DE3035304A1 - Triggerschaltung - Google Patents

Description

Henkel Kern, feuer CrHänzel Patentanwälte

3 Registered Representatives

before the European Patent Office

Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha D^lawt/Iün^hen 80

Kawasaki, Japan .... . . ..... ...

Tel.: 089/982085-87 Telex: 0529802 hnkid Telegramme: ellipsoid

18. September 1980 SH-55P486-2

["ri gger s chal tung

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine Triggerschaltung mit oberem und unterem Schwellenwertspannungspegel.

Derzeit werden Triggerschaltungen auf zahlreichen Gebieten für verschiedene Aufgaben eingesetzt. In der US-PS 3 514 633 ist eine Triggerschaltung mit zwei kreuzgekoppelten Transistorpaaren beschrieben, bei welcher die beiden Schwellenwertpegel unabhängig voneinander mit hoher Genauigkeit einstellbar sind. Bei dieser Triggerschaltung besteht jedes Transistorpaar aus einem Eingangstransistor und einem Stromschalt-Transistor, die jeweils von verschiedenem Leit(ungs)typ sind. Der eine Eingangstransistor ist zur Abnahme eines Triggersignals an seiner Basis geschaltet, während die Basis des anderen Eingangstransistors mit einem Bezugspotential verbunden ist. Die Emitter die-

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ser Eingangstransistoren sind über zugeordnete Emitterwiderstände an eine gemeinsame Konstantstromquelle angeschlossen. Die Stromschalt-Transistoren der beiden Transistorpaare sind mit ihren Basis-Elektroden jeweils mit dem Kollektor des Eingangstransistors des betreffenden Paars verbunden und mit ihren Kollektoren mit dem Emitter des Eingangstransistors des jeweils anderen Paars kreuz- oder quergekoppelt.

Bei dieser Triggerschal'tung sind die beiden Transistorpaare im einen der beiden stabilen Zustände jeweils durchgeschaltet bzw. gesperrt und im anderen Zustand gesperrt bzw. durchgeschaltet. Beim Umschalten der Schaltung vom einen stabilen Zustand auf den anderen erfährt daher die Eingangsimpedanz eine beträchtliche Änderung. Die Schwellenwertpegel dieser Triggerschaltung hängen jedoch von den Werten oder Größen der Emitterwiderstände und dem von der Konstantstromquelle zugeführten Strom ab. Wenn sich somit der von der Konstantstromquelle zugeführte Strom mit der Speisespannung ändert, ändern sich die Schwellenwertpegel entsprechend.

Aufgabe der Erfindung ist damit insbesondere die Schaffung einer verbesserten Triggerschaltung, mit welcher die Nachteile der bisherigen Triggerschaltungen vermieden werden sollen.

Diese Aufgabe wird durch die in den beigefügten Patentansprüchen gekennzeichneten Merkmale gelöst.

Bei der erfindungsgemäßen Triggerschaltung sind die Emitter eines ersten, eines zweiten und eines dritten Transistors jeweils desselben Leitungstyps gemeinsam an eine Konstantstromquelle ange-

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schlossen, während die Basis-Elektroden von erstem und zweitem Transistor gemeinsam mit einer ersten Eingangsklemme verbunden sind und die Basis des dritten Transistors an eine zweite Eingangsklemme angeschlossen ist. Zwischen die beiden Eingangsklemmen wird ein Triggersignal angelegt. Die Kollektoren von zweitem und drittem Transistor sind mit Eingangs- bzw. Ausgangsklemme eines Stromspiegels (current mirror) verbunden. Zwischen den Kollektor des ersten Transistors und die Eingangsklemme des Stromspiegels ist ein Schalterelement geschaltet, das durch eine Stroiraneßeinrichtung geschlossen und geöffnet wird, die mit der Ausgangsklemme des Stromspiegels verbunden ist und auf die Beziehung bzw. das Verhältnis zwischen den Größen des Ausgangsstroms des Stromspiegels und des Kollektorstroms des dritten Transistors anspricht.

