz-Betriebsart besonders gut geeignet ist zum
Verstärken von durch den Umformer aufgenommenen niederener
getischen Signalen, wird der Verstärker nicht gesättigt,
wenn hochenergetische Signale empfangen werden, weil der
Verstärker in seine Folger-Betriebsweise umzuschalten ist,
in der wegen der Änderung der Umformer-Lastimpedanz die
Verstärkerempfindlichkeit vermindert und das Sättigungs
energieniveau des Verstärkers vergrößert ist. Wegen der
Möglichkeit, den Verstärker in seiner Folger-Betriebsart
arbeiten zu lassen, wird er als einen verbesserten Dynamik
bereich besitzend angesehen.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbei
spielen werden Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild eines Verstärkers mit großem Dyna
mikbereich;
Fig. 2 ein Schaltbild eines bevorzugten Ausführungsbei
spiels des Verstärkers;
Fig. 3 ein Schaltbild eines weiteren bevorzugten Ausfüh
rungsbeispiels des Verstärkers.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung eines erfindungs
gemäßen, schaltbaren Verstärkers 9. Der Verstärker 9 ent
hält einen Umformer in Form eines Fotodetektors 15 zum Emp
fang von Wellenenergiesignalen und zum Umwandeln der Wellen
signale in elektrische Signale. Mit dem Ausgang des Foto
detektors 15 werden eine erste Lastimpedanz in Form eines
Rückkopplungswiderstandes 17 und eine zweite Lastimpedanz
in Form eines Widerstandes 19 verbunden. Der Widerstand 19
kann mit Hilfe eines zu einer Klemme 23 mit passender
Vorspannung führenden Schalters 21 zu der Gesamtschaltung
nach Fig. 1 zugeschaltet oder von ihr getrennt werden.
Das durch den als Fotodiode 15 ausgebildeten Umformer emp
fangene und umgewandelte Signal wird zunächst durch den
ersten Verstärker 25 geleitet. Das Signal wird über einen
Koppelkondensator 27 positiv zur anderen Seite der Fotodi
ode 15 derart zurückgekoppelt, daß die der Fotodiode 15
innewohnende Eingangskapazität neutralisiert und dadurch
die Bandbreite des Verstärkerbetriebs vergrößert wird. Als
erster Verstärker 25 wird vorzugsweise ein Verstärker mit
dem Verstärkungsfaktor Eins eingesetzt.
Das Signal wird dann vom ersten Verstärker 25 kommend durch
einen zweiten Verstärker 29 geleitet. Der zweite Verstärker
29 enthält einen Umkehrverstärker 31 mit veränderbarem Ver
stärkungsfaktor und wahlweise einen Pufferverstärker 33 mit
dem Verstärkungsfaktor Eins. Das Signal kann vom Umkehrver
stärker 31 bzw. Pufferverstärker 33 über den Rückkopplungs
widerstand 17 zum Eingang des ersten Verstärkers 25 rückge
koppelt werden. Falls erwünscht, kann das Signal letztlich
durch einen weiteren Pufferverstärker 35 mit Verstärkungs
faktor Eins geleitet werden. Das Ausgangssignal kann also
wahlweise an den Ausgängen Vo, Vo′ oder Vo′′ je nach
Betriebsweise der Schaltung abgenommen werden.
Bei Empfang eines Signals niedriger Energie arbeitet der
Verstärker als Transimpedanz-Verstärker, wenn der Schalter
21 von Fig. 1 geöffnet ist. In dieser Betriebsweise wird
das Signal über den Rückkopplungswiderstand 17 zurückge
führt, und die Lastimpedanz, gesehen von der Fotodiode (Fo
todetektor) 15, ist genau diejenige des Rückkopplungswider
stands 17 geteilt durch den kombinierten Verstärkungsfaktor
der Verstärker 25, 31 und 33.
Bei Empfang eines Signals hoher Energie arbeitet der Ver
stärker 9 als Folger-Verstärker, wenn der Widerstand 19
durch Schließen des Schalters 21 dem Kreis zugeschaltet
wird. Wenn der Widerstand 19 in den Kreis eingeschaltet
ist, besteht die effektive Lastimpedanz, gesehen vom Foto
detektor 15, aus der Parallelschaltung von Widerstand 19
und Widerstand 17. Es wird darauf hingewiesen, daß der Wert
des Widerstands 19 niedriger sein soll als derjenige des
Widerstands 17, vorzugsweise soll der Wert des Widerstands
19 wesentlich niedriger als derjenige des Widerstands 17
sein, insbesondere soll nämlich der Unterschied wenigstens
zwei Größenordnungen betragen.
Durch das Zuschalten des Widerstands 19 wird der vom Foto
detektor 15 aus gesehene Lastwiderstand vermindert, dadurch
wird das Ausgangssignal um größenordnungsmäßig 40 dB herab
gesetzt, so daß der dynamische Energiebereich, auf dem der
Verstärker zu betreiben ist, entsprechend größer ist. Es
sei darauf hingewiesen, daß die Werte der Lastwiderstände
17 und 19 so gewählt werden können, daß der Verstärker 9
unter erwünschten Verstärkungsfaktor/Bandweite-Bedingungen
arbeitet. Auch die über den ersten Verstärker 25 an den
Umkehrverstärker 31 angelegte Gleichvorspannung ändert
sich, wenn der Widerstand 19 zum Kreis zugeschaltet wird.
