DE3335848C2 - - Google Patents
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- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
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- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Verbinden
eines Drahtes mit einem Sockel einer elektronischen
Schaltung
gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Ein elektronisches Schaltungsmodul, wie z. B. ein
Hybridmodul, ist so aufgebaut, daß Halbleiterplättchen
auf einem Vielschichtkeramikmodul montiert sind. Im elektronischen
Modul wird es unvermeidlich, die Verdrahtung
aufgrund von Änderungen oder Fehlern in der Auslegung zu
ändern. Beim Ändern ist es unmöglich, die Verdrahtung des
Moduls an sich zu erneuern, sooft eine solche Änderung
vorgenommen wird. In einem solchen Fall wird daher die
Verbindungstechnik unter Verwendung eines Sockels für
technische Änderungen (im folgenden "EC-Sockel" bezeichnet),
der auf dem Modul vorgesehen ist und auf dem einzelne
Drähte angebracht werden, angewandt. Sie ist in
"Precise Numerical Control for the Thermal Conduction
Module" von M. A. Sanborn of IBM J. Res. Den.
(Vol. 27, No. 1) beschrieben.
Es ist für mit den EC-Sockeln verwendete Drähte erforderlich,
daß jeweils der Draht einen kleinen Durchmesser
mit einer höheren Festigkeit und Leitfähigkeit, als
üblicherweise verwendet, hat und eine darauf aufgebrachte
Isolation trägt.
Herkömmlich wird ein Kupferdraht als der diese Anforderungen
erfüllende Draht verwendet. Der Kupferdraht wird
mit Gold zur Vermeidung der Verschlechterung der Verbindung
aufgrund einer Oxidation beschichtet, und seine Oberfläche
wird mit einer Isolierschicht aus einem Harz, wie z. B.
Polytetrafluoräthylen, Polyurethan usw., überzogen.
Ein allgemeines Verfahren zum Verbinden ist dann die
Entfernung dieser Isolierschicht unter Verwendung von
Ultraschallwellen und nachher die Bewirkung der Verbindung
durch Thermokompressionsverbindung. Dieses Verfahren hat
jedoch Nachteile insofern, als der überzogene Draht dick
wird und eine Erweiterung der Verbindungsfläche verursacht,
als ein Zweischrittvorgang der Entfernung der Überzugsschicht
und danach der Durchführung der Thermokompressionsverbindung
benötigt werden, wodurch eine Verlängerung der
Arbeitszeit verursacht wird, als die Entfernung der Überzugsschicht
im ganzen schwierig ist, so daß die Verbindung
von geringer Verläßlichkeit wird, usw. Diese Probleme sind
nicht auf die Drahtverbindung für eine technische Änderung
begrenzt, sondern können allgemein auftreten, wenn eine
Drahtverbindung an sehr kleinen Flächen vorgenommen wird.
Aus der DE-AS 21 61 023 ist ein Verfahren zum Ultraschallschweißen
von Kupferdrähten auf die Metalloberfläche
eines Trägers bekannt, wobei die Kupferdrähte eine isolierende
Bedeckung aus einer eigenen oder fremden Oxidschicht
aufweisen und der Schweißzyklus bei Andrücken des Drahtes
auf den Träger einen Vorimpuls zum Entfernen der Oxidschicht
und einen Schweißimuls zum Aufschweißen des Drahtes
enthält.
Andererseits werden durch die DE-OS 27 48 239 die
Ultraschall-Widerstandsschweißverbindung eines unisolierten
Silberdrahtes oder versilberten Kupferdrahts mit einem
mit Aluminium beschichteten Kaltleiterwiderstand, durch die
US-PS 37 91 028 die Ultraschallverbindung eines Kupferdrahtes
mit einem Kupfersockel, wobei beide Teile vorzugsweise
mit Gold beschichtet sind, durch die US-PS 34 59 355
die Ultraschallverbindung eines unisolierten Drahtes mit
einer Transistorbasis und durch die US-PS 31 28 649 die
Ultraschallverbindung eines Golddrahtes mit einem Halbleiterkörper
offenbart.
