DE3446956A1

DE3446956A1 - Verfahren zum herstellen eines einkristall-substrates aus siliciumcarbid

Info

Publication number: DE3446956A1
Application number: DE19843446956
Authority: DE
Inventors: Katsuki Sakai Osaka Furukawa; Akira Nara Suzuki
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1983-12-29
Filing date: 1984-12-21
Publication date: 1985-07-11
Also published as: JPS60145992A; JPH0138080B2; DE3446956C2; US5037502A

Description

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Verfahren zum Herstellen eines Einkristall-Substrates aus Siliciumcarbid

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Einkristall-Substrates aus ct-Siliciumcarbid (SiC).

Siliciumcarbid ist ein Halbleitermaterial mit einer weiten unerlaubten oder verbotenen Energielücke von 2,2 bis 3/3 Elektronenvolt (eV) und ist thermisch, chemisch und mechanisch stabil. Es ist ferner gegen Strahlungsbeschädigung weitgehend resistent. Sowohl p-Typ als auch η-Typ Siliciumcarbide besitzen eine gute Stabilität, was für Halbleiter mit breiter Energielücke selten ist und was diese Siliciumcarbide als Halbleitermaterial für optoelektronische Vorrichtungen brauchbar macht, die sichtbares Licht kurzer Wellenlängen verwenden, ferner für unter hohen Temperaturen oder mit hoher elektrischer Leitung arbeitende elektronische Vorrichtungen, ferner für außerordentlich zuverlässige Halbleiteranordnungen, ferner für strahlungsresistente

Vorrichtungen etc. Diese SiIiciurnearbide sind auch in Umgebungen einsetzbar, wo sich ansonsten mit Anordnungen aus konventionellen Halbleitermaterialien Schwierigkeiten ergeben. Der Anwendungsbereich von Halbleiteranordnungen ist bei Verwendung solcher Siliciumcarbide erheblich vergrößert. Da andere Halbleitermaterialien mit breiten Energielücken wie Halbleiter aus II - VI Gruppen, insbesondere III - V Gruppen üblicherweise ein Schwermetall als eine Hauptkomponente enthalten, gibt es bei ihnen Schwierigkeiten hinsichtlich der Umweltverschmutzung und der Beschaffung der Ausgangsmaterialien, welche Schwierigkeiten bei Siliciumcarbid nicht auftreten.

Siliciumcarbid hat viele variierende Strukturen (d.h. PoIy- typ-Strukturen), die in zwei Typenklassen eingeteilt werden, und zwar in Ji,- und ß-Siliciumcarbide. ^-Siliciumcarbid besitzt eine hexagonale oder rhomboedrische Kristallstruktur mit einer verbotenen oder unerlaubten Energielücke von 2,9 bis 3,3 eV, während ß-Siliciumcarbid eine kubische Kristallstruktur und eine Energielücke von nur 2,2 eV besitzt. Es ist deshalb ,({/-Siliciumcarbid ein Halbleitermaterial, das als optoelektronische Anordnung wie als lichtemittierende Anordnung, Fotodetektor usw. verwendet werden kann, und zwar für sichtbares Licht kurzer WeI-lenlängen einschließlich blauem und ultraviolettnahem Licht. Als konventionelle Halbleitermaterialien für solche lichtemittierende Anordnungen für sichtbares Licht kurzer Wellenlängen einschließlich blauem Licht ist Zinksulfid (ZnS), Zinkselenid (ZnSe), Galliumnitrit (GaN), usw.

verwendet worden. Jedoch konnten aus diesen Materialien nur Kristalle gebildet werden, die entweder eine p-Typ- oder eine n-Typ-Leitfähigkeit hatten. Demgegenüber gestattet ^-Siliciumcarbid die Herstellung eines Kristalles, der sowohl die p-Typ- als auch die n-Typ-Leitfähigkeiten hat und deshalb die Bildung einer p-n-Junctionsstruktur gestattet, so daß die damit geschaffenen lichtemittieren-

den Anordnungen und Fotodetektoren exzellente optische und elektrische Charakteristika haben. Weiterhin ist.cC-Siliciumbarbid thermisch, chemisch und mechanisch so stabil, daß es im Vergleich mit anderen Halbleitermaterialien einen erheblich vergrößerten Anwendungsbereich für Halbleiteranordnungen ermöglicht.

