DE3543911A1 - Digitale verzoegerungseinheit - Google Patents
Digitale verzoegerungseinheitInfo
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Description
BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf eine digitale Verzögerungseinheit und insbesondere auf eine digitale Verzögerungseinheit
zum Verarbeiten von z.B. Videosignalen in einem digitalen Fernsehempfänger.
Allgemein wird als digitale Verzögerungseinrichtung für Massenspeicher die sogenannte digitale Verzögerungseinheit
zum sequentiellen Schreiben/Lesen von Signalen in/aus Speicherzellen, die in der Form einer Matrix angeordnet sind, zum
beliebigen Verzögern der Signale eingesetzt. Fig. 1 ist eine eine konventionelle Verzögerungseinheit zeigende Diagrammdarstellung.
In Fig. 1 empfängt ein Eingangsanschluß 1 Grundtaktpulse φ~. Die Einheitsverzögerung (minimale Verzögerungsbreite)
in der digitalen Verzögerungseinheit ist gleich einer Periode der Grundtaktpulse $c. Die von dem Eingangsanschluß 1
eingegebenen Grundtaktpulse szL· werden einem Adresszähler 2
zugeführt. Der Adresszähler 2 wird bei den vorderen Flanken der Grundtaktpulse φ~ erhöht, damit werden X-Adressen an
einen X-Decodierer 3 und Y-Adressen an einen Y-Decodierer 4 ausgegeben. Ausgangssignale des X-Decodierers 3 werden einer
Speicherzellenmatrix 5 zugeführt, während jene von dem Y-Decodierer 4 einem Übertragungs-Gate 6 zugeführt werden.
Auf der anderen Seite sind Einganganschlüsse 13. bis 13 an das Empfangen von Eingangsdaten angepaßt, die synchron mit
den Grundtaktpulsen j5Q eingegeben werden, und sie sind hierin
in einer Anordnung zum Empfangen von n-Bit-Eingangsdaten beschrieben. Das höchstwertige Bit (MSB) der Eingangsdaten wird
BAD
dem Anschluß 13- zugeführt, während das niedrigstwertige Bit
(LSB) dem Anschluß 13 zugeführt wird. Die Eingangsdaten werden durch einen Eingangssperrkreis 11 einem Schreibkreis 10
zugeführt, der durch Signale WE gesteuert wird. Die Speicherzellenmatrix
5 wird durch eine Gruppe von Speicherzellen, die in der Form einer Matrix angeordnet sind, gebildet, und ihre
Speicherkapazität ist M χ η Bits. Das Übertragungs-Gate 6 überträgt von der Speicherzellenmatrix 5 gelesene Daten an
einen Leseverstärker 7, während Daten von dem Schreibkreis 10 an die Speicherzellenmatrix 5 übertragen werden. Der Leseverstärker
7 wird für die Verstärkung der Lesedaten durch Signale SE gesteuert. Ein Datensperrkreis 8 speichert zweitweilig
die Ausgangssignale der Leseverstärker 7. Während einer Zeitdauer,
während die Signale SE auf niedrigem Pegel sind, ist der Datensperrkreis 8 elektrisch von dem Leseverstärker 7 getrennt.
Ein Ausgangssperrkreis 9 erzeugt verzögerte Ausgangssignale von dem Datensperrkreis 8 in dem Zyklus der Grundtaktpulse
<fi„ und führt diese den Ausgangsanschlüssen 12.. bis
12 zu. Das MSB der Ausgangsdaten wird von dem Anschluß 12-ausgegeben,
während das LSB von dem Anschluß 12 ausgegeben wird.
Die von dem Eingangsanschluß 1 empfangenen Grundtaktpulse $„
werden weiterhin einem Taktgenerator 14 zugeführt, der wiederum die oben erwähnten Signale SE und WE in einem in Flg. 2.
25. gezeigten Zeitablauf erzeugt. Die Signale SE sind zum Antreiben
des Leseverstärkers 7 in seinen Hochpegelzuständen angepaßt, während die Signale WE zum Antreiben des Schreibschaltkreises 8 in seinen Hochpegelzuständen angepaßt sind. Der
Adreßzähler 2 wird durch einen Rückstellschaltkreis pro M Perioden zurückgestellt. Die konventionelle digitale Verzögerungseinheit
ist in der vorhergehenden Anordnung.
In einem PAL-System-Fernsehempfänger ist durch die in Fig. 1
gezeigte Anordnung ein Ein-Leitungs-Speicher zum Abtasten von
BAD ORIGINAL
Analog-Videosignalen bei einer Frequenz von 4 f (f : Bunt-
SC SC
Hilfsträger-Frequenz) eingesetzt, damit werden digitale Videosignale
erzeugt und um eine Abtastlinie (IH) verzögert, wenn die folgenden Bedingungen erfüllt sind: M = 1135, η = 8,
X-Adressen = X bis X , Y-Adressen = Y bis Y , und eine
Periode der Grundtaktpulse $a =56 ns.
Der Betrieb der in Fig. 1 gezeigten konventionellen digitalen Verzögerungseinheit wird nun mit Bezug auf ein in Fig. 2 gezeigtes
Zeitdiagramm erläutert. In diesem Fall wird die Verzögerung von M Perioden durch einen M χ n-Bit-Speicher erzielt,
der Adressplätze für Adressen A1 bis A.. zum Parallel-Verarbeiten
von n-Bit-Daten aufweist. Die in dieser digitalen Verzögerungseinheit benutzte Speicherzellenmatrix 5 ist durch
η Speicherzellengruppen je mit M-Bit-Adresskapazität gebildet,
und eine Speicherzelle in jeder Gruppe entspricht einer Adresse. Wenn daher eine Adresse bezeichnet wird, werden insgesamt
η Speicherzellen von den η Speicherzellengruppen parallel angesprochen. In einem Speicher der sogenannten Byte-Struktur
ist die Zahl η gleich 8. In der folgenden Beschreibung bezeichnen die Zeichen D bis DM neu in den Adressen A1
bis AM gespeicherte Daten bzw. die Zeichen PD1 bis PDM bezeichnen
von den Adressen A1 bis AM gelesenen Ausgangsdaten.
