DE3033674A1 - Waveguide with resonator using microstrip conductor - has coupling to exclusion band guide via loop or hole keeping max. excitation of dominant mode - Google Patents
Waveguide with resonator using microstrip conductor - has coupling to exclusion band guide via loop or hole keeping max. excitation of dominant modeInfo
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Abstract
Description
ßescßre,h4M7ßescßre, h4M7
Resonatoranordnung Die Erfindung betrifft eine Anordnung eines Hohlleiteus an den eine Mikrostreifenleitung angekoppelt ist. Solche Anerdnungen werden z.B. zum Aufbau von Resonatoren verwendet. Resonator arrangement The invention relates to an arrangement of a hollow conductor to which a microstrip line is coupled. Such groundings are e.g. used to build resonators.
Stand der Technik Mikrostreifenleitertechnik: Die wichtigste Technologie für moderne Systeme des Richtfunks und Satellitenfunks ist die Mikrostreifenleitertechnik.State of the art Microstrip line technology: The most important technology for modern systems of radio relay and satellite radio is the microstrip line technology.
Sie ermöglicht es, integrierte Mikrowellen-Schaltungen billig und in großer Stückzahl herzustellen. Einige Komponenten wie Verstärker, Oszillatoren oder Filterelemente können in dieser Technik wegen folgender Nachteile jedoch nur ungünstig realisiert werden: 1) Schaltungsverluste sind relativ hoch, so daß Oszillatoren nur einen geringen externen Gütefaktor aufweisen.It makes it possible to use microwave integrated circuits cheaply and to be produced in large numbers. Some components like amplifiers, oscillators or filter elements can only be used in this technology because of the following disadvantages be implemented unfavorably: 1) circuit losses are relatively high, so that oscillators only have a low external quality factor.
2) Die Dielektrizitätskonstante des Substratmaterials ist von der Temperatur abhängig.2) The dielectric constant of the substrate material is from depending on the temperature.
3) Abstimmöglichkeiten sind nur umständlich zu realisieren.3) Coordination options are difficult to implement.
Hieraus sind z. B. folgende ungünstige Eigenschaften abzuleiten: 4) Eine vorgegebene Frequenz kann nur umständlich eingestellt werden.From this z. B. derive the following unfavorable properties: 4) It is difficult to set a given frequency.
5) Die Langzeitstabilität ist schlecht. Die Temperaturdrift der Frequenz beträgt typisch 10/OC und ist damit für fast alle Anwendungen um 1 bis 3 Größenordnungen zu hoch.5) Long-term stability is poor. The temperature drift of the frequency is typically 10 / OC and is therefore around 1 to 3 orders of magnitude for almost all applications too high.
6) Die Kurzzeitstabiiität, d. h. das FM-Rauschen, ist ähnlich unbefriedigend.6) The short-term stability, i.e. H. the FM noise is similarly unsatisfactory.
i) Die chaltungsverluste werden meist zu hoch, wenn man den Resonanzkreis stärker ankoppelt, um den Gütefaktor zu er höhen.i) The circuit losses are usually too high if the resonance circuit is used more strongly coupled in order to increase the quality factor.
8) Das Optimieren der Schaltung (z. B. zur Leistungsanpassung) ist umständlich (und daher nicht mehr billig). Wegen der Streuung der Halbleiterelemente ist dieser Vorgang bei jedem Element zu wiederholen.8) Optimizing the circuit (e.g. for power adjustment) is cumbersome (and therefore no longer cheap). Because of the scattering of the semiconductor elements this process must be repeated for each element.
Ilm diese Nachteile auszugleichen, werden bisher im wesentlirilien zwei Lösungen verfolgt: Die Ankopplung der Schaltung an einen kreiszylindlisehell E010-Resonator oder an einen dielektrischen Resonator. Beide Lösungen sind aber aufwendig und damit teuer.To compensate for these disadvantages, there have been essentially no problems so far pursued two solutions: The coupling of the circuit to a circular cylinder E010 resonator or a dielectric resonator. Both solutions are, however complex and therefore expensive.