Trotz dieser vielen Vorteile und Eignungen sind Siliciumcarbide, einschließlich der c&- und der ß-Typen noch nicht in größerem Umfang verwendet worden, da eine Technik zum Züchten von Siliciumcarbidkristallen zu entwickeln war, mit der diese so gut reproduzierbar sind, wie es für kommerzielle Herstellung hochqualitativer Siliciumcarbidsubstrate mit einer großen Oberfläche unabdingbar ist.

Konventionelle Verfahren zum labormäßigen Präparieren von Einkristall-Substraten aus Siliciumcarbid umfassen die sogenannte Sublimationsmethode, d.h., die LeIy-Methode, bei der Siliciumcarbidpulver in einem Graphittiegel bei 2200⁰C bis 2600⁰C sublimiert und rekristallisiert wird, um ein Siliciumcarbidsubstrat zu erhalten, oder die sogenannte Lösungs-Methode, bei der Silicium oder eine Mischung aus Silicium mit Verunreinigungen wie Eisen, Kobalt, Platin oder.dgl. in einem Graphittiegel zum Bilden eines Siliciumcarbidsubstrates geschmolzen wird, und ferner die Acheson-Methode, die üblicherweise zur kommerziellen Herstellung von Schleifstoffen eingesetzt wird und bei der Siliciumcarbidsubstrate nebenbei anfallen. Auf den mit diesen Kristallzüchtungsmethoden geschaffenen i^-Siliciumcarbidsubstraten wird eine Einkristallschicht aus (^-Siliciumcarbid mittels der LPE-Technik (Flüssigphase-Epitaxial-Technik) epitaxial gezüchtet und/oder durch die CVD-Technik (chemische Dampfablagerungstechnik) gezüchtet, um eine p-n-Junction zu schaffen, aus der blau emittierende Dioden resultieren.

1 Obwohl mit der Sublimationsmethode oder der Lösungsmethode eine große Anzahl von Kristallen erzielbar ist, ist es schwierig, größere Einkristall-Substrate aus Siliciumcarbid zu erzeugen, da in der Anfangsphase der Züchtung viele Kristallkerne entstehen. Siliciumcarbidsubstrate, die nach der Acheson-Methode als Nebenprodukt entstehen, sind in ihrer Reinheit und Kristallinität so minderwertig, daß sie nicht als Halbleitermaterialien verwendbar sind. Obwohl doch große Einkristallsubstrate dabei anfallen, sind diese nur ein Nebenprodukt und deshalb unbedeutend für die kommerzielle Herstellung von Siliciumcarbidsubstraten. Es ist bei diesen konventionellen Verfahren zur Herstellung von Einkristallsubstraten aus Siliciumcarbid schwierig, die Größe, die Form und die Qualität der Einkristallsubstrate in industriellem Maß zu steuern. Und obwohl die durch die vorerwähnten Kristallzüchtungsmethodeni^-Siliciumcarbidsubstrate gebildet werden, aus denen lichtemittierende Dioden nach der LPE-Technik oder der CVD-Technik erzeugt werden können, ist kein Verfahren zur kommerziellen Produktion hochqualitativer Jj-Typ-Einkristallsubstrate mit großer Oberfläche bekannt, so daß es bisher unmöglich war, die^-Typ-Einkristallsubstrate in großen Quantitäten industriell zu erzeugen.

In früheren Jahren wurde ein Verfahren zum Züchten großdimensionierter Einkristalle aus ß-Typ-Siliciumcarbid mit guter Qualität auf einem Einkristallsubstrat aus Silicium mittels der CVD-Technik vervollkommnet, das aus der JP-A 58-76842/1983 und der damit korrespondierenden US-A-SN 603 454 bekannt ist. Dieses Verfahren enthält die Züchtung eines dünnen Filmes aus Siliciumcarbid auf einem Siliciumsubstrat mittels der CVD-Methode bei niedriger Temperatur und die darauffolgende Züchtung eines Einkristallfilms aus Siliciumcarbid auf dem besagten dünnen Film mittels der CVD-Methode bei einer höheren Temperatur, womit großdimensionierte Einkristallsubstrate aus ß-Silicium-

carbid auf einem mit geringen Kosten beschaffbaren Einkristallsubstrat aus Silicium erzeugbar sind und eine hohe Qualität besitzen, und bei denen der Polytyp, die Konzentration der Verunreinigungen, die elektrische Leitfähigkeit, die Größe, die Form und dgl. der Einkristalle gesteuert werden. ;

Das erfindungsgemäße Verfahren, mit dem die zuvor erläuterten und viele andere Nachteile und Unzulänglichkeiten der bekannten Verfahren vermieden werden, umfaßt die Züchtung eines Einkristallfilms aus {^-Siliciumcarbid auf einem Einkristallfilm aus ß-Siliciumcarbid als ein gezüchtetes Substrat.