Durch Änderung der an den Umkehrverstärker 31 angelegten
Vorspannung kann der Verstärkungsfaktor des Umkehrverstär
kers 31 wirksam vermindert werden, so daß die Rückkopplung
durch den Widerstand 17 reduziert oder der Umkehrverstärker
31 ausgeschaltet wird. Wenn der Umkehrverstärker 31 abschal
tet, wird das Ausgangssignal bei Vo′′ abgenommen. Für den
Fall, daß die Verstärkung von irgendwo her in der Größenord
nung von 10 bis 50 auf etwa 0,5 vermindert wird, kann das
Ausgangssignal bei Vo′ oder bei Vo abgenommen werden. Bei
einer Verminderung der Verstärkung in dieser Größenordnung
kann der Dynamikbereich des Verstärkers um einen Betrag von
40 dB vergrößert werden.
In Fig. 2 wird eine bevorzugte Schaltung für einen Verstär
ker mit großem Dynamik- bzw. Aussteuerungsbereich angege
ben, der dazu dient, Wellenenergiesignale zu empfangen und
zu verstärken. Der insgesamt mit 11 bezeichnete Verstärker
enthält einen Fotodetektor bzw. eine Fotodiode 10, deren
Anodenklemme über einen Vorspannungswiderstand 12 mit einer
Vorspannung V 1 verbunden wird. Die Kathode der Fotodiode 10
wird mit der Gate-Elektrode 13 eines ersten Verstärkers,
der vorzugsweise einen Feldeffekttransistor (FET) 14 ent
hält, verbunden. Ebenfalls mit der Gate-Elektrode 13 des
FET 14 werden eine erste Lastimpedanz bzw. ein Widerstand
16 und eine zweite Lastimpedanz bzw. ein Widerstand 18 ver
bunden. Die Source-Elektrode 20 des FET 14 wird über einen
Vorspannungswiderstand 24 an Spannung V 2 angelegt. Ferner
wird die Source-Elektrode 20 des FET 14 mit dem Eingang
eines zweiten Verstärkers, der die Basis eines bipolaren
Rückkopplungstransistors 22 enthält, verbunden. Die Drain-
Elektrode 28 des FET 14 wird über einen passenden Vorspan
nungswiderstand 30 an Spannung V 3 gelegt.
In der Schaltung nach Fig. 2 wird eine positive Rückkopp
lung zur Drain-Elektrode 28 von Source 20, Verstärker 26
und Siebkondensator 34 erreicht. Die Source-Elektrode 20
des FET 14 wird außerdem über den Transistor 26, den Sieb
kondensator 34 mit Vorspannungswiderstand 36 und den Sieb
kondensator 32 positiv mit der Anode der Fotodiode 10 ver
bunden. Durch dieses positive "Bootstrapping" der Fotodi
odenkapazität sowie der Kapazität von Gate zu Drain und
Gate zu Source des FET 14 zurück zur Anode der Fotodiode
10 werden die Kapazität der Fotodiode 10 und die parallel
zur Gate-Source-Strecke des FET 14 entwickelte Kapazität
wirksam neutralisiert. Sowohl der FET 14 als auch der Tran
sistorverstärker 26 besitzen Verstärkungsfaktoren nahe Eins.
Die zweiten Verstärkermittel oder Rückkopplungsverstärker
gemäß der vorliegenden Erfindung bestehen in der mit dem
Transistor 22 kombinierten Schaltung. Der Rückkopplungs
transistor 22 besitzt einen Verstärkungsfaktor, der durch
einen insgesamt mit 38 bezeichneten, variablen Impedanz
kreis gesteuert wird. Dieser Impedanzkreis enthält eine
Parallelschaltung zwischen einem ersten Widerstand 40 und
einer Zweigimpedanz 42. Die Zweigimpedanz 42 enthält einen
Widerstand 44, der mit der Kathode einer Schottkydiode 48
verbunden ist. Die Anode der Schottkydiode 48 wird über
einen Widerstand 50 an die Spannungsquelle V 3 angelegt und
mit zwei gleich orientierten, in Reihe liegenden Dioden 52
und 54 verbunden. Die Anode der Diode 52 wird mit der Anode
der Schottkydiode 48 und die Kathode der Diode 54 wird mit
Erde verbunden. Die mit 56 bezeichneten Gesamtkapazitäten
des Kreises liefern Filterung und Stabilität für den Ver
stärker. Der Betrieb des Impedanzkreises 38 wird im Zusam
menhang mit der Beschreibung des Verstärkers von Fig. 2 im
einzelnen erläutert werden.
Der Kollektor des Rückkopplungstransistors 22 besitzt einen
Vorspannungswiderstand 58, der an die Spannungsquelle V 2
angelegt wird. Der Ausgang des Signals wird vom Kollektor
abgenommen und tritt durch die Basis eines Transistors oder
eines den Verstärkungsfaktor Eins aufweisenden Pufferver
stärkers 60 ein. Der Emitter des Pufferverstärkers 60 wird
in passender Weise über einen Widerstand 62 vorgespannt.
Ein allgemein mit 64 bezeichneter Rückkopplungspfad zum
Widerstand 16 (erste Umformer-Lastimpedanz) geht von dem
Emitter des Pufferverstärkers 60 aus. Der Emitter des Tran
sistors bzw. Pufferverstärkers 60 wird mit einem weiteren
Pufferverstärker 66 mit einem Verstärkungsfaktor Eins ver
bunden. Der Pufferverstärker 66 besitzt einen mit ihm kombi
nierten Vorspannungswiderstand 68. Der Ausgang 80 des Ge
samtverstärkers 11 wird auf den Emitter des Pufferverstär
kers 66 geschaltet.
Am extrem linken Rand der Schaltung gemäß der Zeichnung
nach Fig. 2 werden zwei Schottkydioden 70 und 76 darge
stellt, die an ihrer Verbindungsstelle mit einem zweiten
Lastwiderstand 18 verbunden werden. Diese Dioden stellen
den Empfindlichkeitsschalter des erfindungsgemäßen Ausfüh
rungsbeispiels nach Fig. 2 dar. Die erste Schottkydiode 70
wird mit ihrer Anode über einen passenden Vorspannungs
widerstand 72 auf einen variablen oder automatischen Ver
stärkungsregler (AGC) 74 geschaltet. Die Kathode der Schott
kydiode 70 wird mit der Anode der Schottkydiode 76 und dem
zweiten Lastwiderstand 18 verbunden. Die Kathode der Schott
kydiode 76 wird geerdet.
