DE3305033A1

DE3305033A1 - Activation circuit for a radiation-emitting diode

Info

Publication number: DE3305033A1
Application number: DE19833305033
Authority: DE
Inventors: Jan Goerne; Hans-Norbert Dr Toussaint
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Siemens Corp
Priority date: 1983-02-14
Filing date: 1983-02-14
Publication date: 1984-08-16

Abstract

To feed a radiation-emitting diode (1) in an optical waveguide transmitter, two feed current paths (2, 3) with identical configurations are provided which can be controlled in each case by gate circuits (G1; G2), in which paths an auxiliary current path (9) in each case takes over the feed current when the feed current path (2, 3) is de-energised (Fig. 1). <IMAGE>

Description

Ansteuerschaltung für eine Strahlung emittierende DiodeControl circuit for a radiation-emitting diode

Die Erfindung bezieht sich auf eine Ansteuerschaltung für eine Strahlung emittierende Diode, bei der für die Diode zwei unabhängig voneinander mittels jeweils wenigstens einer Gatterschaltung aktivierbare bzw. inaktivierbare Speisestrompfade vorgesehen sind.The invention relates to a control circuit for radiation emitting diode, in which for the diode two independently by means of each at least one gate circuit that can be activated or deactivated are provided.

Eine solche Ansteuerschaltung ist aus der US-PS 40 27 152, insbesondere Fig. 3, bekannt. Bei dieser bekannten Schaltung kann die Strahlung emittierende Diode wahlweise mit dem Summenstrom der beiden Speisestrompfade oder nur mit dem Speisestrom eines der beiden Strompfade beaufschlagt oder stromlos gemacht werden. Die Strahlungsintensität der Diode kann auf diese Weise drei voneinander verschiedene Werte annehmen, nämlich einen Maximalwert, einen Mittelwert, je nachdem die Diode.mit dem Summenstrom oder nur mit dem Strom eines Speisestrompfades beaufschlagt wird, oder die Intensität Null, wenn die Diode stromlos ist. Bei dieser bekannten Ansteuerschaltung sind jedoch größere Leitungsstrecken mit pulsierendem Strom vorhanden, die bei höheren PuMfrequenzen Störstrahlung aussenden.Such a control circuit is from US-PS 40 27 152, in particular Fig. 3, known. In this known circuit, the radiation can be emitting Diode either with the total current of the two supply current paths or only with the The feed current of one of the two current paths can be applied or de-energized. In this way, the radiation intensity of the diode can be three different from one another Assume values, namely a maximum value, an average value, depending on the Diode.mit the total current or only the current of a feed current path is applied, or the intensity zero when the diode is de-energized. In this known control circuit However, there are larger line sections with pulsating currents, those with higher ones PuM frequencies emit interference radiation.

Aufgabe vorliegender Erfindung ist es demgegenüber, eine solche Ansteuerschaltung derart weiterzubilden, daß Störstrahlung aussendende Leitungsteile möglichst reduziert werden können.In contrast, the object of the present invention is to provide such a control circuit to be developed in such a way that line parts emitting interference radiation are reduced as much as possible can be.

Erfindungsgemäß ergibt sich die Lösung dieser Aufgabe dadurch, daß jede Gatterschaltung in einen -jeweils mit einem Speisestrompfad in Verbindung stehenden Hilfsstrompfad eingefügt ist, und daß der Hilfsstrompfad in einem von zwei möglichen Schaltzuständen der Gatterschaltung zu einem Kurzschlußstrompfad für den zugehörigen Speisestrompfad ausgebildet ist, daß jeder Speisestrompfad aus der Serienschaltung eines Widerstands und einer weiteren zur Strahlung emittierenden Diode gleichsinnig gepolten Diode besteht, und daß der Verbindungspunkt weitere Diode-Widerstand an den jeweiligen Hilfsstrompfad angeschlossen ist.According to the invention, this object is achieved in that each gate circuit in a - each with a supply current path connected Auxiliary current path is inserted, and that the auxiliary current path is in one of two possible Switching states of the gate circuit to a short-circuit current path for the associated Feed current path is designed that each feed current path from the series circuit a resistor and a further radiation-emitting diode in the same direction polarized diode exists, and that the connection point further diode resistance the respective auxiliary current path is connected.

Auf diese Weise bleibt der Strom durch die Widerstände in den Speisestrompfaden vorteilhaft immer annähernd konstant, da er im aktivierten Zustand eines Speisestrompfades über die weitere Diode und über die Strahlung emittierenae Diode und im inaktivierten Zustand eines Speisestrompfades über den Hilfsstrompfad fließt. Die Aussendung von Störstrahlung durch mit pulsierenden Strömen beaufschlagte Schaltungsteile bleibt daher auf den relativ kurzen Hilfsstrompfad und den durch die weitere Diode gebildeten relativ kurzen Abschnitt eines Speisestrompfades begrenzt.In this way the current through the resistors remains in the supply current paths advantageous always approximately constant, since it is in the activated state of a feed current path via the further diode and via the radiation emittierenae diode and im inactivated State of a feed current path flowing through the auxiliary current path. The sending of Interfering radiation from circuit parts subjected to pulsating currents remains therefore on the relatively short auxiliary current path and that formed by the further diode limited relatively short section of a feed current path.

Diese Abschnitte können aber durch verhältnismäßig unaufwendige Maßnahmen wirksam abgeschirmt werden.These sections can, however, by means of relatively inexpensive measures effectively shielded.

Die weitere Diode in den beiden Speisestrompfaden übt dabei eine Doppelfunktion aus, einerseits entkoppelt sie die beiden Speisestrompfade gegeneinander, so daß der "Kurzschluß" eines Speisestrompfades sich nicht auf den anderen Speisestrompfad auswirken kann, andererseits erleichtert sie den "Kurzschluß", da ein solcher nun nur die Summe der Schwer, lenspannungen einer weiteren Diode und der Strahlung emittierenden Diode zu unterschreiten braucht, um den jeweiligen Speisestrompfad für die Strahlung emittierende Diode inaktiv zu machen.The further diode in the two supply current paths has a double function off, on the one hand, it decouples the two feed current paths from one another, so that the "short circuit" of a supply current path does not affect the other supply current path can affect, on the other hand, it facilitates the "short circuit", since such a now only the sum of the heavy, lens voltages of another diode and the radiation emitting Diode needs to fall below the respective feed current path for the radiation to make emitting diode inactive.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Widerstände der beiden Speisestrompfade ungleich groß bemessen sind.In a further embodiment of the invention it is provided that the resistors of the two feed current paths are dimensioned unequal.

Durch die ungleich große Bemessung der Widerstände in den Speisestrompfaden ergeben sich vorteilhaft vier Schaltzustände der Strahlung emittierenden Diode, nämlich bei Beaufschlagung der Diode mit dem Summenstrom der beiden Speisestrompfade der Zustand maximaler Strahlungsintensität, bei Speisung der Diode mit dem Strom des einen Speisestrompfades eine gegenüber der maxima.len Strahlungsintensität geringere Strahlungsintensität, die bei Speisung der Diode Dadurch den anderen Speisestrompfad sich nochmals verringert. Schließlich wird die Strahlungsaussendung durch die Diode bei Sperrung beider Strompfade unterbrochen.Due to the unequal size of the resistances in the supply current paths there are advantageously four switching states of the radiation-emitting diode, namely when the diode is subjected to the total current of the two supply current paths the state of maximum radiation intensity when the diode is supplied with current of the one feed current path is lower than the maximum radiation intensity Radiation intensity which, when the diode is fed, thereby affects the other feed current path decreases again. Finally, the radiation is emitted by the diode interrupted when both current paths are blocked.

Ferner kann im Rahmen vorliegender Erfindung vorgesehen sein, daß die Strahlung emittierende Diode mit ihrer Katode an Masse und mit ihrer Anode über jeweils eine weitere Diode und einen der Widerstände im Speisestrompfad mit dem Pluspol einer Speisespannungsquelle verbunden ist.Furthermore, it can be provided within the scope of the present invention that the radiation-emitting diode with its cathode to ground and with its anode via a further diode and one of the resistors in the feed current path with the Positive pole of a supply voltage source is connected.

Auf diese Weise liegt also die Katode der Strahlung emittierenden Diode auf Massepotential, wodurch die beim Betrieb der Diode auftretende Wärme besonders unkompliziert abgeleitet werden kann.In this way, the cathode of the radiation-emitting lies Diode at ground potential, which means that the heat generated during operation of the diode is particularly important can be derived easily.

Schließlich kann im Rahmen der Erfindung auch noch vorgesehen sein, daß jede Gatterschaltung nach Art einer Gegentaktschaltung ausgebildet ist, daß neben dem Hilfsstrompfad ein vom Verbindungspunkt weitere Diode-Widerstand zu dem Widerstand paralleler Zusatzstrompfad vorgesehen ist, und daß Hilfsstrompfad und Zusatzstrompfad durch ihre zugehörige Gatterschaltung abwechselnd sperrbar bzw. durchschaltbar ausgebildet sind.Finally, within the scope of the invention, it can also be provided that each gate circuit is designed in the manner of a push-pull circuit, that In addition to the auxiliary current path, another diode resistor from the connection point to the Resistance parallel additional current path is provided, and that auxiliary current path and Additional current path can alternately be blocked or blocked by its associated gate circuit. are designed to be switchable.

Auf diese Weise können in den Gatterschaltungen relativ gering belastbare IC-Bauelemente verwendet und dennoch die Strahlung emittierende Diode mit optimalem Speisestrom versorgt werden, da die in jeder Gatterschaltung verwendeten elektronischen Schalter entweder nur von dem über den Widerstand des Speisestrompfades fließenden Strom oder nur von dem im Zusatzstrompfad fließenden Strom beansprucht werden, die Strahlung emittierende Diode jedoch von beiden Strömen durchflossen wird.In this way, relatively low loads can be used in the gate circuits IC components used and yet the radiation-emitting diode with optimal Supply current is supplied as the electronic used in each gate circuit Switch either only from the one flowing through the resistance of the feed current path Current or only the current flowing in the additional current path is used, which Radiation-emitting diode, however, is traversed by both currents.

In Abwandlung einer solchen Ansteuerschaltung kann auch vorgesehen sein, daß die Widerstände der beiden Speisestrompfade über jeweils eine zusätzliche Diode, die jeweils zur weiteren Diode des jeweiligen Speisestrompfades gleichgepolt ist, an einen Schalter, und über diesen mit einem Pol der Speisespannungsquelle verbunden sind, und daß die Strahlung emittierende Diode an den anderen Pol der Speisespannungsquelle angeschlossen ist.A control circuit of this type can also be modified be that the resistances of the two supply current paths each have an additional Diode with the same polarity as the other diode of the respective feed current path is to a switch, and via this to one pole of the supply voltage source are connected, and that the radiation-emitting diode to the other pole of the Supply voltage source is connected.