Das gezüchtete Substrat wird bei einer bevorzugten Ausführungsform auf eine Temperatur im Bereich zwischen 1400°C bis 1900⁰C erhitzt.

Bei einer weiteren zweckmäßigen AusführungsVariante wird eine Mischung aus Monosilangas und Propangas als ein Quellengas der Oberfläche des gezüchteten Substrates mit Wasserstoffgas als Trägergas zugeführt.

Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform ist der Einkristallfilm aus ß-Siliciumcarbid durch Bedecken der Oberfläche eines Siliciumsubstrates mit einem gleichmäßig dünnen Film aus Siliciumcarbid mit dem CVD-Verfahren bei einer niedrigen Temperatur gezüchtet, ehe danach ein Einkristallfilm aus ß-Siliciumcarbid auf diesem dünnen Film gemäß dem CVD-Verfahren bei einer höheren Temperatur als im vorhergehenden Herstellungsschritt gezüchtet wird. Auf diese Weise schafft die vorbeschriebene Erfindung (1) ein Verfahrenzur Herstellung eines hochqualitativen Einkristallsubstrates mit einer großen Oberfläche auso^-Siliciumcarbid, das in kommerziellem Maß herstellbar ist, und (2) einen praktizierbaren Vorschlag zum Verwenden des besagten Einkristallsub-

strates aus cC-Siliciumcarbid für optoelektronische Anordnungsmaterialien für lichtemittierende Vorrichtungen, Fotodetektoren und dgl. für sichtbares Licht kurzer Wellenlängen einschließlich blauen und ultraviolettnahen Lichts, und

(3) die Möglichkeit eines vergrößerten Anwendungsbereiches der besagten Einkristalle für Halbleiter, bei denen die thermische, chemische und mechanische Stabilität des besagten Einkristalles gewinnbringend benutzt wird .

Die Erfindung wird mit ihren zahlreichen Aspekten und Vorteilen nachstehend anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigt Figur 1 eine Längsschnittansicht einer Züchtvorrichtung zum Züchten eines c^-Siliciumcarbid-Einkristallfilms auf einem ß-Siliciumcarbid-Einkristallsubstrat gemäß der Erfindung.

Allgemein ist die Kristallqualität von epitaxial gezüchteten Schichten infolge der Unterschiede der Größe der Kristallgitter schlecht, als Resultat einer heteroepitaxialen Züchtung (insbesondere wenn ein Halbleiterkristall auf einem fremden Einkristallsubstrat mittels einer Epitaxialtechnik gezüchtet wird), d.h. es ergibt sich eine Ungleichheit in den Kristallgittern. Die Größe des Kristallgitters zeigt dabei die interatomaren Abstände zwischen den Atomen.

Obwohl ß-Siliciumcarbid in seiner Kristallstruktur von oi-Siliciumcarbid verschieden ist, hat sein Kristallgitter annähernd die gleiche Größe wie das Kristallgitter von !^-Siliciumcarbid, so daß die Qualität eines Einkristalls aus dl-Siliciumcarbid, das auf einem Einkristallsubstrat von ß-Siliciumcarbid gezüchtet wird, nicht verschlechtert wird. Zusätzlich besteht das ß-Siliciumcarbidsubstrat aus denselben Atomen wie die gezüchtete Schicht aus Jj -Siliciumcarbid, so daß die gezüchtete Schicht nicht mit Verunreinigun gsn aus dem Substrat versetzt ist, sondern sich ein Einkristallfilm aus (^-Siliciumcarbid mit guter Qualität und Reinheit ergibt.