Es sei darauf hingewiesen, daß in den Schaltungen nach den
Fig. 1 bis 3 Standardbauelemente verwendet und die Werte
der Bauelemente so ausgewählt werden können, daß sie den
Anforderungen des Verstärkers nach Verstärkungsfaktor und
Bandweite gerecht werden.
Beim Betrieb des Verstärkers nach Fig. 2 wird die Energie
von auf die Fotodiode 10 auftreffenden Lichtwellen in elek
trischen Strom umgewandelt. Dieses elektrische Signal wird
durch den FET 14 geleitet, der annähernd den Verstärkungs
faktor Eins besitzt. Das Signal wird dann von der Source
des FET 14 durch das Rückkopplungsverstärkersystem mit den
Transistoren 22 und 60 geleitet. Der Transistor 60 wirkt
als ein Puffer, der den Rückkopplungskreis gegenüber dem
Transistor 22 puffert. Das Signal wird zurück durch den
Eingang bzw. die Gate-Elektrode des FET 14 längs des Rück
kopplungspfades 64 und des Widerstandes 16 geleitet. Das
Signal wird außerdem durch den Transistor 66 zu dem Ausgang
80 geleitet. Der Transistor 66 wirkt grundsätzlich als
Puffer, der den Ausgang vom übrigen Teil der Schaltungs
anordnung isoliert. Wenn in dieser Betriebsweise das Signal
durch den Widerstand 16 zurückgeführt wird, arbeitet der
Verstärker 11 nach Fig. 2 als ein Transimpedanz-Verstärker
und die Schottkydioden 70 und 76 als ein Schalter, der den
Widerstandswert des zweiten Lastwiderstandes 18 wirksam aus
der Schaltung heraushält. Der Verstärker hat typisch einen
Verstärkungsfaktor in der Größenordnung von 20 bis 35 Deci
bel (dB). Der Lastwiderstand wird durch den effektiven Wi
derstandswert des Widerstands 16 bestimmt. Da der FET 14
und der Verstärker 60 Verstärker mit dem Verstärkungsfaktor
Eins sind, bestimmt sich der Gesamtverstärkungsgrad des
Verstärkers zum größten Teil durch den mit dem Transistor
22 kombinierten Verstärkungsgrad.
Wenn der die Schottkydioden 70 und 76 enthaltende Schalter
am Spannungseingang bzw. Verstärkungsregler 74 niedrig be
aufschlagt wird, sind die Schottkydioden 70, 76 nicht lei
tend, so daß der Lastwiderstand 18 als offener Kreis mit
unendlicher Ladung erscheint. Hierdurch wird die zum Rück
kopplungstransistor 22 gehörige Vorspannung auf einen Wert
gebracht, bei dem die Schottkydiode 48 des variablen Impe
danzkreises 38 leitet. Als Ergebnis wird der zum Rückkopp
lungstransistor 22 gehörige Verstärkungsfaktor annähernd
gleich dem effektiven Kollektorwiderstand dividiert durch
den effektiven Emitterwiderstand. Der Emitterwiderstand
ergibt sich dabei aus dem Widerstand 40 parallel zu dem
Widerstand 44 und dem effektiven Widerstand der Schottky
diode 48. Vorzugsweise werden die Widerstände 40 und 58
so gewählt, daß ihre Werte in derselben Größenordnung lie
gen. Der Widerstand 44 und der effektive Widerstand der
Schottkydiode 48 können beträchtlich kleiner sein als der
Wert des Widerstandes 40. Es kann auch vorkommen, daß der
Widerstand 44 nicht gebraucht wird. Wenn der Widerstand
40 beispielsweise etwa 2200 Ohm, der Widerstand 44 etwa
22 Ohm, der Widerstand der Schottkydiode 48 etwa 25 Ohm
und der Widerstand 58 etwa 1000 Ohm beträgt, liegt der Ver
stärkungsfaktor des Transistors 22 bei etwa 22, wenn die
Schottkydiode 48 leitet, und bei etwa 0,45, wenn die Schott
kydiode 48 nicht leitet. Es sei darauf hingewiesen, daß
die Werte der Komponenten so gewählt werden können, daß
der Verstärkungsfaktor des Transistors 22 vorzugsweise in
der Größenordnung von 10 bis 50 liegt, wenn die Schottky
diode 48 leitet, und vorzugsweise bei etwa 0,45 liegt, wenn
die Schottkydiode 48 nicht leitet.
Wenn die Energie des von dem auf die Diode 10 auffallenden
Lichts herrührenden Signals auf einen Wert oberhalb eines
vorbestimmten, durch den Verstärkungsregler 74 erfaßten
Werts ansteigt, wird der Verstärker 11 aus seiner Trans
impedanz-Betriebsweise in seine Folger-Betriebsweise umge
schaltet. Der Verstärkungsregler 74 gibt eine höhere Vor
spannung auf die Schottkydioden 70 und 76 und macht diese
Dioden dadurch leitend. Als Ergebnis wird der zweite Last
widerstand 18 (zweite Lastimpedanz) über die leitende
Schottkydiode 76 mit einer scheinbaren Erde verbunden. Der
zweite Lastwiderstand 18 befindet sich nun im Schaltkreis
mit dem ersten Lastwiderstand 16 (erste Lastimpedanz). Die
zweite Lastimpedanz beträgt vorzugsweise etwa 1 Kiloohm,
während die effektive erste Lastimpedanz etwa 100 Kiloohm
hat. Eine Parallelkombination dieses Schaltungswiderstandes
liefert einen effektiven Widerstand für die Fotodiode 10
in der Größenordnung von 1 Kiloohm. Der Abfall der effekti
ven Lastimpedanz des Fotodetektors wirkt dahingehend, daß
der Anstieg des durch den Fotodetektor als Folge vermehr
ter auf den Detektor auftreffender Wellensignale erzeugten
Stroms unschädlich gemacht wird. Im Ergebnis bleibt der
Spannungsausgang des Verstärkers innerhalb akzeptabler Gren
zen.
