DE3443247C2 - - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 42
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 241000863814 Thyris Species 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
- H02M1/081—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters wherein the phase of the control voltage is adjustable with reference to the AC source
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung gemäß dem
Oberbegriff der Patentansprüche 1 und 4. Eine derartige Schaltungsanordnung
ist durch den Aufsatz von W. Zimmermann "Probleme und Grenzen beim
Einsatz abschaltbarer Thyristoren" in der Zeitschrift "etz-Archiv"
Band 6 (1984) Heft 5, Seiten 189 bis 194, insbesondere Seite 193,
Bild 8, bekannt.
In Fig. 1 der Zeichnung ist eine Ausführung eines solchen Einschalt
steuerkreises dargestellt. Zwei Impulstransformatoren T1 und T2 sowie
zwei Dioden D1 und D2 bilden eine potentialfreie Dauerspannungsquelle.
Diese liefern während der gesamten Einschaltdauer einen Dauer-Gate-Strom
iG. Ein Entkopplungsnetzwerk ist nur zur Zündung von GTO-Thyri
storen, nicht aber zur Zündung von normalen Thyristoren erforderlich.
An den Primärwicklungen der Impulstransformatoren T1 und T2 liegen
(parallel mit je einer Zener-Diode Z bzw. Z′) Feldeffekttransistoren Q1
und Q2. Beide Primärwicklungen sind an eine Gleichspannungsquelle E1
angeschlossen. Die Feldeffekttransistoren Q1 und Q2 sind komplementär
durch abwechselndes Anlegen von Steuerspannungen u1 bzw. u2 geschaltet.
Zur Einstellung von Höhe iFGM, iFG und Zeitverlauf tgp des Zündstro
mes iG, wie er zusammen mit dem Verlauf der Steuerspannungen u1 und u2
über der Zeit t in Fig. 1 (unten) der Zeichnung gezeigt ist, dient ein Netz
werk, das aus den Widerständen R1 und R2 und dem Kondensator C1 be
steht. Bei diesem Einschaltsteuerkreis ist es nachteilig, daß eine
größere Quellenspannung erforderlich ist, um eine starke Abhängigkeit
der Stromamplituden von der Gate-Spannung und der Quellspannung zu
vermeiden. Dies erfordert natürlich einen höheren Leistungsbedarf des
Einschaltsteuerkreises. Ferner ist nachteilig, daß die Zeitdauer tgp
des überhöhten Zündstromes durch den Kondensator C1 eingestellt wird.
Dadurch bestimmt die Entladungsdauer des Kondensators während der
Sperrzeit des Thyristors die Mindestsperrdauer. Bei Anwendungen, die
kürzere Mindestsperrdauern erfordern, ist infolgedessen dieser Ein
schaltsteuerkreis nicht verwendbar.
Durch die Philips Technical publication 004 (Basic GTO drive circuits)
1981, Seite 1 bis 4, ist es bekannt, zur Erzeugung von Zündsignalen
für einen GTO-Thyristor eine schaltbare Stromquelle zu verwenden. Der
zeitliche Verlauf des Signals erfolgt jedoch ebenfalls in Abhängigkeit
von der Ladung des Kondensators. Es entsteht eine gewisse Totzeit,
da stets die Entladung des Kondensators abgewartet werden muß. Die
Zündimpulsüberhöhung zu Anfang des Signals und der nachfolgende Zünd
impulsrücken geringerer Amplitude lassen sich zudem nicht getrennt ein
stellen.
Aus der DE-OS 28 03 011 ist eine Schaltungsanordnung zum potentialfreien
Einschalten eines normalen Thyristors mittels eines Zündimpulses be
kannt, der eine hohe, steile Spitze und einen Impulsrücken aufweist.
