DE3115856A1 - Elektrische schaltungsanordnung - Google Patents
Elektrische schaltungsanordnungInfo
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Description
Dr. rer. nat. Thomas Berendt
Dr.-Ing. Hans Loyh Innere Wiener Stf. 20-0 SOOO München 80
Unser Zeichen: A 14 Lh/fi
130063/0773
A 14 485 Ferranti Ltd.
Die Erfindung betrifft elektrische Schaltungsanordnungen, von denen
jede eine dünne, gut leitende Schicht aufweist, die auf einer dünnen Widerstandsschicht liegt, die ihrerseits auf einer Hauptfläche eines
wenigstens im wesentlichen planaren Substrates liegt. Die dünne, hochleitende Schicht hat z.B. eine Dicke von weniger als 6 Mikrometer
und einen Flächenwiderstand von weniger als 0,1 Ohm (ohm per square). Die dünne Widerstandsschicht hat z.B. eine Dicke von weniger als
0,02 Mikrometer und einen Flächenwiderstand von mehr als 100 0hm,
und sie enthält z.B. eine Nickel-Chrom-Legierung.
Es ist bekannt, eine dünne hochleitende Schicht aus Gold zu verwenden.
Eine anfangs kontinuierliche dünne, hochleitende Schicht kann auf der
dünnen Widerstandsschicht aufgebracht und danach in die gewünschte Form in der Ebene einer Schicht eines erforderlichen Leitungsmusters der
elektrischen Schaltungsanordnung gebracht werden, beispielsweise durch
selektives Ätzen von Teilen der dünnen, anfangs kontinuierlichen
leitenden Schicht. Eine solche Schicht des Leitermusters wird ebenfalls1
line dünne, hochleitende Schicht betrachtet.
Alternativ kann die dünne, hochleitende Schicht von Anfang an in der
gewünschten Form in der Ebene des erforderlichen Leitermusters niedergeschlagen
werden, und zwar auf ausgewählten Abschnitten der dünnen Widerstandsschicht, beispielsweise dadurch, daß die anderen Abschnitte
der dünnen Widerstandsschicht während der Niederschlagung durch eine Maske für die hochleitende Schicht abgedeckt werden, worauf die Maske
entfernt wird und die erforderliche hochleitende Schicht auf der dünnen
Widerstandsschicht verbleibt. Teile der dünnen Widerstandsschicht, die die hochleitende Schicht des Leitermusters tragen, werden als Teile des
Leitermusters betrachtet.
130063/0773 "2"
Die dünne Widerstandsschicht kann eine zunächst kontinuierliche Schicht
sein, von der Teile entfernt werden, selektiv, entweder vor oder nach dem Niederschlagen der hochleitenden Schicht.
Das Leitermuster bildet wenigstens einen Bestandteil der Anschlüsse der
Schaltungsanordnung, und es ist erforderlich, daß die Anschlüsse mit
einem Typ von elektrischen Verbindungselementen verbunden werden, beispielsweise
solchen elektrischen Verbindungselementen, die Leitungen aufweisen, die von der Schaltung ausgehen, aber nicht in sie eingeschlossen
sind. Oder es können leitende Halterungen vorgesehen werden, die in die Schaltung eingeschlossen sind oder nicht. Diese Art von
elektrischen Verbindungselementen werden mit den Anschlüssen in geeigneter
Weise verbunden. Es kann erforderlich sein, diese elektrischen Verbindungselemente
an die Anschlüsse anzulöten unter Verwendung eines Lötmittels auf Zinnbasis. Ferner kann das Leitermuster erforderliche elektrische
Verbindungen zwischen elektrischen Leitungselementen der Schaltung bilden, wie z.B. Silicium-Halbleitergeräten, die Aluminiumkontakte haben,
und es bildet immer elektrische Verbindungen zwischen den Schaltungselementen und den Anschlüssen. Es können Puffer (pads) durch die elektrischen
Verbindungselemente des Leitermusters vorgesehen werden,und das hochleitende
Material dieser Puffer wird mit einem anderen Typ von elektrischen Verbindungsei
ementen verbunden, die Teile der elektrischen Schaltungsanordnung enthalten, beispielsweise Drähte, leitende Halterungen oder die
Kontakte oder die Anschlüsse der elektrischen Schaltungselemente der Schaltung, und dieser andere Typ von elektrischen Verbindungselementen
liegt zwischen den Puffern und wenigstens einigen der Schaltungsbestandteile der Schaltung.
