DE3690396C2 - - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

In jüngster Zeit besteht mit der Verbreitung von CATV die Notwendigkeit eines mehrkanaligen Empfangs in Fernsehtunern und damit eines Tuners, bei dem das Eingangssignal in ein Zwischenfrequenzsignal mit höherer Frequenz als das empfan­ gene Signal umgesetzt wird und in ein zweites Zwischenfre­ quenzsignal nach dem Durchgang durch ein schmalbandiges Band­ paßfilter umgesetzt wird. Ein Merkmal des Systems besteht darin, daß der mehrkanalige Empfang bei einfachem Aufbau durch Veränderung einer Schwingungsfrequenz eines Überlage­ rungsoszillators in einem Bereich von über 1 GHz erreicht wird.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf die Figuren ein Oszil­ latorschaltkreis nach dem Stand der Technik beschrieben. In Fig. 1 ist ein Oszillatorschaltkreis mit einem Oszillatorver­ stärker 1, einem Resonanzkreis 2 und einem Verstärker 3 ge­ zeigt. Der Oszillatorschaltkreis wird durch den Oszillator­ verstärker 1 und den Resonanzkreis 2 gebildet, dessen Schwin­ gungsfrequenz durch eine externe Einstellungsgleichspannung verändert werden kann, die an einem Anschluß 1 A anliegt. Das Schwingungsausgangssignal wird in dem Verstärker 3 verstärkt und einem externen Lastkreis über einen Ausgangsanschluß 1 B zugeführt. Der Verstärker 3 dient als ein Puffer für den ex­ ternen Lastschaltkreis.

Fig. 2 zeigt einen konkreten Aufbau nach Fig. 1. Die durch gestrichelte Linien umfaßten Blöcke werden entsprechend den Blöcken in Fig. 1 beschrieben. Der Oszillator-Verstärker 1 ist so ausgebildet, daß der Kollektor eines Oszillator-Tran­ sistors Q₁ wechselstrommäßig über einen Überbrückungskonden­ sator geerdet ist, um von der Basis des Oszillator-Transi­ stors Q₁ gesehen, eine negative Impedanz zu erzeugen. Die Ba­ sis des Oszillator-Transistors Q₁ ist über einen Kopplungs­ kondensator C₂ mit einem Serienresonanzkreis verbunden, der durch eine variable Kapazitätsdiode D₁, eine Resonanzindukti­ vität L₁ und eine interne Kapazität des Transistors Q₁ gebil­ det wird. Durch Erdung des anderen Anschlusses des Serienre­ sonanzkreises im Hinblick auf Wechselstrom werden die von der Basis des Transistors Q₁ gesehene negative Verstärkung und der Verlust der Resonanzinduktivität L₁ verschoben und er schwingt mit einer derartigen Frequenz, daß die Gesamtcharak­ teristik einer Phasencharakteristik, gesehen von der Basis des Transistors Q₁, und eine Phasencharakteristik des Reso­ nanzkreises 2 2 _n π (n = 0, 1, 2, 3,...) rad wird. Durch Verände­ rung einer Abstimmungsleichspannung, die an einem Anschluß 1 A anliegt, verändert sich die Kapazität der variablen Kapazi­ tätsdiode D₁ und die Charakteristiken einer Amplitude und Phase verändern sich. Das Schwingungsausgangssignal wird an einem gemeinsamen Verbindungspunkt des Emitters des Transi­ stors Q₁ und einer Drosselspule L₂ durch eine gleichstrom­ mäßige Erdung des Emitters des Transistors Q₁ über einen Wi­ derstand R₃ durch Verbinden einer Drosselspule L₂ mit dem Emitter des Transistors Q₁ erhalten. Es wird der Basis eines Verstärkungstransistors Q₂ über einen Kopplungskondensator C₃ zugeführt. An die Basis des Transistors Q₂ wird eine Spannung Vcc, die an einem Anschluß 1 D anliegt, über eine Drosselspule L₃ und einen Widerstand R₆ zugeführt. Der Emitter des Ver­ stärkungstransistors Q₂ ist geerdet und der Kollektor des Transistors Q₂ ist dem Anschluß 1 D über die Drosselspule L₃ verbunden. Das verstärkte Signal wird der externen Last von dem Kollektor des Transistors Q₂ über einen Kopplungskonden­ sator C₅ und einen Ausgangsanschluß 1 B zugeführt.