Hierzu ist die Primärwicklung eines Übertragers über einen ersten
Transistorschalter an eine erste Spannungsquelle mit einer höheren
Gleichspannung und über einen zweiten Transistorschalter und eine Ent
kopplungsdiode an eine zweite Spannungsquelle mit einer niedrigeren
Gleichspannung schaltbar. Damit beim Einsatz einer derartigen Schaltung
bei GTO-Thyristoren die Abhängigkeit der jeweils geforderten Amplituden
des Zündimpulses von der unter anderem temperaturabhängigen Streuung
der Spannung der beiden Spannungsquellen und der Gate-Spannung sowie
andere schaltungsabhängige Parameter ausgeglichen werden können, müssen,
wie auch bei der eingangs beschriebenen Schaltungsanordnung nach dem
Aufsatz im "etz-Archiv" hohe Quellenspannungen bereitgestellt werden,
was, wie bereits erwähnt, zu einem erhöhten Leistungsbedarf im Ein
schaltkreis führt.
Durch das Buch von Tietze/Schenk "Halbleiter-Schaltungstechnik",
Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 2. Auflage, 1971, ins
besondere Seite 129, ist es bekannt, durch das Einschalten eines
Source-Widerstands einen Feldeffekttransistor als Konstantstromquelle
auszubilden. Aus der gleichen Literaturstelle, a.a.O., insbesondere
Seite 113, Abb. 6.48, ist es ferner an sich bekannt, zur Stabilisierung
einer aus einem Transistorschalter und einem Emitter-Widerstand ge
bildeten Konstantstromquelle gegen Betriebsspannungsschwankungen ein
konstantes Basispotential durch eine an den Basisanschluß angeschalte
te Z-Diode zu erzielen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine Schal
tungsanordnung der eingangs genannten Art zum potentialfreien Einschal
ten eines GTO-Thyristors zu schaffen, die einen geringen Leistungsbe
darf hat und keine Begrenzung der Mindestsperrdauer des GTO-Thyristors
aufweist.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die in den Kennzeichen der
Patentansprüche 1 bzw. 4 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung dargestell
ten Ausführungsbeispielen erläutert. Statt der in den Ausführungsbei
spielen gezeigten Feldeffekttransistoren können auch Bipolartransi
storen verwendet werden. Die Referenzspannungen werden durch Zener-Dioden
eingestellt. Es können stattdessen jedoch auch temperaturunabhängige
Referenzspannungsquellen verwendet werden.
Nach der Erfindung werden zwei Stromquellen, die primärseitig parallel
geschaltet sind, angewendet. Die erste Stromquelle, bestehend aus dem
Feldeffekttransistor Q 1, dem Widerstand R 1 und der Zenerdiode Z 1, dient
zur Einstellung der Zündstromspitze i FGM (siehe Fig. 2, 3 und 4). Die
zweite Stromquelle (Q 2 in Fig. 2 bzw. Q 2 und Q 3 in den Fig. 3 und 4)
dient zur Einstellung des Dauerzündstromes i FG . Ferner wird zur Redu
zierung des Leistungs
bedarfs die Spannungsquelle E 1 in zwei Teilquellen ge
teilt (siehe Fig. 2b, 3b und 4b). Die Zündstromspitze i FGM
wird dabei durch die gesamte Spannungsquelle E 1 gespeist,
während die Teilspannungsquelle E 2 den Dauerzündstrom i FG
liefert. Damit wird der Leistungsbedarf der Steuerschal
tung um den Faktor E 2/E 1 reduziert.
In Fig. 2a ist eine Ausführung einer Schaltungsanordnung
nach der Erfindung mit nur einem Impulstransformator T
dargestellt. Die Sekundärwicklung des Impulstransforma
tors T ist über eine Diode D 1, zwei Widerständen R 4, R 5
und einen Transistor Q 4 an den GTO-Thyristor geführt.