Gewöhnlich gibt es sehr viel mehr dieses anderen Typs der elektrischen
Verbindungselemente, die mit den Puffern verbunden werden müssen, und gewöhnlich sind diese anderen elektrischen Verbindungselemente kleiner
als der erstgenannte Typ von elektrischen Verbindungselementen. Demzufolge muß wenigstens dieser andere Typ von elektrischen Verbindungselementen mit den Puffern (pads) zuverlässig und sicher verbunden werden,
und es ist daher erforderlich, daß diese elektrischen Verbindungselemente nicht an die Puffer oder Konsolen angelötet werden.
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Es ist erforderlich, daß die dünne, hochleitende Schicht, jedenfalls
nicht in merklichem Umfang,nachteilige intermetallische Verbindungen
mit anderen Metallen der Schaltung unter normal vorkommenden Betriebsbedingungen
bildet. Eine Diffusion des Materials der dünnen Widerstandsschicht in die dünne hochleitende Schicht, oder umgekehrt, kann nachteilig
die Eigenschaften beider Schichten beeinflussen. Ebenso kann die Bildung von merklichen Mengen an intermetallischen Verbindungen
in Bereichen innerhalb der Schaltung, in welchen Bindungen mit elektrischen Verbindungselementen gebildet werden, die Festigkeiten der Bindungen
nachteilig beeinflussen.
Es ist ferner erforderlich, daß die hochleitende Schicht aus einem
Material besteht, das leicht niedergeschlagen werden kann.
Ferner ist es erforderlich, daß die dünne, hochleitende Schicht aus
einem Material besteht, das, wenn es niedergeschlagen ist, sicher und fest mit den anderen angrenzenden Schichten der Schaltung verbunden
ist. Die angrenzenden Schichten können aus einem elektrisch isolierenden Material oder aus Widerstandsmaterial, oder aus einem anderen hochleitenden
Material bestehen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine elektrische
Schaltungsanordnung zu schaffen, die die genannten erforderlichen Merkmale aufweist.
Nach der Erfindung ist eine elektrische Schaltungsanordnung vorgesehen,
die eine dünne Widerstandsschicht (resistive layer) aufweist, die auf einer Hauptfläche eines wenigstens im wesentlichen planaren Substrates
liegt, wobei die dünne Widerstandsschicht entweder direkt oder indirekt eine dünne hochleitende Schicht aus Aluminium trägt, wobei ferner
wenigstens elektrische Verbindungselemente der Schaltung zwischen der dünnen hochleitenden Schicht und elektrischen Schaltungsbestandteilen
der Schaltung ebenfalls aus Aluminium bestehen und direkt mit der dünnen hochleitenden Schicht aus Aluminium verbunden sind, insbesondere durch
Verwendung von Ultraschall-Techniken oder Thermo-Kompressions-Techniken.
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Solche Aluminium-Aluminium-Verbindungen sind erwünscht, weil sie zuverlässig
und sicher hergestellt werden können, nicht zuletzt weil keine merklichen Mengen von intermetallischen Verbindungen in den Verbindungsbereichen gebildet werden. Die Verbindungen bzw. Bindungen sind ferner
zuverlässiger und weniger komplex, als wenn die elektrischen Verbindungselemente
an die Aluminiumschicht angelötet werden. Zweckmäßigerweise wird
daher wenigstens die Mehrzahl der erforderlichen Bindungen der Schaltungsanordnung
auf diese Weise hergestellt.