Bei dem Stand der Technik nach den Fig. 1 und 2 gibt es fol­ gende Probleme. Wenn das an dem Anschluß 1 A anliegende Ab­ stimmungspotential verändert wird, ändert sich der in den Os­ zillator-Transistor Q₁ fließende Strom mit der Frequenz ex­ trem stark, beispielsweise von 15 mA auf 35 mA. Dadurch kann es vorkommen, daß der Strom die zulässige Kollektorverlust­ leistung PC des Oszillator-Transistors überschreitet. Ein weiteres Problem besteht darin, daß bei Verwendung des Ver­ stärkers 3 mit dem in Fig. 2 gezeigten Aufbau ein Strom von etwa 15 mA notwendig wird und der Verbrauch an elektrischer Leistung in dem gesamten Schaltkreis zunimmt.

Hierdurch ist bei dem in Fig. 2 gezeigten Schaltkreisaufbau, da die Resonanzkapazität eine Serienschaltung der parallelen Summe der Kapazitäten der variablen Kapazitätsdiode und der Streukapazität des Schaltkreises und der Eingangskapazität (hauptsächlich der Umkehrvorspannungskapazität Cob) des Os­ zillator-Transistors Q₁ ist, der variable Frequenzbereich des Oszillators hauptsächlich durch die Umkehrvorspannungskapazi­ tät Cob des Oszillator-Transistors Q₁ begrenzt.

Daher wird, wie in Fig. 3 gezeigt ist, die Basisspannung des Oszillator-Transistors Q₁ durch Einprägen einer externen Um­ schaltgleichspannung geändert, die einem Anschluß 1 E über einen Widerstand R₇ zugeführt wird. Wenn die Spannung an dem Anschluß 1 E groß wird, steigt die Basisspannung des Oszilla­ tor-Transistors Q₁ an, und der Kollektorstrom des Oszillator- Transistors Q₁ nimmt zu. Die Umkehrvorspannungskapazität Cob nimmt entsprechend der Zunahme des Kollektorstroms zu, und der Kollektor des Transistors Q₁ wird mit einem Strom von ei­ ner Spannungsquelle Vcc über einen Widerstand R₂ gespeist. Das Kollektorpotential des Oszillator-Transistors Q₁ fällt mit der Zunahme des Kollektorstroms ab, und die Umkehrvor­ spannung zwischen der Basis und dem Kollektor wird kleiner und deshalb arbeitet der Cob gegen eine weitere Zunahme. Da die in Serie gegen den Resonanzkreis 2 eingefügte Kapazität mit der Zunahme der Umkehrvorspannungskapazität Cob zunimmt, verschiebt sich die Schwingungsfrequenz als Ganze zu einer niedrigeren Frequenz hin. Damit kann der veränderbare Fre­ quenzbereich im niedrigen Frequenzbereich erweitert werden. Jedoch treten auch bei dem in den Fig. 3 und 4 gezeigten Stand der Technik ähnliche Probleme wie bei dem in den Fig. 1 und 2 gezeigten Schaltkreis auf. Der in dem Oszillator-Tran­ sistor Q₁ fließende Strom nimmt extrem zu, beispielsweise von 20 mA auf 40 mA, wenn das an dem Anschluß 1 E anliegende Um­ schaltpotential auf ein hohes Potential eingestellt wird, und es kommt oft vor, daß die zulässige Kollektorverlustleistung PC des Oszillator-Transistors überschritten wird. Außerdem nimmt die in dem gesamten Schaltkreis verbrauchte elektrische Leistung in ähnlicher Weise zu wie bei den Schaltkreisen nach Fig. 1 und Fig. 2.