Schließlich offenbart die US-PS 37 17 842 die Ultraschallverschweißung
eines Anschlußstücks mit einem Aluminiumdraht,
der mit einer sich natürlich bildenden Oxidschicht
und einer Isolierschicht bedeckt ist, wobei dieser
Aluminiumdraht zunächst durch Laschen des Anschlußstücks
festgehalten und eingeklemmt wird und dann die Ultraschallverschweißung
mit einem Kanalteil des Anschlußstücks
vorgenommen wird, so daß es auf die nur durch Verschweißen
erzielte Bindefestigkeit zwischen Anschlußstück und
Aluminiumdraht nicht ankommt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Ultraschallschweißverfahren
zu entwickeln, das sich zum Verbinden
von Aluminiumdrähten mit hoher Verläßlichkeit und
Bindefestigkeit in sehr kleinen Flächen eignet, ohne daß
Zusatzeinrichtungen zum Festhalten des Aluminiumdrahtes
beim Schweißen benötigt werden.
Je geringer die Verbindungsfläche für Drähte ist,
um so kleiner muß der Drahtdurchmesser sein. Zu diesem
Zweck sollte der Überzug auf dem Draht vorzugsweise von
geringer Dicke gemacht werden. Beim Verbindungsverfahren
gemäß der Erfindung wächst der Arbeitswirkungsgrad, wenn
die Überzugsbeseitigung und die Verbindung gleichzeitig
durchgeführt werden können. Weiter ist es vom Standpunkt
der Verläßlichkeit vorzuziehen, daß kein Überzugsrückstand
auf dem Verbindungsabschnitt verbleibt.
Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das
Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung dieses Verfahrens ist
im Patentanspruch 2 gekennzeichnet.
Die Erfindung wird anhand des in der Zeichnung veranschaulichten
Ausführungsbeispiels näher erläutert; darin
zeigt
Fig. 1 einen Grundriß zur Veranschaulichung eines
Moduls, bei dem die Erfindung angewendet wird;
Fig. 2 eine Seitenansicht nach Fig. 1;
Fig. 3 eine Darstellung eines Beispiels nach dem Stand
der Technik;
Fig. 4 eine Darstellung zur Veranschaulichung der
Erfindung; und
Fig. 5 eine Darstellung zur Veranschaulichung des Hauptteils
einer Verbindungseinrichtung.
Fig. 1 ist ein Grundriß eines Hybridmoduls, bei dem die
Erfindung angewandt wird, und Fig. 2 ist eine zugehörige
Seitenansicht. Eine Modulplatte 2 besteht aus einer
Vielschichtschaltungsplatte, die beispielsweise aus
Aluminiumoxid-Keramikmaterial hergestellt ist, und weist zwei
darauf montierte Halbleiterplättchen 4 auf, wobei
sie außerdem an der Rückseite mit Leitern 5 zum äußeren
Anschluß versehen ist. EC-Sockel 3 sind rings um den
Umfang der Plättchen 4 angeordnet. Die Sockel 3 sind jeweils
auf ihren Oberflächen mit einer Au-Beschichtung in einer
Dicke von 1 bis 2 µm versehen. Drähte 1 und 1′ für eine
technische Änderung sind mit einigen der Sockel 3 verbunden.
Mit einem Sockel 3 sind ein oder zwei Drähte verbunden.
Gelegentlich kreuzen sich die Drähte 1, 1′ und
können miteinander in Kontakt sein, weshalb es erforderlich
ist, daß ihre Oberfläche isoliert ist.
