DE3219055A1 - Method of fabricating a film carrier having conductor structures - Google Patents
Method of fabricating a film carrier having conductor structuresInfo
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Abstract
Description
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Telefonbau und Normalzeit GmbH, Postfach Hh 32,Telefonbau und Normalzeit GmbH, PO Box Hh 32,
600C Frankfurt/Mair,600C Frankfurt / Mair,
Verfahren zur Herstellung eines Filmträgers mit Leiterstrukturen Process for the production of a film carrier with conductor structures
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Filmträgers mit geätzten Leiterstrukturen für integrierte Schaltkreise mit an der Oberfläche des Chips liegenden Anschlufcpunkten, an welchen die Leiterstrukturen anschließbar sind, wobei die Leiterstrukturen in der Nähe der Anschlußpunkte durch einen gemeinsamen isolierenden Ring gehalten werden, welcher den integrierten Schaltkreis umschließt. Für gewisse Anwendungen, beispielsweise für die Herstellung von Hybridschaltkreisen in Dick- oder Dünnschichttechnik, werden die integrierten Schaltkreise in Form von Halbleiterchips in bestimmten Abständen auf einem Filmträger angebracht, Der Filmträger dient einmal zur automatischen Bestückung des Dick- oder Dünnschichtsubstrats und zum anderen zur Herstellung der elektrischen Verbindungen. Hierzu ist der Filmträger mit einer Kupferfolie versehen, in welche eine entsprechende Leiterstruktur eingeätzt ist. Die Leiterstrukturen sind in der Regel mehr oder weniger strahlenförmig ausgebildet, wobei sich die einzelnen Leiterbahnstreifen nach außen vergrößern. Am schmalen Ende der jeweiligen Leiterbahn erfolgt der Anschluß am integrierten Baustein oder Chip, während am breiten Ende der spätere Anschluß an dem Substrat des Dick- oder Dünnschichtbau steins erfolgt. Die beschriebenen Vorgärige werden auch als sogenanntes Film- Bonden bezeichnet, welches beispielsweise in der Druckschrift "Elektronik 1979, Heft H, auf den Seiten 39 bis M2 beschrieben ist.The invention relates to a method for producing a film carrier with etched conductor structures for integrated circuits with connection points lying on the surface of the chip, to which the conductor structures can be connected, the conductor structures being held in the vicinity of the connection points by a common insulating ring, which the integrated Circuit enclosing. For certain applications, for example for the production of hybrid circuits in thick or thin film technology, the integrated circuits in the form of semiconductor chips are attached to a film carrier at certain intervals electrical connections. For this purpose, the film carrier is provided with a copper foil into which a corresponding conductor structure is etched. The conductor structures are generally more or less radially shaped, with the individual conductor track strips increasing in size towards the outside. At the narrow end of the respective conductor track, the connection is made to the integrated module or chip, while the later connection to the substrate of the thick or thin-film module takes place at the broad end. The pre-fermenters described are also referred to as so-called film bonding, which is described, for example, in the publication "Electronics 1979, Issue H, on pages 39 to M2.
• · ItI• · ItI
Im Anschlußbereich des integrierten Schaltkreises sind die Leiterstrukturen als schmale Leiterstreifen ausgebildet. Zur Err.öhur.g der mechanischen Stabilität derselben, zum Einhalten der durch die Lage der Anschlußpunkte auf dem Chip bestimmten Abstände der Leiterstreifen und zur Vermeidung von Kurzschlüssen zwischen denselben werden diese durch eine isolierende Schicht unterstützt, beispielsweise den isolierenden Filmträger selbst. Dabei gehen die Bestrebungen dahin, diese Unterstützung soweit wie möglich bis zur eigentliehen Anschlußstelle wirken zu lassen. Dem steht jedoch die Schichtdicke des Filmträgers entgegen, da diese viel größer ist, als die Höhe der al3 Anschlußpunkte auf dem Halbleiterchip ausgebildeten Höcker. Aus fertigungstechnischen Gründen sind die Hersteller derartiger Halbleiter-Chips bestrebt, diesen Höckern nur eine für die spätere Kontaktherstellung ^Thermokompression) benötigte Höhe zu geben.In the connection area of the integrated circuit, the conductor structures are designed as narrow conductor strips. To Err.öhur.g the mechanical stability of the same, to adhere to the spacing of the conductor strips determined by the position of the connection points on the chip and to avoid them of short circuits between them, these are supported by an insulating layer, for example the insulating film carrier itself. The endeavors go there, this support as far as possible to the actual Let the connection point work. However, this is opposed to the layer thickness of the film carrier, since it is much greater is than the height of the al3 connection points formed on the semiconductor chip. From production engineering For reasons, the manufacturers of such semiconductor chips endeavor to give these bumps only one for later contact production ^ Thermocompression) to give the required height.