Zuerst wird der Adreßzähler 2 durch die Grundtaktpulse $„ angesteuert,
damit X-Adressen dem X-Decodierer 3 und Y-Adressen dem Y-Decodierer 4 zugeführt werden. Dann werden an eine
I/O-Leitung 17 Daten von n-Bit-Speicherzellen ausgegeben, die
insgesamt zu Spalten gehören, die an das durch den Y-Decodierer 4 innerhalb der Speicherzellen ausgewählte Übertragungs-Gate
6 angeschlossen sind, und zu Zeilen gehören, die durch den X-Decodierer 3 in der Speicherzellenmatrix 5 ausgewählt
sind. Wenn z.B. die Adresse A1 durch das Ausgangssignal von
dem Adreßzähler 2 bezeichnet wird, werden Daten PD1 von n-Speicherzellen,
die insgesamt in den entsprechenden Adressen
A1 der η Speicherzellengruppen liegen, parallel durch das
Übertragungs-Gate 6 gelesen. Die so gelesenen n-Bit-Daten PD1 werden von dem Leseverstärker 7 in einer Hochpegelperiode
des Signales SE verstärkt und in den Datensperrkreis 8 gebracht. Der Datensperrkreis 8 wird elektrisch von dem Leseverstärker
7 bei dem hinteren Ende des Signales SE getrennt, dadurch werden die Lesedaten PD- während der Niedrig-Pegel-Periode
des Signales SE gehalten. Die Lesedaten PD- werden zu dem Ausgangssperrkreis 9 übertragen und von den η Ausgangsan-■10
Schlüssen 12- bis 12 in paralleler Weise ausgegeben. Deshalb werden, wie in Fig. 2 gezeigt, die Daten in Übereinstimmung
mit der Änderung des Adressensignales pro einem Zyklus der Grundtaktpulse (f>„ sequentiell gelesen.
In der gleichen die Adresse bezeichnenden Periode nach dem
Fallen des Signales SE wird der Schreibschaltkreis 10 in einer Hoch-Pegel-Periode des Signales WE angetrieben, damit
von einem Eingangssperrkreis 11 erhaltene n-Bit-Eingangsdaten zu der I/O-Leitung 17 übertragen werden, und die Daten in den
gegenwärtig ausgewählten Speicherzellen neu geladen werden. Es werden z.B. unmittelbar, nachdem die vorhergehenden Daten
PD- zum Speichern in den Datensperrkreis 8 von der Adresse A-gelesen
sind, neue Daten D- in die Speicherzellen der Adresse A- geschrieben. Die Daten D- werden gelesen, wenn die Adresse
A- wieder nach M Zyklen ausgewählt wird. Deshalb wird für die
Speicherzellen der entsprechenden Adressen eine Lesen-naeh-Sehreiben-Operation
alle M Zyklen durchgeführt, so daß neu geschriebene Daten nach M Zyklen ausgegeben werden und dadurch
eine Verzögerung von M Zyklen erhalten wird.
In einer konventionellen digitalen Verzögerungseinheit muß
die Lesen/Schreiben-Operation innerhalb eines Zyklus der
Grundtaktpulse φ durchgeführt werden, wie oben beschrieben
wurde. Deshalb muß der Zyklus der Grundtaktpulse $c bestimmt
werden in Abhängigkeit von: Lesezugriffszeit zu dem Daten-
Sperrkreis, Zeit zum Beenden des Schreibens (Pulsbreite des Signales WE), Pulsbreite des Signales SE, Zeitreserve zwischen
den Adreßsignalen und ähnliches; und es ist schwierig gewesen, Hochgeschwindigkeitsoperationen zu erzielen. Zum
Beispiel wird eine Zykluszeit von 56 ns für eine digitale Verzögerungseinheit, die an einen PAL-System-Fernsehempfanger
angeschlossen ist, benötigt, und wenn die oben erwähnte Anordnung in konventioneller Verarbeitungstechnik benutzt wird,
muß die Lesen-nach-Schreiben-Operation innerhalb der Periode von 56 ns durchgeführt werden. Es ist deshalb schwierig gewesen,
die digitale Verzögerungseinheit mit ausreichenden Zeitreserven anzutreiben.
Ein Beispiel für den oben aufgeführten Stand der Technik ist in "Television Gakkaishi (The journal of the institute of
television engineers of Japan)", Vol. 39, Nr. 3 (1985),
Seiten 250 bis 252 veröffentlicht. In dieser Veröffentlichung
vom Stand der Technik sind in den Figuren 6 und 7 Beispiele bei niedriger Geschwindigkeit gezeigt, während ein Beispiel,
wie in Fig. 8 gezeigt, bei hoher Geschwindigkeit ist, bei dem die Speicherkapazität verdoppelt ist, was zu einer Kostenerhöhung führt.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine digitale Verzögerungseinheit vorzusehen, die bei höherer Geschwindigkeit als eine
konventionelle digitale Verzögerungseinheit betrieben werden kann, wobei konventionelle Verarbeitungstechniken benutzt
werden sollen, so daß keine Kostenerhöhung eintritt.
Die Erfindung wird durch eine digitale Verzögerungseinheit gekennzeichnet mit einer in Form einer Matrix angeordneten
Speicherzellengruppe, die in zwei Adreßräume unterteilt ist, die abwechselnd angesprochen werden, so daß von den zwei
Adreßräumen gelesene Daten abwechselnd in dem Takt der Grundtaktpulse
ausgegeben werden, und synchron mit den Grundtakt-
pulsen empfangene Eingangsdaten abwechselnd in die zwei Adreßräume geschrieben werden.
Erfindungsgemäß werden die betreffenden Adreßräume im wesentlichen
bei der Taktrate für zwei Perioden der Grundtaktpulse angesteuert, während die Dateneingabe/ausgabetätigkeit faktisch
in der gleichen Periode wie die der Grundtaktpulse beendet ist, wodurch die digitale Verzögerungseinheit bei einer
hohen Geschwindigkeit, bei einer Taktrate von der halben Länge einer Operationsperiode eines jeden Adressenraumes, betrieben
werden kann, während ausreichende Zeitreserven aufrechterhalten werden. Es gibt daher keinen Grund, die Speicherkapazität
zu erhöhen, was die Kostenerhöhung effektiv verhindert.
Diese und weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung
ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine Diagrammdarstellung eines Beispieles einer
konventionellen digitalen Verzögerungseinheit;
Fig. 2 ein Zeitdiagramm zur Verdeutlichung der Tätigkeit der in Fig. 1 gezeigten konventionellen digitalen
Verzögerungseinheit;
Fig. 3 eine Diagrammdarstellung einer erfindungsgemäßen
: Ausführungsform;
Fig. 4 ein Zeitdiagramm zur Verdeutlichung der Tätigkeit
der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform;
Fig. 5 eine Diagrammdarstellung für eine andere Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 6 ein Schaltdiagramm für ein Beispiel eines in Fig.
5 gezeigten Verzögerungssperrkreises; und
Fig. 7 ein Zeitdiagramm zur Verdeutlichung der Tätigkeit der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform.