Fig. 3 zeigt eine Anordnung, in der zwei herkömmliche
Drähte, die mit einem Isolierüberzug versehen sind, mit
dem Sockel 3 verbunden sind. Die Bezugsziffer 7 bezeichnet
einen Cu-Kerndraht, der mit der Au-Beschichtung versehen
ist, und die Bezugsziffer 6 bezeichnet einen Isolierüberzug
aus dem oben erwähnten Kunstharz, wie z. B. Polytetrafluoräthylen,
Polyurethan od. dgl. Wenn der Kerndraht
7 so hergestellt ist, daß er einen Außendurchmesser
von 50 µm hat, ist der Überzug 6 5 bis 10 µm dick,
und als Ergebnis ist der Außendurchmesser des gesamten
Drahtes 60 bis 70 µm. Da der Cu-Kerndraht 7 hart ist
und daher im Vergleich mit Au oder Al nur wenig verformt
werden kann, läßt sich die unter Einwirkung einer Last
durchgeführte Ultraschallverbindung auf den Kerndraht 7
nicht anwenden, falls nicht die Ultraschalleistung, die
Dauer der Einwirkung der Ultraschallwellen und die einwirkende
Last gesteigert werden. Jedoch bricht, wenn
diese Leistung, Dauer und Belastung gesteigert werden,
das Metall an der Verbindungsschicht, so daß das Problem
auftritt, daß die Bindefestigkeit niedrig wird. Aus diesem
Grund ist es besser, eine Au-Au-diffundierte Verbindung
durch Thermokompressionsverbindung zu verwenden, da eine
solche Verbindungsschicht nicht bricht und die erhaltene
Bindefestigkeit hoch ist. Nach dem Stand der Technik werden
jedoch zunächst Ultraschallwellen zur Entfernung des
Überzugs verwendet, wodurch an einem Teil des Drahtes sein
Überzug durch seine Reibung an dem Sockel 3 entfernt
wird. Dann wird der Draht durch Druck mit dem Sockel unter
einer Kraft von 1,962 bis 4,905 N mittels eines auf 400 bis
500°C erhitzten spitzen Organs verbunden. Nach diesem
bekannten Verfahren wird der Überzug 6 im Verbindungsbereich
zerstört, und der Verbindungsbereich wird auf eine
drei- bis viermal so große Abmessung wie die ursprüngliche
Abmessung A erweitert, so daß er eine Weite von etwa
280 µm (=70×4) erreicht, wie in Fig. 3 durch das
Bezugszeichen L angedeutet ist. Dies erfordert die
Verwendung eines großen Sockels 3. Weiter schmilzt der
Überzug 6 und bleibt in der Nähe des Verbindungsbereichs,
so daß dieser Rest in den Verbindungsbereich gelangt
und eine Senkung der Bindefestigkeit sowie eine Verschmutzung
der Fläche in der Nähe des Verbindungsbereichs
verursacht.
Die Erfinder führten Versuche mit verschiedenen Drähten
durch und verglichen die Versuchsergebnisse, um die
beim Stand der Technik angetroffenen Probleme zu lösen.
Als Ergebnis fanden sie, daß sich ein anodisierter
Aluminiumdraht zur Erfüllung der oben erwähnten verschiedenen
Anforderungen eignet und gleichzeitig gute
Ergebnisse bringt. Wo ein Draht an einem solchen wie dem
in Fig. 1 gezeigten Modul angebracht wird, ist es unter
Berücksichtigung der Festigkeit und Leitfähigkeit eines
Kerndrahtes an sich erwünscht, daß sein Durchmesser
30 bis 60 µm ist. Wenn man den Kerndraht aus Aluminium
mit einem Durchmesser von 50 µm macht und die Dicke
des Alumits auf 0,1 bis 1 µm Durchmesser einstellt, erhält
man ein Isolationsvermögen von 1×10⁸ Ω oder mehr, und
der Außendurchmesser des Drahtes braucht nur angenähert
51 µm zu sein. Andererseits ist die Verbindung dieses anodisierten
Aluminiumdrahtes allein mit einer Einwirkung
von Ultraschallschwingungen unter einer Belastung möglich
und erfordert kein kompliziertes Verfahren wie beim bekannten
Verbindungsverfahren.
Fig. 4 zeigt einen Zustand, wo zwei Drähte 7′ mit
dem Sockel 3 nach dem erfindungsgemäßen Verfahren verbunden
sind, während Fig. 5 einen wesentlichen Teil
einer Verbindungseinrichtung hierfür zeigt. In Fig. 5
wird der Draht 7′ gegen den Sockel 3 durch Aufbringen
einer Andruckkraft unter Verwendung eines Keilstücks 10
gepreßt, und Ultraschallschwingungen werden durch das
Keilstück 10 mittels eines Schwingungserzeugers 11 zur
Einwirkung gebracht. Beim Verbindungsvorgang wird der
Draht zunächst durch das Keilstück 10 ohne Einwirkung
irgendeiner Ultraschallschwingung darauf angedrückt, und
dann werden Ultraschallschwingungen darauf zur Einwirkung
gebracht. Wenn man das Anpressen des Drahtes 7′
anfinge, während Ultraschallschwingungen einwirken, würden
der Draht 7′ verschoben oder bewegt, was zu einem
Fehler beim Andrücken des Drahtes mit hoher Genauigkeit
führen müßte.