Aluminium ist auch ein geeignetes Material für die dünne hochleitende
Schicht, da es sich leicht niederschlagen läßt, und weil wenn es niedergeschlagen ist, es fest mit den benachbarten Schichten verbunden
ist, wie z.B. einer dielektrischen Schicht aus Siliciumoxid oder Schichten aus anderen Metallen, wie z.B. Nickel schichten. Eine Nickelschicht
vervollständigt zweckmäßigerweise die Verbindungskonsolen (bonding pads), die Anschlüsse für die Schaltung bilden. Elektrische Anschlußelemente,
die der Schaltung zugeordnet sind und die mit den Anschlüssen verbunden werden und zweckmäßigerweise aus Aluminium bestehen, können
an die Nickelschichten der Anschlüsse angelötet werden, unter Verwendung eines geeigneten Lötmittels auf Zinnbasis.
Wenn die dünne hochleitende Schicht aus Aluminium eine unerwünschte
intermetallische Verbindung mit dem Material der dünnen Widerstandsschicht
bilden sollte, auf der sie niedergeschlagen ist, beispielsweise, wenn die dünne Widerstandsschicht eine Nickel-Chrom-Legierung ist,
kann eine geeignete Sperrschicht, die wenigstens im wesentlichen die Bildung der unerwünschten intermetallischen Verbindung verhindert,
zwischen der dünnen hochleitenden Aluminiumsclricht und der anderen
Metallschicht vorgesehen werden. Eine geeignete Sperrschicht ist beispielsweise Palladium. Aluminium haftet gut auf Palladium wenn es auf
ihm niedergeschlagen wird, und Palladium haftet gut auf einer dünnen Widerstandsschicht aus einer Nickel-Chrom-Legierung, wenn es auf dieser
niedergeschlagen wird. Ebenso können geeignete Sperrschichten zwischen der dünnen hochleitenden Aluminiumschicht und anderen Metall schichten der
Schaltung vorgesehen werden, mit denen die Aluminiumschicht sonst benachbart
130063/0773
wäre und mit denen sie unerwünschte intermetallische Verbindungen bilden
würde. Gemäß der Erfindung ist jedoch eine solche Sperrschicht wenigstens nicht auf den AnschluSkonsolen (pads) oder Teilen der dünnen hochleitenden
Schicht vorgesehen, die mit den erforderlichen elektrischen Verbindungselementen zu verbinden ist, die zwischen den Bestandteilen der Schaltung
und der Aluminiumschicht vorgesehen sind.
Eine beispielsweise AusfUhrungsform der Erfindung wird nachfolgend anhand
der einzigen Figur der Zeichnung beschrieben, die in Schrägansicht und teilweise geschnitten, einen Teil einer elektrischen Schaltungsanordnung
nach der Erfindung zeigt.
Die dargestellte elektrische Schaltungsanordnung hat ein planares Substrat
aus glasierter Keramik mit Hauptflächen 11 von 5 cm im Quadrat. Auf einer Hauptfläche 11 des Substrates 10 ist eine dünne Widerstandsschicht 12
aus einer Nickel-Chrom-Legierung niedergeschlagen, mit einem Flächenwiderstand
von 300 Ohm/Fläche (ohms per square). Die dünne Widerstandsschicht 12 ist in einem Sprühverfahren niedergeschlagen, und die Schicht
hat eine gleichmäßige Dicke von 0,01 Mikrometer und die Schicht wurde in einer zunächst kontinuierlichen Form niedergeschlagen. Die dünne
Widerstandsschicht 12 haftet gut auf dem Substrat.
Danach wird eine Schicht aus Palladium 13 auf der dünnen Widerstandsschicht
niedergeschlagen. Die Palladiumschicht 13 hat eine gleichmäßige Dicke von 0,06 Mikrometer und sie wird in anfangs kontinuierlicher Form niedergeschlagen,
wobei das Palladium unter Verwendung einer Widerstandsheizung verdampft wird. Die Palladiumschicht haftet gut auf der dünnen Widerstandsschicht.
Eine zunächst kontinuierliche dünne Schicht aus Aluminium 14 wird auf der
Palladiumschicht niedergeschlagen. Die Aluminiumschicht 14 hat eine gleichmäßige
Dicke von 1,5 Mikrometer und haftet gut auf der Palladiumschicht. Die Aluminiumschicht 14 wird auf die Palladiumschicht aufgedampft unter
Verwendung eines Widerstandsheizofens. Die Palladiumschicht verhindert
die Diffusion des Materials der dünnen Widerstandsschicht in die dünne Aluminiumschicht.
