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DE3312264A1 - Vorrichtung zur aufnahme von roentgenbildern - Google Patents

Vorrichtung zur aufnahme von roentgenbildern

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Publication number
DE3312264A1
DE3312264A1 DE19833312264 DE3312264A DE3312264A1 DE 3312264 A1 DE3312264 A1 DE 3312264A1 DE 19833312264 DE19833312264 DE 19833312264 DE 3312264 A DE3312264 A DE 3312264A DE 3312264 A1 DE3312264 A1 DE 3312264A1
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DE
Germany
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layer
recording device
light
phosphor
photoconductor
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Withdrawn
Application number
DE19833312264
Other languages
English (en)
Inventor
Ingmar Dipl.-Phys. Dr. 8521 Langensendelbach Feigt
Hans Dr.-Ing. 8520 Erlangen Heinrich
Karl Dipl.-Phys. Dr.rer.nat. 8000 München Kempter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens AG
Siemens Corp
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Publication date
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Priority to US06/594,090 priority patent/US4554453A/en
Priority to JP1984049571U priority patent/JPS59174775U/ja
Publication of DE3312264A1 publication Critical patent/DE3312264A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/10Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H10F55/16Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices wherein the radiation-sensitive semiconductor devices have no potential barriers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/24Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/246Measuring radiation intensity with semiconductor detectors utilizing latent read-out, e.g. charge stored and read-out later

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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 83 P 3 1 O 9 DE
Vorrichtung zur Aufnahme von Röntgenbildern
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von Röntgenbildern nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Solche Vorrichtungen sind etwa aus der US-PS 30 69 551 bekannt.
Die bekannten, als Bildverstärker mit Bildaufnahme- und -Wiedergabeeinrichtung ausgestatteten Vorrichtungen hatten den Zweck der Schaffung einer verbesserten elektrischen Anlage für das Hervorrufen verstärkt sichtba-. rer Bildwiedergabe eines Bildes, welches durch eine Strahlenquelle gebildet bzw. hervorgerufen wird. Ein solcher Bildverstärker sollte aus einer Bildaufnähmeeinrichtung bestehen, die eine dem Bild entsprechende elektrische Impulsfolge abgeben kann, sowie aus einer diese Impulse in ein Bild umwandelnden Bildwiedergabeeinrichtung. Letztere entspricht weitgehend den heute üblichen Fernsehwiedergabevorrichtungen.
Die Aufnahmeeinrichtung sollte dabei aus zwei flächenhaft ausgedehnten strahlendurchlässigen Elektroden be-.stehen und in unmittelbarem Kontakt mit ihnen zwei Festkörperschichten in untereinander engem flächenhaftem Kontakt, von denen die eine Schicht aus .,einer fotoleitfähigen Substanz besteht, während die zweite Schicht aus einer elektrisch isolierenden Substanz besteht, welche in bekannter Weise fähig ist, elektrische Ladungen zu speichern, und bei der die Fotoleitschicht sowohl von Strahlen des zu verstärkenden Bildes als auch von den Strahlen einer die ganze Bildfläche nach
Kn 2 Kof - 28.03.1983
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if -*- VPA 83P3I0 90E
vorgeschriebenem Raster optisch abtastenden Lichtquelle getroffen wird. Derartige Vorrichtungen haben sich aber nicht durchsetzen können, weil die Ladungsspeicherung an einer Grenzfläche bis heute schwierig ist, wenn sie mit der notwendigen Homogenität und Reproduzierbarkeit arbeiten soll. Außerdem ist der Bedarf an Abtastzeit hoch, so daß mit der bekannten Anordnung Aufnahmen von bewegten Organen kaum erzielbar sind.
In neuerer Zeit erschienen Vorschläge, nach denen als Speicherelemente Schichten verwendet werden sollen, die aus phosphoreszierenden Stoffen bestehen. Es sollten also Leuchtstoffe verwendet werden, die bei Bestrahlung mit energiereichen Strahlen in Abhängigkeit von der Intensität dieser Strahlen angeregt und zur Speicherung dieser Anregung geeignet sind. Derartige Anordnungen sind z.B. in den US-PS 38 59 527 und 39 75 637 beschrieben. Beide Methoden beruhen darauf, den Effekt der lichtstimulierten Lumineszenz auszunutzen, d.h.
das Röntgenlicht über einen Leuchtschirm zunächst in sichtbares Licht umzuwandeln. Das helligkeitsmodulierte Bild wird dann in Form angeregter Elektronenzustände in Haftstellen (trapping) in einem nachgeschalteten oder dem gleichen Phosphor gespeichert. Das optischelektrische Auslesen erfolgt anschließend durch örtliches Abtasten des Phosphors mit einem Lichtfleck über den Effekt des lichtstimulierten oder thermisch stimulierten "Ausleuchtens". Das dabei emittierte Licht wird von einem optoelektrischen Detektor in elektrische Signale umgewandelt, die in der beim Fernsehen üblichen Weise sichtbar gemacht werden können. Dabei ist es aber nachteilig, daß, abgesehen von sonstigen Verlusten, der Speichereffekt selbst nur einen Wirkungsgrad von höchstens 10 % erreicht.
- 9 - VPA 83 P 3 1 O 9
Die in einem Rastersystem vorzunehmende Abtastung der gesamten Fläche des Aufnahmemediums mittels eines Lichtpunktes erfordert aber einen freien Platz vor der Phosphorschicht. Dadurch muß der optoelektrische Detektor oder eine vorgeschaltete lichtsammelnde Optik in großem Abstand von der lichtemittierenden Fläche des Phosphors entfernt angeordnet sein. So wird nur ein kleiner Teil der beim Abtasten ausgelösten Lichtintensität vom optoelektrischen Detektor erfaßt. Dies führt zusätzlich zu einem unerwünscht kleinen Signal-Rauschverhältnis und zu geringer Dynamik.
Die Erfindung hat sich daher zur Aufgabe gestellt, bei einer Vorrichtung zur Aufnahme von Röntgenbildern nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 Vorkehrungen zu treffen, bei geringerem Zeitaufwand pro Bild erhöhte Quantenausbeute bei vergrößertem Signal-Rausch-Verhältnis und erhöhter Dynamik zu erzielen. Nach der Erfindung wird dies durch die im kennzeichnenden Teil dieses Anspruchs angegebenen Maßnahmen erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind Gegenstände der Unteransprüche.
Basierend auf der bisher hauptsächlich in der medizi- - nisehen Röntgenaufnahmetechnik üblichen Film-Folie-Kombination soll statt des.lichtempfindlichen Films ein elektrische Ladungsbilder erzeugendes und speicherndes fotoleitendes Medium in direktem Kontakt mit dem Leuchtschirm (Verstärkerfolie) benutzt werden. Das ladungsspeichernde fotoleitende Medium soll durch einen (oder mehrere) seriell abtastenden Lichtstrahl(en) fotoelektrisch ausgelesen werden. Es bietet somit die Grundlage für einen großflächigen Sensor für eine digitale Röntgenkamera. Die Speicherung erfolgt hier ?R in einem Halbleiter in Form von Ladungsträgern, die
- # - VPA 83 P 3 1 0 9 DE
in energetisch tiefen Haftstellen eingefangen sind. Diese Haftstellen können durch Oberflächenzustände oder Volumenzustände in Halbleitern oder Isolatoren gebildet werden.
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Da hier bei der Aufnahme das Licht elektrisch und nicht in verzögernden Phosphoren gespeichert wird, kann der große Wirkungsgrad des Leuchtschirms ungeschmälert zur Anregung des optoelektrischen Detektors verwendet werden. Dies ist bei Verwendung einer Selten-Erd-Verstärkerfolie, etwa einer solchen mit Lanthanoxibromid-Leuchtstoff, ein Wert in der Größenordnung von 20 % und bei Bariumfluorchlorid (BaFCl-)Folie ein solcher von 10 %. Der Hauptvorteil der Erfindung besteht in der praktisch vollständigen Erfassung des von der Leuchtschicht der Verstärkerfolie emittierten Lichts durch den Fotoleiter, der sich in unmittelbarem Kontakt mit der lichtemittierenden Fläche befindet. Der Vorteil zum Fotofilm besteht außer im Austausch der empfindlichen Schicht darin, daß hier keine Einschränkung der Dynamik durch einen vom Film bekannten Grauschleier auftritt, daß kein naßchemischer Entwicklungsprozeß notwendig ist und daß man silberhalogenidfrei arbeiten kann.
Bei in der Röntgenaufnahmetechnik verwendeten Halbleiterschichten, z.B. solchen aus Selen, etwa in der Xeroradiografie, hat sich die Benutzung von Verstärker folien nicht eingeführt. Dies beruht offenbar darauf, daß sich Verstärkerfolien als nicht ausreichend spannungsfest für die bei der Xeroradiografie üblichen Spannungen von einigen tausend Volt erwiesen haben. Demgemäß wurde hier erfindungsgemäß die Leuchtschicht bei speichernden· Röntgenbildwandlern mit lichtelek-
- ψ - VPA 83 P 3 1.0 9DE
trisch auslesbaren Halbleiterschichten so angeordnet, daß die Leuchtschicht feldfrei bleibt, d.h. außerhalb des durch Elektroden begrenzten Raumes. Beim Fotofilm wurden die Verstärkerfolien hauptsächlich nur dazu verwendet, die Röntgenstrahlen in leichter absorbierbares Licht umzuwandeln, um eine wesentliche Abkürzung der Belichtungszeit zu erreichen.
Bei der Wandlung der Röntgenstrahlenintensität in Lichtintensität gewährleistet der Leuchtschirm (Verstärkerfolie) eine Dynamik von mindestens 60 dB, d.h. mindestens 1000 Graufstufen; in der Regel werden jedoch bis zu 100 dB erreicht. Die fotoleitende Schicht registriert das vom Luminophor, d.h. der Leuchtschicht der Verstärkerfolie, ausgehende Licht, indem an den Stellen der Belichtung in Abhängigkeit von ihrer Intensität bei eingeprägter Vorspannung eine elektrische Ladung fließt, die bis in die speichernde Zwischenschicht gelangt. Dort wird sie festgehalten. Das so entstehende Ladungsmuster entspricht somit in seiner örtlichen Verteilung dem Muster der Intensität des wiederzugebenden Röntgenbildes. Es bleibt bei abgeschalteter Spannungsversorgung gespeichert. Die Abschaltung ist notwendig, weil sonst der nachfließende Dunkelstr.om den Kontrast verschlechtern würde.
In einem weiteren Schritt kann durch Abtastung mit einem Lichtstrahl, einem sogenannten Lichtfleck-Scanning, über die lokal leitende Fotoleiterschicht in einem außen geschlossenen Stromkreis Punkt für Punkt erfaßt werden, z.B. durch einen ladungsempfindlichen Verstärker.
Zur Erniedrigung von Streukapazitäten und Dunkelstrom kann es günstig sein, auch die Fläche des Sensors in
- VPA B3P3iQ9QE
geeigneter Weise zu unterteilen. Eine solche Unterteilung kann z.B. erhalten werden, indem man eine streifen förmige Kontaktierung der abzurasternden Fläche einführt, in welcher die einzelnen Streifen elektrisch voneinander getrennt sind. Bei der Unterteilung ist es wichtig, daß parasitäre Kapazitäten der Probe kleiner sind als die effektive Kapazität des Ladungsverstärkers.
Die Anordnung erlaubt auch die Erfassung schnell wechselnder Röntgenbilder, wenn als Fotoleiter ein Material verwendet wird, das eine entsprechend schnelle Anstiegsund Abfallzeit des Fotostromes aufweist. Solche Materialien sind z.B. amorphes Selen, das in der Regel 0,1 bis 5 % Zusatzstoffe, wie Arsen (As) oder Tellur (Te) enthält, oder amorphes wasserstoffhaltiges Silizium. An einige /um dicke Schichten aus diesen Fotoleitern wurden Transitzeiten der Ladungsträger von weniger als 1/us Dauer gemessen. Dies bedeutet, daß z.B. ein
20^ 25 x 25 cm großes Bild in weniger als 1 Sekunde ausgelesen werden kann, wenn man sich auf eine Auflösung von 2 Linienpaaren pro mm beschränkt.