Die Primärwicklung des Impulstransformators T liegt an
zwei Feldeffekttransistoren Q 1, Q 2, welche durch die Steuerspannungen
gesteuert werden. Ihre Amplituden werden eingestellt von
Zenerdioden Z 1, Z 2, die an den Gate-Anschlüssen der
Schalter liegen. Am Source-Anschluß des Feldeffekttransistors Q 1 be
findet sich ein RC-Glied R 1 C 1 und am Source-Anschluß desFeld
effekttransistors Q 2 ein Widerstand R 2. Die Versorgungsspannung
wird von einer Spannungsquelle E 1 geliefert. Zur Zündung
wird der Feldeffekttransistor Q 1 für die Zeitdauer t gp eingeschaltet.
Die Stromamplitude i FGM wird durch die Referenzspannung
der Zenerdiode Z 1 und den Widerstand R 1 eingestellt. Da
durch wird die Abhängigkeit der Stromamplitude i FGM von
der Gate-Spannung u G und der Quellenspannung der Span
nungsquelle E 1 klein gehalten. Der Kondensator C 1 dient
zur Verkürzung der Anstiegszeit des Zündstromes. Die Zeit
konstante des RC-Gliedes R 1 C 1 liegt in der Größenordnung
der Anstiegszeit des Zündstromes i FGM (ca. 1 µs) und hat
damit keinen Einfluß auf die Mindestsperrdauer.
Eine Variante der Schaltungsanordnung entsteht dadurch,
daß die Spannungsquelle E 1 aufgeteilt wird in zwei Span
nungsquellen E 2 und E 1-E 2. Die Spannungsquelle E 1 wird
zur Speisung des Feldeffekttransistors Q 1 verwendet, während die Span
nungsquelle E 2 der Speisung des Feldeffekttransistors Q 2 dient. Ent
koppelt werden die Schalter voneinander durch eine
Diode D 3. Diese Variation ist aus Fig. 2b zu ersehen.
In Fig. 3a ist eine Variante dargestellt, in der ein
Impulstransformator T mit Mittenanzapfung verwendet wird.
Die Spannungsquelle E 1 ist an die Mittenanzapfung der
Primärwicklung des Impulstransformators T geschaltet. An
einem Teil der Primärwicklung des Impulstransformators
sind die Feldeffekttransistoren Q 1 mit dem RC-Glied R 1 C 1 und Q 2 mit
dem Widerstand R 2, welche Stromquellen bilden, geschaltet.
Eine dritte Stromquelle ist der Feldeffekttransistor Q 3 mit dem Wi
derstand R 3, der an den anderen Teil der Primärwicklung
des Impulstransformators T gelegt ist.
Auch diese Schaltungsanordnung kann durch die Teilung
der Spannungsquelle E 1 in zwei Teilspannungsquellen E 1-E 2,
E 2 variiert werden. Dies ist aus Fig. 3b zu ersehen.
Dabei wird der Feldeffekttransistor Q 1 der Spannungsquelle E 1 zuge
ordnet und die Feldeffekttransistoren Q 2 und Q 3 der Spannungsquelle E 2.
Weitere Varianten sind den Fig. 4a und 4b zu entnehmen.
In Fig. 4a wird eine Variante mit einer Spannungsquelle E 1
und zwei Impulstransformatoren T 1 und T 2 dargestellt.
Dabei ist der Feldeffekttransistor Q 3 an die Primärwicklung des Im
pulstransformators T 2 gelegt, während die Feldeffekttransistoren Q 1 und
Q 2 an die Primärwicklung des Impulstransformators T 1 an
geschlossen sind. Zur Einstellung des Stromes i FG werden
die Referenzspannungen der Zenerdioden Z 2, Z 3 sowie die
Widerstände R 2 und R 3 angewendet. Um höhere Verluste in
den Feldeffekttransistoren Q 2 und Q 3 zu vermeiden, werden die Wider
stände R 2′ und R 3′ in Reihe mit den Schaltern gelegt.