Sperrbereichshohlleiter-Technik: Die Schaltungstechnik mit Hohlleitern unterhalb der Grenzfrequenz, meist Sperrbereichshohlleiter-Technik genannt, wurde erst in den letzten 12 Jahren entwickelt. Zunächst entdeckte Craven /1/ Wavegllide below cutoff: "A new type of microwave integrated circuitt? Microwave Journal, vol. 13 (Aug. 1970), p. 51 den Sperrbereichshohlleiter als neuartiges Schaltelement, mit dem sich Schaltungen aufbauen lassen, die im Gegensatz zu herkömmlichen Schaltungen der Mikroweilentechnik keine Wellenausbreitung kennen. Damit ist dann ein integrierter Aufbau von Subsystemen möglich, ohne daß Verbindungsleitungen benötigt werden.Blocked-range waveguide technology: The circuit technology with waveguides below the cut-off frequency, usually called stop-band waveguide technology, became only developed in the last 12 years. First, Craven discovered / 1 / Wavegllide below cutoff: "A new type of microwave integrated circuitt? Microwave Journal, vol. 13 (Aug 1970), p. 51 the blocked-range waveguide as a new type of switching element, with which circuits can be built that in contrast to conventional circuits do not know wave propagation in microwave technology. This is then an integrated Subsystems can be set up without the need for connecting cables.
Die erste Entwicklungsstufe der neuen Schaltungstechnik wur de fast ausschließlich von Craven und seiner Arbeitsgruppe geprägt. Die äußeren Merkmale des Sperrbereichshohlleiters, sein geringes Volumen und niedriges Gewicht, wurden herausgestellt und ausgenutzt, um Bandpaßfilter für Anwendungen im Satelliten-funk zu realisieren. Solche Filter werden heut:e von vielen Geräteherstellern verwendet.The first stage of development of the new circuit technology was almost shaped exclusively by Craven and his working group. The external features of the restricted range waveguide, its small volume and light weight exposed and exploited to bandpass filters for applications in satellite radio to realize. Such filters are used today by many device manufacturers.
Die zweite und bisher letzte Entwicklungsstufe dieser Schaltungstechnik wurde durch die Untersuchungen von /2/ SchOnemann, Knöchel, Begemann: "Components for microwave inteerated circuits with evanescent mode resonators", IFEE Trans.The second and so far last development stage of this circuit technology was determined by the investigations of / 2 / SchOnemann, Knöchel, Begemann: "Components for microwave inteerated circuits with evanescent mode resonators ", IFEE Trans.
MTT, vol. MTT-25 (1977), pp. 1026-1032 bestimmt. Man kann als ihr Ergebnis zusammenfassen, daß alle realisierten Schaltungskomponenten mit Halbleiterbauelementen den in dr Literatur bisher beschriebenen in ihren elektrischen Eigens schaften meist deutlich überlegen sind: Die Vorzüge einer Schaltungstechnik mit Hohlleitern unterhalb der Grenzfrequenz sind zusammengefaßt im folgenden: 1. Die Schaltelemente haben konzentrierten Charakter.MTT, vol. MTT-25 (1977), pp. 1026-1032. One can be as you Summarize the result that all implemented circuit components with semiconductor devices in their electrical properties mostly those described in the literature so far The following are clearly superior: The advantages of circuit technology with waveguides underneath the cut-off frequency are summarized in the following: 1. The switching elements have concentrated character.
2. Ein realisiertes Schaltelement wirkt entweder nur indtiv oder nur kapazitiv. Seine Eigenschaft ist daher relativ einfach vorhersagbar.2. A switching element that has been implemented either acts only indtively or only capacitive. Its property is therefore relatively easy to predict.
3. Es gibt keine störenden parasitären Schaltelemente.3. There are no interfering parasitic switching elements.
4. Die Schaltungen sind breitbandig und gut durchstimmbar.4. The circuits are broadband and easily tunable.
5. Die Schaltungsverluste sind niedrig.5. The circuit losses are low.
6. Es können einfach passive und aktive Schaltungskomponen ten intergiert werden.6. Passive and active circuit components can be easily integrated will.
7. Die Mikrowellennetzwerke zeichnen sich durch einen bemerkenswert einfachen Aufbau aus.7. The microwave networks are distinguished by a remarkable simple structure.
8. Die Größe, das Gewicht und die Kosten von Schaltungen sind erheblich niedriger als in der normalen Hohlleitertechnik.8. The size, weight, and cost of circuits are significant lower than in normal waveguide technology.
Nachteilig ist der für die Hohlleitertechnik typische aufwendige und damit teure Einbau von Halbleiterbauelementen.The disadvantage is the complex and typical of waveguide technology thus expensive installation of semiconductor components.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung anzugeben, mit der sich Resonatoren aufbauen lassen, die neben einer einfachen, leichten, platz- und gewichtsparenden Bauweise auch höhere Güten als Streifenleitungsresonatoren und eine bessere Durchstimmbarkeit aufweisen.The invention is based on the object of specifying an arrangement with which resonators can be built, which in addition to a simple, light, space-saving and weight-saving design also higher quality than stripline resonators and have better tunability.
Die Aufgabe wird gelöst wie im Anspruch 1 beschrieben. Die Unteransprüche geben vorteilhafte Weiterbildungen an.The object is achieved as described in claim 1. The subclaims indicate advantageous further training.
Im folgenden sei die Erfindung anhand von Figuren und an Ausführ'ungsbeispielen näher erläutert.In the following the invention is based on figures and exemplary embodiments explained in more detail.
Die Figur 1 zeigt die erfindungsgemäie Ankopplung einer Mikrostreifenleitung an einen Sperrbereichs hohlleiter mit einer Koppelschleife a) an die Hohlleiterwand (Breit- oder Schmalseite) und b) an die Hohlleiter-Stirnseite, dabei bedeutet 1 Sperrbereichshohlleiter, 2 Abstimmschraube, 3 Koppelschleife, 4 Substrat und 5 Streifenleitungsgehäuse.FIG. 1 shows the coupling according to the invention of a microstrip line to a restricted area waveguide with a coupling loop a) to the waveguide wall (Wide or narrow side) and b) on the waveguide front side, where 1 means Blocked-range waveguide, 2 tuning screws, 3 coupling loops, 4 substrates and 5 stripline housings.
Die Figur 2 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung mit Loch Kopplung, dabei bedeutet 6 Abstimmschraube, 7 Rückseitenmetallisierung, 8 Gehäuse, 9 Substratmaterial, 10 Leitungsbahnstruktur, 11 Koppelloch.Figure 2 shows an arrangement according to the invention with hole coupling, 6 means tuning screw, 7 backside metallization, 8 housing, 9 substrate material, 10 track structure, 11 coupling hole.
Die Figur 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Gunn-Cszil lators a) Querschnitt, b) Draufsicht, dabei bedeutet 12 Abstimmschraube, 13 Hohlleiter unterhalb der Grenzfrequenz, 124 Koppelschleife, 15 Gunn-Element, 16 Streifenleitung, 17 SMA-Buchse.Figure 3 shows an embodiment of a Gunn Cszil lators a) cross-section, b) plan view, where 12 means tuning screw, 13 means waveguide below the cutoff frequency, 124 coupling loop, 15 Gunn element, 16 stripline, 17 SMA socket.
Die Figur lt zeigt den Durchstimmbereich des Gunn-Oszillators.The figure shows the tuning range of the Gunn oscillator.
Die Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines FET-Oszillators a) schematisehe Darstellung des FET-Oszillators, b) Teilansicht des FET-VCO, dabei bedeutet 18 FET, 19 Varaktor.Figure 5 shows an embodiment of an FET oscillator a) Schematic representation of the FET oscillator, b) Partial view of the FET VCO, here means 18 FET, 19 varactor.
Die Figur 6a zeigt den mechanischen Durchstimmbereich des FET-Oszillators.FIG. 6a shows the mechanical tuning range of the FET oscillator.
Die Figur 6b zeigt die elektronische Durchstimmcharakteristik des FET-VCO, dabei ist Var : Varaktorspannung Die Grundidee dieser schaltungstechnik ist, die elektrischen Vorzüge der Sperrbereichshohlleiter-Technik mit den wirtschaftlichen Herstellungsverfahren der Mikrostreifenleiter-Technik zu kombinieren. Dazu soll der Aufbau der Mikrostreifenleitung (dielektrisches Substrat mit Kupferkaschlerung.in einem:;ehäuse) beibehalten werden. Resonatoren dürfen allerdings nicht mehr mit der Mikrostreifenleitung realisiert werden, da ihr Gütefaktor für eine Anwendung in Oszillatoren und Verstärkern zu niedrig wäre. Statt dessen sollen die Abmessungen des Gehäuses so gewählt werden, daß es einen Rechteckhohlleiter unterhalb der Grenzfrequenz darstellt. Zum Aufbau von Resonanzstrukturen muß man dann den Mikrostreifenleiter unterbrechen und das als induktiver Sperrbereichshohlleiter wirkende Gehäuse durch Hinzufügen des komplementären Energiespeichers (z. B. Abstimmschraube) vervollständigen. Da man hierbei, wie in /2/ ausgeführt wird; keine parasitären Schaltelemente kapazitiven Charakters erzeugt, kann man einfache Ersatzschaltbilder unverfälscht realisieren. Das erlaubt eine für jedweden Schaltungsaufbau ideale Forderung mit dieser Schaltungstechnik zu erfüllen: Man kann die Aufgaben "Transformation von Realteil und Imaginärteile der Schaltungsimpedanz" unabhängig voneinr ander (d. h. getrennt) erfüllen, indem man den Realteil nur über die Form des Mikrostreifenleiters, den Imaginärteil nur über das zum Resonator ergänzte Gehäuse beeinflußt. Für die Trennung ist dabei wesentlich, daß in diesem Teil der Schaltung (dem Resonator) keine Wellenausbreitung möglich ist.FIG. 6b shows the electronic tuning characteristics of the FET-VCO, where Var is: varactor voltage The basic idea of this circuit technology is, the electrical advantages of the restricted-band waveguide technology with the economic Combine manufacturing processes of microstrip technology. This is supposed to the structure of the microstrip line (dielectric substrate with copper cladding in a:; ehäuse) are retained. However, resonators are no longer allowed the microstrip line, as its quality factor is suitable for an application in oscillators and amplifiers would be too low. Instead, the dimensions of the housing can be chosen so that there is a rectangular waveguide below the cutoff frequency represents. The microstrip line must then be used to build up resonance structures interrupt and the housing acting as an inductive blocked range waveguide through Complete the addition of the complementary energy store (e.g. tuning screw). Since, as in / 2 /; no parasitic switching elements capacitive Generated character, one can realize simple equivalent circuit diagrams unadulterated. This allows an ideal requirement for any circuit structure with this circuit technology to be fulfilled: One can do the tasks "Transformation of real and imaginary parts of the circuit impedance "independently of one another (i.e., separately) by the real part only via the shape of the microstrip line, the imaginary part only influenced by the housing added to the resonator. For the separation it is essential that that in this part of the circuit (the resonator) no wave propagation is possible is.
Man arbeitet damit hier mit konzentrierten Schaltelementen.One works here with concentrated switching elements.
Realisierungsmöglichkeiten: Die verschiedenen Ausführungen unterscheiden sich im wesentlochen durch die Art der Ankopplung der Streifenleitung an den Resonator. Es handelt sich dabei um Schleife und Lochkopplung, wobei mit Form, Größe und Lage der Koppelelemente die Koppelstärke geändert werden kann.Realization options: The different versions differ This is essentially due to the way in which the stripline is coupled to the resonator. It is about loop and hole coupling, with shape, size and position the coupling elements the coupling strength can be changed.
a) Schleifenkopplung Die Streifen leitung mündet in einen Sperrbereichshohllei ter. An der Mündungsstelle endet die Streifenleitung mit einer Schleife, die an das H--Feld der H10-l.elleänkoppelt Die Koppelstelle kann sich sowohl an der Stirnseite als auch an einer der beiden Wände des Hohlleiters befinden (Fig. 1>.a) Loop coupling The strip line opens into a restricted area hollow ter. At the point where it ends, the stripline ends with a loop that is attached to the H - field of the H10-l as well as on one of the two walls of the waveguide (Fig. 1>.
b) Lochkopplung In den Boden des Streifenleitungsgehäuses wird ein Stück Sperrbereichshohlleiter gefräst. Die Rückseitenmetallisierung der sich darüber befindlichen Streifenleitung bildet die obere Wand des Hohlleiters. Die Abstimmschraube ist die Kapazität des Schwingkreises. Die Ankopplung an;die Streifenleitungsschaltung geschieht mittels Löcher in der Rückseitenmetallisierung des Substrate (Fig. ').b) Hole coupling A Milled piece of restricted area waveguide. The backside metallization is about it located stripline forms the upper wall of the waveguide. The tuning screw is the capacity of the resonant circuit. The coupling to; the stripline circuit happens by means of holes in the rear side metallization of the substrate (Fig. ').
Eigenschaften Neben den bemerkenswerten wirtschaftlichen Eigenschaften (einfache, leichte, platz und gewichtssparende und damit preiswerte Bauweise) weist diese Technik eine Reihe hervorragender elektrischer Merkmale auf, die sie als eine interessante Ergänzung für die Streifenleitertechnik auszeichnen: - Güten, die urn ein Vielfaches höher sind als bei Streifenleitungsresonatoren.Properties In addition to the remarkable economic properties (simple, light, space and weight-saving and thus inexpensive construction) has this technique has a number of excellent electrical characteristics that make it a Interesting addition to the stripline technology distinguish: - Grades that urn are many times higher than with stripline resonators.
- Koppelfaktoren lassen sich fast beliebig einstellen und ändern sich nur wenig über weite Frequenzbänder. - Coupling factors can be set and changed in almost any way spreads only a little over wide frequency bands.
Netzwerke sind wegen des quasi-konzentrierten Charakters der Schaltelemente einfach zu entwerfen. Einflache Ersatzschaltbilder sind die Folge. Networks are because of the quasi-concentrated character of the switching elements easy to design. Simple equivalent circuit diagrams are the result.
- H fvorragende !rurchstimmbarkeit. - Excellent tunability.
Anwendungsbeispiele: Mit dieser Technik wurden zwei Oszillatoren aufgebaut, wobei jeweils verschiedene Ankopplungsarten untersucht wurden.Application examples: With this technique, two oscillators were built, different types of coupling were examined in each case.
Figur 3 zeigt die schematische Ansicht von einem Gunn-Oszillator Der Resonanzkreis ist durch eine Schleife an das Gunn-Element angekoppelt. Die Realteiltransformation geschieht über den getaperten Mikrostreifenleiter. Das Betriebsverhalten nach noch nicht systematischer Optimierung zeigt Figur 4. Danach läßt sich die Schwingfrequenz über das halbe X-Band nur mit der Abstimmschraube verstimmen, wobei allerdings die Leistung;um 3 dB schwankt.FIG. 3 shows the schematic view of a Gunn oscillator Der The resonance circuit is coupled to the Gunn element by a loop. The real part transformation happens via the tapered microstrip conductor. The operating behavior after still Figure 4 shows non-systematic optimization. Then the oscillation frequency Only detune over half of the X-band with the tuning screw, although the Power; fluctuates by 3 dB.
FT-szillator Figur 5 zeigt den Aufbau eines FET-Oszillators. Es wurde für sen FET 18 (im Streifenleitungsgehäuse) eine Source-Schaltung gewählt um maximale Ausgangsleistung zu bekommen und eine gute Wärmeabfuhr zu gewährleisten. Die Rückkoppel Schleife zwischen Ausgang (Drain) und Eingang (Gate), die notwendig ist um den Stabilitätsfaktor des FET zu verringern, wurde als Transmissions-Resonator mit Lochkopplung ausgeführt.FT-szillator Figure 5 shows the structure of an FET oscillator. It was for sen FET 18 (in the strip line housing) a source circuit selected to maximum Get output power and ensure good heat dissipation. The feedback Loop between output (drain) and input (gate), which is necessary for the stability factor of the FET was designed as a transmission resonator with hole coupling.
Die Anpassungsschaltung des FET sowie die Form und die Größe der Koppellöcher wurden experimentell dahingehend optimiert, um bei gleichzeitig maximaler Leistung eine möglichst große Durchstimmbandbreite zu bekommen.The matching circuit of the FET as well as the shape and size of the coupling holes have been experimentally optimized to achieve maximum performance at the same time to get the largest possible tuning bandwidth.
Ein Varaktor 19, der in den Gate-Kreis eingebaut wurde, er-.A varactor 19, which was built into the gate circuit, he.
möglichte nach zusätzlicher Optimierung außerdem eine elektronische Abstimmung des Oszillators (Fig. 5b).an electronic one was also possible after additional optimization Tuning the oscillator (Fig. 5b).
Folgende Werte wurden erreicht (vgl. Fig. 6): 1) Mechanisch abstimmbarer Oszillator: - Mittenfrequenz f0 = 7.8 GHz - Durchstimmbandbreite: af = + 550 MHz ~ Leistung bei f0 : PO = 10 dBm - Leistungsschwankung : AP = 1.2 dB - Wirkungsgrad : 12.8 % # # < 29.6 % (UDs = 3 V) 2) FET-VCO: - mechanischer Abstimmbereich: f = 5.7 : 5.80 GHz - elektronischer Abstimmbereich: bei f0 = 5.70 GHz (p0 = 10.2 dBm): Af = + 1000 MHz, AP = + 1.8 dBm bei f0 = 5,80 γHz (P0 = 12.4 4Bm): := + 900 MHz, #P = - 1. dßm (UDS = 3 V) Leerseite seileThe following values were achieved (see Fig. 6): 1) Mechanically tunable Oscillator: - Center frequency f0 = 7.8 GHz - Tuning bandwidth: af = + 550 MHz ~ Power at f0: PO = 10 dBm - power fluctuation: AP = 1.2 dB - efficiency : 12.8% # # <29.6% (UDs = 3 V) 2) FET-VCO: - mechanical tuning range: f = 5.7: 5.80 GHz - electronic tuning range: at f0 = 5.70 GHz (p0 = 10.2 dBm): Af = + 1000 MHz, AP = + 1.8 dBm at f0 = 5.80 γHz (P0 = 12.4 4Bm):: = + 900 MHz, #P = - 1. dßm (UDS = 3 V) Blank page ropes
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0234002A (en) * | 1988-07-23 | 1990-02-05 | Nec Corp | Coaxial waveguide converter |
FR2675637A1 (en) * | 1991-04-16 | 1992-10-23 | Bretagne Critt | MICRO-TAPE LINE TRANSITION / WAVEGUIDE. |
-
1980
- 1980-09-06 DE DE19803033674 patent/DE3033674A1/en not_active Ceased
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