Bei geöffnetem Schalter kann die Strahlung emittierende Diode dadurch nur über einen oder beide Zusatzstrompfade gespeist werden. Bei unsymmetrischer Auslegung der Zusatzstrompfade kann daher die Strahlung emittierende Diode mit vier verschiedenen Strompegeln betrieben werden, nämlich mit dem Summenstrom, dem Strom des einen Zusatzstrompfades, mit dem Strom des anderen Zusatzstrompfades oder stromlos gemacht werden. Bei geschlossenem Schalter ergeben sich vom stromlosen Zustand abgesehen, drei unterschiedliche Strompegel, die jedoch sämtlich höher liegen, als die entsprechenden Pegel bei geöffnetem Schalter. Dadurch können vorteilhaft weitere drei Strompegel und damit drei weitere von den vorherigen verschiedene Strahlungsintensitäten erzeugt werden.When the switch is open, the radiation-emitting diode can thereby can only be fed via one or both additional current paths. With unbalanced Design of the additional current paths can therefore use the radiation-emitting diode with four different current levels are operated, namely with the total current, the current of one additional current path, with the current of the other additional current path or without current be made. When the switch is closed, apart from the de-energized state, three different current levels, all of which are higher than the corresponding ones Level when the switch is open. This allows another three current levels to be advantageous and thus three more radiation intensities different from the previous ones generated will.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand von sechs Figuren noch näher erläutert.Exemplary embodiments of the invention are described below with reference to six Figures explained in more detail.

Dabei zeigen Fig. 1 ein Schaltbild einer Ansteuerschaltung nach der Erfindung, unter Weglassung aller nicht unbedingt zum Verständnis der Wirkungsweise dieser Ansteuerschaltung erforderlichen Einzelheiten, Fig. 2 in Diagrammform dargestellte, mit der Ansteuerschaltung nach Fig. 1, erzielbare unterschiedliche Speisestrompegel für die Strahlung emittierende Diode, wenn die Widerstände 5 ungleich groß bemessen werden, Fig. 3 in Diagrammform der zeitliche.Verlauf der von der Strahlung emittierenden Diode erzeugten Strahlungsintensitäten, wenn die Diode mit einem Strom gespeist wird, der den in Fig. 2 dargestellten zeitlichen Verlauf hat, Fig. 4 eine Abwandlung der in Fig. 1 dargestellten Ansteuerschaltung, Fig. 5 und Fig. 6 Diagramme zur Erläuterung der Wirkungsweise einer Schaltungsanordnung nach Fig. 4.1 shows a circuit diagram of a control circuit according to the Invention, omitting all, not necessarily to understand how it works this control circuit necessary details, Fig. 2 shown in diagram form, different supply current levels that can be achieved with the control circuit according to FIG for the radiation-emitting diode if the resistors 5 are of unequal size Fig. 3 shows in diagram form the temporal course of the radiation emitting Diode generated radiation intensities when the diode was fed with a current which has the time profile shown in FIG. 2, FIG. 4 a modification the control circuit shown in Fig. 1, Fig. 5 and Fig. 6 diagrams for explanation the mode of operation of a circuit arrangement according to FIG. 4.

Wie Fig. 1 zeigt, ist eine Strahlung emittierende Diode 1 mit ihrer Katode an Masse und mit ihrer Anode an die Parallelschaltung zweier Speisestrompfade 2, 3 angeschlossen.As Fig. 1 shows, a radiation-emitting diode 1 with its Cathode to ground and with its anode to the parallel connection of two supply current paths 2, 3 connected.

Jeder Speisestrompfad besteht aus der Serienschaltung einer weiteren Diode 4 und eines Widerstandes 5. Dabei sind die beiden weiteren Dioden 4 mit gleicher Polung, wie die Strahlung emittierende Diode angeordnet und mit der Strahlung emittierenden Diode verbunden, während die Widerstände 5 an den Pluspol einer Speisespannungsquelle angeschlossen sind, deren Minuspol an Masse liegt.Each feed current path consists of a series connection of another Diode 4 and a resistor 5. The two other diodes 4 are identical Polarity, like the radiation-emitting diode arranged and with the radiation-emitting Diode connected, while the resistors 5 to the positive pole of a supply voltage source are connected, the negative pole of which is connected to ground.

An jeden Verbindungspunkt zwischen einem Widerstand 5 und einer weiteren Diode 4 ist über einen zusätzlichen Widerstand 6 der Ausgang einer Gatterschaltung G1 bzw. G2 angeschlosen.At each connection point between a resistor 5 and another Diode 4 is the output of a gate circuit via an additional resistor 6 G1 or G2 connected.