Aus der Fachveröffentlichung "Electronic Engineering", Januar 1974, Seiten 54 bis 58, ist bereits eine Oszillatorschaltung bekannt, deren Oszillator-Transistor eine wechselstrommäßig geerdete Basis hat. Die bekannte Oszillatorschaltung umfaßt einen Resonanzkreis mit einer Kapazitätsdiode und einem Reso­ nator. Dieser Resonanzkreis ist an die Basis des Oszillator- Transistors angeschlossen. Ein Anschluß des Resonators ist wechselstrommäßig geerdet. Diese in Fig. 5 dieser Fachver­ öffentlichung dargestellte Oszillatorschaltung ist jedoch da­ hingehend nachteilig, daß der Transistorstrom sich in Abhän­ gigkeit von der Abstimmspannung ändert, woraus sich ebenfalls die eingangs bereits erläuterten Nachteile ergeben.

Aus der DE-PS 20 39 695 ist bereits eine Oszillatorschaltung bekannt, die einen ersten und einen zweiten Transistor auf­ weist, bei der der Kollektor des ersten Transistors geerdet und der Emitter des ersten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors über einen Widerstand verbunden ist. Ein Basispotential wird dem zweiten Transistor von einer Versor­ gungsspannungsquelle zugeführt. Da der Emitter des ersten Transistors mit dem Kollektor des zweiten Transistors über einen Widerstand verbunden ist, werden Wechselstromkomponen­ ten ebenso wie Gleichstromkomponenten übertragen. Der zweite Transistor dient zur Gleichstromrückkopplungssteuerung und nicht zur Verstärkung des Oszillatorsignals.

Gegenüber diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Er­ findung die Aufgabe zugrunde, eine Oszillatorschaltung der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß eine Verände­ rung der Schwingungsfrequenz durchgeführt werden kann, ohne daß dies zu einer erheblichen Änderung des Gesamtstroms führt.

Diese Aufgabe wird bei einer Oszillatorschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wer­ den nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Blockschaltbild einer herkömmlichen Oszilla­ torschaltung;

Fig. 2 eine detaillierte Schaltung gemäß Fig. 1;

Fig. 3 ein Blockschaltbild einer weiteren bekannten Os­ zillatorschaltung;

Fig. 4 die Detailschaltung gemäß Fig. 3;

Fig. 5 ein Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Os­ zillatorschaltung;

Fig. 6 eine Detailschaltung gemäß Fig. 5;

Fig. 7 ein Blockschaltbild einer weiteren Ausführungs­ form einer erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung;

Fig. 8 eine Detailschaltung gemäß Fig. 7;

Fig. 9 ein Blockschaltbild einer dritten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung;

Fig. 10 eine Detailschaltung gemäß Fig. 9;

Fig. 11 eine weitere Ausführungsform eines Hauptteiles der erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung.

Die Fig. 5 und 6 zeigen eine erste Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung. In Fig. 5 ist ein Resonanzkreis 2 mit einem Oszillatorverstärker 1 verbunden. Der Resonanzkreis 2 wird mit einer Abstimmungsspannung von einem Anschluß 1 A ge­ speist. Die Resonanzfrequenz des Oszillators, der aus dem Re­ sonanzkreis 2 und dem Oszillatorverstärker 1 gebildet wird, kann durch die Abstimmungsspannung verändert werden. Eine Quellenspannung Vcc wird dem Oszillatorverstärker 1 von einem Anschluß 1 C für eine Spannungsquelle zugeführt und ist mit einer Stromquelle und einem Verstärker 5 über einen Gleich­ stromweg verbunden. In dem Gleichstromweg ist ein Wechsel­ stromsperrfilter 6 eingefügt, das eine Wechselstromkomponente von der Oszillatorverstärkerschaltung 1 zu der Stromquelle und dem Verstärker 5 abtrennt. Ein Wechselstromausgangssignal des Oszillatorverstärkers 1 wird einem Wechselstromeingangs­ anschluß der Stromquelle und des Verstärkers 5 über einen Wechselstromweg zugeführt und wird über einen Anschluß 1 B ab­ gegeben, nachdem er verstärkt wurde.