Figur 1 zeigt eine Züchtungsvorrichtung zum Züchten eines Einkristallfilms aus «^/-Siliciumcarbid auf einem Einkristallsubstrat aus ß-Siliciumcarbid gemäß der Erfindung. Die Vorrichtung weist ein wassergekühltes, horizontal liegendes, aus Quarz bestehendes, äoppelwandiges Reaktorrohr 1 auf, das innenseitig mit einer Graphitäufnähme 2 ausgestattet ist, die durch einen Graphithaltestab 3 abgestützt wird. Um das Reaktorrohr 1 ist eine Arbeitsspule 4 gewunden, die mit einem Hochfrequenzstrom beaufschlagbar ist, um die Aufnahme 2 durch Induktion aufzuheizen. Die Aufnahme 2 kann horizontal oder in zweckmäßiger Weise schräg geneigt angeordnet sein. Die Reaktorröhre 1 ist an ihrem einen Ende mit einem Zweigrohr 5 versehen, das einen Gaseinlaß bildet. Durch weitere Zweigrohre 6,7 wird dem Inneren des äußeren Rohres des Reaktorrohres 1 Kühlwasser zugeführt. Am anderen Ende ist das Reaktorrohr 1 durch einen Flansch 8 aus rostfreiem Stahl, eine Halteplatte 9, Bolzen 10, Muttern 11 und einem O-Ring 12 verschlossen. Im FlanschnS. ist ein Zweigrohr 13 als Gasauslaß angeordnet. Ein Befestigungsabschnitt 14 im Flansch 8 fixiert den Graphitstab 3. Auf der Aufnahme 2 ist ein Einkristallsubstrat 15 aus ß-Siliciumcarbid plaziert, das eine Dicke von annähernd30 μπι und eine Oberfläche von 1 cm χ 1 cm besitzt. Unter Verwendung dieser Vorrichtung werden Kristalle in der nachfolgend erläuterten Weise gezüchtet:

Die Luft innerhalb der Reaktorröhre 1 wird durch Wasserstoff gas ersetzt. Ein Hochfrequenzstrom beaufschlagt die Arbeitsspule 4 und erhitzt die Aufnahme 2, bis das ß-Siliciumcarbidsubstrat 15 eine Temperatur von 1400⁰C bis 1900⁰C, vorzugsweise von 1500⁰C bis 1700⁰C hat. Als ein Quellengas wird Monosilan (SiH.) in die Reaktorröhre 1 mit einem Durchsatz von 0,1 bis 0,4 cm³/min und Propan (C₃Hg) mit einem Durchsatz von 0,1 bis 0,4.cm³/min eingeführt. Als Trägergas wird Wasserstoff in die Reaktorröhre

mit einem Durchsatz zwischen 1 bis 5 cm³/min eingeführt. Diese Gase werden durch das Zweigrohr 5 in das Reaktorrohr 1 über eine Stunde eingeführt. Über die gesamte Oberfläche des ß-Siliciumcarbidsubstrates wird ein Einkristallfilm aus ^-Siliciumcarbid mit einer Dicke von annähernd 2 μπι geformt. Das Einkristall ß-Siliciumcarbid als ein gezüchtetes Substrat für den Einkristallfilm ausJ^-Siliciumcarbid kann, falls dies gewünscht wird, wieder entfernt werden, ζ. B. durch Ätzen, um das dann verbleibende Einkristalle^-SiIiciumcarbid als Halbleitermaterial zu verwenden. _.__..-

Das ß-Siliciumcarbid-Einkristallsubstrat, das als Züchtungssubstrat für das ^-Silicium-Einkristall verwendet wird, kann beispielsweise so hergestellt werden, wie dies in der US-A-SN 603 452, A.T. 24.04.1984 beschrieben wird. Hierbei wird die Oberfläche eines Siliciumsubstrates .mit einem gleichmäßig dünnen Film aus Siliciumcarbid bedeckt, das gemäß dem CVD-Verfahren bei niedriger Temperatur gezüchtet wird, ehe danach ein Einkristallfilia aus ß-Siliciumcarbid auf diesem dünnen Film mit der CVD-Methode bei einer höheren Temperatur als bei dem vorhergehenden Herstellungsschritt gezüchtet wird. ^:

Mit der Angabe "niedrige Temperatur" ist eine Temperatur gemeint, die niedriger ist als die Temperatur zum Züchten eines ß-Siliciumcarbid-Einkristalles und bei der ein dünner Siliciumcarbidfilm gebildet werden kann. Diese niedrige Temperatur liegt insbesondere in einem Bereich zwischen 800⁰C bis 1200⁰C, zweckmäßigerweise zwischen 1000⁰C und 1100⁰C, bei atmosphärischem Druck. Die Temperatur zum Züchten des ß-Siliciumcarbid-Einkristalles liegt hingegen zwischen 1200°C und 1400⁰C, zweckmäßigerweise zwischen 1300⁰C und 135e°C, bei atmosphärischem Druck.