Es ist auch möglich, die zur Erzielung eines entsprechenden Abstandes benötigten Hocker an der Anschlußstelle an den Leiterstreifen selbst anzubringen. Die dafür benötigten zusätzlichen Arbeitsgänge erlauben jedoch keine wirtschaftliche Fertigung.It is also possible to place the stool required to achieve a corresponding distance at the connection point to the To attach ladder strips yourself. The additional work steps required for this, however, do not allow any economic ones Production.
Die Aufgabe der Erfindung besteht nun darin, ein Verfahren zur Herstellung eines Filmträgers mit geätzten Leiterstrukturen für integrierte Schaltkreise anzugeben, bei welche auf derartige, mit einer besonderen Höhe als Höcker ausgebildeten Anschlußpunkte sowohl auf dem Halbleiterbitchip selbst als auch auf den Leiterstreifen verzichtet werden kann.The object of the invention is now to provide a method for producing a film carrier with etched conductor structures specify for integrated circuits, in which on such, formed with a particular height as a hump Connection points both on the semiconductor bit chip itself and on the conductor strip can be dispensed with.
Diese Aufgabe wird durch folgende Verfahrensschritte gelöst:This task is solved by the following process steps:
1. Aufbringen eines ringförmigen Musters aus einer Kunststoffmasse im zu unterstützenden Bereich der Leiterstrukturen durch Siebdruck auf einer Kupferfolie.1. Application of an annular pattern from a plastic compound in the area of the conductor structures to be supported by screen printing on a copper foil.
/· zum Beispiel/· for example
-f—^- ■■»--·■ J ■-f - ^ - ■■ »- · ■ J ■
2. Einbrennen des Siebdrucks2. Burning in the screen print
' 3. Ausätzen der Leiterstrukturen3. Etching out the conductor structures
■ 05 ^. Veredeln■ 05 ^. Refining
durch die Kupferfolie gebildet wird. Durch das Siebdruck- ; verfahren läßt sich jedes beliebige Muster in jeder be-is formed by the copper foil. Through the screen printing ; any pattern can be moved in any
10 liebigen Stärke auf die Kupferfolie auftragen.Apply 10 different strengths to the copper foil.
(I Eine Weiterbildung der Erfindung ist durch folgende Ver-(I A further development of the invention is provided by the following
.5 fahrensschritte gekennzeichnet:.5 driving steps marked:
■■ 15 1. Aufbringen eines ringförmigen Musters aus einer '! Kunststoffmasse im zu unterstützenden Bereich15 1. Application of a ring-shaped pattern from a '! Plastic compound in the area to be supported
der Leiterstrukturen durch Siebdruck auf eine ) Kupferfolieof the conductor structures by screen printing on a) copper foil
; 20 2. Einbrennen des Siebdrucks; 20 2. Burning in the screen print
*> 3. Aufkleben der Kupferfolie auf einen isolierenden,*> 3. Gluing the copper foil to an insulating,
1 Öffnungen aufweisenden Filmträger derart, daß die1 film carrier having openings such that the
%% Muster nach unten in den Öffnungen liegenPattern face down in the openings
4. Ausätzen der Leiterstrukturen4. Etching out the conductor structures
5. Veredeln5. Refining
•i 30 Bei der Verwendung eines isolierenden Filmträgers wird dieser• i 30 If an insulating film base is used, it will be
* mit den entsprechenden Öffnungen versehen, wobei anschließend* Provided with the corresponding openings, whereby afterwards
%% auf denselben die Kupferfolie geklebt wird, und zwar der-on the same the copper foil is glued, namely the
[j in den Öffnungen liegen.[j lie in the openings.
* · · · ft · ι ι* · · · Ft · ι ι
I · · t t t ■ « · «·» ι» III»I · · t t t ■ «·« · »ι» III »
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert, welches in der Zeichnung dargestellt ist.The invention is explained in more detail using an exemplary embodiment which is shown in the drawing.
Es zeigtIt shows
Fig. 1 die Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte ,1 shows the individual process steps,
Fig. 2 die Ausbildung der einzelnen Leiterstreifen und ihrer Unterstützung fürFig. 2 shows the formation of the individual conductor strips and their support for
den Anschluß von Halbleiterchips mit Anschlußpunkten, welche in mehreren parallelen Reihen angeordnet sind undthe connection of semiconductor chips with connection points, which in several parallel rows are arranged and
" Fig. 3 einen Querschnitt durch ein auf einem"Fig. 3 shows a cross section through one on one
Substrat angebrachten Halbleiter-Chip und dessen elektrischer Verbindung.Semiconductor chip attached to the substrate and its electrical connection.