Beim Aufbau einer erfindungsgemäßen Vorrichtung hat es sich als zweckmäßig erwiesen, amorphes Arsentrisulfid bzw. -triselenid (As9S, bzw. As9Se,) als Material der speichernden Zwischenschicht zu verwenden. Bei Ausgestaltung der Anordnung mit Halbleitern der obengenannten Art haben sich etwa 1/um starke Schichten aus vorgenannten Halbleitermaterialien als günstig erwiesen. Die Schichtenkombination kann dann an ihren beiden Außenseiten jeweils mit einer 10 bis 100 mn starken Schicht aus Indium-Zinn-Oxid oder Gold als Elektrode versehen werden.
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- f - VPA 83 P 3 1 O 9 OE
Bei den zu verwendenden Leuchtschichten sollte der Leuchtstoff so ausgewählt werden, daß er optimal auf den Halbleiter der Aufnahmeanordnung einwirken kann. Bei Verwendung von Selen als Halbleiter haben sich Gadoliniumoxisulfide (GdOS) und Bariumfluorchlorid (BaFCl) als Leuchtstoffe für die zu verwendenden Verstärkerfolien als besonders günstig erwiesen. Die Dicke der Leuchtschicht sollte in einer Größenordnung von ^100/um liegen. Zu berücksichtigen ist dabei aber, daß die Lichtausbeute von der Dicke der Schicht abhängt, daß aber mit zunehmeder Dicke auch ein unscharferes Bild zu erwarten ist.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden nachfolgend anhand der in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert.
In der Figur ist schematisch ein Übersichtsschaubild einer erfindungsgemäß ausgestalteten Aufnahmeeinrichtung gezeichnet.
In der Figur ist mit 1 eine Röntgenstrahlenquelle bezeichnet, von der aus ein Strahlenbündel 2 einen Patienten 3 durchstrahlt. Das so erzeugte Durchstrahlungsbild gelangt auf eine erfindungsgemäße Aufnahmeanordnung 4. Diese Anordnung 4 besteht etwa aus einer Platte aus 1 mm starkem Aluminium (Al) als durchsichtigem Träger und Elektrode 5, einer darauf aufgetragenen Röntgenhalbleiterschicht 6, einer auf dieser liegenden, speichernden Zwischenschicht 7, einer Fotoleiterschicht 8 und einer Elektrode 9.
Die beiden Elektroden 5 und 9 liegen über Leitungen 10 und 10' sowie einen Schalter 11 mit den Schaltmöglichkeiten 11a und 11b an einer Spannungsquelle 12 zur Erzeugung einer Feldstärke in der Größenordnung von
AO
\ -J = m ipiliiii
10 bis 10 Volt an. Äußeräitn sinä äie~ Leltuäg'eti 10 und 10' mit einem Widerstand 13 verbunden und einem Verstär ker 14. Letzterer liegt über einen Analog-Digital-Wandler 15 an einem Verarbeitungsgerät 16 für die Bildsignale, die andererseits mit einer Abtastvorrichtung in Verbindung stehen, von welcher ein feiner Lichtstrahl 18 durch die Elektrode 9 hindurch, die Fqtoleiterschicht 8 der Aufnahmeanordnung 4 abtastend, ausgeht.
Das Gerät 16 enthält einen Prozessor 19, in welchen das Signal vom Analog-Digital-Wandler 15 gelangt. Durch den Prozessor wird ein Steuersignal über eine Leitung 20" der Abtastvorrichtung 17 zur Steuerung der Abtastbewegung des Strahls 18 zugeführt. Außerdem wird das Signal über einen Anschluß 21 zu einem Speicher 22 geleitet, von welchem das Bildsignal über eine Leitung 23 einem Rechner 24 zugeführt werden kann. Schließlich gelangt das Signal über eine Leitung ,25 zu einem.
Fernsehmonitor 26, wo es auf einem Bildschirm 27 sichtbar gemacht werden kann.
An der Außenseite der Elektrode 5 liegt eine an sich bekannte Verstärkerfolie (VF) 30 an. Sie besteht ,aus einem Röntgenstrahlen durchlassenden Träger 31 aus Aluminium oder Kunststoff und einer Leuchtschicht 32 aus aktivierten Gadoliniumoxisulfiden (GdOS), Bariumfluorchloriden' (BaFCl) oder Cäsiumjodid (CsJ).