Wenn der zweite Lastwiderstand 18 in den Kreis eingeschal
tet wird, steigt die Gleich-Vorspannung durch den den Ver
stärkungsfaktor Eins aufweisenden FET 14 zur Basis des Rück
kopplungstransistors 22 an. Dadurch wird die Gleich-Emit
ter-Spannung des Rückkopplungstransistors 22 vergrößert
und die Schottkydiode 48 nicht leitend, wodurch der Wider
stand 44 aus der Schaltung genommen wird. Als Ergebnis wird
der effektive Emitterwiderstand des Rückkopplungstransi
stors 22 vergrößert, und der Verstärkungsfaktor dieses Tran
sistors fällt auf vorzugsweise etwa 0,45. Diese Sachlage
repräsentiert eine Gesamtverstärkung im Dynamikbereich von
etwa 25 bis 40 dB. Mit der Verminderung des Verstärkungs
faktors des Rückkopplungstransistors 22 wird auch die Rück
kopplung über den Widerstand 16 beträchtlich herabgesetzt.
Letztlich arbeitet der Verstärker 11 als Umkehr-Folger-Ver
stärker, wenn der Rückkopplungstransistor 22 in seiner zwei
ten Betriebsart mit vermindertem Verstärkungsfaktor arbei
tet.
Zusammenfassend ist zu sagen, daß die Schaltung nach Fig.
2 ein kapazitives "Bootstrapping" über den Transistor 26
liefert, bei dem die mit der Fotodiode 10 verbundene Kapazi
tät neutralisiert wird. Durch das Schalten der Schottky
dioden 70 und 76 wird ferner der effektive Lastwiderstand
bzw. die Lastimpedanz der Fotodiode 10 geschaltet, die ef
fektive Vorspannung des Verstärkers wird geschaltet und
folglich wird die Empfindlichkeit des Verstärkers zwischen
der Transimpedanz- und der Folger-Betriebsweise und damit
der Dynamikbereich bzw. Aussteuerungsbereich um etwa 40
dB geschaltet.
In Fig. 3 wird ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel
einer Schaltung entsprechend der Erfindung dargestellt.
Darin wird die Fotodiode mit 100 bezeichnet. Die Anode der
Fotodiode 100 liegt über einem Vorspannungswiderstand 102
an einer Vorspannung V 1. Die Kathode der Fotodiode 100 wird
mit der Kathode einer Schaltdiode oder Schottkydiode 104
verbunden. Ein zweiter Lastwiderstand 106 wird geeignet
vorgespannt an ein Schaltspannungspotential V 2 angelegt.
Bei diesem Ausführungsbeispiel enthält die Schottkydiode
104 die erfindungsgemäßen Schaltmittel. Die Kathoden der
Dioden 100 und 104 werden mit der Gate-Elektrode 108 eines
den Einheits-Verstärkungsfaktor aufweisenden FET 110 verbun
den. Das Gate 108 des Transistors 110 wird mit einem ersten
Lastwiderstand 112 und über die Schottkydiode 104 mit dem
zweiten Lastwiderstand 106 (zweite Lastimpedanz) gekoppelt.
Die Drain des FET 110 wird über einen passenden Vorspan
nungswiderstand 114 an eine Vorspannung V 3 gelegt. Die Vor
spannung V 3 wird mit einem passenden Siebkondensator 118
verbunden. Die Source-Elektrode 120 des FET 110 wird direkt
mit einem den Einheitsverstärkungsfaktor aufweisenden Puf
ferverstärker 122 gekoppelt. Der Emitter des Transistors
bzw. Pufferverstärkers 122 besitzt einen passenden Vorspan
nungswiderstand 124, der ihn mit einer Spannungsquelle V 4
verbindet. Das Ausgangssignal des Emitters des Pufferver
stärkers 122 ist zugleich Ausgang 142 des Gesamtverstärkers
111. Die Source 120 des FET 110 wird positiv durch den
Siebkondensator 126 auf die Anode der Fotodiode 110 geschal
tet. Mit der Source-Elektrode 120 wird auch die Basis eines
zweiten Verstärkers bzw. Transistors 128 verbunden. Die
Basis des Transistors 128 wird mit der Source über eine
Parallelverbindung aus einem Siebkondensator 130 und einer
Z-Diode 132 verbunden. Die Z-Diode und die Basis des Transi
stors 128 werden über einen Vorspannungswiderstand 134 pas
send vorgespannt.
Kollektor und Emitter des Transistors 128 werden über ent
sprechende Widerstände 136 und 114 passend vorgespannt. Die
Source 120 des FET 110 wird über einen Widerstand 138 an
die Spannungsquelle V 4 angelegt. Letzterer wird ein Sieb
kondensator 140 zugeordnet.
Der Verstärker 111 nach Fig. 3 arbeitet normalerweise als
Transimpedanz-Verstärker, wenn die Schottkydiode 104 nicht
leitend ist und damit die Betriebsweise mit offenem Schalt
kreis definiert. Hierbei wird der Lastwiderstandswert der
Fotodiode 100 durch den ersten Lastwiderstand 112 bestimmt.