In Fig. 3 ist eine erfindungsgemäße digitale Verzögerungseinheit gezeigt, die zum Verzögern von n-Bit-Eingangsdaten
um M Zyklen bis zu ihrer Ausgabe geeignet ist, und ihre Adresse ist entsprechend des Verzögerungsbetrages in zwei
Speicherzellenmatrizen unterteilt. Eine erste Speicherzellenmatrix 84 bildet eine Ebene für gerade Adressen, und eine
zweite Speicherzellenmatrix 94 bildet eine Ebene für ungerade Adressen, die Speicherkapazität von jeder der Speicherzellenmatrizen
ist (M/2) χ η Bits. Eingangsanschlüsse 9O1 bis 90
sind für das Empfangen von n-Bit-Eingangsdaten bei einer Taktrate der Grundtaktpulse φ~ geeignet. Die Eingangsdaten
werden durch einen Eingangsspeicher 99 (Eingangssperrkreis input latch) Schreibschaltkreisen 88 und 98 zugeführt.
Ein Taktgenerator 101 erhält die Grundtaktpulse $σ von einem
Eingangsanschluß 100, damit er verschiedene Taktsignale $FVj
^0D' SEEV SE0D' WEEV WE0D' 0EEV Und 0E0D aUf GrundlaSe der
Kontaktpulse $„ in dem in Fig. 4 gezeigten Zeitablauf erzeugt.
Eine Periode/Zyklus der Grundtaktpulse </>„ ist gleichbedeutend
mit einer Einheitsverzögerung. Die Signale φ werden durch Frequenzteilung der Grundtaktpulse $α zum Verdoppeln
der Periode erzeugt und sind geeignet, die Adreßzähler 81 bei ihren nachlaufenden Enden zu erhöhen. Die
Signale Φηγ^ werden durch Takte in Gegenphase zu den Signalen
φ^ΛΓ gebildet und erhöhen einen Adreßzähler 91 bei ihrem nachlaufenden
Ende. Die Signale SE^17. und SE^^ steuern Leseverstärker
86 bzw. 96, damit sie in Hochpegelzustände übergehen. Die Signale WE™, und WE_ steuern die Schreibschaltkreise 88
bzw. 98, damit diese in ihre Hochpegelzustände übergehen. Die Signale 0E„v steuern Ausgänge eines Datenspeichers 87
(Datensperrkreis - data latch), während die Signale 0E~n
Ausgänge eines Datenspeichers 97 steuern.
Der Adreßzähler 81 erhält die Signale $·π·ν>
damit Signale für gerade X-Adressen einem X-Decodierer 82 und Signale für
gerade Y-Adressen einem Y-Decodierer 83 während des Zyklus
des Signales $„,,. (d.h. zweimal dem der Grundtaktpulse (zSo)
UV ο
zugeführt werden. Ausgangssignale von dem X-Decodierer 82 werden der ersten Speicherzellenmatrix 84 zugeführt, während
Ausgangssignale von dem Y-Decodierer 83 einem Übertragungs-Gate 85 zugeführt werden. In einer ähnlichen Weise empfängt
der Adreßzähler 91 die Signale ΦηΤ), damit Signale für ungerade
Adressen einem X-Decodierer 92 und Signale für ungerade Y-Adressen einem Y-Decodierer 93 in dem Zyklus des Signales
φ- n (d.h. zweimal dem der Grundtaktpulse $„) zugeführt werden.
Ausgangssignale von dem X-Decodierer 92 werden der zweiten Speicherzellenmatrix 94 zugeführt, während Ausgangssignale
von dem Y-Decodierer 93 einem Übertragungs-Gate 95 zugeführt werden. Das Übertragungs-Gate 85 führt aus der
ersten Speicherzellenmatrix 84 gelesene Daten dem Leseverstärker
86 durch eine I/O-Leitung 102 zu, während von dem Sehreibschaltkreis 88 durch die I/O-Leitung 102 erhaltene
Daten zu der ersten Speicherzellenmatrix 84 übertragen werden. Auf eine ähnliche Weise überträgt das Übertragungs-Gate
95 die aus der zweiten Speicherzellenmatrix 94 gelesenen
Daten durch eine I/O-Leitung 103 an den Leseverstärker 96,
während von dem Schreibschaltkreis 98 erhaltene Daten über die I/O-Leitung 103 der zweiten Speicherzellenmatrix 94 übertragen
werden. Der Leseverstärker 86 wird durch die Signale SE_,r gesteuert, damit die Lesedaten verstärkt werden und sie
dem Datenzwischenspeicher 87 zugeführt werden, der wiederum zeitweilig die Ausgangssignale von den Leseverstärkern 86
speichert. Wenn die Signale SE„ auf niedrigen Pegeln sind,
ist der Datenzwischenspeicher 87 elektrisch von dem Leseverstärker
86 getrennt. Daten von dem Datenzwischenspeicher 87 werden dem Ausgangszwischenspeicher 89 (output latch) zugeführt,
während die Signale 0E„v auf hohem Pegel sind. Auf
ähnliche Weise wird der Leseverstärker 96 durch die Signale
SEnn gesteuert, damit die Lesedaten verstärkt werden und dem
Datenzwischenspeicher 97 zugeführt werden, der wiederum die Ausgangssignale von den Leseverstärkern 96 zeitweilig speichert.
Wenn die Signale SEQ auf niedrigem Pegel sind, ist der Datenzwischenspeicher 97 elektrisch von dem Leseverstärker
96 getrennt. Weiter werden Daten von dem Datenzwischenspeicher 97 zu dem Ausgangszwischenspeicher 89 übertragen,
während die Signale OEQD auf hohem Pegel sind. Der Ausgangszwischenspeicher
89 gibt die um M Zyklen verzögerten Daten synchron mit den Grundtaktpulsen $„ aus und führt sie den
Ausgangsanschlüssen 8CL bis 80 zu. Die Adreßzähler 81 bzw. 91 sind mit Rückstellkreisen versehen, damit sie bei jedem
M-ten Zyklus zurückgesetzt werden.
Mit Bezug auf Fig. 4 wird jetzt die Tätigkeit der in Fig. 3
gezeigten Ausführungsform beschrieben. In der folgenden Beschreibung bezeichnen die Symbole D1 bis D-. die durch die
zugehörigen Eingangsanschlüsse 90. bis 90 erhaltenen Eingangsdaten,
die neu in den zugehörigen Adressen A bis AM
der Speicherzellenmatrizen 84 und 94 gespeichert werden sollen, und die Symbole PD bis PD. bezeichnen die von den
zugehörigen Adressen A1 bis A.. gelesenen Ausgangsdaten.