Das CVD-Verfahren wird unter Zuführen eines Quellengases zur Oberfläche eines Siliciumsubstrates durchgeführt, wo-

bei das Quellengas eine Mischung aus Siliciumgas und Kohlenstoff gas ist. Diese Gasmischung wird zusammengesetzt aus einer Siliciumquelle (z.B. SiH., SiCl₄, SiH₃Cl₂, (CH₃J₃SiCl oder (CH₃J₂SiCl₂) und einer Kohlenstoffquelle (z.B. CCl., CH., C₃Hg oder C₃H ). Ein Trägergas wie Wasserstoff oder Argon kann ebenfalls verwendet werden. Bei der Niedrigtemperatur-CVD-Methode wird die Gasmischung üblicherweise mit einem Durchsatz von 0,01 bis 10,0 cm³/min, vorzugsweise zwischen 0,05 bis 5,0 cm³/min zugeführt. Das Mischungsverhältnis zwischen der Siliciumquelle und der Kohlenstoffquelle liegt im allgemeinen zwischen 0,01 bis 10,0, zweckmäßigerweise zwischen 0,5 bis 5,0, gerechnet in bezug auf das Ordnungszahlverhältnis Silicium/Kohlenstoff. Die zum Bilden des dünnen Filmes erforderliche Zeit liegt zwischen 0,5 bis 10 Minuten, zweckmäßigerweise zwischen 1,0 und 5,0 Minuten. Die Dicke des dünnen Filmes beträgt annähernd 10 bis 1000 A, zweckmäßigerweise zwischen annähernd 100 bis 500 Ä, wobei die Dicke primär durch Einstellen der Zufuhr des Gasgemisches und der Filmformzeit steuerbar ist.

In weiterer Folge wird ein Einkristallfilm aus ß-Siliciumcarbid auf dem dünnen Siliciumcarbidfilm mittels der CVD-Methode bei einer angehobenen Züchtungstemperatur von 1200^QC bis 1400⁰C bei atmosphärischem Druck gebildet. Der ß-Siliciumcarbid-Einkristallfilm hat zweckmäßigerweise eine Dicke zwischen 1 und 5o M-¹¹¹ > ^ⁿ ^er Praxis zweckmäßigerweise 0,5 bis 5 μπι oder 10 bis 50 μπι. Ein Film mit einer solchen Dicke läßt sich einfach durch Zuführen des Gasgemisches mit einem Durchsatz von 0,01 bis 10,0 cm³/min, vorzugsweise 0,05 bis 5,0 cm³/min bei einem Mischungsverhältnis (Si/C Ordnungszahlverhältnis) von 0,01 bis 10,0, vorzugsweise zwischen 0,05 bis 5 über eine Züchtungszeit von 0,5 bis 15 Stunden schaffen.

Bevor der resultierende ß-Siliciumcarbid-Einkristallfilm

als Züchtungssubstrat für den pC-Siliciumcarbid-Einkristall verwendet wird, wird natürlich das mit dem ß-Siliciumcarbis-Einkristallfilm bedeckte Siliciumsubstrat entfernt, z.B. durch Säureeinwirkung.

Zusätzlich zu der CVD-Methode kann entweder das ß-Siliciumcarbidsubstrat oder der ^-Siliciumcarbidfilm auch mit dem Sublimationsverfahren, dem LPE-Verfahren, durch Ablagerungsverfahren, durch molekulare Strahlepitaxie, durch Zerstäubungsverfahren oder dgl. gebildet werden.

Es ist hervorzuheben, daß verschiedene andere Modifikationen des erfindungsgemäßen Verfahrensmöglich sind, ohne daß dadurch der Rahmen und der Grundgedanke der Erfindung gesprengt werden würden. Es ist auch nicht beabsichtigt, daß der Schutzumfang der vorstehenden Patentansprüche auf die in der Beschreibung erläuterten Ausführungsbeispiele beschränkt sein soll, sondern daß die Patentansprüche alle patententierbaren und neuen Merkmale der vorliegenden Erfindung umfassen sollen, so auch Äquivalente auf dem Fachgebiet, in das diese Erfindung fällt.