Eine weitere Variante ergibt sich durch die Aufteilung
der Spannungsquelle E 1 in zwei Teilspannungsquellen E 1-E 2
und E 2, wie es in Fig. 4b gezeigt ist. Dabei wird der
Feldeffekttransistor Q 3 der Spannungsquelle E 1 zugeordnet, die Feldeffekt
transistoren Q 1 und Q 2 der Spannungsquelle E 2. Bei dieser
Variante kann der Widerstand R 3′ entfallen. Die Diode D 3
entkoppelt den Feldeffekttransistor Q 1 von der Spannungsquelle E 1-E 2
während der Zeitdauer t gp .
Die Vorteile der Schaltungsanordnung nach der Erfindung
bestehen darin, daß eine Verringerung des Leistungsbedarfs
des Einschaltsteuerkreises erreicht wird, daß eine Begren
zung der Mindestsperrdauer des GTO-Thyristors vermieden
wird, und daß eine stabilere Einstellung der Stromampli
tuden i FGM und i FG sowie der Zeitdauer t gp erreicht wird.
Dadurch wird eine weitestgehende Unabhängigkeit von der
Gate-Spannung und der Quellenspannung erzielt.
Claims (9)
1. Schaltungsanordnung zum potentialfreien Einschalten eines GTO-Thy
ristors mit einem Impulstransformator, an dessen Primärwicklung
zwei Feldeffekttransistoren liegen, sowie mit einer Gleichspannungs
quelle, an welche die Primärwicklung des Impulstransformators ange
schlossen ist,
gekennzeichnet durch folgende Maßnahmen:
- a) an der Primärwicklung des Impulstransformators (T) liegt der erste Feldeffekttransistor (Q 1) mit einer ersten Zenerdiode (Z 1) am Gate-Anschluß und einem ersten Widerstand (R 1) am Source-An schluß als eine erste Stromquelle,
- b) an dem Source-Anschluß des zweiten Feldeffekttransistors (Q 2) liegt ein zweiter Widerstand (R 2) und an dem Gate-Anschluß eine zweite Zenerdiode (Z 2) als eine zweite Stromquelle, wobei zur Drain-Source-Strecke ein weiterer zweiter Widerstand (R 2′) in Reihe geschaltet ist,
- c) der erste Feldeffekttransistor (Q 1) wird zu Anfang eines Ein schaltvorgangs zur Erzielung einer hohen Steuerstromspitze ge schlossen,
- d) der zweite Feldeffekttransistor (Q 2) wird nach dem Öffnen des ersten Feldeffekttransistors (Q 1) zur Erzielung eines Steuer stromrückens geringer Amplitude geschlossen (Fig. 2a).
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß parallel zum ersten Widerstand (R 1) ein Kondensator (C 1) ge
schaltet ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gleichspannungsquelle (E 1) aus zwei Teilspannungsquellen (E 2,
E 1-E 2) unterschiedlicher Spannung besteht und daß der Reihenschal
tung der beiden Teilspannungsquellen (E 1-E 2; E 2) der erste Feldeffekt
transistor (Q 1) und der einen Teilspannungsquelle (E 2) der zweite
Feldeffekttransistor (Q 2) in Reihe mit einer Entkopplungsdiode (D 3)
zugeordnet sind (Fig. 2b).