Der Taktgenerator 101 erzeugt die Signale φ v und durch Dividieren
der Grundtaktpulse φ^ in Antiphase die Signale Φητ,.
ο UiJ
Der Adreßzähler 81 wird durch die Signale ^7,,.betrieben, damit
JiV Signale für gerade Adressen Ad_„ in einem Zyklus zweimal dem
der Grundtaktpulse (oQ erzeugt werden, damit Signale für gerade
X Adressen an die X-Decodierer 82 ausgegeben werden und Signale für gerade Y-Adressen an die Y-Decodierer 83. Auf der
anderen Seite wird der Adreßzähler 91 durch die Signale ^0n
betrieben, damit Signale für ungerade Adressen Ad„n in einem
Zyklus zweimal dem der Grundtaktpulse φο erzeugt werden,
damit Signale für ungerade X-Adressen an die X-Decodierer 92 ausgegeben werden und Signale für ungerade Y-Adressen an die
Y-Decodierer 93. Es muß hier festgehalten werden, daß die
Signale für gerade Adressen Ad£ um einen Zyklus der Grundtaktpulse
#„■ phasenverschoben gegenüber den jeweiligen Signalen
für ungerade Adressen Adn_ sind.
Unter der Annahme, daß die Ausgangssignale des Adreßzählers 81 die Adresse Ap in der ersten Speicherzellenmatrix 84 bezeichnet,
wird durch die X-und Y-Decodierer 82 bzw. 83 auf η Speicherzellen, die in der Adresse A? gelegen sind, zugegriffen,
so daß schon vor (M"- l) Zyklen gespeicherte n-Bit-Daten PD? durch die I/O-Leitung 102 durch das Übertragungs-Gate
85 ausgelesen werden. Die Daten PD„ werden durch den
Leseverstärker 86 während der Hochpegelperiode des Signales SE„V verstärkt und in die Datenzwischenspeicher 87 gebracht.
Der Datenzwischenspeicher 87 wird an dem hinteren Ende des
Signales SE„V von dem Leseverstärker 86 elektrisch getrennt
und hält damit die Lesedaten PD? während der Niedrigpegelperiode
des Signales SE1-,,.. Die in dem Datenzwischenspeicher
87 gehaltenen Daten PD? werden dem Ausgangszwischenspeicher
89 während einer Hochpegelperiode des Signales OE1-,^ zugeführt
JiV und von den η Ausgangsanschlüssen 8O1 bis 80 ausgegeben. Auf
der anderen Seite arbeitet der Schreibschaltkreis 88 während einer Hochpegelperiode des Signales WE„.r, damit durch die
JiV
Eingangsanschlüsse 9O1 bis 90 erhaltene neue n-Bit-Daten D?
geschrieben werden und in einem Eingangszwischenspeicher 99 in den Speicherzellen der gleichen Adresse A? gespeichert
werden. Somit ist die Lesen-nach-Sehreiben-(read-modifiedwrite)-Tätigkeit
(die Zeit für die Reihe von Tätigkeiten wird weiterhin als "Adressenzyklus" bezeichnet) für die Adresse
Ap beendet.
In der zweiten Speicherzellenmatrix 94 beginnt ein Adressenzyklus für die Adresse A nach dem Ablauf eines Zyklusses der
Grundtaktpulse φ vom Beginn des Adressen-zyklus.ses für die
Adresse A„. Das Ausgangssignal von dem Adreßzähler 91 be-
zeichnet die Adresse A„ und η in der Adresse A„ gelegene
Speicherzellen werden durch die X-und Y-Decodierer 92 und
angesprochen, und damit werden schon(M - 1) Zyklen vorher gespeicherte n-Bit-Daten PD„ auf der I/O-Leitung 103 durch das
Übertragungs-Gate 95 gelesen. Die Daten PD0 werden durch die
Leseverstärker 96 während einer Hochpegelperiode des Signals SEnn verstärkt und in den Datenzwischenspeicher 97 geholt.
Der Datenzwischenspeicher 97 wird bei dem hinteren Ende des Signales SEnn von dem Leseverstärker 96 elektrisch getrennt,
damit werden die Lesedaten PD0 während der Niedrigpegelperiode
des Signales SE_n gehalten. Dann wird das Signal
0Enn auf einen hohen Pegel gebracht, wodurch die Daten PD'
zu dem Ausgangsspeicher 89 gebracht werden und von η Ausgangsanschlüssen 8O1 bis 80 ausgegeben werden. Auf der anderen
Seite arbeitet der Schreibschaltkreis 89, wenn das Signal WEnn auf einem hohen Pegel ist und schreibt durch die Eingangsanschlüsse
90 bis 90 erhaltene neue n-Bit-Daten D0,
xn ο
damit sie in dem Eingangsspeicher 99 in Speicherzellen der Adresse A0 gespeichert werden. So ist dann ein Adressenzyklus
für die Adresse A0 beendet. Nach dem Ablauf eines Zyklusses
der Grundtaktpulse φ^ vom Beginn des Adressenzyklus für die
Adresse AQ beginnt ein Adressenzyklus für die Adresse A.,
neue Daten PD. in der ersten Speicherzellenmatrix 84 zu lesen.
Wie oben beschrieben, werden die in der Taktrate der Grundtaktpulse
(zL· erhaltenen Eingangsdaten abwechselnd in die
erste und zweite Speicherzellenmatrix 84 und 94 geschrieben, während sie abwechselnd von den Ausgangsanschlüssen 8O1 bis
80 in der Taktrate der Grundtaktpulse φα ausgegeben werden
η ο
mit einer Verzögerung um M Zyklen der Grundtaktpulse ?L vom
Zeitpunkt an, an dem die Lesedaten von den Speicherzellenmatrizen 84 und 94 erhalten sind. Daher dient der in Fig. 3
gezeigte Schaltkreis als eine digitale Verzögerungseinheit, die eine Verzögerung von M Zyklen erreicht.
Obwohl die Signale OEEV und ΟΕ_β zum Steuern der Ausgangssignale
der Datenspeicher 87 und 97 benutzt werden, können sie durch die Signale $™. und ^_n ersetzt werden. Weiterhin
können die Signale WEE„ und WEQD durch die Signale SE00 und
SE„., ersetzt werden.
Jj V - '. .