In bevorzugter Ausführungsform ist das Schalterelement eine Diode, deren Anode und Kathode mit der Eingangsklemme des Stromspiegels bzw. dem Kollektor des ersten Transistors verbunden sind;. die Strommeßeinrichtung ist ein Schalttransistor des den drei genannten Transistoren entgegengesetzten Leitungstyps, dessen Basis und Kollektor mit der Ausgangsklemme des Stromspiegels bzw. dem Kollektor des ersten Transistors verbunden sind. Die Diode und der Schalttransistor sind im einen der beiden stabilen Zustände durchgeschaltet bzw. gesperrt und im anderen Zustand gesperrt bzw. durchgeschaltet. Die Schwellenwertpegel der Triggerschaltung hängen vom Spiegelverhältnis des Stromspiegels, d.h. vom Verhältnis von Ausgangsstrom zu Eingangsstrom des Stromspiegels, sowie von den geometrischen Abmessungen von erstem bis drittem Transistor ab.

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Wenn die Emitterflächen von erstem bis drittem Transistor mit A, B bzw. C bezeichnet werden und das Spiegelverhältnis η beträgt, schaltet die Schaltung vom ersten stabilen Zustand auf den zweiten stabilen Zustand um, wenn ein Potential an der zweiten Eingangsklemme geringfügig höher ist als ein Potential an

' kT ri**(A"+B)

der ersten Eingangsklemme plus —In—■- -, während das Umschalten vom zweiten stabilen Zustand auf den ersten stabilen Zustand dann erfolgt, wenn ein Potential an der zweiten Eingangsklemme geringfügig kleiner ist als ein Potential an der ersten Eingangs-

kT η · B

klemme plus --In-T₅- . Bei dieser Trigger schaltung lassen sich dag a

her die Schwellenwertspannungspegel durch Einstellung des Stromspiegelverhältnisses und der geometrischen Abmessungen der Transistoren einfach steuern. Unabhängig von den Stromwerten der Transistoren werden die Schwellenwertspannungspegel in keinem Fall durch Änderungen oder Schwankungen der Speisespannung beeinflußt. Da zudem die drei genannten Transistoren beim Umschalten der Schaltung vom einen stabilen Zustand auf den anderen nicht zum Durchschalten oder Sperren umgeschaltet zu werden brauchen, kann eine nennenswerte Änderung der Eingangsimpedanz vermieden werden.

Im folgenden sind bevorzugte Ausfuhrungsformen der Erfindung an-

·/
hand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer grundsätzlichen Anordnung einer Triggerschaltung mit Merkmalen nach der Erfindung,

Fig. 2 ein Schaltbild einer praktisch anwendbaren Anordnung der erfindungsgemäßen Triggerschaltung und

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Fig. 3 ein Schaltbild einer Abwandlung der Triggerschaltung nach Fig. 2.

Gemäß Fig. 1, welche eine erfindungsgemäße Triggerschaltung schematisch veranschaulicht, ist ein Stromspiegel 1 mit einer Eingangsklemme 1a und einer Ausgangsklemme 1b vorgesehen. In einem Normalzustand besitzt die Größe des Ausgangsstroms an der Ausgangsklemme 1b ein vorgegebenes Verhältnis zur Größe des Eingangsstroms an der Eingangsklemme 1a, das vom Stromspiegel abhängt.

Die Schaltung enthält npn-Transistoren 3, 4 und 5, deren Emitter gemeinsam an eine Konstantstromquelle 2 angeschlossen sind. Die Basis-Elektroden der Transistoren 3 und 4 sind mit einer ersten Eingangsklemme 30 verbunden, während die Basis des Transistors an eine zweite Eingangsklemme 40 angeschlossen ist. Zwischen den beiden Eingangsklemmen 30 und 40 wird ein Triggersignal Vin angelegt. Die Kollektoren von erstem und drittem Transistor 4 bzw. 5 sind unmittelbar an Eingangs- bzw. Ausgangsklemme 1a bzw. 1b des Stromspiegels 1 angekoppelt. Der Kollektor des ersten Transistors ist über eine Schaltereinrichtung 6 mit der Eingangsklemme 1a des Stromspiegels 1 verbunden. Die Schaltereinrichtung 6 wird durch eine Einrichtung bzw. Einheit 7 geschlossen und geöffnet, die auf-

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grund ihres Anschlusses an die Ausgangsklemme 1b des Stromspiegels 1 auf die Beziehung bzw. das Verhältnis zwischen den Größen des Ausgangsstroms des Stromspiegels 1 und des Kollektorstroms des Transistors 5 anspricht. Wenn der Ausgangsstrom des Stromspiegels 1 größer ist als der Kollektorstrom des Transistors 5, fließt ein Differenzstrom zur Einheit 7, woraufhin diese die Schaltereinrichtung 6 schließt bzw. einschaltet. Wenn der Ausgangsstrom des Stromspiegels 1 dagegen kleiner ist als der Kollektorstrom des Transistors 5, fließt der Differenzstrom aus der

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Einheit 7 bzw. von der Einheit 7 her, so daß die Schaltereinrichtung 6 geöffnet bzw. abgeschaltet wird.

Fig. 2 veranschaulicht eine praktisch anwendbare Ausführung der Triggerschaltung gemäß Fig. 1. Dabei besteht der Stromspiegel 1 aus pnp-Transistoren QI und Q2. Als Schaltereinrichtung 6 wird eine Diode 16 verwendet, deren Anode mit der Eingangsklemme 1a des Stromspiegels 1, d.h. mit dem Kollektor des in Diodenschaltung geschalteten Transistors Q1 verbunden ist, während ihre Kathode an den Kollektor des ersten Transistors 3 angeschlossen ist. Als Einheit 7 zum Schließen und Öffnen der Schaltereinrichtung 6 in Abhängigkeit vom Verhältnis zwischen den Größen des Ausgangsstroms des Stromspiegels 1 und des Kollektorstroms des dritten Transistors 5 ist außerdem ein pnp-Transistor 17 vorgesehen, dessen Basis mit der Ausgangsklemme 1b des Stromspiegels 1, d.h. dem Kollektor des Transistors Q2 verbunden ist, während sein Emitter mit einer Stromversorgungskleinme 10, die an die Emitter der Stromspiegel-Transistoren Q1 und Q2 angeschlossen ist, und sein Kollektor mit dem Kollektor des ersten Transistors 3 verbunden sind. Weiterhin ist eine Ausgangseinrichtung zur Lieferung einer Ausgangsspannung vorgesehen, die durch einen pnp-Transistor 18 gebildet wird, dessen Basis mit der Ausgangsklemme 1b des Stromspiegeis 1, dessen Emitter mit der Stromversorgungsklemme 10 und dessen Kollektor mit einer Ausgangsklemme 20 verbunden sind, wobei ein Widerstand zwischen die Ausgangsklemme 20 und Schaltungs-Masse eingeschaltet ist.

Die Triggerschaltung gemäß Fig. 2 arbeitet wie folgt: Es sei angenommen, daß die Transistoren 3, 4 und 5 jeweils dieselben geometrischen Abmessungen besitzen. Wenn in diesem Fall die Basis-

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Potentiale der Transistoren 3-5 gleich sind, sind auch die Kollektorströme dieser Transistoren gleich groß. Ebenso sei vorausgesetzt/ daß die Stromspiegel-Transistoren Q1 und Q2 jeweils gleiche geometrische Abmessungen besitzen. Im Normalzustand beträgt dann das Verhältnis zwischen dem Eingangsstrom an der Eingangsklemme la des Stromspiegels 1 und dem Ausgangsstrom an der Ausgangsklemme 1b, d.h. das Spiegelverhältnis, praktisch 1.

Wenn die Transistoren 17 und 18 nicht durchgeschaltet sind, wird der Kollektorstrom des Transistors 3 vom Stromspiegel 1 über die Diode 16 geliefert. Wenn in diesem Zustand die Basispotentiale der Transistoren 3-5 jeweils gleich groß sind, sind auch die Kollektorströme dieser Transistoren 3-5 gleich groß. Wenn nämlich die Größe des von der Konstantstromquelle 2 gelieferten Stroms mit I bezeichnet wird, betragen die Kollektorströme der Transistoren 3-5 jeweils -^I. Dementsprechend beträgt der Eingangsstrom des Stromspiegels 1, d.h. der Kollektorstrom des

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Transistors Q1, ·=·Ι. Obgleich somit der Stromspiegel 1 bestrebt

ist, eine Stromgröße von ■=■ I für seinen Ausgangsstrom bzw. den Kollektorstrom des Transistors Q2 zu liefern, fließt in die Basis-Elektroden der Transistoren 17 und 18 ein Sperr- oder Gegenstrom, durch den diese Transistoren 17, 18 im Sperrzustand gehalten werden, weil der Kollektorstrom des Transistors 5 -1 I beträgt. Tatsächlich fließt jedoch kein Sperr- oder Gegenstrom in die Basis-Elektroden der Transistoren 17 und 18, und der Transistor Q2 ist gesättigt. In diesem Zustand weicht der Stromspiegel 1 vom vorgegebenen Spiegelverhältnis ab.

Das zwischen den Eingangsklemmen 30 und 40 angelegte Triggersignal Vin stellt sich durch den Unterschied zwischen einem

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Potential V3O an der Klemme 30 und einem Potential V40 an der Klemme dar; we'nn V30 als Bezugsgröße herangezogen wird, bestimmt sich dieses Signal zu

Vin = V40 - V3O.

Wenn das Potential V40 ansteigt, so daß der Kollektorstrom des Transistors 5 die Größe -^- I in einem bestimmten Maß übersteigt, schalten die Transistoren 17 und 18 schnell durch. Die Umschaltoperationen der Transistoren 17 und 18 finden auf die im folgenden beschriebene Weise statt.

Wenn der Kollektorstrom des Transistors 5 die Größe — I geringfügig übersteigt, wird die Summe aus den Kollektorströmen der Transistoren 3 und 4, d.h. der Kollektorstrom des Transistors QI,

1
etwas kleiner als -* I . Infolgedessen arbeitet der Transistor Q2 so, daß er aufgrund des Stromspiegeleffekts einen Kollektorstrom liefert, der etwas kleiner ist als -=· I . Als Ergebnis entsteht eine Differenz zwischen den Kollektorströmen der Transistoren Q2 und 5. Da der Kollektorstrom des Transistors 5 größer ist als derjenige des Transistors. Q2, werden die Basisströme der Transistoren 17 und 18 als Differenzstrom zum Transistor 5 geleitet. Gleichzeitig wird der Kollektorstrom des Transistors 17 zum Kollektor des Transistors 3 geleitet. Demzufolge wird der über die Diode 16 zum Kollektor des Transistors 3 geleitete Strom um einen dem Kollektorstrom des Transistors 17 entsprechenden Anteil verringert. Dies führt zu einer Verringerung des Kollektorstroms des Transistors Q1 und somit des Kollektorstroms des Transistors Q2. Die Summe aus den Basisströmen der Transistoren 17 und 18 wird mithin durch das Dekrement des Kollektorstroms des Transistors Q2 weiter vergrößert. Sobald infolge dieser

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positiven Rückkopplungswirkung der Kollektorstrom des Transistors 5 etwas größer' wird als derjenige des Transistors Q2 oder als der Ausgangsstrom des Stromspiegels 1, wird die Diode 16 zum Sperren gebracht, während die Transistoren 17 und 18 durchschalten. Beim Durchschalten des Transistors 18 wird das Potential an der Ausgangsklemme 20 vom Massepegel auf den Pegel +Vqq umgeschaltet.

Wie erwähnt, schaltet die erfindungsgemäße Triggerschaltung von einem ersten auf einen zweiten stabilen Zustand um, wenn der Kollektorstrom des Transistors etwas größer wird als -^I. Die Beziehung zwischen den Potentialen V4O und V3O in dem Augenblick, in welchem die Schaltung vom ersten auf den zweiten stabilen Zustand umschaltet, läßt sich wie folgt ausdrücken:

^V4O ^{= V}3O +§^2.

Darin bedeuten: k = Boltzmannsche Konstante; T = Absoluttemperatur und g = Elektronenladung. Wenn nämlich das Potential V4O das Potential V3O um einen Betrag von geringfügig mehr als

—In2 übersteigt, schaltet die Schaltung vom ersten stabilen Zustand (AUS- bzw. Sperrzustand) auf den zweiten stabilen Zustand (EIN- bzw. Durchschaltzustand) um.

Wenn die Diode 16 sperrt, wird der gesamte Kollektorstrom des Transistors Q1 zum Transistor 4 geliefert. Wenn in diesem Zustand das Potential V4O geringfügig unter das Potential V3O abfällt, erhöht sich der Kollektorstrom des Transistors 4 bei Verringerung des Kollektorstroms des Transistors 5. Der Anstieg des Kollektorstroms des Transistors 4 führt zu einem Anstieg von Eingangs- und Ausgangsstrom des Stromspiegels 1 . Die Differenz zwischen dem verringerten Kollektorstrom des Transistors 5

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und dem erhöhten Ausgangsstrom des Stromspiegels 1 wird als Sperr- oder Gegenstrom zu den Basis-Elektroden der Transistoren 17 und 18 geleitet, die dadurch zum Sperren gebracht werden. Infolgedessen schaltet die Schaltung vom zweiten auf den ersten stabilen Zustand um.

Wie erwähnt, bestimmen sich die Schwellenwertpegel· der Triggerschaltung gemäß Fig. 2, d.h. die oberen und unteren Schwellen-

IcT wertpegel von V4O gegenüber V3O, im wesentlichen durch —In2 bzw. O. Unabhängig von den Größen der Kollektorströme der Transistoren werden die Schwellenwertpegel in keinem Fall durch Schwankungen der Speisespannung beeinflußt. Da die Transistoren 2-5 beim Umschalten der Schaltung vom einen stabilen Zustand auf den anderen nicht durchgeschaltet oder gesperrt zu werden brauchen, kann eine wesentliche Änderung der Eingangsimpedanz vermieden werden.

Erfindungsgemäß können oberer und unterer Schwellenwertpegel sowie die Hysteresebreite durch entsprechende Bestimmung der geometrischen Abmessungen der Transistoren 3-5 und des Spiegelverhältnisses des Stromspiegels 1 gesteuert werden. Vorliegend sei angenommen, daß der Stromspiegel 1 zwischen Eingangsund Ausgangsstrom ein Verhältnis η besitzt und daß die Transistoren 3, 4 und 5 Emitterbereiche bzw.· -flächen A, B bzw. C besitzen.

Wenn die Transistoren 17 und 18 sperren, lassen sich die Kollektorströme 11 und 12 der Transistoren Q1 bzw. Q2 durch folgende Gleichungen ausdrücken:

Il = _A.lB.exp(ä^i) + B-is-exp (S

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= (A+B)Is-exp

12 = C-Is

Darin bedeuten: Is = Gegensättigungsstrom; V_ßE4 = Basis-Emitter-Spannung der Transistoren 3 und 4; und V_ßE5 = Basis-Emitter-Spannung des Transistors 5.

Da das Spiegelverhältnis η beträgt, werden die Transistoren und 18 von Sperren auf Durchschalten umgeschaltet, wenn der Kollektorstrom 12 des Transistors 5 eine Größe leicht übersteigt, die nmal so groß ist wie die Summe 11 aus den Kollektorströmen der Transistoren 3 und 4. In diesem Zustand ergibt sich:

^V4O - ^V3O - ^VBE5 - ^VBE4

kT_ln I2 IcT_1n Il

q C-Is q (A+B)-Is η (A+B)

= _rin.

Dies bedeutet, daß die Transistoren 17 und 18 durchgeschaltet werden, wenn das Potential V4O das Potential V3O um einen Betrag übersteigt, der geringfügig größer ist als — In—^—-.

Wenn der Kollektorstrom des Transistors 5 etwas kleiner ist als die Größe entsprechend η-mal der Größe der Summe aus den Kollektorströmen der Transistoren 3 und 4, d.h. dem Eingangsstrom des Stromspiegels 1, wobei die Transistoren 17 und 18 durchgeschaltet sind und daher die Diode 16 sperrt, werden die Transistoren

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17 und 18 von Durchschalten auf Sperren umgeschaltet. Dieser Zustand lä!?t sich wie folgt ausdrücken:

■ kT.,' nB
^V4O - ^V3O = ^-^lnC-

Mit anderen Worten: die Transistoren 17 und 18 werden von Durchschalten auf Sperren umgeschaltet, wenn das Potential V4O geringfügig kleiner ist als V30 ⁺ —lnp—. Weiterhin bestimmt sich die Hysteresebreite wie folgt:

kT · η(Ά+Έ) -kT,- nB kT, A+B —In— _m_ = -HJr₁-

Die oberen und unteren Schwellenwertpegel können mithin durch Einstellung des Spiegelverhältnisses η und des Verhältnisses zwischen den Kollektorströmen der Transistoren 3, 4 und 5 nach einem herkömmlichen Verfahren gesteuert bzw. eingestellt werden. Das Verfahren zur Einstellung des Stromverhältnisses zwischen den Transistoren hängt von deren Aufbau ab. Typischerweise erfolgt diese Einstellung des Transistor-Kollektorstromverhältnisses durch Einstellung des Emitterflächenverhältnisses; dies gilt für Vertikaltransistoten. Im Fall von Quertransistoren wird die Einstellung des Kollektorfetromverhältnisses durch Einstellung der ümfangslänge der Kollektoren der Transistoren erreicht. Die Spiegelverhältniseinstellung kann ebenfalls mittels der Emitterflächen der Transistoren erfolgen.

Die Emitterflächeneinsteilung kann auch nach dem in Fig. 3 gezeigten Verfahren erfolgen. Dabei kann ein zusätzlicher Transistor 5a beispielsweise mit dem Transistor 5 parallel geschaltet

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werden. Wenn die Transistoren 5 und 5a dieselben geometrischen Abmessungen besitzen, ergibt sich die Größe C in den obigen Gleichungen zu 2C.

Die erfindungsgemäße Triggerschaltung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsformen beschränkt. Als Stromspiegel 1 kann z.B. ein solcher mit einem anderen Aufbau verwendet werden. Als einfache Abwandlung für die Diode 16 kann ein in Diodenschaltung angeordneter Transistor verwendet werden. Die Konstant s tr omgu el Ie 2 kann durch ein Element hohen Widerstands ersetzt werden. Wenn die Stromverstärkung ß der pnp-Transistören 17 und 18 groß sein soll, kann jeder dieser Transistoren in üblicher Weise mit einem npn-Transistor kombiniert werden, um einen pnp-Verbundtransistor zu bilden. Insbesondere im Fall des pnp-Transistors 17 werden z.B. Kollektor, Basis und Emitter eines npn-Transistors an den Emitter des Transistors 17, an den Kollektor des Transistors 17 bzw. an den Kollektor des Transistors 3 angeschlossen. Basis, Emitter und Kollektor des so gebildeten pnp-Verbundtransistors entsprechen der Basis des Transistors 17, dem Emitter des Transistors 17 bzw. dem Emitter des npn-Transistors.

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Claims (4)

Patentansprüche

1). Triggerschaltung mit einem ersten und einem zweiten Transistor, deren Emitter gemeinsam an eine Stromquelle angeschlossen sind und deren Basis-Elektroden mit einer ersten bzw. einer zweiten Eingangsklemme verbunden sind, zwischen denen ein Triggersignal anlegbar ist, gekennzeichnet durch einen dritten Transistor (3), dessen Basis mit der ersten Eingangsklemme (30) und dessen Emitter mit den Emittern von erstem und zweitem Transistor (4, 5) verbunden sind, durch einen Stromspiegel (1) mit einer Eingangsklemme (1a) und einer Ausgangsklemme (1b), die an die Kollektoren von_verstem bzw. zweitem Transistor (4, 5) angeschlossen sind, durch eine zwischen den Kollektor des dritten Transistors (3) und die Eingangsklemme (1a) des Stromspiegels (1) geschaltete Schaltereinrichtung (6) und durch eine an die Ausgangsklemme (1b) angeschlossene Einheit (7) zum Schließen und Öffnen der Schaltereinrichtung (6) in Abhängigkeit von der Beziehung bzw. dem Verhältnis zwischen den Größen des AusgangsStroms des Stromspiegels (1) und des Kollek-

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torstroms des zweiten Transistors (5) .

2. Triggerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltereinrichtung eine Diode umfaßt, die so geschaltet ist, daß in einem Durchschaltzustand ein Strom von der Eingangskleirane des Stromspiegels zum Kollektor des ersten Transistors leitbar ist, und daß die Einheit zum Schließen und Öffnen der Schaltereinrichtung einen Transistor aufweist, der mit der Basis an die Ausgangsklemme des Stromspiegels und mit dem Kollektor an den Kollektor des ersten Transistors angeschlossen ist.

3. Triggerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei genannten Transistoren vom npn-Leitungstyp sind und daß der Stromspiegel in Stromspiegelkonfiguration geschaltete pnp-Transistoren aufweist.

4. Triggerschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor der Einheit zum Schließen und Öffnen der Schaltereinrichtung vom pnp-Leitungstyp ist.

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