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In einem ersten photolithographischen fitzschritt werden Teile der
Aluminiumschicht, der Palladiumschicht und der dünnen Widerstandsschicht
jeweils selektiv geätzt, wobei diese Schichten nacheinander geätzt werden und als fitzungsnrittel entsprechend ein Gemisch aus
Phosphorsäure und Salpetersäure, ein Gemisch aus Kaliumjodid und Jod,
und ein Gemisch aus Hexanitro-Ammonium-Cerat und Essigsäure verwendet
wird. In einem zweiten photolithographischen fitzschritt werden weitere
Teile der Aluminiumschicht und der Palladiumschicht jeweils selektiv
geätzt und diese zwei Schichten werden nacheinander geätzt. Durch die beiden photolithographischen Ätzschritte zusammen, wird das gewünschte
Leitungsmuster 15, 16 und die Dünnfilmwiderstände 17 der Schaltung gebildet. Die Abschnitte der dünnen Widerstandsschicht und der
Palladiumschicht, die verbleiben und die restliche Aluminiumschicht tragen, werden ebenfalls als Teile des Leitungsmusters betrachtet.
Alternativ kann eine dünne Aluminiumschicht der gewünschten Form in
der Ebene des Leitungsmusters hergestellt werden, durch Niederschlagen der Palladium- und der Aluminiumschicht selektiv auf den entsprechenden
Teilen der dünnen Widerstandsschicht, wobei die anderen Abschnitte der dünnen Widerstandsschicht durch eine Maske abgedeckt werden, während
das Palladium und das Aluminium niedergeschlagen wird, worauf die Maske in geeigneter Weise entfernt wird. Das Palladium und das Aluminium
werden entwededer auf der Maske nicht niedergeschlagen oder es wird irgendwelches Palladium oder Aluminium, das auf der Maske niedergeschlagen
worden ist, zusammen mit dem Maskenmaterial entfernt. Die Form in der Ebene des Leiter-Musters 15, 16 ist derart, daß Anschlüsse 15 für die
Schaltung angrenzend an den Umfang der Hauptfläche des Substrates, das das Leitermuster trägt, vorgesehen werden, wobei das Leitermuster einen
Bestandteil der Anschlüsse 15 bildet. Die Anschlüsse 15 werden vervollständigt, indem eine Schicht aus Nickel 20 auf jeden der Aluminiumteile
der Anschlüsse aufgebracht wird, daß ein Typ der elektrischen Verbindungselemente
21 sicher und zuverlässig mit den Anschlüssen verbunden werden kann, unter Verwendung eines geeigneten Lötmittels 22 auf Zinnbasis.
Dieser andere Typ der elektrischen Verbindungselemente 22, der ebenfalls aus einem Material sein soll, das sicher lötbar ist, umfaßt Leitungen,
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die von der Schaltung ausgehen aber nicht zu ihr gehören oder er kann
leitende Haltevorsprünge aufweisen, die, wenn sie in der Schaltung vorgesehen
sind, in jeder geeigneten Weise ausgebildet sein können. Die Nickelschichten 20 haften gut sowohl auf der Aluminiumschicht als auch
am Lötmittel 22. Nur die Anschlußteile der Aluminiumschicht brauchen mit Nickel überzogen werden,und Nickel kann selektiv auf diesen Abschnitten
niedergeschlagen werden, indem der Rest der Leiteroberfläche der Anordnung in dieser Arbeitsstufe mit einer Maske abgedeckt wird,
worauf das Maskenmaterial entfernt wird und die gewünschtai Nickel schichten
zurückbleiben. Alternativ kann eine anfangs kontinuierliche Nickelschicht
niedergeschlagen werden und die gewünschten Nickelahichten der Anschlüsse
werden mittels photolithographischer Ätzung hergestellt, wobei die
darunterliegenden Schichten der Schaltung nicht beeinflußt werden.
Das Nickelmaterial wird auf der Aluminiumschicht durch Verdampfen in einem elektrischen Widerstandsofen niedergeschlagen.
Wenn es nicht erforderlich ist, diesen einen Typ von elektrischen
Verbindungselementen mit den Anschlüssen der Schaltung durch Löten zu verbinden, werden keine Nickelschichten vorgesehen und die Anschlüsse
enthalten nur Teile des Leitungsmusters. Diese elektrischen Verbindungselemente müssen daher aus einem Material bestehen, das sicher
mit den Abschnitten der Aluminiumschicht, die zu den Anschlüssen gehören, verbunden werden kann. Intermetallische Verbindungen in den Bindungsbereichen der Anschlüsse werden erwünschterweise vermieden, wenn diese
elektrischen Verbindungselemente ebenfalls aus Aluminium bestehen. Sichere Verbindungen zwischen der Aluminiumschicht und elektrischen
Verbindungselementen aus Aluminium können durch Verwendung von Ultraschall
oder Thermo-Druck-Methoden erreicht werden. Die Bildung merklicher
Mengen an intermetallischen Verbindungen in Bereichen der Schaltung,
an denen Bindungen mit elektrischen Verbindungselementen gebildet werden, kann die Festigkeit der Bindungen nachteilig beeinflussen.
Das Leitermuster bildet ferner elektrische Verbindungen 16 zwischen
Schaltungselementen 17 und den Anschlüssen 15, und es können elektrische Verbindungen 16 zwischen den einzelnen Bestandteilen der Schaltung
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-4-
ΑΛ
vorgesehen werden. Durch die elektrischen Verbindungsteile des Leitermusters
können AnschluBstücke (pads) gebildet werden und das Aluminium
dieser Anschlußstücke wird mit einem anderen Typ von elektrischen Verbindungselementen
24 verbunden, die zwischen diesen Anschlußstücken und wenigstens einigen der Bestandteile der Schaltung angeordnet sein
können und einen Teil der Schaltung bilden.Dieser andere Typ von elektrischen Verbindungseiementen 24 enthält Drähte , oder sie können
leitende Halterungen oder Kontakte oder Anschlüsse der elektrischen SchaltungsbestandteiIe der Schaltung enthalten und sie liegen zwischen
den Anschlußstücken und wenigstens einigen der Schaltungsbestandteile. Gewöhnlich sind sehr viel mehr dieser anderen Art von elektrischen Verbindungselementen
24 erforderlich und mit den Anschlußstücken zu verbinden, und diese sind gewöhnlich schmaler als der erstgenannte Typ
von elektrischen Verbindungselementen. Wenigstens dieser andere Typ an elektrischen Verbindungselementen soll mit den Anschlußteilen sicher
und zuverlässig verbunden werden, weshalb es erforderlich ist, daß diese elektrischen Verbindungselemente nicht an die Anschlußstücke
angelötet werden. Erwünschterweise werden intermetallische Verbindungen
in den Bindungsbereichen vermieden, so daß zuverlässige Bindungen erhalten werden wenn die elektrischen Verbindungselemente aus Aluminium
sind und mit der dünnen hochleitenden Schicht aus Aluminium z.B. mittels zuverlässiger Ultraschall- oder Thermo-Kompressions-Techniken
verbunden werden. Bei solchen Aluminium-Aluminium-Bindungen tritt keine intermetallische Verbindung in den Bindungsbereichen auf. Ferner
sind die Bindungen mehr zuverlässig und weniger komplex als wenn die elektrischen Verbindungselemente an die Aluminiumschicht angelötet würden.
Dieser Typ von Bindung bzw. Verbindung wird wenigstens für die Mehrzahl der Verbindungen jeder Schaltungsanordnung nach der Erfindung verwendet.
Wenn ein elektrisches Verbindungselement zwischen einem Bestandteil der
Schaltung und der dünnen hochleitenden Aluminiumschicht einen Aluminiumdraht
enthält, so wird dieser Draht keilförmig verbreitert und mit der
Aluminiumschicht verbunden, wie bei 25 gezeigt.
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_ or _
Es ist möglich, die Schaltungsanordnung mit höheren Temperaturen zu
betreiben, als dies sonst der Fall ist, da keine intermetallischen
Verbindungen in merklichem Umfang bei diesen hohen Temperaturen in den Bindungsbereichen auftreten.