Obwohl die Signale SE„ in den ersten Halbperioden (jede
entspricht einem Zyklus der Grundtaktpulse φ~) der Adressenzyklen
für die geraden Adressen aktiviert werden und die Signale WE„V in den zweiten Halbperioden (jede entspricht
einem Zyklus der Grundtaktpulse φ~) aktiviert werden, können
beide Signale SE„„ und WE_.r in den zweiten Halbperioden der
to V to V
Zyklen für gerade Adressen aktiviert werden. Wichtig ist, daß die read-modified-write-Tätigkeit innerhalb des Adressenzyklusses
für jede gerade Adresse beendet wird. Dieses trifft auch für die Signale SE„ und WEQD in den Adressenzyklen für
die ungeraden Adressen zu.
Obwohl auf zwei Speicherzellenmatrizen, die Adreßräume von
,zugegriffen wird
gleicher Speicherkapazität haben/, damit eine Datenverschiebung
um eine gerade Anzahl der. Einheitsverschiebungen in der vorgenannten Ausführungsform erreicht wird, kann eine Vorrichtung
wie ein Ein-Stufen-Verzögerungskreis (Register) unmittelbar vor oder hinter dem Ausgangsspeicher 89 vorgesehen
werden, damit eine Datenverschiebung um eine ungerade Anzahl erzielt wird.
Weiterhin kann die erfindungsgemäße digitale Verzögerungseinheit durch einen statischen Speicherkreis oder einen dynamischen
Speicherkreis realisiert werden.
In Fig. 5 sind die Bauteile, die denen in Fig. 3 identisch
sind, mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und ihre Be-Schreibung wird nicht nochmal gebracht. In Fig. 5 ist ein Taktgenerator 104 dargestellt, der Grundtaktpulse ?1 von einem
Eingangsanschluß 100 erhält, erzeugt verschiedene Taktsignale i$L, SEEV, SE0DjWEEV, WE0D, 0EEV und 0EQD auf der Basis der
Grundtaktpulse φ^ in Zeitabschnitten wie in Fig. 7 gezeigt.
Die Signale φ, werden durch Frequenzteilung der Grundtakte </o
erhalten, haben eine doppelte Periode und werden einem Adreßzähler 81 in einem Verzögerungsspeicherkreis 105 und 106
(delay latch circuit) eingegeben.
Der Adreßzähler 81 erhält die Signale ΦΊ , damit Signale für
gerade X-Adressen einem X-Decodierer 82 und Signale für gerade Y-Adressen einem Y-Decodierer 83 in dem Zyklus der
Signale φ^ zugeführt werden. Ausgangssignale von dem X-Decodierer
82 werden einer ersten Speicherzellenmatrix 84 und einem Verzögerungsspeicherkreis 106 zugeführt. Ausgangssignale
von dem Y-Decodierer 83 werden einem Übertragungs-Gate 85 und einem Verzögerungsspeicherkreis 105 zugeführt. Ausgangssignale
von dem Verzögerungsspeicherkreis 106 werden einer zweiten Speicherzellenmatrix 104 zugeführt, während
jene von dem Verzögerungsspeicherkreis 105 einem Übertragungs Gate 95 zugeführt werden.
Die Verzögerungsspeicherkreise 105 und 106 werden durch eine Mehrzahl von parallelen Speichern gebildet, die durch die
internen Taktpulse φ gesteuert werden. Fig. 6 zeigt ein
J-j
Beispiel für die Schaltkreisanordnung so eines Speichers. Die Speicherkreise wie in Fig. 6 gezeigt werden durch wohlbekannte
statische Speicherkreise vom CMOS-Typ realisiert, die durch Invertierer 109 und 110, ein NMOS-Übertragungs-Gate
107 und ein PMOS-Übertragungs-Gate 108 gebildet werden. Die Invertierer 109 und 110 sind zueinander so in Reihe geschaltet,
daß das NMOS-Übertragungs-Gate 107 Ausgangssignale von dem Y-Decodierer 83 (oder X-Decodierer 82) zu dem Invertierer
109 überträgt und das PMOS-Übertragungs-Gate 108 den Eingangsanschluß des Invertierers 109 und den Ausgangsanschluß des
Invertierers 110 überbrückt. Die Ausgangssignale des Inver-
BAD ORiGlNAt
tierers 110 werden dem Übertragungs-Gate 95 (oder Speicherzellenmatrix
94) zugeführt. Weiterhin erhalten die Übertragungs-Gates 107 und 108 die Taktpulse φ. in ihren Gate-Elektroden.
So werden die Verzögerungsspeicherkreise 105 und 106 durch eine Mehrzahl von parallel angeordneten statischen
Speichern wie in Fig. 6 gebildet.
Mit Bezug auf Fig. 7 wird jetzt die Tätigkeit der darin gezeigten
Ausführungsform beschrieben. In der folgenden Beschreibung bezeichnen die Zeichen D1 bis DM jeweils die n-Bit-Eingangsdaten,
die durch die Eingangsanschlüsse 90. bis 90 in einem Eingangsspeicher 99 empfangen werden, und die
neu in den zugehörigen Adressen A1 bis AM gespeichert werden
sollen, und Symbole PD1 bis'PD.. bezeichnen entsprechend die
aus den zugehörigen Adressen A1 bis AM gelesenen Ausgangsdaten.
Zuerst werden die Grundtaktpulse $„ so geteilt, daß
der Taktgenerator 104 die internen.. Taktpulse. φΎ erzeugt. Bei
dem nachlaufenden Ende der internen Taktpulse φτ wird der
Adreßzähler 8.1 erhöht, und damit ein Signal für gerade Adressen AdEV (siehe Fig. 7) von dem doppelten Zyklus der Grund-
taktpulse ?5„ erzeugt, wodurch Signale für gerade X-Adressen
dem X-Decodierer 82 und Signale für gerade Y-Adressen dem
Y-Decodierer 83 zugeführt werden. Somit werden in den geraden' Adreßzyklen Speicherzellen in der ersten Speicherzellenmatrix
84 ausgewählt, die durch die Ausgangssignale von den X- und Y-Decodierern
82 und 83 eine Ebene für gerade Adressen bilden.
Der den Verzögerungsspeicherkreis 106 (siehe Fig. 6) bildende
Speicher (latch) holt die Ausgangssignale von dem X-Decodierer 82 bei dem vorlaufenden Ende der Taktpulse φ , und somit
J_i
verzögert der Verzögerungsspeicherkreis (106) die Ausgangssignale von dem X-Decodierer 82 und einen Zyklus der Grundtaktpulse
φ~ und überträgt sie einer zweiten Speicherzellenmatrix
94. Da der in Fig. 6 gezeigte Speicher und seine Funk-, tion dem Fachmann bekannt sind, wird keine ausführliche Be-
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- L8 -
Schreibung davon gebracht. Auf ähnliche Weise verzögert der Verzögerungsspeicherkreis 105 die Ausgangssignale von dem
Y Decodierer 83 um einen Zyklus der Grundtaktpulse φα und
führt sie dem Übertragungs-Gate 95 zu. Somit sind Speicherzellen in der zweiten Speicherzellenmatrix 65 ausgewählt, die
durch die Ausgangssignale der Verzögerungsspeicherkreise und 106 eine Ebene für ungerade Adressen bilden. Es soll angemerkt
werden, daß die ungeraden Adreßzyklen immer gegenüber den geraden Adreßzyklen um einen Zyklus der Grundtaktpulse $„
verzögert werden. Daher ist diese Ausführungsform in der
Funktion mit der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform äquivalent .
