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DE339364C - Process for the production of selenium cells - Google Patents

Process for the production of selenium cells

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Publication number
DE339364C
DE339364C DENDAT339364D DE339364DD DE339364C DE 339364 C DE339364 C DE 339364C DE NDAT339364 D DENDAT339364 D DE NDAT339364D DE 339364D D DE339364D D DE 339364DD DE 339364 C DE339364 C DE 339364C
Authority
DE
Germany
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selenium
production
cells
selenium cells
metal plates
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Expired
Application number
DENDAT339364D
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German (de)
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Individual
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Publication of DE339364C publication Critical patent/DE339364C/en
Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01Manufacture or treatment
    • H10D48/04Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass

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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Verfahren - zur Herstellung von Selenzellen. Die Erfindung betrifft Selenzellen, welche, wie die Figuren zeigen, aus zwei Scharen hochkant gestellter, kammartig ineinandergreifender Metallplättchen 1, 2 bestehen, die durch Glimmerplättchen 3 getrennt sind, und auf welche die Selenschicht 6 aufgetragen wird, wobei die mit den herausragenden Zuleitungsfahnen-aus einem Stück bestehenden Metallplättchen lose auf die Glimmerplättchen aufgelegt und die Fahnen in die Zuleitungsschienen 4., 5 eingespannt sind.Process - for the production of selenium cells. The invention relates to selenium cells, which, as the figures show, consist of two sets of upright, comb-like interlocking metal plates 1, 2, which are separated by mica plates 3 , and to which the selenium layer 6 is applied, the one with the protruding lead lugs a piece of existing metal plate loosely placed on the mica plate and the flags are clamped in the supply rails 4, 5.

Derartige Zellen lassen sich bei Verwendung an einem Metallplättchen, z. B. Goldfolie und Glimmer, ohne besondere Schwierigkeiten in solcher Kleinheit aufbauen, daß ein Selenfleck von verhältnismäßig kleinem Durchmesser (etwa i mm) genügt, um die bei Verwendung der Zelle für Lichttelephonie o. dgl. für hohe Reichweiten erforderliche Leitfähigkeit zu erzielen.Such cells can be used on a metal plate, z. B. gold foil and mica, with no particular difficulty in such smallness build up that a selenium spot of relatively small diameter (about i mm) is sufficient for the use of the cell for light telephony o. The like. For long ranges to achieve the required conductivity.

Eine Schwierigkeit bereitet jedoch das Auftragen des Selenüberzuges. Damit nämlich die Metallplättchen beim Auftragen des Selenüberzuges miteinander nicht in Berührung kommen, anderseits aber mit dem Selen in innige Berührung treten, muß das Gebilde auf der Seite, auf der das Selen aufgetragen w(rden soll, derart glatt abgeschliffen uik gegebenenfalls poliert sein, daß die Schleifflächen der Metall- und Glimmerplättchen genau in einer Ebene liegen, über die weder die einen noch die anderen herausragen dürfen. Ist aber die so gebildete Unterlage für das Selen sehr glatt, so läuft das im geschmolzenen Zustand aufgebrachte Selen auf ihr in Form von kleinen Tröpfchen zusammen, und es entstehen träge und unbrauchbare Zellen. Um ein gutes Ansprechen zu sichern, muß der Selenüberzug möglichst dünn und gleichmäßig sein. Dies erreicht man nach der Er-Endung dadurch, daß man die glatt abgeschliffene Stirnfläche der Plättchen mit feinem Schmirgel oder eincm feinen Sandstrahlgebläse aufrauht (mattiert) und erforderlichenfalls trocken abwischt, jedoch nicht kräftig reibt oder gar wäscht. Ist diese geraubte Oberfläche vorgewärmt, so zerfließt auf ihr das geschmolzene, aufgetragene Selen zu einer ganz dünnen Schicht und erstarrt auch in einer solchen, .womit ein sehr gutes Ansprechen erzielt wird.However, there is a difficulty in applying the selenium coating. So that the metal platelets with each other when applying the selenium coating do not come into contact, but on the other hand come into intimate contact with selenium, the structure on the side on which the selenium is to be applied must be like this smoothly sanded uik if necessary polished that the grinding surfaces of the Metal and mica platelets lie exactly in one plane over which neither one let the others stick out. But is the so-formed base for that Selenium is very smooth, so the molten selenium runs on it in the form of small droplets, and the result is sluggish and unusable Cells. In order to ensure a good response, the selenium coating must be as thin as possible and be even. After the Er-ending, this is achieved by the Smoothly ground end surface of the platelets with fine emery or one cm fine Sandblasting blower roughened (matted) and, if necessary, wiped dry, but do not rub vigorously or even wash. Is this stolen surface preheated, so the melted, applied selenium melts into a very thin layer on it and also solidifies in such a way that a very good response is achieved.

Claims (1)

PATr"NT-ANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Selenzellen, welche aus zwei Scharen hochkant gestellter, kammartig ineinandergreifender, durch Glimmerplättchen voneinander getrennter Metallplättchen bestehen, auf welche die Selenschicht aufgetragen wird, wobei die mit den herausragenden Zuleitungsfalmen aus einem Stück bestehenden Metallplättchen lose auf die Gliinmerplätichen aufgelegt sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnfläche der aufeinandergeschichteten Plättehen nach dem in an sich bekannter Weise erfolgten Abschleifen aufgerauht und darauf -das gescbmolzene Selen aufgegossen wird.PATR "NT CLAIM: Process for the production of selenium cells which made of two groups of upright, comb-like interlocking, through mica platelets consist of separate metal plates on which the selenium layer is applied is, with the existing one-piece with the protruding supply lines Metal plates are loosely placed on the Gliinmerplätichen, characterized in that that the end face of the stacked plates according to what is known per se Wise sanded, roughened and then poured the molten selenium will.
DENDAT339364D Process for the production of selenium cells Expired DE339364C (en)

Applications Claiming Priority (1)

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Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE339364C true DE339364C (en) 1921-07-22

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DENDAT339364D Expired DE339364C (en) Process for the production of selenium cells

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DE (1) DE339364C (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE916084C (en) * 1949-02-11 1954-08-02 Siemens Ag Electrically controllable semiconductor rectifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE916084C (en) * 1949-02-11 1954-08-02 Siemens Ag Electrically controllable semiconductor rectifier

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