Die elektrische Schaltungsanordnung wird vervollständigt, indem wenigstens
die Hauptfläche des Substrates das Leitermuster trägt und die elektrischen Schaltungsbestandteile beispielsweise eingekapselt werden, indem sie
mit einer geeigneten Vergußmasse überdeckt werden, oder indem sie mittels eines Verschlußgliedes abgedeckt werden, wobei der Raum zwischen dem
Verschlußglied und dem Substrat im wesentlichen evakuiert wird oder
mit einem inerten Gas, wie z.B. Stickstoff gefüllt wird. Die Schaltungsanordnung
kann auch zusammen mit anderen solchen Schaltungsanordnungen im Rahmen eines komplexeren elektrischen Schaltkreises zusammengefaßt
und montiert werden, wobei der komplexe elektrische Schaltkreis in
einer der oben genannten Arten eingekapselt wird, um die Stabilität hinsichtlich der Betriebsweise der Schaltung unter normalen Betriebsbedingungen
zu gewährleisten.
Das Substrat kann aus jedem geeigneten Material bestehen, beispielsweise
mit einem hohen thermischen Leitfähigkeitskoeffizienten und einem linearen Ausdehnungskoeffizienten, der im wesentlichen derselbe ist
wie der des Widerstandsmaterials, des Palladiums und des Aluminiums. Die dünne Widerstandsschicht kann direkt auf dem Substrat niedergeschlagen
werden, wenn dieses aus einem elektrisch isolierenden Material ist, wie z.B. Glas oder glasierter Keramik, oder gebrannter Keramik,
oder Saphir , oder Kieselerde.
Wenn Teile der dünnen Widerstandsschicht selektiv entfernt werden sollen,
beispielsweise durch photolithographische Ätzung, so kann dies vor oder nach dem Niederschlagen der Aluminiumschicht erfolgen.
Die Schaltungsbestandteile können jede geeignete Form haben. Wenn sie
Silicium-Halbleiter enthalten mit Aluminiumkontakten, so können diese
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-Kl-
Kontakte direkt mit der dünnen hochleitenden Schicht aus Aluminium verbunden
werden. Wenn die Bestandteile Module mit Aluminiumanschlüssen enthalten, so können diese Anschlüsse direkt mit der dünnen hochleitenden
Aluminiumschicht verbunden werden.
Die dünne Widerstandsschicht kann auch aus einem anderen Material als
einer Nickel-Chrom-Legierung bestehen. Die dünne hochleitende Aluminiumschicht
kann direkt auf der dünnen Widerstandsschicht niedergeschlagen werden ohne eine Sperrschicht zwischen ihnen, wenn es nicht wahrscheinlich
ist, daß in merklichem Umfang eine intermetallische Verbindung, die die
Eigenschaften der Schichten nachteilig beeinflussen könnte, unter normalen Betriebsbedingungen der Schaltung gebildet wird.
Andere Metall schichten können in der Schaltung vorgesehen werden, und
diese können angrenzend an die dünne hochleitende Aluminiumschicht angeordnet werden.Wenn jedoch zu befürchten ist, daß in merklichem
Umfang unerwünschte intermetallische Verbindungen durch das Aluminium
und diese anderen Schichten gebildet werden, wird zweckmäßigerweise eine Sperrschicht zwischen ihnen vorgesehen.
Eine Schaltungsanordnung nach der Erfindung mit nur zwei oder drei benachbarten
Metall schichten, bei der wenigstens in der Mehrzahl die Verbindungsbereiche wie oben beschrieben ausgebildet sind, hat die~erwünschten
Verhaltensmerkmale bekannter aber komplexerer Schaltungen mit einer größeren Anzahl benachbarter Metal!schichten in den Bindungsbereichen, beispielsweise Schaltungen, in denen die Nickel-Chrom-Schicht
mit Titan, Palladium und Gold überzogen ist.
Es ist erforderlich, daß die Aluminiumschicht fest mit den anderen benachbarten
Schichten verbunden ist. Gewöhnlich haftet Aluminium gut auf anderen Metallen oder Metall-Legierungen, die auf ihm abgelagert werden
können. Ferner haftet Aluminium gut auf Schichten aus elektrisch isolierendem Material, beispielsweise Siliciumoxid.