- Leerseite

Claims

WIEGAND NIEMANN KÖHLER GLAESER KRESSIN 3446956

PATE NTANWXlTI

EufopMM Patent Attorneys

MDNCHEN TELEFON: 089-555476/7 DR M KOHlR TELEGRAMME: KARPATEN-DR. H.'-R. KRESSIN T E I EX . 52 9068 K AR P I DR. E. WIEGANDt TELEFAXi 089-595691 (1932-1980)

HAMBURG

DW.-ING. }. GLAESER

DIPL-ING. W. NIEMANNt D-B 0 0 0 MUNCH EN S

(1937-1982) HERZOG-WILHEIM-STR.

W. 44616/84 21. Dezember

SHARP KABUSHIKI KAISHA.. Osaka (Japan)

Verfahren zum Herstellen eines Einkristall--Substrates aus Siliciumcarbid

Patentansprüche

Verfahren zum Herstellen eines Einkristallsubstral:es aus Siliciumcarbid, dadurch gekennzeichnet, daß ein Einkristallfilm aus c£ -Siliciumcarbid auf einem ein Züchtungssubstrat bildenden Einkristallfilm aus ß-Silicium-'>■ 5 carbid gezüchtet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Züchtungssubstrat auf eine Temperatur in einem Bereich zwischen 1400⁰C bis 1900⁰C erhitzt wird.

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3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gemisch aus Monosilangas und Propangas als ein Quellengas der Oberfläche des Züchtungssubstrates mit Wasserstoff als ein Trägergas zugeführt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen des Einkristallfilms aus ß-Siliciumcarbid eine Oberfläche eines Siliciumsubstrates mit einem gleichmäßig dünnen Film aus Siliciumcarbid bedeckt wird, das nach der CVD-Methode bei niedriger Temperatur erzeugt wird, ehe ein Einkristallfilm aus ß--Siliciumcarbid auf dem vorher hergestellten dünnen Film mit der CVD-Methode bei einer höheren Temperatur als beim vorhergehenden Verfahrensschritt gezüchtet wird.
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5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die niedrige Temperatur zwischen 800⁰C und 1200⁰C und die höhere Temperatur zwischen 1200⁰C und 1400⁰C, bei atmosphärischem Druck, beträgt.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet daß die niedrige Temperatur in einem Bereich zwischen 1000°e bis 11OO°C und die höhere Temperatur in einem Bereich zwischen 1300⁰C bis 1350⁰C, bei atmosphärischem Druck, liegt.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden CVD-Verfahrensschritte unter Zuführen eines Gemisches aus Siliciumgas und Kohlenstoffgas zur Oberfläehe des Siliciumsubstrates durchgeführt werden, zweckmäßigerweise unter Verwendung eines Trägergases.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumgas aus der Gruppe folgender Gase: SiH₄₇ SiCl₄, SiH₂Cl₂, (CH₃J₃SiCl und (CH₃J₃SiCl₂ und das Kohlenstoff gas aus der Gruppe-, bestehend aus folgenden Gasen: CCl₄, CH₄, C₃H₈ und C₃H₆ ausgewählt ist.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Mischungsverhältnis des Gemisches des Siliciumgases und des Kohlenstoffgases zwischen 0,01 bis 10,0 bezogen auf das Si/C-Atomzahlverhältnis liegt.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Mischungsverhältnis in einem Bereich von 0,5 bis 5,0 liegt.
11. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der CVD-Methode bei niedriger Temperatur gezüchtete dünne Film aus Siliciumcarbid eine Dicke in einem Bereich von 10 bis 1000 A hat.
12. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der dünne Film eine Dicke in einem Bereich von 100 bis 500 A hat.
13. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Einkristallfilm aus ß-Siliciumcarbid auf dem dünnen Film eine Dicke in einem Bereich von 0,1 bis 50 μπι hat.
14. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Einkristallfilm aus ß-Siliciumcarbid eine Dicke in einem Bereich von 0,5 bis 5 \im oder 10,0 bis 50 μπι hat.