Die Fig. 6 zeigt eine konkrete Schaltung der in Fig. 5 ge­ zeigten Oszillatorschaltung. Das Bezugszeichen Q₁ kennzeich­ net einen Oszillator-Transistor, das Bezugszeichen R₁ kenn­ zeichnet einen Vorspannungswiderstand für den Oszillator- Transistor Q₁, das Bezugszeichen C₁ kennzeichnet eine Kapazi­ tät, die zwischen einem Kollektor des Oszillator-Transistors Q₁ und der Erde eingefügt ist, das Bezugszeichen C₂ kenn­ zeichnet eine Kopplungskapazität, das Bezugszeichen D₁ kenn­ zeichnet eine veränderbare Kapazitätsdiode, das Bezugszeichen L₁ kennzeichnet einen Resonator, das Bezugszeichen R₄ kenn­ zeichnet einen Vorspannungswiderstand, das Bezugszeichen C₆ kennzeichnet eine Überbrückungskapazität, das Bezugszeichen L₂ kennzeichnet eine Drosselspule, die ein Wechselstromsperr­ filter bildet, das Bezugszeichen R₃ kennzeichnet einen Dämp­ fungswiderstand, das Bezugszeichen C₃ kennzeichnet eine Kopp­ lungskapazität, das Bezugszeichen Q₂ kennzeichnet einen Ver­ stärkungstransistor, das Bezugszeichen R₅ kennzeichnet einen Vorspannungswiderstand, das Bezugszeichen C₅ kennzeichnet eine Kopplungskapazität, das Bezugszeichen 1 A kennzeichnet einen Anschluß zum Anlegen einer Abstimmungsspannung, das Be­ zugszeichen 1 B kennzeichnet einen Ausgangsanschluß für ein Schwingungssignal und das Bezugszeichen 1 C kennzeichnet einen positiven Versorgungsspannungsanschluß.

Die grundsätzliche Funktionsweise der Oszillatorschaltung ist dieselbe wie bei dem Stand der Technik. Die Drosselspule L₂ ist mit dem Emitter des Oszillator-Transistors Q₁ verbunden, und das Schwingungsausgangssignal wird von einem Verbindungs­ punkt von diesem über den Kopplungskondensator C₃ abgenommen. Die Drosselspule L₂ ist mit dem Kollektor des Transistors Q₂ für die Stromquelle und den Verstärker über den Dämpfungswi­ derstand R₃ verbunden. Durch die Drosselspule L₂ wird das Schwingungsausgangssignal weder direkt dem Kollektor des Transistors Q₂ zugeführt noch wird das Signal übertragen. Das Schwingungsausgangssignal wird der Basis des Transistors Q₂ über den Kopplungskondensator C₃ zugeführt; das hier ver­ stärkte Ausgangssignal wird einer nächsten Stufe von dem Kol­ lektor über den Oszillationsausgangsanschluß 1 B zugeführt. Die Vorspannung für den Transistor Q₂ wird seiner Basis von dem Anschluß 1 C für die positive Versorgungsspannungsquelle über einen Vorspannungswiderstand R₅ zugeführt.

Durch den Konstantstromschaltkreis an dem Emitter des Oszil­ lator-Transistors Q₁ können Stromänderungen, die durch Fre­ quenzänderungen verursacht werden, vermindert werden, ohne Erhöhung des Arbeitsstroms und ohne jeden redunanten Schalt­ kreis. Weiterhin kann durch Trennung des Konstantstromschalt­ kreises und der Oszillatorschaltung im Hinblick auf Wechsel­ strom und Verstärkung des Ausgangssignals der Oszillator­ schaltung unter Verwendung des Konstantstromschaltkreises ein verstärktes Ausgangssignal ohne Zunahme des Leistungsver­ brauchs des Schaltkreises erhalten werden.

Eine Oszillatorschaltung nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 7 und 8 erläutert. Wie in Fig. 7 gezeigt, ist der Resonanz­ kreis 2 mit dem Oszillatorverstärker 1 verbunden. An den Re­ sonanzkreis 2 wird die Abstimmungsspannung von dem Anschluß 1 A angelegt, um die Resonanzfrequenz der aus dem Resonanz­ kreis 2 und dem Oszillatorverstärker 1 gebildeten Oszillator­ schaltung zu verändern. Die Versorgungsspannung Vcc wird dem Oszillatorverstärker 1 von dem Anschluß 1 C für die Versor­ gungsspannung zugeführt: der Oszillatorverstärker 1 ist mit der Stromquelle und dem Verstärker 5 über den Gleichstromweg verbunden. In dem Gleichstromweg ist das Wechselstromsperr­ filter 6 zwischen der Erde eingefügt, um die Wechselstromkom­ ponente abzutrennen. Das Wechselstromausgangssignal des Schwingungsverstärkers 1 wird einem Wechselstromeingangsan­ schluß der Stromquelle und des Verstärkers 5 über den Wech­ selstromweg zugeführt; das verstärkte Signal kann an dem An­ schluß 1 B erhalten werden.

Die Fig. 8 zeigt eine konkretere Schaltung der Fig. 7, und die durch gestrichelte Linien umfaßten Blöcke in der Figur sind entsprechend der Fig. 7 gekennzeichnet. In dem Oszilla­ torverstärker hat die von der Basis des Transistors Q₁ gese­ hene Impedanz eine negative Charakteristik durch Erdung des Kollektors des Transistors Q₁ über eine große Kapazität C₁. Der aus der veränderbaren Kapazitätsdiode D₁ und dem Reso­ nanzstreifen L₁ gebildete Resonanzkreis ist in Serie mit der Basis des Transistors Q₁ über den Überbrückungskondensator C₂ verbunden. Der andere Anschluß des Serienkreises ist geerdet. An die Kathode der variablen Kapazitätsdiode D₁ wird das Ab­ stimmungspotential von dem Anschluß 1 A über den Widerstand R₄ angelegt. Andererseits wird an die Basis des Oszillator-Tran­ sistors Q₁ von dem Kollektor über den Vorspannungswiderstand R₁ eine Vorspannung angelegt. An den Emitter des Transistors Q₁ ist ein Kondensator C₇ als ein Wechselstromsperrfilter über die Spule L₂ und den Widerstand R₃ für die Beseitigung der Hochfrequenz angeschlossen, so daß die Hochfrequenzkompo­ nente beseitigt wird; die Gleichstromkomponente wird dem Kol­ lektor des Verstärkungstransistors Q₂ über die Spule L₃ für die Beseitigung der Hochfrequenz zugeführt. An die Basis des Transistors Q₂ wird ein Potential der Quellenspannung Vcc an­ gelegt, das durch die Widerstände R₅, R₆ geteilt wird; der Transistor Q₂ wird durch Erdung seines Emitters eine Kon­ stanzstromquelle im Hinblick auf Gleichstrom. Andererseits wird das Schwingungsausgangssignal der Basis des Transistors Q₂ von dem Emitter des Transistors Q₁ über den Kopplungskon­ densator C₃ zugeführt. Der Transistor Q₂ verstärkt das Schwingungsausgangssignal und führt das verstärkte Signal von dem Kollektor über den Kopplungskondensator C₅ der externen Last zu. Durch einen derartigen Konstanzstromeffekt konver­ giert, selbst in dem Fall einer Veränderung des Abstimmungs­ potentials und einer Veränderung des Stroms des Oszillator- Transistors Q₁, gemäß den Experimenten, der in den Transistor Q₁ fließende Strom in einem Bereich von etwa 20 mA bis 22 mA von 15 mA bis 30 mA im Fall der Nichtverwendung des vorlie­ genden Schaltkreises und der Strom überschreitet nicht die Kollektorverlustleistung des Transistors und die Funk­ tionsweise wird stabil.