Obwohl der Adreßzähler die durch die Verzögerungsspeicherkreise 105 und 106 zu verzögernden Signale für gerade Adressen
erzeugt und damit die Signale für ungerade Adressen in der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform erhält, kann der
Adreßzähler 81 Signale für ungerade Adressen erzeugen, die um einen Zyklus der Grundtaktpulse $„ verzögert werden, und
damit werden Signale für gerade Adressen erzielt.
Obwohl die Ausgangssignale der Datenspeicher 87 und 97 durch die Signale OE.-,,.. und OEn gesteuert werden, können sie auch
so angeordnet werden, daß sie durch die Taktpulse (z5T und die
dagegen invertierten Signale gesteuert werden.
In der in Fig. 5 gezeigten Ausführungsform werden die Adreßsignale
zum Zugriff auf die Speicherzellen von entweder der ersten oder der zweiten Speicherzellenmatrix erzeugt, damit
die Adreßsignale zum Zugriff auf die Speicherzellen der anderen Speicherzellenmatrix durch Verzögern der Adreßsignale
um einen Zyklus der Grundtaktpulse (Z$Q erzeugt werden, und
somit können mit nur einer Adreßsignal-Erzeugungseinrichtung zwei Arten von Adreßsignalen erzeugt werden, damit wird die
Schaltkreisstruktur im Vergleich zu der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform vereinfacht.
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Claims (4)
1. Digitale Verzögerungseinheit zur Ausgabe von um einen
vorgeschriebenen Zeitabschnitt verzögerten Eingangssignalen in Synchronisation mit Grundtaktpulsen gesteuert, wobei die digitale Verzögerungseinheit Eingangsanschlüsse zum Empfangen von Eingangsdaten in Synchronisation mit den Grundtaktpulsen aufweist,
gekennzeichnet durch:
vorgeschriebenen Zeitabschnitt verzögerten Eingangssignalen in Synchronisation mit Grundtaktpulsen gesteuert, wobei die digitale Verzögerungseinheit Eingangsanschlüsse zum Empfangen von Eingangsdaten in Synchronisation mit den Grundtaktpulsen aufweist,
gekennzeichnet durch:
eine Generatorvorrichtung für Signale für gerade Adressen (81, 82, 83) zum Erzeugen von Signalen für gerade Adressen
in Synchronisation mit den Grundtaktpulsen $„;
- eine Generatorvorrichtung für Signale für ungerade Adressen
(91, 92, 93, 105, 106) zum Erzeugen von Signalen für
ungerade Adressen in Synchronisation mit den Grundtaktpulsen (Z$s;
- eine erste Speicherzellenmatrix (84) mit einem Adressenplatz für gerade Adressen, der durch die Signale für gerade
Adressen bezeichnet wird;
PATENTANWALT D1PL.-PHYS. LUTZ H. PRÜFER ■ D-8000 MÜNCHEN 90 ■ HARTHAUSER STR. 25d · TEL. (O 89) 640 640
-A-
eine zweite Speicherzellenmatrix (94) mit einem Adressenplatz für ungerade Adressen, der durch die Signale für
ungerade Adressen bezeichnet wird;
- eine erste Verriegelungsschaltungseinrichtung (87) zum
zeitweiligen Speichern und Halten von Daten, die durch die Signale für gerade Adressen adressbezeichnet und aus
der ersten Speicherzellenmatrix (84) gelesen werden; eine erste Datenschreibeinrichtung (88) zum Schreiben von
Eingangsdaten von den Eingangsanschlüssen (9O1 - 90 ), während die Daten aus der ersten Speicherzellenmatrix (84)
in der ersten Verriegelungsschaltungseinrichtung (87) gespeichert und gehalten werden, in Speicherzellen der durch
die Signale für gerade Adressen laufend bezeichneten ersten Speicherzellenmatrix (84);
- eine zweite Verriegelungsschaltungeinrichtung (97) zum zei15"eiligen Speichern und Halten von Daten, die aurch die
Signale für ungerade Adressen adressbezeichnet und aus der zweiten Speicherzellenmatrix (94) ausgelesen werden;
- eine zweite Datenschreibeinrichtung (98) zum Schreiben von Eingangsdaten von den Eingangsanschlüssen (9O1 - 90 ),
während die Daten aus der zweiten Speicherzellenmatrix (94) in der zweiten Verriegelungsschaltungseinrichtung
(97) gespeichert und gehalten werden, in Speicherzellen der durch die Signale für ungerade Adressen laufend bezeichneten
zweiten Speicherzellenmatrix (94); und
- eine Vorrichtung zum abwechselnden Ausgeben von in der ersten und zweiten Verriegelungsschaltungseinrichtung (87,
97) gespeicherten und gehaltenen Daten bei der Taktrate der Grundtaktpulse φ .
2. Digitale Verzögerungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß
- die Generatorvorrichtung für Signale für gerade Adressen (81, 82, 83) Signale für gerade Adressen während zweier
Grundtaktpulse $„ erzeugt, und
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die Generatorvorrichtung für Signale für ungerade Adressen (91, 92, 93, 105, 106) Signale für ungerade Adressen während
zweier Grundtaktpulse $„ erzeugt,
wobei die Signale für ungerade Adressen gegenüber den Slgnalen
für gerade Adressen um eine Periode der Grundtaktpulse φα
phasenverschoben sind,
3. Digitale Verzögerungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
- die Generatorvorrichtung für Signale für gerade Adressen (81, 82, 83) Signale für gerade Adressen während zweier
Grundtaktpulse $„ erzeugt und
- die Generatorvorrichtung für Signale für ungerade Adressen
(91, 92, 93, 105, 106) eine Verzögerungseinrichtung (105, 106) zum Verzögern der Signale für gerade Adressen um eine,
Periode der Grundtaktpulse (z5Q aufweist.