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Elektrische Schaltungen nach der Verbindung mit einem Leitermuster,
die wenigstens zum Teil Aluminium enthalten, werden praktisch nicht durch Strahlung beeinflußt oder beschädigt, wie Schaltungen mit
Leitermustern aus Metallen mit höherem Atomgewicht, beispielsweise wenn das Leitermuster aus Gold besteht. Aluminium ist ferner ein
stabiles Material, wegen der Bildung dünner Oxidschichten auf seinen freien Oberflächen.
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Claims (7)
1. ) Elektrische Schaltungsanordnung mit einer dünnen Widerstandsschicht auf einer Hauptflache eines wenigstens im wesentlichen
planeren Substrates, sowie einer hochleitenden Aluminiumschicht auf der dünnen Widerstandsschicht, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die elektrischen Verbindungselemente der
Schaltung zwischen der dünnen hochleitenden Schicht und den elektrischen Bestandteilen der Schaltung ebenfalls aus Aluminium
bestehen und daß diese direkt mit der dünnen hochleitenden Aluminiumschicht unter Anwendung einer Ultraschall- oder Thermo-Kompressions-Verbindungsmethode verbunden sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Verbindungselemente aus
Aluminium zwischen der dünnen hochleitenden Aluminiumschicht und den elektrischen Bestandteilen der Schaltung Drähte enthalten.
3. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die dünne Widerstandsschicht eine Nickel-Chrom-Legierung ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß eine Sperrschicht zwischen
der dünnen Widerstandsschicht und der dünnen hochleitenden Aluminiumschicht angeordnet ist.
5. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Sperrschicht zwischen
der dünnen hochleitenden Aluminiumschicht und einer anderen Metallschicht der Schaltungsanordnung angeordnet ist.
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6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch g e k e η η ze
ichnet, daß die Sperrschicht aus Palladium besteht.
7. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Anschlüsse für die
Schaltung gebildet werden, indem Nickelschichten auf Teilen der dünnen Aluminiumschicht aufgebracht werden, und daß die elektrischen
Verbindungselemente mit den Nickel schichten der Anschlüsse mittels eines Lötmittels auf Zinnbasis verlötet werden.
130063/0773
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
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Country Status (4)
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| DE (1) | DE3115856A1 (de) |
| FR (1) | FR2481006A1 (de) |
| NL (1) | NL8101979A (de) |
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| DE3704200A1 (de) * | 1987-02-11 | 1988-08-25 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung einer verbindung zwischen einem bonddraht und einer kontaktflaeche bei hybriden dickschicht-schaltkreisen |
| EP0335679A2 (de) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verschweisstes Keramik-Metall-Verbundsubstrat, damit aufgebaute Schaltkarte und Verfahren zur Herstellung derselben |
| DE4238402A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Samsung Electronics Co Ltd | |
| DE102023204303A1 (de) | 2023-05-10 | 2024-11-14 | Mahle International Gmbh | Sinterpaste, Verfahren zum elektrisch leitenden, stoffschlüssigen Verbinden eines oxidschichtbedeckten Aluminiumleiters mit einem elektronischen Bauteil sowie elektronisches Produkt |
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1981
- 1981-04-21 DE DE19813115856 patent/DE3115856A1/de not_active Withdrawn
- 1981-04-21 CA CA000375824A patent/CA1153128A/en not_active Expired
- 1981-04-21 FR FR8107889A patent/FR2481006A1/fr active Pending
- 1981-04-22 NL NL8101979A patent/NL8101979A/nl not_active Application Discontinuation
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| EP0335679A3 (en) * | 1988-03-30 | 1990-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonded ceramic-metal composite substrate, circuit board constructed therewith and methods for production thereof |
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| DE102023204303A1 (de) | 2023-05-10 | 2024-11-14 | Mahle International Gmbh | Sinterpaste, Verfahren zum elektrisch leitenden, stoffschlüssigen Verbinden eines oxidschichtbedeckten Aluminiumleiters mit einem elektronischen Bauteil sowie elektronisches Produkt |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CA1153128A (en) | 1983-08-30 |
| FR2481006A1 (fr) | 1981-10-23 |
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