Die Aufnahme eines Röntgenbildes kann etwa in folgenden Schritten erfolgen:
1. Schritt: 100 V an den Elektroden 5 und 9 und Belichtung mittels des Strahlenbündels 2 und des Lichtes aus der VF 30
- # - VPA 83 P 3 1 O 9 DE
2. Schritt: Kurzzeitiger Kurzschluß in Stellung des Schalters 11 auf 11b zur Entladung der Elektroden 5 und 9
3. Schritt: Speicherung der Anordnung im Dunkeln
(λ/ 1 Stunde) mit offenen Elektroden 5 und 9 bis
4. Schritt: Anschluß der Elektroden 5 und 9 an den Ver . stärker 14 und Abtasten mit feinem Lichtstrahl 18 zum Auslesen.
Nach Passieren des Wandlers 15 und an sich bekannte Verarbeitung im Gerät 16 kann aus den Auslesesignalen auf dem Bildschirm 27 des Monitors 26 das Durchleuchtungsbild des Patienten 3 erscheinen. Die im Gerät 16 angedeutete Bildbearbeitungs- und Fernseheinrichtung kann in an sich bekannter Weise,wie etwa in "Röntgenpraxis"
6 (1981), Seiten 239 bis 246 beschrieben, in digitaler Röntgentechnik ausgebildet sein, so daß zusätzlich Veränderungen von Helligkeit, Kontrast etc. des Röntgenbildes möglich werden.
7 Patentansprüche
1 Figur
Al
- Leerseite -

Claims (1)

  1. / VPA 83P310 9DE
    Patentansprüche
    η). Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung, bei der sich zwischen zwei flächenhaft ausgedehnten, strahlendurchlässigen Elektroden und in unmittelbarem Kontakt mit ihnen zwei Festkörperschichten befinden und daß die freien Flächen dieser beiden Schichten an einer Ladungsspeicherschicht liegen, wobei die erste eine Fotoleitschicht ist, die mit den Bildstrahlen,und die zweite eine Fotoleitschicht, die mit einem in einem Abtastraster bewegten optischen Strahl beaufschlagt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der ersten Fotoleitschicht ein Leuchtstoff zugeordnet ist, der die Bildstrahlen in Licht umsetzt, das bevorzugt in dieser Schicht absorbiert wird.
    2. Aufnahmeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Leuchtstoff in einer separaten Schicht angeordnet ist.
    3. Aufnahmeeinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht sich an
    "der Außenseite der Elektrode.befindet,die der Fotoleiterschicht anliegt, und daß diese Elektrode für dieses Licht durchlässig ist.
    •4. Aufnahme einrichtung-· nach Anspruch 1 zur Wandlung von Röntgenbildern in elektrische Signale mit einer zwischen Elektroden liegenden, mehrschichtigen Fotoleiter-Halbleiterstruktur, die zwei fotoleitende Schichten enthält, zwischen der sich eine Ladungsträger-Haft schicht befindet, daß während der Aufnahme eine geeignete elektrische Spannung an den Elektroden anliegt, um Ladungsträger in der Haftschicht zu sammeln,
    VPA 83 P 3 1 0 9 OE
    daß Mittel zur Abtastung durch einen Lichtstrahl desjenigen Fotoleiters vorgesehen sind, der der Röntgenaufnahmeseite gegenüberliegt, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotoleiterschicht auf der Aufnahmeseite ein Leuchtstoff zugeordnet ist, der Röntgenstrahlen in Licht umsetzt, das bevorzugt in dieser Schicht absorbiert wird.
    5. Aufnahmeeinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß einer oder beide Fotoleiter Selen (Se) enthalten und der Leuchtstoff SeI-ten-Erd-Leuchtstoffe.
    6. Aufnahmeeinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff Lanthanoxibromid (LaOBr), Bariumfluorchlorid (BaFCl) oder Cäsiumjodid (CsJ) ist.
    7. Aufnahmeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Fotoleiter^ aus einer 0,1 bis 30/um dicken Schicht aus amorphem, mit stabilisierenden Zusätzen, etwa 0,1 bis 5 % Arsen (As) und/oder Tellur (Te), versehenem Selen oder wasserstoff haltigem amorphem Silizium besteht.
DE19833312264 1983-04-05 1983-04-05 Vorrichtung zur aufnahme von roentgenbildern Withdrawn DE3312264A1 (de)

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