4. Digitale Verzögerungseinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß
- die Generatorvorrichtung für Signale für ungerade Adressen
(91, 92, 93, 105, 106) Signale für ungerade Adressen während zweier Grundtaktpulse (z5„ erzeugt, und
- die Generatorvorrichtung für Signale für gerade Adressen
(81, 82, 83) eine Verzögerungseinrichtung zum Verzögern
der Signale für ungerade Adressen um eine Periode der
Grundtaktpulse fzL· aufweist.
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' ' .Jr
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59264738A JPS61142814A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | デイジタル遅延装置 |
JP59267954A JPS61144113A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | デイジタル遅延装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3543911A1 true DE3543911A1 (de) | 1986-06-26 |
DE3543911C2 DE3543911C2 (de) | 1988-12-15 |
Family
ID=26546644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19853543911 Granted DE3543911A1 (de) | 1984-12-14 | 1985-12-12 | Digitale verzoegerungseinheit |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4849937A (de) |
DE (1) | DE3543911A1 (de) |
NL (1) | NL8503451A (de) |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4937770A (en) * | 1986-02-07 | 1990-06-26 | Teradyne, Inc. | Simulation system |
US5237532A (en) * | 1986-06-30 | 1993-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Serially-accessed type memory device for providing an interleaved data read operation |
US5280448A (en) * | 1987-11-18 | 1994-01-18 | Sony Corporation | Dynamic memory with group bit lines and associated bit line group selector |
US5099297A (en) * | 1988-02-05 | 1992-03-24 | Emanuel Hazani | EEPROM cell structure and architecture with programming and erase terminals shared between several cells |
US5724540A (en) * | 1988-03-28 | 1998-03-03 | Hitachi, Ltd. | Memory system having a column address counter and a page address counter |
US5335336A (en) * | 1988-03-28 | 1994-08-02 | Hitachi, Ltd. | Memory device having refresh mode returning previous page address for resumed page mode |
DE3928902C2 (de) * | 1988-08-31 | 1996-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterspeicher und Verfahren zum Betreiben desselben und Verwendung desselben in einem Video-RAM |
US5016216A (en) * | 1988-10-17 | 1991-05-14 | Waferscale Integration, Inc. | Decoder for a floating gate memory |
GB8906354D0 (en) * | 1989-03-20 | 1989-05-04 | Inmos Ltd | Memory accessing |
US6564308B2 (en) | 1989-05-05 | 2003-05-13 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Multiple mode memory module |
US5261073A (en) * | 1989-05-05 | 1993-11-09 | Wang Laboratories, Inc. | Method and apparatus for providing memory system status signals |
US5307469A (en) * | 1989-05-05 | 1994-04-26 | Wang Laboratories, Inc. | Multiple mode memory module |
JP3103575B2 (ja) * | 1989-05-26 | 2000-10-30 | 松下電器産業株式会社 | 半導体記憶装置 |
GB2232797B (en) * | 1989-06-16 | 1993-12-08 | Samsung Semiconductor Inc | RAM based serial memory with pipelined look-ahead reading |
US5214610A (en) * | 1989-09-22 | 1993-05-25 | Texas Instruments Incorporated | Memory with selective address transition detection for cache operation |
US5261064A (en) * | 1989-10-03 | 1993-11-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Burst access memory |
US5311471A (en) * | 1989-11-27 | 1994-05-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
IL96808A (en) | 1990-04-18 | 1996-03-31 | Rambus Inc | Introductory / Origin Circuit Agreed Using High-Performance Brokerage |
US6751696B2 (en) | 1990-04-18 | 2004-06-15 | Rambus Inc. | Memory device having a programmable register |
JP2531829B2 (ja) * | 1990-05-01 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | スタティック型メモリ |
JP2900523B2 (ja) * | 1990-05-31 | 1999-06-02 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置の書込回路 |
US5206944A (en) * | 1990-06-07 | 1993-04-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High speed analog to digital converter board for an IBM PC/AT |
US5285421A (en) * | 1990-07-25 | 1994-02-08 | Advanced Micro Devices | Scheme for eliminating page boundary limitation on initial access of a serial contiguous access memory |
JP2740063B2 (ja) * | 1990-10-15 | 1998-04-15 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US6249481B1 (en) * | 1991-10-15 | 2001-06-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
DE69114825T2 (de) * | 1990-12-21 | 1996-08-08 | Sun Microsystems Inc | Verfahren und Einrichtung zur Erhöhung der Verarbeitungsgeschwindigkeit eines Anzeigesystems mit Doppel-Pufferspeicher. |
US5247644A (en) * | 1991-02-06 | 1993-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Processing system with improved sequential memory accessing |
JP2874375B2 (ja) * | 1991-04-11 | 1999-03-24 | 日本電気株式会社 | ダブルバッファ形エラスティック・ストア |
JP3178859B2 (ja) * | 1991-06-05 | 2001-06-25 | 株式会社東芝 | ランダムアクセスメモリ装置およびそのパイプライン・ページモード制御方法 |
US5784327A (en) * | 1991-06-12 | 1998-07-21 | Hazani; Emanuel | Memory cell array selection circuits |
JPH05101201A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Rohm Co Ltd | オプシヨン設定回路 |
KR940008811B1 (ko) * | 1991-10-17 | 1994-09-26 | 삼성전자 주식회사 | 멀티방식용 비데오 필드 메모리장치 및 그 프로세싱 방법 |
JP2999869B2 (ja) * | 1991-11-15 | 2000-01-17 | 沖電気工業株式会社 | メモリアクセス方式 |
US5559990A (en) * | 1992-02-14 | 1996-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memories with burst mode access |
US6310821B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Clock-synchronous semiconductor memory device and access method thereof |
DE69325119T2 (de) * | 1992-03-19 | 1999-11-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Taktsynchronisierter Halbleiterspeicheranordnung und Zugriffsverfahren |
JPH05274862A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ装置 |
JP2803466B2 (ja) * | 1992-04-28 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置の救済方法 |
US5305281A (en) * | 1992-08-06 | 1994-04-19 | National Semiconductor Corporation | Multiple array memory device with staggered read/write for high speed data access |
US5309395A (en) * | 1992-10-22 | 1994-05-03 | At&T Bell Laboratories | Synchronous static random access memory |
JP3164939B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2001-05-14 | 富士通株式会社 | 記憶装置の試験回路を備えた装置 |
US5453957A (en) * | 1993-09-17 | 1995-09-26 | Cypress Semiconductor Corp. | Memory architecture for burst mode access |
US5504503A (en) * | 1993-12-03 | 1996-04-02 | Lsi Logic Corporation | High speed signal conversion method and device |