Das durch die Fotodiode 100 empfangene Signal wird in ein
elektrisches Signal umgewandelt, welches den Gate/Source-
Übergang des FET 110 passiert und durch den Basis/Emitter-
Übergang des Transistors im Pufferverstärker 122 zum Aus
gang 142 läuft. Während dieser Zeit wird eine Rückkopplung
geschaffen über die Z-Diode 132, welche in ihrem Sperr-
Durchbruch-Betrieb den Transistor 128 (zweiter Verstärker)
leitend hält, um einen Rückkopplungspfad durch dessen Kol
lektor und den Widerstand 112 zu schaffen.
Die zur Fotodiode 110 gehörige Kapazität und die Gate/
Source-Kapazität des FET 110 werden durch den Siebkondensa
tor 126 positiv zur Anode der Fotodiode 100 zurückgeführt,
um die Kapazitätswerte zu neutralisieren und die Bandbreite
des Betriebs des Verstärkers 111 nach Fig. 3 zu vergrößern.
Wenn sich das vom Fotodetektor 100 aufgenommene Eingangs
signal bis zu einem Punkt vergrößert, bei dem die Schal
tung dieses Signal nicht mehr ordnungsgemäß verstärken
kann, wird eine Spannung an die Klemme V 2 gelegt, um die
Schottkydiode 104 einzuschalten. Dadurch wird der Lastwi
derstand 106 parallel zum Lastwiderstand 112 in die Schal
tung gebracht. Da der Lastwiderstand 106 beträchtlich klei
ner ist als der Lastwiderstand 112 wird die effektive Last
impedanz annähernd gleich der Impedanz des Lastwiderstandes
106. Da der Widerstand 112 vorzugsweise einen Wert in der
Größenordnung von 100 Kiloohm besitzt und der Widerstand
106 einen Wert in der Größenordnung von 1 Kiloohm haben
soll, ergibt sich eine Verminderung des Verstärkungsfaktors
von insgesamt etwa 20 dB. Wenn der zweite Widerstand 106
durch die Schottkydiode 104 in den Kreis eingeschaltet
wird, steigt die Gleich-Vorspannung an der Gate-Elektrode
des FET 110, wodurch die Gleich-Vorspannung an der Z-Diode
132 ebenfalls ansteigt. Das rührt daher, daß die Z-Diode
in einen nicht leitenden Zustand eintritt und den Transi
stor 128 abklemmt bzw. ausschaltet. Hierdurch wird eine
Rückkopplung von Spannung über den Lastwiderstand 112 wirk
sam unterbunden, und der Widerstand 112 wirkt nicht als
Rückkopplungswiderstand sondern als Vorspannungswiderstand
der Fotodiode 100. Der Verstärker 111 nach Fig. 3 arbeitet
dann also in der Folger-Betriebsweise mit verminderter Emp
findlichkeit aber verbessertem Dynamikbereich.
Aus der Beschreibung des Betriebs der Schaltungen nach Fig.
1 bis 3 ergibt sich ein Verstärker, dessen Gesamtverstär
kungsfaktor oder Empfindlichkeit durch Schalten aus einer
Transimpedanz-Betriebsart in einer Folger-Betriebsart, das
heißt von einem Transimpedanz-Verstärker in einen invertie
renden oder nicht invertierenden Folger-Verstärker, zu ver
mindern ist.
Claims (16)
1. Vorrichtung (9, 11, 111) zum Verstärken von durch ei
nen Umformer (10, 15, 100) empfangenen und in elektri
sche Signale umgewandelter Energie von Wellensignalen,
welche folgende Elemente umfaßt: erste Verstärkermit
tel (14, 25, 110) mit einem auf eine Verbindungsstelle
zwischen dem Umformer (10, 15, 100) und einer ersten
Umformerlastimpedanz (16, 17, 112) geschalteten Ein
gang (13, 108); auf den Ausgang (20, 120) der ersten
Verstärkermittel (14, 25, 110) geschaltete zweite Ver
stärkermittel (22, 29, 128), deren Ausgang mit der
ersten Umformerlastimpedanz (16, 17, 112) verbunden
ist und die eine erste Betriebsart zum Erreichen einer
Spannungsrückkopplung über die erste Umformerlastimpe
danz zum Eingang der ersten Verstärkermittel (14, 25,
110) besitzen; und ein mit dem Ausgang (20, 120) der
ersten Verstärkermittel (14, 25, 110) gekoppeltes Aus
gangsglied (35, 66, 122) zum Liefern eines dem durch
den Umformer (10, 100) empfangenen Wellensignal ent
sprechenden elektrischen Ausgangssignals, dadurch ge
kennzeichnet, daß eine zweite Umformerlastimpedanz
(18, 19, 106), die kleiner als die erste Umformerlast
impedanz (16, 17, 112) ist, auf die Verbindungsstelle
zwischen dem Umformer (10, 15, 100), der ersten Umfor
merlastimpedenz und dem Eingang (13, 108) der ersten
Verstärkermittel (14, 25, 110) geschaltet ist; daß die
zweiten Verstärkermittel (22, 29, 128) eine zweite
Betriebsart zum wirksamen Vermindern der Spannungsrück
kopplung zum Eingang (13, 108) der ersten Verstärker
mittel (14, 25, 110) besitzen; und daß Schaltmittel
(21, 70, 76, 104) zum Zu- und Ausschalten der zweiten
Umformerlastimpedanz (18, 19, 106) in den Kreis bzw.
aus dem Kreis des Umformers (10, 15, 100) derart vorge
sehen sind, daß die gesamte Lastimpedanz des Umformers
zum Betreiben der zweiten Verstärkermittel (22, 29,
128) in deren erster oder zweiter Betriebsart wirksam
zu verändern und damit der Verstärker (9, 11, 111)
zwischen einem Breitband-Transimpedanzbetrieb und ei
nem Dynamikfolgebetrieb entsprechend hin- und herzu
schalten ist.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweiten Verstärkermittel (22, 29, 128) mit
einer Vorspannung beaufschlagt sind, die zu ändern
ist, wenn die zweite Umformerlastimpedanz (18, 19,
106) in den Kreis eingeschaltet ist, um die zweiten
Verstärkermittel (22, 29, 128) wirksam in ihre die
Spannungsrückkopplung auf die ersten Verstärkermittel
(14, 25, 110) vermindernde, zweite Betriebsart zu
schalten.