Die Gatterschaltungen G1 und G2 sind so ausgebildet, daß sie, z.B. als AND-Glied, OR-Glied, NAND-Glied oder NOR-Glied arbeiten, und in Abhängigkeit von den an ihren Eingängen 7 vorliegenden Bedingungen ihren durch den Widerstand 6 repräsentierten Ausgang entweder an den Pluspol der Betriebsspannungsquelle oder an Masse, also an den Minuspol der Betriebsspannungsquelle, anschließen. Der erste Zustand einer Gatterschaltung kann auch als "high"-Zustand und der letztere als "low"-Zustand bezeichnet werden.The gate circuits G1 and G2 are designed so that they can e.g. work as an AND element, OR element, NAND element or NOR element, and in dependence of the conditions present at their inputs 7 are due to the resistance 6 represented output either to the positive pole of the operating voltage source or connect to ground, i.e. to the negative pole of the operating voltage source. The first State of a gate circuit can also be called a "high" state and the latter as "low" state are referred to.

Befindet sich eine der Gatterschaltungen G1, G2 im "low"-Zustand, so liegt dadurch der Verbindungspunkt 8 zwischen einer weiteren Diode 4 und einem Widerstand 5 über einen-Widerstand 6 an Masse. Bei bestimmter Bemessung der Widerstände 6 ist dabei eine am Widerstand 6 auftretende Spannung geringer als die Summe der Schwellspannungen an den Dioden 1 und 4. Auf diese Weise leitet ein Widerstand 6 den über einen Widerstand 5 fließenden Speisestrom über die einen Hilfsstrompfad 9 bildende Verbindung zwischen einer Gatterschaltung G1 bzw. G2 und Masse, während die weitere Diode 4 stromlos wird.If one of the gate circuits G1, G2 is in the "low" state, as a result, the connection point 8 lies between a further diode 4 and a Resistor 5 via a resistor 6 to ground. With a certain dimensioning of the resistances 6, a voltage occurring across the resistor 6 is lower than the sum of the Threshold voltages on diodes 1 and 4. In this way a resistor 6 conducts the supply current flowing through a resistor 5 via an auxiliary current path 9 forming connection between a gate circuit G1 or G2 and ground, while the further diode 4 is de-energized.

Befindet sich ein Gatter G1 bzw. G2 im tthigh"-Zustand, dann wird dadurch ein Schaltungspunkt 8 über einen Widerstand 6 mit dem positiven Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden. Dadurch bildet die Verbindung zwischen einer Gatterschaltung G1 oder G2 und dem positiven Pol der Betriebsspannungsquelle einen Zusatzstrompfad 10, so daß der Strom 11 bzw. I2 über die Dioden 4 während des high"-Zustandes der zugehörigen Gatterschaltung G1 bzw. G2 sich aus der Summe des Stromes über einen Widerstand 5 und über einen Zusatzstrompfad 10 zusammensetzt.If a gate G1 or G2 is in the tthigh "state, then thereby a node 8 via a resistor 6 to the positive pole of the Operating voltage source connected. This forms the connection between a Gate circuit G1 or G2 and the positive pole of the operating voltage source one Additional current path 10, so that the current 11 or I2 via the diodes 4 during the high "state the associated gate circuit G1 or G2 is derived from the sum of the current through a Resistance 5 and over one Additional current path 10 composed.

Die zusätzlichen Dioden 4 sind erforderlich, um die Schaltungspunkte 8 gegeneinander zu entkoppeln, wenn sich die eine Gatterschaltung im "high"- und die andere Gatterschaltung im "low"-Zustand befindet.The additional diodes 4 are required to make the circuit points 8 to be decoupled from each other when the one gate circuit in "high" - and the other gate circuit is in the "low" state.