US5555529A (en) * | 1993-12-28 | 1996-09-10 | Intel Corporation | Power saving architecture for a cache memory |
US5506810A (en) * | 1994-08-16 | 1996-04-09 | Cirrus Logic, Inc. | Dual bank memory and systems using the same |
US5493241A (en) * | 1994-11-16 | 1996-02-20 | Cypress Semiconductor, Inc. | Memory having a decoder with improved address hold time |
US5513148A (en) * | 1994-12-01 | 1996-04-30 | Micron Technology Inc. | Synchronous NAND DRAM architecture |
US6810449B1 (en) | 1995-10-19 | 2004-10-26 | Rambus, Inc. | Protocol for communication with dynamic memory |
US6035369A (en) | 1995-10-19 | 2000-03-07 | Rambus Inc. | Method and apparatus for providing a memory with write enable information |
US6470405B2 (en) | 1995-10-19 | 2002-10-22 | Rambus Inc. | Protocol for communication with dynamic memory |
US5835970A (en) * | 1995-12-21 | 1998-11-10 | Cypress Semiconductor Corp. | Burst address generator having two modes of operation employing a linear/nonlinear counter using decoded addresses |
US5950219A (en) * | 1996-05-02 | 1999-09-07 | Cirrus Logic, Inc. | Memory banks with pipelined addressing and priority acknowledging and systems and methods using the same |
JPH10111828A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | メモリシステム、データ転送方法 |
US6167486A (en) | 1996-11-18 | 2000-12-26 | Nec Electronics, Inc. | Parallel access virtual channel memory system with cacheable channels |
US6266379B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-07-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Digital transmitter with equalization |
US6401167B1 (en) | 1997-10-10 | 2002-06-04 | Rambus Incorporated | High performance cost optimized memory |
AU9604698A (en) * | 1997-10-10 | 1999-05-03 | Rambus Incorporated | Method and apparatus for two step memory write operations |
US6262936B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-17 | Cypress Semiconductor Corp. | Random access memory having independent read port and write port and process for writing to and reading from the same |
US6262937B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-17 | Cypress Semiconductor Corp. | Synchronous random access memory having a read/write address bus and process for writing to and reading from the same |
US6069839A (en) | 1998-03-20 | 2000-05-30 | Cypress Semiconductor Corp. | Circuit and method for implementing single-cycle read/write operation(s), and random access memory including the circuit and/or practicing the method |
TW430815B (en) * | 1998-06-03 | 2001-04-21 | Fujitsu Ltd | Semiconductor integrated circuit memory and, bus control method |
EP1028427B1 (de) * | 1999-02-11 | 2007-07-25 | Infineon Technologies North America Corp. | Hierarchische Vorausladung in Halbleiterspeicheranordnungen |
US6084819A (en) * | 1999-07-06 | 2000-07-04 | Virage Logic Corp. | Multi-bank memory with word-line banking |
US6708254B2 (en) | 1999-11-10 | 2004-03-16 | Nec Electronics America, Inc. | Parallel access virtual channel memory system |
US6240031B1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-05-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Memory architecture |
US6400642B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-06-04 | Cypress Semiconductor Corp. | Memory architecture |
JP3474147B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2003-12-08 | 沖電気工業株式会社 | データ出力回路 |
DE10110624B4 (de) * | 2001-03-06 | 2010-04-08 | Qimonda Ag | Integrierter Speicher mit mehreren Speicherbereichen |
DE10117614B4 (de) | 2001-04-07 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers mit doppelter Datenübertragungsrate und Halbleiterspeicher |
US8391039B2 (en) | 2001-04-24 | 2013-03-05 | Rambus Inc. | Memory module with termination component |
US6675272B2 (en) * | 2001-04-24 | 2004-01-06 | Rambus Inc. | Method and apparatus for coordinating memory operations among diversely-located memory components |
US7301831B2 (en) | 2004-09-15 | 2007-11-27 | Rambus Inc. | Memory systems with variable delays for write data signals |
US7821866B1 (en) | 2007-11-14 | 2010-10-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Low impedance column multiplexer circuit and method |
KR102084461B1 (ko) * | 2013-03-04 | 2020-04-14 | 삼성전자 주식회사 | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2415600A1 (de) * | 1973-04-02 | 1974-10-10 | Amdahl Corp | Speicher fuer datenverarbeitungssystem und verfahren zur datenverarbeitung |
DE2364254B2 (de) * | 1973-12-22 | 1976-03-18 | Schaltungsanordnung fuer datenverarbeitende geraete | |
US4171538A (en) * | 1978-01-23 | 1979-10-16 | Rockwell International Corporation | Elastic store slip circuit apparatus for preventing read and write operations interference |
DE2751022C2 (de) * | 1976-11-15 | 1985-10-03 | Rca Corp., New York, N.Y. | Videosignalverarbeitungsschaltung zur Kompensation von Aussetzern bei einem Farbvideosignal |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1589476A (en) * | 1976-11-15 | 1981-05-13 | Rca Corp | Dropout compensator circuit |
US4361869A (en) * | 1980-01-08 | 1982-11-30 | Honeywell Information Systems Inc. | Multimode memory system using a multiword common bus for double word and single word transfer |
US4513372A (en) * | 1982-11-15 | 1985-04-23 | Data General Corporation | Universal memory |
US4740923A (en) * | 1985-11-19 | 1988-04-26 | Hitachi, Ltd | Memory circuit and method of controlling the same |
-
1985
- 1985-12-12 DE DE19853543911 patent/DE3543911A1/de active Granted
- 1985-12-16 NL NL8503451A patent/NL8503451A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-03-17 US US07/169,066 patent/US4849937A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2415600A1 (de) * | 1973-04-02 | 1974-10-10 | Amdahl Corp | Speicher fuer datenverarbeitungssystem und verfahren zur datenverarbeitung |
DE2364254B2 (de) * | 1973-12-22 | 1976-03-18 | Schaltungsanordnung fuer datenverarbeitende geraete | |
DE2751022C2 (de) * | 1976-11-15 | 1985-10-03 | Rca Corp., New York, N.Y. | Videosignalverarbeitungsschaltung zur Kompensation von Aussetzern bei einem Farbvideosignal |
US4171538A (en) * | 1978-01-23 | 1979-10-16 | Rockwell International Corporation | Elastic store slip circuit apparatus for preventing read and write operations interference |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8503451A (nl) | 1986-07-01 |
DE3543911C2 (de) | 1988-12-15 |
US4849937A (en) | 1989-07-18 |
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---|---|---|
DE3543911A1 (de) | Digitale verzoegerungseinheit | |
DE4027187C2 (de) | Halbleiterspeicher | |
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