3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß der Ausgang (20, 120) der ersten Verstärker
mittel (14, 25, 110) positiv mit dem Umformer (10, 15,
100) gekoppelt ist.
4. Verstärker nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Verstär
kermittel (31, 128) in ihrer zweiten Betriebsart abge
schaltet sind.
5. Verstärker nach einem oder mehreren der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Ver
stärkermittel (22, 31) eine durch die Schaltmittel
(21, 70, 76) zum Vermindern der Spannungsrückkopplung
kontrollierte Verstärkung besitzen und daß das Aus
gangsglied (35, 60, 66) über die zweiten Verstärkermit
tel (22, 31) auf den Ausgang (20) der ersten Verstär
kermittel (14, 25) geschaltet ist.
6. Verstärker nach einem oder mehreren der Ansprüche 2
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß den zweiten Verstär
kermitteln (26, 128) ein variabler Impedanzkreis (38,
132) zugeordnet ist und daß der variable Impedanzkreis
auf die Vorspannung anspricht, die an die zweiten Ver
stärkermittel zum Verändern der Impedanz des variablen
Impedanzkreises und damit zum Verändern der Verstär
kung der zweiten Verstärkermittel angelegt ist.
7. Vorrichtung zum Verstärken von Wellensignalen beste
hend aus: einer in einem stabilen Betriebszustand bei
einer Verstärkung nahe Eins arbeitenden Feldeffekt-
Halbleiter-Vorrichtung (14, 110) mit einer Gate-Elek
trode (13, 108), einer Drain-Elektrode (28, 121) und
einer Source-Elektrode (20, 120); einem Umformer (10,
100) zum Erzeugen eines elektrischen Stroms, durch
den Empfang der Wellensignale ausgelösten Stroms, wo
bei ein Ende des Umformers mit der Gate-Elektrode (13,
108) und das andere Ende des Umformers mit einem ihn
vorspannenden Potential (V 1) gekoppelt ist; einem mit
der Source-Elektrode (20, 120) der Feldeffekt-Halblei
ter-Vorrichtung (14, 110) verbundenen negativen Gegen
kopplungsverstärker (22, 128), der auf eine erste Be
triebsart zum Erzeugen einer durch den elektrischen
Strom des Umformers (10, 100) ausgelösten Gegenkopp
lungsspannung zu betreiben ist; einer zwischen die
Gate-Elektrode (13, 108) der Feldeffekt-Halbleitervor
richtung (14, 110) und den Gegenkopplungsverstärker
(22, 128) geschalteten ersten Umformerlastimpedanz
(16, 112); und einem mit der Source-Elektrode (20,
120) der Feldeffekt-Halbleiter-Vorrichtung (14, 110)
gekoppelten Ausgangs-Pufferglied (60, 66, 122) zum Lie
fern eines durch den Empfang des Wellensignals im
Umformer (100) ausgelösten Ausgangssignals, dadurch ge
kennzeichnet, daß eine zweite Umformer-Lastimpedanz
(18, 106) mit einem Ende auf die Gate-Elektrode (13,
108) der Feldeffekt-Halbleiter-Vorrichtung (14, 110)
geschaltet ist; daß die zweite Umformerlastimpedanz
(18, 106) kleiner ist als die erste Umformerlastimpe
danz (16, 112) und daß sie mit ihrem anderen Ende auf
ein Vorspannungs-Potential (V 2) geschaltet ist; daß
der Gegenkopplungsverstärker (22, 128) eine zweite Be
triebsart zum wirksamen Vermindern der Gegenkopplungs
spannung an der ersten Umformerlastimpedanz besitzt;
und daß Schaltmittel (70, 74, 76, 104) zum wirksamen
Zu- oder Ausschalten der zweiten Umformerlastimpedanz
(18, 106) in den Kreis bzw. aus dem Kreis der Gate-
Elektrode (13, 108) der Feldeffekt-Halbleiter-Vorrich
tung (14, 110) derart vorgesehen sind, daß die gesamte
Lastimpedanz des Umformers (10, 100) und die Vorspan
nung des Gegenkopplungsverstärkers so zu ändern sind,
daß der Gegenkopplungsverstärker in seiner ersten oder
zweiten Betriebsart arbeitet und entsprechend die Ge
samtvorrichtung in einen Breitband-Transimpedanz-Be
trieb bzw. in einen Dynamikbereich-Folgerbetrieb um
schaltet.
8. Verstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Umformerlastimpedanz (18, 106) beträcht
lich kleiner als die erste Umformerlastimpedanz (16,
112) ist.
9. Verstärker nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeich
net, daß der Gegenkopplungsverstärker einen Transistor
(128) enthält, daß die Basis dieses Transistors (128)
mit der Source-Elektrode (120) der Feldeffekt-Halblei
ter-Vorrichtung (110) verbunden ist und daß der Kollek
tor des Transistors (128) mit dem ersten Umformerlast
widerstand derart gekoppelt ist, daß der Transistor
(128) in der zweiten Betriebsart abschaltet und eine
Gegenkopplung ausschließt.
10. Verstärker nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß der Transistor (128) eine zwischen seiner Basis
und der Source-Elektrode (120) der Halbleitervorrich
tung eingeschaltete Zener-Diode (132) besitzt und daß
die Z-Diode zwischen einem leitenden und einem nicht
leitenden Zustand entsprechend den Änderungen der Vor
spannung zu betreiben ist, um den Gegenkopplungsver
stärker zwischen seiner ersten und seiner zweiten Be
triebsart hin- und herzuschalten.