Eine Oszillatorschaltung nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 9 und 10 erläutert. Wie es in Fig. 9 gezeigt ist, ist der Verstärker 1 für die Oszillation mit dem Resonanzkreis 2 und der äußeren Umschalteinrichtung 4 verbunden. An dem Resonanz­ kreis 2 liegt die Abstimmungsspannung von dem Anschluß 1 A an, um die Resonanzfrequenz des aus dem Resonanzkreis 2 und dem Verstärker 1 gebildeten Schaltkreises zu verändern. Anderer­ seits liegt an der externen Umschalteinrichtung das Umschalt­ potential an, um das Potential zwischen der Basis und dem Kollektor des den Oszillatorverstärker 1 bildenden Transi­ stors durch die Größe des Umschaltpotentials zu verändern. An den Oszillatorverstärker 1 wird eine Quellenspannung Vcc von dem Quellenanschluß 1 C angelegt, und er ist mit der Strom­ quelle und dem Verstärker 5 über den Gleichstromweg verbun­ den. In den Gleichstromweg ist das Wechselstromsperrfilter für das Abtrennen der Wechselstromkomponente eingefügt. Das Wechselstromausgangssignal des Oszillatorverstärkers 1 wird einem Wechselstromeingangsanschluß der Stromquelle und des Verstärkers 5 über den Wechselstromweg zugeführt; das ver­ stärkte Signal kann an dem Anschluß 1 B erhalten werden.

Fig. 10 zeigt eine konkretere Schaltung der Fig. 9, und durch gestrichelte Linien umfaßte Blöcke in Fig. 10 entsprechen denen der Fig. 9. In dem Oszillatorverstärker 11 erhält die von der Basis des Transistors Q₁ gesehene Impedanz eine nega­ tive Charakteristik durch die Erdung des Kollektors des Tran­ sistors Q₁ über einen großen Kondensator C₁. Der aus der ver­ änderbaren Kapazitätsdiode D₁ und einem Resonanzstreifen L₁ bestehende Resonanzkreis ist in Serie mit der Basis des Tran­ sistors Q₁ über den Überbrückungskondensator C₂ geschaltet. Der andere Anschluß des Serienkreises ist geerdet. An eine Kathode der veränderbaren Kapazitätsdiode D₁ wird ein Ab­ stimmpotential von dem Anschluß 1 A über den Widerstand R₄ an­ gelegt. Andererseits wird an die Basis des Oszillator-Transi­ stors Q₁ von dem Kollektor über einen Vorspannungswiderstand R₁ eine Vorspannung angelegt und das externe Umschaltpoten­ tial wird von dem Umschaltanschluß 1 E über den Widerstand R₇ und die Diode D₂ zugeführt. Bei der in der Figur gezeigten Ausführungsform kann nur dann, wenn das Umschaltpotential hoch ist, das Basispotential des Transistors Q₁ erhöht wer­ den. Wenn die Polarität der Diode D₂ umgedreht wird, kann das Basispotential des Transistors Q₁ nur abgesenkt werden, wenn die Umschaltspannung niedrig ist. Im Fall des Weglassens der Diode D₂ kann die Basisspannung des Transistors Q₁ entspre­ chend dem Wert des Umschaltpotentials veränderbar gemacht werden. Die Auswahl eines dieser Fälle kann möglich sein. An den Emitter des Transistors Q₁ ist ein Kondensator 7 als ein Wechselstromsperrfilter über die Spule L₂ und den Widerstand R₃ zum Beseitigen der Hochfrequenz angeschlossen. Deshalb wird die Hochfrequenzkomponente entfernt und die Gleichstrom­ komponente wird dem Kollektor des Verstärkungstransistors Q₂ über die Spule L₃ für die Beseitigung der Hochfrequenz zuge­ führt. Die Kapazität C₇ kann derart ausgebildet sein, daß sie die Kapazität zwischen Kupferfolien auf einem Substrat ver­ wendet. An der Basis des Transistors Q₂ liegt ein Potential der Versorgungsspannungsquelle Vcc an, das durch die Wider­ stände R₅ und R₆ geteilt ist; der Transistor Q₂ wird durch Erdung seines Emitters eine Konstanzstromquelle im Hinblick auf Gleichstrom. Andererseits wird das Schwingungsausgangssi­ gnal der Basis des Transistors Q₂ von dem Emitter des Transi­ stors Q₁ über den Kopplungskondensator C₃ zugeführt. Der Transistor Q₂ verstärkt das Schwingungsausgangssignal und führt das verstärkte Signal von dem Kollektor über den Kopp­ lungskondensator C₅ der externen Last zu. Durch einen derar­ tigen Konstanzstromeffekt verändert sich, selbst bei einer Veränderung der Abstimmungsspannung und der Veränderung des Stroms des Oszillator-Transistors Q₁, im Fall der Nichtver­ wendung des vorliegenden Schaltkreises der Strom von 15 mA auf 30 mA und im Fall der Verwendung des vorliegenden Schalt­ kreises wird im Gegensatz hierzu die Stromänderung auf 20 mA bis 22 mA vermindert. Deshalb überschreitet der Strom nicht die Kollektorverlustleistung des Transistors und die Funk­ tionsweise wird durch Erhöhung der Umkehrvorspannungskapazi­ tät Cob stabil.

Die Fig. 11 zeigt ein anderes Beispiel der Stromquelle und des Verstärkers 5, bei dem die Vorspannungsquelle nach dem Selbstvorspannungstyp ausgebildet ist. Durch Teilung der Gleichspannung vom Kollektor des Transistors Q₂ durch die Wi­ derstände R₅ und R₆ und Zuführung zu der Basis des Transi­ stors Q₂ wird die Vorspannung zugeführt. Bei der obigen Aus­ gestaltung können Änderungen des Kollektorstroms, die durch Veränderung der Basisspannung des Transistors Q₁ bewirkt wer­ den, auf einen derartigen Pegel unterdrückt werden, da kein Problem im Hinblick auf die praktische Verwendung besteht, obwohl die Wirkung im Vergleich mit den Fällen der Fig. 6, 8 und 10 leicht abnimmt. Nebenbei besteht der Unterschied zu den Schaltkreisen nach den Fig. 10 und 11 in wenigen Milliampere und er stellt praktisch kein Problem dar.

Claims (3)

1. Oszillatorschaltung, mit einem Oszillator-Transistor, dessen Kollektor wechselstrommäßig geerdet ist, mit einem Serienresonanzkreis mit einer variablen Kapazitätsdiode und einem Resonator, der an die Basis des Oszillator- Transistors angeschlossen ist, wobei der Serien­ resonanzkreis mit seinem anderen Anschluß wechselstrom­ mäßig geerdet ist, und mit einem Verstärkungstransistor, dessen Kollektor mit dem Emitter des Oszilla­ tor-Transistors verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitter des Oszillator-Transistors (Q₁) über die Einrichtung (6), die die Wechselstromkomponente beseitigt und die Gleichstromkomponente hindurchläßt, mit dem Kollektor des Verstärkungstransistors (Q₂) verbunden ist, daß ein vom Emitter des Oszillator-Transistors (Q₁) abgenommenes Oszillatorsignal der Basis des Verstärkungs­ transistors (Q₂) zugeführt wird, daß ein Oszillator­ ausgangssignal von dem Kollektor des Verstär­ kungstransistors (Q₁) abgenommen wird, und daß eine Vorspannung von einer Spannungsquelle an den Verstär­ kungstransistor (Q₂) angelegt wird.

2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine Umschaltspannung an der Basis des Oszillator-Transistors (Q₁) anliegt.

3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Umschaltspannung an der Basis des Os­ zillator-Transistors (Q₁) über eine Serienschaltung ei­ nes Widerstandes (R₇) und einer Diode (D₂) anliegt.