Die Widerstände 5 und 6 sind Strombegrenzungswiderstände, die verhindern, daß die Dioden von unzulässig hohen Strömen durchflossen werden.Resistors 5 and 6 are current limiting resistors that prevent that the diodes are traversed by impermissibly high currents.

Werden z.B. die Widerstände 5 der beiden Speisestrompfade 2, 3 ungleich groß bemessen, während die Widerstände 6 gleich groß sind, so ergibt sich, daß der Strom I1 eine andere Größe hat als der Strom 12.If, for example, the resistances 5 of the two feed current paths 2, 3 become unequal sized large, while the resistors 6 are the same size, it follows that the Current I1 has a different magnitude than current 12.

Befinden sich beide Gatterschaltungen im sogenannten ,Vhighfl Zustand, so wird die Diode 1 vom maximalen Speisestrom durchflossen.If both gate circuits are in the so-called, Vhighfl state, the maximum supply current flows through diode 1.

Ist der Widerstand 5 im Speisestrompfad 2 kleiner als der Widerstand 5 im Speisestrompfad 3, und befindet sich die Gatterschaltung G1 im high-Zustand, dagegen die Gatterschaltung G2 im "low"-Zustand, so wird die Diode 1 nur vom Strom I1 durchflossen.If the resistance 5 in the feed current path 2 is smaller than the resistance 5 in the supply current path 3, and the gate circuit G1 is in the high state, on the other hand, if the gate circuit G2 is in the "low" state, the diode 1 is only powered by the current I1 flowed through.

Wird die Gatterschaltung G1 in den "low"-Zustand versetzt, und zugleich die Gatterschaltung G2 in den "high"-Zustand, so wird die Diode 1 vom Strom 12 gespeist.If the gate circuit G1 is placed in the "low" state, and at the same time the gate circuit G2 in the "high" state, the diode 1 is fed by the current 12.

Wenn sich beide Gatterschaltungen G1 und G2 im "low't-Zustand befinden, so ist die Diode 1 stromlos.If both gate circuits G1 and G2 are in the "low't state, so the diode 1 is de-energized.

Aus Fig. 2 ist zu ersehen, wie unter Verwendung der in Fig. 1 dargestellten Schaltung vorteilhaft die Steuerung der Gatterschaltungen so erfolgen kann, daß der in Fig. 3 dargestellte Strahlungsimpuls mit relativ steilen Flanken erhalten wird.From FIG. 2 it can be seen how using those shown in FIG. 1 Circuit advantageous control of the gate circuits can be done so that that in Fig. 3 radiation pulse shown with relatively steep Flanks is obtained.

Wie Fig. 3 zeigt, baut sich dieser Strahlungsimpuls auf einer mittleren Strahlungsintensität 1 auf, die z.B. den Ruhezustand des Lichtsenders definieren soll. Der Strahlungspegel #1 wird wird mit Hilfe der Schaltungsanordnung in Fig. 1 dadurch erzeugt, daß die Gatterschaltung G1 im 'tlow"-Zustand gehalten wird, während sich die Gatterschaltung G2 im "high"-Zustand befindet, wobei der Widerstand 5 im Speisestrompfad 2 kleiner ist, als der Widerstand im Speisestrompfad 3.As FIG. 3 shows, this radiation pulse builds up on a central one Radiation intensity 1, which e.g. define the idle state of the light transmitter target. The radiation level # 1 is determined with the aid of the circuit arrangement in Fig. 1 generated in that the gate circuit G1 is held in the 'tlow' state while the gate circuit G2 is in the "high" state, the resistor 5 in the Supply current path 2 is smaller than the resistance in supply current path 3.

Zwecks Aussendung eines Strahlungsimpulses durch die Diode 1 wird diese zunächst kurzzeitig, d.h. für die gegenüber der Impulsdauer relativ kurze Zeitspanne T1 mit dem Summenstrom aus I1 und I2 beaufschlagt. Hierzu wird zusätzlich zur Gatterschaltung G2 auch die Gatterschaltung G1 in den "high"-Zustand versetzt.In order to emit a radiation pulse through the diode 1 is this initially for a short time, i.e. for the relatively short compared to the pulse duration Time period T1 is charged with the total current from I1 and I2. This is additionally for the gate circuit G2, the gate circuit G1 is also put into the "high" state.