4. Schaltungsanordnung zum potentialfreien Einschalten eines GTO-Thyri
stors mit einem Impulstransformator, an dessen Primärwicklung zwei
Feldeffekttransistoren liegen, sowie mit einer Gleichspannungsquelle,
an welche die Primärwicklung des Impulstransformators angeschlossen
ist,
gekennzeichnet durch folgende Maßnahmen:
- a) der Impulstransformator (T) hat an beiden Wicklungen Mittenan zapfungen,
- b) an die eine Teilprimärwicklung des Impulstransformators (T) ist die Gleichspannungsquelle (E 1) sowohl über einen ersten Feld effekttransistor (Q 1) schaltbar, wobei ein erster Widerstand (R 1) am Source-Anschluß und eine erste Zenerdiode (Z 1) am Gate-An schluß des ersten Feldeffekttransistors (Q 1) vorgesehen sind, als auch über einen zweiten Feldeffekttransistor (Q 2) schaltbar, wobei ein zweiter Widerstand (R 2) am Source-Anschluß, eine zwei te Zenerdiode (Z 2) am Gate-Anschluß und in Reihe zur Drain-Source- Strecke des zweiten Feldeffekttransistors (Q 2) ein weiterer zwei ter Widerstand (R 2′) vorgesehen ist,
- c) an die zweite Teilprimärwicklung des Impulstransformators (T) ist die Gleichspannungsquelle (E 1) über einen dritten Feldeffekttransi stor (Q 3) anschaltbar, wobei ein dritter Widerstand (R 3) am Source-Anschluß, eine dritte Zenerdiode (Z 3) am Gate-Anschluß und in Reihe zur Drain-Source-Strecke des dritten Feldeffekttransi stors (Q 3) ein weiterer dritter Widerstand (R 3′) vorgesehen ist,
- d) der erste Feldeffekttransistor (Q 1) wird zur Bildung einer Impuls spitze für den Steuerstrom zum Anfang eines Einschaltvorgangs ge schlossen und die zweiten und dritten Feldeffekttransistoren (Q 2, Q 3) werden nach dem Öffnen des ersten Feldeffekttransistors (Q 1) zur Bildung eines Steuerstromrückens geringer Amplitude alter nierend geschlossen (Fig. 3a).
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß parallel zum ersten Widerstand (R 1) ein Kondensator (C 1) ge
schaltet ist.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gleichspannungsquelle (E 1) aus zwei Teilspannungsquellen (E 2,
E 1-E 2) unterschiedlicher Spannung besteht und daß der Reihenschal
tung der beiden Teilspannungsquellen (E 1-E 2, E 2) der erste Feld
effekttransistor (Q 1) und der einen Teilspannungsquelle (E 2) der zwei
te Feldeffekttransistor (Q 2) in Reihe mit einer Entkopplungsdiode (D 3)
sowie der dritte Feldeffekttransistor (Q 3) in Reihe mit einer weite
ren Entkopplungsdiode (D 4) zugeordnet sind (Fig. 3b).
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß anstelle eines einzigen primär- und sekundärseitig mittenange
zapften Übertragers zwei Übertrager (T 1 , T 2) vorgesehen sind (Fig. 4a).
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß parallel zum ohmschen Widerstand (R 1) ein Kondensator (C 1) ge
schaltet ist.
9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß anstelle eines einzigen primär- und sekundärseitig mittenange
zapften Übertragers zwei Übertrager (T 1, T 2) vorgesehen sind (Fig. 4b).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843443247 DE3443247A1 (de) | 1984-11-23 | 1984-11-23 | Schaltungsanordnung zum potentialfreien einschalten eines hochstromes ueber einen gto-thyristor in einer stromrichterschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843443247 DE3443247A1 (de) | 1984-11-23 | 1984-11-23 | Schaltungsanordnung zum potentialfreien einschalten eines hochstromes ueber einen gto-thyristor in einer stromrichterschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3443247A1 DE3443247A1 (de) | 1986-05-28 |
DE3443247C2 true DE3443247C2 (de) | 1988-01-28 |
Family
ID=6251293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843443247 Granted DE3443247A1 (de) | 1984-11-23 | 1984-11-23 | Schaltungsanordnung zum potentialfreien einschalten eines hochstromes ueber einen gto-thyristor in einer stromrichterschaltung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3443247A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3509617A1 (de) * | 1985-02-27 | 1986-09-04 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur potentialfreien positiven ansteuerung von gto-thyristoren hoeherer leistung |
CN111786542A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-10-16 | 浙江方圆电气设备检测有限公司 | 基于隔离电源的晶闸管触发系统及其触发方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2803011C2 (de) * | 1978-01-20 | 1985-02-21 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur Erzeugung von Zündimpulsen für steuerbare Stromrichterventile |
-
1984
- 1984-11-23 DE DE19843443247 patent/DE3443247A1/de active Granted
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE3443247A1 (de) | 1986-05-28 |
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