Der Verbindungsvorgang wurde unter den folgenden Bedingungen
bei Verwendung des anodisierten Aluminiumdrahtes
durchgeführt, der einen Durchmesser von 50 µm aufweist,
während die Alumitdicke 1 µm beträgt:
Ultraschallfrequenz | |
60 kHz ± 3% | |
Dauer der Einwirkung der Ultraschallschwingungen | 0,4 s |
Ultraschalleistung | 0,04 W |
Andruckkraft | 0,3924 N |
Gemäß diesem Versuch ist die Breite L′ des angedrückten
Drahtes der 1,5 bis 2fache Durchmesser des nicht gedrückten
Aluminiumdrahts, und auch im Fall des zweifachen Wertes,
d. h. 102 µm (=51×2), nur die Hälfte oder weniger der
Breite der herkömmlichen Verbindungsfläche. Allgemein
soll die Bindefestigkeit wenigstens 30% der Zugfestigkeit
eines Drahtes an sich sein. Erfindungsgemäß
war die Zugfestigkeit des Aluminiumdrahtes mit 50 µm
Durchmesser für sich etwa 0,2747 N, und die Bindefestigkeit
erreichte einen ebenso hohen oder größeren Wert als
diesen Wert.
Alumit ist hart und brüchig. Daher bricht, wenn das
Aluminium als Basismaterial durch Einwirkung der Ultraschallenergie
und des Drucks beim Verbinden verformt
und verbreitert wird, das Alumit und schält sich vom
Aluminiumbasismaterial ab, wobei die Verbindung mit dem
Sockel an diesem freigelegten Bereich erfolgt. Alumit
trennt sich in dieser Weise leicht vom Basismaterial,
was im Gegensatz zu dem bekannten Harzüberzug steht.
Alumit hat daher weniger unerwünschte Wirkungen auf die
Verbindung und verschmutzt außerdem die Nachbarfläche
des Verbindungsbereichs nicht. Der Aluminiumdraht hat
weiter seine ausreichend hohe Bindeverläßlichkeit bis zu
500°C. Daher ist es möglich, seine Bindeverläßlichkeit
ausreichend auch dann aufrechtzuerhalten, wenn nach dem
Verbinden darauf Hitze, beispielsweise im Fall eines
Lötvorgangs usw., einwirkt.
Im Fall des anodisierten Aluminiumdrahtes mit einem
Durchmesser von 30 bis 60 µm kann die Verbindung unter
den gleichen wie den oben erwähnten Verbindungsbedingungen
mit Ausnahme der Andruckkraft durchgeführt werden. Und zwar
ist ein Bereich zwischen 0,35 s und 0,45 s, hauptsächlich
0,4 s, für die Dauer der Einwirkung der Ultraschallschwingungen
vorzuziehen, und ein Bereich zwischen 0,035 W
und 0,045 W, hauptsächlich 0,04 W ist für die Ultraschalleistung
vorzuziehen. Was die Andruckkraft betrifft,
kann sie umso kleiner oder niedriger sein,
je kleiner der Durchmesser des Kerndrahtes ist. Demgemäß beträgt
die Andruckkraft von 0,1766 bis 0,4413 N. Insbesondere
kann die Belastung etwa 0,3924 N sein, wo der Drahtdurchmesser
50 bis 60 µm ist, und die Belastung kann etwa
0,1962 N sein, wo der Drahtdurchmesser so klein wie 30
bis 40 µm ist. Wenn die Verbindung unter diesen Verbindungsbedingungen
ausgeführt wurde, hatte die Bindefestigkeit
einen Wert, der höher als der entsprechend 30%
der Zugfestigkeit des anodisierten Aluminiumdrahtes an
sich war. Falls die Einwirkungszeitdauer, die Leistung
und die Andruckkraft jeweils geringer als die oben erwähnten
Werte sind, wird die Verbindung unzureichend. Falls die
Einwirkungszeitdauer, die Leistung und die Andruckkraft
größere Werte als die oben erwähnten aufweisen, bricht
das Metall am Verbindungsbereich, so daß die Bindefestigkeit
sinkt.
Wenn, wie oben erwähnt, die Ultraschalldrahtverbindung
unter Verwendung des anodisierten Aluminiumdrahtes
durchgeführt wird, macht die Verwendung
sogar des Drahtes mit einem Durchmesser von 51 µm es
möglich, ausreichend zwei solcher Drähte mit dem Sockel
zu verbinden, wo dessen Durchmesser bis zu etwa 0,4 mm
reicht. Außerdem wird die Wärmebeständigkeitseigenschaft
befriedigend aufrechterhalten, und daher kann der Aluminiumdraht
ein Löten oder einen anderen Erhitzungsvorgang
aushalten. Zusätzlich wird, wenn der im Verbindungsquerschnitt
betroffene Teil nach dieser Verteilung der
EC-Drähte hermetisch abgedichtet wird, ein Bruch des
Drahtes aufgrund von Erosion verhindert, so daß er eine
sehr lange Betriebslebensdauer haben kann. In der Vergangenheit
wurden Produkte mit damit verbundenen Aluminiumdrähten
einer besonders weit getriebenen Reinigung
zur Entfernung der Stoffe, wie z. B. Halogenionen
(F-, Cl-, Br- od. dgl.) oder anderer Stoffe unterworfen,
die zur Erosion des Aluminiumdrahtes neigen, um dadurch
die Verbindungsverläßlichkeit mit der Verwendung einer
Harzabdichtung allein zu erhalten. Nach diesem Verfahren
(Kunstharzabdichtung) ist es natürlich möglich, die
Verbindungsverläßlichkeit zu erreichen.
Claims (2)
1. Verfahren zum Verbinden eines Drahtes mit einem Sockel
einer elektronischen Schaltung gemäß dem ein mit einer
betriebsmäßigen Leiterisolation völlig überzogener Aluminiumdraht
an den Sockel gedrückt und ein Drahtbereich
unter Einwirkung von Ultraschallschwingungen bei
gleichzeitiger Entfernung der Leiterisolation von dem
Drahtbereich mit dem Sockel verbunden wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß man
einen anodisch oxidierten Aluminiumdraht (7′) mit einem Durchmesser von 30 bis 60 µm als den zu verbindenden Draht verwendet,
den Aluminiumdraht (7′) mittels eines Keilstücks (10) gegen den Sockel (3) drückt und
danach unter Einwirkung einer Andruckkraft von 0,1766 bis 0,4413 N auf den Aluminiumdraht (7′) das Keilstück (10) den Ultraschallschwingungen während 0,35 bis 0,45 s mit einer Ultraschalleistung von 0,035 bis 0,045 W aussetzt.
einen anodisch oxidierten Aluminiumdraht (7′) mit einem Durchmesser von 30 bis 60 µm als den zu verbindenden Draht verwendet,
den Aluminiumdraht (7′) mittels eines Keilstücks (10) gegen den Sockel (3) drückt und
danach unter Einwirkung einer Andruckkraft von 0,1766 bis 0,4413 N auf den Aluminiumdraht (7′) das Keilstück (10) den Ultraschallschwingungen während 0,35 bis 0,45 s mit einer Ultraschalleistung von 0,035 bis 0,045 W aussetzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ultraschallfrequenz angenähert 60 kHz ist.
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---|---|---|---|
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DE3335848C2 true DE3335848C2 (de) | 1992-06-25 |
Family
ID=15956553
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country | Link |
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JP (1) | JPS5963737A (de) |
DE (1) | DE3335848A1 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3362581B1 (de) | 2015-10-14 | 2022-09-14 | Nanoal LLC | Aluminium-eisen-zirconium-legierungen |
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1982
- 1982-10-04 JP JP57173230A patent/JPS5963737A/ja active Pending
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1983
- 1983-09-23 US US06/535,055 patent/US4580713A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-10-03 DE DE19833335848 patent/DE3335848A1/de active Granted
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Also Published As
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---|---|
DE3335848A1 (de) | 1984-04-05 |
US4580713A (en) | 1986-04-08 |
JPS5963737A (ja) | 1984-04-11 |
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