Da eine Dauerbelastung der Diode 1 mit dem Summenstrom aus 11 und I2 die Diode 1 thermisch überlasten würde, wird nach Ablauf der Zeitspanne T1 die Gatterschaltung G2 in den "low"-Zustand gebracht und dadurch der Strom I2 abgeschaltet.Since a continuous load of the diode 1 with the total current from 11 and I2 would thermally overload the diode 1, after the time period T1 the The gate circuit G2 is brought into the "low" state and the current I2 is thereby switched off.

Die Diode 1 erhält nun für die Dauer des Strahlungsimpulses den Strom 11, der größer ist als der Strom I2, und daher einen größeren Strahlungspegel 2 verursacht als der Strom 12.The diode 1 now receives the current for the duration of the radiation pulse 11, which is greater than the current I2, and therefore a greater radiation level 2 caused than the current 12.

Um auch die Abstiegsflanke des Strahlungsimpulses möglichst steil zu machen, werden beide Gatterschaltungen am Ende des Strahlungsimpulses kurzzei.tig, d.h. für die Dauer der Zeitspanne T2 in den "low"-Zustand versetzt. Die Diode 1 wird dadurch für die Zeitspanne T2 stromlos. Die Strahlungsaussendung wird jedoch, wie Fig. 3 zeigt, dadurch nicht unterbrochen, sondern nur die Abstiegsflanke des Strahlungsimpul- ses versteilert.In order to also make the falling edge of the radiation pulse as steep as possible to make, both gate circuits are briefly at the end of the radiation pulse, i.e. placed in the "low" state for the duration of the period T2. The diode 1 is thereby de-energized for the period T2. The radiation emission is, however, as Fig. 3 shows, not interrupted, but only the falling edge of the Radiation pulse es steeped.

Schließlich wird wieder die Gatterschaltung G2 in den "high"-Zustand gebracht, während die Gatterschaltung G1 im "low"-Zustand verbleibt. -Damit ist wieder der Ausgangszustand der Ansteuerschaltung erreicht, und die Diode Dl strahlt wieder mit der Intensität O1 1 den den Ruhepegel aus.Finally, the gate circuit G2 is again in the "high" state brought while the gate circuit G1 remains in the "low" state. -That's it the initial state of the control circuit is reached again, and the diode Dl shines again with the intensity O1 1 from the rest level.

Wie Fig. 4 zeigt, kann die in Fig. 1 dargestellte Anordnung noch dadurch modifiziert werden, daß die Widerstände 5 der beiden Speisestrompfade 2, 3 über jeweils eine zusätzliche Diode 11, die der Entkopplung der beiden Speisestrompfade 2, 3 gegeneinander dienen, an einen Schalter S angeschlossen werden, der die beiden Speisestrompfade 2, 3 mit dem Pluspol einer Speisespannungsquelle verbindet.As FIG. 4 shows, the arrangement shown in FIG. 1 can still thereby be modified so that the resistors 5 of the two feed current paths 2, 3 over an additional diode 11 each, which decouples the two feed current paths 2, 3 serve against each other, be connected to a switch S that controls the two Supply current paths 2, 3 connects to the positive pole of a supply voltage source.

Bei geöffnetem Schalter S kann die Diode 1 nur noch über die Zusatzstrompfade 10 gespeist werden, je nachdem sich die Gatterschaltungen G1 und G2 im "high"- oder "low"-Zustand befinden.When the switch S is open, the diode 1 can only use the additional current paths 10 are fed, depending on the gate circuits G1 and G2 in "high" - or "low" state.

Bei geschlossenem Schalter S addieren sich zu den Strömen der jeweiligen Zusatzstrompfade 10 die Ströme der beiden Speisestrompfade 2 und 3.When the switch S is closed, the currents of the respective Additional current paths 10 the currents of the two feed current paths 2 and 3.

Bei vollkommen symmetrischer Auslegung der Schaltungsanordnung nach Fig. 4 ergeben sich dadurch bei den jeweiligen "high"- bzw. "low"-Zuständen der Gatterschaltungen G1 und G2 die Strompegel für die Diode 1, wie sie Fig. 6 zu entnehmen sind.-Die gestrichelte Linie in Fig. 6 zeigt den Strompegel bei geöffnetem Schalter S und die ausgezogene Linie die bei geschlossenem Schalter S erzielbaren beiden Strompegel.With a completely symmetrical design of the circuit arrangement according to 4 result in the respective "high" and "low" states of the Gate circuits G1 and G2 show the current levels for diode 1, as shown in FIG The dashed line in Figure 6 shows the current level when the switch is open S and the solid line are the two achievable with the switch S closed Power level.

Mit Hilfe einer Schaltungsanordnung, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, lassen sich also unkompliziert vier voneinander verschiedene Strompegel für die Diode 1 erzeugen. Diesen verschiedenen Strompegeln entsprechen voneinander verschiedene Intensitätspegel, so daß die Diode 1 den Strompegeln entsprechend vier verschiedene Strahlungspegel annehmen kann.With the aid of a circuit arrangement as shown in FIG is, so four different current levels for generate the diode 1. These different current levels correspond to different ones from one another Intensity level so that the diode 1 corresponds to four different current levels Can assume radiation level.

Bei unsymmetrischer Auslegung der Anordnung nach Fig.'4, z.In the case of an asymmetrical design of the arrangement according to FIG.

B. ungleiche Widerstände 5, erhält man wenigstens noch einen zusätzlichen Strompegel und damit einen zusätzlichen Strahlungsintensitätspegel. B. unequal resistances 5, at least one additional current level and thus an additional radiation intensity level is obtained.

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Claims

Claims (1 control circuit for a radiation-emitting Diode, in which two independently of one another by means of at least two for the diode a gate management activatable or inactivable feed current paths are provided are, d u r g e k en n z e i c h n e t, that each gate circuit (G1; G2) into an auxiliary current path that is connected to a feed current path (2, 3) (9) is inserted, and that the auxiliary current path (9) is in one of two possible switching states the gate circuit (G1; G2) to a short-circuit current path for the associated supply current path (2,3) is designed that each feed current path (2,3) from the series connection of one Resistance (5) and a further radiation-emitting diode (1) in the same direction polarized diode (4), and that the connection point (8) further diode resistance is connected to the respective auxiliary current path (9).

2. Control circuit according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c b n e t that the resistances (5) of the two feed current paths are unequal are sized.

3. Control circuit according to one of claims 1 or 2, d a d u r c h g e k en n z e i c h.n e t that the radiation-emitting diode (1) with its Cathode to ground and with its anode via a further diode (4) and one the resistors (5) in the supply current path (2,3) with the positive pole of a supply voltage source connected is.

4. Control circuit according to one of the preceding claims, d a o u r c h e k e n n n z e i n e t that every gate circuit (G1; G2) according to Art a push-pull circuit is formed that in addition to the auxiliary current path (9) a from Connection point (8) further diode resistor to the resistor (5) parallel additional current path (10) is provided, and that auxiliary current path (9) and additional current path (10) can be alternately blocked or switched through by its associated gate circuit (G1; G2) are trained.

5. Modification of a control circuit according to claim 4, d a d u r 0 h e k e n n n z e i 0 h n e t that the resistors (5) of the two feed current paths each via an additional diode (11), each of which is connected to the further diode (4) of the respective Speises.trompfades (2,3) has the same polarity, to a switch (S), and are connected via this to a pole of the supply voltage source, and that the Radiation-emitting diode (1) connected to the other pole of the supply voltage source is.