Anhand von Fig. 1 wird das erfindungsgemäße Verfahren sowohl für Filmträger, welche aus einem elektrisch-leitenden Material als auch solchen aus isolierendem Material beschrieben. Die ersten Verfahrensschritte sind bei beiden Filmträgermaterialien die gleichen.With reference to Fig. 1, the method according to the invention is both for film carriers, which are made of an electrically conductive Material as well as those made of insulating material are described. The first procedural steps are with both Film base materials the same.
Zunächst erfolgt das Aufbringen eines ringförmigen Musters 3 durch ein Siebdruckverfahren auf eine Kupferfolie M. Diese Kupferfolie 4 ist als Band ausgebildet und kann mit Transportöffnungen 11 an beiden Seiten versehen sein, besteht der Filmträger selbst aus einem isolierenden Material, dann sindFirst, an annular pattern 3 is applied to a copper foil M by a screen printing process Copper foil 4 is designed as a tape and can be provided with transport openings 11 on both sides Film supports themselves are then made of an insulating material derartige Transportlöcher nicht unbedingt notwendig, da diese auch auf dem isolierenden Filmträger 1 angebracht sein können. Das Aufbringen des ringförmigen Musters auf die Kupferfolie wird als Verfahrensschritt A in Fig. 1 bezeichnet. Bei der durch den Siebdruck aufgebrachten Kunststoffmasse des ringSuch transport holes are not absolutely necessary, as these can also be attached to the insulating film carrier 1. Applying the ring-shaped pattern to the copper foil is referred to as process step A in FIG. 1. In the case of the plastic mass of the ring applied by screen printing förmiger· Musters kann es sich beispielsweise um Polyimid handeln. Durch das Siebdruckverfahren läßt sich leicht die Dicke der aufgebrachten Kunststoffmasse wählen. Im nächsten Verfahrensschritt (B) erfolgt das Einbrennen des ringförmigen Musters 3 auf die Kupferfolie 4. Die beiden beschriebenenshaped pattern can be, for example, polyimide Act. The screen printing process makes it easy to choose the thickness of the plastic compound applied. In the next In process step (B), the ring-shaped pattern 3 is burned onto the copper foil 4. The two described
Verfahrensschritte A und B sind bei beiden Arten von FiImträgern (elektrisch-leitende und isolierende) gleich.Process steps A and B are the same for both types of film carriers (electrically conductive and insulating).
Bei einem elektrisch-leitenden Filmträger erfolgt im Ver- °5 fahrensschritt E das Ausätzen der Leiterstrukturen. Dabei werden die Leiterstreifen (5)auf der Anschlußseite des Halbleiter-Chips durch das ringförmige Muster 3 gehalten. Das andere Ende des Leiterstreifens wird durch den Filmträger gehalten. Nach der Veredelung erfolgt der Anschluß des Halbleiter-Chips beispielsweise durch Thermokompression. Da die andere Anschlußseite der Leiterstreifen noch durch den Filmträger gehalten wird, ist eine elektrische Prüfung der Anschlüsse und des Halbleiter-Chips nicht möglich. Nachdem Abtrennen der Leiterstreifen, beispielsweise durch Aus-''5 stanzen, erfolgt der elektrische Anschluß auf einem Substrat.In the case of an electrically conductive film carrier, ° 5 step E the etching out of the conductor structures. Included the conductor strips (5) are held on the connection side of the semiconductor chip by the ring-shaped pattern 3. That the other end of the conductor strip is held by the film carrier. After finishing the connection of the Semiconductor chips, for example through thermocompression. Since the other connection side of the conductor strip is still through If the film carrier is held, an electrical test of the connections and the semiconductor chip is not possible. After the conductor strips have been separated, for example by punching out - '' 5, the electrical connection is made on a Substrate.