11. Verstärker nach einem oder mehreren der Ansprüche 7
bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß dem Gegenkopplungs
verstärker (22) ein auf die zum Kontrollieren der Ver
stärker-Betriebsweise vorgesehene Vorspannungsänderung
ansprechender, variabler Impedanzkreis (38) zugeordnet
ist.
12. Verstärker nach einem oder mehreren der Ansprüche 7
bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenkopplungs
verstärker einen Transistor (22) enthält, daß die Ba
sis dieses Transistors mit der Source-Elektrode (20)
der Feldeffekt-Halbleiter-Vorrichtung (14) gekoppelt
ist und daß der Kollektor des Transistors mit der er
sten Umformerlastimpedanz (16) und dem Ausgangs-Puffer
glied (60, 66) der Gesamtschaltung des schaltbaren
Verstärkers verbunden ist.
13. Verstärker nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß mit dem Kollektor des Rückkopplungstransistors
(22) ein Widerstandselement (58) und mit dem Emitter
dieses Rückkopplungstransistors (22) ein variabler
Impedanzkreis (38) verbunden ist, daß der Impedanz
kreis (38) einen parallel zu einem Impedanzzweig (42)
zwischen Emitter des Rückkopplungstransistors und ei
ner Spannungsquelle (V 3) eingeschalteten, ersten Wider
stand (40) besitzt, daß der Impedanzzweig (42) eine
erste Diode (48) enthält, daß die Anode der ersten
Diode (48) mit einer Verbindungsstelle eines auf die
Spannungsquelle geschalteten, zweiten Widerstandes
(50) und einer Anode der einen Reihendiode (52) eines
Paars von Reihendioden (52, 54) gekoppelt ist, daß
die Reihendioden (52, 54) bei Erdung der Kathode der
zweiten Reihendiode (54) gleich orientiert sind und,
daß die erste Diode (48) zwischen einem leitenden und
einem nicht leitenden Zustand entsprechend der am Rück
kopplungstransistor angelegten Vorspannung umschaltbar
ist, um die wirksame Impedanz des Impedanzzweiges (42)
und damit die Betriebsweise des Rückkopplungsverstär
kers (22) zu ändern.
14. Verstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß das andere Ende des Umformers mit den Source- und
Drain-Elektroden (20, 28) der Feldeffekt-Halbleiter-
Vorrichtung (14) verbunden ist.
15. Verstärker nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß in den Kreis zwischen dem anderen Ende des Umfor
mers (10) und der Source-Elektrode (20) der Halbleiter
vorrichtung (14) ein zweiter Transistor (26) einge
schaltet ist und daß die Basis des zweiten Transistors
mit der Source-Elektrode (20) sowie der Emitter des
zweiten Transistors (26) mit dem anderen Ende des Um
formers (10) verbunden sind.
16. Verstärker nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
daß ein dritter Widerstand (44) in Reihe mit der er
sten Diode (48) geschaltet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB868625409A GB8625409D0 (en) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | Switchable mode amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3735568A1 true DE3735568A1 (de) | 1988-05-19 |
Family
ID=10606203
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873735568 Withdrawn DE3735568A1 (de) | 1986-10-23 | 1987-10-21 | Verstaerker |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4764732A (de) |
JP (1) | JPH01123511A (de) |
DE (1) | DE3735568A1 (de) |
GB (2) | GB8625409D0 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4107849A1 (de) * | 1991-03-12 | 1992-09-17 | Licentia Gmbh | Schaltungsanordnung fuer einen photoempfaenger |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4889985A (en) * | 1988-10-26 | 1989-12-26 | Tektronix, Inc. | Combined optical power meter and receiver |
US5276685A (en) * | 1988-11-30 | 1994-01-04 | Motorola, Inc. | Digital automatic gain control |
US5095286A (en) * | 1989-11-15 | 1992-03-10 | Dylor Corporation | Fiber optic receiver and amplifier |
DE4212933A1 (de) * | 1992-04-18 | 1993-10-21 | Sel Alcatel Ag | Schaltungsanordnung für einen optischen Empfänger |
US5386109A (en) * | 1992-08-19 | 1995-01-31 | Fujitsu Limited | Pre-amplifier for optical receiving and optical receiver using the same |
US5442321A (en) * | 1993-07-08 | 1995-08-15 | Anadigics, Inc. | Automatic transimpedance control amplifier |
JPH07245540A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-09-19 | Fujitsu Ltd | 光ディジタル通信用の光受信装置 |
EP0695927A3 (de) * | 1994-08-01 | 1996-06-26 | Motorola Inc | Detektor-Umformer unter Verwendung eines Schottky-Übergangs mit einer erhöhten Ausgangsspannung |
US5548398A (en) * | 1994-11-22 | 1996-08-20 | Eastman Kodak Company | Illuminant discriminator providing detection of high efficiency illumination |
US5790295A (en) * | 1995-08-28 | 1998-08-04 | Apple Computer, Inc. | Gated integrator preamplifier for infrared data networks |
US6081558A (en) * | 1997-08-20 | 2000-06-27 | Integration Associates, Inc. | Apparatus and method for low power operation with high sensitivity in a communications receiver |
FI106679B (fi) * | 1997-12-16 | 2001-03-15 | Nokia Networks Oy | Optinen vastaanotin |
US6548878B1 (en) | 1998-02-05 | 2003-04-15 | Integration Associates, Inc. | Method for producing a thin distributed photodiode structure |
US6753586B1 (en) | 1998-03-09 | 2004-06-22 | Integration Associates Inc. | Distributed photodiode structure having majority dopant gradient and method for making same |
US6052030A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Lucent Technologies Inc. | Low voltage variable gain amplifier with feedback |
JP3854840B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2006-12-06 | シャープ株式会社 | 電力増幅回路およびそれを用いた通信装置 |
US7605649B2 (en) * | 2001-03-13 | 2009-10-20 | Marvell World Trade Ltd. | Nested transimpedance amplifier |
US7551024B2 (en) * | 2001-03-13 | 2009-06-23 | Marvell World Trade Ltd. | Nested transimpedance amplifier |
US6762644B1 (en) | 2001-03-13 | 2004-07-13 | Marvell International, Ltd. | Apparatus and method for a nested transimpedance amplifier |
US7276965B1 (en) | 2001-03-13 | 2007-10-02 | Marvell International Ltd. | Nested transimpedance amplifier |
US7072590B2 (en) | 2001-03-26 | 2006-07-04 | Avago Technologies General Ip Pte. Ltd. | Fiber optic receiver with an adjustable bandwidth post-amplifier |
CN1729518A (zh) * | 2002-12-20 | 2006-02-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于读取信息载体的装置 |
US7002131B1 (en) | 2003-01-24 | 2006-02-21 | Jds Uniphase Corporation | Methods, systems and apparatus for measuring average received optical power |
US7215883B1 (en) | 2003-01-24 | 2007-05-08 | Jds Uniphase Corporation | Methods for determining the performance, status, and advanced failure of optical communication channels |
US7305190B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-12-04 | Vitesse Semiconductor Corporation | Optical dispersion correction in transimpedance amplifiers |
US7242871B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-07-10 | Harmonic Inc. | High dynamic range optical receiver |
US7239202B1 (en) | 2004-03-31 | 2007-07-03 | Marvell International Ltd. | Variable-gain constant-bandwidth transimpedance amplifier |
US7023271B1 (en) | 2004-03-31 | 2006-04-04 | Marvell International Ltd. | Variable-gain constant-bandwidth transimpedance amplifier |
US7558014B1 (en) | 2004-06-24 | 2009-07-07 | Marvell International Ltd. | Programmable high pass amplifier for perpendicular recording systems |
US7518447B1 (en) | 2005-01-18 | 2009-04-14 | Marvell International Ltd. | Transimpedance amplifier |
US7449958B1 (en) | 2005-08-17 | 2008-11-11 | Marvell International Ltd. | Open loop DC control for a transimpedance feedback amplifier |
US7564397B2 (en) * | 2007-04-10 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | High slew rate amplifier, analog-to-digital converter using same, CMOS imager using the analog-to-digital converter and related methods |
EP3581898B1 (de) * | 2018-06-13 | 2020-07-29 | E+E Elektronik Ges.M.B.H. | Elektronische anordnung, optischer gassensor umfassend eine solche elektronische anordnung und verfahren zur kombinierten fotostrom- und temperaturmessung mittels einer solchen elektronischen anordnung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3927383A (en) * | 1972-04-21 | 1975-12-16 | Rca Corp | Low noise wide band transducer system |
US4535233A (en) * | 1982-01-22 | 1985-08-13 | Digital Equipment Corporation | Bootstrap-transimpedance preamplifier for a fiber optic receiver |
US4563656A (en) * | 1984-11-05 | 1986-01-07 | Gte Laboratories Incorporated | Wideband transimpedance optical receiver |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1024239A (en) * | 1972-04-17 | 1978-01-10 | Rca Limited | Low noise detector amplifier |
US4065668A (en) * | 1976-07-22 | 1977-12-27 | National Semiconductor Corporation | Photodiode operational amplifier |
US4075576A (en) * | 1977-02-25 | 1978-02-21 | Rockwell International Corporation | Sensitive high speed solid state preamp |
CA1069189A (en) * | 1977-11-25 | 1980-01-01 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government | Modular low noise preamplifier |
US4574249A (en) * | 1981-09-08 | 1986-03-04 | At&T Bell Laboratories | Nonintegrating lightwave receiver |
US4420724A (en) * | 1982-05-17 | 1983-12-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | FET Amplifier with wide dynamic range |
US4555623A (en) * | 1983-12-05 | 1985-11-26 | Irvine Sensors Corporation | Pre-amplifier in focal plane detector array |
JP2557339B2 (ja) * | 1984-08-01 | 1996-11-27 | 住友電気工業株式会社 | 光受信回路の電流・電圧変換部 |
JPS61200708A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-05 | Nec Corp | 光受信増幅回路 |
-
1986
- 1986-10-23 GB GB868625409A patent/GB8625409D0/en active Pending
-
1987
- 1987-10-20 US US07/110,279 patent/US4764732A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-21 GB GB8724641A patent/GB2198002B/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-21 DE DE19873735568 patent/DE3735568A1/de not_active Withdrawn
- 1987-10-23 JP JP62266692A patent/JPH01123511A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3927383A (en) * | 1972-04-21 | 1975-12-16 | Rca Corp | Low noise wide band transducer system |
US4535233A (en) * | 1982-01-22 | 1985-08-13 | Digital Equipment Corporation | Bootstrap-transimpedance preamplifier for a fiber optic receiver |
US4563656A (en) * | 1984-11-05 | 1986-01-07 | Gte Laboratories Incorporated | Wideband transimpedance optical receiver |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
KRAUSE: Breitbandige, rauscharme Fotodioden-Schaltungen. In: Elektronik 1976, Nr. 1S. 53-56 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4107849A1 (de) * | 1991-03-12 | 1992-09-17 | Licentia Gmbh | Schaltungsanordnung fuer einen photoempfaenger |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4764732A (en) | 1988-08-16 |
JPH01123511A (ja) | 1989-05-16 |
GB2198002A (en) | 1988-06-02 |
GB8625409D0 (en) | 1986-11-26 |
GB8724641D0 (en) | 1987-11-25 |
GB2198002B (en) | 1991-01-16 |
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