Wird der Filmträger 1 durch ein isolierendes Material gebildet, so wird die mit den ringförmigen Mustern 3 verseheneIf the film carrier 1 is formed by an insulating material, the one provided with the ring-shaped patterns 3 becomes Kupferfolie auf den Filmträger 1 derart aufgeklebt, daß das Muster 3 nach unten in vorbereitete öffnungen 2 zu liegen kommt. Die öffnungen 2 weisen größere innere Abmessungen auf als die äußeren Abmessungen des Musters 3· Das Aufkleben der Folie Μ auf den Filmträger 1 wird in der Fig. 1 als VerCopper foil is glued to the film carrier 1 in such a way that the pattern 3 lies down in prepared openings 2 comes. The openings 2 have larger internal dimensions than the external dimensions of the pattern 3 Foil Μ on the film carrier 1 is shown in Fig. 1 as Ver fahrensschritt C bezeichnet. Im Verfahrensschritt D erfolgt das Ausätzen der Leiterstrukturen und das Veredeln. Die Verwendung eines Filmträgers 1 aus isolierendem Material ermöglicht die Prüfung des Halbleiter-Chips nach dem Anschluß desselben, da die der Anschlußseite des Halbleiter-Chips abge-driving step C designated. In process step D takes place the etching of the conductor structures and the finishing. The use of a film carrier 1 made of insulating material enables the testing of the semiconductor chip after connection of the same, since the connection side of the semiconductor chip is removed. wandte Seite der Leiterstreifen durch den Filmträger 1 gehalten wird.turned side of the conductor strip is held by the film carrier 1.
Sind die Anschlußpunkte auf dem Halbleiter-Chip in mehreren parallelen Reihen angeordnet, so läßt sich das ringförmige Muster 3 derart ausbilden, daß die Leiterstreifen 5 bisIf the connection points are arranged on the semiconductor chip in several parallel rows, the ring-shaped Form pattern 3 such that the conductor strips 5 to in die Nähe der Anschlußstellen 7 durch dasselbe unterstutzt werden (β. Fig. 2).in the vicinity of the connection points 7 supported by the same (β. Fig. 2).
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• t · i
t · · · • t · i
t · · ·
Fig. 3 zeigt ein auf einem Substrat 10 angebrachtes HaIb-Leiter-Chip 9, an dessen Anschlußpunkt 8 ein Leiterstreifen • 10 angeschlossen ist, wobei der Leiterstreifen 5 durch das ringförmige Muster 3 gehalten wird. Der Anschlußpunkt 8 des3 shows a semi-conductor chip 9 mounted on a substrate 10, at the connection point 8 of which a conductor strip is provided • 10 is connected, the conductor strip 5 through the annular pattern 3 is held. The connection point 8 of the Halbleiter-Chips ist als Höcker ausgebildet und weist eine Höhe von ca. 25um auf. Die Stärke des ringförmigen Musters 3 beträgt ca. 15 um» wodurch der Leiterstreifen durch das Muster 3 vom Halbleiter-Chip 9 isoliert wird und andererseits eine gute Kontaktgabe gewährleistet wird, wobei sichSemiconductor chip is designed as a hump and has a Height of about 25um. The thickness of the ring-shaped pattern 3 is approx. 15 µm, which allows the conductor strip through the pattern 3 is isolated from the semiconductor chip 9 and, on the other hand, a good contact is ensured, whereby auch durch die Thermokompression die Höhe des Anschlußpunktes 8 noch verringern kann.the height of the connection point 8 can also be reduced by the thermocompression.
Es ist zwar denkbar, den isolierenden Filmträger, welcher in der Regel eine Stärke von 100 bis 125 um aufweist, zur BildungIt is conceivable to use the insulating film base, which as a rule has a thickness of 100 to 125 µm, for forming des ringförmigen Musters 3 heranzuziehen. Dies hätte jedoch einen besonderen Ätzvorgang für das Ausätzen des ringförmigen Musters aus dem Filmträger zur Folge. Mit einem weiteren Ätzvorgang müßte dann das ringförmige Muster in seiner Dicke entsprechend verringert werden. Ganz abgesehen davon, daßof the annular pattern 3 to be used. However, this could have been a special etching process for the etching of the ring-shaped pattern from the film carrier result. With a further etching process, the thickness of the ring-shaped pattern would then have to be increased be reduced accordingly. Not to mention that bei einem elektrisch-leitenden Filmträger ein derartiges Verfahren überhaupt nicht möglich ist, bietet das erfindungsgemäße Verfahren durch die Bildung eines isolierenden ringförmigen Musters zur Unterstützung der Leiterstreifen sowohl bei Filmträgern aus elektrisch-leitendem als auch aus elektrisch-Such a method is not possible at all in the case of an electrically conductive film carrier, is offered by the one according to the invention Process through the formation of an insulating ring-shaped pattern to support the conductor strips both in the case of film carriers made of electrically conductive as well as electrically isolierendem Material weniger Verfahrensschritte zur Ausbildung des ringförmigen Musters, wobei dessen Dicke auf einfache Weise bestimmbar ist.insulating material fewer process steps for forming the annular pattern, the thickness of which can be determined in a simple manner.
P 3766 30.U.1982 Fs/Me.P 3766 30. U. 1982 Fs / Me.
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |